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KR950701469A - 모오스(mos) 전께효과 트랜지스터의 구동회로(drive circuitry for a mos field effect tranststor) - Google Patents

모오스(mos) 전께효과 트랜지스터의 구동회로(drive circuitry for a mos field effect tranststor)

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Publication number
KR950701469A
KR950701469A KR1019940703960A KR19940703960A KR950701469A KR 950701469 A KR950701469 A KR 950701469A KR 1019940703960 A KR1019940703960 A KR 1019940703960A KR 19940703960 A KR19940703960 A KR 19940703960A KR 950701469 A KR950701469 A KR 950701469A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistor
mos field
circuit
field effect
effect transistor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
KR1019940703960A
Other languages
English (en)
Inventor
베르너 플마이어
Original Assignee
피켄셔, 클라이너트
지멘스 닉스도르프 인포르마치온스지스테메 악티엔게젤샤프트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 피켄셔, 클라이너트, 지멘스 닉스도르프 인포르마치온스지스테메 악티엔게젤샤프트 filed Critical 피켄셔, 클라이너트
Publication of KR950701469A publication Critical patent/KR950701469A/ko
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/02—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

본 발명은 MOS전계효과 트랜지스터의 소오스 접속이 그 스위치 상태의 기능과 다른 전위를 가산하는 쵸퍼원리의 이용에 따라 동작하는 DC/DC전압 컨버터에서 파워스위칭 요소로서 MOS전계효과 트랜지스터의 구동회로에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 회로가 큰 입력전압 범위에서 효율적이며, 동시에 급경사 등급과 내부전류소모가 낮은 MOS전계효과 트랜지스터에 대한 제어펄스를 만드는 전술한 유형의 MOS전계효과 트랜지스터 구동회로를 제공하기 위한 것이다. 상기 회로가 제1보조전압원의 레벨에 따라 일정한 제어전류로 동작한다는 것이다. 스위치 온 지연효과는 상 반전 트랜지스터로서 동작하는 이전단의 트랜지스터의 스위칭 오프 지연효과에 의하여 만들어진다.

Description

모오스(MOS) 전계효과 트랜지스터의 구동회로(DRIVE CIRCUITRY FOR A MOS FIELD EFFECT TRANSTSTOR)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 MOS전계효과 트랜지스터 구동회로도,
제3도는 제2도에 따른 회로의 개선된 실시도.

Claims (10)

  1. MOS전계효과 트랜지스터의 소오스 접속이 그 스위치 상태의 기능과 다른 전위를 가산하는 쵸피 원리의 이용에 따라 동작하는 DC/DC전압 컨버터에서 파워 스위칭 요소로서 MOS전계효과 트랜지스터의 구동회로에 있어서, 입력 트랜지스터(T1)을 구비하는바, 그 베이스는 스위칭 배열의 제어입력(E)으로서 이용되고, 전압 제어회로(D5)가 접속되며, 출력회로에서 직렬회로가 접속되며, 상기 직렬회로는 제1, 제2및 제3레지스터(R1,R2,R3)를 포함하고, 제1레지스터(R1)는 컬렉터측에 배열되고, 제2및 제3레지스터(R2,R3)는 입력 트랜지스터(T5)의 에미터측에 배열되고, 이러한 것은 제1레지스터(R1)의 프리접점측이 최대 가능한 소오스 저압보다 더 높은 전압을 공급하는 제1보조 전압원(Uh1)에 접속하며, 제2레지스터(R2)는 입력 트랜지스터(T1)의 에미터에 접속되며, 제3레지스터(R3)는 접지전위의 프리 접점측에 접속되고, 상반전 트랜지스터(T2)를 구비하는바, 그 베이스는 제2및 제3레지스터(R2,R3)간의 중점에 접속하며, 그 컬렉터는 제4레지스터(R4)를 경유하여 제2보조 전압원(Uh2)에 접속되며, 그 에미터는 회로의 접지전위에 접속되고, 제2추가 트랜지스터(T3,T4)로부터 형성된 상보단을 추가하는바, 제1추가 트랜지스터(T3)의 베이스는 제1레지스터(R1)의 프리 접점측과 반대의 접점과 접속되며, 제2추가 트랜지스터(T4)의 베이스는 상 반전 트랜지스터(T2)의 컬렉터에 접속되며, 이 두개의 통과경로는 제1보조 전압원(Uh1), MOS전계효과 트랜지스터(T5)의 베이스 접점에 대한 회로의 출력(A)과, 그리고 회로의 접지전위에 서로 접속하며, 제1추가 트랜지스터(T3)의 에미터는 제1보조 전압원(Uh1)과 접속하며, 제1추가 트랜지스터(Uh1)의 컬렉터는 MOS전계효과 트랜지스터(T5)의 베이스 접점에 대한 회로출력(A)와 동시에 제2추가 트랜지스터(T4)의 컬렉터에 접속되며, 제2추가 트랜지스터(T4)의 에미터는 회로의 접지전위에 접속하는 것을 특징으로 하는 MOS전계효과 트랜지스터의 구동회로.
  2. 제1항에 있어서, 제1레지스터(R1)는 상반전 트랜지스터(T2)에 대한 제3레지스터(R3)와 같이 제1추가 트랜지스터(T3)에 대한 더 높은 전류 스위칭 임계치를 설정하는 것을 특징으로 하는 MOS전계효과 트랜지스터의 구동회로.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제2보조 전압원(Uh2)은 조절될 수 있는 입력전압(UE)을 공급하며, 제1보조 전압원(Uh1)은 제2보조 전압원(Uh2)의 전압에 대한 예정된 량만큼 올라가는 전압을 공급하는 것을 특징으로 하는 MOS전계효과트랜지스터의 구동회로.
  4. 전술한 항중 어느 한 항에 있어서, 전압 제한회로(D5)는 제너 다이오드 입력 트랜지스터(T1)및 상 반전 트랜지스터(T2)로 형성되며, 제2추가 트랜지스터(T4)는 npn형의 트랜지스터의 의하여 각각 형성되며, 제1추가 트랜지스터(T3)는 pnp형의 트랜지스터에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 MOS전계효과 트랜지스터의 구동회로.
  5. 전술한 항중 어느 한 항에 있어서, 두개의 추가 트랜지스터(T3,T4)는 달링톤 트랜지스터에 의하여 형성되는 것을 특징으로 하는 MOS전계효과 트랜지스터의 구동회로.
  6. 전술한 항중 어느 한 항에 있어서, 입력 트랜지스터(T1)의 컬렉터에 직접할당된 낮은 값의 전류 제한 레지스터(R5)는 입력 트랜지스터(T1)의 컬렉터 경로에 배열되는 것을 특징으로 하는 MOS전계효과 트랜지스터의 구동회로.
  7. 전술한 항중 어느 한 항에 있어서, 캐패시터(C1)는 제2추가 트랜지스터(T4)의 베이스에 접속되는 것을 특징으로 하는 MOS전계효과 트랜지스터의 구동회로.
  8. 전술한 항중 어느 한 항에 있어서, 높은 값의 가압 레지스터(R6)가 MOS전계효과 트랜지스터(T5)의 소오스(S)의 접점에 대한 프리 접점측을 회로의 출력에서 제공하는 것을 특징으로 하는 MOS전계효과 트랜지스터의 구동회로.
  9. 제4항 내지 제8항중 어느 한 항에 있어서, 불포화 다이오드(D3,D4)를 제공하는바, 이 다이오드들은 제1추가 다이오드(T3)의 베이스-컬렉터 경로에서 병렬로 동작하며, 서로 면한 캐소오드와 직렬로 접속되고, 입력 트랜지스터(T1)의 컬렉터 경로와 근접한 위치에 있는 불포화 다이오드(D3)는 상기 컬렉터 경로에서 입력 트랜지스터(T1)의 컬렉터 경로쪽으로 배열되는 것을 특징으로 하는 MOS전계효과 트랜지스터의구동회로.
  10. 제4항 내지 제9항중 어느 한 항에 있어서, 불포화 다이오드(D1,D2)를 제공하는바, 이 다이오드들은 제2추가 다이오드(T4)의 베이스-컬렉터 경로에서 병렬로 동작하며, 서로로 부터 멀리 면한 캐소오드와 직렬로 접속되고, 상반전 트랜지스터(T2)의 컬렉터 경로와근접한 위치에 있는 불포화 다이오드(D2)는 상기 컬렉터 경로에서 입력 트랜지스터(T1)의 컬렉터 경로쪽으로 배열되는 것을 특징으로 하는 MOS전계효과 트랜지스터의 구동회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940703960A 1992-05-07 1993-05-03 모오스(mos) 전께효과 트랜지스터의 구동회로(drive circuitry for a mos field effect tranststor) Withdrawn KR950701469A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEP4215042.6 1992-05-07
DE4215042 1992-05-07
PCT/DE1993/000386 WO1993022835A1 (de) 1992-05-07 1993-05-03 Schaltungsanordnung zum ansteuern eines mos-feldeffekttransistors

Publications (1)

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ID=6458338

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Country Status (7)

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US (1) US5546043A (ko)
EP (1) EP0639308B1 (ko)
JP (1) JPH07506478A (ko)
KR (1) KR950701469A (ko)
DE (1) DE59301809D1 (ko)
ES (1) ES2083864T3 (ko)
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Legal Events

Date Code Title Description
PA0105 International application

Patent event date: 19941107

Patent event code: PA01051R01D

Comment text: International Patent Application

PC1203 Withdrawal of no request for examination
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid