[go: up one dir, main page]

KR940010446A - 효율적 네가티브 충전펌프 - Google Patents

효율적 네가티브 충전펌프 Download PDF

Info

Publication number
KR940010446A
KR940010446A KR1019930021421A KR930021421A KR940010446A KR 940010446 A KR940010446 A KR 940010446A KR 1019930021421 A KR1019930021421 A KR 1019930021421A KR 930021421 A KR930021421 A KR 930021421A KR 940010446 A KR940010446 A KR 940010446A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
node
coupled
source
gate
electrode
Prior art date
Application number
KR1019930021421A
Other languages
English (en)
Other versions
KR970004464B1 (ko
Inventor
빅터 콜도바 마이클
씨. 하디 킴
Original Assignee
이와사키 히데히코
닛데츠 세미콘덕터 가부시키가이샤
로버트 엘. 가우어
유나이티드 메모리스 인코오퍼레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이와사키 히데히코, 닛데츠 세미콘덕터 가부시키가이샤, 로버트 엘. 가우어, 유나이티드 메모리스 인코오퍼레이티드 filed Critical 이와사키 히데히코
Publication of KR940010446A publication Critical patent/KR940010446A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR970004464B1 publication Critical patent/KR970004464B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M3/00—Conversion of DC power input into DC power output
    • H02M3/02—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC
    • H02M3/04—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters
    • H02M3/06—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider
    • H02M3/07—Conversion of DC power input into DC power output without intermediate conversion into AC by static converters using resistors or capacitors, e.g. potential divider using capacitors charged and discharged alternately by semiconductor devices with control electrode, e.g. charge pumps
    • H02M3/073—Charge pumps of the Schenkel-type
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/205—Substrate bias-voltage generators
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/145—Applications of charge pumps; Boosted voltage circuits; Clamp circuits therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)
  • Dram (AREA)

Abstract

낮은 전압과 넓은 전압 범위의 응용기기를 위한 네가티브 충전펌프회로가 개시된다.
충전펌프는 2개의 1-단 p-채널 펌프를 포함한다. 그 펌프중 하나는 원하는 전압 이하인 문턱전압 |Vtp|까지 회로노드를 충전시키기 위해 사용된다.
그러한 방식으로 사용될때 다른 펌프는 기판을 완전한 -VCC로 충전시킬 수 있다.

Description

효율적 네가티브 충전펌프
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명을 실시하는 상세회로도,
제2a 내지 2f도는 제1도의 실시예의 동작 타이밍도,
제3도는 1-단 p-채널 충전 펌프회로의 상세도,
제4a 내지 4c도는 제3도의 회로의 동작 타이밍도.

Claims (15)

  1. 집적회로용 충전펌프에 있어서, 출력 및 내부노드를 가진 제1펌프와; 상기 내부노드를 저전압으로 펌프하도록 결할된 제2펌프를 구비하며, 각각의 펌프는 VSS의 전원 공급을 수신하여 상기 제1펌프가 완전한 -VCC로 펌프될 수 있는 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  2. 충전펌프에 있어서, 제1노드에 결합될 2차 충전펌프; 게이트, 소스 및 드레인 전극을 가지며, 상기 게이트 전극이 상기 제1노드에 결합되며 상기 드레인 전극이 기판에 결합되며 상기 소스 전극이 제2노드에 결합된 제1트랜지스터; 게이트 소스 및 드레인 전극을 가지며, 상기 드레인 전극이 상기 제2노드에 결합되고 상기 소스 전극이 제1전원공급장치에 결합되며 상기 게이트 전극이 제3노드에 결합된 제2트랜지스터; 게이트, 소스 및 드레인 전극을 가지며, 상기 드레인 전극 및 게이트 전극이 상기 제1전원공급장치에 결합되고, 상기 소스 전극이 상기 제3노드에 결합된 제3트랜지스터; 게이트, 소스 및 드레인 전극을 가지며, 상기 드레인 전극이 상기 제1전원공급장치에 결합되고, 상기 소스 전극이 상기 제3노드에 결합되며, 상기 게이트 전극이 상기 제1노드에 결합된 제4트랜지스터; 게이트, 소스 및 드레인 전극을 가지며, 상기 드레인 전극이 상기 제1전원공급 장치에 결할되고, 상기소스 전극이 제3노드에 결합되며, 상기 게이트 전극이 상기 2차 충전펌프에 결합된 제5트랜지스터(28); 게이트, 소스 및 드레인 전극을 가지며, 상기 드레인 전극이 상기 제1전원공급장치에 결합되고, 상기 소스 전극이 상기 제1노드에 결합되며, 상기 게이트 전극이 제4노드에 결할될 제6트랜지스터; 게이트, 소스 및 드레인 전극을 가지며, 상기 드레인 전극이 상기 제1전원공급 장치에 결합되고, 상기 소스전극이 제4노드에 결합되며, 상기 게이르 전극이 제1노드에 결합된 제7트랜지스터와; 복수의 커패시터를 구비하며, 상기 복수의 커패시터에 상기 제1,2,3 및 4노드가 각각 결합되고, 각각의 상기 커패시터가 각각의 클럭펄스를 수신하도록 결합된 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1,2,3,4,5,6 및 7트랜지스터는 p-형 전계효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  4. 제2항에 있어서, 상기 커패시터는 게이트 소스 및 드레인 전극을 가진 p-형 전계효과 트랜지스터이며, 상기 소스 및 드레인 전극은 함께 결합된 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  5. 제2항에 있어서, 상기 2차 충전펌프는 p-형 전계효과 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  6. 충전펌프에 있어서, 게이트, 소스 및 드레인 전극을 가지며, 상기 게이트 전극이 상기 제1노드에 결합되고, 상기 드레인 전극이 제1전원공급장치에 결합되며 상기 소스 전극이 제2노드에 결합된 제1트랜지스터; 게이트, 소스 및 드레인 전극을 가지며, 상기 드레인 전극이 상기 제2노드에 결합되고, 상기 소스 전극이 제1전원공급장치에 결합되며 상기 게이트 전극이 제3노드에 결합된 제2트랜지스터; 게이트, 소스 및 드레인 전극을 가지며, 상기 드레인 전극 및 게이트 전극이 상기 제1전원공급장치에 결합되고 상기 소스 전극이 상기 제3노드에 결항된 제3트랜지스터; 게이트, 소스 및 드레인 전극을 가지며, 상기 드레인 전극이 상기 제1전원공급 장치에 결합되고, 상기소스 전극이 상기 제3노드에 결합되며 상기 게이트 전극이 상기 제1노드에 결합된 제4트랜지스터; 게이트, 소스 및 드레인 전극을 가지며, 상기 드레인 전극이 상기 제1전원공급 장치에 결합되고 상기 소스 전극이 상기 제3노드에 결합되며, 상기 게이트 전극이 제7노드에 결합된 제5트렌지스터; 게이트, 소스 및 드레인 전극을 가지며, 상기 드레인 전극이 상기 제1전원공급 장치에 결합되고, 상기 소스 전특이 상기 제1노드에 결합되며, 상기 게이트 전극이 제4노드에 결합된 제6트랜지스터; 게이트, 소스 및 드레인 전극을 가지며, 상기 드레인 전극이 상기 제1전원공급 장치에 결합되고, 상기 소스 전극이 상기 제4노드에 결합되며, 상기 게이트 전극이 상기 제1노드에 결합된 제7트랜지스터; 게이트, 소스 및 드레인 전극을 가지며, 상기 드레인 전극이 상기 제1노드에 결합되고 상기 소스 전극이 상기 제6노드에 결합되며, 상기 게이트 전극이 제5노드에 결합된 제8트랜지스터; 게이트, 소스 및 드레인 전극을 가지며, 상기 드레인 전극이 상기 제1전원공급 장치에 결합되고, 상기 소스 전극이 상기 제5노드에 결합되며 상기 게이트 전극이 상기 제7노드에 결합된 제9트랜지스터; 게이트, 소스 및 드레인 전극을 가지며, 상기 드레인 전극이 상기 제1전원공급 장치에 결합되고, 상기 소스 전극이 상기 제7노드에 결합되며, 상기 게이트 전극이 상기 제5노드에 결합된 제10트랜지스터; 게이트, 소스 및 드레인 전극을 가지며, 상기 드레인 전극이 상기 제1전원공급 장치에 결합되고 상기 소스 전극이 상기 제7노드에 결합되며, 상기 게이트 전극이 상기 제1전원공급 장치에 결합된 제11트랜지스터; 게이트, 소스 및 드레인 전극을 가지며, 상기 드레인 전극이 상기 제6노드에 결합되고, 상기 소스 전극이 제1전원공급 장치에 결합되며, 상기 게이트 전극이 상기 제7노드에 결합된 제12트랜지스터와; 복수의 커패시터를 구비하며, 상기 복수의 커패시터에 상기 제1,2,3,4,5,6 및 7노드가 각각 결합되고, 각각의 상기 커패시터가 각각의 클럭펄스를 수신하도록 결합된 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11 및 12트랜지스터는 p-형 전계효과 트랜지스터인 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  8. 제6항에 있어서, 상기 커패시터는 게이트, 소스 및 드레인 전극을 가진 p-형 전계효과 트랜지스터이며, 상기 소스 및 드레인 전극은 함께 결합된 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  9. 제6항에 있어서, 상기 제1 및 제2트랜지스터는 상기 제8 및 제12트랜지스터보다 더 큰 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  10. 제6항에 있어서, 상기 제2노드에 결합된 상기 커패시터는 상기 제6노드에 결합된 상기 커패시터보다 더 큰 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  11. 충전펌프를 동작시키는 방법에 있어서, 전원공급장치를 제1노드에 결합하도륵 제1스위치를 제어하고, 전원공급전압 이하인 문턱전압의 크기를 가진 제1전압을 상기 제1스위치에 공급하는 단계; 제1노드 전압의 크기를 증가시키도록 상기 제1노드에 제어전압을 공급하는 단계; 및 상기 제1노드를 제2노드에 결합하도록 제2스위치를 제어하고, 상기 증가된 제1노드전압 이하인 다른 문턱전압의 크기를 갖는 제3전압을 상기 제2스위치에 공급하는 단계로 구성되며; 여기서 상기 공급하는 제1, 제2 및 제3전압은 상기 제1스위치가 상기 전원공급장치를 상기 제1노드에 결합하고 있는 동안 상기 제1노드전압크기가 증가하지 않고, 상기 제2스위치가 상기 제1노드를 상기 제2노드에 결합하고 있는 동안 상기 제1노드전압크기가 감소하지 않도록 타이밍시퀀스를 갖는 것을 특징으로 하는 충전펌프를 동작시키는 방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 단체는 반복되는 것을 특징으로 하는 충전펌프를 동작시키는 방법.
  13. 충전펌프에 있어서, 게이트 전극, 제1전극 및 제2전극을 가지며, 상기 게이트 전극이 제1노드에 결합되고,상기 제1전극이 기판에 결합되며 상기 제2전극이 클록펄스를 수신하도록 추가로 결합된 제2노드에 결합된 제1트랜지스터; 게이트 전극, 제1전극 및 제2전극을 가지며, 상기 제1전극이 상기 제2노드에 결합되고, 상기 제2전극이 전원공급장치에 결합되며 상기 게이트 전극이 제3노드에 결합된 제2트랜지스터; 및 상기 제1 및 제3노드에 결합되며, 상기 제1 및 제3노드에 제1 및 제2전위를 각각 제공하는 전압발생회로를 구비하며, 여기서 상기 제2전위의 크기가 상기 제2트랜지스터의 문턱값에 의해 상기 전원공급장치의 크기 이하로 되고, 상기 제1전위의 크기가 상기 제1트랜지스터의 문턱값에 의해 상기 제2노드에 크기 이하로 되는 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  14. 제13향에 있어서, 상기 전압발생회로는 다른 충전펌프 및 복수의 트랜지스터를 구비하고 상기 회로는 상기 클럭펄스 및 복수의 클럭펄스를 수신하도록 결합된 것을 특징으로 하는 충전펌프.
  15. 제13항에 있어서, 상기 클럭펄스를 수신하도록 상기 제2노드에 결합된 전하 저장장치를 추가로 구비하여 상기 전하저장장치가 상기 클럭펄스를 추종하는 상기 제2노드에 신호를 제공하는 것을 특징으로 하는 충전펌프.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930021421A 1992-10-15 1993-10-15 효율적 네가티브 충전펌프 KR970004464B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/961,439 US5347171A (en) 1992-10-15 1992-10-15 Efficient negative charge pump
US961,439 1992-10-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940010446A true KR940010446A (ko) 1994-05-26
KR970004464B1 KR970004464B1 (ko) 1997-03-27

Family

ID=25504474

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930021421A KR970004464B1 (ko) 1992-10-15 1993-10-15 효율적 네가티브 충전펌프

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5347171A (ko)
EP (1) EP0593105B1 (ko)
JP (1) JP2815292B2 (ko)
KR (1) KR970004464B1 (ko)
DE (1) DE69310308T2 (ko)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5335200A (en) * 1993-01-05 1994-08-02 Texas Instruments Incorporated High voltage negative charge pump with low voltage CMOS transistors
KR0132641B1 (ko) * 1993-05-25 1998-04-16 세끼모또 타다히로 기판 바이어스 회로
JP2560983B2 (ja) * 1993-06-30 1996-12-04 日本電気株式会社 半導体装置
US5811990A (en) 1993-10-15 1998-09-22 Micron Technology, Inc. Voltage pump and a level translator circuit
US6424202B1 (en) * 1994-02-09 2002-07-23 Lsi Logic Corporation Negative voltage generator for use with N-well CMOS processes
KR0145758B1 (ko) * 1994-08-24 1998-08-01 김주용 반도체 소자의 전압 조정 회로
JP3244601B2 (ja) * 1994-12-09 2002-01-07 富士通株式会社 半導体集積回路
KR100208443B1 (ko) * 1995-10-14 1999-07-15 김영환 네가티브 전압 구동회로
EP1359592A3 (en) * 1995-10-31 2006-12-20 STMicroelectronics S.r.l. Clock generator for electrically programmable nonvolatile memory cells
US5872469A (en) * 1996-04-05 1999-02-16 Analog Devices, Inc. Switched capacitor circuit adapted to store charge on a sampling capacitor related to a sample for an analog signal voltage and to subsequently transfer such stored charge
US6064250A (en) * 1996-07-29 2000-05-16 Townsend And Townsend And Crew Llp Various embodiments for a low power adaptive charge pump circuit
FR2773012B1 (fr) * 1997-12-24 2001-02-02 Sgs Thomson Microelectronics Dispositif a pompe de charges negatives
US6215708B1 (en) 1998-09-30 2001-04-10 Integrated Device Technology, Inc. Charge pump for improving memory cell low VCC performance without increasing gate oxide thickness
JP4754102B2 (ja) * 2001-06-11 2011-08-24 エルピーダメモリ株式会社 負電圧発生回路および半導体記憶装置
US7034601B2 (en) * 2003-04-04 2006-04-25 Stmicroelectronics, S.R.L. Hybrid inductive-capacitive charge pump with high diode driving capability
US7382177B2 (en) * 2004-10-25 2008-06-03 Micron Technology, Inc. Voltage charge pump and method of operating the same
US20070285176A1 (en) * 2006-03-21 2007-12-13 Leadis Technology, Inc. Phase-Slipping Phase-Locked Loop
US20070236295A1 (en) * 2006-03-21 2007-10-11 Leadis Technology, Inc. FM Power Amplifier With Antenna Power Control
US7498880B2 (en) * 2006-03-21 2009-03-03 Leadis Technology, Inc. Class L amplifier
US8081785B2 (en) * 2006-03-21 2011-12-20 Fairchild Semiconductor Corporation High efficiency converter providing switching amplifier bias
US7408414B2 (en) * 2006-03-21 2008-08-05 Leadis Technology, Inc. Distributed class G type amplifier switching method
US7522433B2 (en) * 2006-03-21 2009-04-21 Fairchild Semiconductor Corporation Efficient voltage rail generation
US8081777B2 (en) 2006-03-21 2011-12-20 Fairchild Semiconductor Corporation Volume-based adaptive biasing
US8179372B1 (en) 2007-10-01 2012-05-15 Integrated Device Technology, Inc. Electronic display with array context-sensitive search (ACS) technology
US7733178B1 (en) 2007-10-24 2010-06-08 Fairchild Semiconductor Corporation High efficiency audio amplifier
US7750732B1 (en) 2007-12-04 2010-07-06 Fairchild Semiconductor Corporation Adaptive rail amplifier (ARA) technology
CA2776433C (en) 2009-10-08 2016-05-10 Bic-Violex Sa Mounting station and method for automatically assembling a razor

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0030856B1 (en) * 1979-12-13 1984-03-21 Fujitsu Limited Charge-pumping semiconductor memory cell comprising a charge-storage region and memory device using such a cell
US4336466A (en) * 1980-06-30 1982-06-22 Inmos Corporation Substrate bias generator
EP0126788B1 (de) * 1983-05-27 1987-06-03 Deutsche ITT Industries GmbH MOS-Bootstrap-Gegentaktstufe
US4591738A (en) * 1983-10-27 1986-05-27 International Business Machines Corporation Charge pumping circuit
US4581546A (en) * 1983-11-02 1986-04-08 Inmos Corporation CMOS substrate bias generator having only P channel transistors in the charge pump
US4638464A (en) * 1983-11-14 1987-01-20 International Business Machines Corp. Charge pump system for non-volatile ram
US4797899A (en) * 1986-12-15 1989-01-10 Maxim Integrated Products, Inc. Integrated dual charge pump power supply including power down feature and rs-232 transmitter/receiver
US4812961A (en) * 1987-05-15 1989-03-14 Linear Technology, Inc. Charge pump circuitry having low saturation voltage and current-limited switch
US4883976A (en) * 1987-12-02 1989-11-28 Xicor, Inc. Low power dual-mode CMOS bias voltage generator
FR2642240B1 (fr) * 1989-01-23 1994-07-29 Sgs Thomson Microelectronics Circuit a transistor mos de puissance commande par un dispositif a deux pompes de charge symetriques
DE3931596A1 (de) * 1989-03-25 1990-10-04 Eurosil Electronic Gmbh Spannungsvervielfacherschaltung
JP2531267B2 (ja) * 1989-06-20 1996-09-04 日本電気株式会社 チャ―ジポンプ
US5036229A (en) * 1989-07-18 1991-07-30 Gazelle Microcircuits, Inc. Low ripple bias voltage generator
EP0410029B1 (de) * 1989-07-25 1995-01-04 Siemens Aktiengesellschaft Schaltungsanordnung zur Nachlaufsynchronisation
JP2780365B2 (ja) * 1989-08-14 1998-07-30 日本電気株式会社 基板電位発生回路
EP0427084B1 (en) * 1989-11-08 1994-12-14 National Semiconductor Corporation Maximum swing cascode circuit for a bipolar charge pump
US5059815A (en) * 1990-04-05 1991-10-22 Advanced Micro Devices, Inc. High voltage charge pumps with series capacitors
US5008799A (en) * 1990-04-05 1991-04-16 Montalvo Antonio J Back-to-back capacitor charge pumps

Also Published As

Publication number Publication date
US5347171A (en) 1994-09-13
DE69310308T2 (de) 1997-08-14
EP0593105B1 (en) 1997-05-02
DE69310308D1 (de) 1997-06-05
KR970004464B1 (ko) 1997-03-27
JPH06217526A (ja) 1994-08-05
JP2815292B2 (ja) 1998-10-27
EP0593105A1 (en) 1994-04-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR940010446A (ko) 효율적 네가티브 충전펌프
KR930008876B1 (ko) 반도체소자의 고전압 발생회로
US3824447A (en) Booster circuit
US5339236A (en) Charge pump circuit for intermediate voltage between power supply voltage and its double voltage
US4321661A (en) Apparatus for charging a capacitor
US4739191A (en) Depletion-mode FET for the regulation of the on-chip generated substrate bias voltage
US5306954A (en) Charge pump with symmetrical +V and -V outputs
US6154088A (en) Clocking scheme and charge transfer switch for increasing the efficiency of a charge pump or other circuit
US6249446B1 (en) Cascadable, high efficiency charge pump circuit and related methods
US4199806A (en) CMOS Voltage multiplier
KR890005159B1 (ko) 백 바이어스 전압 발생기
US4208595A (en) Substrate generator
KR860002149A (ko) 차지-업(charge-up)회로
KR970017598A (ko) 반도체 장치 및 그 제어 회로
US5493486A (en) High efficiency compact low power voltage doubler circuit
TW426819B (en) Bandgap reference voltage generating circuit
US5412257A (en) High efficiency N-channel charge pump having a primary pump and a non-cascaded secondary pump
KR950002234A (ko) 안정된 부성 전위를 발생시키기 위한 전압 발생기 회로
US3889135A (en) Bootstrap circuit employing insulated gate transistors
US5513091A (en) Voltage transforming circuit
KR890011216A (ko) Mos형 집적회로의 전원 재공급회로
KR940003011A (ko) 출력전압에 있어 전계효과트랜지스터의 한계치전압의 손실이 생기지 않는 전압발생회로
KR100478866B1 (ko) 저전력발진기
Silva-Martínez A switched capacitor double voltage generator
ATE34054T1 (de) Taktschaltung.

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19931015

PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19931015

Comment text: Request for Examination of Application

PG1501 Laying open of application
G160 Decision to publish patent application
PG1605 Publication of application before grant of patent

Comment text: Decision on Publication of Application

Patent event code: PG16051S01I

Patent event date: 19970227

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 19970624

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 19970825

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 19970825

End annual number: 3

Start annual number: 1

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20000306

Start annual number: 4

End annual number: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20010207

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20020302

Start annual number: 6

End annual number: 6

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20030206

Start annual number: 7

End annual number: 7

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20040202

Start annual number: 8

End annual number: 8

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20050727

Start annual number: 9

End annual number: 9

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20060821

Start annual number: 10

End annual number: 10

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20070821

Start annual number: 11

End annual number: 11

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20080821

Start annual number: 12

End annual number: 12

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20090330

Start annual number: 13

End annual number: 13

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20100810

Start annual number: 14

End annual number: 14

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20110816

Start annual number: 15

End annual number: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120627

Year of fee payment: 16

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20120627

Start annual number: 16

End annual number: 16

EXPY Expiration of term
PC1801 Expiration of term