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KR970053935A - 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 캐패시터 제조방법 Download PDF

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Publication number
KR970053935A
KR970053935A KR1019950048768A KR19950048768A KR970053935A KR 970053935 A KR970053935 A KR 970053935A KR 1019950048768 A KR1019950048768 A KR 1019950048768A KR 19950048768 A KR19950048768 A KR 19950048768A KR 970053935 A KR970053935 A KR 970053935A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor device
capacitor
polyimide
capacitor manufacturing
dielectric film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
KR1019950048768A
Other languages
English (en)
Inventor
박유식
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950048768A priority Critical patent/KR970053935A/ko
Publication of KR970053935A publication Critical patent/KR970053935A/ko
Withdrawn legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/68—Capacitors having no potential barriers
    • H10D1/692—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 캐패시터의 유전체막으로 폴리이아미드를 적용하므로써, ONO구조의 유전체막 보다 토폴러지를 줄일 수 있어 후속공정을 용이하게 실시할 수 있게 하고, 또한 폴리이마이드를 열적, 전기적, 기계적 및 화학적으로 안정된 물질이므로 이후 진행되는 공정의 영향을 적게받아 캐패시터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있다.
* 선택도 : 첨부도면

Description

반도체 소자의 캐패시터 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
첨부도면은 본 발명에 의한 반도체 소자의 캐패시터 제조방법을 설명하기 위해 도시한 소자의 단면도.

Claims (1)

  1. 반도체 소자의 캐패시터 제조방법에 있어서, 실리콘 기판에 형성된 접합부와 연결되도록 전하저장전극이 형성되는 단계; 상기 전하저장전극상에 폴리이마이드가 형성되는 단계; 및 상기 폴리이아미드상에 플래이트 전극이 형성되는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 캐패시터 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950048768A 1995-12-12 1995-12-12 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 Withdrawn KR970053935A (ko)

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Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19951212

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid