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KR920000137A - 불휘발성 반도체기억장치 - Google Patents

불휘발성 반도체기억장치 Download PDF

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KR920000137A
KR920000137A KR1019910002613A KR910002613A KR920000137A KR 920000137 A KR920000137 A KR 920000137A KR 1019910002613 A KR1019910002613 A KR 1019910002613A KR 910002613 A KR910002613 A KR 910002613A KR 920000137 A KR920000137 A KR 920000137A
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KR
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memory device
nonvolatile memory
insulating film
nonvolatile
floating gate
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KR1019910002613A
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Inventor
마사시 와다
Original Assignee
아오이 죠이치
가부시키가이샤 도시바
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Publication date
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Abstract

내용 없음.

Description

불휘발성 반도체기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예에 따른 불휘발성 반도체기억장치의 구성을 나타낸 단면도.
제2도는 본 발명에 따른 16M 비트의 기억용량을 갖춘 불휘발성 메모리장치를 나타낸 평면도.
제3도는 제1도의 I-I'선을 따르는 단면도.
제4도는 제3도에 도시된 불휘발성 메모리장치의 제조방법을 나타낸 단면도.
제5도 내지 제17도는 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 불휘발성 반도체기억장치를 설명하기 위한 도면.
제18도와 제19도는 각각 종래의 불휘발성 반도체기억장치를 설명하기 위한 단면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
301 : n형 실리콘기판 302 : p형 웰
303 : 제어게이트 304 : 공통소오스
305 : 드레인 306 : 부유게이트
307 : 메모리셀어레이

Claims (9)

  1. 제1도전형 반도체기판과, 이 반도체기판의 표면영역에 형성된 제2도전형 불순물영역, 이 불순물영역의 표면영역에 매트릭스형상으로 배치됨과 더불어 기능적으로 블럭을 구성하는 복수개의 불휘발성 기억소자 및, 상기 반도체기판의 표면영역에 형성됨과 더불어 상기 불휘발성 기억소자의 내용의 기록교체동작을 수행하는 경우 상기 불순물영역에 인가되는 전압과 상기 블럭을 구성하는 복수개의 불휘발성 기억소자의 공통소오스 또는 드레인에 인가되는 전압을 각각 제어하는 주변회로(312,1125)를 구비한 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 주변회로(312,1125)는 상기 불휘발성 기억소자의 내용의 소거동작을 수행하는 경우 상기 불순물영역에 인가되는 전압과, 선택되지 않은 블럭의 불휘발성 기억소자의 공통의 소오스 또는 드레인에 인가되는 전압이 선택된 블럭의 불휘발성 기억소자의 공통의 소오스 또는 드레인에 인가되는 전압보다도 낮게 되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 불순물영역은 소자분리용 도랑(1101,1303,1401,1501,1601,1704)에 의해 분리되어 있는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 불휘발성 기억소자의 내용의 소거동작을 수행하는 경우 상기 불순물영역에 인가되는 전압은 외부전원전압과 실질적으로 동등하고, 선택된 블럭의 불휘발성 기억소자의 공통소오스 또는 드레인에 인가되는 전압은 상기 외부전압을 내부승압회로(314,1127 ; 주변회로)에 의해 승압시킨 고전압인 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 불휘발성 반도체소자는 반도체기판상에 터널 전류가 흐르는 제1절연막을 매개하여 배치되는 부유게이트와, 이 부유게이트상에 제2절연막을 매개해서 배치되는 제어게이트를 갖춘 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 불휘발성 반도체소자는 반도체기판상에 제1절연막을 매개해서 배치되는 부유게이트와, 이 부유게이트와 상기 제어게이트의 측벽에 제3절연막을 매개해서 배치되는 한편, 상기 반도체 기관상에 제4절연막을 매개해서 배치되는 선택게이트를 갖춘 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 불휘발성 기억소자는 반도체기판상에 제1절연막을 매개해서 배치되는 부유게이트와, 이 부유게이트상에 제2절연막을 매개해서 배치됨과 더불어 일부가 상기 부유게이트에 의해 덮여지지 않은 채널영역상에 제3절연막을 매개해서 배치되는 제어게이트를 구비한 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 불휘발성 기억소자는 반도체기판상에 제1절연막을 매개해서 배치되는 부유게이트와, 이 부유게이트상에 제2절연막을 매개해서 배치되는 제어게이트로 이루어진 기억소자가 복수개 직렬로 접속되어 기본단위를 구성하고 있는 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 반도체기판은 n형 실리콘기판이고, 상기 불순물영역은 p형 웰인 것을 특징으로 하는 불휘발성 반도체기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910002613A 1990-02-23 1991-02-19 불휘발성 반도체기억장치 KR940005899B1 (ko)

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