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KR930020604A - 위상 시프트 마스크 및 그의 제조방법 - Google Patents

위상 시프트 마스크 및 그의 제조방법 Download PDF

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KR930020604A
KR930020604A KR1019920004177A KR920004177A KR930020604A KR 930020604 A KR930020604 A KR 930020604A KR 1019920004177 A KR1019920004177 A KR 1019920004177A KR 920004177 A KR920004177 A KR 920004177A KR 930020604 A KR930020604 A KR 930020604A
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KR
South Korea
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layer
pattern
phase shift
mask
opaque
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Application number
KR1019920004177A
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KR950001750B1 (en
Inventor
강호영
박정철
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Publication date
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Publication of KR930020604A publication Critical patent/KR930020604A/ko
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

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Abstract

본 발명은 광학적으로 투명한 마스크기판, 상기 마스크기판상에 형성되어 있고 패턴이 형성되어 있는 반투명층, 상기 반투명층상에 형성되어 있고 상기 반투명층의 패턴과 동일한 패턴이 형성되어 있는 위상 시프트층, 상기 위상 시프트층상에형성되어 있고 상기 패턴 보다 큰 패턴이 형성되어 있는 불투명층으로 구성되어 잇는 위상 시프트 마스크 및 광학적으로 투명한 마스크 기판상에, 반투명층, 위상시프트층 및 불투명층을 순차적으로 형성하고, 불투명층 패턴을 형성하고, 상기 불투명층 패턴내에 상기 위상 시프트층 및 반투명층의 패턴을 형성시키는 것을 포함하는 위상 시프트 마스크의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의하면, 마스크 전체에 걸쳐서 형성된 패턴의 경계부위에서 균일하게 위상이 쉬프트된 광선을 수득 할 수 있으므로 웨이퍼상에 형성된 레지스트를 노광시켜 패턴을 형성할때 보다 미세하고 균일한 패턴을 형성할 수 있다. 또한 본 발명의 위상 시프트 마스크는 제조공정이 간단하기 때문에 경제적으로 제조할 수 있다.

Description

위상 시프트 마스크 및 그의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a도 내지 제2c도는 본 발명의 위상 시프트 마스크 및 이를 이용하여 웨이퍼상에 형상된 광도프로필.
제3a도 내지 제3e도는 본 발명의 위상 시프트 마스크의 제조방법의 일예를 나타내는 개략도이다.

Claims (9)

  1. 광학적으로 투명한 마스크기판, 상기 마스크기판상에 형성되어 있고 패턴이 형성되어 있는 반투명층, 상기 반투명층상에 형성되어 있고 상기 반투명층의 패턴과 동일한 패턴이 형성되어 있는 위상 시프트층, 상기 위상 스프트층상에 형성되어 있고 상기 패턴 보다 큰 패턴이 형성되어 있는 불투명층으로 구성되어 있는 위상 시프트 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 마스크 기판이 석영으로 이루어 있음을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 반투명층이 두께가 200Å~300Å인 크롬층, 또는 두께1000Å의 MoSi₂층임을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크.
  4. 제1항에 있어서, 상기 불투명층이 두께 700Å 이상의 크롬층 또는 두께 2500Å이상의 MoSi₂층임을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크.
  5. 제1항에 있어서, 상기 위상 시프트층은 SOG 또는 SiO₂로 이루어져 있음을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크.
  6. 제5항에 있어서, 상기 위상 시프트층의 두께는λ/2(n-1)(식중, λ는 사용되는 광선의 파장, n은 위상 시프트층의 재료로 굴절율이다)임을 특징으로 하는 위상 시프트 마스크.
  7. 광학적으로 투명한 마스크 기판상에, 반투명층, 위상시프트층 및 불투명층을 순차적으로 형성하고, 불투명층 패턴을 형성하고, 상기 불투명층 패턴내에 상기 위상 시프트층 및 반투명층의 패턴을 형성시키는 것을 포함하는 위상시프트 마스크의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 불투명층상에 패턴을 포함하는 레지스트층을 형성하고, 상기 레지스트층을 식각마스크로서 사용하여 상기 불투명층을 식각한 후 상기 레지스트를 제거하여 불투명층 패턴을 형성함을 특징으로 하는 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 패턴을 포함하는 불투명층상에 레지스트를 도포한 후, 상기 패턴내에 상기 패턴 보다 작은 레지스트 패턴을 형성한 후, 패턴이 형성된 상기 레지스트층을 식각마스크로 사용하여 상기 위상 시프트층 및 반투명층을 식각한 후 상기 레지스트를 제거하여 상기 위상 시프트층 및 반투명층 패턴을 형성함을 특징으로 하는 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR92004177A 1992-03-13 1992-03-13 Phase shift mask and manufacturing method thereof KR950001750B1 (en)

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