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KR940020426A - 반도체 기억장치(semiconductor memory device) - Google Patents

반도체 기억장치(semiconductor memory device) Download PDF

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KR940020426A
KR940020426A KR1019940002159A KR19940002159A KR940020426A KR 940020426 A KR940020426 A KR 940020426A KR 1019940002159 A KR1019940002159 A KR 1019940002159A KR 19940002159 A KR19940002159 A KR 19940002159A KR 940020426 A KR940020426 A KR 940020426A
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KR
South Korea
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memory cell
memory
protect
circuits
command
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Application number
KR1019940002159A
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KR960005357B1 (ko
Inventor
신이치 기쿠치
기요타카 우치가네
히데오 가토
Original Assignee
사토 후미오
가부시키가이샤 도시바(Kabushiki Kaisha Toshiba)
오카모토 세이시
도시바 마이크로일레그트로닉스 가부시키가이샤(Toshiba Micro-Electronics Corporation)
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Filing date
Publication date
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Publication of KR940020426A publication Critical patent/KR940020426A/ko
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Abstract

본 발명은 명령입력시의 전원노이즈나 명령노이즈 등에 의한 잘못된 명령에 의해 장치가 오동작하여도 메모리셀의 데이터파괴를 방지할 수 있게 된다.
이를 위해 본 발명은, 명령콘트롤방식을 이용한 불휘발성 반도체 기억장치로, 명령레지스터회로(107)를 갖추고 불휘발성 메모리셀로 이루어진 프로텍트셀(116)과 그것을 독출하는 프로텍트 감지증촉회로(117), 기록이나 소거의 프로그램시에 전압을 공급하는 고전압 검지회로(114), 프로텍트셀의 제어를 하는 프로텍트 제어회로(115) 및, 프로텍트셀의 데이터를 독출하고 그에 따라 메모리셀 어레이(106)로의 명령의 콘트롤을 수행하는 콘트롤회로(108)를 갖춘 것을 특징으로 하고 있다.

Description

반도체 기억장치(SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 구성을 나타낸 회로블록도.
제8도는 본 발명의 제2실시예에 따른 구성을 나타낸 회로블록도.

Claims (2)

  1. 전기적으로 프로그램가능한 불휘발성 메모리셀로 이루어진 메모리셀 어레이(106,206)와, 이 메모리셀 어레이(106,206)에 대하여 외부신호에 따라 어드레스를 지정하고, 액세스동작을 수행하는 메모리 주변회로(101∼105, 109∼111, 201∼205, 209∼211), 상기 메모리셀 어레이(106,206)에 대한 데이터의 프로그램에 관한 제어를 위한 고전압 공급수단(VPP, 112, 113, 212, 213), 외부콘트롤신호에 의해 상기 메모리셀 어레이(106,206)에 대하여 전기적인 프로그램동작을 수행하기 위한 명령신호를 출력하는 명령레지스터회로(107,207), 상기 명령신호에 의해 상기 메모리셀 어레이(106,206)의 임의의 메모리셀에 대하여 프로그램동작 및 독출동작중 적어도 한쪽을 수행하기 위해 상기 메모리 주변회로(101∼105, 109∼111, 201∼205, 209∼211)를 제어하는 명령신호 전달수단(108,208), 상기 메모리셀 어레이(106,206)에 대하여 전기적인 프로그램동작이 이루어질 때에 반드시 그 데이터가 판정되는 불휘발성의 프로텍트 메모리수단(116,216-1∼216-n), 이 프로텍트 메모리수단(116,216-1∼216-n)에 대하여 프로그램동작시킬 때에 이용되는 제어신호를 상기 명령레지스터회로(107,207)에 공급하는 고전압 검지회로(114, 214), 상기 프로텍트 메모리수단(116,216-1∼216-n)의 데이터를 독출하기 위한 프로텍트 감지증폭회로(117,217), 상기 명령레지스터회로(107,207)로부터의 명령신호에 의해 상기 프로텍트 메모리셀과 상기 프로텍트 감지증폭회로(117,217)를 동작제어하는 프로텍트 제어회로(115,215) 및, 상기 프로텍트 감지증폭회로(117,217)의 독출데이터에 의해 상기 메모리셀에 대한 프로그램동작을 제어하기 위한 상기 고전압 공급수단(VPP, 112, 113, 212, 213)을 제어하는 콘트롤회로(108,208)를 구비한 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메모리셀 어레이(106,206)는 몇 개의 블록으로 분할된 메모리셀 어레이블록의 구성으로 되어 있고, 메모리셀 어레이블록마다 상기 프로텍트 메모리수단(216-1∼216-n)을 배치하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940002159A 1993-02-05 1994-02-05 반도체 기억장치 KR960005357B1 (ko)

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JP1827793 1993-02-05
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