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KR950034318A - 웨이퍼 직경 및 단면형상 측정장치 - Google Patents

웨이퍼 직경 및 단면형상 측정장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 웨이퍼의 직경과 단면형상을 한번에 측정할 수 있는 웨이퍼 직경 및 단면형상 측정장치를 제공함과 동시에, 이것을 조입함으로서, 웨이퍼를 가공기로 부터 취출하지 아니하여도 단시간에 웨이퍼 면취가공 조건의 조정을 가능하게 하는 웨이퍼 면취기를 제공하는 것을 목적으로 한다.
웨이퍼의 중심과 오리엔테이션 플랫 위치를 결정하는 자세제어수단, 웨이퍼를 흡착보지함과 동시에 회동 및 수직 이동자재한 웨이퍼 테이블, 웨이퍼의 단면형상을 검출하는 형상검출수단, 형상검출수단을 웨이퍼 테이블의 방향으로 구도시킴과 동시에 그의 이동량을 검출하는 측정수단, 형상검출수단에 의하여 검출된 데이터로부터 웨이퍼의 단면형상을 산출하는 화상처리수단, 및 화상처리 수단으로 부터의 신호와 형상검출수단의 이동량에 의하여 웨이퍼의 직경을 산출하는 치수연산수단으로 이루어지는 웨이퍼 직경 및 단면형상 측정장치를 구성하였다.

Description

웨이퍼 직경 및 단면형상 측정장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 웨이퍼 직경 및 단면형상 측정장치의 실시예의 전체 평면도, 제4도는 제3도의 화살표(Ⅳ)방향의 단면도, 제5도는 제3도의 화살표(Ⅴ)방향의 단면도, 제6도는 본 발명에 따른 웨이퍼 직경 및 단면형상 측정장치의 실시예의 측정수단의 평면도.

Claims (10)

  1. 웨이퍼를 흡착보지함과 동시에 회동 및 수직이동 자재한 웨이퍼 테이블; 상기 웨이퍼 테이블 상에서 웨이퍼의 중심과 상기 웨이퍼의 오리엔테이션 플랫 또는 노치롤 소정의 위치에 위치결정하는 자세제어수단; 웨이퍼의 단면형상을 검출하는 형상검출수단; 상기 형상검출수단을 상기 웨이퍼 테이블의 방향으로 구동함과 동시에 상기 형성검출수단의 이동량을 검출하는 이동량 검출수단을 구비한 측정수단; 상기 형상검출수단에 의하여 검출된 데이터로 부터 웨이퍼의 단면형상을 산출하는 화상처리수단; 및 상기 화상처리수단으로 부터의 신호와 상기 이동량 검출수단으로 부터의 신호에 의하여 웨이퍼의 직경을 산출하는 치수연산수단으로 구성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 직경 및 단면형상 측정장치.
  2. 웨이퍼를 흡착보지함과 동시에 회동 및 수직 이동자재한 웨이퍼 테이블; 상기 웨이퍼 테이블 상에서 웨이퍼의 중심과 상기 웨이퍼의 오리엔테이션 플랫 또는 노치를 소정의 위치에 위치결정하는 자세제어수단; 웨이퍼의 단면형상을 검출하는 형상검출수단; 상기 형상검출수단을 상기 웨이퍼 테이블의 방향으로 구동함과 동시에 상기 형상검출수단의 이동량을 검출하는 이동량 검출수단을 구비한 측정수단; 상기 형상검출수단에 의하여 검출된 데이터로 부터 웨이퍼의 단면형상을 산출하는 화상처리수단; 및 상기 화상처리수단으로 부터의 신호와 상기 이동량 검출수단으로 부터의 신호에 의하여 웨이퍼의 직경을 산출하는 치수연산수단으로 구성되는 웨이퍼 직경 및 단면형상 측정장치를 웨이퍼의 외주를 면취가공함과 동시에 면취가공후에 웨이퍼를 세정하는 기능을 가진 웨이퍼 면취기에 조입하고, 상기 웨이퍼 면취기에서 세정된 웨이퍼를 상기 웨이퍼 직경 및 단면형상 측정장치에 의하여 웨이퍼의 직경과 단면형상을 측정하여 이 측정데이터를 웨이퍼 면취기에 피이드백하고, 웨이퍼 면취기에서는 상기 피이드백된 데이터에 의하여 그후의 웨이퍼 면취가공 조건을 조정하도록 한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 면취기.
  3. 제1항에 있어서, 상기 자세제어수단과 상기 웨이퍼 테이블은 상기 자세제어수단에 의하여 위치결정된 웨이퍼의 중심이 웨이퍼 테이블의 회동중심과 일치하는 위치에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 직경 및 단면형상 측정장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 자세제어수단의 웨이퍼 중심 위치 결정수단은 웨이퍼를 협지하는 방향 및 웨이퍼로 부터 떠나는 방향으로 이동자재하게 설치된 한쌍의 아암 및 상기 한쌍의 아암에 소정의 간격으로 설치되며 상기 한쌍의 아암이 웨이퍼를 협지하는 방향으로 이동되었을때 웨이퍼의 외주부에 접촉하여 상기 웨이퍼를 협지함과 동시에 협지된 웨이퍼를 웨이퍼의 중심에서 회동자재하게 지지하는 다수의 로울러를 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 직경 및 단면형상 측정장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 자세제어수단의 오리엔테이션 플랫 위치결정수단은 상기 자세제어수단에 의하여 웨이퍼의 중심이 위치결정된 웨이퍼에 대하여 진퇴이동 가능하게 설치된 진퇴이동수단 및 상기 진퇴이동수단에 취부되며 상기 진퇴이동수단이 상기 웨이퍼에 대하여 진출이동 되었을때 상기 웨이퍼의 오리엔테이션 플랫에 접촉하여 상기 오리엔테이션 플랫이 위치결정 위치에 위치하도록 웨이퍼를 회동시키는 다수의 로울러를 구비한것을 특징으로 하는 웨이퍼 직경 및 단면형상 측정장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 자세제어수단의 노치 위치결정수단은, 상기 자세제어수단에 의하여 웨이퍼의 중심이 위치결정된 웨이퍼에 대하여 진퇴이동가능하게 설치된 진퇴이동수단 및 상기 진퇴이동수단에 취부되며 상기 진퇴이동수단이 상기 웨이퍼에 대하여 진출이동 되었을때 상기 웨이퍼의 노치에 접촉하여 상기 노치가 위치결정 위치에 위치하도록 웨이퍼를 회동시키는 로울러를 구비한 것을 특징으로 하는 웨이퍼 직경 및 단면형상 측정장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 형상검출수단은 상기 웨이퍼 테이블에 흡착보지된 웨이퍼의 외주부를 조명하는 투광부 및 상기 투광부에 의하여 조명된 웨이퍼의 외주부를 촬영하는 검출부로 구성되며, 상기 투광부와 상기 검출부는 대향하는 위치에서 웨이퍼를 직경방향으로 부터 협지하는 위치에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 직경 및 단면형상 측정장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 측정수단에는 상기 형상검출수단을 상기 웨이퍼 테이블에 흡착보지된 웨이퍼의 직경방향으로 이동시키는 이동수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 직경 및 단면형상 측정장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 화상처리수단은 상기 형상검출수단에 의하여 검출된 웨이퍼 단면형상의 데이터를 흑백의 이치화(二値化)로 하고, 그 이치화된 영상신호를 모니터에 출력함과 동시에, 미리 설정된 웨이퍼의 직경방향의 기준라인과 두께방향의 기준라인으로부터 상기 형상검출수단에 의하여 검출된 웨이퍼 단면형상의 직경방향의 측정점과 두께방향의 측정점과의 거리를 판독함으로써 웨이퍼의 단면형상값을 산출하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 직경 및 단면형상 측정장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 치수연산수단은 미리 설정된 기준원반의 반경(F)과, 상기 기준원반을 상기 형상 검출수단에 의하여 측정하였을때 웨이퍼의 직경방향의 기준라인으로부터 기준원반 외주위치까지의 거리(Xa)가 미리 기억되어 있으며, 상기 반경(F), 상기거리(Xa), 상기 화상처리 수단에 의하여 판독된 웨이퍼의 직경 방향의 기준라인으로부터 상기 형상검출수단에 의하여 검출된 웨이퍼 단면형상의 직경방향의 측정점 까지의 거리(Xb), 및 상기 형상검출수단의 이동(G)으로부터, 웨이퍼의 직경(D)을 D=2(F+Xa+G-Xb)의 식에 의하여 산출하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 직경 및 단면형상 측정장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ES2171262T3 (es) * 1996-06-15 2002-09-01 Unova Uk Ltd Husillo de maquina de rectificado fijado de forma flexible a la plataforma.
GB2337111B (en) * 1996-06-15 2000-03-15 Unova Uk Ltd Workpiece inspection
AU1594899A (en) * 1997-11-21 1999-06-15 Timothy Cosentino Automatic modular wafer substrate handling device
JP4911810B2 (ja) * 2000-06-23 2012-04-04 コマツNtc株式会社 ワークの研削装置および研削方法
DE10045203C2 (de) 2000-09-13 2002-08-01 Infineon Technologies Ag Prüfvorrichtung und Verfahren zum Feststellen einer Kerben- beziehungsweise Nockenposition bei Scheiben
US7092584B2 (en) * 2002-01-04 2006-08-15 Time Warner Entertainment Company Lp Registration of separations
JP4916890B2 (ja) * 2005-04-19 2012-04-18 株式会社荏原製作所 基板処理装置及び基板処理方法
KR100675558B1 (ko) * 2005-06-02 2007-02-02 세메스 주식회사 웨이퍼의 직경을 측정할 수 있는 장치 및 방법
JP2007073761A (ja) 2005-09-07 2007-03-22 Sumitomo Electric Ind Ltd 窒化物半導体基板及び窒化物半導体基板の加工方法
JP4877938B2 (ja) * 2006-05-26 2012-02-15 株式会社神戸製鋼所 直径測定装置
DE102006037267B4 (de) * 2006-08-09 2010-12-09 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung von Halbleiterscheiben mit hochpräzisem Kantenprofil
JP4809744B2 (ja) * 2006-09-19 2011-11-09 東京エレクトロン株式会社 ウエハの中心検出方法及びその方法を記録した記録媒体
JP4262285B2 (ja) * 2007-07-18 2009-05-13 株式会社コベルコ科研 形状測定装置,形状測定方法
JP4388576B2 (ja) * 2007-12-03 2009-12-24 株式会社コベルコ科研 形状測定装置
JP4316643B2 (ja) * 2007-12-26 2009-08-19 株式会社コベルコ科研 形状測定装置,形状測定方法
JP4734398B2 (ja) * 2008-12-04 2011-07-27 株式会社コベルコ科研 形状測定装置,形状測定方法
JP5836223B2 (ja) 2011-12-02 2015-12-24 株式会社神戸製鋼所 貼合基板の回転ズレ量計測装置、貼合基板の回転ズレ量計測方法、及び貼合基板の製造方法
JP6007889B2 (ja) 2013-12-03 2016-10-19 信越半導体株式会社 面取り加工装置及びノッチレスウェーハの製造方法
CN115876106A (zh) * 2022-12-15 2023-03-31 西安奕斯伟材料科技有限公司 一种硅片直径的测量方法、装置及计算机存储介质
US12352704B2 (en) 2022-12-28 2025-07-08 Mitutoyo Corporation Metrology system for measuring edge of circular workpiece

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59214554A (ja) * 1983-05-17 1984-12-04 Daiichi Seiki Kk ウエハ−の面取り研削装置
JPS60104644A (ja) * 1983-11-08 1985-06-10 Mitsubishi Metal Corp ウエハ−の外周研削・面取装置
US5350899A (en) * 1992-04-15 1994-09-27 Hiroichi Ishikawa Semiconductor wafer temperature determination by optical measurement of wafer expansion in processing apparatus chamber
JPH0613962B2 (ja) * 1985-08-14 1994-02-23 日立電子株式会社 Icウエハの自動位置決め装置
US4853880A (en) * 1985-08-23 1989-08-01 Canon Kabushiki Kaisha Device for positioning a semi-conductor wafer
US4638601A (en) * 1985-11-04 1987-01-27 Silicon Technology Corporation Automatic edge grinder
JPS62214310A (ja) * 1986-03-17 1987-09-21 Toshiba Seiki Kk ウエハ外径の検出方法
JPS6316959A (ja) * 1986-07-03 1988-01-23 Sumikura Kogyo Kk ウエハ−の面取り研摩装置
JPS6381940A (ja) * 1986-09-26 1988-04-12 Hitachi Ltd ウエハの厚さ測定方法
FR2615343A1 (fr) * 1987-05-15 1988-11-18 Telsa Inf Procede et appareil de videogrammetrie
US5194743A (en) * 1990-04-06 1993-03-16 Nikon Corporation Device for positioning circular semiconductor wafers
JPH04105006A (ja) * 1990-08-24 1992-04-07 Tokyo Seimitsu Co Ltd 非接触測定装置
JP2874795B2 (ja) * 1990-09-19 1999-03-24 株式会社ニデック オリエンテーションフラット検出装置
JP2939665B2 (ja) * 1991-03-04 1999-08-25 東京エレクトロン株式会社 半導体ウエハの測定方法
JPH0637170A (ja) * 1992-07-15 1994-02-10 Fujitsu Ltd ウェーハアライメント方法及び装置
JP2554432B2 (ja) * 1992-11-20 1996-11-13 住友シチックス株式会社 半導体ウエーハの外周面加工装置

Also Published As

Publication number Publication date
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EP0665576A3 (en) 1997-05-28
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EP0665576A2 (en) 1995-08-02
KR0185782B1 (ko) 1999-05-15
DE69526813T2 (de) 2002-09-12
DE69526813D1 (de) 2002-07-04
JPH07218228A (ja) 1995-08-18
US5555091A (en) 1996-09-10

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