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KR930014612A - 불 휘발성 반도체 메모리 장치 - Google Patents

불 휘발성 반도체 메모리 장치 Download PDF

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KR930014612A
KR930014612A KR1019920025605A KR920025605A KR930014612A KR 930014612 A KR930014612 A KR 930014612A KR 1019920025605 A KR1019920025605 A KR 1019920025605A KR 920025605 A KR920025605 A KR 920025605A KR 930014612 A KR930014612 A KR 930014612A
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KR
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redundant
nonvolatile
nonvolatile memory
cell region
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기요까즈 하시모또
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세끼모또 타다히로
닛본덴기 가부시끼가이샤
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    • G—PHYSICS
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Abstract

플래시 EEPROM 용의 불휘발성 반도체 메모리 장치는 불휘발성 메모리 셀의 매트릭스로 각각 이루어지는 다수의 주 메모리 셀 및 불휘발성 메모리 셀의 매트릭스로 이루어지는 적어도 하나의 용장 메모리 셀 영역을 포함하는 각각 다수의 섹터로 되어 있다. 섹터들중 하나의 섹티내의 상기 불휘발성 메모리 셀들중 하나의 셀이 불량으로 발견되고 어드레싱에 의해 선택되는 경우, 이는 용장 메모리 영역내의 하나의 불휘발성 메모리 셀로 치환된다.

Description

불 휘발성 반도체 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명의 제1의 실시예에 따른 플래시 EEPROM 형태의 반도체 메모리 장치의 블럭도.
제5도는 주메모리 셀 매트릭스의 디지트 라인을 용장 메모리 셀 매트릭스의 디지트 라인으로 치환하기 위한 제4도에 도시된 플래시 EEPROM 내의 제어 회로의 블럭도.
제6도는 본 발명의 제2의 실시예에 따른 플래시 EEPROM 형태의 반도체 메모리 장치의 블럭도.

Claims (7)

  1. 불휘발성 메모리 셀의 매트릭스로 각각 구성되는 다수의 주 메모리 셀 영역을 구성하는 다수의 섹터, 각각의 상기 섹터내의 상기 불휘발성 메모리 셀내에 데이타를 기입하고, 이 셀로부터 데이타를 소거하며, 상기 메모리세로부터 데이타를 해독하는 제어 수단, 불휘발성 메모리 셀의 매트릭스로 구성되는 하나 이상의 용장 메모리셀 영역, 상기 섹터들중 하나의 섹터내에 어드레스함으로써 선택되는 상기 적어도 하나의 용장 메모리 셀 영역내의 불휘발성 메모리 셀들중 하나의 셀의 불량이 발견되는 상기 불휘발성 메모리 셀들중 하나의 셀을 치환하기 위한 치환수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 하나 이상의 메모리 셀 영역내의 상기 불휘발성 메모리 셀은 상기 주 메모리 셀 영역내의 상기 불 휘발성 메모리 셀과 구조 및 특성이 동일한 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 섹터가 다수의 그룹으로 분할되고, 불휘발성 메모리 셀의 매트릭스로 각각 구성되고 상기 섹터의 그룹과 각각 관련된 다수의 용장 메모리 셀 영역을 포함하고; 상기 치환 수단이 불량으로 선택된 불 휘발성 메모리 셀을, 상기 불량으로 선택된 불 휘발성 메모리 셀을 포함하는 섹터의 그룹과 관련된 용장 메모리셀 영역내의 불휘발성 메모리 셀로 치환하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 치환 수단이 상기 섹터의 그룹들중 한 그루과 관련된 용장 메모리 셀 영역을 초과할때에 소정의 불량으로 선택된 불휘발성 메모리 셀을 상기 섹터의 그룹들중 다른 한 그룹과 관련된 용장 메모리셀 영역들중 소정의 한 영역내의 불휘발성 메모리 셀들중 한 셀로 치환하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 치환 수단이 불량으로 선택된 불휘발성 메모리 셀의 드레인에 접속된 디지트 라인을 상기 하나 이상의 용장 메모리 셀 영역내의 불 휘발성 메모리 셀의 드레인에 접속된 디지트 라인으로 치환하는 수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 불휘발성 반도체 메모리 장치가 k개의 어드레스 라인, 1개의 행 어드레스 라인, m개의 데이타 버스, n개의 섹터 선택 라인, 용장 메모리 셀 영역 선택 라인, 및 용장 메모리 셀 데이타 버스를 포함하고, 상기 주 메모리 셀 영역의 상기 불휘발성 셀이 디지트 라인에 접속된 드레인, 상기 열 어드레스 라인에 접속된 게이트 및 제2소스 단자에 공통적으로 접속된 소스를 갖고, 상기 주 메모리 셀 영역이 상기 디지트 라인과 메모리셀 영역의 출력 노드 사이에 접속되고 각각의 행 어드레스 라인용 게이트를 갖는 행 어드레스 선택 트랜지스터를 포함하며, 상기 불휘발성 반도체 메모리 장치가 상기 출력 노드와, 상기 출력 모드에 대응하고 상기 섹터 선택라인에 각각 접속된 각각의 게이트를 갖는 데이타 버스사이에 각각 접속된 섹터 선택 트랜지스터를 더 포함하고, 상기 용장 메모리 셀 영역의 상기 불휘발성 메모리 셀이 용장 메모리 셀 디지트 라인에 공통적으로 접속된 드레인, 상기 열 어드레스 라인에 접속된 게이트 및 제2 소스 단자에 공통적으로 접속된 소스를 갖고, 상기 용장 메모리셀 영역이 상기 용장 메모리 셀 디지트 라인과 용장 메모리 셀 영역의 출력 노드 사이에 접속되고 행 어드레스라인에 각각 접속된 게이트를 갖는 행 어드레스 선택 트랜지스터를 포함하고, 상기 용장 메모리 셀 영역의 상기 출력 노드와 상기 용장 메모리 셀 데이타 버스 사이에 접속된 용장 메모리 셀 영역 선택 트랜지스터를 포함하고 상기 용장 메모리 셀 영역 선택 라인에 접속된 게이트를 갖는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 치환 수단이 치환될 불량으로 선택된 불 휘발성 메모리 셀을 포함하는 섹터들 중 한 섹터의 어드레스를 저장하기 위한 퓨즈를 갖고; 섹터 선택 라인을 디코딩시키기 위해 어드레스 데이다를 입력시키고 공급된 어드레스 데이타가 기입 해독 모드로 저장된 어드레스 데이타와 일치하는지를 검출하는 수단을 포함하는 용장 어드레스 회로, 불량으로 선택된 불휘발성 메모리 셀을 치환하기 위한 불휘발성 메모리 셀이 할당되는 출력 비트를 나타내는 데이타를 저장하기 위한 퓨즈를 갖는 용장 비트 회로, 공급된 어드레스 데이타가 상기 용장 어드레스 회로내에 저장된 데이타와 일치할 때 불량으로 선택된 불휘발성 메모리 셀을 치환하기 위해 용장 메모리셀 영역내의 불휘발성 메모리 셀을 선택하기 위한 라인에 선택적으로 예정된 전압을 기입 및 해독 모드로 선택적으로 가하기 위한 용장 억세스 회로, 및 불량으로 선택된 메모리 셀을 치환하기 위해 용장 메모리 셀 영역내의 불휘발성 메모리 셀로부터 해독되어 저장된 데이타를, 데이타가 상기 용장 비트 회로에 의해 저장되는 상기 출력비트에 대응하는 출력 버퍼 회로로 전송하는 제어 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체 메모리장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019920025605A 1991-12-27 1992-12-26 불휘발성 반도체 메모리 장치 KR950014802B1 (ko)

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