[go: up one dir, main page]

KR970064327A - 고주파 전력 인가장치, 플라즈마 발생장치, 플라즈마 처리장치, 고주파 전력 인가방법, 플라즈마 발생방법 및 플라즈마 처리방법 - Google Patents

고주파 전력 인가장치, 플라즈마 발생장치, 플라즈마 처리장치, 고주파 전력 인가방법, 플라즈마 발생방법 및 플라즈마 처리방법 Download PDF

Info

Publication number
KR970064327A
KR970064327A KR1019970002078A KR19970002078A KR970064327A KR 970064327 A KR970064327 A KR 970064327A KR 1019970002078 A KR1019970002078 A KR 1019970002078A KR 19970002078 A KR19970002078 A KR 19970002078A KR 970064327 A KR970064327 A KR 970064327A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
high frequency
frequency power
coil
wavelength
chamber
Prior art date
Application number
KR1019970002078A
Other languages
English (en)
Inventor
히데오 나카가와
시게노리 하야시
이치로 나카야마
도모히로 오쿠무라
Original Assignee
모리시다 요이치
마쯔시다 덴키 산교 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 모리시다 요이치, 마쯔시다 덴키 산교 가부시키가이샤 filed Critical 모리시다 요이치
Publication of KR970064327A publication Critical patent/KR970064327A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/321—Radio frequency generated discharge the radio frequency energy being inductively coupled to the plasma
    • H01J37/3211—Antennas, e.g. particular shapes of coils
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
    • H01J37/32174—Circuits specially adapted for controlling the RF discharge
    • H01J37/32183—Matching circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32697—Electrostatic control
    • H01J37/32706—Polarising the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
    • H03H7/38—Impedance-matching networks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24—Generating plasma
    • H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 플라즈마 처리장치에 있어서, 주파수가 높은 고주파 전력을 인가해도, 고진공도의 압력하에서 플라즈마를 발생할 수 있고, 이로써, 균일성이 높고 손상도가 낮은 플라즈마 처리를 고정밀도로 행할 수 있도록 하기 위한 것으로서, 챔버(10A)내의 저부에는 피처리물(13)을 유지하는 하부전극(12)이 절연체(11)를 개재하여 설치되어 있다. 제1고주파 전원(14)은 고주파 전력을 임피던스 정합기(16A)를 통하여, 4개의 와권형 코일부분(15a)이 병렬로 접속되어 이루어지는 멀티 스파이럴 코일(15A)에 인가한다. 각 코일부분(15a)의 1개당길이는 제1고주파 전원(14)으로부터 공급되는 고주파 전력의 파장의 1/4이다. 제2고주파 전원(17)은 하부전극(12)에 고주파 바이어스 전압을 인가한다.

Description

고주파 전력 인가장치, 플라즈마 발생장치, 플라즈마 처리장치, 고주파 전력 인가방법, 플라즈마 발생방법 및 플라즈마 처리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1(a)도는 본 발명의 제1실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 개략구성도.
제1(b)도는 상기 제1실시예에 따른 플라즈마 처리장치에 있어서 멀티 스파이럴 코일의 코일부분의 평면도.

Claims (28)

  1. 고주파 전력을 발생시키는 고주파 전력 발생원과, 상기 고주파 전력 발생원에서 발생하는 고주파 전력 파장의 1/4의 대략 정수배의 길이를 갖고, 상기 고주파 전력 발생원에서 고주파 전력을 공급받아 고주파 전류가 흐르면 자계를 발생하는 코일과, 상기 고주파 전력 발생원과 상기 코일의 임피던스 정압을 하는 임피던스 정합기를 구비한 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 코일의 길이는 상기 고주파 전력 파장의 1/4의 정수배에 대하여 ±7%의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 코일의 길이는 상기 고주파 전력 파장의 대략 1/4 또는 1/2인 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 코일의 길이는 상기 고주파 전력 파장의 1/4 또는 1/2에 대하여 ±7%의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 고주파 전력의 주파수는 30㎒∼300㎒인 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 임피던스 정합기는 적어도 2개의 가변 콘덴서로 구성되는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 코일은 각각 상기 고주파 전력 파장의 1/4의 대략 정수배의 길이를 갖는 동시에, 코일 중심에 대하여 점대칭으로 배치된 복수의 코일 부분으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 복수의 코일 부분은 동일 원주상에 위치하는 원호부를 각각 갖는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 코일은 평면적인 와권형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 코일은 입체적인 와권형 또는 나선형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가장치.
  11. 내부가 진공상태로 유지되는 챔버와, 상기 챔버 내에 기체를 도입하는 기체 도입수단과, 고주파 전력을 발생시키는 고주파 전력 발생원과, 상기 고주파 전력 발생원에서 발생하는 고주파 전력 파장의 1/4의 대략 정수배의 길이를 갖고, 상기 고주파 전력 발생원으로부터 고주파 전력을 공급받아 고주파 전류가 흐르면 상기 챔버 내에 도입된 기체를 플라즈마화하는 자계를 발생시키는 코일과, 상기 고주파 전력 발생원과 상기 코일의 임피던스 정합을 하는 임피던스 정합기를 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  12. 내부가 진공상태로 유지되는 챔버와, 상기 챔버 내에 설치되어 피처리물을 유지하는 시료대와, 상기 챔버 내에 기체를 도입하는 기체 도입수단과, 고주파 전력을 발생시키는 고주파 전력 발생원과, 상기 고주파 전력 발생원에서 발생하는 고주파 전력 파장의 1/4의 대략 정수배의 길이를 갖고, 상기 고주파 전력 발생원으로부터 고주파 전력을 공급받아 고주파 전류가 흐르면상기 챔버 내에 도입된 기체를 플라즈마화하는 자계를 발생시키는 코일과, 상기 고주파 전력 발생원과 상기 코일의 임피던스 정합을 하는 임피던스 정합기를 구비한 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 챔버와 전기적으로 절연된 고주파 전압 및 정전압 중 적어도 하나의 전압을 상기 시료대에 인가하는 전압 인가수단을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 고주파 전력 발생원에서 발생하는 고주파 전력을 펄스 변조하는 제1펄스 변조기와, 상기 전압 인가수단에 의해 인가되는 전압을 펄스 변조하는 제2펄스 변조기를 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.
  15. 고주파 전력 발생원에서 발생하는 고주파 전력을, 상기 고주파 전력 파장의 1/4의 대략 정수배의 길이를 갖는 코일에, 상기 고주파 전력 발생원과 상기 코일의 임피던스 정합을 하는 임피던스 정합기를 통하여 인가하는 공정과, 상기 코일에 흐르는 고주파 전류에 의해 상기 코일에 자계를 발생시키는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 코일의 길이는 상기 고주파 전력 파장의 1/4의 정수배에 대하여 ±7%의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 코일의 길이는 상기 고주파 전력 파장의 대략 1/4 또는 1/2인 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 코일의 길이는 상기 고주파 전력 파장의 1/4 또는 1/2에 대하여 ±7%의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가방법.
  19. 제15항에 있어서, 상기 고주파 전력의 주파수는 30㎒∼300㎒인 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가방법.
  20. 제15항에 있어서, 상기 임피던스 정합기는 적어도 2개의 가변 콘덴서로 구성되는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가방법.
  21. 제15항에 있어서, 상기 코일은 각각이 상기 고주파 전력 파장의 1/4의 대략 정수배의 길이를 갖는 동시에, 코일 중심에 대하여 점대칭으로 배치된 복수의 코일 부분으로 구성되는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 복수의 코일 부분은 동일 원주상에 위치하는 원호부를 각각 갖는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가방법.
  23. 제15항에 있어서, 상기 코일은 평면적인 와권형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가방법.
  24. 제15항에 있어서, 상기 코일은 입체적인 와권형 또는 나선형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고주파 전력 인가방법.
  25. 내부가 진공상태로 유지되는 챔버 내에 기체를 도입하는 공정과, 고주파 전력 발생원에서 발생하는 고주파 전력을 , 이 고주파 전력 파장의 1/4의 대략 정수배의 길이를 갖는 코일에, 상기 고주파 전력 발생원과 상기 코일의 임피던스 정합을 하는 임피던스 정합기를 통하여 인가하는 공정과, 상기 코일에 흐르는 고주파 전류에 의해 상기 코일에 자계를 발생시키는 공정과, 상기 코일에 의해 발생한 자계에 의해 상기 챔버 내에 도입된 기체를 플라즈마화하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 발생방법.
  26. 내부가 진공상태로 유지되는 챔버 내에 설치된 시료대에 피처리물을 유지시키는 공정과, 상기 챔버 내에 기체를 도입하는 공정과, 고주파 전력 발생원에서 발생하는 고주파 전력을, 이 고주파 전력 파장의 1/4의 대략 정수배의 길이를 갖는 코일에, 상기 고주파 전력 발생원과 상기 코일의 임피던스 정합을 하는 임피던스 정합기를 통하여 인가하는 공정과, 상기 코일에 흐르는 고주파 전류에 의해 상기 코일에 자계를 발생시키는 공정과, 상기 코일에 의해 발생한 자계에 의해 상기 챔버 내에 도입된 기체를 플라즈마화하는 공정과, 플라즈마화한 기체에 의해 상기 시료대에 유지되어 있는 피처리물에 대하여 처리를 행하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  27. 상기 챔버와 전기적으로 절연된 고주파 전압 및 정전압 중 적어도 하나의 전압을 상기 시료대에 인가하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
  28. 제27항에 있어서, 상기 코일에 인가되는 고주파 전력을 펄스 변조하는 공정과, 상기 시료대에 인가하는 전압을 펄스 변조하는 공정을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970002078A 1996-02-27 1997-01-24 고주파 전력 인가장치, 플라즈마 발생장치, 플라즈마 처리장치, 고주파 전력 인가방법, 플라즈마 발생방법 및 플라즈마 처리방법 KR970064327A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3943696 1996-02-27
JP96-039,436 1996-02-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR970064327A true KR970064327A (ko) 1997-09-12

Family

ID=26378826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970002078A KR970064327A (ko) 1996-02-27 1997-01-24 고주파 전력 인가장치, 플라즈마 발생장치, 플라즈마 처리장치, 고주파 전력 인가방법, 플라즈마 발생방법 및 플라즈마 처리방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6030667A (ko)
KR (1) KR970064327A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100396214B1 (ko) * 2001-06-19 2003-09-02 주성엔지니어링(주) 초단파 병렬 공명 안테나를 구비하는 플라즈마 공정장치
KR100456667B1 (ko) * 2001-11-01 2004-11-18 양청수 플라즈마를 이용한 보일러 열교환기

Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6223686B1 (en) * 1998-02-06 2001-05-01 Shimadzu Corporation Apparatus for forming a thin film by plasma chemical vapor deposition
US6516742B1 (en) * 1998-02-26 2003-02-11 Micron Technology, Inc. Apparatus for improved low pressure inductively coupled high density plasma reactor
US6617644B1 (en) 1998-11-09 2003-09-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US6909114B1 (en) 1998-11-17 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having LDD regions
US6365917B1 (en) 1998-11-25 2002-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP1049167A3 (en) 1999-04-30 2007-10-24 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW480554B (en) 1999-07-22 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
US6541294B1 (en) * 1999-07-22 2003-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2001035808A (ja) * 1999-07-22 2001-02-09 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 配線およびその作製方法、この配線を備えた半導体装置、ドライエッチング方法
US6447635B1 (en) * 1999-08-24 2002-09-10 Bethel Material Research Plasma processing system and system using wide area planar antenna
US6262538B1 (en) * 1999-08-26 2001-07-17 International Business Machines Corporation High density plasma tool with adjustable uniformity and stochastic electron heating for reduced gas cracking
JP3538084B2 (ja) * 1999-09-17 2004-06-14 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6646287B1 (en) 1999-11-19 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with tapered gate and insulating film
US6422173B1 (en) * 2000-06-30 2002-07-23 Lam Research Corporation Apparatus and methods for actively controlling RF peak-to-peak voltage in an inductively coupled plasma etching system
US6558564B1 (en) * 2000-04-05 2003-05-06 Applied Materials Inc. Plasma energy control by inducing plasma instability
TWI286338B (en) 2000-05-12 2007-09-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and manufacturing method thereof
TW480576B (en) * 2000-05-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method for manufacturing same
ES2336303T3 (es) * 2000-05-17 2010-04-12 Ihi Corporation Aparato y procedimiento de cvd por plasma.
TW501282B (en) * 2000-06-07 2002-09-01 Semiconductor Energy Lab Method of manufacturing semiconductor device
JP4770029B2 (ja) * 2001-01-22 2011-09-07 株式会社Ｉｈｉ プラズマｃｖｄ装置及び太陽電池の製造方法
KR100362602B1 (ko) * 2001-02-26 2002-11-29 학교법인 호서학원 챔버 특성 측정 및 매처 성능 평가를 위한 어댑터
SG138468A1 (en) * 2001-02-28 2008-01-28 Semiconductor Energy Lab A method of manufacturing a semiconductor device
DE10147998A1 (de) * 2001-09-28 2003-04-10 Unaxis Balzers Ag Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung eines Plasmas
US6773944B2 (en) * 2001-11-07 2004-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
US20030153195A1 (en) * 2002-02-13 2003-08-14 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for providing modulated bias power to a plasma etch reactor
TW544071U (en) * 2002-04-02 2003-07-21 Nano Electronics And Micro Sys Electrode device for plasma treatment system
JP3854909B2 (ja) * 2002-08-06 2006-12-06 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
US6936547B2 (en) * 2002-10-31 2005-08-30 Micron Technology, Inc.. Gas delivery system for deposition processes, and methods of using same
KR100485160B1 (ko) * 2003-01-30 2005-04-22 동부아남반도체 주식회사 반도체 소자의 접속홀 형성 방법
US7976673B2 (en) * 2003-05-06 2011-07-12 Lam Research Corporation RF pulsing of a narrow gap capacitively coupled reactor
US20040261718A1 (en) * 2003-06-26 2004-12-30 Kim Nam Hun Plasma source coil for generating plasma and plasma chamber using the same
KR100752622B1 (ko) * 2006-02-17 2007-08-30 한양대학교 산학협력단 원거리 플라즈마 발생장치
US7713430B2 (en) * 2006-02-23 2010-05-11 Micron Technology, Inc. Using positive DC offset of bias RF to neutralize charge build-up of etch features
US8083961B2 (en) * 2006-07-31 2011-12-27 Tokyo Electron Limited Method and system for controlling the uniformity of a ballistic electron beam by RF modulation
US7570028B2 (en) * 2007-04-26 2009-08-04 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for modifying interactions between an electrical generator and a nonlinear load
JP2011521735A (ja) * 2008-05-30 2011-07-28 コロラド ステート ユニバーシティ リサーチ ファンデーション プラズマを発生させるためのシステム、方法、および装置
WO2011123125A1 (en) 2010-03-31 2011-10-06 Colorado State University Research Foundation Liquid-gas interface plasma device
JP2011522381A (ja) * 2008-05-30 2011-07-28 コロラド ステート ユニバーシティ リサーチ ファンデーション プラズマに基づく化学源装置およびその使用方法
US8994270B2 (en) 2008-05-30 2015-03-31 Colorado State University Research Foundation System and methods for plasma application
US9287086B2 (en) 2010-04-26 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for controlling ion energy distribution
US9767988B2 (en) 2010-08-29 2017-09-19 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
US11615941B2 (en) 2009-05-01 2023-03-28 Advanced Energy Industries, Inc. System, method, and apparatus for controlling ion energy distribution in plasma processing systems
US9287092B2 (en) 2009-05-01 2016-03-15 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for controlling ion energy distribution
US9435029B2 (en) * 2010-08-29 2016-09-06 Advanced Energy Industries, Inc. Wafer chucking system for advanced plasma ion energy processing systems
US8716984B2 (en) 2009-06-29 2014-05-06 Advanced Energy Industries, Inc. Method and apparatus for modifying the sensitivity of an electrical generator to a nonlinear load
US8222822B2 (en) * 2009-10-27 2012-07-17 Tyco Healthcare Group Lp Inductively-coupled plasma device
JP2013529352A (ja) 2010-03-31 2013-07-18 コロラド ステート ユニバーシティー リサーチ ファウンデーション 液体−気体界面プラズマデバイス
US9309594B2 (en) 2010-04-26 2016-04-12 Advanced Energy Industries, Inc. System, method and apparatus for controlling ion energy distribution of a projected plasma
US9362089B2 (en) 2010-08-29 2016-06-07 Advanced Energy Industries, Inc. Method of controlling the switched mode ion energy distribution system
SI23611A (sl) * 2011-01-20 2012-07-31 Institut@@quot@JoĹľef@Stefan@quot Metoda in naprava za vzbujanje visokofrekvenčne plinske plazme
US8692467B2 (en) 2011-07-06 2014-04-08 Lam Research Corporation Synchronized and shortened master-slave RF pulsing in a plasma processing chamber
JP5510437B2 (ja) * 2011-12-07 2014-06-04 パナソニック株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US9685297B2 (en) 2012-08-28 2017-06-20 Advanced Energy Industries, Inc. Systems and methods for monitoring faults, anomalies, and other characteristics of a switched mode ion energy distribution system
US9532826B2 (en) 2013-03-06 2017-01-03 Covidien Lp System and method for sinus surgery
US9555145B2 (en) 2013-03-13 2017-01-31 Covidien Lp System and method for biofilm remediation
US9748640B2 (en) * 2013-06-26 2017-08-29 Southwest Research Institute Helix-loaded meandered loxodromic spiral antenna
DE102013114093A1 (de) * 2013-12-16 2015-06-18 Sentech Instruments Gmbh Plasmaquelle und Verfahren zur Erzeugung eines Plasmas
US11357093B2 (en) * 2016-12-23 2022-06-07 Plasmatreat Gmbh Nozzle assembly, device for generating an atmospheric plasma jet, use thereof, method for plasma treatment of a material, in particular of a fabric or film, plasma treated nonwoven fabric and use thereof
US11437221B2 (en) 2017-11-17 2022-09-06 Advanced Energy Industries, Inc. Spatial monitoring and control of plasma processing environments
TWI792598B (zh) 2017-11-17 2023-02-11 新加坡商Aes 全球公司 用於在空間域和時間域上控制基板上的電漿處理之系統和方法，及相關的電腦可讀取媒體
US12230476B2 (en) 2017-11-17 2025-02-18 Advanced Energy Industries, Inc. Integrated control of a plasma processing system
TWI804836B (zh) 2017-11-17 2023-06-11 新加坡商Aes 全球公司 用於電漿處理之方法和系統以及相關的非暫時性電腦可讀取媒體
KR20200100643A (ko) 2017-11-17 2020-08-26 에이이에스 글로벌 홀딩스 피티이 리미티드 플라즈마 프로세싱 시스템에서 변조 공급기들의 개선된 적용
US11515122B2 (en) * 2019-03-19 2022-11-29 Tokyo Electron Limited System and methods for VHF plasma processing
JP7603649B2 (ja) 2019-07-12 2024-12-20 エーイーエス グローバル ホールディングス， プライベート リミテッド 単一制御型スイッチを伴うバイアス供給装置
US12125674B2 (en) 2020-05-11 2024-10-22 Advanced Energy Industries, Inc. Surface charge and power feedback and control using a switch mode bias system
US12046448B2 (en) 2022-01-26 2024-07-23 Advanced Energy Industries, Inc. Active switch on time control for bias supply
US11670487B1 (en) 2022-01-26 2023-06-06 Advanced Energy Industries, Inc. Bias supply control and data processing
US11942309B2 (en) 2022-01-26 2024-03-26 Advanced Energy Industries, Inc. Bias supply with resonant switching
CN114724945A (zh) * 2022-05-18 2022-07-08 北京屹唐半导体科技股份有限公司 等离子体氮化掺杂方法和装置及半导体器件
US11978613B2 (en) 2022-09-01 2024-05-07 Advanced Energy Industries, Inc. Transition control in a bias supply

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4527550A (en) * 1983-01-28 1985-07-09 The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services Helical coil for diathermy apparatus
GB2144343A (en) * 1983-08-02 1985-03-06 Standard Telephones Cables Ltd Optical fibre manufacture
DE3574997D1 (de) * 1984-03-03 1990-02-01 Stc Plc Pulsierendes plasmaverfahren.
US4797617A (en) * 1984-08-16 1989-01-10 Picker International, Inc. Nuclear magnetic resonance radio frequency antenna
FR2592874B1 (fr) * 1986-01-14 1990-08-03 Centre Nat Rech Scient Procede pour tremper un objet en verre ou vitreux et objet ainsi trempe
US4755756A (en) * 1986-02-18 1988-07-05 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Radio frequency coil for nuclear magnetic resonance imaging
US4948458A (en) * 1989-08-14 1990-08-14 Lam Research Corporation Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma
NL9000809A (nl) * 1990-04-06 1991-11-01 Philips Nv Plasmagenerator.
US5296272A (en) * 1990-10-10 1994-03-22 Hughes Aircraft Company Method of implanting ions from a plasma into an object
US5243289A (en) * 1991-08-09 1993-09-07 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Multiply-tuned probe for magnetic resonance imaging or spectroscopy
US5401350A (en) * 1993-03-08 1995-03-28 Lsi Logic Corporation Coil configurations for improved uniformity in inductively coupled plasma systems
US5571366A (en) * 1993-10-20 1996-11-05 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US5549795A (en) * 1994-08-25 1996-08-27 Hughes Aircraft Company Corona source for producing corona discharge and fluid waste treatment with corona discharge
US5594456A (en) * 1994-09-07 1997-01-14 Patriot Scientific Corporation Gas tube RF antenna
US5458927A (en) * 1995-03-08 1995-10-17 General Motors Corporation Process for the formation of wear- and scuff-resistant carbon coatings

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100396214B1 (ko) * 2001-06-19 2003-09-02 주성엔지니어링(주) 초단파 병렬 공명 안테나를 구비하는 플라즈마 공정장치
KR100456667B1 (ko) * 2001-11-01 2004-11-18 양청수 플라즈마를 이용한 보일러 열교환기

Also Published As

Publication number Publication date
US6030667A (en) 2000-02-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970064327A (ko) 고주파 전력 인가장치, 플라즈마 발생장치, 플라즈마 처리장치, 고주파 전력 인가방법, 플라즈마 발생방법 및 플라즈마 처리방법
CA2144834C (en) Method and apparatus for generating induced plasma
TWI293855B (en) Plasma reactor coil magnet system
KR930001351A (ko) 전자기 rf 연결부를 사용하는 플라즈마 처리기 및 방법
US5216330A (en) Ion beam gun
EP2317830A2 (en) Inductively-coupled plasma device
KR910010634A (ko) 건식 처리장치
KR910005733A (ko) 자기커플 플래너 플라즈마를 만드는 방법과 장치
KR960032626A (ko) 플라즈마 처리장치
JPH04503589A (ja) 改良された共鳴無線周波数波結合器装置
CN111183504B (zh) 制造过程中的超局部和等离子体均匀性控制
KR19990028399A (ko) 유도 결합 플라즈마 소스를 위한 저 인덕턴스 대면적 코일
DK642888A (da) Hoejfrekvensionkilde
US5659276A (en) Magnetic field generator for magnetron plasma
KR950021006A (ko) 프라스마발생장치 및 방법
JPH10270430A (ja) プラズマ処理装置
JP2643457B2 (ja) プラズマ処理装置及びその方法
WO1995032315A1 (en) Magnetically enhanced multiple capacitive plasma generation apparatus and related method
KR900014639A (ko) 마이크로파 플라스마 에칭방법 및 장치
KR100871887B1 (ko) 유도결합 플라즈마 처리장치
JPH08236294A (ja) 高周波プラズマ応用装置
JPH0774115A (ja) プラズマ処理装置
KR930021037A (ko) 플라즈마 발생방법 및 그 장치
KR900017102A (ko) 플라즈마 에칭 장치
CN113035677A (zh) 等离子体处理设备以及等离子体处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19970124

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid