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KR900002478A - Ccd 영상기 - Google Patents

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KR900002478A
KR900002478A KR1019890010698A KR890010698A KR900002478A KR 900002478 A KR900002478 A KR 900002478A KR 1019890010698 A KR1019890010698 A KR 1019890010698A KR 890010698 A KR890010698 A KR 890010698A KR 900002478 A KR900002478 A KR 900002478A
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KR
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semiconductor
conductivity type
type
ccd imager
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KR1019890010698A
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KR0174257B1 (ko
Inventor
데쯔로 구메사와
야스오 가노우
오사무 니시마
마사아끼 이소베
히로미찌 마쯔이
Original Assignee
오오가 노리오
소니 가부시끼 가이샤
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Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=16275190&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR900002478(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
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Publication of KR900002478A publication Critical patent/KR900002478A/ko
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
    • H10F55/10—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the radiation-sensitive semiconductor devices control the electric light source, e.g. image converters, image amplifiers or image storage devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
    • H10F39/10—Integrated devices
    • H10F39/12—Image sensors
    • H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
    • H10F39/153—Two-dimensional or three-dimensional array CCD image sensors

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  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

CCD 영상기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도는 본 발명에 대한 CCD영상의 광 수신부의 심도에 따른 전압 분배를 도시하는 다이어그램.
제 2도는 본 발명에 대한 CCD영상기의 실시예 본질 부분을 도시하는 개략적인 횡단면도.

Claims (6)

  1. 영상 정보 출력용 CCD영상기에 있어서, 각각 그의 심도에 따라 표면으로부터 볼때 제2전도형의 반도체 표면 영역, 제1전도형의 제1반도체 영역, 제2전도형 반도체 영역과 상기 제1전도형의 제2반도체 영역 순서로 포함하는 복수의 광 수신부를 구비하며, 상기 제2반도체 영역은 낮은 농축 반도체 영역 바닥측상의 상기 제1전도형의 높은 농축 반도체 영역과 상기 제2전도형의 상기 반도체 영역 바닥측상의 상기 제1전도형의 낮은 반도체 영역으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 CCD영상기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2전도형의 상기 반도체 표면은 그라운드 전위로 고정되고, 가변 전압은 상기 제1전도형의 상기 제2반도체 영역으로 인가되고 전기 전하는 상기 제2반도체 영역내로 일소된 것을 특징으로 하는 CCD영상기.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1전도형의 상기 높은 농축 반도체 영역은 셔터링 전압 인가시 상기 제1전도형의 낮은 농축 반도체 영역과 상기 제2전도형의 상기 반도체 영역 사이 접합의 소모층 영역내에 제공되는 것을 특징으로 하는 CCD영상기.
  4. 제1항에 있어서, 상기 높은 농축 반도체 영역의 불순물 농축은 상기 낮은 농축 반도체 영역의 불순물 농축보다 100배 이하인 것을 특징으로 하는 CCD영상기.
  5. 제1항에 있어서, 상기 광 수신부는 2차원 매트릭스 배열되고 전하 전달부는 상기 광 수신부의 수직행을 따라 형성된 것을 특징으로 하는 CCD영상기.
  6. 영상 정보 출력용 CCD영상기에 있어서, 각각 p형 반도체 표면 영역, n형 제1반도체 영역, p형 반도체 및 n형 제2반도체 영역을 포함하는 복수의 광 수신부를 구비하며, 상기 제2반도체 영역은 상기 p형 반도체 영역 바닥측상의 n형 낮은 농축 반도체 영역과 상기 낮은 농축 반도체 영역 바닥층상의 n형 높은 농축 반도체 영역으로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 CCD영상기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890010698A 1988-07-30 1989-07-28 Ccd 영상소자 KR0174257B1 (ko)

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