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KR930017113A - 위상쉬프트 마스크 제조방법 - Google Patents

위상쉬프트 마스크 제조방법 Download PDF

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Publication number
KR930017113A
KR930017113A KR1019920000296A KR920000296A KR930017113A KR 930017113 A KR930017113 A KR 930017113A KR 1019920000296 A KR1019920000296 A KR 1019920000296A KR 920000296 A KR920000296 A KR 920000296A KR 930017113 A KR930017113 A KR 930017113A
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KR
South Korea
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phase shift
shift mask
mask manufacturing
shift layer
manufacturing
Prior art date
Application number
KR1019920000296A
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English (en)
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KR100244243B1 (ko
Inventor
정재영
Original Assignee
문정환
금성일렉트론 주식회사
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Publication date
Application filed by 문정환, 금성일렉트론 주식회사 filed Critical 문정환
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers

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  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명은 위상 쉬프트 마스크 제조방법에 관한 것으로 종래에서 위상 쉬프터의 경계면에서 빛의 집중을 제로로 하는데 한계점을 극복하기 위한 것이다.
따라서 본 위상 쉬프트층을 틸트시켜 디포커스를 제로로 한 것이다.

Description

위상쉬프트 마스크 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 위상쉬피트 마스크 공정단면도 및 빛의 특성도, 제2도는 본 발명의 위상쉬프트 마스크 공정단면도 및 빛의 특성도.

Claims (1)

  1. 투명기판위에 투과성 물질과 위상 쉬프트층을 형성하기 위한 물질을 증착하여 마스킹과 식각공정으로 상기 위상 쉬프트층을 선택적으로 경사지게 형성하는 공정으로 이루어짐을 특징으로 하는 위상 쉬프트 마스크 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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