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KR860002152A - 반도체 집적 회로장치 - Google Patents

반도체 집적 회로장치 Download PDF

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Publication number
KR860002152A
KR860002152A KR1019850005597A KR850005597A KR860002152A KR 860002152 A KR860002152 A KR 860002152A KR 1019850005597 A KR1019850005597 A KR 1019850005597A KR 850005597 A KR850005597 A KR 850005597A KR 860002152 A KR860002152 A KR 860002152A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
circuit
level
semiconductor integrated
back bias
control signal
Prior art date
Application number
KR1019850005597A
Other languages
English (en)
Inventor
가쯔유기(외 1) 사또
Original Assignee
미쓰다 가쓰시게
가부시기가이샤 히다찌 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP59180534A external-priority patent/JPS6159688A/ja
Application filed by 미쓰다 가쓰시게, 가부시기가이샤 히다찌 세이사꾸쇼 filed Critical 미쓰다 가쓰시게
Publication of KR860002152A publication Critical patent/KR860002152A/ko

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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
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  • Dram (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 집적 회로장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 1실시예를 도시한 회로도.
제2도는 그 기판의 빽 바이어스 전압 발생회로의 1실시예를 도시한 회로도.
제3도는 그 동작을 설명하기 위한 타이밍 도면.

Claims (21)

  1. 빽 바이어스 전압이 공급되는 기체 게이트를 가진 절연게이트 전계효과 트랜지스터를 포함하고, 그 동작이 제어신호에 의해서 제어되는 제1회로와, 상기 빽 바이어스 전압을 발생하는 빽 바이어스 발생회로와, 상기 빽 바이어스 발생회로는 그 동작이 상기 제어신호에 따라서, 제어되는 것에 의해서 그 전압 출력 능력이 상기 제1회로의 동작상태에 동기해서 변화되는 반도체 집적 회로 장치.
  2. 특허청구의 범위 제1항의 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 빽 바이어스 발생회로는 , 캐파시터와 다수개의 정류소자로 구성되여, 주기적인 펄스신호를 받는 제1정류회로와, 캐파시터와 다수개의 정류소자로 구성된 제2정류회로 및 상기 제어신호에 따라서, 상기 제2정류회로로 공급되는 펄스신호를 제어하는 제어회로로 된다.
  3. 특허청구의 범위 제2항의 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 제2정류회로로 공급되는 펄스신호는, 상기 제어신호가 상기 제1회로를 비동작상태로 하는 레벨로 되어 있을때, 상기 제2정류회로의 상기 캐파시터를 푸리 챠아지 상태로 시키는 레벨로 된다.
  4. 특허청구의 범위 제2의 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 빽 바이어스 발생회로는, 사이 제1정류회로에 공급되여야할 펄스신호를 발생하느 제1발진회로와, 상기 제어회로에서 출력되는 동작 제어신호에 응답해서 그 동작이 제어되고, 동작상태에 있어서, 상기 제2정류회로에 공급되어야 할 펄스 신호를 발생하는 제2발진회로로 된다.
  5. 특허청구의 범위 제4의 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 제2발진회로는, 상기 제어 신호에 따라서, 그에 있어서의 귀환 루우프(feed-back loop)가 형성되는 링 발진회로로 된다.
  6. 특허청구의 범위 제4항의 반도체 집적회로 장치는 , 또, 상기 빽 바이어스 전압의 레벨을 검출하는 레벨 검출회로로 되며, 상기 제어회로는, 상기 제어 신호에 따라서, 상기 제1회로가 동작상태로 되어 있는 기간 및 상기 검출신호가 출력되여 있는 기간의 사이에, 상기 제2발진회로를 동작상태로 하기 위한 상기 동작제어 신호를 출력한다.
  7. 특허청구의 범위 제6항의 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 레벨 검출회로는, 상기 빽 바이어스 전압을 받는 것에 의해서, 상기 빽 바이어스 전압에 대해 레벨 쉬프트된 출력전압을 출력하는 레벨 쉬프트 회로와 상기 레벨 쉬프트 회로의 출력을 받는 레벨 판정회로로 된다.
  8. 특허청구의 범위 제7항의 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 레벨쉬프트 회로는, 가각 다이오드 접속된 절연 게이트 전계효과 트랜지스터로 되고, 서로가 직열 접속된 레벨쉬프트 소자와 상기 레벨 쉬프트 소자에 바이어스 전류를 부여하는 바이어스 소자로 된다.
  9. 특허청구의 범위 제8항의 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 레벨 판정회로는, 히스테리지이스(hysteresis)회로로 된다.
  10. 특허청구의 범위 제4항의 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 제1발진회로의 발진주파수는, 상기 제2발진회로의 그것보다도 낮게 되어있다.
  11. 특허청구의 범위 제4항의 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 제1회로는, 그 동작이 상기 제어신호에 의해서 제어되는 메모리로 된다.
  12. 특허청구의 범위 제11항의 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 메모리는, 다이나믹 형 랜덤 액세스 메모리로 되고, 상기 제어신호는, 적어도 칩 선택신호로 된다.
  13. 특허청구의 버위 제12항의 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 다이나믹형 랜덤 액세스 메모리는, 상기 칩 선택 신호에 의해서, 결정되는 칩 선택시오 재새 제어신호에 의해서 결정되는 재생동작시에 동작 상태로 되고, 상기 제어회로는 상기 칩 선택신호와 상기 재생제어신호에 따라서, 상기 다이나믹형 랜덤 액세스 메모리가 동작사애로 되면, 동기해서 상기 제2발진회로를 동작상태로 하기 위한 상기 동작 제어 신호를 출력한다.
  14. 특허청구의 범위 제13항의 반도체 집적회로 장치는 또, 상기 빽 바이어스 전압의 레벨을 검출하는 레벨검출 회로로 되고, 상기 제어회로는, 상기 칩 선택신호와, 상기 재새 제어신호에 따라서, 상기 다이나믹 형 랜덤 액세스 메모리가 동작상태로 되어 있는 기간 및 상기 레벨 검출회로로부터 검출신호가 출력되여 있는 기간의 사이에, 상기 제2발진 회로를 동작상태로 하기 위한 상기 동작 제어신호를 출력한다.
  15. 특허청구의 범위 제2항의 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 빽 바이어스 발생회로는, 상기 제1, 제2정류회로, 상기 제어회로 및 상기 제1 및 제2정류회로로 공급되어야 할 펄스신호를 형성하는 공통의 발진회로로 되고, 상기 제어회로는, 상기 제1회로가 비동작 상태로 되여 있을 때에 상기 제2정류회로의 동작을 금지하는 게이트회로를 포함하고 있다.
  16. 특허청구의 범위 제15항의 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 게이트 회로는, 상기 발진회로의 출력단자와, 상기 제2정류회로의 입력단자와의 사이에 마련되여 있고, 그 동작이 상기 제어신호에 의해서 제어된다.
  17. 특허청구의 범위 제15항의 반도체 집적회로 장치는 또 상기 빽 바이어스 전압의 레벨을 검출하는 레벨 검출회로로 되고, 상기 게이트 회로는, 상기 제1회로가 비동작 상태로 되어 있을때, 상기 레벨 검출회로로부터 검출신호가 출력되어 있지 않을때 상기 제2정류회로의 동작을 금지한다.
  18. 특허청구의 범위 제17항의 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 레벨 검출회로는, 상기 빽 바이어스 전압을 받음으로서, 성기 빽 바이어스 전압에 대해 레벨 쉬프트 된 출력전압을 출력하는 레벨 쉬프트 회로와 상기 레벨 쉬프트 회로의 출력을 받는 레벨 판정회로으로 된다.
  19. 특허청구의 범위 제18항의 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 레벨쉬프트 회로는, 각각 다이오드 접속된 절연게이트 전계효과 트랜지스터로 되고, 또한 서로가 직열 접속된 레벨 쉬프트 소자와 상기 레벨 쉬프트 소자에 바이어스 전류를 부여하는 소자으로 된다.
  20. 특허청구의 범위 제1항의 반도체 집적회로 장치에 있어서, 상기 빽 바이어스 발생회로는, 주기적인 펄스신호의 제1레벨에 응답해서 푸리챠아지되고, 또한 상기 펄스신호의 제2레벨에 응답해서 상기 기체 게이트로 공급하여야 할 바이어스 전위를 제1노오드에 부여하는 제1캐파시터, 상기 제1노오드에 결합되고, 상기 제1캐파시터에 대한 푸리 챠아지 펄스를 형성하는 제1스위치 회로, 상기 제1노오드와, 상기 기체 게이트와의 사이에 마련되여, 상기 제1스위치 회로에 대해 실질적인 상보적으로 스위치 동작되는 제2스위치 회로 및 상기 제어신호에 응답되여 상기 제1회로가 동작 상태로 되였을때에, 상기 제1캐파시터의 푸리 챠아지 레벨을 증대시키는 제2캐파시터로 된다.
  21. 다음 사항을 포함하는 반도체 집적회로 장치 빽 바이어스 전압이 공급되는 기체 게이트를 가진 절연게이트 전계효과 트랜지스터를 포함하는 제1회로와, 펄스 신호를 받음으로서 상기 빽 바이어스 전압을 발생하는 빽 바이어스 발생회로와, 레벨 판정회로, 상기 레벨 판정회로의 입력단자와 상기 기체게이트와의 사이에 마련되고, 상기 빽 바이어스 전압에 대해서 소정의 레벨만큼 레벨 쉬프트된 전압을 상기 레벨 판정회로의 입력에 공급하는 레벨쉬프트 회로 및 상기 레벨 쉬프트 회로를 위한 바이어스 전류를 형성하는 바이어스 소자로 되는 레벨 검출회로, 그리고 상기 레벨 판정회로의 출력에 응답해서 상기 빽 바이어스 발생회로에 공급되여야 할 상기 펄스 신호를 제어하는 게이트 회로으로 된다.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019850005597A 1984-08-31 1985-08-03 반도체 집적 회로장치 KR860002152A (ko)

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JP59-180534 1984-08-31
JP59180534A JPS6159688A (ja) 1984-08-31 1984-08-31 半導体集積回路装置

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KR1019920023475A Division KR940001640B1 (ko) 1984-08-31 1992-12-07 반도체 집적 회로장치
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6633111B1 (en) 1999-10-15 2003-10-14 Lg Electronics Inc. Electrodeless lamp using SnI2

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6633111B1 (en) 1999-10-15 2003-10-14 Lg Electronics Inc. Electrodeless lamp using SnI2

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