NL1025119C2 - Organische elektroluminescerende inrichting met twee panelen en werkwijze voor het vervaardigen daarvan. - Google Patents

Description

Korte aanduiding: Organische elektroluminescerende inrichting met twee panelen en werkwijze voor het vervaardigen daarvan.

[0001] De onderhavige uitvinding roept de prioriteit in van de Koreaanse octrooiaanvrage nr. 2002-84579, ingediend in Korea op 26 december 2002, waarvan de inhoud als hierin opgenomen wordt beschouwd.

5 [0002] De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een organi sche elektroluminescerende inrichting en meer in het bijzonder op een organische elektroluminescerende inrichting van de soort met twee panelen welke in het proces van vervaardigen ervan een gereduceerd aantal maskers vergt, en op een werkwijze voor het vervaardi-10 gen daarvan.

[0003] Van de beeldweergevende inrichtingen met vlak paneel j (FPD's) zijn de organische elektroluminescerende (EL) inrichtingen in het bijzonder van belang geweest bij de research en ontwikkeling omdat zij lichtemitterende beeldweergevende inrichtingen zijn die 15 een grote zichthoek toestaan en tevens de gewenste contrastverhou-ding vertonen vergeleken met de beeldweergevende inrichtingen met vloeiende kristallen (LCD). Omdat er bij dergelijke organische EL inrichtingen geen achtergrondverlichting nodig is zijn hun afmetingen klein en is het gewicht laag vergeleken met andere soorten 20 beeldweergevende inrichtingen. De organische EL beeldweergevende inrichtingen hebben nog andere gewenste karakteristieken zoals een lage stroomopname, een superieure helderheid en een snelle respon-sietijd. Bij het aansturen van de organische EL inrichtingen is slechts een zeer zwakke gelijkspanning nodig. Voorts kan een zeer 25 snelle responsie worden verkregen. Het is duidelijk dat, omdat organische EL inrichtingen geheel met een vaste stof zijn uitgevoerd, dit in tegenstelling tot LCD-inrichtingen, zij voldoende sterk zijn om bestand te zijn tegen van buiten komende schokken en ook een groter werktemperatuurbereik vertonen. Omdat het vervaardigen van 30 een organische EL inrichting een betrekkelijk eenvoudig proces is met weinig processtappen kan een organische EL inrichting veel goedkoper worden vervaardigd dan een vergelijkbare LCD inrichting of met een plasma werkende beeldweergevende panelen (PDP's). Slechts 025119- - 2 - een installatie voor neerslag en inkapselen zijn voor de vervaardiging van de organische EL inrichtingen nodig.

[0004] In een organische EL inrichting met actieve matrix wordt een spanning, aangelegd aan de pixel, en een lading voor het hand- 5 haven van de spanning in een opslagcondensator opgeslagen. Dit staat het toe dat de inrichting wordt aangestuurd met een constante spanning totdat de spanning van het eerstvolgend beeldframe wordt toegevoerd, en dit onafhankelijk van het aantal aftastlijnen. Het resultaat is dat, bij een lage toegevoerde stroom een equivalente hel- 10 derheid wordt verkregen, een organische EL inrichting met actieve ma- trix met een lage stroomopname, een hoge resolutie en een groot opper-j vlak kan worden vervaardigd.

[0005] Fig. 1 is het equivalente schema van de basispixelstructuur van een organische elektroluminescerende inrichting met actieve matrix 15 volgens de stand van de techniek. Volgens fig. 1 is een aftastlijn 2 aangebracht verlopend in een eerste richting, en een signaallijn 4 en een voedende lijn 5 zijn aangebracht in een tweede richting die loodrecht staat op deze eerste richting, op deze wijze een pixelgebied "P" bepalend. De signaallijn 4 en de voedende lijn 5 liggen op afstand van 20 elkaar. Een schakelende dunne-filmtransistor (TFT) "Ts", een adresserend element, is verbonden met de aftastlijn 2 met de signaallijn 4, en een opslagcondensator "CST" is verbonden met de schakelende TFT "Ts” en met de voedende lijn 6. Een aansturende TFT "TD", een stroombron-element, is verbonden met de opslagcondensator "Cst" en met de voedende 25 lijn 6, en een organische elektroluminescerende (EL) diode Del” is verbonden met de aansturende TFT "TD". De organische EL diode "DEl" heeft tussen een anode en een kathode een (niet getekende) organische EL laag. De schakelende TFT "Ts" regelt de spanning die wordt aangelegd aan de aansturende TFT "TD" en de opslagcondensator "Cst" slaat een la-30 ding op voor het handhaven van de spanning die is aangelegd aan de aansturende TFT "TD".

[0006] Wanneer een aftastend signaal op de aftastlijn 2 wordt aangelegd aan de schakelende poortelektrode van de schakelende TFT "T$" wordt de schakelende TFT "Ts" IN geschakeld, en een beeldsignaal af-

35 komstig van de signaallijn 4 wordt aangelegd aan de aansturende poortelektrode van de aansturende TFT "TD" en de opslagcondensator "Cst" via het schakelend element "Ts". Het resultaat is dat de aansturende TFT "TD" wordt IN geschakeld. Wanneer de aansturende TFT "T0" geleidend is wordt stroom op de voedende lijn 6 toegevoerd aan de organische EL

1025119- - 3 - diode "Del" via de aansturende TFT "TD". Het resultaat is dat licht wordt geëmitteerd. De stroomdichtheid door het aansturend element "TD" wordt gemoduleerd door het beeldsignaal dat wordt aangelegd aan de aansturende poortelektrode. Het resultaat is dat de organische elek-5 troluminescerende diode "DEl" beelden over een groot aantal niveaus in een grijsschaal kan weergeven. Omdat de spanning van het beeldsignaal dat is opgeslagen in de opslagcondensator "CSt" wordt aangelegd aan de aansturende poortelektrode kan de stroomdichtheid die vloeit in de organische elektroluminescerende diode "Del" op een uniform niveau worden 10 gehandhaafd totdat het eerstvolgend beeldsignaal wordt aangelegd, zelfs wanneer het schakelend element "Ts" is uitgeschakeld.

[0007] Fig. 2 is een schematisch vlak aanzicht van een organische elektroluminescerende inrichting volgens de stand van de techniek.

[0008] Volgens fig. 2 kruist een poortlijn 37 een datalijn 31 en een 15 voedende lijn 42 die op afstand van elkaar liggen. Een pixelgebied "P" wordt bepaald tussen de poortlijn 37, de datalijn 51 en de voedende lijn 42. Een schakelende dunne-filmtransistor (TFT) "Ts" is aangebracht nabij de kruising van de poortlijn 37 en de datalijn 51. Een aansturende TFT "TD" is verbonden met de schakelende TFT "Ts" en met de 20 voedende lijn 42. Een opslagcondensator "CSt" gebruikt een gedeelte van de voedende lijn 42 als eerste condensatorelektrode en een actief patroon 34 dat zich uitstrekt vanuit een schakelende actieve laag 31 van de schakelende TFT "Ts" als tweede condensatorelektrode. Een eerste elektrode 58 is verbonden met de aansturende TFT "TD" en een organi-25 sche elektroluminescerende (EL) laag, die niet is getoond, en een tweede elektrode, evenmin getoond, zijn achtereenvolgens op de eerste elektrode 58 gevormd. De eerste en de tweede elektroden en de organische daartussen aangebrachte EL laag vormen een organische EL diode «Π n

Uel .

30 [0009] Fig. 3 is een schematische dwarsdoorsnede over de lijn "III-III" in fig. 2. Volgens fig. 3 omvat een aansturende dunne-film-transistor (TFT) "TD" een actieve laag 32, een poortelektrode 38 en bron- en afvoerelektroden 50 respectievelijk 52 gevormd op een substraat 1·. De bronelektrode 50 is verbonden met de voedende lijn 42 en 35 de afvoerelektrode 52 is verbonden met een eerste elektrode 58. Een actief patroon 34 dat is vervaardigd uit hetzelfde materiaal als dat van de actieve laag 32 is onder de voedende lijn 42 gevormd onder tussenvoeging van een isolerende laag 40. Het actieve patroon 34 en de voedende lijn 42 vormen een opslagcondensator "CSt" · Een organische 1025119-__ - 4 - elektroluminescerende (EL) laag 64 en een tweede elektrode 66 zijn achtereenvolgens gevormd op de eerste elektrode 58 en vormen een organische EL diode "DEL".

[0010] Als isolerende lagen is een eerste isolerende laag 30, bij-5 voorbeeld een bufferlaag, gevormd tussen het substraat 1 en de actieve laag 32. Een tweede isolerende laag 36 is gevormd tussen de actieve laag 32 en de poortelektrode 38. Een derde isolerende laag 40 is gevormd tussen het actieve patroon 34 en de voedende lijn 42. Een vierde isolerende laag 44 is gevormd tussen de voedende lijn 42 en de bron-10 elektrode 50. Een vijfde isolerende laag 54 is gevormd tussen de af-voerelektrode 52 en de eerste elektrode 58. Een zesde isolerende laag 60 is gevormd tussen de eerste elektrode 58 en de organische laag 64.

De derde tot en met de zesde isolerende lagen 40, 44, 54 en 60 hebben contactgaten die het mogelijk maken dat verbindingen worden gevormd.

15 [0011] Fig. 4A tot en met 41 zijn schematische dwarsdoorsneden die stappen toelichten van het proces van vervaardigen van een organische elektroluminescerende inrichting volgens de stand van de techniek. Volgens fig. 4A wordt een eerste isolerende laag 30, bijvoorbeeld een bufferlaag, gevormd op het substraat 1 door het neerslaan van een eer-20 ste isolerend materiaal. Na het vormen van een (niet getoonde) poly-kristallijne siliciumlaag op de eerste isolerende laag 30 worden een actieve laag 32 en een actief patroon 34 onder gebruikmaking van een eerste proces van maskeren gevormd. Volgens fig. 4B worden, na het achtereenvolgens neerslaan van een tweede isolerend materiaal en een 25 eerste metallisch materiaal over het gehele oppervlak van het substraat 1 een tweede isolerende laag 36, zoals een poort isolerende laag en een poortelektrode 38 gevormd gebruikmakend van een tweede proces van maskeren. Volgens fig. 4C is een derde isolerende laag 40 gevormd op de poortelektrode 38 door het neerslaan van een derde iso-30 lerend materiaal. Na het neerslaan van een tweede metallisch materiaal op de derde isolerende laag 40 wordt de voedende lijn 42 gevormd over het actieve patroon 34 gebruikmakend van een derde proces van maskeren.

[0012] Volgens fig. 4D wordt, na het neerslaan van een vierde isole-35 rend materiaal op de voedende lijn 42 een vierde isolerende laag 44 met eerste tot en met derde contactgaten 46a, 46b en 46c gevormd gebruikmakend van een vierde proces van maskeren. De actieve laag 32 kan worden verdeeld in een kanaalgebied 32a en bron- en afvoergebieden 32b en 32c door een daarna uitgevoerd proces van doteren. De eerste 1Q2511Q-__ - 5 - en tweede contactgaten 46a respectievelijk 46b geven toegang tot de bron- en afvoergebieden 32b respectievelijk 32c. Het derde contactgat 48 geeft toegang tot de voedende lijn 42. De bron- en afvoergebieden 32b en 32c worden gedoteerd met verontreinigingen.

5 [0013] Volgens fig. 4E worden, na het neerslaan van een derde metal lisch materiaal op de vierde isolerende laag 44 de bron- en afvoer-elektroden 50 en 52 gevormd gebruikmakend van een vijfde proces van maskeren. De bronelektrode 50 is verbonden met de voedende lijn 42 via het derde contactgat 48 (zie fig. 4D) en met het brongebied 32b via 10 het eerste contactgat 46a (zie fig. 4D). De afvoerelektrode 52 is verbonden met het afvoergebied 32c via het tweede contactgat 46b (zie fig. 4D). De actieve laag 32, de poortelektrode 38 en de bron- en afvoerelektrode n 50 en 52 vormen een aansturende dunne-filmtransistor (TFT) "TD". De voedende lijn 42 en het actieve patroon 34 zijn verbon-15 den met de bronelektrode 50 en met een actieve laag van een (niet getoonde) schakelende TFT. Bovendien vormen de voedende lijn 42 en het actieve patroon 34, met daartussen de derde isolerende laag 40, een opslagcondensator "Cst" ·

[0014] Volgens fig. 4F wordt, na het neerslaan van een vijfde isole-20 rend materiaal op de bron- en afvoerelektroden 50 en 52 een vijfde isolerende laag 54 met een vierde contactgat 56 gevormd onder gebruikmaking van een zesde proces van maskeren. Het vierde contactgat 56 geeft toegang tot de afvoerelektrode 52.

[0015] Volgens fig. 4G wordt, na het neerslaan van een vierde metal-25 lisch materiaal op de vijfde isolerende laag 54, een eerste elektrode 58 gevormd gebruikmakend van een zevende proces van maskeren. De eerste elektrode 58 is verbonden met de afvoerelektrode 52 via het vierde contactgat 56 (zie fig. 4F).

[0016] Volgens fig. 4H wordt, na het neerslaan van een zesde isole-30 rend materiaal op de eerste elektrode 58 een zesde isolerende laag 60 met een open gedeelte 62 gevormd onder gebruikmaking van een achtste proces van maskeren. Het open gedeelte 62 geeft toegang tot de eerste elektrode 58. De zesde isolerende laag 60 beschermt de aansturende TFT "TD" tegen vocht en verontreinigingen.

35 [0017] Volgens fig. 41 worden achtereenvolgens een organische elek- troluminescerende (EL) laag 64 en een tweede elektrode 66 uit een vijfde metallisch materiaal gevormd op de zesde isolerende laag 60. De organische EL laag 64 staat in contact met de eerste elektrode 58 via het open gedeelte 62 (zie fig. 4H). De tweede elektrode 66 is gevormd ΐ 0251 - - 6 - op een geheel oppervlaktedeel van het substraat 1. De eerste elektrode 58 kan worden aangeduid als anode. Het vijfde metallisch materiaal kan worden gekozen uit een materiaal dat sterk reflecterend is en een lage werkfunctie heeft omdat de tweede elektrode 66 het licht moet reflec-5 teren dat is geëmitteerd uit de organische EL laag 64 en elektronen moet leveren aan de organische EL laag 64.

[0018] Fig. 5 is een schematische dwarsdoorsnede van een organische elektroluminescerende inrichting volgens de stand van de techniek.

Volgens fig. 5 hebben eerste en tweede substraten 70 en 90, met bin- 10 nenoppervlakken die naar elkaar toe zijn gericht en op afstand van elkaar liggen, een aantal pixelgebieden "P". Een arraylaag 80 met een aansturende dunne-filmtransistor (TFT) "TD" in elk pixelgebied ”P" is gevormd op een binnenoppervlak van het eerste substraat 70. Een eerste elektrode 72, verbonden met de aansturende TFT "TD'' is in elk pixelge- 15 bied "P" op de arraylaag 80 gevormd. Rode, groene en blauwe organische elektroluminescerende EL lagen 74 worden afwisselend op de eerste elektrode 72 gevormd. Een tweede elektrode 76 is gevormd op de organische EL laag 74. De eerste en de tweede elektroden 72 en 76, en de daartussen gelegen organische EL laag 74 vormen een organische EL dio- 20 de "Del"· De organische EL inrichting is van de bodemsoort waarbij licht wordt geëmitteerd vanuit de organische EL laag 74 door de eerste elektrode 72 en uit het substraat 70 uittredend.

[0019] Het tweede substraat 90 wordt gebruikt als inkapselend substraat. Deze tweede substraat 90 heeft een concaaf gedeelte 92 in het 25 centrum en dit concave gedeelte 92 is gevuld met een vochtabsorberend i droogmiddel 94 dat vocht en zuurstof opneemt ter bescherming van de organische diode "DEL". Het binnenoppervlak van het tweede substraat 90 ligt op afstand van de tweede elektrode 76. De eerste en tweede substraten 70 en 90 zijn door middel van een afdichtmiddel 85 langs de 30 omtreksrand van de eerste en tweede substraten met elkaar verbonden.

[0020] In een organische ELD volgens de stand van de techniek zijn een TFT arraygedeelten een organische elektroluminescerende (EL) diode gevormd over een eerste substraat, en is een aanvullend tweede substraat, teneinde het geheel in te kapselen, met het eerste substraat 35 verbonden. Wanneer echter op deze wijze het TFT arraygedeelte en de organische EL diode op één substraat zijn gevormd is de productieop-brengst van de organische ELD bepaald door het product van de opbrengst van de TFT en die van de organische EL dioden. Omdat de pro-ductieopbrengst van de organische EL dioden betrekkelijk laag is wordt 1025119- - 7 - de totale productieopbrengst van het totale ELD beperkt door die van de organische EL dioden. Zelfs wanneer een TFT goed wordt vervaardigd kan een organische ELD met een dunne film van ongeveer 1000 A worden beschouwd slechts te zijn als gevolg van defecten in een organische 5 emitterende laag. Dit resulteert in verlies van materiaal en in hogere productiekosten.

[0021] In het algemeen kunnen organische ELD's worden onderverdeeld in de soort met bodememissie en de soort met topemissie, afhankelijk van de richting waarin het licht, dat wordt gebruikt voor het weerge- 10 ven van beelden via de organische ELD's, uittreedt. Organische ELD's van de bodememissiesoort hebben de voordelen dat zij stabiel zijn in-gekapseld en dat het productieproces flexibel is. Echter zijn de organische ELD's van de bodememissiesoort ineffectief voor inrichtingen waarvoor een hoge resolutie wordt gevraagd omdat zij een lage aper-15 tuurverhouding vertonen. Organische ELD's van de topemissiesoort hebben daarentegen een hogere verwachte levensduur omdat zij gemakkelijker kunnen worden ontworpen en een hoge apertuurverhouding vertonen. Bij organische ELD's van de topemissiesoort wordt de kathode gewoonlijk gevormd op een organische emitterende laag. Het resultaat is dat 20 de lichtdoorlatendheid en het optisch rendement van de organische ELD's van de topemissiesoort verslechtert omdat slechts een beperkt aantal materialen daarvoor bruikbaar is. Wanneer een passieveringslaag van de dunne-filmsoort wordt gevormd om te voorkomen dat de lichtdoorlatendheid terugloopt kan een dergelijke passieveringslaag van de dun-25 ne-filmsoort falen in het voorkomen van het infiltreren van omgevingslucht in de inrichting.

[0022] De onderhavige uitvinding is dan ook gericht op een organische elektroluminescerende beeldweergevende inrichting en een werkwijze voor het vervaardigen daarvan waarmee in hoofdzaak één of meer 30 van de problemen resulterend uit de beperkingen en nadelen van de stand van de techniek worden ondervangen.

[0023] Een doel van de onderhavige uitvinding is het verschaffen van een organische elektroluminescerende inrichting met een verbeterde productieopbrengst, een hoge resolutie en een hoge apertuurverhouding.

35 [0024] Aanvullende kenmerken en voordelen van de uitvinding zijn gegeven in de nuvolgende beschrijving, en zullen uit deze beschrijving blijken danwel kunnen worden ervaren door het in praktijk brengen van de uitvinding. De doeleinden en andere voordelen van de uitvinding zullen worden gerealiseerd en bereikt met de structuur zoals deze in 1025119- - 8 - het bijzonder is aangegeven in de beschrijving en de conclusies en is getoond in de tekening.

[0025] Teneinde deze en andere voordelen te bereiken en volgens het doel van de uitvinding, zoals hier belichaamd en breed beschreven om- 5 vat een organische elektroluminescerende inrichting eerste en tweede substraten, naar elkaar toe gericht en op afstand van elkaar gelegen; een poortlijn op een binnenoppervlak van het eerste substraat; een halfgeleiderlaag over de poortlijn, waarbij de halfgeleiderlaag ligt over een oppervlak van het eerste substraat; een datalijn die de 10 poortlijn kruist; een ohmse datacontactlijn onder de datalijn, waarbij de ohmse datacontactlijn dezelfde vorm heeft als de datalijn; een voedende lijn evenwijdig aan, of in hoofdzaak evenwijdig aan, en op afstand van de datalijn, waarbij deze voedende lijn hetzelfde materiaal omvat als de datalijn; een schakelende dunne-filmtransistor verbonden 15 met de poortlijn en de datalijn, waarbij de schakelende dunne-filmtransistor de halfgeleiderlaag als een actieve schakelende laag; een aansturende dunne-filmtransistor verbonden met de schakelende dunne-filmtransistor en de voedende lijn, waarbij de aansturende dunne-filmtransistor de halfgeleiderlaag als actieve aansturende laag gebruikt; 20 een verbindend patroon verbonden met de aansturende dunne-filmtransistor, waarbij dit verbindend patroon geleidend polymeermateriaal omvat; een eerste elektrode op een binnenoppervlak van het tweede substraat; een organische elektroluminescerende laag op de eerste elektrode; en een tweede elektrode op de organische elektroluminescerende laag, 25 welke tweede elektrode in contact is met het verbindend patroon.

[0026] Volgens een ander aspect omvat een werkwijze voor het vervaardigen van een organische elektroluminescerende inrichting de stappen van het vormen van een aansturende poortelektrode, een poortlijn en een voedende lijn op een eerste substraat gebruikmakend 30 van een eerste proces van maskeren; het vormen van een eerste isolerende laag en een halfgeleiderlaag achtereenvolgens op de aansturende poortelektrode, de poortlijn en de voedende lijn; het achtereenvolgens vormen van een eerste laag silicium en een tweede laag metaal op de halfgeleiderlaag; het achtereenvolgens in patroon bren-35 gen van de eerste en de tweede lagen gebruikmakend van een tweede proces van maskeren ter vorming van een aansturende ohmse contact-laag, een ohmse datacontactlaag, aansturende bron- en afvoerelektro-den en een datalijn, waarbij de aansturende ohmse contactlaag is gevormd onder de aansturende bron- en afvoerelektroden, en de ohmse 1Π251ia-_ i i - 9 - datacontactlaag is gevormd onder de datalijn; het vormen van een tweede isolerende laag met een broncontactgat en een afvoercontactgat op de aansturende bron- en afvoerelektroden en de datalijn gebruikmakend van een derde proces van maskeren, waarbij het broncontactgat de 5 aansturende bronelektrode vrijgeeft en het afvoercontactgat de aansturende afvoerelektrode vrijgeeft; het vormen van een verbindend patroon en een verbindende elektrode uit geleidend polymeermateriaal op de tweede isolerende laag, waarbij het verbindend patroon is verbonden met de aansturende afvoerelektrode via het afvoercontactgat en de ver-10 bindende elektrode is verbonden met de aansturende bronelektrode via het broncontactgat; het vormen van een eerste elektrode op een tweede substraat; het vormen van een organische elektroluminescerende laag op de eerste elektrode; het vormen van een tweede elektrode op de organische elektroluminescerende laag; en het zodanig met elkaar verbinden 15 van de eerste en tweede substraten dat de tweede elektrode in contact is met het verbindend patroon.

[0027] Het zal duidelijk zijn dat zowel de voorgaande algemene beschrijving als de nuvolgende gedetailleerde beschrijving als voorbeeld en ter toelichting zijn gegeven en uitsluitend zijn bedoeld voor een 20 verdere toelichting van de uitvinding zoals belichaamd in de conclusies.

[0028] De bijgaande tekening, die is opgenomen voor een verder begrip van de uitvinding en die is opgenomen in een deel vormt van de beschrijving toont uitvoeringsvormen van de uitvinding en dient in 25 combinatie met de beschrijving ter toelichting van de principes van de uitvinding. In de tekening:

[0029] toont fig. 1 een equivalent schema en toont de basispixel-structuur van een organische elektroluminescerende inrichting met actieve matrix volgens de stand van de techniek; 30 [0030] is fig. 2 een schematisch vlak aanzicht van een organische elektroluminescerende inrichting volgens de stand van de techniek;

[0031] is fig. 3 een dwarsdoorsnede over de lijn "III-III" in fig.

2;

[0032] zijn fig. 4A tot en met 41 schematische dwarsdoorsneden ter 35 toelichting van een proces van vervaardigen van een organische elektroluminescerende inrichting volgens de stand van de techniek;

[0033] is fig. 5 een schematische dwarsdoorsnede van een organische elektroluminescerende inrichting volgens de stand van de techniek; 1025J19- I - 10 -

[0034] is fig. 6 een schematische dwarsdoorsnede van een organische elektroluminescerende inrichting volgens een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding;

[0035] is fig. 7 een schematisch vlak aanzicht van een organische 5 elektroluminescerende inrichting volgens een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding;

[0036] zijn fig. 8A tot en met 8D schematische dwarsdoorsneden die een proces van vervaardigen toelichten van een aansturende dunne-film-transistor voor een organische elektroluminescerende inrichting vol- 10 gens een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding;

[0037] zijn fig. 9A tot en met 9D schematische dwarsdoorsneden die het proces van vervaardigen toelichten van een dataplak, een poortplak en een voedende plak voor een organische elektroluminescerende inrichting volgens een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding.

15 [0038] Nu zal in detail worden verwezen naar de voorkeursuitvoeringsvormen van de onderhavige uitvinding, waarvan voorbeelden in de bijgaande tekening zijn aangegeven.

i

[0039] Fig. 6 is een schematische dwarsdoorsnede van een organische elektroluminescerende inrichting volgens een uitvoeringsvorm van de 20 onderhavige uitvinding. Volgens fig. 6 hebben eerste en tweede sub- straten 110 en 150, die binnenoppervlakken hebben die naar elkaar toe zijn gericht en op afstand van elkaar liggen, een aantal pixelgebieden "P". Een arraylaag 140 met een aansturende dunne-filmtransistor (TFT) "TD" in elk pixelgebied "P" is gevormd op een binnenoppervlak van het 25 eerste substraat 110. Een verbindend patroon 142 verbonden met de aan- j sturende TFT "TD" is gevormd op de arraylaag 140 in elke pixelgebied "P". Het verbindend patroon 142 kan zijn vervaardigd uit een geleidend materiaal of uit meerdere lagen, waaronder een isolerend materiaal, met voor de verbinding een voldoende dikte. Een additionele verbin-30 dende elektrode kan worden gebruikt voor het verbinden van het verbindend patroon 142 en de aansturende TFT "TD". De aansturende TFT "TD" omvat een poortelektrode 112, een actieve laag 114 en bron- en afvoer-elektroden 116 en 118. Het verbindend patroon 142 is verbonden met de afvoerelektrode 118.

35 [0040] Een eerste elektrode 152 is gevormd op een binnenoppervlak van het tweede substraat 150. Een organische elektroluminescerende (EL) laag 160 met rode, groene en blauwe organische emitterende lagen 156a, 156b en 156c, onderling afwisselend aangebracht in elk pixelgebied "P", is gevormd op de eerste elektrode 152. Een tweede elektrode 1025119- - 11 - 162 is gevormd op de organische EL laag 160 in elk pixelgebied "P". De organische EL laag 160 kan zijn gevormd uit een enkele laag of uit een meervoudige laag. In het geval van een meervoudige laag kan de organische EL laag een eerste dragertransporterende laag 154 omvatten op de 5 eerste elektrode 152, één van de rode, de groene en de blauwe emitterende lagen 156a, 156b en 156c op de eerste dragertransporterende laag 154 en een tweede dragertransporterende laag 158 op elk van de emitterende lagen 156a, 156b en 156c. Wanneer bijvoorbeeld de eerste en de tweede elektrode 152 en 154 respectievelijk een anode en een kathode 10 zijn komt de eerste dragertransporterende laag 154 overeen met een ga-teninjecterende laag en met en gatentransporterend laag, en komt de tweede dragertransporterende laag 158 overeen met een elektronentrans-porterende laag en een elektroneninjecterende laag. De eerste en de tweede elektroden 152 en 162, en de organische EL laag 160, die daar-15 tussen in geplaatst, vormen een organische elektroluminescerende diode "Del”.

[0041] De eerste en de tweede substraten 110 en 150 zijn met elkaar bevestigd door middel van een afdichtend middel 170 en wel langs de omtreksrand daarvan. Het bovenoppervlak van het verbindend patroon 142 20 komt in contact met het bodemoppervlak van de tweede elektrode 162, zodat de stroom door de aansturende TFT "TD" naar de tweede elektrode 162 vloeit via het verbindend patroon 142.

[0042] Een organische EL inrichting volgens deze uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding is er een van de soort bestaande uit twee 25 panelen waarbij een arraylaag 140 en een organische elektroluminescerende diode "Del" zijn gevormd op de respectievelijke substraten en waarin een verbindend patroon 142 de arraylaag en de organische elektroluminescerende diode "Del" verbindt. Verschillende modificaties en variaties kunnen worden aangebracht in een structuur van de TFT en in 30 de wijze van verbinden van een arraylaag en de organische EL diode. Omdat voorts de organische EL inrichting volgens de onderhavige uitvinding is van de soort met topemissie kan gemakkelijk een dunne-filmtransistor worden gebruikt, en kunnen een hoge resolutie en een hoge apertuurverhouding worden verkregen.

35 [0043] Fig. 7 is een schematisch vlak aanzicht van een organische elektroluminescerende inrichting volgens een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding. Volgens fig. 7 is een poortlijn 212 in een eerste richting gevormd. Een datalijn 240 en een voedende lijn 220, op afstand van elkaar gelegen, zijn gevormd in een tweede richting, 1025J - - 12 - dwars op de eerste richting. Een schakelende dunne-filmtransistor (TFT) "Ts" omvat een schakelende poortelektrode 214, een schakelende actieve laag 228 en schakelende bron- en afvoerelektroden 232 en 236 en is gevormd op de kruising van de poortlijn 212 met de datalijn 240.

5 De schakelende poortelektrode 214 is verbonden met de poortlijn 212 en de schakelende bronelektrode 232 is verbonden met de datalijn 240. De schakelende bron- en afvoerelektroden 232 en 236 liggen op afstand van elkaar. De schakelende actieve laag 228 heeft een vorm die correspondeert met die van de schakelende bron- en afvoerelektroden 232 en 236. 10 De voedende lijn 220 kan zijn vervaardigd uit hetzelfde materiaal als dat van de schakelende poortlijn 212 onder gebruikmaking van hetzelfde proces van vervaardigen.

[0044] Een aansturende TFT "TD" heeft een aansturende poortelektrode 216, een aansturende actieve laag 230, en aansturende bron- en afvoer- 15 elektroden 234 en 238. De aansturende poortelektrode 216 is verbonden met de schakelende afvoerelektrode 236 en kan zijn vervaardigd uit hetzelfde materiaal als de poortlijn 212 onder gebruikmaking van hetzelfde proces van vervaardigen. De aansturende bron- en afvoerelektroden 234 en 238 liggen op afstand van elkaar en kunnen zijn vervaardigd 20 uit hetzelfde materiaal als dat van de datalijn 240 onder gebruikmaking van hetzelfde proces van vervaardigen. De aansturende actieve laag 230 ligt onder de aansturende bron- en afvoerelektroden 234 en 238. Een voedende elektrode 262 is verbonden met de aansturende bronelektrode 234 via een broncontactgat 248 en met de voedende lijn 220 25 via een voedingscontactgat 246.

[0045] Een verbindend patroon 260 is gevormd in een verbindingsgebied C nabij de aansturende TFT "TD" en is verbonden met de aansturende afvoerelektrode 238. Het verbindend patroon 260 kan zijn vervaardigd uit hetzelfde materiaal als dat van de voedende elektrode 262 30 onder gebruikmaking van hetzelfde proces van vervaardigen. Voor het verbindend patroon 260 kan bijvoorbeeld gebruik worden gemaakt van een geleidend polymeermateriaal. Het verbindend gebied "C" komt overeen met een tweede (niet getekende) elektrode van een organische EL diode. Een condensatorelektrode 244 die zich uitstrekt vanuit de schakelende 35 afvoerelektrode 236 overlapt de voedende lijn 220 voor het vormen van een opslagcondensator "Cgr".

[0046] Een dataplak 242, en een voedende plak 222 zijn gevormd aan één einde van respectievelijk de datalijn 240, de poortlijn 212 en de voedende lijn 220. Een dataplakaansluiting 264, een poortplakanslui- 102511 - - 13 - ting 266 en een voedende-plakaansluiting 268 zijn gevormd over respectievelijk de dataplak 242, de poortplak 218 en de voedende plak 222.

De dataplakaansluiting 264, de poortplakaansluiting 266 en de aansluiting 268 van de voedende plak kunnen zijn vervaardigd uit hetzelfde 5 materiaal als dat van het verbindend patroon 260 onder gebruikmaking van hetzelfde proces van vervaardigen.

[0047] Een (niet getoonde) halfgeleiderlaag met een laag gedoteerd amorf silicium 224b is gevormd onder zowel de datalijn 240, de dataplak 242 als de condensatorelektrode 244. De laag 224b uit gedoteerd 10 amorf silicium kan zijn vervaardigd uit hetzelfde materiaal als dat van een (niet getoonde) ohmse contactlaag van de actieve schakelende laag 228 en de actieve aansturende laag 230. Omdat de poortlijn 212 en de voedende lijn 220 tegelijk onder gebruikmaking van hetzelfde fabricageproces worden gevormd wordt een eerste koppelende lijn 241a ge-15 bruikt als verbinding van de voedende lijn 220 nabij de kruising van de poortlijn 212 en de voedende lijn 220 om een elektrische kortsluiting tussen de poortlijn 212 en de voedende lijn 220 te voorkomen. De eerste koppelende lijn 241 kan zijn vervaardigd uit hetzelfde materiaal als dat van de datalijn 240 onder gebruikmaking van hetzelfde 20 proces van vervaardigen. Tweede koppelende lijnen 241b zijn gevormd aan de beide einden van de eerste koppelende lijn 241a en deze eerste koppelende lijn 24la is via de tweede koppelende lijnen 241b verbonden met de voedende lijn 220. De tweede koppelende lijnen 241b kunnen zijn vervaardigd uit hetzelfde materiaal als dat van het ver-25 bindend patroon 260 onder gebruikmaking van hetzelfde proces van vervaardigen. In een andere uitvoeringsvorm kan slechts de tweede koppelende lijn 241b worden gebruikt voor de verbinding van de voedende lijn 220 over de poortlijn 212. Omdat aan de dataplak 242 en de voedende plak 222 verschillende signalen worden aangelegd kunnen de da-30 taplak 242 en de voedende plak 222 zijn aangebracht aan tegenover elkaar gelegen einden van een eerste substraat.

[0048] Fig. 8A tot en met 8D zijn schematische dwarsdoorsneden die het proces van vervaardigen tonen van aansturende dunne-filmtransistor voor een organische elektroluminescerende inrichting volgens een uit- 35 voeringsvorm van de onderhavige uitvinding, en fig. 9A tot en met 9D zijn schematische dwarsdoorsneden die het proces van vervaardigen tonen van een dataplak, een poortplak en een voedende plak voor een organische elektroluminescerende inrichting volgens een uitvoeringsvorm van de onderhavige uitvinding. Fig. 8A tot en met 8D zijn afbeeldingen 10251tfl-__ - 14 - over de lijn "VIII-VIII" in fig. 7 en fig. 9A tot en met 9D zijn afbeeldingen over de lijn "IX-IX" in fig. 7. Een proces van maskeren wordt uitgevoerd als een fotolithografisch proces met daarin een stap van in patroon brengen gebruikmakend van een fotoresist (PR), 5 met belichting en ontwikkeling, en een stap van etsen gebruikmakend van dit PR patroon als masker.

[0049] Zoals fig. 8A en 9A tonen worden een aansturende poortelek-trode 216, een poortplak 218 en een voedende plak 222 uit een eerste metallisch materiaal gevormd op een eerste substraat 210, gebruikma- 10 kend van een eerste proces van maskeren. Hoewel niet getoond in fig.

8A en 9A wordt tegelijkertijd een voedende lijn, verbonden met de voedende plak 222 gevormd. Het eerste metallisch materiaal heeft een lage soortelijke weerstand. Zo kan bijvoorbeeld aluminium (Al) of aluminium (Al) legering worden gebruikt als eerste metallisch mate-15 riaal.

[0050] Volgens fig. 8B en 9B worden een eerste isolerende laag (een poortisolerende laag) 223 uit een eerste isolerend materiaal en een laag 224a uit amorf silicium (a-Si:H) achtereenvolgens gevormd op de aansturende poortelektrode 216, de poortplak 218 en de voedende plak 20 222. Na het achtereenvolgens neerslaan van gedoteerd siliciummateriaal en het tweede metallisch materiaal op de amorfe siliciumlaag 224a worden, gebruikmakend van een tweede proces van maskeren, een ohmse con-tactlaag 230b, bron- en afvoerelektroden 234 en 238 en een dataplak 242 gevormd. De amorfe siliciumlaag 224a heeft een actief gedeelte 25 230a dat correspondeert met de aansturende poortelektrode 216. Het ac tieve gedeelte 230a van de amorfe siliciumlaag 224a en de ohmse con-tactlaag 230b vormen een actieve aansturende laag 230. De bron- en afvoerelektroden 234 en 238 liggen op afstand van elkaar en een vrij-liggend actief gedeelte 230a wordt een kanaalgebied "ch". De da-30 taplak 242 is gevormd in een dataplakgebied "D". Een (niet getoonde) datalijn wordt tegelijk met de dataplak 242 gevormd en het dataplakgebied "D" bevindt zich aan één einde van de datalijn. De dataplak 242 en de voedende plak 222 kunnen worden gevormd aan de tegenover elkaar gelegen einden van het eerste substraat 210.

35 [0051] De aansturende poortelektrode 216, de aansturende actieve laag 230, en de bron- en afvoerelektroden 234 en 238 vormen een aansturende dunne-filmtransistor (TFT) "TD". Een laag 224b uit gedoteerd amorf silicium is gevormd onder de plak 242. De laag 224b uit gedoteerd amorf silicium kan zijn vervaardigd uit hetzelfde materiaal als 10251 1Q-_ ___ - - — - 15 - dat van de ohmse contactlaag 230b van de aansturende actieve laag 230 en heeft een vorm die correspondeert met die van de dataplak 242. Het eerste isolerend materiaal is een silicium bevattend isolerend materiaal, zoals siliciumnitride (SiNx) of siliciumoxide (S1O2) - Het tweede 5 metallisch materiaal is een chemisch bestendig materiaal zoals molyb-deen (Mo), titaan (Ti), chroom (Cr) en wolfram (W).

[0052] Zoals fig. 8C en 9C tonen worden, na het neerslaan van een tweede isolerend materiaal op de aansturende TFT "TD" de dataplak 242, de poortplak 218 en de voedende plak 222, een tweede isolerende laag 10 (een passieveringslaag) 258 met de bron- en afvoercontactgaten 248 en 250, een dataplakcontactgat 252, een poortplakcontactgat 254 en een voedende-plakcontactgat 256 met behulp van een derde proces van maskeren gevormd. De bron- en afvoercontactgaten 248 en 250 geven toegang tot respectievelijk de bron- en afvoerelektroden 234 respectievelijk 15 238. Het dataplakcontactgat 252, het poortplakcontactgat 254 en het contactgat 256 voor de voedende plak geven toegang tot de dataplak 242, de poortplak 218 en de voedende plak 222. Het poortplakcontactgat 254 en het contactgat 256 voor de voedende plak zijn gevormd door de eerste isolerende laag 223, de laag 224a uit amorf silicium en de 20 tweede isolerende laag 258. Het afvoercontactgat 250 is aangebracht in een verbindend gebied "C” (zie fig. 7) dat correspondeert met de tweede elektrode van een organische elektroluminescerende diode.

[0053] Volgens fig. 8D en 9D worden, na het neerslaan van een geleidend polymeermateriaal op de tweede isolerende laag 258 een geleidend 25 patroon 260, een voedende elektrode 262, een dataplakaansluiting 264, een poortplakaansluiting 266 en een voedende-plakaansluiting 268 gevormd, en wel onder gebruikmaking van een vierde proces van maskeren. Het geleidend patroon 260 is verbonden met de afvoerelektrode 238 via het afvoercontactgat 250 en de voedende elektrode 262 is verbonden met 30 de bronelektrode 234 via het broncontactgat 248. De dataplakaansluiting 264 is verbonden met de dataplak via het dataplakcontactgat 252, de poortplakaansluiting 266 is verbonden met de poortplak 218 via het poortplakcontactgat 254 en de voedende-plakaansluiting 268 is verbonden met de voedende plak 222 via het contactgat 256 voor de voedende 35 plak.

[0054] Een organische elektroluminescerende inrichting volgens de onderhavige uitvinding heeft enige voordelen. Allereerst kan, omdat een geïnverteerde verschoven dunne-filmtransistor uit amorf silicium wordt gebruikt, de organische ELD worden vervaardigd onder toepassing 1025119- - 16 - van een proces waarbij lage temperaturen heersen. In de tweede plaats wordt, omdat het aantal maskeringsprocessen kan worden gereduceerd zelfs wanneer een additioneel geleidend patroon wordt toegevoegd, de productieopbrengst effectief worden verbeterd omdat het proces wordt 5 vereenvoudigd. In de derde plaats worden, omdat arraypatronen en een organische EL diode worden gevormd op de respectievelijke substraten, de productieopbrengst en het productierendement verbeterd, terwijl de levensduur van een organische EL inrichting wordt verlengd. In de vierde plaats kan, omdat de ELD is van de topemissiesoort, een dunne-10 filmtransistor gemakkelijk worden ontworpen en kan een resolutie bij i een hoge apertuurverhouding worden verkregen, onafhankelijk van de lagere arraypatronen. j

[0055] Het zal de vakman duidelijk zijn dat verschillende modifica- | ties en variaties kunnen worden aangebracht in de organische elektro- ! 15 luminescerende inrichting en in de werkwijze voor het vervaardigen ! daarvan zoals voorgesteld door de onderhavige uitvinding zonder het ! i kader of de geest van de uitvinding te verlaten. De onderhavige uit- , vinding wordt beoogd alle modificaties en variaties van deze uitvinding te omvatten wanneer zij vallen binnen het kader van de bijgaande 20 conclusies en hun equivalenten.

| i | 1 0251 1 ,Q-_

Claims (25)

1. Een organische elektroluminescerende inrichting, omvattende: eerste en tweede substraten, naar elkaar toe gericht en op afstand van elkaar gelegen; 5 een poortlijn op een binnenoppervlak van het eerste substraat; een halfgeleiderlaag over de poortlijn, waarbij de halfgelei-derlaag ligt over een oppervlak van het eerste substraat; een datalijn die de poortlijn kruist; een ohmse datacontactlijn onder de datalijn, waarbij de ohmse 10 datacontactlijn dezelfde vorm heeft als de datalijn; een voedende lijn evenwijdig aan, of in hoofdzaak evenwijdig aan, en op afstand van, de datalijn, waarbij deze voedende lijn hetzelfde materiaal omvat als de datalijn; een schakelende dunne-filmtransistor verbonden met de poortlijn 15 en de datalijn, waarbij de schakelende dunne-filmtransistor de halfgeleiderlaag als een actieve schakelende laag; een aansturende dunne-filmtransistor verbonden met de schakelende dunne-filmtransistor en de voedende lijn, waarbij de aansturende dunne-filmtransistor de halfgeleiderlaag als actieve aansturende laag I 20 gebruikt; een verbindend patroon verbonden met de aansturende dunne-film- J transistor, waarbij dit verbindend patroon geleidend polymeermateriaal omvat; een eerste elektrode op een binnenoppervlak van het tweede sub- 25 straat; een organische elektroluminescerende laag op de eerste elektrode; en een tweede elektrode op de organische elektroluminescerende laag, welke tweede elektrode in contact is met het verbindend patroon. 30

2. De inrichting volgens conclusie 1, waarin de datalijn en de ohmse datacontactlaag achtereenvolgens in patroon zijn gebracht in een enkel fotolithografisch proces.

3. De inrichting volgens conclusie 1, voorts omvattende een eerste koppelende lijn nabij een kruising van een poortlijn en de 35 voedende lijn, waarbij de eerste koppelende lijn hetzelfde materiaal als het geleidend patroon omvat. 1025119- - 18 -

4. De inrichting volgens conclusie 1, voorts omvattende eerste en tweede koppelende lijnen nabij een kruising van de datalijn en de voedende lijn, waarbij de eerste koppelende lijn hetzelfde materiaal omvat als het verbindend patroon en de tweede koppelende 5 lijn hetzelfde materiaal omvat als de datalijn, waarbij de tweede koppelende lijn de poortlijn kruist en de eerste koppelende lijn is aangebracht aan de beide einden van de tweede koppelende lijn.

5. De inrichting volgens conclusie 1, voorts omvattende een poortplak aan één einde van de poortlijn, een dataplak aan één einde 10 van de datalijn en een voedende plak aan één einde van de voedende lijn.

6. De inrichting volgens conclusie 5, waarin de schakelende dunne-filmtransistor omvat een schakelende poortelektrode verbonden met de poortlijn, de schakelende actieve laag over de schakelende 15 poortelektrode, een schakelende ohmse contactlaag op de schakelende actieve laag en schakelende bron- en afvoerelektroden op de schakelende ohmse contactlaag.

7. De inrichting volgens conclusie 6, waarin de aansturende dunne-filmtransistor omvat een aansturende poortelektrode verbonden 20 met de schakelende afvoerelektrode, de aansturende actieve laag over de aansturende poortelektrode, een aansturende ohmse contactlaag op de aansturende actieve laag en aansturende bron- en afvoerelektroden op de aansturende ohmse contactlaag.

8. De inrichting volgens conclusie 7, voorts omvattende een 25 poort isolerende laag tussen de aansturende poortelektrode en de aansturende actieve laag en een passieveringslaag op de aansturende dunne-filmtransistor, waarbij de passieveringslaag een broncontactgat omvat dat de aansturende bronelektrode vrijgeeft, een afvoercontactgat dat de aansturende afvoerelektrode vrijgeeft, een 30 poortplakcontactgat dat de poortplak vrijgeeft, een dataplakcontactgat dat de dataplak vrijgeeft en een voedende-plakcontactgat dat de voedende plak vrijgeeft.

9. De inrichting volgens conclusie 8, waarin de passieveringslaag omvat het poortplakcontactgat en het voedende- 35 plakcontactgat door de halfgeleiderlaag en de poortisolerende laag.

10. De inrichting volgens conclusie 9, voorts omvattende een poortplakaansluiting op de passieveringslaag, waarbij de poort-plakaansluiting is verbonden met de poortplak via het poortplakcontactgat en de voedende-plakaansluiting is verbonden met de voedende j 1025119- - 19 - plak via het voedende-plakcontactgat, en waarbij de poortplakaanslui-ting en de voedende-plakaansluiting hetzelfde materiaal omvatten als het verbindend patroon.

11. De inrichting volgens conclusie 8, voorts omvattende een 5 verbindende elektrode, met de aansturende bronelektrode verbonden via het broncontactgat en verbonden met de voedende lijn.

12. De inrichting volgens conclusie 1, waarin de halfgelei-derlaag is gevormd uit amorf silicium.

13. De inrichting volgens conclusie 1, waarin de ohmse data-10 contactlaag is gevormd uit gedoteerd amorf silicium.

14. De inrichting volgens conclusie 6, waarin de ohmse schakelende contactlaag is gevormd uit gedoteerd amorf silicium.

15. Dë inrichting volgens conclusie 7, waarin de aansturende ohmse contactlaag is gevormd uit gedoteerd amorf silicium.

16. Een werkwijze voor het vervaardigen van een organische elektroluminescerende inrichting, omvattende de stappen van: het vormen van een aansturende poortelektrode, een poortlijn en een voedende lijn op een eerste substraat gebruikmakend van een eerste proces van maskeren; 20 het vormen van een eerste isolerende laag en een halfgeleider- laag achtereenvolgens op de aansturende poortelektrode, de poortlijn en de voedende lijn; het achtereenvolgens vormen van een eerste laag silicium en een tweede laag metaal op de halfgeleiderlaag; 25 het achtereenvolgens in patroon brengen van de eerste en de tweede lagen gebruikmakend van een tweede proces van maskeren ter vorming van een aansturende ohmse contactlaag, een ohmse datacon-tactlaag, aansturende bron- en afvoerelektroden en een datalijn, waarbij de aansturende ohmse contactlaag is gevormd onder de aansturende 30 bron- en afvoerelektroden, en de ohmse datacontactlaag is gevormd onder de datalijn; het vormen van een tweede isolerende laag met een broncontactgat en een afvoercontactgat op de aansturende bron- en afvoerelektroden en de datalijn gebruikmakend van een derde proces van maskeren, 35 waarbij het broncontactgat de aansturende bronelektrode vrijgeeft en het afvoercontactgat de aansturende afvoerelektrode vrijgeeft; het vormen van een verbindend patroon en een verbindende elektrode uit geleidend polymeermateriaal op de tweede isolerende laag, waarbij het verbindend patroon is verbonden met de aansturende afvoer- 1025119- - 20 - elektrode via het afvoercontactgat en de verbindende elektrode is verbonden met de aansturende bronelektrode via het broncontactgat; het vormen van een eerste elektrode op een tweede substraat; het vormen van een organische elektroluminescerende laag op de 5 eerste elektrode; het vormen van een tweede elektrode op de organische elektroluminescerende laag; en het zodanig met elkaar verbinden van de eerste en tweede substraten dat de tweede elektrode in contact is met het verbindend pa-10 troon.

17. De werkwijze volgens conclusie 16, voorts omvattende de stappen van het vormen van een eerste koppelende lijn op een kruising van de poortlijn en de voedende lijn, waarbij de eerste koppelende lijn simultaan met het verbindend patroon wordt gevormd.

18. De werkwijze volgens conclusie 16, voorts omvattende het vormen van eerste en tweede koppelende lijnen op een kruising van de poortlijn en de voedende lijn, waarbij de eerste koppelende lijn simultaan met het verbindend patroon wordt gevormd, en de tweede koppelende lijn simultaan met de datalijn wordt gevormd.

19. De werkwijze volgens conclusie 16, voorts omvattende het vormen van een schakelende dunne-filmt rans is tor verbonden met de poortlijn en de leiding.

20. De werkwijze volgens conclusie 16, voorts omvattende de stappen van; 25 het vormen van een poortplak en een voedende plak op het eer ste substraat, gebruikmakend van het eerste proces van maskeren; het vormen van een dataplak, gebruikmakend van het tweede proces van maskeren; en het vormen van een poortplakcontactgat, een dataplakcontactgat 30 en een voedende-plakcontactgat in de tweede isolerende laag gebruikmakend van het derde proces van maskeren, waarbij het poortplakcontactgat de poortplak vrijgeeft, het dataplakcontactgat de dataplak vrijgeeft en het voedende-plakcontactgat de voedende plak vrijgeeft; en het vormen van een poortplakaansluiting, een dataplakaanslui-35 ting en een voedende-plakaansluiting uit geleidend polymeermateriaal op de tweede halfgeleiderlaag, waarbij de poortplakaansluiting is verbonden met de poortplak via het poortplakcontactgat, de dataplakaan-sluiting is verbonden met de dataplak via het dataplakcontactgat en de 102511a- -21- voedende-plakaansluiting is verbonden met de voedende plak via het . voedende-plakcontactgat.

21. De werkwijze volgens conclusie 20, waarin de tweede isolerende laag omvat het poortplakcontactgat en het voedende-plakcontact-5 gat door de halfgeleiderlaag en de eerste isolerende laag. i

22. De werkwijze volgens conclusie 16, waarin de halfgeleider laag is gevormd uit amorf silicium.

23. De werkwijze volgens conclusie 16, waarin de eerste laag uit silicium is gevormd uit gedoteerd amorf silicium.

24. De werkwijze volgens conclusie 16, waarin de aansturende ohmse contactlaag is gevormd uit gedoteerd amorf silicium.

25. De werkwijze volgens conclusie 16, waarin de ohmse datacon-tactlaag is gevormd uit gedoteerd amorf silicium. f0251 19-_