JPS59214554A - ウエハ−の面取り研削装置 - Google Patents
ウエハ−の面取り研削装置Info
- Publication number
- JPS59214554A JPS59214554A JP8502383A JP8502383A JPS59214554A JP S59214554 A JPS59214554 A JP S59214554A JP 8502383 A JP8502383 A JP 8502383A JP 8502383 A JP8502383 A JP 8502383A JP S59214554 A JPS59214554 A JP S59214554A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- thickness
- shaft
- face
- grindstone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02021—Edge treatment, chamfering
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
- B24B9/02—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground
- B24B9/06—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B9/065—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of materials specific to articles to be ground of non-metallic inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain of thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体素イ製蓬の過程におい一乙その素材と
なるシリコン等の基板（一般にウニ・・−と称せられる
）の外周を研削して上下面の面取り研削を行う装置に係
るものである。
なるシリコン等の基板（一般にウニ・・−と称せられる
）の外周を研削して上下面の面取り研削を行う装置に係
るものである。
このために従来溝形の凹部を脣する砥石をウニノー外周
に当てて、上−Ｆの面取りを行っていた。
に当てて、上−Ｆの面取りを行っていた。
このときウェハーはその厚さＤｌが指定されて切断され
るので、厚さはＩ）１のものとして凹状の砥石を上下面
に当てて面取りを行い、その次の工程で厚さを正確に揃
えるだめに上下面の表面研削を行っている。ところが厚
さＤｌは目標値、もしくは平均値であって、 ＤＩ±
αの厚さを有するものを厚さＤｌとして砥石にかけると
上下面で面取り寸法に差が生ずる。
るので、厚さはＩ）１のものとして凹状の砥石を上下面
に当てて面取りを行い、その次の工程で厚さを正確に揃
えるだめに上下面の表面研削を行っている。ところが厚
さＤｌは目標値、もしくは平均値であって、 ＤＩ±
αの厚さを有するものを厚さＤｌとして砥石にかけると
上下面で面取り寸法に差が生ずる。
第１図において厚さＤｌの標準ウエノ・−に合せて面取
りを調節して上下に等しい量ａ−乃、 ａ −ｄの面
取りが出来るようにしであるところに、 Ｄｌ十α−Ｄ
２のウェハー（一点鎖線で示す）が入ってくると１面取
りは上面基準で行なれは、垂直部σ−Ｃ間距離Ｓは一定
値に取るために、上面はａ−６，下面はＣ−６の面取り
が行われる。そしてこれを表面研削盤にかけて、上下面
同じ厚さくα６）だけ研削切除すると、上面はＡ −ｆ
、 Ｆ面はｃ −９の面取りとなって、上下面で面
取り量が相違し。
りを調節して上下に等しい量ａ−乃、 ａ −ｄの面
取りが出来るようにしであるところに、 Ｄｌ十α−Ｄ
２のウェハー（一点鎖線で示す）が入ってくると１面取
りは上面基準で行なれは、垂直部σ−Ｃ間距離Ｓは一定
値に取るために、上面はａ−６，下面はＣ−６の面取り
が行われる。そしてこれを表面研削盤にかけて、上下面
同じ厚さくα６）だけ研削切除すると、上面はＡ −ｆ
、 Ｆ面はｃ −９の面取りとなって、上下面で面
取り量が相違し。
次工程に支障をきだす。このことはウエノ・−がＤｌ−
αであっても同様であって、第２図はこれを示し、一点
鎖線はウエノ・−の実際の厚さＤ２を示す。
αであっても同様であって、第２図はこれを示し、一点
鎖線はウエノ・−の実際の厚さＤ２を示す。
ここでも上面はα−６，上面はＧ−にとなって上下面で
差が出ることになる。
差が出ることになる。
本発明はこのような欠点を改善するだめの研削装置で、
従来のように実際のウエノ１−の厚さに関係なく、設計
厚さＤｌをもって研削するのではなく。
従来のように実際のウエノ１−の厚さに関係なく、設計
厚さＤｌをもって研削するのではなく。
実際の厚さに応じた研削を行うことを目的としだもので
ある。なお本発明において使用される研削装置は１本願
出願人と同一出願人による特公昭５７−１０５６８号に
示されたものを主としで使用するので、まずこの概要を
説明する。
ある。なお本発明において使用される研削装置は１本願
出願人と同一出願人による特公昭５７−１０５６８号に
示されたものを主としで使用するので、まずこの概要を
説明する。
第３．４図において、Ａはウェハー】を保持して回転並
びに上下動を行うウェハー保持部、Ｂは八を上下に変位
させる機構、Ｃはウニ・・−】に押し付けられて、ウェ
ハーの面取りを行う砥石機構である。そしてＡＶ′ｉ、
ウエノ・−の上部と下部とに分れ、上部の＠２の下端に
はウェハー」に接触する上部の座３を有し、モーター４
によって回転する。
びに上下動を行うウェハー保持部、Ｂは八を上下に変位
させる機構、Ｃはウニ・・−】に押し付けられて、ウェ
ハーの面取りを行う砥石機構である。そしてＡＶ′ｉ、
ウエノ・−の上部と下部とに分れ、上部の＠２の下端に
はウェハー」に接触する上部の座３を有し、モーター４
によって回転する。
そして軸２の軸受部５は垂直壁６によって上下動可能と
する。捷だ軸受部５はその裏側（第４図の左側）の上下
動機構Ｂに連結芒れている。Ｂｉｄ町逆パルスモータ７
によって回転するねじ軸８を有し、軸受部５に取付けら
れためねじ９を介してパルスモータの回転を上下動に変
換する。丁なわちパルス数の制御によって上部軸の上下
動を制御する。
する。捷だ軸受部５はその裏側（第４図の左側）の上下
動機構Ｂに連結芒れている。Ｂｉｄ町逆パルスモータ７
によって回転するねじ軸８を有し、軸受部５に取付けら
れためねじ９を介してパルスモータの回転を上下動に変
換する。丁なわちパルス数の制御によって上部軸の上下
動を制御する。
へ機構のウェハー１の丁はウェハーの保持軸受は機構を
構成し、下の軸Ｈの上端にはウニか−】を下から受ける
下部床Ｊ２を有する。そして軸Ｊ】は軸受け】３＆てよ
って支えられる。軸受け】３はその丁方にフリージヨイ
ント】４．上下動伝達機構３７．７１Ｊンダー】５と連
結される。ここで上下動伝達機構】７は第５図に示す構
造であ、りて。
構成し、下の軸Ｈの上端にはウニか−】を下から受ける
下部床Ｊ２を有する。そして軸Ｊ】は軸受け】３＆てよ
って支えられる。軸受け】３はその丁方にフリージヨイ
ント】４．上下動伝達機構３７．７１Ｊンダー】５と連
結される。ここで上下動伝達機構】７は第５図に示す構
造であ、りて。
フリージヨイント】４の下部は円筒Ｊ８となっていて、
これに複数の切欠き】９が垂直に入っている。
これに複数の切欠き】９が垂直に入っている。
そして下のシリンダー】６の垂直上向きのピストンロッ
ド」６の上部はこの円筒１８の中に入り、その頭部には
水平にピン２０を出し、ピン２ｏは円筒】８の切欠き】
９の中を貫通する。そしてピン２０の先端と円筒１８の
下端との間に各々スプリング２１を取付ける。
ド」６の上部はこの円筒１８の中に入り、その頭部には
水平にピン２０を出し、ピン２ｏは円筒】８の切欠き】
９の中を貫通する。そしてピン２０の先端と円筒１８の
下端との間に各々スプリング２１を取付ける。
ここでこの上下動機構はウエノ・−１を取付けるだめの
機構であって、かつＢのウエノ・−の上下動を吸収する
。すなわちウエノ・−の取利け、取りはずしに際して、
シリンダー１５を働か伊てピストンロッドｊ６を下降さ
せると、ピン２０は円筒の切欠き１９の下端に当ってフ
リージョ・インドＪ４．軸受け】３を下降させ、下部軸
１１．を下降させて、上下の座３．】２の間を開く。そ
こでウエノ・−１を入れて、シリンダーＪ５のピストン
を上昇させると、下部軸月はスフリング２】によってω
り上げられて、ウェハーをスプリングの１眉り上シカに
よって常時保持する。そして上部軸がＢの駆動によって
上下動すると、これにつれて円筒】８も上下動する。こ
のときピン２０は切欠き】９の中間位置にあるため、下
部軸月は上部軸２に追従することができる。
機構であって、かつＢのウエノ・−の上下動を吸収する
。すなわちウエノ・−の取利け、取りはずしに際して、
シリンダー１５を働か伊てピストンロッドｊ６を下降さ
せると、ピン２０は円筒の切欠き１９の下端に当ってフ
リージョ・インドＪ４．軸受け】３を下降させ、下部軸
１１．を下降させて、上下の座３．】２の間を開く。そ
こでウエノ・−１を入れて、シリンダーＪ５のピストン
を上昇させると、下部軸月はスフリング２】によってω
り上げられて、ウェハーをスプリングの１眉り上シカに
よって常時保持する。そして上部軸がＢの駆動によって
上下動すると、これにつれて円筒】８も上下動する。こ
のときピン２０は切欠き】９の中間位置にあるため、下
部軸月は上部軸２に追従することができる。
砥石機構Ｃに使用される円形の砥石２２はモータ２６に
よって回転し、モーフ、砥石は一体となり−Ｃ水平ベッ
ト上をウェイト２７により左方向に押し刊けられて、砥
石をウェハーＪに接触させて研削を行う。ここで砥石２
２は第６図に示すようにくぼみを有し、２３は凹部の底
の部分で垂直部分とする。２４． ２５は上下の傾斜面
を構成し、傾胴面２４はウェハーの上面の面取り、２５
は下面の面取りを行う。すなわち第１図に示した面取り
線ｏ、 −８，ｃ −−ｄの形状、傾狛角度は２４．２
５の形状によって決捷り、これを曲綽にすれは傾斜曲面
をもって面取りすることも可能である。なお砥石の切り
込み制御については前記公報に記載されているのでこれ
を省略する。
よって回転し、モーフ、砥石は一体となり−Ｃ水平ベッ
ト上をウェイト２７により左方向に押し刊けられて、砥
石をウェハーＪに接触させて研削を行う。ここで砥石２
２は第６図に示すようにくぼみを有し、２３は凹部の底
の部分で垂直部分とする。２４． ２５は上下の傾斜面
を構成し、傾胴面２４はウェハーの上面の面取り、２５
は下面の面取りを行う。すなわち第１図に示した面取り
線ｏ、 −８，ｃ −−ｄの形状、傾狛角度は２４．２
５の形状によって決捷り、これを曲綽にすれは傾斜曲面
をもって面取りすることも可能である。なお砥石の切り
込み制御については前記公報に記載されているのでこれ
を省略する。
ここで第１の発明においてはＡの下部袖口に変位量の読
取り装置を付ける。これにば１例として袖口にスケール
２８を数例け、これに対応して読取器２７を設ける。な
お軸に突出部を設けて。
取り装置を付ける。これにば１例として袖口にスケール
２８を数例け、これに対応して読取器２７を設ける。な
お軸に突出部を設けて。
これに当接する電気マ・イクロメータを取付けでも良い
。ここでＢのモータ７を駆動して上部床３の下面位置を
基準位置゛に停止させる。これを１の制御とする。ぞし
てこれをウェハーの受取位置としで、前述のように下部
床１２をシリンダ】５を作動させて下降し、この間にウ
ェハー】を挾む。そうすると下部軸１ＪはスプリングＪ
７によ゛って下部床】２をウェハーに押し付ける。この
とき下部軸の変位量読み取り装置によってウェハーの厚
さＤ２を検知することができる。
。ここでＢのモータ７を駆動して上部床３の下面位置を
基準位置゛に停止させる。これを１の制御とする。ぞし
てこれをウェハーの受取位置としで、前述のように下部
床１２をシリンダ】５を作動させて下降し、この間にウ
ェハー】を挾む。そうすると下部軸１ＪはスプリングＪ
７によ゛って下部床】２をウェハーに押し付ける。この
とき下部軸の変位量読み取り装置によってウェハーの厚
さＤ２を検知することができる。
第７図においてウェハーの厚みの中心線に対して上下対
称の面取りを行えば良いが、Ｓは前述のように一定値で
ある。そこで上下面において各々ＥＧ、ＦＨの研削を行
えば、Ｄ２−（Ｄｌ＋α）のウェハーを次工程で上下に
α力研削することによって正しい面取シが出来る。ここ
で砥石・の傾斜面２４、２５をＩＫ、ＪＬとし、ＩＪを
垂直面、 ＩＪ間距離を１とする。ここで砥石は水平
にウェハーに向って進むので、ウェハーのＥ点を砥石の
１点に当て、その後にＦ点が５点にくるようにウェハー
を下降させてやれば良い。そこで」例として砥
□石機構Ｃの滑動面を基準として１点がＸの距離にめる
とすると、ウェハーの上面、すなわち上部床３の下面は
Ｘ ＋ （１）２ Ｓ’ ）／２とすれば良い。そこ
で上下動駆動のモータ７を制御してこの位置として、砥
石を左方に進める。これをＨの制御とする。
称の面取りを行えば良いが、Ｓは前述のように一定値で
ある。そこで上下面において各々ＥＧ、ＦＨの研削を行
えば、Ｄ２−（Ｄｌ＋α）のウェハーを次工程で上下に
α力研削することによって正しい面取シが出来る。ここ
で砥石・の傾斜面２４、２５をＩＫ、ＪＬとし、ＩＪを
垂直面、 ＩＪ間距離を１とする。ここで砥石は水平
にウェハーに向って進むので、ウェハーのＥ点を砥石の
１点に当て、その後にＦ点が５点にくるようにウェハー
を下降させてやれば良い。そこで」例として砥
□石機構Ｃの滑動面を基準として１点がＸの距離にめる
とすると、ウェハーの上面、すなわち上部床３の下面は
Ｘ ＋ （１）２ Ｓ’ ）／２とすれば良い。そこ
で上下動駆動のモータ７を制御してこの位置として、砥
石を左方に進める。これをＨの制御とする。
次に上部床３を（ｉ−８）だけ下降させる。これによっ
てＦ点は砥石の５点に一致する。これを■の制御とする
。
てＦ点は砥石の５点に一致する。これを■の制御とする
。
なおり２ ＝ Ｄｔ−αの場合もまったく同じであって
１以上の制御によって水平方向の中心線に対して上下対
称の面取り研削が可能である。
１以上の制御によって水平方向の中心線に対して上下対
称の面取り研削が可能である。
ここで上記ｒ、ｎ、ｍの制御はパルスモータ７に入れる
パルス数の制御により、その結果は回転角度検出器】０
によって検知されるので、従来公知のマイコン技術のデ
ィジタル制゛御によって容易に可能である。すなわち■
の上部床を基準位置に設定するには、パルスモータの任
意の点を原点と設定し、変位量検出器が読み取りに便利
な位置とすれば良い。そし−ＣＤ２はスケール方式なら
ば直読方式で、電気マイクロ方式であれば基８月法Ｄ１
に対する差αとして取出されるので、これをＤｌに加減
することによってＤ２が算出される。ついでＨの制御は
、既知のＸ値を原点よりのパルス数として記憶し、これ
に対して（Ｄ２−８）／２の演算結果を加減する。そし
てその結果によってモータを回転する。■の制御はＨに
よって制御された位置より既知量（” ｓ）に対応す
るパルス数だけの回転を行えば良い。なお上下面の面取
り操作は上面を完了してから下面に移る方式でも、上下
面を少しずつ研削して次第に切込量を増加する上下動方
式でも良い。また逆に下面の面取りを行って後上面の面
取りを行うことも可能である。
パルス数の制御により、その結果は回転角度検出器】０
によって検知されるので、従来公知のマイコン技術のデ
ィジタル制゛御によって容易に可能である。すなわち■
の上部床を基準位置に設定するには、パルスモータの任
意の点を原点と設定し、変位量検出器が読み取りに便利
な位置とすれば良い。そし−ＣＤ２はスケール方式なら
ば直読方式で、電気マイクロ方式であれば基８月法Ｄ１
に対する差αとして取出されるので、これをＤｌに加減
することによってＤ２が算出される。ついでＨの制御は
、既知のＸ値を原点よりのパルス数として記憶し、これ
に対して（Ｄ２−８）／２の演算結果を加減する。そし
てその結果によってモータを回転する。■の制御はＨに
よって制御された位置より既知量（” ｓ）に対応す
るパルス数だけの回転を行えば良い。なお上下面の面取
り操作は上面を完了してから下面に移る方式でも、上下
面を少しずつ研削して次第に切込量を増加する上下動方
式でも良い。また逆に下面の面取りを行って後上面の面
取りを行うことも可能である。
以上に示す本発明の面取り研削により、ウェハーの厚さ
に係わらず常に上下面の面取り量を等しくすることがで
きるので１表面研削によっても何の支障をきたすことが
ない。
に係わらず常に上下面の面取り量を等しくすることがで
きるので１表面研削によっても何の支障をきたすことが
ない。
以上の第１の発明においては上下軸の座の間にウェハー
を挾むことにより、その厚さを測定したが、第２の発明
においては搬入されるウェハーを厚さ測定装置に入れて
厚さＤ２を検知してから。
を挾むことにより、その厚さを測定したが、第２の発明
においては搬入されるウェハーを厚さ測定装置に入れて
厚さＤ２を検知してから。
このウェハーを上下軸の間に送シ込む。なお厚さの測定
部には電気マイクロメータ一方式、空気マイクロメータ
一方式、モ／Ｌ縞読取方式、電磁スケール方式等いすｎ
を使っても良く、願わしくは複数個所で測定して平均値
によりＤ２を求める。なおばらつきが許容値以上のもの
は不合格品とする等の検査機能を具えることもできる。
部には電気マイクロメータ一方式、空気マイクロメータ
一方式、モ／Ｌ縞読取方式、電磁スケール方式等いすｎ
を使っても良く、願わしくは複数個所で測定して平均値
によりＤ２を求める。なおばらつきが許容値以上のもの
は不合格品とする等の検査機能を具えることもできる。
そして第２の発明では上下軸で挾むことによって厚さを
求めるのではないので、下部軸の変位検出手段は不安で
ある。そしてＤ２ｎめられれば、これによる研削制御は
第１の発明と同様に行えは良い。
求めるのではないので、下部軸の変位検出手段は不安で
ある。そしてＤ２ｎめられれば、これによる研削制御は
第１の発明と同様に行えは良い。
第１図、第２図は従来のウエノ・−の面取し状態説明図
、第３図は本発明に使用される面取り研削装置の正面図
、第４図はその側面図、第５図は上下動伝達機構の断面
図、第６図は本発明に使用される砥石の側面図、第７図
は面取り位置の制御説明のだめの拡大説明図。 １、ウニ・・−２，上部軸 ３．上部塵 ７．上下動用
パルスモータ 】■、下部軸 １２．下部塵 ２２．砥
石２６、スケール ２７．読取器
、第３図は本発明に使用される面取り研削装置の正面図
、第４図はその側面図、第５図は上下動伝達機構の断面
図、第６図は本発明に使用される砥石の側面図、第７図
は面取り位置の制御説明のだめの拡大説明図。 １、ウニ・・−２，上部軸 ３．上部塵 ７．上下動用
パルスモータ 】■、下部軸 １２．下部塵 ２２．砥
石２６、スケール ２７．読取器
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１１ウエハーを保持する上下の座を有して、上下動可
能の上部軸と、下部軸とを有し、ウェハーに対して凹状
砥石をもってウェハーの上下面の面取りを行う研削装置
において、上部軸に押し付けられる１部軸に上下動変位
音測定する検出器と、その検出器の出力によってウェハ
ーの厚さＤ２を算出する演算手段と、■上の座の下面を
基準位置に設定してウェハーを受取る上下部軸の位置制
御。 ■砥石の凹部における上の傾斜面と垂直面との交点（Ｉ
）の高さくＸ）に対して（Ｄ２−Ｓル／２（Ｓはつ工・
・−の垂直端面ＥＦ’の設定された長さ）を加えた位置
に上の座の下面を位置させる制御。、旧ウェハーの上面
面取り位置よりｆ−５（、ｔは砥石の凹部の垂直部分長
さ）間ウェハーを下降させる制御。 以上の１．ｎ、ｆｆｌの制御をやｊう手段とからなるウ
エノ・−面取り研削装置。 （２）ウェハーを保持する上下の座を有して、上下動可
能の上部軸と下部軸とを有し、ウエノ・−に対して凹状
砥石をもってウエノ・−の上下面の面取りを行う研削装
置において、搬入されてくるウェハーの厚さＤ２を測定
する検出装置と、Ｉウエノ・−を受取る上下部軸の位置
制御、■砥石の凹部における上の傾剰面と垂直面との交
点（Ｉ）の高さくＸ）に対して（Ｄ２− Ｓ ）／２
（８はウニ・・−の垂直端面ＥＦの長さ）を加えた位置
に上の座の下面を位置させる制御−■ウニ・・−の上面
面取シ位置よりノー３（ｚは砥石の凹部の垂直長さ）間
ウニ・・−を下降させる制御。 以上のＩ、 ＩＩ、、、、 Ｍｉの制御を行う手段ど
からなるウニ・・−面取り研削装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8502383A JPS59214554A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | ウエハ−の面取り研削装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8502383A JPS59214554A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | ウエハ−の面取り研削装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59214554A true JPS59214554A (ja) | 1984-12-04 |
Family
ID=13847124
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8502383A Pending JPS59214554A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | ウエハ−の面取り研削装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59214554A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62107979A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-19 | Mitsubishi Metal Corp | ウエハの面取装置 |
| EP0222521A2 (en) * | 1985-11-04 | 1987-05-20 | Silicon Technology Corporation | An automatic edge grinder |
| EP0308134A2 (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-22 | Speedfam Co., Ltd. | Specular machining apparatus for peripheral edge portion of wafer |
| US5295331A (en) * | 1991-11-28 | 1994-03-22 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Method of chamfering semiconductor wafer |
| EP0665576A2 (en) * | 1994-01-27 | 1995-08-02 | Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. | Wafer diameter/sectional shape measuring machine |
| WO1996027479A1 (fr) * | 1995-03-07 | 1996-09-12 | Kao Corporation | Appareil pour realiser un chanfrein sur un substrat |
| US5769695A (en) * | 1994-11-28 | 1998-06-23 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Chamfer grinding system for wafer |
| WO2001073831A1 (fr) * | 2000-03-29 | 2001-10-04 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede d'obtention de tranches de silicium ou de soi et tranches ainsi obtenues |
| US6583029B2 (en) | 2000-03-29 | 2003-06-24 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Production method for silicon wafer and SOI wafer, and SOI wafer |
| CN101714530A (zh) * | 2008-10-06 | 2010-05-26 | 日立电线株式会社 | 氮化物半导体衬底 |
| CN113021115A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-06-25 | 四川上特科技有限公司 | 一种用于晶圆打磨的装置 |
-
1983
- 1983-05-17 JP JP8502383A patent/JPS59214554A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0222521A2 (en) * | 1985-11-04 | 1987-05-20 | Silicon Technology Corporation | An automatic edge grinder |
| EP0457364A2 (en) * | 1985-11-04 | 1991-11-21 | Silicon Technology Corporation | Automatic edge grinder |
| JPS62107979A (ja) * | 1985-11-05 | 1987-05-19 | Mitsubishi Metal Corp | ウエハの面取装置 |
| EP0308134A2 (en) * | 1987-09-14 | 1989-03-22 | Speedfam Co., Ltd. | Specular machining apparatus for peripheral edge portion of wafer |
| US5295331A (en) * | 1991-11-28 | 1994-03-22 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Method of chamfering semiconductor wafer |
| EP0665576A3 (en) * | 1994-01-27 | 1997-05-28 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | Device for measuring the diameter and shape of the cross section of a wafer. |
| EP0665576A2 (en) * | 1994-01-27 | 1995-08-02 | Tokyo Seimitsu Co.,Ltd. | Wafer diameter/sectional shape measuring machine |
| US5769695A (en) * | 1994-11-28 | 1998-06-23 | Tokyo Seimitsu Co., Ltd. | Chamfer grinding system for wafer |
| US5738563A (en) * | 1995-03-07 | 1998-04-14 | Kao Corporation | Substrate chamfering machine |
| WO1996027479A1 (fr) * | 1995-03-07 | 1996-09-12 | Kao Corporation | Appareil pour realiser un chanfrein sur un substrat |
| WO2001073831A1 (fr) * | 2000-03-29 | 2001-10-04 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Procede d'obtention de tranches de silicium ou de soi et tranches ainsi obtenues |
| US6583029B2 (en) | 2000-03-29 | 2003-06-24 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Production method for silicon wafer and SOI wafer, and SOI wafer |
| CN101714530A (zh) * | 2008-10-06 | 2010-05-26 | 日立电线株式会社 | 氮化物半导体衬底 |
| CN113021115A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-06-25 | 四川上特科技有限公司 | 一种用于晶圆打磨的装置 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6336057B1 (en) | Lens grinding apparatus | |
| US5816895A (en) | Surface grinding method and apparatus | |
| JPS59214554A (ja) | ウエハ−の面取り研削装置 | |
| EP0239161A2 (en) | Grinding machine for cylinders having members for dimensional and superficial survey and control | |
| EP1779969B1 (en) | Method of grinding the back surface of a semiconductor wafer and semiconductor wafer grinding apparatus | |
| JPS629858A (ja) | レンズ研削装置 | |
| EP0329087A1 (en) | Method and device for dressing an inner peripheral blade in a slicing machine | |
| JP3996060B2 (ja) | 研削加工装置の初期位置設定方法 | |
| JP3499908B2 (ja) | 眼鏡フレームに嵌めるべきレンズが眼鏡フレームのリムに合うことをチエックする方法 | |
| CN214135309U (zh) | 一种高世代玻璃基板边部研磨量检测装置 | |
| US4229909A (en) | Tool grinding machine | |
| JPS6260223B2 (ja) | ||
| JPH08174415A (ja) | 自動疵取り装置 | |
| JP2748569B2 (ja) | 研削加工方法 | |
| JP7405649B2 (ja) | 被加工物の研削方法 | |
| JPH0917759A (ja) | 半導体ウエハの面取り方法及び面取り装置 | |
| JPS5481591A (en) | Daisk grinder | |
| US20090104848A1 (en) | Calibration tool and a grinder machine including such a tool | |
| Ohta et al. | Prediction of subsurface damage depth of ground brittle materials by surface profiling | |
| US3704555A (en) | Precision disk grinder | |
| JP3439174B2 (ja) | 工作機械上に設置する工具測定・再研削装置 | |
| JPH084994B2 (ja) | 工作機械 | |
| JPH06270046A (ja) | 玉摺機 | |
| JPH02262959A (ja) | 平面研削盤の定寸装置 | |
| JPH08141837A (ja) | チップソー側面研磨機における回転砥石の位置補正方法、及びその装置 |