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KR920018766A - 불휘발성 반도체 기억장치 - Google Patents

불휘발성 반도체 기억장치 Download PDF

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KR920018766A
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마사끼 모모도미
리이찌로 시로따
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가부시끼가이샤 도시바
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Abstract

내용 없음

Description

불휘발성 반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 한 실시예의 EEPROM의 코어 회로의 일부 구성을 도시한 도면,
제2도는 제1도의 코어 회로의 나머지 부분의 구성을 도시한 도면.

Claims (5)

  1. 복수개의 비트선, 상기 비트선과 교차해서 배치된 복수개의 워드선, 상기 비트선과 워드선의 각 교차위치에 배치되고 상기 워드선에 의해 구동되어 비트선과의 사이에서 데이타 교환이 행해지는 개선가능한 불휘발성 반도체 메모리셀, 상기 비트선에 접속되어 상기 워드선에 의해 선택된 메모리 셀의 데이타를 검출하는 감지 증폭기 및 상기 비트선에 접속되고 입력된 어드레스를 검지해서 얻어지는 제어 신호에 의해 제어되는 비선택 비트선을 미리 소정 전위에 고정하는 프리차지 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 프리차지 수단이 데이타를 독출하기 위해 비트선에 소정의 독출 전위를 공급하는 독출용 충전 트랜지스터 및 독출시에 비선택 비트선을 접지전위로 하는 독출용 방전 트랜지스터를 갖고 있고, 이들 독출용 충전 트랜지스터 및 방전 트랜지스터가 입력된 어드레스에 대응하여 비트선 1개 간격으로 어드레스의 천이를 검지해서 얻어지는 다른 제어신호에 의해 제어되며, 데이타 돌출전부터 독출하는 동안 독출용 방전 트랜지스터가 온 상태를 유지해서 비선택 비트선이 접지전위로 설정되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 프리차지 수단의 데이터 기입을 위해 비트선에 중간 전위를 공급하는 기입용 충전 트랜지스터를 갖고 있고, 상기 기입용 충전 트랜지스터가 입력된 어드레스에 대응하여 비트선 1개 간격으로 어드레스의 천이를 검지해서 얻어지는 다른 제어신호에 의해 제어되어, 선택 비트선에서는 데이타 기입 전에 기입용 충전 트랜지스터가 오프되며, 비선택 비트선에서는 데이타를 기입하는 동안 기입용 충전 트랜지스터가 온되는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 불휘발성 반도체 메모리 셀이 전기적으로 개서가능한 불휘발성 반도체 메모리 셀인 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 불휘발성 반도체 메모리 셀이 전기적으로 개서가능한 불휘발성 메모리 셀이고, 복수개씩 직렬 접속되어 NAND 셀을 구성하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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