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KR980006438A - 실리사이드를 이용한 폴리 실리콘 박막트랜지스터 및 제조 방법 - Google Patents

실리사이드를 이용한 폴리 실리콘 박막트랜지스터 및 제조 방법 Download PDF

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KR980006438A
KR980006438A KR1019960024818A KR19960024818A KR980006438A KR 980006438 A KR980006438 A KR 980006438A KR 1019960024818 A KR1019960024818 A KR 1019960024818A KR 19960024818 A KR19960024818 A KR 19960024818A KR 980006438 A KR980006438 A KR 980006438A
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Abstract

본 발명은 실리사이드를 이용한 다결정질 실리콘 박막트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 반도체층 패턴 상측의 게이트 절연막상의 게이트 전극과 게이트 절연막 양측의 소오스/드레인 전극을 실리사이드로 형성한다. 반도체층의 채널부분은 이온 주입 마스크로 질화막 혹은 산화막 패턴으로된 스토퍼를 사용하지 않고, 게이트 절연막과 상부의 반도체층으로 대신하므로써 공정이 간단하고 공정수율 및 소자동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 다결정질 실리콘 박막트랜지스터를 제작 할 수 있다.

Description

실리사이드를 이용한 폴리 실리콘 박막트랜지스터 및 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 실시 예에 따른 니켈 실리사이드의 표면의 주사전자현미경 사진.

Claims (10)

  1. 실리사이드를 소오스 및 드레인 오옴의 접촉층으로 이용한 평면형 완전자기 정렬형의 다결정직 실리콘 박막트랜지스터.
  2. 동일한 실리사이드막을 게이트 및 소오스/드레인 전극물질로 이용한 다결정직 실리콘 박막트랜지스터.
  3. 다결정직 실리콘 박막트랜지스터 제작시에 게이트 절연막 위에 비정질 실리콘층을 형성후, 형성된 비정질 실리콘을 실리사이드화하여 실리사이드 게이트 전극 구조를 갖는 박막트랜지스터.
  4. 다결정직 실리콘 박막트랜지스터 제작시에 게이트 패턴을 형성함으로써 노출된 게이트 절연막 양측의 다결정질 실리콘을 실리사이드화하여 실리사이드 소오스/드레인 전극 구조를 갖는 박막트랜지스터.
  5. 절연 기판상의 다결정질 실리콘에 게이트 절연막을 형성하는 공정과, 상기 다결정질 실리콘층상의 게이트 절연막상에 비정질 실리콘층 형성공정과, 상기 다결정질 실리콘층의 채널로 예정된 부분상에 게이트 절연막 패턴임으로서 스토퍼를 대신하는 공정과, 상기 비정질 실리콘층상의 실리사이드화 공정과, 게이트 절연막 양측의 소오스/드레인으로 예정된 다결정질 실리콘층의 실리사이드화 공정과, 실리사이드층의 게이트 및 소오스/드레인 전극을 형성하는 공정을 구비한 평면형 완전 자기정렬 다결정질 실리콘 박막트랜지스터의 제조방법.
  6. 상기 제5항에서 레이저 아닐링 방법에 의한 다결정질 실리콘을 이용한 박막트랜지스터.
  7. 상기 제5항에서 고상결정화 방법에 의한 다결정질 실리콘을 이용한 박막트랜지스터.
  8. 상기 제5항에서 실리사이드층으로 니켈실리사이드를 이용한 TFT 제조공정.
  9. 상기 제5항에서 실리사이드층을 형성하기 이전에 이온 도핑에 의해 도핑층을 이용하는 TFT 제조공정.
  10. 상기 제5항에서 게이트 절연막으로 질화막을 이용하는 TFT 제조공정.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020076791A (ko) * 2001-03-30 2002-10-11 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 이용한박막트랜지스터 제조 방법

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100411153C (zh) * 2003-01-10 2008-08-13 统宝光电股份有限公司 薄膜晶体管阵列及其驱动电路的制造方法
TWI382455B (zh) 2004-11-04 2013-01-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置和其製造方法
US7550382B2 (en) 2005-05-31 2009-06-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device, evaluation method of semiconductor device, and semiconductor device
US7696024B2 (en) 2006-03-31 2010-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN103943509B (zh) * 2014-04-11 2017-02-15 深圳市华星光电技术有限公司 薄膜晶体管的制程方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1111823B (it) * 1978-03-17 1986-01-13 Rca Corp Dispositivo mosfet a bassa resistenza superficiale e metodo di fabbricazione dello stesso
JPS57134970A (en) * 1981-02-13 1982-08-20 Citizen Watch Co Ltd Manufacture of thin film transistor
JPH0693509B2 (ja) * 1983-08-26 1994-11-16 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ
EP0197531B1 (en) * 1985-04-08 1993-07-28 Hitachi, Ltd. Thin film transistor formed on insulating substrate
JPS6257252A (ja) * 1985-09-06 1987-03-12 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 薄膜トランジスタ
GB2215126B (en) * 1988-02-19 1990-11-14 Gen Electric Co Plc Process for manufacturing a thin film transistor
JP2624797B2 (ja) * 1988-09-20 1997-06-25 株式会社日立製作所 アクティブマトリクス基板の製造方法
JP2508851B2 (ja) * 1989-08-23 1996-06-19 日本電気株式会社 液晶表示素子用アクティブマトリクス基板とその製造方法
GB9008214D0 (en) * 1990-04-11 1990-06-13 Gen Electric Co Plc Semiconductor devices
JP3662263B2 (ja) * 1993-02-15 2005-06-22 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR100275717B1 (ko) * 1993-12-28 2000-12-15 윤종용 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 제조 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20020076791A (ko) * 2001-03-30 2002-10-11 주승기 실리콘 박막의 결정화 방법 및 이를 이용한박막트랜지스터 제조 방법

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