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KR960035475A - 복합광학장치 - Google Patents

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Publication number
KR960035475A
KR960035475A KR1019960005229A KR19960005229A KR960035475A KR 960035475 A KR960035475 A KR 960035475A KR 1019960005229 A KR1019960005229 A KR 1019960005229A KR 19960005229 A KR19960005229 A KR 19960005229A KR 960035475 A KR960035475 A KR 960035475A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
current
composite optical
support
detecting device
gain
Prior art date
Application number
KR1019960005229A
Other languages
English (en)
Inventor
다다시 다니구찌
Original Assignee
이데이 노브유끼
소니 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이데이 노브유끼, 소니 가부시끼가이샤 filed Critical 이데이 노브유끼
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Abstract

레이져커플러는 포토다이오드 IC 상에 형성된 포토다이오드와, 포토다이도드를 덮도록 포토다이오드 IC 상에 장착되는 마이크로 프리즘과, 상기 포토다이오드 IC 상에 근접하게 장착되어서 그 입사면을 통해서 마이크로 프리즘 내로 들어오는 광의 빔이 두 갈래로 나뉘어져서 상기 포토다이오드 상으로 입사되도록 하는 반도체 레이져와, 를 포함하여 구성된다. 하나의 포토다이오드에로의 입사광량과 다른 포토다이오드에로의 입사광량과 사이의 차는 하나의 포토다이오드에 접속되는 전류-전압변환 중폭기의 이득과 다른 포토다이오드에 접속되는 전류-전압변환 중폭기의 이득과 사이의 차를 조절함으로써 보정된다. 따라서, 레이저커플러가 경제적으로 제조될 수 있게 된다.

Description

복합광학장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 평편한 패키지에 패키지된 종래 레이저커플러의 사시도이다. 제6도는 CD플레이어의 광학픽업장치로써 이용되는 레이저커플러의 작동을 설명하기 위한 개략도이다. 제7도는 제2의 종래 레이저커플러의 부분적 확대단면도이다.

Claims (12)

  1. 최소한 제1광검출장치와, 제2광검출장치와, 제1광검출장치의 출력단자에 접속된 제1전류-전압변환 중폭기와, 제2검출장치의 출력단자에 접속된 제2전류-전압변환 중폭기와, 를 갖추는 지지체와, 상기 지지체 상에 형성되는 광조사장치와, 상기 제1광검출장치와 상기 제2광검출장치를 덮도록 상기 지지체 상에 형서된 프리즘과, 를 포함하여 구성되며, 소정의 입사면을 통해 상기 프리즘 내로 들어오는 광의 빔이 두 갈래로 나뉘어져서 상기 제1광검출장치와 상기 제2광검출장치로 입사되며, 상기 제1검출장치로 입사된 입사광량과 상기 제2광검출장치로 입사된 입사광량과 사이에서의 차가 상기 제1전류-전압변환 증폭기의 이득과 상기 제2전류-전압변환 중폭기의 이득과 사이의 차를 조절함으로써 보정되는 것을 특징으로 하는 복합광학장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1전류-전압변환 중폭기의 이득과 상기 제2전류-전압변환 중폭기의 이득과의 사이에서의 차가 상기 제1전류-전압변환 중폭기에서의 저항치 및/또는 상기 제2전류-전압변환 증폭기에서의 저항치를 조절함으로써 결정되는 것을 특징으로 하는 복학광학장치.
  3. 제1항에 있어서, 하프미러가 상기 프리즘 바닥면의 전체영역 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 복합광학장치.
  4. 제1항에 있어서, 하프미러가 상기 지지체의 전체면에 형성되는 것을 특징으로 하는 복합광학장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 지지체의 전체면에 형성된 패시베이션막과, 상기 패시베이션 및 상기 지지체 사이의 인터페이스가 하프미러를 형성하는 것을 특징으로 하는 복합광학장.
  6. 제1항에 있어서, 상기 지지체가 반도체기판인 것을 특징으로 하는 복합광학장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 지지체가 실리콘기판인 것을 특징으로 하는 복합광학장치.
  8. 제3항에 있어서, 상기 하프미러가 유전체 다충막으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 복합광학장치.
  9. 제4항에 있어서, 상기 하프미러가 상기 지지체 상에 형성된 질화실리콘막과 상기 질화실리콘막 상에 형성된 이산화실리콘막으로 만들어지는 것을 특징으로 하는 복합광학장치.
  10. 제5항에 있어서, 상기 패시베이션막이 이산화실리콘막인 것을 특징으로 하는 복합광학장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 제1광검출장치 및 상기 제2광검출장치가 다중분할형으로 되는 것을 특징으로 하는 복합광학장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 제1광검출장치 및 상기 제2광검출장치가 4분할형으로 되는 것을 특징으로 하는 복합광학장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960005229A 1995-03-02 1996-02-29 복합광학장치 KR960035475A (ko)

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JP95-068803 1995-03-02
JP06880395A JP3520594B2 (ja) 1995-03-02 1995-03-02 複合光学装置

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Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19960229

PG1501 Laying open of application
PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid