[go: up one dir, main page]

KR940004386A - 네가티브형 포토레지스트 조성물 - Google Patents

네가티브형 포토레지스트 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR940004386A
KR940004386A KR1019930015592A KR930015592A KR940004386A KR 940004386 A KR940004386 A KR 940004386A KR 1019930015592 A KR1019930015592 A KR 1019930015592A KR 930015592 A KR930015592 A KR 930015592A KR 940004386 A KR940004386 A KR 940004386A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
optionally substituted
photoresist composition
negative photoresist
group
general formula
Prior art date
Application number
KR1019930015592A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100266276B1 (ko
Inventor
유지 우에다
나오끼 다께야마
히로미 우에끼
다께히로 구스모또
유꼬 나까노
Original Assignee
가사이 아끼오
스미또모 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가사이 아끼오, 스미또모 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 filed Critical 가사이 아끼오
Publication of KR940004386A publication Critical patent/KR940004386A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100266276B1 publication Critical patent/KR100266276B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • G03F7/028—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds with photosensitivity-increasing substances, e.g. photoinitiators
    • G03F7/029—Inorganic compounds; Onium compounds; Organic compounds having hetero atoms other than oxygen, nitrogen or sulfur
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)

Abstract

본 발명은 p-히드록시스티렌과 스티렌의 공중합을 통해 얻어지는 수지 A와 폴리(p-히드록시스티렌)의 수소화를 통해 얻어지는 수지 B의 혼합물을 함유하는 알칼리가용성 수지와; 가교결합제 및 광-유도 산 전구물질로 이루어지는 네가티브형 포토레지스트 조성물을 제공한다.
본 발명의 네가티브형 포토레지스트 조성물은 해상도, 감도, 막 두께 보존율, 형상, 내열성 등과 같은 여러 특성이 우수하고, 정재파효과가 작은 원자외선(특히 KrF 엑시머 레이저)리도그래피에 사용하기 적합하다.

Description

네가티브형 포토레지스트 조성물
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (11)

  1. p-히드록시스티렌과 스티렌의 공중합을 통해 얻어지는 수지 A와 폴리(p-히드록시스티렌)의 수소화를 통해 얻어지는 수지 B의 혼합물을 함유하는 알칼리 가용성 수지와; 가교결합제 및 광-유도 산 전구물질로 이루어지는 네가티브형 포토레지스트 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가교결합제가 하기 일반식(Ⅱ)로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트 조성물.
    (단, 상기식에서, Z는 -NRR' 또는 페닐기이고; R, R', R1, R2, R3및 R4는 각기 독립하여 수소원자, -CH2OH 또는 -CH2ORa이고, 여기에서 Ra는 알킬기이다.)
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광-유도 산 전구물질이 하기 일반식(Ⅲ)으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트 조성물.
    (단, 상기식에서, Y1및 Y2는 각기 독립하여 수소원자, 알킬기, 알켄일기 또는 알콕시기이다.)
  4. 상기 광-유도 산 전구물질이 하기 일반식(Ⅳ)로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트 조성물.
    (단, 상기식에서, Y3, Y4및 Y5는 각기 임의로 치환된 알킬, 알켄일, 아릴, 아르알킬 또는 피페리디노기, -N(Y6)(Y7), -OY8또는 -SY9이고, 단 Y3, Y4및 Y5중의 적어도 하나가 모노-, 디- 또는 트리-할로겐 치환 알킬기이고; 및 Y6, Y7, Y8및 Y9는 각기 독립하여 수소원자 또는 임의로 치환된 알킬 또는 아릴기이다.)
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광-유도 산 전구물질이 트리플루오로메탄술폰산 에스테르인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트 조성물.
  6. 제5항에 있어서, 상기 트리플루오로메탄술폰산 에스테르가 하기 일반식(Ⅴ)로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트 조성물.
    CF3SO2O-(CH2)n-Y10(Ⅴ)
    (단, 상기식에서, Y10임의로 치환된 아릴기이고, n은 0 또는 1이다.)
  7. 제5항에 있어서, 상기 트리플루오로메탄술폰산 에스테르가 하기 일반식(Ⅵ)으로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트 조성물.
    (단, 상기식에서, Y11및 Y12는 각기 독립하여 수소원자 또는 임의로 치환된 알킬, 알콕시 또는 아릴기이고; Y13은 임의로 치환된 아릴기이고; n'는 1 또는 2이다.)
  8. 제5항에 있어서, 상기 트리플루오로메탄술폰산 에스테르가 하기 일반식(Ⅶ)로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트 조성물.
    (단, 상기식에서, Y14는 임의로 치환된 알킬기이고, Y15는 임의로 치환된 아릴기이다.)
  9. 제5항에 있어서, 상기 트리플루오로메탄술폰산 에스테르가 하기 일반식(Ⅷ)로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트 조성물.
    CF3SO2O-N=C(Y16)(Y17) (Ⅷ)
    (단, 상기식에서, Y16은 수소원자 또는 임의로 치환된 알킬 또는 아릴기이고, Y17은 임의로 치환된 아릴기이다.)
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광-유도 산 전구물질이 하기 일반식(Ⅸ)로 표시되는 디술폰 화합물인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트 조성물.
    Y18-SO2-SO2-Y19(Ⅸ)
    (단, 상기식에서, Y18및 Y19는 각기 임의로 치환된 아릴, 아르알킬, 알킬, 시클로알킬 또는 헤테로시클일기이고, 단, Y18및 Y19중의 적어도 하나가 임의로 치환된 아릴, 아르알킬 또는 헤테로시클일기이다.)
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 광-유도 산 전구물질이 하기 일반식(Ⅹ)로 표시되는 화합물인 것을 특징으로 하는 네가티브형 포토레지스트 조성물.
    Y20-SO2-SO2-Y21-SO2-SO2-Y22(Ⅹ)
    (단, 상기식에서, Y20및 Y22는 각기 독립하여 임의로 치환된 아릴, 아르알킬, 알킬, 시클로알킬 또는 헤테로시클일기이고, Y21은 임의로 치환된 아릴기이다.)
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930015592A 1992-08-20 1993-08-12 네가티브형포토레지스트조성물 KR100266276B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP92-221373 1992-08-20
JP4221373A JPH0667413A (ja) 1992-08-20 1992-08-20 ネガ型フォトレジスト組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR940004386A true KR940004386A (ko) 1994-03-15
KR100266276B1 KR100266276B1 (ko) 2000-09-15

Family

ID=16765781

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930015592A KR100266276B1 (ko) 1992-08-20 1993-08-12 네가티브형포토레지스트조성물

Country Status (7)

Country Link
EP (1) EP0588092B1 (ko)
JP (1) JPH0667413A (ko)
KR (1) KR100266276B1 (ko)
CA (1) CA2100516A1 (ko)
DE (1) DE69301985T2 (ko)
MX (1) MX9305048A (ko)
TW (1) TW285719B (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0738932B1 (en) * 1995-04-21 2000-04-05 AGFA-GEVAERT naamloze vennootschap Imaging element comprising a photoacid-sensitive composition and a method for producing lithographic plates therewith
JPH11237742A (ja) * 1998-02-23 1999-08-31 Nec Corp レジスト材料、レジストパターンおよび製造方法
TW476019B (en) * 1999-05-27 2002-02-11 Winbond Electronics Corp Method for forming crosslinking photoresist
KR101615980B1 (ko) 2015-07-22 2016-04-29 영창케미칼 주식회사 반도체 패턴 형성을 위한 KrF 레이저용 네가티브형 포토레지스트 조성물
KR101655947B1 (ko) 2016-03-22 2016-09-09 영창케미칼 주식회사 고해상도 및 고아스펙트비를 갖는 KrF 레이저용 네가티브형 포토레지스트 조성물
KR101877029B1 (ko) 2016-05-13 2018-07-11 영창케미칼 주식회사 화학증폭형 네가티브형 포토레지스트 조성물

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4189323A (en) * 1977-04-25 1980-02-19 Hoechst Aktiengesellschaft Radiation-sensitive copying composition
MX170270B (es) * 1984-06-01 1993-08-11 Rohm & Haas Imagenes sobre una superficie y un metodo para formar imagenes positivas y negativas termicamente estables sobre una superficie
CA2019693A1 (en) * 1989-07-07 1991-01-07 Karen Ann Graziano Acid-hardening photoresists of improved sensitivity
JP2583651B2 (ja) * 1990-09-28 1997-02-19 東京応化工業株式会社 ネガ型感放射線レジスト組成物
JPH04291261A (ja) * 1991-03-19 1992-10-15 Nippon Zeon Co Ltd レジスト組成物

Also Published As

Publication number Publication date
DE69301985T2 (de) 1996-09-19
MX9305048A (es) 1994-06-30
EP0588092B1 (en) 1996-03-27
KR100266276B1 (ko) 2000-09-15
CA2100516A1 (en) 1994-02-21
EP0588092A3 (ko) 1994-05-04
TW285719B (ko) 1996-09-11
EP0588092A2 (en) 1994-03-23
JPH0667413A (ja) 1994-03-11
DE69301985D1 (de) 1996-05-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6153733A (en) (Disulfonyl diazomethane compounds)
US5780206A (en) Fine pattern forming process using a resist composition sensitive to deep ultraviolet light
KR960024672A (ko) 화학증폭 포지형 레지스트 조성물
KR940009260A (ko) 마이크로 렌즈용 감방사선성 수지 조성물
KR950014987A (ko) 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴의 형성방법
KR920000009A (ko) 감방사선성 수지 조성물
KR930001349A (ko) 레지스트 물질 및 패턴 형성 방법
KR930021588A (ko) 폴리스티렌 기제 광내식막 물질
KR950001415A (ko) 포토레지스트 조성물
US5569784A (en) Sulfonium salt and resist composition
CA1337771C (en) Unsaturated .beta.-keto-ester acetals and their uses
KR970028826A (ko) 신규 술포늄염 및 화학 증폭 포지형 레지스트 재료
KR960037720A (ko) 가교결합된 중합체
KR920015158A (ko) 네거티브 포토레지스트 조성물
KR940004386A (ko) 네가티브형 포토레지스트 조성물
KR970016742A (ko) 포지티브형 감방사선성 혼합물 및 릴리프 구조의 제조 방법
KR970002470A (ko) 포지티브형 포토레지스트 조성물
KR950032084A (ko) 신규술포늄염 및 화학증폭 포지형 레지스트 조성물
KR950033679A (ko) 포지티브 작용성 방사선 민감성 혼합물
KR920001243A (ko) 포지티브 감 방사선성 레지스트 조성물
FI923170A (fi) Spicamycinderivat och anvaendning av dem
KR960038487A (ko) 파지티브 포토레지스트 조성물
US5916995A (en) Acetal-substituted aromatic hydroxy compounds and negative photoresist compositions comprising the same
KR940007604A (ko) 포토레지스트 조성물
KR940004387A (ko) 네가티브형 포토레지스트 조성물

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 19930812

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19980811

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 19930812

Comment text: Patent Application

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20000529

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20000622

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20000623

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20040310