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KR970008519A - 반도체 디바이스 및 그 제조 공정 - Google Patents

반도체 디바이스 및 그 제조 공정 Download PDF

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KR970008519A
KR970008519A KR1019960029113A KR19960029113A KR970008519A KR 970008519 A KR970008519 A KR 970008519A KR 1019960029113 A KR1019960029113 A KR 1019960029113A KR 19960029113 A KR19960029113 A KR 19960029113A KR 970008519 A KR970008519 A KR 970008519A
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KR
South Korea
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semiconductor device
laminate
semiconductor
semiconductor element
containing polymer
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KR1019960029113A
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이찌로 가따오까
다까히로 모리
사또루 야마다
히데노리 시오쯔까
아야꼬 고모리
Original Assignee
미따라이 후지오
캐논 가부시끼가이샤
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Abstract

반도체 소자를 갖고 있는 반도체 디바이스는 표면 부재와 배면 부재 사이에 끼워진 상기 반도체 소자와 밀봉수지를 포함하는 라미네이트를 제공하고, 5 내지 40분 동안 5Torr 이하의 진공도로 상기 라미네이트를 진공화하며, 5Torr 이하의 진공도로 상기 라미네이트를 열 압축 본딩 처리하고, 접촉 본딩시 결합되도록 상기 열 압축 본딩한 상기 라미네이트를 냉각함으로써 얻어진 적층 몸체를 포함한다. 또한, 반도체 디바이스의 제조 방법을 기술하고 있다. 반도체 디바이스는 기포의 발생에 대해 무관하다.

Description

반도체 디바이스 및 그 제조 공정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 반도체 디바이스(또는 태양 셀 모듈)로서의 적층 본체의 일례의 구성을 도시한 개략도.

Claims (31)

  1. 반도체 소자를 구비한 반도체 디바이스에 있어서, 표면 부재와 배면 부재 사이에 위치된 상기 반도체 소자와 밀봉 수지를 포함하는 라미네이트를 형성하고, 5 내지 40분 동안 5토르 또는 그 이하의 진공도로 상기 라미네이트를 진공화하고, 상기 라미네이트를 5토르 또는 그 이하의 진공도에서 열 압축 결합시키고, 접촉 결합시키기 위해 상기 열 압축 결합된 라미네이트를 냉각함으로써 얻어진 적층체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 적층체는 부직포 유리 섬유, 부직포 유기 수지 섬유, 또는 그 사이에 삽입된 이들 섬유 둘 다를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  3. 제1항에 있어서, 상기 밀봉 수지는 상기 반도체 소자와 상기 표면 부재 사이에 위치되며 에틸렌-비닐아세테이트 공중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  4. 제1항에 있어서, 상기 표면 부재는 플루오르 함유 중합체로 구성된 투명 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  5. 제3항에 있어서, 상기 에틸렌-비닐 아세테이트 공중합체는 유기 과산화물에 의해 크로스링크되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  6. 제4항에 있어서, 상기 플루오르 함유 중합체는 에틸렌 테트라플루오르에틸렌 공중합체인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  7. 제4항에 있어서, 상기 투명 플루오르 함유 중합체 막은 상기 밀봉 수지와 접촉된 코로나 방전형 표면을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  8. 제1항에 있어서, 상기 반도체 소자는 광전 변환 소자인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  9. 제1항에 있어서, 상기 반도체 소자는 광기전성 소자인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  10. 제1항에 있어서, 상기 반도체 소자는 광 검출기 또는 발광 소자인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  11. 제1항에 따른 반도체 디바이스는 광 전지 모듈인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  12. 감소된 조건 하에서 열 압축 결합하기 위해 표면 부재와 배면 부재 사이에 위치된 반도체 소자와 밀봉 수지를 포함하는 라미네이트를 형성함으로써 반도체 디바이스를 제조하는 프로세스에 있어서, 상기 라미네이트를 진공화하는 단계; 상기 진공 처리된 라미네이트를 5토르 또는 그 이하의 진공도에서 열 압축 결합시키는 단계; 및 상기 열 압축 결합 단계동안 열 압축 결합된 상기 라미네이트를 접촉 상태로 결합시키기 위해 냉각하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 프로세스.
  13. 제12항에 있어서, 상기 라미네이트의 열 압축 결합 단계는 장착 테이블과 탄력적 부재 사이의 상기 라미네이트를 지지하고, 상기 라미네이트를 압축하기 위해 상기 장착 부재와 상기 탄력적 부재 사이의 공간을 진공화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 프로세스.
  14. 제12항에 있어서, 상기 라미네이트는 부직포 유리 섬유, 부직포 유기 수지 섬유 또는 그 사이에 삽입된 이들 섬유 둘 다를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 프로세스.
  15. 제12항에 있어서, 상기 밀봉 수지는 상기 반도체 소자와 상기 표면 부재 사이에 위치되며 에틸렌-비닐 아세테이트 공중합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 프로세스.
  16. 제15항에 있어서, 상기 에틸렌- 비닐 아세테이트 공중합체는 유기 과산화물에 의해 크로스링트되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 프로세스.
  17. 제12항에 있어서, 상기 표면 부재는 플루오르 함유 중합체로 구성된 투명 막을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 프로세스.
  18. 제17항에 있어서, 상기 플루오르 함유 중합체는 에틸렌 테트라플루오르에틸렌 공중합체인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 프로세스.
  19. 제17항에 있어서, 상기 투명 플루오르 함유 중합체 막은 상기 밀봉 수지와 접촉된 코로나 방전형 표면을 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 프로세스.
  20. 제13항에 있어서, 상기 탄력적 부재는 탄력적 시트인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 프로세스.
  21. 제20항에 있어서, 상기 탄력적 시트는 실리콘 고무 시트인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 프로세스.
  22. 제12항에 있어서, 상기 라미네이트의 열 압축 결합 단계는 상기 라미네이트보다 큰 탄력적 시트를 이용함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 프로세스.
  23. 제13항에 있어서, 상기 진공화 단계는 상기 장착 테이블과 상기 탄력적 시트 사이에서만 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 프로세스.
  24. 제13항에 있어서, 상기 진공화 단계는 상기 장착 테이블측 상의 상기 탄력적 부재에 의해 형성된 공간에 대해서만 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 프로세스.
  25. 제13항에 있어서, 상기 진공화 단계는 상기 탄력적 부재의 양측 상에서 수행되며, 상기 라미네이트의 열 압축 결합 단계는 상기 장착 테이블에 대향 위치되는 상기 탄력적 부재의 측면에 대해 압력을 증가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 프로세스.
  26. 제12항에 있어서, 상기 반도체 소자는 광전 변환 소자인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 프로세스.
  27. 제12항에 있어서, 상기 반도체 소자는 광기전성 소자인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 프로세스.
  28. 제12항에 있어서, 상기 반도체 소자는 광 검출기 또는 발광 소자인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 프로세스.
  29. 제12항에 있어서, 상기 반도체 디바이스는 광 전지 모듈인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 프로세스.
  30. 제12항에 있어서, 상기 진공화 단계에서의 진공화 처리후 5 내지 40분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 프로세스.
  31. 제12항에 있어서, 상기 진공화 단계에서의 진공화 처리후 5 내지 40분 동안 5토르 또는 그 이하의 진공도 에서 상기 라미네이트를 진공화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스의 제조 프로세스.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960029113A 1995-07-19 1996-07-19 반도체 디바이스 및 그 제조 공정 KR970008519A (ko)

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