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KR900013522A - 반도체 불휘발성 기억장치와 그것을 사용한 정보처리시스템 - Google Patents

반도체 불휘발성 기억장치와 그것을 사용한 정보처리시스템 Download PDF

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KR900013522A
KR900013522A KR1019900000592A KR900000592A KR900013522A KR 900013522 A KR900013522 A KR 900013522A KR 1019900000592 A KR1019900000592 A KR 1019900000592A KR 900000592 A KR900000592 A KR 900000592A KR 900013522 A KR900013522 A KR 900013522A
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semiconductor nonvolatile
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고이찌 세끼
다께시 와다
다다시 무또
가즈요시 쇼지
야스로 구보따
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미다 가쓰시게
가부시끼가이샤 히다찌세이사꾸쇼
오노 미노루
히다찌초 엘 에스 아이엔지니어링 가부시끼가이샤
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Publication date
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  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 불휘발성 기억장치와 그것을 사용한 정보처리시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명이 적용된 EEPROM의 1실시예를 도시한 메모리어레이부의 회로도와 주변회로의 블럭도,
제3도는 소거제어회로 LOGC의 구체적인 1실시예의 회로도,
제6도, 제7도는 타이밍제거회로 CNTR의 구체적인 1실시예의 회로도,
제10도는 소거회로 ERC의 1실시예를 도시한 회로도.

Claims (19)

  1. 각각 1개씩 워드선, 데이타선의 교차점에서 1개의 메모리셀이 구성되고, 상기 메모리셀이 전기적으로소거가능한 불휘발성 기억장치에 있어서, 외부에서의 소거지시에 따라서 소거동작을 개시하고, 그 후는 외부에서의 어드레스신호, 입력데이타, 제어신호에 관계없이 자동적으로 소거가 실행되고, 상기 소거가 완료된 다음 외부에서의 어드레스신호, 입력데이타, 제어신호에 의해 바라는 동작이 가능하게 되는 반도체 불휘발성 기억장치.
  2. 특허 청구의 범위 제1항에 있어서, 상기 소거증, 소거모드를 중단 또는 종료시키지 않고, 외부에서의 제어신호에 의해 소거중인가, 소거종료인가의 판정신호를 외부로 송출하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  3. 행 및 열로 되는 매트릭스 형상으로 배치되어서 이루어지고, 전기적으로 라이트, 소거가 가능한 불휘발성 메모리이며, 상기 소거에서 리드사이클시간 이하의 단일 펄스를 입력하는 것에 의해 소거를 개시하고, 그 후는 외부에서의 어드레스, 데이타, 제어신호의 입력에 관계 없이 자동적으로 소거를 행하고, 상기 소거가 종료된 다음에 외부에서의 어드레스, 데이타, 제어신호의 입력에 관계없이 자동적으로 소거를 행하고, 상기 소거가 종료된 다음에 외부에서의 어드레스, 데이타, 제어신호를 받아들이는 반도체 불휘발성 기억장치.
  4. 행 및 열로 되는 매트릭스 형상으로 배치되어서 이루어지고, 전기적으로 라이트, 소거가 가능한 불휘발성메모리를 포함하고, 마이크로프로세서와 시스템버스에 의해 접속된 정보처리시스템에 있어서, 상기 소거에서 리드사이클 이하의 단일펄스를 입력하는 것에 의해 소거를 개시하고, 그 후는 시스템버스에서의 어드레스,데이타, 제어신호에 관계없이 자동적으로 소거를 실행하고, 상기 소거가 종료된 다음에 시스템버스에서의 신호를 받아들이는 반도체 불휘발성 기억장치를 포함하는 정보처리시스템.
  5. 전기적으로 소거가능하게 된 불휘발성 기억소자가 매트릭스형상으로 배치되어서 이루어지는 메모리어레이와 외부에서의 소거동작의 지시에 따라서 소거동작을 실행한 다음에 대응하는 메모리셀을 적어도 1회의 리등동작을 실행하고, 상기 리드정보에 따라서 소거동작의 계속, 정지를 제어하는 소거제어회로를 구비해서 이루어지는 반도체 불휘발성 기억장치.
  6. 특허 청구의 범위 제5항에 있어서, 상기 소거 제어회로는 상기의 소거동작에 앞서서 전체 메모리셀에 대해서 라이트하는 프리라이트기능을 갖는 반도체 불휘발성 기억장치.
  7. 특허 청구의 범위 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 메모리셀은 플로팅게이트와 콘트롤 게이트의 2층 게이트구조를 갖는 MOSFET이며, 플로팅게이트에 축적된 정보전하를 터널현상을 이용해서 소오스, 드레인 또는 웰로 인출하는 것에 의해 전기적으로 소거되는 것인 반도체 불휘발성 기억장치.
  8. 특허 청구의 범위 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 메모리어레이를 구성하는 메모리셀은 메모리어레이 전체 또는 그 일부의 메모리셀군의 소오스, 드레인이 공통화되고, 공통화된 메모리셀마다 일괄해서 전기적인 소거동작을 실행하는 것인 반도체 불휘발성 기억장치.
  9. 특허 청구의 범위 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 소거제어회로는 메모리셀을 선택하기 위한 어드레스 발생회로를 포함하는 반도체 불휘발성 기억장치.
  10. 특허 청구의 범위 제5항 또는 제6항에 있어서, 상기 소거의 계속, 정지를 제어하기 위한 메모리셀의 리드동작은 콘트롤게이트에 전달되는 워드선의 선택전위를 비교적 낮은 전위로 설정해서 실행되는 것인 반도체 불휘발성 기억장치.
  11. 특허 청구의 범위 제10항에 있어서, 상기 워드선의 선택전위를 비교적 낮은 전위로 설정하기 위한 동작전압은 기준전압 발행회로에서 형성된 기준전압을 받고, 이득설정용 저항소자에 따라서 바라는 출력전압으로 변환하는 제1의 연산증폭회고, 상기 제1의 연산증폭회로의 출력신호를 받아서 출력전압을 형성하는 전압추종 형태의 제2연산증폭회로의 출력단자에서 얻는 것인 반도체 불휘발성 기억장치.
  12. 전기적으로 소거가능하게 된 불휘발성 기억소자가 매트릭스 형상으로 배치되어서 이루어지는 메모리어레이, 외부에서의 소거동작의 지시에 따라서 소거동작을 실행한 다음에 대응하는 메모리셀을 적어도 1회의 리드동작을 실행하고 그 리드정보에 따라서 소거동작의 계속, 정지를 제어하는 소거제어회로, 외부에서의 지시에 따라 소거동작의 계속, 정지등의 내부상태를 외부로 출력시키는 기능을 갖는 출력회로를 구비해서 이루어지는 반도체 불휘발성 기억장치.
  13. 전기적으로 소거가능하게 된 불휘발성 기억소자가 매트릭스 형상으로 배치되어서 이루어지는 메모리어레이, 외부에서의 소거동작의 지시에 따라서 소거동작을 실행한 다음에 대응하는 메모리셀을 적어도 1회의 리드동작을 실행하고 그 리드 정보에 따라서 소거동작의 계속, 정지를 제어하는 소거제어회로, 소거동작의 계속, 정지등의 내부 상태를 외부로 출력시키는 기능을 갖는 출력회로를 구비해서 이루어지는 반도체 불휘발성 기억장치, 소정의 정보처리기능을 갖는 마이크로프로세서, 상기 반도체 불휘발성 기억장치와 마이크로프로세서를 접속하는 시스템버스를 포함하고, 상기 반도체 불휘발성 기억장치는 상기 마이크로프로세서에서의 소거 지시에 따라서 마이크로프로세서와 분리된 상태에서 내부의 소거제어회로에 의해 자동적으로 소거동작을 실행하는 정보처리시스템.
  14. 특허 청구의 범위 제13항에 있어서, 상기 마이크로프로세서는 반도체 불휘발성 기억장치에 대해서 상기 출력회로를 이용해서 내부상태의 출력을 지시해서 소거동작의 완료의 유무를 판정하는 정보처리 시스템.
  15. 1개의 게이트 신호선(워드선)과 1개의 드레인신호선(데이타선)에 의해 선택되고, 전기적으로 소거 가능하게 된 불휘발성 기억소자가 매트릭스형상으로 배치되어서 이루어지는 메모리어레이를 갖고, 외부에서의 소거지시에 따라서 소거동작을 개시하고, 그 후는 외부에서의 어드레스신호, 입력데이타, 제어신호에 관계없이 자동적으로 소거가 실행되고, 상기 소거가 완료된 다음 외부에서의 어드레스신호, 입력데이타, 제어신호에 의해 바라는 동작이 가능하게 되는 반도체 불휘발성 기억장치.
  16. 특허 청구의 범위 제15항에 있어서, 상기 소거중, 소거모드를 중단 또는 종료시키지 않고 외부에서의 제어신호에 의해 소거중인가 소거종료인가를 판정하는 신호를 외부로 송출하는 것인 반도체 불휘발성 기억장치.
  17. 1개의 게이트신호선(워드선)과 1개의 드레인신호선(데이타선)에 의해 선택되고, 전기적으로 소거 가능하게 된 불휘발성 기억소자가 매트릭스형상으로 배치되어서 이루어지는 메모리어레이를 갖고, 외부에서의 소거동작의 지시에 따라서 소거동작을 개시하고, 그 후는 외부에서의 어드레스신호, 입력데이타, 제어신호에 관계없이 자동적으로 소거가 실행되고, 상기 소거가 완료된 후 외부에서의 어드레스신호, 입력데이타, 제어신호에 의해 바라는 동작이 가능하게 되는 반도체 불휘발성 기억장치, 소정의 정보처리기능을 갖는 마이크로프로세서, 상기 반도체 불휘발성 기억장치와 마이크로 프로세서를 접속하는 시스템버스를 포함하고, 반도체 불휘발성 기억장치는 상기 마이크로프로세서에서의 소거지시에 따라 마이크로 프로세서와 분리된 상태에서 내부의 소거제어회로에 의해 자동적으로 소거동작을 실행하는 정보처리시스템.
  18. 특허 청구의 범위 제17항에 있어서, 상기 반도체 불휘발성 기억장치는 상기 소거중, 소거 모드를 종료시키지 않고 외부에서의 제어신호에 의해 소거중인가 아닌가를 판정하는 신호를 외부로 송출하는 것인 정보처리시스템.
  19. 특허 청구의 범위 제17항에 있어서, 상기 마이크로프로세서는 반도체 불휘발성 기억장치에 대해서 상기 소거중, 소거모드를 종료시키지 않고, 외부에서의 제어시호에 의해 소거중인가 아닌가를 판정하는 신호를 외부로 송출하는 기능을 이용해서 내부상태의 출력을 지시해서 소거동작의 완료의 유무를 판정하는 정보처리시스템.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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