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KR960001961A - 입력버퍼 - Google Patents

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Publication number
KR960001961A
KR960001961A KR1019940012395A KR19940012395A KR960001961A KR 960001961 A KR960001961 A KR 960001961A KR 1019940012395 A KR1019940012395 A KR 1019940012395A KR 19940012395 A KR19940012395 A KR 19940012395A KR 960001961 A KR960001961 A KR 960001961A
Authority
KR
South Korea
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input
transistor
pull
gate
signal
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Application number
KR1019940012395A
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KR970004057B1 (ko
Inventor
전태수
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019940012395A priority Critical patent/KR970004057B1/ko
Publication of KR960001961A publication Critical patent/KR960001961A/ko
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
    • G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
    • G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
    • G11C7/1084—Data input buffers, e.g. comprising level conversion circuits, circuits for adapting load
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/01—Modifications for accelerating switching
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    • H03K19/01707—Modifications for accelerating switching in field-effect transistor circuits in asynchronous circuits
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Abstract

본 발명은 고속의 동작특성을 갖는 입력버퍼를 공개한다. 그 회로는 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 특히 소정의 회로를 부가하여 고속의 동작이 가능한 입력버퍼에 관한 것으로, 칩선택신호의 인에이블 신호에 따라 동작하고, 입력신호를 반전시키기 위한 노아게이트와 상기 노아게이트의 출력신호를 받아 이를 버퍼하고 반전하기 위한 복수개의 직렬연결된 인버터들와 상기 인버터들의 위상반전된 출력신호들에 응답하여 상기 노아 게이트의 출력신호가 소정의 전압상태로 천이할 때, 상기 출력신호를 풀업시키기 위한 풀업수단을 구비하여 입력신호 조건에 따른 신호지연되는 시간차를 제거하여 고속의 동작이 가능하게 된다.

Description

입력버퍼
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 실시예의 입력버퍼를 설명하기 위한 것이다.
제4도는 제3도에 나타낸 본 발명의 입력버퍼의 신호입력조건에 따른 각 노드들의 신호파형을 도시한 것이다.

Claims (5)

  1. 칩선택신호의 인에이블 신호에 따라 동작하고, 입력신호를 반전시키기 위한 노아게이트 ; 상기 노아게이트의 출력신호를 받아 이를 버퍼하고 반저하기 위한 복수개의 직렬연결된 인버터들 ; 및 상기 인버터들의 위상반전된 출력신호들에 응답하여 상기 노아게이트의 출력신호가 소정의 전압상태로 천이할때, 상기 출력신호를 풀업시키기 위한 풀업수단을 구비한 것을 특징으로 하는 입력버퍼.
  2. 제1항에 있어서, 상기 노아게이트는 상기 칩선택신호를 게이트전극의 입력으로 하고, 소오스전극을 전원전압에 연결되는 제 1 PMOS 트랜지스터 ; 상기 입력신호를 게이트전극의 입력으로 하고, 소오스전극을 상기 제 1 PMOS 트랜지스터의 드레인전극에 연결되는 제 2 PMOS 트랜지스터 ; 상기 입력신호를 게이트전극의 입력으로 하고, 드레인전극을 상기 제 2 PMOS 트랜지스터의 드레인전극에 연결되고, 소오스전극을 접지시킨 제 3 NMOS 트랜지스터 ; 상기 칩선택신호를 게이트전극의 입력으로 하고, 드레인전극이 상기 제 2 PMOS 트랜지스터와 상기 제 3 NMOS 트랜지스터의 공통점과 연결되고 소오스전극이 접지에 연결되는 제 4 NMOS 트랜지스터를 구비한 것을 특징으로 하는 입력버퍼.
  3. 제1항에 있어서, 상기 풀업수단은 상기 위상반전된 출력신호들중 두 신호중 어느 하나를 게이트전극의 입력으로 하고, 소오스전극이 전원전압과 연결되는 제 1 풀업 트랜지스터 ; 상기 위상반전되는 두 신호중 다른 하나를 게이트전극의 입력으로 하고, 소오스전극이 상기 제 1 풀업 트랜지스터의 드레인전극과 연결되고, 드레인전극이 상기 버퍼수단의 입력전극에 연결되는 제 2 풀업 트랜지스터로 된 것을 특징으로 하는 입력버퍼.
  4. 제3항에 있어서, 상기 위상반전되는 두 신호를 사이에 위치하는 인버터는 홀수개로 이루어진 것을 특징으로 하는 입력버퍼.
  5. 제3항에 있어서, 상기 제 1 풀업 트랜지스터 및 제 2 풀업 트랜지스터는 각각 피모오스 트랜지스터로 된 것을 특징으로 하는 입력버퍼.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940012395A 1994-06-02 1994-06-02 입력버퍼 KR970004057B1 (ko)

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