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KR910009483B1 - 프린트회로기판의 제조방법 - Google Patents

프린트회로기판의 제조방법 Download PDF

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KR910009483B1
KR910009483B1 KR1019890004719A KR890004719A KR910009483B1 KR 910009483 B1 KR910009483 B1 KR 910009483B1 KR 1019890004719 A KR1019890004719 A KR 1019890004719A KR 890004719 A KR890004719 A KR 890004719A KR 910009483 B1 KR910009483 B1 KR 910009483B1
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KR
South Korea
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photoresist
pattern
printed circuit
circuit board
manufacturing
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이사오 고바야시
시게루 구보따
도시모또 모리와끼
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미쯔비시덴끼 가부시끼가이샤
시기 모리야
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Abstract

내용 없음.

Description

프린트회로기판의 제조방법
본 발명의 고밀도배선패턴을 갖는 프린트회로기판을 단기간에 효율 있게 제조하는 방법에 관한 것이다.
종래, 프린트회로기판은 구리를 얇게 적층한 적층판에 필요에 따라서 구멍뚫기, 스루홀도금에 의해서 스루홀을 형성한후 회로부분을 에칭포토레지스트로 보호하고, 회로의 불필요부분을 에칭에 의해 제거하는 방법으로 제조되어 왔다. 회로패턴이 고밀도화됨에 따라 에칭포토레지스트패턴은 사진제판을 사용해서 형성되도록 되었다. 이 경우 사용되는 에칭포토레지스트는 활성광 조사부분이 용제가 용해되지 않는 음성형 포토레지스트이다. 음성형 포토레지스트는 용제의 가용성분이 활성광의 에너지에 의해 가교반응을 일으켜 용제가 용해되지 않는 것으로 되기 때문에 가교되어 용제가 용해되지 않는 부분도 용제에 팽윤하기 쉽고, 고밀도 패턴을 형성하기 위한 에칭포토레지스트 패턴형성시에 문제를 일으킨다. 또, 음성형 포토레지스트의 경우 먼지나 마스크의 오염, 손상등이 있으므로 그 부분이 노출되지 않아 현상되고, 이어서 에칭되므로 단선을 일으킨다. 또, 스루홀내에는 활성광선이 좀처럼 조사되지 않아 마찬가지로 단선을 일으킨다. 이것에 대해서 양성형 포토레지스트에서는 원래 용매가 용해되지 않는 것을 활성광의 작용에 의해 가용화시키는 것이므로 현상용매에 의해서 팽윤하는 일 없이 미세한 패턴을 형성하는데 유리하다. 또, 먼지나 오염, 손상등에 의해 노출되지 않아도 그 부분은 에칭이 되지 않는 나머지로 되므로 한번 더 그 부분만을 에칭하는 것에 의해 수정이 가능하여 스루홀내에 활성광선이 조사되지 않아도 문제는 일어나지 않는다.
또, 사진제판을 행하기 위해서는 에칭포토레지스트 패턴과 역패턴의 음성 마스크를 미리 제작해 놓을 필요가 있으므로 프린트 회로기판의 제조효율이 저하하여 납기일을 지연시키는 원인의 하나로 되어 있다.
현재 프린트 회로기판 제조용에 양성형 포토레지스트를 사용한 예는, 예를들면 간행물(Printed Circuit World Convention iii, Technical Paper, 23(1984), Printed Circuit World Convention iv, 61(1987), 닛케이 신소재 1987년 1월 5일, p.10∼11)에 기재되어 있다.
또, 레이저 광을 주사하는 것에 의해서 패턴형성을 행하는 방법은, 예를들면 간행물(Electronics, 32(11), 17∼19(1986), Electron Pack Prod 25(6), 64∼68(1985), Printed Circuit World Convention iv, Technical Paper, 22(1987))에 기재되어 있다.
또한, 활성광선으로서 전자선 및 엑사이머 레이저를 프린회로기판제조에서 포토레지스트를 노출시의 광원으로 사용한 예는, 예를들면 간행물(레이저 과학연구, No. 8, 111(1986), 닛 케이 마이크로 디바이스, 1988년 2월호, p.115)에 기재되어 있다.
종래 양성형 포토레지스트를 사용한 경우에는 음성마스크가 필요하고, 또 상기 레이저 광을 패턴형성에 사용한 것은 사용되고 있는 레지스터가 음성형이므로 고밀도 배선패턴을 갖는 프린트회로기판을 단기간에 제조하는 목적에는 맞지 않는다. 또, 이들의 음성형 또는 양성형 포토레지스트는 통상적으로 광에 감광하므로 안정광하에서 작업할 필요가 있어 특별한 설비투자가 필요하고, 안전광은 황색 또는 적색이므로 작업자에의 부담을 증대하고 있다.
한편, 전자선 및 엑사이머 레이저를 포토레지스트 노출시의 광원으로서 사용한 경우 전자선은 현재 도료의 경화나 반도체 제조용의 포토레지스트 노출에 많이 사용되어 있는 유용한 활성광선의 하나로서, 비닐계 폴리머의 주사슬을 절단하여 이 폴리머를 양성형 포토레지스트로 하는 데 충분한 에너지를 갖는다. 또, 주사해서 광선을 조사할 수 있다는 이점도 갖는다. 엑사이머 레이저도 비닐계 폴리머의 주사슬을 절단하는데 충분한 에너지를 갖는 광원의 하나로서, 쇼트할 때마다 기판을 얹은 스테이지를 이동시키는 것에 의해 노출시킬 수가 있다. 또, 이들의 활성광선은 단파장이므로 이들 광에 감광하는 감광재료는 통상적으로 광밑에서 취급할 수가 있다. 그러나 양자를 프린트회로기판제조에서 포토레지스트 노출시의 광원으로서 사용한 상기 종래예에 사용한 포토레지스트는 음성형이고, 미세한 패턴형성에는 맞지 않는다는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은 이와 같은 문제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 수루홀이 있어도 균일하게 확실하게 단기간에 고밀도배선 패턴을 갖는 프린트회로기판의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 프린트회로기판의 제조방법은 구리를 얇게 적층한 적층판에 양성형 포토레지스트를 전기코팅으로 부착시키는 공정, 이 포토레지스트에 활성광선을 조사하는 것에 의해 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정 및 포토레지스트패턴을 에칭포토 레지스트로서 에칭을 도체회로 패턴을 형성하는 공정을 실행하는 것이다.
본 발명의 다른 방법인 프린트 회로기판의 제조방법은 박에 양성형 포토레지스트층을 도포형성하고, 이 막을 양성형 포토레지스트층을 구리로 얇게 적층한 적층판측으로 해서 열압착하는 공정, 상기 포토레지스트에 활성광선을 조사하는 공정, 상기 막을 박리하는 공정, 조사된 포토레지스트를 제거해서 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정 및 이 포토레지스트 패턴을 에칭포토 레지스트로서 에칭을 행하여 도체회로패턴능 형성하는 공정을 실행하는 것이다.
본 발명에서는 양성형 포토레지스트를 사용해서 도체회로패턴을 형성할 때에 활성광선을 사용하여 노출하도록 한 것에 의해 스루홀 안쪽벽은 포토레지스트에 의해 완전히 코팅되어 스루홀로의 포토레지스트의 불완전한 침입이 일어나지 않고, 스루홀이 있어도 소기의 목적을 달성할 수 있고, 또 음성마스크가 불필요하게되므로 이 음성마스크를 사용한 고정을 생략할 수 있고, 그것으로서 패턴을 단기간으로 형성할 수 있다.
또, 본 발명의 다른 발명의 있어서, 막위에 미리 양성형 포토레지스트층을 형성하고, 이 막을 양성형 포토레지스트층을 구리로 얇게 적층한 적층판측으로 해서 열압착하는 것에 의해 포토레지스트는 스루홀 구멍의 상하를 덮는(텐팅)것에 의해 스루홀이 있어도 소기의 목적을 달성할 수 있다.
이하 본 발명의 실시예인 프린트회로기판의 제조방법에 대해서 설명한다.
글라스에폭시 적층판, 글라스 폴리이미드 적층판, 종이페놀기판과 같은 프린트회로기판제조에 많이 사용되고 있는 구리를 얇게 적층한 적층판에 필요에 따라서 드릴링, 펀칭등의 방법을 사용해서 구멍을 뚫고, 무전해도금이나 전기도금에 의해 상하면에 전기적 도통구멍(스루홀)을 형성하고, 이 기판에 양성형 포토레지스트를 부착시키는 방법으로서는 스핀코트, 롤러코트, 디프코트, 바코트와 같은 일반적인 도포방법은 아니고, 예를들면 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 테레프타레이트, 폴리비닐 알콜과 같은 투명막위에 미리 양성형 포토레지스트 용액을 도포, 건조해서 양성형 포토레지스트층을 마련하고, 양성형 포토레지스트층을 구리를 얇게 적층한 적층판측으로 해서 열압착하는 방법(건식막의 적층)이나 포토레지스트 수지를 수용화 또는 수분산화해서 전기코팅으로 도포하는 방법을 들 수 있다. 이들의 방법에서는 액체형상의 포토레지스트 도포시에 일어나는 스루홀로의 포토레지스트의 불완전한 침입이 일어나지 않는다. 즉, 건식막의 적층에서 포토레지스트는 스루홀구멍의 상하를 덮는다(텐팅). 또, 전기코팅의 경우 스루홀의 안쪽벽은 포토레지스트로 완전히 코팅된다. 본 발명에서 사용되는 양성형 포토레지스트로서는 활성광 조사에 의해 주사슬의 절단이 일어나는 비닐계 폴리머를 들 수 있다.
이와 같은 폴리머의 구체적인 예로서는 메틸메타크릴레이트(MMA), 부틸메타크릴레이트, 아크릴산, 메타크릴산, 아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, 메틸메타크릴로니트릴, 이소부틸렌, 스티렌, α－메틸스티렌, 메틸 이소프로페닐케톤, 아크릴아미드, 메타크릴아미드, α－시아노에틸아크릴레이트, 인데논, p－메톡시페닐이소프로페닐케톤, 헥사플루오르부틸메타크릴레이트, 디메틸테트라 플루오르프로필메틸메타크릴레이트, 트리클로로에틸메타크릴레이트, 트리플루오르 에틸메타크릴레이트, 메틸－a－클로로아크릴레이트, 에틸－a－시아노아크릴레이트, 에틸－a－카르복시아미드아크릴레이트, 트리플루오르에틸－a－클로로아크릴레이트, 초산비닐등의 비닐모노머의 중합체, 또는 이들 모노머의 공중합체 및 부탄 1과 2산화유황의 공중합체(폴리부탄－1－술폰, PBS)를 들 수 있다. 이중에서 특히 바람직한 것으로서는 막으로서의 평활성을 갖고, 1.1.1－트리클로로에탄을 주성분으로 하는 용매 또는 알카리수용액으로 현상이 가능하고, 과황산암모늄, 염화제2철등의 에칭액에 견디며, 최종적으로 박리할 수 있는 것으로서, 비닐계 폴리머에서 분자량 5000 내지 100만의 것을 들 수 있다. 비닐계 폴리머의 분자량이 5000보다 작은 경우는 평활한 도포막을 얻는 것이 곤란하고, 또 100만이상인 경우는 현상성, 박리성에 문제가 발생한다.
나프토퀴논디아지드계 레지스트는 자외광 또는 짙은 자외광에 감광하는 양성형 레지스트로서 널리 알려지고 있지만 전자선 및 엑사이며 레이저의 작용에 의해서도 양성형포토레지스트로 될 수 있다. 이들의 양성형포토레지스트에는 기판의 구리막과의 밀착성을 향상시키기 위해서 질소, 유황등의 헤테로 원자를 포함하는 화합물이나 양호한 막상태로 하기 위한 가소제, 착색제 등을 첨가하는 것이 바람직하다.
상술한 헤테로 원자를 포함하는 화합물로서는 벤조티아졸, 벤조트리아졸, 벤조이미다졸, 아미다졸린, 티아졸린 및 이들의 유도체를 들 수 있다. 가소제로서는 프틸산에스테르류, 지방산에스테르류, 에폭시화대두유, 인산에스테르류등을들 수 있다. 착색제로서는 에틸바이롤레트, 크리스탈바이올레트, 메틸렌블루등의 유기염료, 프탈로시아닌 그린등의유기안료를 들 수 있다. 다음에 이들의 양성형 포토레지스트를 부착시킨 기기염료, 프탈로시아닌 그린등의유기안료를 들 수 있다. 다음에 이들의 양성형 포토레지스트를 부착시킨 기판에 전자선 또는 엑사이며 레이저를 디지탈화된 프린트 기판의 도체 패턴의 데이타에 따라 주사해서 조사하여 회로가 불필요한 부분의 레지스트를 용매 가용의 상태로 하였다. 엑사이머 레이저광의 파장영역으로서는 200∼400mm, 바람직하게는 250∼350mm를 들 수 있고, 특히 바람직한 것으로서는 XeCl,XeF,KrF 레이저를 들수 있다. 이어서 1.1.1－트리클로로 에탄계의 용제 또는 알카리 수용액을 스프레이하는 것에 의해 현상처리를 행하여 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 이 포토레지스트 패턴을 에칭포토레지스트로서 에칭처리를 행하고, 이후 레지스트를 박리해서 도체호로 패턴을 형성하였다.
또한, 건식막을 사용한 경우는 활성광선을 조사하기 전, 또는 후에 막을 박리할 필요가 있다.
다음에 본 발명을 실시예에 의해 구체적으로 설명한다.
여기에 제시되는 실시예는 실시상태를 나타내는 것으로서, 본 발명은 이들에 의해 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1]
(1) 기판의 구멍 뚫기, 스루홀도금
두께 50미크롱의 구리박을 양면에 적층한 두께 1mm의 글라스에폭시 적층판에 스루홀, 부품구멍용의 구멍 뚫기를 행하고, 전체에 도금핵을 부여한 후 무전해도금, 전기도금을 행해서 구멍내에 25미크롱의 구리를 석출시켰다.
(2) 건식막의 제작
평균분자량 약 100만의 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 100부와 디옥틸프탈레이트 10부를 메틸에틸케톤(MEK) 50부에 용해하였다. 이 용액을 두께 25미크롱의 폴리에틸렌테레프타레이트 막위에 도포하고, 상온에서 20분, 70℃에서 5분 건조시켜서 두께 10미크롱의 막형상물을 얻었다.
(2) 건식막의 적층
상기 막을 80℃로 예열한 상기 적층판의 양면에 80℃의 열롤을 사용해서 압착하였다. 이후 레지스트층상의 폴리에틸렌테레프타레이트 막을 분리하였다.
(4) 포토레지스트 패턴형성
이 기판에 전자선을 배선패턴에 따라 조사하고, 1.1.1－트리클로로에탄으로 현상해서 포토레지스트 패턴을 형성하였다.
(5) 도체회로형성
이 포토레지스트 패턴을 에칭포토 레지스트로서 35 내지 40℃의 염화제2철부식제를 1.5kg/㎠에서 60내지 90초간 스프레이해서 에칭을 행하고, 메틸렌클로라이드에 의해 포토레지스트 박리를 행해서 도체회로 폭을 80미크롱의 배선패턴을 형성하였다.
[실시예 2]
(1) 수분의 분산전기코팅도료의 합성
380g의 탈이온수에 질소가스에 의해 산소퍼어즈를 행한후 50g의 아크릴로니트릴, 20g의 이소부틸렌, 20g의 에틸아크릴레이트, 5g의 메타크릴아미드와 1g의 라우릴술폰산나트륨을 가해서 70℃에 가열하였다. 이속에 0.3g의 과항산칼륨, 0.1g의 황산수소나트륨을 20g의 탈이온수에 용해해서 가하고, 70℃에서 3시간 반응시켜 수분의 분산전기코팅도료를 얻었다.
(2) 포토레지스트의 전기코팅
상기 도료를 사용해서 실시예 1의(1)과 마찬가지의 방법으로 스루홀을 형성한 글라스에폭시 적층판을 양극으로서 50 내지 100V에서 1에서 3분간 전기코팅을 행하고, 80℃에서 30분간 건조하여 10미크롱의 포토레지스트 도포막을 얻었다.
(3) 이 포토레지스트 도포막에 실시예 1의(4)와 마찬가지의 방법으로 레지스트 패턴능 형성하고, 실시예1의(5)와 마찬가지의 방법으로 에칭, 레지스트 박리를 행해서 도체회로폭 50미크롱의 배선패턴을 형성하였다.
[실시예 3]
(1) 수분의 분산전기 코팅도료의 합성
380g의 탈이온수에 질소가스를 버블링하여 용해해 있는 산소를 제거하였다. 이속에 10g의 에틸아크릴레이트, 1g의 메타크릴산, 1g의 라우릴술폰산나트륨을 가하여 70℃에 가열하였다. 이 속에 10g의 탈이온수에 용해한 과황산칼륨 0.1g, 황산수소나트륨 0.03g을 가하였다. 70℃에서 30분 반응후 0.3g의 과황산칼륨, 0.1g의 황산수소나트륨을 가하고, 이어서 50g의 아크릴로니트릴, 30g의 이소부틸렌, 4g의 메타크릴산을 30분 거려서 적하하고 65℃에서 4시간 반응시켜서 수분한 전기코팅도료를 얻었다.
(2) 상기 도료를 사용해서 실시예 2의 (2)와 마찬가지의 방법으로 80미크롱의 회로패턴폭을 갖는 프린트회로기판을 작성하였다.
[실시예 4]
(1) 건식막의 제작
평균분자량 20만의 메타크릴산메틸/메타크릴산의 10/2의 공중합체 100부와 에폭시스테아린산부틸 15부를 MEK 50부에 용해하였다. 이 용액을 사용해서 실시예 1의 (2)와 마찬가지의 방법으로 두께 15미크롱의 막형상물을 얻었다.
(2) 건식막의 적층
실시예 1의(1)과 마찬가지의 방법으로 구멍 뚫기, 스루홀도금을 행한 글라스 에폭시 적층판을 80℃에 예열하고, 100℃의 롤을 사용해서 상술한 건식막을 적층하였다.
(3) 포토레지스트의 노출현상
상술한 건식막을 적층한 기판에 KrF 레이저를 조사전체 에너지가 70mm/㎠으로 되도록 조사한 후 2%의 KOH 수용액으로 현상처리를 행하였다.
(4) 구리박의 에칭, 포토레지스트의 박리
이상과 같이 해서 포토레지스트 패턴을 형성한 기판을 실시예 1의(5)와 마찬가지의 방법으로 에칭을 행하고, 이어서 염화메틸렌을 사용해서 포토레지스트를 박리하는 것에 의해 폭 50미크롱의 도체회로 패턴을 형성하였다.
[실시예 5]
(1) 포토레지스트의 전기코팅
실시예 2의 (1)에서 합성한 수분분산 전기코팅도료를 사용해서 실시예 2의 (2)와 마찬가지의 방법으로, 실시예 1의(1)과 마찬가지의 방법으로 제작한 기판상에 포토레지스트를 부착시켰다.
(2) 이 포토레지스트상에 XeF 레이저를 전체조사에너지가 30mJ/㎠로 되도록 조사하였다. 이어서, 1.1.1－트리클로로에탄을 스프레이해서 현상을 행한 후 에칭, 포토레지스트 박리를 행해서 폭 70미크롱의 배선패턴을 형성하였다.
[실시예 6]
(1) 건식막의 작성
시판하는 나프토퀴논 디아지드계 포토레지스트(상품명 AZ 1350, 십프레이사제품)를 PET 막상에 건조한후의 두께가 5미크롱으로 되도록 도포, 건조를 행하는 건식막으로 하였다.
(2) 건식막의 적층
이 건식막을 실시예 1의(1)과 마찬가지로 해서 작성한 스루홀을 갖는 기판상에 100℃의 열롤을 사용해서 래미네이트하였다.
(3) 포토레지스트 패턴형성
이 기판에 PET막을 박리한 후 전자선을 배선패턴에 따라 조사하고, 테트라 메틸암모늄 수용액을 사용해서 현상처리를 행하였다.
(4) 도체회로 형성
이 포토레지스트 패턴을 에칭포토 레지스트로서 실시예 1의(5)와 마찬가지 방법을 사용해서 에칭을 행하여 도체회로패턴을 형성하였다.
[실시예 7]
(1) 건식막의 작성
폴리부탄－1－술폰 100부와 에폭시스테아린산부틸 5부, 에틸바이오레트 0.5부를 2－메톡시에틸아세테이트 100부에 용해하였다. 이 용액을 사용해서 실시예 1의(2)와 마찬가지의 조작을 행하여 두께 5미크롱의 막형상물을 얻었다.
(2) 건식막의 적층
실시예 1의(1)과 마찬가지로 해서 작성한 스루홀을 갖는 기판을 80℃로 예열한 후 상기(1)에서 얻는 막형상물을 80℃에서 래미테이트하였다.
(3) 패턴형성
상술한 건식막을 적층한 기판에 지지체막을 박리한후 전자선을 배선패턴에 따라 조사하고, 이어서 1.1.1－트리클로로 에탄올 스프레이해서 현상처리를 행하여 포토레지스트패턴을 형성하였다.
(4) 구리박의 에칭, 포토레지스트의 박리
이상과 같이 해서 형성한 포토레지스트 패턴을 에칭포토레지스트로 에칭을 행하고, 디클로로메탄에 의해 포토레지스트를 박리해서 폭 30미크롱의 배선패턴을 형성하였다.
[비교예 1]
시판하는 음성형에칭용 건식막포토레지스트를 실시예 1의(1)과 마찬가지의 방법으로 제작한 스루홀을 갖는 기판에 래미네이트하여 음성마스크를 거쳐서 자외광을 조사하고, 이어서 현상처리를 행해서 도체회로폭이 70미크롱으로 되는 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 이 포토레지스트 패턴에는 부분적으로 현상의 포토레지스트의 팽윤에 기인하는 포토레지스트 패턴의 박리가 발견되었다.
[비교예 2]
시판하는 음성형 액상에칭용 포토레지스트를 실시예 1의 (1)과 마찬가지로 제작한 기판상에 전면에 롤코터를 사용해서 도포하였다. 건조후 음성마스크를 거쳐서 자외광을 조사하여 현상처리를 행해서 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 이 포토레지스트 패턴을 에칭포토레지스트로서 에칭을 행한 결과 포토레지스트의 스루홀로의 침입이 불완전하고, 스루홀내의 포토레지스트에 자외광이 불완전하게 조사되므로, 스루홀내가 포토레지스트로 완전히 마스킹되어 있지 않았던 것에 기인하는 스루홀의 단선이 생겼다.
이상 기술한 바와 같이 음성형 포토레지스트를 사용한 경우 고밀도 패턴이 형성불가능한 것은 명백하다.
또, 음성 마스크를 거쳐서 광조사하는 경우는 음성마스크를 제작하기 위해 시간이 필요하므로 프린트 회로기판의 제작에 필요한 시간을 길게 하는 것은 명백하다.
이상 설명한 바와같이 본 발명은 구리로 얇게 적층한 적층판에 양성형 포토레지스트를 전기코팅으로 부착시키는 공정, 이 포토레지스트에 활성광선을 조사하는 것에 의해 포토레지스트패턴을 형성하는 공정 및 이 포토레지스트패턴을 에칭포토레지스트로서 에칭을 행하여 도체회로패턴을 형성하는 공정을 실행하는 것에 의해 스루홀이 있어도 균일하게 확실하게 단시간에 고밀도 배선패턴을 갖는 프린트회로기판의 제조방법을 얻을 수가 있다.
또, 본 발명의 다른 발명은 막에 양성형 포토레지스트층을 도포형성하고, 이 막을 양성형 레지스트층을 구리로 얇게 적층한 적층판 측으로 해서 열압착하는 공정, 상기 포토레지스트에 활성광선을 조사하는 공정, 상기 막을 박리하는 공정, 조사된 포토레지스트를 제거해서 포토레지스트 패턴을 형성하고 공정 및 이 포토레지스트 패턴을 에칭 포토레지스트로서 에칭을 행하여 도체회로패턴을 형성하는 공정을 실행하는 것에 의해 균일하고 확실하게 단시간에 고밀도 배선패턴을 갖는 프린트회로기판의 제조방법을 얻을 수가 있다.

Claims (8)

  1. 구리를 얇게 적층한 작층판에 양성형 포토레지스트를 전기코팅으로 부착시키는 공정, 상기 포토레지스트에 활성광선을 조사하는 것에 의해 포토레지스트 패턴을 형성하는 공정, 및 상기 포토레지스트 패턴을 에칭포토레지스트로서 에칭을 행하여 도체회로패턴을 형성하는 공정을 실행하는 프린트회로기판의 제조방법.
  2. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 양성형 포토레지스트는 비닐계 폴리머인 것을 특징으로 하는 프린트회로기판의 제조방법.
  3. 특허청구의 범위 제2항에 있어서, 상기 비닐계 폴리머의 분자량은 5000∼100만인 것을 특징으로 하는 프린트회로기판의 제조방법.
  4. 특허청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 구리를 얇게 적층한 적층판에는 스루홀이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 프린트회로기판의 제조방법.
  5. 막에 양성형 포토레지스트층을 도포형성하고, 상기 막을 양성형 포토레지스트층을 구리를 얇게 적층한 적층판 측으로 해서 열압착하는 공정, 상기 포토레지스트에 활성광선을 조사하는 공정, 상기 막을 박리하는 공정, 조사된 포토레지스트를 제거해서 포토레지시트 패턴을 형성하는 공정 및 상기 포토레지스트 패턴을 에칭포토레지스트로서 에칭을 행하여 도체회로패턴을 형성하는 공정을 실행하는 프린트회로기판의 제조방법.
  6. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 양성형 포토레지스트는 비닐계 폴리머인 것을 특징으로 하는 프린트회로기판의 제조방법.
  7. 특허청구의 범위 제6항에 있어서, 상기 비닐계 폴리머의 분자량은 5000∼100만인 것을 특징으로 하는 프린트회로기판의 제조방법.
  8. 특허청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 구리를 얇게 적층한 적층판에는 스루홀이 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 프린트회로기판의 제조방법.
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