KR840006705A - 상의 콘트라스트를 향상시키는 물질의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2A-2F도는 본 발명에 사용되는 표백공정의 동적관계를 설명하는 다이어그램.
제3도는 특정입사조사량에 대응하는 시간의 함수로서 콘트라스트 향상층의 상대투광도를 나타낸 그래프.
제4도는 입사조사량의 함수로서 입사조사에 의해 산출된 순간 콘트라스트와 적분 콘트라스트 그리고 최대 및 최소 투광도를 위한 30% 콘트라스트를 지닌 상의 콘트라스트와 투광도를 나타낸 일련의 그래프.
Claims (27)
- 지정된 콘트라스트 한계치를 갖는 광저항층을 제1차적으로 생성시키며, 지정된 콘트라스트 한계치보다 더 낮은 콘트라스트를 갖는 불투명영역과 투명한 영역을 갖는 물체를 제조하고, 지정된 파장의 빛에 감응하며 비표백된 상태에서의 분자량에 대한 흡광계수가 101/g-cm 보다 큰 값을 가지며 비표백상태에서의 흡광계수와 표백된 상태에서의 흡관계수비가 10보다 큰 값을 갖는 광표백 화합물이 포함된 제2차의 층으로 형성되는 광표백 물질층을 상기 물체와 상기 광저항층 및 인접한 광저항층의 표면에 생성시키며, 상기 관저항층은 감광성을 가지며 광표백물질층에 의해 투과된 지정된 범위의 조사량에 의해 상기 광저항층이 완전히 노출되어 투과된 상에 상기의 지정된 콘트라스트 한계치보다 더 큰 적분콘트라스트를 산출시킬수 있는 두께로 제1차적인 층으로 생성시키는 것을 특징으로 하면서 지정된 파장의 입사선 조사량에 정비례하여 광표백물질층의 광밀도를 감소시키고 그리하여 광표백물질층에 의해 투과된 상기 물체상의 적분콘트라스트가 투과된 조사량에 따라 증가하여 마침내 예정된 콘트라스트 한계치보다 더 큰 최대치의 적분콘트라스트에 도달된후 감소되도록 상기 광표백물질층의 상기 물체에 지정된 파장과 세기의 빛을 조사하며, 상기 광표백물질층을 통한 투과에 의해 지정된 범위의 조사량이 산출되도록 상기 물체에 지정된 파장의 빛을 조사하며, 광표백불질층을 제거하여 광저항층을 노출시키며, 상기 물체의 감소된 상의 콘트라스트가 향상된 콘트라스트를 갖는 패턴으로 되도록 광저항층에 산출시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 상기 물체의 투영된 상을 형성하기 위해 광저항층에 감광성을 지닌 지정된 파장의 빛을 사용했을 때 지정의 콘트라스트 한계치보다 더 낮은 콘트라스트를 지닌 투명한 영역과 불투명한 영역으로 구성되는 물체의 투명된 상의 콘트라스트를 향상시킨 페턴을 지정의 콘트라스트 한계치를 지닌 광저항층에 산출시키는 방법.
- 제1항에 있어서, 비표백된 상태에서의 광표백 화합물의 분자량에 대한 흡광계수가 100이상이며 광표백화합물의 비표백된 상태에서의 흡광개수와 표백된 상태에서의 흡광계수가 30이상인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 광표백조성물은 아릴니트론류의 화합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제3항에 있어서, 아릴니트론 화합물은 α-(4-디에틸아미노페닐)-N-페닐니트론이며 빛의 지정된 파장은 405nm인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 콘트라스트 향상층은 광저항층과 접촉하고 있는 것을 특징으로 하는방법.
- 제5항에 있어서, 광저항층의 두께는 3미크론 이하이며, 콘트라스트 향상층의 두께는 1미크론 이하인 것을 특징으로 하는 방법.
- 지정된 파장의 광원을 산출시키고, 상기 지정된 파장의 빛에 감광하는 감광성물질층을 형성시키며, 상기 광원과 감광성 물질층 사이에 투명한 영역과 불투명한 영역을 지닌 필름을 준비하고, 지정된 파장의 입사광선의 조사량에 따라 지정된 파장의 광선에 대한 흡광도가 감소되며 감광성을 지닌 투과된 파장의 광선조사량에 따라 광표백물질층에 의해 투과되는 상의 콘트라스트가 증가되도록 두번째층으로 형성되는 광표백물질층을 지정된 파장의 광선에 감광성을 지니며 광표백물질층에 의해 투과된 조사량에 의해 감광성물질층이 노출되도록 첫 번째 층으로 형성되는 감광성 물질층과 상기 필름 사이에 형성시키며, 광표백물질층으로쿠터 감광성물질층으로 투과되는 지정된 범위의 조사량을 얻기 위해 상기 필름, 상기 표백물질층과 감광성물질층에 광원을 통과시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 콘트라스트가 향상된 상을 감광성물질층에 형성시키는 방법.
- 제7항에 있어서, 감광성물질층을 노출시켜 감광성물질층에 콘트라스트가 향상된 상을 형성시키는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 감광성물질은 광저항물질인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 광표백물질층에 비표백된 상태에서의 분자량에 대한 흡광계수의 비가 101/g-cm 이상이며 비표백된 상태의 흡광계수와 표백된 상태에서의 흡광계수비가 약 10 이상인 광표백 화합물이 포함되는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제10항에 있어서, 광표백화합물의 비표백된 상태에서의 분자량에 대한 흡광계수의 비가 약 100이상이며 광표백화합물의 비표백된 상태에서의 흡광계수와 표백된 상태에서의 흡광계수비가 약 30% 이상인 것을 특징으로 하는 방법.
- 여러세기의 지정된 파장의 광선으로 가상을 형성시키며, 지정된 파장의 광선에 감광성이 있는 감광성물질로 제1차의 층으로 형성시키며, 지정된 파장의 입사광선 조사량에 따라 지정된 파장의 흡광도가 감소하며 감광성을 지녔고 투과된 지정된 파장의 광선 조사량에 따라 광표백 물질층에 의해 투과되는 상의 콘트라스트가 증가되도록 광표백물질로 제2차로 형성되는 광표백물질층을 지정된 파장에서 감광성을 지녔고 광표백물질층에 의해 투과되는 조사량에 의해 노출되도록 제1차로 층을 형성하는 감광성물질층과 가상사이에 형성시키고, 광표백물질층에서부터 감광성 물질층으로 투과되는 조사량을 산출시키기 위해 가상으로부터 광표백물질층과 감광성물질층까지 광원을 통과시키는 단계로 구성되는 것을 특징으로 하는 콘트라스트가 향상된 상을 감광성 물질층에 형성시키는 방법.
- 가상과 감광성물질층 사이에 콘트라스트 향상층을 생성시키며, 상기 콘트라스트 향상층과 감광성물질층은 지정된 파장의 복사선에 감광하는 것을 특징으로 하는 지정된 파장의 광선에 의한 가상으로부터 감광성물질층에 존재하는 상을 형성시키는 방법.
- 제13항에 있어서, 상기 콘트라스트 향상층은 지정된 파장의 입사광선 조사량에 따라 지정된 파장에서의 흡광도가 감소하며, 지정된 파장의 광선에 감광성이 있으며, 투과된 파장의 광선 조사량에 따라 콘트라스트 향상층에 의해 투과되는 상의 콘트라스트가 향상되도록 피복되며, 감광성 물질층은 감광성 물질층이 상기의 콘트라스트 향상층에 의한 투과된 조사량에 의해 노출될 수 있도록 지정된 파장의 광선에 감광하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제13항에 있어서, 트콘라스트 향상층은 감광성 물질층의 표면에 접촉되어 있는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제13항에 있어서, 콘트라스트 향상층은 광표백물질층을 특징으로 하는 방법.
- 제15항에 있어서, 감광성물질층은 광저항층인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제16항에 있어서, 광표백물질층은 지정된 파장의 광선에 감광하는 광표백 화학물을 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
- 제18항에 있어서, 광표백화합물의 조성물은 디아릴니트론인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제19항에 있어서, 광표백화합물의 조성물은 α-(4-디에틸아미노페닐)-N-페닐니트론인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제18항에 있어서, 광표백화합물은 비표백된 상태에서 분자량에 대한 흡광계수의 비가 약 101/g-cm 인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제21항에 있어서, 광표백물질에 대한 비표백된 상태에서의 흡광계수와 표백된 상태에서의 흡광계수의 비값이 약 10 이상인 것을 특징으로 하는 방법.
- 제1항에 있어서, 비표백된 상태에서의 분자량에 대한 흡광계수의 비가 약 101/g-cm 이며, 광표백물질에 대한 비표백된 상태에서 흡광계수와 표백된 상태에서의 흡광계수의 비값이 약 10 이상인 디아릴니트론 화합물인 것을 특징으로 하는 방법.
- 비표백된 상태에서의 분자량에 대한 흡광계수의 비가 약 101/g-cm이며, 비표백된 상태에서의 흡광계수와 표백된 상태에서의 흡광계수의 비값이 약 101/g-cm 인 디아릴니트론류의 화합물로부터 선택된 광표백물질.
- 제24항에 있어서, 결합제가 포함된 광표백물질층.
- α-(4-디에틸아미노페닐)-N-페닐니트론으로 구성되는 광표백물질의 조성물.
- α-(4-디에틸아미노페닐)-N-페닐니트론, α-(4-디에틸아미노페닐)-N-(4-클로로페닐)니트론, α-(4-디에틸아미노페닐)-N-(3,4-디믈로로페닐)니트론, α-(4-디에틸아미노페닐)-N-(4-에톡시카르보닐페닐)니트론, α-(4-디에틸아미노페닐)-N-(4-아세틸페닐)니트론, α-(9-줄로리디닐)-N-페닐니트론, α-(9-줄로리디닐)-N-(4-클로로페닐)니트론, α-(4-디메틸아미노페닐)-N-(4-시아노페닐)니트론, α-(4-메톡시페닐)-N-(4-시아노페닐)니트론, α-[2-(1-페닐프로페닐)]-N-페닐니트론, α-[2-(1,1-디페닐에테닐)]-N-페닐니트론등의 무리로부터 선택되는 300∼450mm에서 최대 흡광도를 갖는 아릴니트론.※참고사항: 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4859789A (en) * | 1982-11-01 | 1989-08-22 | General Electric Company | Diarylnitrones |
| US4745042A (en) * | 1984-04-19 | 1988-05-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Water-soluble photopolymer and method of forming pattern by use of the same |
| US4663275A (en) * | 1984-09-04 | 1987-05-05 | General Electric Company | Photolithographic method and combination including barrier layer |
| US4804614A (en) * | 1984-10-01 | 1989-02-14 | The Aerospace Corporation | Photoresist process of fabricating microelectronic circuits using water processable diazonium compound containing contrast enhancement layer |
| US4705729A (en) * | 1984-11-19 | 1987-11-10 | Hewlett-Packard Company | Method for photochemically enhancing resolution in photolithography processes |
| US4578344A (en) * | 1984-12-20 | 1986-03-25 | General Electric Company | Photolithographic method using a two-layer photoresist and photobleachable film |
| US4661433A (en) * | 1984-12-31 | 1987-04-28 | General Electric Company | Storage stable aryl nitrone compositions |
| US4623611A (en) * | 1985-01-16 | 1986-11-18 | General Electric Company | Photolithographic stripping method for removing contrast enhancement layer |
| US4672021A (en) * | 1985-06-03 | 1987-06-09 | Fairmount Chemical Company | Contrast enhancement layer composition with naphthoquinone diazide, indicator dye and polymeric binder |
| US4777111A (en) * | 1985-06-03 | 1988-10-11 | Fairmount Chemical Company, Inc. | Photographic element with diazo contrast enhancement layer and method of producing image in underlying photoresist layer of element |
| US4784936A (en) * | 1985-10-24 | 1988-11-15 | General Electric Company | Process of forming a resist structure on substrate having topographical features using positive photoresist layer and poly(vinyl pyrrolidone) overlayer |
| US4677043A (en) * | 1985-11-01 | 1987-06-30 | Macdermid, Incorporated | Stepper process for VLSI circuit manufacture utilizing radiation absorbing dyestuff for registration of alignment markers and reticle |
| DE3541534A1 (de) * | 1985-11-25 | 1987-05-27 | Hoechst Ag | Positiv arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch |
| DE3689949T2 (de) * | 1985-12-09 | 1995-03-16 | Nippon Paint Co Ltd | Druckmaterial auf der Basis eines lichtempfindlichen Harzes. |
| GB2190214B (en) * | 1986-03-11 | 1989-11-08 | Fuji Photo Film Co Ltd | Method of forming an image on photosensitive material |
| EP0239376A3 (en) * | 1986-03-27 | 1988-05-11 | Gec-Marconi Limited | Contrast enhanced photolithography |
| EP0246885A3 (en) * | 1986-05-20 | 1988-06-22 | Japan as represented by Director-General, Agency of Industrial Science and Technology | A contrast-enhancing agent for photolithography |
| JPS6370245A (ja) * | 1986-09-12 | 1988-03-30 | Tosoh Corp | 感光性樹脂組成物およびそれを用いた微細パタ−ン形成法 |
| EP0280197A3 (en) * | 1987-02-23 | 1990-05-23 | Oki Electric Industry Company, Limited | Process for forming photoresist pattern |
| DE68928789T2 (de) * | 1988-05-18 | 1998-12-24 | Toray Industries, Inc., Tokio/Tokyo | Druckplatte |
| CA2011927C (en) * | 1989-06-02 | 1996-12-24 | Alan Lee Sidman | Microlithographic method for producing thick, vertically-walled photoresist patterns |
| EP0462763A1 (en) * | 1990-06-18 | 1991-12-27 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Thermally developable light-sensitive layers containing photobleachable sensitizers |
| US5310620A (en) * | 1991-12-06 | 1994-05-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Alkali-soluble nitrone compounds and contrast enhanced material comprising the same |
| CA3082211A1 (en) * | 2020-06-02 | 2021-12-02 | Techinsights Inc. | Contrast-enhancing staining system and method and imaging methods and systems related thereto |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2426894A (en) * | 1944-05-09 | 1947-09-02 | Du Pont | Light-sensitive layers of n-monoarylhydroxylamines and their nitrones and process of printing thereon |
| NL140629B (nl) * | 1963-07-04 | 1973-12-17 | Kalle Ag | Lichtgevoelig materiaal voor de vervaardiging van drukvormen en de daarmede vervaardigde drukvormen. |
| US3511653A (en) * | 1966-07-01 | 1970-05-12 | American Cyanamid Co | Contrast enhancement of optical images |
| NL6712658A (ko) * | 1966-09-26 | 1968-03-27 | ||
| GB1204917A (en) * | 1967-11-14 | 1970-09-09 | Howson Algraphy Ltd | Photographic printing plates |
| AT289152B (de) * | 1968-12-09 | 1971-04-13 | Kalle Ag | Lichtempfindliches Kopiermaterial zum Herstellen einer Flachdruckform |
| NL7216227A (ko) * | 1972-11-30 | 1974-06-04 | ||
| US3925077A (en) * | 1974-03-01 | 1975-12-09 | Horizons Inc | Photoresist for holography and laser recording with bleachout dyes |
| JPS52130286A (en) * | 1976-04-26 | 1977-11-01 | Hitachi Ltd | Negative type photo resist |
| GB1566802A (en) * | 1976-06-02 | 1980-05-08 | Agfa Gevaert | Photosensitive imaging material |
| GB1588417A (en) * | 1977-03-15 | 1981-04-23 | Agfa Gevaert | Photoresist materials |
| US4081278A (en) * | 1977-05-23 | 1978-03-28 | Eastman Kodak Company | Heat sensitive dye layers comprising a benzopinacol |
| US4111699A (en) * | 1977-06-06 | 1978-09-05 | Eastman Kodak Company | O-nitro-o-azaarylidene photobleachable dyes and photographic elements utilizing them |
| JPS6023459B2 (ja) * | 1977-11-02 | 1985-06-07 | 松下電子工業株式会社 | カラ−受像管の光吸収膜形成方法 |
| JPS6023460B2 (ja) * | 1977-11-16 | 1985-06-07 | 松下電子工業株式会社 | カラ−受像管の螢光面形成方法 |
| EP0161660B1 (en) * | 1984-05-14 | 1991-10-09 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Pattern forming method and composition for pattern formation to be used therefor |
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