[go: up one dir, main page]

KR960043149A - 대기상태의 전력 소모를 감소시키기 위한 반도체장치 - Google Patents

대기상태의 전력 소모를 감소시키기 위한 반도체장치 Download PDF

Info

Publication number
KR960043149A
KR960043149A KR1019950012617A KR19950012617A KR960043149A KR 960043149 A KR960043149 A KR 960043149A KR 1019950012617 A KR1019950012617 A KR 1019950012617A KR 19950012617 A KR19950012617 A KR 19950012617A KR 960043149 A KR960043149 A KR 960043149A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
global
circuit
power supply
line
circuits
Prior art date
Application number
KR1019950012617A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0150750B1 (ko
Inventor
서정원
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950012617A priority Critical patent/KR0150750B1/ko
Priority to CN96108463A priority patent/CN1047262C/zh
Priority to JP8125085A priority patent/JPH0983335A/ja
Priority to GB9610573A priority patent/GB2300985B/en
Publication of KR960043149A publication Critical patent/KR960043149A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0150750B1 publication Critical patent/KR0150750B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/0008—Arrangements for reducing power consumption
    • H03K19/0016—Arrangements for reducing power consumption by using a control or a clock signal, e.g. in order to apply power supply

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 모든 회로에 소정의 공급전원을 제공하는 글로벌 공급전원선과, 상기 모든 회로에 접지전원을 제공하는 글로벌 접지전원선을 구비하는 반도체 회로에 있어서; 상기 글로벌 공급전원선 및 상기 반도체 회로의 전체 회로블럭에서 대기상태와 활성화 상태가 동일한 회로들로 구분된 각각의 하위회로블록 사이와, 상기 글로벌 접지전원선 및 상기 다수의 하위회로블럭 사이중 적어도 어느 한 곳에 형성되되, 서로 다른 신호로서 제어받아 대기상태의 하위회로블럭을 상기 글로벌공급전원선 또는 글로벌 접지전원선으로부터 전기적으로 분리하는 다수의 스위칭 수단을 다른 회로 부분과 분리된 독립적인 웰에 형성하여 그 웰 전압을 대기상태와 활성화 상태로 구분하여 조정함으로써 서브쓰레스홀드 전류에 의한 대기상태의 전원 소모를 줄이는 것을 특징으로 한다.

Description

대기상태의 전력 소모를 감소시키기 위한 반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 일시시예에 따른 대기상태의 전력소모를 줄이기 위한 회로 구성의 개념도, 제4도는 대기 상태의 로직레벨이 정해진 경우 본 발명의 실시예시도, 제5A도 및 제5B도는 본 발명의 반도체 회로를 구현하기 위한 트리프 웰 구조를 나타내는 개념도.

Claims (8)

  1. 반도체 소자의 모든 회로에 소정의 공급전원을 제공하는 글로벌 공급전원선과, 상기 모든 회로에 접지전원을 제공하는 글로벌 접지전원선을 구비하는 반도체 회로에 있어서; 상기 글로벌 공급전원선 및 상기 반도체회로의 전체 회로블럭에서 대기상태와 활성화 상태가 동일한 회로들로 구분된 각각의 하위회로 블럭 사이와, 상기 글로벌 접지전원선 및 상기 다수의 하위회로블럭 사이중 적어도 어는 한 곳에 형성되며, 서로 다른 신호로서 제어 받아 대기상태의 하위회로블럭을 상기 글로벌 공급전원선 또는 글로벌 접지전원선으로부터 전기적으로 분리하는 다수의 스위칭 수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 대기상태의 전력 소모를 감소시킨 반도체회로.
  2. 제1항에 있어서; 상기 하위회로블럭의 소정노드들이 대기상태에서 정해진 로직레벨을 갖는 경우에는 하위회로블럭을 구성하는 트랜지스터중 서브쓰레스홀드 전류의 경로가 되는 트랜지스터는 상기 스위칭수단을 통해 글로벌 공급전원선 또는 글로벌 접지전원선에 연결하고, 나머지 트랜지스터는 직접 글로벌 공급전원선 또는 글로벌 접지전원선에 연결하는 것을 특징으로 하는 대기상태의 전력 소모를 감소시킨 반도체 회로.
  3. 제1항에 있어서; 상기 글로벌 공급전원과 각각의 회로블럭 사이에 스위칭하는 스위칭수단은 연결된 하위회로블럭이 대기상태일때 논리레벨 '하이', 활성화 상태일때 논리레벨 '로우'를 게이트로 입력받는 P채널 모스트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 대기상태의 전력 소모를 감소시킨 반도체 회로.
  4. 제1항에 있어서; 상기 글로벌 접지전원과 각각의 회로블럭 사이를 스위칭하는 스위칭수단은 연결된 하위 회로블럭이 대기상태일때 논리레벨 '로우', 활성화 상태일때 논리레벨 '하이'를 게이트로 입력반는 N채널 모스트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 대기상태의 전력 소모를 감소시킨 반도체 회로.
  5. 제3항에 있어서; 상기 P채널 모스 트랜지스터는 대기상태 일때 보다 활성화 상태일 때 소정값만큼 더 작은 기판전압을 갖도록 구성하는 것을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 대기상태의 전력 소모를 감소시킨 반도체 회로.
  6. 제4항에 있어서; 상기 N채널 모스 트랜지스터는 활성화상태 일때 보다 대기상태일 때 소정값만큼 더 작은 기판전압을 갖도록 구성하는 것을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 대기상태의 전력 소모를 감소시킨 반도체 회로.
  7. 반도체 소자의 모든 회로에 소정의 공급전원을 제공하는 글로벌 공급전원선과; 상기 모든 회로에 접지전원을 제공하는 글로벌 접지전원과; 상기 글로벌 공급전원선 및 상기 반도체 회로의 전체 회로블럭에서 대기 상태와 활성화 상태가 동일한 회로들로 구분된 각각의 하위회로블럭 사이와, 상기 글로벌 접지전원선 및 상기 다수의 하위회로블럭 사우징 적어도 어는 한 곳에 형성되며, 서로 다른 신호로서 제어받아 대기상태의 소정회로블럭을 상기 글로벌 공급접원선 또는 글로벌 접지전원선으로부터 전기적으로 분리하는 다수의 스위칭 수단을 구비하여 대기상태의 전력 소모를 감소시킨 반도체 회로 구현을 위한 웰 구조에 있어서; 상기 반도체 회로를 구성하는 트랜지스타가 형성될 N-웰 또는 P-웰의 어는 한 내부와, 상기 N-웰 또는 P-웰과 격리된 어느 한 반도체 기판중 적어도 한 곳에 상기 스위칭 수단이 형성될 독립된 웰이 형성된 것을 특징으로 하는 대기상태의 전력 소모를 감소시킨 반도체 회로 구현을 위한 웰 구조.
  8. 제7항에 있어서; 상기 독립된 웰은 다른 회로와 분리된 N-웰 또는 P-웰중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 대기상태의 전력 소모를 감소시킨 반도체 회로 구현을 위한 웰 구조.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950012617A 1995-05-19 1995-05-19 대기상태의 전력 소모를 감소시키기 위한 반도체 장치 KR0150750B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950012617A KR0150750B1 (ko) 1995-05-19 1995-05-19 대기상태의 전력 소모를 감소시키기 위한 반도체 장치
CN96108463A CN1047262C (zh) 1995-05-19 1996-05-19 减少在备用状态的功率耗散的半导体器件
JP8125085A JPH0983335A (ja) 1995-05-19 1996-05-20 待機状態の電力消耗を減少させるための半導体装置
GB9610573A GB2300985B (en) 1995-05-19 1996-05-20 Semiconductor device for reducing power consumption in standby state

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950012617A KR0150750B1 (ko) 1995-05-19 1995-05-19 대기상태의 전력 소모를 감소시키기 위한 반도체 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960043149A true KR960043149A (ko) 1996-12-23
KR0150750B1 KR0150750B1 (ko) 1998-10-01

Family

ID=19414959

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950012617A KR0150750B1 (ko) 1995-05-19 1995-05-19 대기상태의 전력 소모를 감소시키기 위한 반도체 장치

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JPH0983335A (ko)
KR (1) KR0150750B1 (ko)
CN (1) CN1047262C (ko)
GB (1) GB2300985B (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100451495B1 (ko) * 1998-12-12 2004-12-31 주식회사 하이닉스반도체 대기전류감소회로를갖는반도체집적회로
KR100769492B1 (ko) * 2001-05-25 2007-10-24 후지쯔 가부시끼가이샤 반도체 집적 회로
KR100898439B1 (ko) * 2002-01-28 2009-05-21 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 집적 회로 장치

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19738714A1 (de) * 1997-09-04 1999-03-18 Siemens Ag Integrierte Schaltung mit einem Schalttransistor
FR2772217B1 (fr) * 1997-12-09 2001-11-23 Sgs Thomson Microelectronics Cellule elementaire de circuit integre
KR100252844B1 (ko) * 1998-02-12 2000-04-15 김영환 스탠바이전류 감소회로
WO2000077785A1 (fr) * 1999-06-15 2000-12-21 Hitachi, Ltd. Systeme de reproduction et circuit integre
JP3848259B2 (ja) * 2001-02-15 2006-11-22 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路、データ処理システム及び移動体通信端末装置
JP4974202B2 (ja) 2001-09-19 2012-07-11 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体集積回路
JP2004171445A (ja) 2002-11-22 2004-06-17 Renesas Technology Corp 半導体データ処理装置及びデータ処理システム
JP2004336010A (ja) 2003-04-16 2004-11-25 Seiko Epson Corp 半導体集積回路、電子機器、及びトランジスタのバックゲート電位制御方法
JP4330516B2 (ja) * 2004-08-04 2009-09-16 パナソニック株式会社 半導体記憶装置
JP4261507B2 (ja) 2005-03-31 2009-04-30 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 クロックネットワークの消費電力低減回路
JP2007095787A (ja) * 2005-09-27 2007-04-12 Nec Electronics Corp 半導体集積回路
WO2007113712A1 (en) * 2006-03-30 2007-10-11 Nxp B.V. Low operational power control including power-gating switches
JP4191214B2 (ja) * 2006-08-01 2008-12-03 エルピーダメモリ株式会社 半導体装置
JP6263833B2 (ja) * 2012-10-22 2018-01-24 株式会社ソシオネクスト 電子回路および半導体装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4567385A (en) * 1983-06-22 1986-01-28 Harris Corporation Power switched logic gates
KR100254134B1 (ko) * 1991-11-08 2000-04-15 나시모토 류우조오 대기시 전류저감회로를 가진 반도체 집적회로
KR100281600B1 (ko) * 1993-01-07 2001-03-02 가나이 쓰도무 전력저감 기구를 가지는 반도체 집적회로
US5821769A (en) * 1995-04-21 1998-10-13 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Low voltage CMOS logic circuit with threshold voltage control

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100451495B1 (ko) * 1998-12-12 2004-12-31 주식회사 하이닉스반도체 대기전류감소회로를갖는반도체집적회로
KR100769492B1 (ko) * 2001-05-25 2007-10-24 후지쯔 가부시끼가이샤 반도체 집적 회로
KR100898439B1 (ko) * 2002-01-28 2009-05-21 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 집적 회로 장치
KR100919085B1 (ko) * 2002-01-28 2009-09-28 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체 집적 회로 장치

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0983335A (ja) 1997-03-28
CN1146638A (zh) 1997-04-02
CN1047262C (zh) 1999-12-08
GB9610573D0 (en) 1996-07-31
GB2300985A (en) 1996-11-20
KR0150750B1 (ko) 1998-10-01
GB2300985B (en) 2000-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960043149A (ko) 대기상태의 전력 소모를 감소시키기 위한 반도체장치
KR100297139B1 (ko) 반도체 집적회로
US6031778A (en) Semiconductor integrated circuit
US5973552A (en) Power savings technique in solid state integrated circuits
KR960030444A (ko) 가변 임계 전압을 가지는 soi형 반도체 장치 및 바이어스 전압 발생 장치
US7511550B2 (en) Method and apparatus for improving reliability of an integrated circuit having multiple power domains
US6710625B2 (en) Semiconductor integrated circuit having a gate array structure
US6741098B2 (en) High speed semiconductor circuit having low power consumption
US6297686B1 (en) Semiconductor integrated circuit for low-voltage high-speed operation
JP2968200B2 (ja) 静電放電及びラッチアップ防止回路
US20100264735A1 (en) Semiconductor device and information processing apparatus using the same
KR980012291A (ko) 반도체 장치
KR970060217A (ko) 출력회로, 누설전류를 감소시키기 위한 회로, 트랜지스터를 선택적으로 스위치하기 위한 방법 및 반도체메모리
US20100073075A1 (en) System for substrate potential regulation during power-up in integrated circuits
KR960012462A (ko) 반도체 집적 회로 및 그 제조 방법
JPH04239221A (ja) 半導体集積回路
KR20060010030A (ko) 저전력 소모를 위한 반도체 장치
GB2334391A (en) CMOS standby current reduction
US6348717B1 (en) Semiconductor integrated circuit having an improved voltage switching circuit
KR100336255B1 (ko) 부 문턱 전류 컷-오프용 트랜지스터를 갖는 반도체 집적회로
KR100211759B1 (ko) 듀얼 백 바이어스 공급 장치
JP3589805B2 (ja) 低消費電力型の半導体装置
KR20070011388A (ko) 누설 전류 감소 방법
US6433594B1 (en) Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit system
KR20040007905A (ko) 반도체 메모리 소자의 전압 발생 회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19950519

PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19950519

Comment text: Request for Examination of Application

PG1501 Laying open of application
E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 19980522

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 19980616

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 19980616

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20010525

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20020517

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20030520

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20040331

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20050523

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20060522

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20070518

Start annual number: 10

End annual number: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080527

Year of fee payment: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080527

Start annual number: 11

End annual number: 11

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20100510