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CN1516533A - 双板型有机电致发光装置及其制造方法 - Google Patents

双板型有机电致发光装置及其制造方法 Download PDF

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CN1516533A CNA2003101230731A CN200310123073A CN1516533A CN 1516533 A CN1516533 A CN 1516533A CN A2003101230731 A CNA2003101230731 A CN A2003101230731A CN 200310123073 A CN200310123073 A CN 200310123073A CN 1516533 A CN1516533 A CN 1516533A
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Abstract

有机电致发光装置包括第一和第二基板；设在第一基板内表面上的栅极线；设在栅极线上方的半导体层；与栅极线交叉的数据线；设在数据线下方的数据欧姆接触层；与数据线平行或基本平行并与数据线相隔一定距离的电源线，所述电源线包含与栅极线相同的材料；与栅极线和数据线相连的开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管利用半导体层作为开关有源层；与开关薄膜晶体管和电源线相连的驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管利用半导体层作为驱动有源层；与驱动薄膜晶体管相连的连接图形，所述连接图形包括导电聚合物材料；设在第二基板内表面上的第一电极；设在第一电极上的有机电致发光层；和设在有机电致发光层上的第二电极，所述第二电极与连接图形接触。

Description

双板型有机电致发光装置及其制造方法
本申请要求2002年12月26日在韩国申请的第2002-84579号韩国专利申请的权益，该申请在本申请中以引用的形式加以结合。
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光装置，更确切地说，涉及一种在制造过程中减少了掩模数量的双板型有机电致发光装置及其制造方法。
背景技术
在平板显示器(FPD)中，因为与液晶显示(LCD)装置相比，有机电致发光(EL)装置是具有宽视角和预期对比度的发光型显示器，所以有机电致发光装置在研发中引起了人们的特别兴趣。由于这种有机EL装置不需要设置背光光源，因此，这种装置与其他类型的显示装置相比，可以做得尺寸和重量都很小。有机EL装置还具有其他所期望的特性，例如，低能耗、超亮度和快速响应时间。当驱动有机EL装置时，仅需要低直流(DC)电压。此外，可以获得快速响应速度。在本领域中很清楚，与LCD装置不同的是，由于有机EL装置是整体形成的固相结构，所以有机EL装置足以抵抗外部冲击并且具有较大的工作温度范围。此外，由于制造有机EL装置是一个仅需几个工艺步骤的较简单过程，所以与LCD装置或等离子显示板(PDP)相比，可以用更低的成本来制造有机EL装置。特别是，在生产有机EL装置时仅需要沉积和封装设备。
在有源矩阵型有机EL装置中，将施加到象素上的电压和保持该电压的电荷存储在存储电容中。这使得不管扫描线的数量是多少，均可以在施加下一帧电压之前以恒定的电压来驱动所述装置。因此，由于可以用低供电电流获得同样的亮度，所以可以制造出低能耗、高分辨率和大面积的有源矩阵型有机EL装置。
图1是按照现有技术所述有源矩阵型有机电致发光装置中基本象素结构的等效电路图。在图1中，沿第一方向布置扫描线2，沿垂直于第一方向的第二方向布置信号线4和电源线6，由此构成象素区“P”。信号线4和电源线6彼此相隔一定距离。此外，作为寻址元件的开关薄膜晶体管(TFT)“TS”与扫描线2和信号线4相连，而存储电容“CST”与开关TFT“TS”和电源线6相连。作为电流源元件的驱动TFT“TD”与存储电容“CST”和电源线6相连，而有机电致发光(EL)二极管“DEL”与驱动TFT“TD”相连。有机EL二极管“DEL”的阳极和阴极之间设置有机EL层(未示出)。开关TFT“TS”调节施加到驱动TFT“TD”上的电压而存储电容“CST”存储电荷以保持施加到驱动TFT“TD”上的电压。
当向开关TFT“Ts”的开关栅极施加扫描线2上的扫描电压时，开关TFT“Ts”将导通(ON)，信号线4上的图像信号通过开关元件“TS”施加到驱动TFT“TD”的驱动栅极和存储电容“CST”上。因此，驱动TFT“TD”导通(ON)，当驱动TFT“TD”导通(ON)时，电源线6上的电流通过驱动TFT“TD”施加到有机EL二极管“DEL”上。由此而发光。驱动元件“TD”的电流密度由施加到驱动栅极上的图像信号进行调制。因此，有机电致发光二极管“DEL”可以显示具有多个灰度级的图像。此外，由于存储在存储电容“CST”中的图像信号电压施加到驱动栅极上，所以，在施加下一个图像信号之前，即使是开关元件“Ts”断开(OFF)，流入有机电致发光二极管“DEL”的电流密度仍然可以保持在均匀水平上。
图2是现有技术中有机电致发光装置的示意性平面图。
在图2中，栅极线37与数据线51和电源线42交叉，所述数据线51和电源线42彼此相隔一定距离。在栅极线37、数据线51和电源线42之间构成象素区“P”。在靠近栅极线37和数据线51交点的位置上设有开关薄膜晶体管(TFT)“Ts”。驱动TFT“TD”与开关TFT“TS”以及电源线42相连。存储电容“CST”利用一部分电源线42作为第一电容电极并利用从开关TFT“Ts”的开关有源层31伸出的有源图形34作为第二电容电极。第一电极58与驱动TFT“TD”相连，而且在第一电极58上依次形成有机电致发光(EL)层(未示出)和第二电极(未示出)。第一和第二电极以及设在它们之间的有机EL层构成有机EL二极管“DEL”。
图3是沿图2中的线“III-III”剖开的示意性剖面图。按照图3，在基板1上形成包含有源层32、栅极38和源、漏极50、52的驱动薄膜晶体管(TFT)“TD”。源极50与电源线42相连而漏极52与第一电极58相连。在电源线42的下方形成用与有源层32相同材料制成的有源图形34，在电源线42和有源图形34之间设有绝缘层40。有源图形34和电源线42构成存储电容“CST”。在第一电极58上依次形成有机电致发光(EL)层64和第二电极66，它们共同构成有机EL二极管“DEL”。
就绝缘层而言，在基板1和有源层32之间形成第一绝缘层30(例如缓冲层)。在有源层32和栅极38之间形成第二绝缘层36。在有源图形34和电源线42之间形成第三绝缘层40。在电源线42和源极50之间形成第四绝缘层44。在漏极52和第一电极58之间形成第五绝缘层54。在第一电极58和有机EL层64之间形成第六绝缘层60。第三到第六绝缘层40、44、54和60上带有允许进行连接的接触孔。
图4A-4I是表示现有技术中有机电致发光装置制造方法的示意性剖面图。在图4A中，通过在基板1上沉积第一绝缘材料形成第一绝缘层30(例如缓冲层)。当在第一绝缘层30上形成多晶硅层(未示出)之后，用第一掩模工序形成有源层32和有源图形34。在图4B中，当在基板1的整个表面上依次沉积第二绝缘材料和第一金属材料之后，用第二掩模工序形成第二绝缘层36(例如栅极绝缘层)和栅极38。在图4C中，通过沉积第三绝缘材料在栅极38上形成第三绝缘层40。当在第三绝缘层40上沉积第二金属材料之后，用第三掩模工序在有源图形34上方形成电源线42。
在图4D中，当在电源线42上沉积了第四绝缘材料之后，用第四掩模工序形成带有第一到第三接触孔46a、46b、和48的第四绝缘层44。通过后续的掺杂工序可以将有源层32分成沟槽区32a以及源区和漏区32b和32c。第一和第二接触孔46a和46b分别暴露源区和漏区32b和32c。第三接触孔48暴露电源线42。源区和漏区32b和32c用杂质掺杂。
在图4E中，当在第四绝缘层44上沉积了第三金属材料之后，用第五掩模工序形成源极和漏极50和52。源极50通过第三接触孔48(参见图4D)与电源线42相连并通过第一接触孔46a(参见图4D)与源区32b相连。漏极52通过第二接触孔46b(参见图4D)与漏区32c相连。有源层32、栅极38和源极及漏极50、52构成驱动薄膜晶体管(TFT)“TD”。电源线42和有源图形34分别与开关TFT(未示出)的源极50和有源层相连。此外，中间设有第三绝缘层40的电源线42和有源图形34构成了存储电容“CST”。
在图4F中，当在源极和漏极50和52上沉积了第五绝缘材料之后，用第六掩模工序形成带有第四接触孔56的第五绝缘层54。第四接触孔56暴露漏极52。
在图4G中，当在第五绝缘层54上沉积了第四金属材料之后，用第七掩模工序形成第一电极58。第一电极58通过第四接触孔56(参见图4F)与漏极52相连。
在图4H中，当在第一电极58上沉积了第六绝缘材料之后，用第八掩模工序形成具有开口部分62的第六绝缘层60。开口部分62暴露第一电极58。第六绝缘层60可防止驱动TFT“TD”受潮和受污染。
在图4I中，在第六绝缘层60上依次形成有机电致发光(EL)层64和第五金属材料的第二电极66。有机EL层64通过开口部分62(参见图4H)与第一电极58接触。在基板1的整个表面上形成第二电极66。将第一电极58设计成阳极。例如，由于第二电极66应当反射从有机EL层64上发射的光并向有机EL层64提供电子，所以应当选择具有高反射率和低逸出功的第五金属材料。
图5是现有技术中有机电致发光装置的示意性剖面图。在图5中，第一和第二基板70和90上具有多个象素区“P”，所述两个基板的内表面相互面对并彼此相隔一定距离。在第一基板70的内表面上形成在每个象素区“P”内包含驱动薄膜晶体管(TFT)“TD”的阵列层80。在阵列层80的每个象素区“P”内形成与驱动TFT“TD”相连的第一电极72。在第一电极72上交替地形成红、绿和蓝色有机电致发光(EL)层74。在有机EL层74上形成第二电极76。第一和第二电极72和76以及设在它们之间的有机EL层74构成有机EL二极管“DEL”。有机EL装置是底部型，即，光从有机EL层74射出后穿过第一电极72射向第一基板70的外部。
第二基板90作为封装基板使用。第二基板90的内侧中部具有凹部92，凹部92中填有用于除湿和去氧以保护有机EL二极管“DEL”的吸湿干燥剂94。第二基板90的内表面与第二电极76相隔一定距离。第一和第二基板70和90用设在第一和第二基板周边部分上的密封剂85粘附到一起。
按照现有技术所述的有机ELD，在第一基板上方形成TFT阵列部件和有机电致发光(EL)二极管，将附加的第二基板与第一基板粘附到一起以形成封装。然而，当用这种方式在一个基板上形成TFT阵列部件和有机EL二极管时，有机ELD的产率取决于TFT产率和有机EL二极管产率的乘积。由于有机EL二极管的产率相对较低，所以整个ELD的产率受到有机EL二极管产率的限制。例如，即使是制造的TFT很好，但是由于有机发光层存在缺陷，会使所用薄膜厚度约为1000的有机ELD被判定为不合格。这导致了材料浪费并增加了生产成本。
通常，按照利用有机ELD显示图像时所用光的发射方向，将有机ELD分成底部发光型和顶部发光型。底部发光型有机ELD具有高封装稳定性和高工艺灵活性的优点。然而，由于底部发光型有机ELD的孔径比较差，所以其不能达到高分辨率。相反，顶部发光型有机ELD由于更容易设计和具有高孔径比，所以具有较高的预期寿命。然而，在顶部发光型有机ELD中，阴极通常形成在有机发光层上。因此，由于可供选择的材料数量有限，所以顶部发光型有机ELD的透射率和光效率将降低。如果通过形成薄膜型钝化层来防止光透射率降低，薄膜型钝化层可能无法防止外部的空气渗透到装置中。
发明内容
因此，本发明在于提供一种有机电致发光装置及其制造方法，所述装置和方法基本上克服了因现有技术的局限和缺点造成的一个或多个问题。
本发明的目的是，提供一种能提高产量、具有高分辨率和高孔径比的有机电致发光装置。
本发明的其它特征和优点将在下面的说明中给出，其中一部分特征和优点可以从说明中明显得出或是通过对本发明的实践而得到。通过在文字说明部分、权利要求书以及附图中特别指出的结构，可以实现和获得本发明的这些和其它优点。
为了得到这些和其它优点并根据本发明的目的，作为具体和广义的描述，本发明所述的一种有机电致发光装置包括：彼此面对且相互相隔一定间距的第一和第二基板；设在第一基板内表面上的栅极线；设在栅极线上方的半导体层，所述半导体层覆盖第一基板的表面；与栅极线交叉的数据线；设在数据线下方的数据欧姆接触层，所述数据欧姆接触层与数据线具有相同形状；与数据线平行或基本平行并与数据线相隔一定距离的电源线，所述电源线包含与栅极线相同的材料；与栅极线和数据线相连的开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管利用半导体层作为开关有源层；与开关薄膜晶体管和电源线相连的驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管利用半导体层作为驱动有源层；与驱动薄膜晶体管相连的连接图形，所述连接图形包括导电聚合物材料；设在第二基板内表面上的第一电极；设在第一电极上的有机电致发光层；和设在有机电致发光层上的第二电极，所述第二电极与连接图形接触。
按照另一方面，本发明提供一种有机电致发光装置的制造方法，所述方法包括：利用第一掩模工序在第一基板上形成驱动栅极、栅极线和电源线；在驱动栅极、栅极线和电源线上依次形成第一绝缘层和半导体层；在半导体层上依次形成第一硅层和第二金属层；利用第二掩模工序依次将第一硅层和第二金属层制成一定图形以便形成驱动欧姆接触层、数据欧姆接触层、驱动源极和漏极、以及数据线，所述驱动欧姆接触层形成在驱动源极和漏极下方，所述数据欧姆层形成在数据线下方；利用第三掩模工序在驱动源极和漏极以及数据线上形成带有源极接触孔和漏极接触孔的第二绝缘层，所述源极接触孔暴露驱动源极，漏极接触孔暴露驱动漏极；在第二绝缘层上形成导电聚合物材料的连接图形和连接电极，所述连接图形通过漏极接触孔与驱动漏极相连，所述连接电极通过源极接触孔与驱动源极相连；在第二基板上形成第一电极；在第一电极上形成有机电致发光层；在有机电致发光层上形成第二电极；和将第一及第二基板粘附到一起从而使第二电极与连接图形相接触。
很显然，上面的一般性描述和下面的详细说明都是示例性和解释性的，其意在对本发明的权利要求作进一步解释。
附图说明
本申请所包含的附图用于进一步理解本发明，其与说明书相结合并构成说明书的一部分，所述附图表示本发明的实施例并与说明书一起解释本发明的原理。附图中：
图1是表示现有技术中有源矩阵型有机电致发光装置基本象素结构的等效电路图；
图2是现有技术中有机电致发光装置的示意性平面图。
图3是沿图2中的线“III-III”剖开的示意性剖面图。
图4A-4I是表示现有技术中有机电致发光装置制造方法的示意性剖面图。
图5是现有技术中有机电致发光装置的示意性剖面图。
图6是按照本发明实施例所述有机电致发光装置的示意性剖面图；
图7是按照本发明实施例所述有机电致发光装置的示意性平面图；
图8A-8D是表示按照本发明实施例所述有机电致发光装置中驱动薄膜晶体管制造过程的示意性剖面图；和
图9A-9D是表示按照本发明实施例所述有机电致发光装置中数据焊盘、栅极焊盘和电源焊盘制造方法的示意性剖面图。
具体实施方式
现在将详细说明本发明的优选实施例，所述实施例的实例示于附图中。
图6是按照本发明实施例所述有机电致发光装置的示意性剖面图。在图6中，彼此的内表面相互面对且相隔一定距离设置的第一和第二基板110和150上具有多个象素区“P”。在第一基板110的内表面上形成每个象素区“P”内包含一个驱动薄膜晶体管(TFT)“TD”的阵列层140。在阵列层140的每个象素区“P”上形成与驱动TFT“TD”相连的连接图形142。连接图形142可以用导电材料制成或是制成包含绝缘材料且用于连接而具有足够厚度的多层。可以用附加的连接电极将连接图形142与驱动TFT“TD”相连接。驱动TFT“TD”包括栅极112、有源层114、和源极及漏极116和118。连接图形142与漏极118相连。
在第二基板150的内表面上形成第一电极152。在第一电极152上形成包含红、绿和蓝色有机发光层156a、156b、和156c的有机电致发光(EL)层160，所述红、绿和蓝色有机发光层交替设置在每个象素区“P”内。在有机EL层160的每个象素区“P”内形成第二电极162。可以将有机EL层160制作成单层或多层。在多层的情况下，有机EL层160可以包括设在第一电极152上的第一载流子传输层154，设在第一载流子传输层154上的红、绿和蓝色有机发光层156a、156b、和156c之一和设在每个发光层156a、156b、和156c上的第二载流子传输层158。例如，当第一和第二电极152和162分别是阳极和阴极时，第一载流子传输层154对应于空穴注入层和空穴传输层，而第二载流子传输层158对应于电子传输层和电子注入层。第一和第二电极152和162以及设在两电极之间的有机EL层160构成有机EL二极管“DEL”。
第一和第二基板110和150在其周边部分上用密封剂170粘附到一起。连接图形142的上表面与第二电极162的下表面相接触，因此驱动TFT“TD”的电流通过连接图形142流入第二电极162。
按照本发明的该实施例所述的有机EL装置是双板型有机EL装置，其中在不同基板上形成阵列层140和有机EL二极管“DEL”而且通过连接图形142将阵列层140和有机EL二极管“DEL”相连接。在TFT的结构和阵列层与有机EL二极管的连接方法方面可以进行各种改进和变型。此外，由于本发明所述有机EL装置是顶部发光型，所以薄膜晶体管的设计非常简单，并能获得高分辨率和高孔径比。
图7是按照本发明实施例所述有机电致发光装置的示意性平面图。在图7中，沿第一方向形成栅极线212。沿着与第一方向垂直的第二方向形成彼此相隔一定距离的数据线240和电源线220。在栅极线212和数据线240的交点附近形成包含开关栅极214、开关有源层228、开关源极和漏极232和236的开关薄膜晶体管(TFT)“TS”。开关栅极214与栅极线212相连，开关源极232与数据线240相连。开关源极和漏极232和236彼此相隔一定距离。开关有源层228的形状与开关源极和漏极232和236的形状相对应。可以利用单个制造工序用与开关栅极线212相同的材料制作电源线220。
驱动TFT“TD”包括驱动栅极216、驱动有源层230和驱动源极及漏极234和238。驱动栅极216与开关漏极236相连并且可以用与栅极线212相同的材料以及相同的制造工艺制作驱动栅极216。驱动源极和漏极234和238彼此相隔一定距离并且可以用与数据线240相同的材料以及相同的制造工艺制作所述驱动源极和漏极234和238。驱动有源层230位于驱动源极和漏极234和238下方。电源电极262通过源极接触孔248与驱动源极234相连并通过电源接触孔246与电源线220相连。
在靠近驱动TFT“TD”的连接区“C”内形成连接图形260，该连接图形与驱动漏极238相连。连接图形260可以用与电源电极262相同的材料以及相同的制造工艺制成。例如，可以用导电聚合物材料作为连接图形260。连接区“C”对应于有机EL二极管的第二电极(未示出)。从开关漏极236伸出的电容电极244与电源线220重叠形成存储电容“CST”。
在数据线240、栅极线212和电源线220的一端分别形成数据焊盘242、栅极焊盘218和电源焊盘222。在数据焊盘242、栅极焊盘218和电源焊盘222的上方分别形成数据焊盘端子264、栅极焊盘端子266和电源焊盘端子268。可以用与连接图形260相同的材料以及相同的制造工艺制作数据焊盘端子264、栅极焊盘端子266和电源焊盘端子268。
在每一个数据线240、数据焊盘242和电容电极244的下方形成半导体层(未示出)，所述半导体层包含掺杂的非晶硅层224b。可以用与开关有源层228和驱动有源层230的欧姆接触层(未示出)相同的材料制造掺杂的非晶硅层224b。由于是用相同的制造工艺同时形成栅极线212和电源线220，所以在栅极线212和电源线220交点附近用第一连线241a作为电源线220的连接器以防止在栅极线212和电源线220之间出现电短路。可以用与数据线240相同的材料以及相同的制造工艺来制作第一连线241a。在第一连线241a的两端形成第二连线241b，并且通过第二连线241b将第一连线241a与电源线220相连。用与连接图形260相同的材料以及相同的制造工艺制作第二连线241b。在另一个实施例中，仅用第二连线241b连接栅极线212上方的电源线220。由于在数据焊盘242和电源焊盘222上施加的是不同的信号，所以可以将数据焊盘242和电源焊盘222设置在第一基板的相对端上。
图8A-8D是表示按照本发明实施例所述有机电致发光装置中驱动薄膜晶体管制造过程的示意性剖面图，而图9A-9D是表示按照本发明实施例所述有机电致发光装置中数据焊盘、栅极焊盘和电源焊盘制造方法的示意性剖面图。图8A-8D取自图7中线“VIII-VIII”，而图9A-9D取自图7中的线“IX-IX”。掩模工序是包含利用曝光和显影使光刻胶(PR)形成图形的步骤和利用PR图形作为掩模进行蚀刻的步骤的光刻工序。
在图8A和9A中，用第一掩模工序在第一基板210上形成第一金属材料的驱动栅极216、栅极焊盘218和电源焊盘222。尽管在图8A和图9A中未示出，但是应同时形成与电源焊盘222相连的电源线。第一金属材料具有低电阻率。例如，可用铝(Al)或是铝(Al)合金作为第一金属材料。
在图8B和图9B中，在驱动栅极216、栅极焊盘218和电源焊盘222上依次形成第一绝缘材料的第一绝缘层(栅极绝缘层)223和非晶硅(a-Si:H)层224a。当在非晶硅层224a上依次沉积掺杂的硅材料和第二金属材料之后，利用第二掩模工序形成欧姆接触层230b、源极和漏极234和238、以及数据焊盘242。非晶硅层224a包括与驱动栅极216对应的有源区230a。非晶硅层224a的有源区230a和欧姆接触层230b构成驱动有源层230。源极和漏极234和238彼此相隔一定距离，而曝光的有源区230a成为沟槽区“ch”。在数据焊盘区“D”内形成数据焊盘242。数据线(未示出)与数据焊盘242同时形成并且将数据焊盘区“D”设在数据线的一端。可以在第一基板210的相对端上形成数据焊盘242和电源焊盘222。
驱动栅极216、驱动有源层230和源极及漏极234和238构成驱动薄膜晶体管(TFT)“TD”。在数据焊盘242的下方形成掺杂的非晶硅层224b。可以用与驱动有源层230的欧姆接触层230b相同的材料制作掺杂的非晶硅层224b，掺杂的非晶硅层224b具有的形状与数据焊盘242相对应。第一绝缘材料是例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiO2)等硅绝缘材料。第二金属材料是耐化学剂的材料，例如钼(Mo)、钛(Ti)、铬(Cr)和钨(W)等。
在图8C和9C中，当在驱动TFT“TD”、数据焊盘242、栅极焊盘218和电源焊盘222上沉积了第二绝缘材料之后，通过第三掩模工序形成具有源极和漏极接触孔248和250、数据焊盘接触孔252、栅极焊盘接触孔254、和电源焊盘接触孔256的第二绝缘层(钝化层)258。源极和漏极接触孔248和250分别暴露源极和漏极234和238。数据焊盘接触孔252、栅极焊盘接触孔254和电源焊盘接触孔256分别暴露数据焊盘242、栅极焊盘218和电源焊盘222。形成的栅极焊盘接触孔254和电源焊盘接触孔256贯穿第一绝缘层223、非晶硅层224a和第二绝缘层258。漏极接触孔250设置在与有机电致发光二极管的第二电极对应的连接区“C”(参见图7)内。
在图8D和9D中，当在第二绝缘层258上沉积了导电聚合物材料之后，用第四掩模工序形成连接图形260、电源电极262、数据焊盘端子264、栅极焊盘端子266和电源焊盘端子268。连接图形260通过漏极接触孔250与漏极238相连，而电源电极262通过源极接触孔248与源极234相连。数据焊盘端子264通过数据焊盘接触孔252与数据焊盘242相连，栅极焊盘端子266通过栅极焊盘接触孔254与栅极焊盘218相连，电源焊盘端子268通过电源焊盘接触孔256与电源焊盘222相连。
本发明的有机电致发光装置具有多个优点。首先，由于使用了反相交错(inverted staggered)的非晶硅薄膜晶体管，所以可以通过低温过程制造所述有机ELD。第二，由于即使在添加附加的连接图形时，也可以减少多个掩模工序，所以因简化了工序而有效提高了产率。第三，由于是在不同的基板上形成阵列图形和有机EL二极管，所以提高了产率和生产管理效率，并且延长了有机EL装置的寿命。第四，由于ELD是顶部发光型，所以使得薄膜晶体管的设计很简单，并且可以在不考虑下部阵列图形的情况下得到高分辨率和高孔径比。
对于熟悉本领域的技术人员来说，很显然，在不脱离本发明构思或范围的情况下，可以对本发明的有机电致发光装置及其制造方法做出各种改进和变型。因此，本发明意在覆盖那些落入所附权利要求及其等同物范围内的改进和变型。

Claims (25)

1.一种有机电致发光装置，包括：
彼此面对且相互相隔一定间距的第一和第二基板；
设在第一基板内表面上的栅极线；
设在栅极线上方的半导体层，所述半导体层覆盖第一基板的表面；
与栅极线交叉的数据线；
设在数据线下方的数据欧姆接触层，所述数据欧姆接触层与数据线具有相同形状；
与数据线平行或基本平行并与数据线相隔一定距离的电源线，所述电源线包含与栅极线相同的材料；
与栅极线和数据线相连的开关薄膜晶体管，所述开关薄膜晶体管利用半导体层作为开关有源层；
与开关薄膜晶体管和电源线相连的驱动薄膜晶体管，所述驱动薄膜晶体管利用半导体层作为驱动有源层；
与驱动薄膜晶体管相连的连接图形，所述连接图形包括导电聚合物材料；
设在第二基板内表面上的第一电极；
设在第一电极上的有机电致发光层；和
设在有机电致发光层上的第二电极，所述第二电极与连接图形接触。
2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，数据线和数据欧姆接触层是在一个光刻工序中依次形成的。
3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括靠近栅极线和电源线交点的第一连线，其中第一连线包括与连接图形相同的材料。
4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括靠近栅极线和电源线交点的第一和第二连线，其中第一连线包括与连接图形相同的材料而第二连线包括与数据线相同的材料，其中第二连线与栅极线交叉而第一连线设置在第二连线的两端上。
5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，进一步包括设在栅极线一端上的栅极焊盘，设在数据线一端上的数据焊盘和设在电源线一端上的电源焊盘。
6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，开关薄膜晶体管包括与栅极线相连的开关栅极，处于开关栅极上方的开关有源层，设在开关有源层上的开关欧姆接触层，和设在开关欧姆接触层上的开关源极和漏极。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，驱动薄膜晶体管包括与开关漏极相连的驱动栅极，处于驱动栅极上方的驱动有源层，设在驱动有源层上的驱动欧姆接触层，和设在驱动欧姆接触层上的驱动源极和漏极。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，进一步包括设在驱动栅极和驱动有源层之间的栅极绝缘层和设在驱动薄膜晶体管上的钝化层，其中钝化层包括暴露驱动源极的源极接触孔，暴露驱动漏极的漏极接触孔，暴露栅极焊盘的栅极焊盘接触孔，暴露数据焊盘的数据焊盘接触孔和暴露电源焊盘的电源焊盘接触孔。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，钝化层包括贯穿半导体层和栅极绝缘层的栅极焊盘接触孔和电源焊盘接触孔。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，进一步包括设在钝化层上的栅极焊盘端子和电源焊盘端子，其中栅极焊盘端子通过栅极焊盘接触孔与栅极焊盘相连，电源焊盘端子通过电源焊盘接触孔与电源焊盘相连，其中栅极焊盘端子和电源焊盘端子包括与连接图形相同的材料。
11.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，进一步包括通过源极接触孔与驱动源极相连并与电源线相连的连接电极。
12.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，半导体层由非晶硅构成。
13.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，数据欧姆接触层由掺杂的非晶硅构成。
14.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，开关欧姆接触层由掺杂的非晶硅构成。
15.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，驱动欧姆接触层由掺杂的非晶硅构成。
16.一种有机电致发光装置的制造方法，包括：
利用第一掩模工序在第一基板上形成驱动栅极、栅极线和电源线；
在驱动栅极、栅极线和电源线上依次形成第一绝缘层和半导体层；
在半导体层上依次形成第一硅层和第二金属层；
利用第二掩模工序依次将第一硅层和第二金属层制成一定图形以便形成驱动欧姆接触层、数据欧姆接触层、驱动源极和漏极、以及数据线，所述驱动欧姆接触层形成在驱动源极和漏极的下方，所述数据欧姆接触层形成在数据线下方；
利用第三掩模工序在驱动源极和漏极以及数据线上形成带有源极接触孔和漏极接触孔的第二绝缘层，所述源极接触孔暴露驱动源极，漏极接触孔暴露驱动漏极；
在第二绝缘层上形成导电聚合物材料的连接图形和连接电极，所述连接图形通过漏极接触孔与驱动漏极相连，所述连接电极通过源极接触孔与驱动源极相连；
在第二基板上形成第一电极；
在第一电极上形成有机电致发光层；
在有机电致发光层上形成第二电极；和
将第一及第二基板粘附到一起从而使第二电极与连接图形相接触。
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，进一步包括在栅极线和电源线的交点处形成第一连线，其中第一连线与连接图形同时形成。
18.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，进一步包括在栅极线和电源线的交点处形成第一和第二连线，其中第一连线与连接图形同时形成，其中第二连线与数据线同时形成。
19.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，进一步形成与栅极线和数据线相连的开关薄膜晶体管。
20.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，进一步包括：
用第一掩模工序在第一基板上形成栅极焊盘和电源焊盘；
用第二掩模工序形成数据焊盘；和
用第三掩模工序在第二绝缘层上形成栅极焊盘接触孔、数据焊盘接触孔和电源焊盘接触孔，栅极焊盘接触孔暴露栅极焊盘，数据焊盘接触孔暴露数据焊盘，而电源焊盘接触孔暴露电源焊盘；和
在第二绝缘层上形成导电聚合物材料的栅极焊盘端子、数据焊盘端子和电源焊盘端子，栅极焊盘端子通过栅极焊盘接触孔与栅极焊盘相连，数据焊盘端子通过数据焊盘接触孔与数据焊盘相连，电源焊盘端子通过电源焊盘接触孔与电源焊盘相连。
21.根据权利要求20所述的方法，其特征在于，第二绝缘层包括贯穿半导体层和第一绝缘层的栅极焊盘接触孔和电源焊盘接触孔。
22.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，半导体层由非晶硅构成。
23.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，第一硅层由掺杂的非晶硅构成。
24.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，驱动欧姆接触层由掺杂的非晶硅构成。
25.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，数据欧姆接触层由掺杂的非晶硅构成。
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