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KR900010528A - 전환 가능한 전류 발생기를 구비한 집적 회로 - Google Patents

전환 가능한 전류 발생기를 구비한 집적 회로 Download PDF

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KR900010528A
KR900010528A KR1019890019609A KR890019609A KR900010528A KR 900010528 A KR900010528 A KR 900010528A KR 1019890019609 A KR1019890019609 A KR 1019890019609A KR 890019609 A KR890019609 A KR 890019609A KR 900010528 A KR900010528 A KR 900010528A
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KR
South Korea
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current
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integrated circuit
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Abandoned
Application number
KR1019890019609A
Other languages
English (en)
Inventor
바르부 스테팡
모리슨 리챠드
Original Assignee
프레데릭 얀 스미트
엔.브이.필립스 글로아이람 펜파브리켄
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 프레데릭 얀 스미트, 엔.브이.필립스 글로아이람 펜파브리켄 filed Critical 프레데릭 얀 스미트
Publication of KR900010528A publication Critical patent/KR900010528A/ko
Abandoned legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is DC
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/22—Regulating voltage or current wherein the variable is DC using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations wherein the transistors are of the bipolar type only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
    • H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
    • H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
    • H03K17/66—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will
    • H03K17/665—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only
    • H03K17/666—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only the output circuit comprising more than one controlled bipolar transistor
    • H03K17/667—Switching arrangements for passing the current in either direction at will; Switching arrangements for reversing the current at will connected to one load terminal only the output circuit comprising more than one controlled bipolar transistor using complementary bipolar transistors

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  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
  • Amplifiers (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

전환 가능한 전류 발생기를 구비한 집적 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 실시예의 도시도, 제2도는 본 발명에 따라 수정된 회로의 도시도.

Claims (8)

  1. 최소 제1 또는 전류 공급 모드 및 제2 또는 고 임피던스 모드를 가지는 전환 가능한 전류 발생기를 구비하는 집적 회로에 있어서, 제1 및 제2 브랜치를 갖는 전류 미러로 구성된 제1단과, npn형 제1 및 제2 트랜지스터(T1,T2)로 구성된 차동쌍을 구비하는 제2단을 구비하며, 상기 npn형 트랜지스터의 에미터는 서로 접속되어 있으며 소정의 크기 전류를 공급하는 제1전류원(R10,T10)에 접속되며, 콜렉터는 전류 미러의 제1 및 제2 브랜치에 각각 접속되어 있으며, 상기 제1의 트랜지스터(T1)의 콜렉터는 전환가능한 전류 발생기 출력을 형성하며, 상기 제1 및 제2 트랜지스터(T1,T2)에 접속된 npn형 제3의 트랜지스터로 구성된 전환 가능한 제2의 전류원(R20,T20)을 구비하며, 상기 전류원은 전류 공급 상태 및 동작하지 않는 상태를 가지며, 상기 제1 모드에서 상기 제2 전류원(R20,T20)은 동작되지 않는 상태로 셋되고 제2단은 제1의 트랜지스터(T1)가 거의 비전도 상태로 되도록 불평형이 되며, 상기 제2모드에서 상기 제2전류원(R20,T20)은 전류 공급 상태로 셋되며 제2단은 평형을 형성하도록 구성된 전환 회로(LC)를 구비하며, 제1 및 제2전류원 전류는 거의 동일한 것을 특징으로 하는 전환가능한 전류 발생기를 구비한 집적회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 트랜지스터의 베이스는 각각의 제1(R1) 및 제2(R2)레지스터를 통해 기준전압(VREF)원에 접속되어 있으며, 전류 공급 상태 및 동작하지 않는 상태를 가지며 제1의 트랜지스터(T1) 베이스에 접속된 제어가능한 제3의 전류원을 구비하며, 상기 전환 회로(LC)는 제1 모드에서 그것의 전류 공급 상태로 셋되고 제2모드에서 동작하지 않는 상태로 셋되도록 제3의 전류원을 제어하기 위한 수단을 구비하는 것을특징으로 하는 전환가능한 전류 발생기를 구비한 집적회로.
  3. 앞의 항중 어떤 한 항에 있어서, 제3의 모드를 얻기 위하여, 상기 회로는 전류 공급 상태 및 동작하지않는 상태를 가지며 상기 제1의 트랜지스터(T1)의 콜렉터에 접속된 제어 가능한 npn형 제4의 전류원(R40,T40)을 구비하는 것을 특징으로 하는 전환 가능한 전류 발생기를 구비한 집적회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전환 회로는 제3의 모드에서 상기 제2(R20,T20) 및 제4의 (R40,T40)전류원이 전류 공급상태에 있고 제2의 단이 평행 상태로 형성되어 구성된 것을 특징으로 하는 전환가능한 전류 발생기를 구비한 집적회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제4의 전류원(R40,T40)의 전류는 거의 제1의 전류원 (R10,T10)의 전류와 거의 동일한 것을 특징으로 하는 전환가능한 전류 발생기를 구비한 집적회로.
  6. 제3항에 있어서, 상기 전환 회로는 상기 제3모드에서 상기 제2전류원이 동작하지 않는 상태에 있고, 상기 제2의 단이 평형되지 않는 상태에 있는 상태를 형성하여 구성되며 상기 제4의 전류원(R40,T40)은 전류 공급상태에 있는 것을 특징으로 하는 전환가능한 전류 발생기를 구비한 집적회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제4의 전류원(R40,T40)의 전류는 제1 전류원(R10,T10)의 전류 2배와 거의 동일한것을 특징으로 하는 전환가능한 전류 발생기를 구비한 집적회로.
  8. 앞의 항중 어떤 한 항에 있어서, 최소 하나의 제어가능한 전류원은 전류 출력을 가지며 디지탈 대 아날로그 변환기인 것을 특징으로 하는 전환가능한 전류 발생기를 구비한 집적회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890019609A 1988-12-30 1989-12-27 전환 가능한 전류 발생기를 구비한 집적 회로 Abandoned KR900010528A (ko)

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FR8817501A FR2641388B1 (fr) 1988-12-30 1988-12-30 Circuit integre comprenant un generateur de courant commutable
FR8817501 1988-12-30

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Family

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KR1019890019609A Abandoned KR900010528A (ko) 1988-12-30 1989-12-27 전환 가능한 전류 발생기를 구비한 집적 회로

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US (1) US4970452A (ko)
EP (1) EP0376383B1 (ko)
JP (1) JPH02222014A (ko)
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DE (1) DE68909576T2 (ko)
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Date Code Title Description
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Comment text: Patent Application

Patent event date: 19891227

PG1501 Laying open of application
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Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 19941227

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 19891227

Comment text: Patent Application

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PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 19971113

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