NL142283B - Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een op het halfgeleideroppervlak aangebrachte laag siliciumoxyde. - Google Patents
Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een op het halfgeleideroppervlak aangebrachte laag siliciumoxyde.Info
- Publication number
- NL142283B NL142283B NL646403503A NL6403503A NL142283B NL 142283 B NL142283 B NL 142283B NL 646403503 A NL646403503 A NL 646403503A NL 6403503 A NL6403503 A NL 6403503A NL 142283 B NL142283 B NL 142283B
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- manufacturing
- layer
- silicon oxide
- semiconductor device
- oxide applied
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 title 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 title 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/017—Clean surfaces
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/037—Diffusion-deposition
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/043—Dual dielectric
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/906—Cleaning of wafer as interim step
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Weting (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US269979A US3281915A (en) | 1963-04-02 | 1963-04-02 | Method of fabricating a semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL6403503A NL6403503A (nl) | 1964-10-05 |
| NL142283B true NL142283B (nl) | 1974-05-15 |
Family
ID=23029390
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL646403503A NL142283B (nl) | 1963-04-02 | 1964-04-02 | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een op het halfgeleideroppervlak aangebrachte laag siliciumoxyde. |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US3281915A (nl) |
| JP (1) | JPS4937303B1 (nl) |
| BE (1) | BE646063A (nl) |
| DE (1) | DE1489240B1 (nl) |
| GB (1) | GB1055724A (nl) |
| NL (1) | NL142283B (nl) |
| SE (1) | SE304062B (nl) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE1250790B (de) * | 1963-12-13 | 1967-09-28 | N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven (Niederlande) | Verfahren zur Herstellung diffundierter Zonen von Verunreinigungen in einem Halbleiterkörper |
| US3342650A (en) * | 1964-02-10 | 1967-09-19 | Hitachi Ltd | Method of making semiconductor devices by double masking |
| US3357902A (en) * | 1964-05-01 | 1967-12-12 | Fairchild Camera Instr Co | Use of anodizing to reduce channelling on semiconductor material |
| US3490963A (en) * | 1964-05-18 | 1970-01-20 | Sprague Electric Co | Production of planar semiconductor devices by masking and diffusion |
| GB1124762A (en) * | 1965-01-08 | 1968-08-21 | Lucas Industries Ltd | Semi-conductor devices |
| US3389023A (en) * | 1966-01-14 | 1968-06-18 | Ibm | Methods of making a narrow emitter transistor by masking and diffusion |
| US3632433A (en) * | 1967-03-29 | 1972-01-04 | Hitachi Ltd | Method for producing a semiconductor device |
| US3545076A (en) * | 1967-08-22 | 1970-12-08 | Bosch Gmbh Robert | Process of forming contacts on electrical parts,particularly silicon semiconductors |
| DE2047998A1 (de) * | 1970-09-30 | 1972-04-06 | Licentia Gmbh | Verfahren zum Herstellen einer Planaranordnung |
| US3776786A (en) * | 1971-03-18 | 1973-12-04 | Motorola Inc | Method of producing high speed transistors and resistors simultaneously |
| JPS5248055B2 (nl) * | 1973-11-12 | 1977-12-07 | ||
| US3933541A (en) * | 1974-01-22 | 1976-01-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Process of producing semiconductor planar device |
| US4186032A (en) * | 1976-09-23 | 1980-01-29 | Rca Corp. | Method for cleaning and drying semiconductors |
| DE2838928A1 (de) * | 1978-09-07 | 1980-03-20 | Ibm Deutschland | Verfahren zum dotieren von siliciumkoerpern mit bor |
| US6004399A (en) * | 1996-07-01 | 1999-12-21 | Cypress Semiconductor Corporation | Ultra-low particle semiconductor cleaner for removal of particle contamination and residues from surface oxide formation on semiconductor wafers |
| JP3595441B2 (ja) * | 1997-12-29 | 2004-12-02 | 三菱電機株式会社 | 塩酸過水を用いた洗浄方法 |
| CN102169818B (zh) * | 2009-12-17 | 2013-12-11 | 罗门哈斯电子材料有限公司 | 纹理化半导体衬底的改进方法 |
| EP3175300A4 (en) * | 2014-07-30 | 2018-02-28 | HP Indigo B.V. | Cleaning electrophotographic printing drums |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL210216A (nl) * | 1955-12-02 | |||
| NL95308C (nl) * | 1956-02-29 | 1960-09-15 | ||
| DE1040134B (de) * | 1956-10-25 | 1958-10-02 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen mit Halbleiterkoerpern mit p-n-UEbergang |
| BE531769A (nl) * | 1957-08-07 | 1900-01-01 | ||
| DE1134357B (de) * | 1958-09-22 | 1962-08-09 | Siemens Ag | Verfahren zur Reinigung von einkristallinen Halbleiterkoerpern |
| US2948642A (en) * | 1959-05-08 | 1960-08-09 | Bell Telephone Labor Inc | Surface treatment of silicon devices |
| US2953486A (en) * | 1959-06-01 | 1960-09-20 | Bell Telephone Labor Inc | Junction formation by thermal oxidation of semiconductive material |
| US3147152A (en) * | 1960-01-28 | 1964-09-01 | Western Electric Co | Diffusion control in semiconductive bodies |
| US3085033A (en) * | 1960-03-08 | 1963-04-09 | Bell Telephone Labor Inc | Fabrication of semiconductor devices |
| GB920306A (en) * | 1960-08-25 | 1963-03-06 | Pacific Semiconductors Inc | Fabrication method for semiconductor devices |
| US3055776A (en) * | 1960-12-12 | 1962-09-25 | Pacific Semiconductors Inc | Masking technique |
-
1963
- 1963-04-02 US US269979A patent/US3281915A/en not_active Expired - Lifetime
-
1964
- 1964-03-25 GB GB12712/64A patent/GB1055724A/en not_active Expired
- 1964-04-01 DE DE19641489240 patent/DE1489240B1/de active Pending
- 1964-04-01 SE SE4030/64A patent/SE304062B/xx unknown
- 1964-04-02 NL NL646403503A patent/NL142283B/nl unknown
- 1964-04-02 BE BE646063A patent/BE646063A/xx unknown
- 1964-04-02 JP JP39018454A patent/JPS4937303B1/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SE304062B (nl) | 1968-09-16 |
| GB1055724A (en) | 1967-01-18 |
| BE646063A (nl) | 1964-07-31 |
| JPS4937303B1 (nl) | 1974-10-08 |
| US3281915A (en) | 1966-11-01 |
| DE1489240B1 (de) | 1971-11-11 |
| NL6403503A (nl) | 1964-10-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL142283B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een op het halfgeleideroppervlak aangebrachte laag siliciumoxyde. | |
| NL141329B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting met een maskerlaag van siliciumnitride, alsmede aldus vervaardigde halfgeleiderinrichting. | |
| NL151560B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting voorzien van een isolerende glaslaag en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL153374B (nl) | Werkwijze ter vervaardiging van een halfgeleiderinrichting voorzien van een oxydelaag en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL161305B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderin- richting. | |
| NL142287B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting, alsmede halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL170901C (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting. | |
| NL168741C (nl) | Inrichting voor het vlakslijpen van werkstukken. | |
| NL161617B (nl) | Halfgeleiderinrichting met vlak oppervlak en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
| NL162791C (nl) | Werkwijze voor het samenstellen van een halfge- leiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL158025B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting, vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL154870B (nl) | Metalen montageband te gebruiken bij de fabricage van halfgeleiderinrichtingen, werkwijze voor het met behulp van deze montageband fabriceren van halfgeleiderinrichtingen en met deze werkwijze verkregen halfgeleiderinrichting. | |
| NL162250B (nl) | Halfgeleiderinrichting met een halfgeleiderlichaam, waarvan aan een hoofdoppervlak het halfgeleideroppervlak plaatselijk met een oxydelaag is bedekt, en werkwijze voor het vervaardigen van planaire halfgeleider- inrichtingen. | |
| NL154868B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen en halfgeleiderinrichtingen volgens deze werkwijze verkregen. | |
| NL142281B (nl) | Samengestelde halfgeleiderinrichting en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. | |
| NL143072B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting en halfgeleiderinrichting vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL144779B (nl) | Werkwijze tot het vervaardigen van een halfgeleiderelement met een passiverende siliciumoxydelaag en halfgeleiderelement volgens die werkwijze. | |
| NL161922B (nl) | Halfgeleiderinrichting bevattende een halfgeleider- lichaam met twee onderling gescheiden delen van een halfgeleiderschakelelement, die grenzen aan een opper- vlak van het halfgeleiderlichaam, en een door een isolerende laag van het oppervlak gescheiden elektrisch geleidende laag tegenover het halfgeleiderlichaam tussen de twee delen. | |
| NL143734B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderveldeffectinrichting en halfgeleiderveldeffectinrichting verkregen volgens deze werkwijze. | |
| NL155663B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichtingen, alsmede voorwerp vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| BE776481A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleidermonokristallen | |
| NL144777B (nl) | Werkwijze voor het gelijktijdig vervaardigen van een aantal in een halfgeleiderlichaam opgenomen halfgeleiderinrichtingen en halfgeleiderlichaam vervaardigd volgens deze werkwijze. | |
| NL139414B (nl) | Werkwijze voor het aanbrengen van een gelijkrichtende p,n-keerlaag in een kristallijn halfgeleiderplaatje en halfgeleiderinrichting voorzien van het halfgeleiderplaatje vervaardigd volgens de werkwijze. | |
| NL143627B (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van halfgeleiderinrichting en aldus vervaardigde inrichtingen. | |
| BE750088A (nl) | Werkwijze voor het vervaardigen van een halfgeleiderinrichting |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| VJC | Lapsed due to non-payment of the due maintenance fee for the patent or patent application | ||
| NL80 | Information provided on patent owner name for an already discontinued patent |
Owner name: RCA |