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KR20230049037A - Resin composition - Google Patents

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KR20230049037A
KR20230049037A KR1020220126486A KR20220126486A KR20230049037A KR 20230049037 A KR20230049037 A KR 20230049037A KR 1020220126486 A KR1020220126486 A KR 1020220126486A KR 20220126486 A KR20220126486 A KR 20220126486A KR 20230049037 A KR20230049037 A KR 20230049037A
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resin
resin composition
epoxy resin
mass
layer
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KR1020220126486A
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Korean (ko)
Inventor
하나에 오쿠야마
Original Assignee
아지노모토 가부시키가이샤
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Abstract

A resin composition comprises (A) an epoxy resin, (B) an inorganic filler, and (C) an elastomer, wherein (A) the epoxy resin includes (A-1) an epoxy resin containing an epoxy group and a structure having chelate forming ability. According to the present invention, it is possible to provide: a resin composition capable of obtaining a cured product that suppresses warping and has excellent adhesion to a conductor layer; a cured product of the resin composition; and resin sheets, circuit boards, semiconductor chip packages, and semiconductor devices using the resin composition.

Description

수지 조성물{RESIN COMPOSITION}Resin composition {RESIN COMPOSITION}

본 발명은, 수지 조성물, 및 상기 수지 조성물을 사용한 경화물, 수지 시트, 회로 기판, 반도체 칩 패키지 및 반도체 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a resin composition and a cured product using the resin composition, a resin sheet, a circuit board, a semiconductor chip package, and a semiconductor device.

최근, 스마트폰, 태블릿형 디바이스와 같은 소형 고기능 전자 기기의 수요가 증대하고 있고, 그에 따라, 이들 소형 전자 기기에 사용되는 반도체 칩 패키지용 밀봉재도 더욱 고기능화될 것을 요구받고 있다. 이러한 밀봉재로서, 수지 조성물을 경화해서 형성되는 것이 알려져 있다.In recent years, the demand for small, highly functional electronic devices such as smart phones and tablet devices has been increasing, and accordingly, sealing materials for semiconductor chip packages used in these small electronic devices are also required to be more highly functional. As such a sealing material, what is formed by hardening a resin composition is known.

다른 한편, 밀봉재와는 다른 용도의 기술로서, 특허문헌 1 및 2의 기술이 있다.On the other hand, there are techniques of Patent Literatures 1 and 2 as techniques for applications other than sealing materials.

일본 공개특허공보 특개2018-80221호Japanese Unexamined Patent Publication No. 2018-80221 일본 특허공보 제5491276호Japanese Patent Publication No. 5491276

밀봉재에 사용하는 수지 조성물은, 절연성 및 밀봉성의 향상 등의 목적으로, 일반적으로, 무기 충전재를 포함한다. 이와 같이 무기 충전재를 포함하는 수지 조성물의 경화물은, 큰 휨을 발생시키는 경향이 있다.A resin composition used for a sealing material generally contains an inorganic filler for the purpose of improving insulating properties and sealing properties. Thus, the hardened|cured material of the resin composition containing an inorganic filler tends to generate large warp.

만일, 경화물이 프리프레이와 같이 섬유 기재를 포함하는 경우, 섬유 기재의 작용에 의해 경화물 전체의 강성을 높게 하거나, 열팽창을 작게 하거나 할 수 있으므로, 휨의 억제를 할 수 있다고 생각된다. 그러나, 밀봉재는, 통상, 섬유 기재를 포함하지 않으므로, 휨의 억제가 곤란하였다.If the cured product contains a fiber base material like a prepray, it is thought that warpage can be suppressed because the rigidity of the entire cured product can be increased or thermal expansion can be reduced by the action of the fiber base material. However, since the sealing material usually does not contain a fiber base material, suppression of warpage was difficult.

그래서, 본 발명자는, 수지 조성물의 경화물의 탄성율을 내림으로써 휨을 억제하는 것을 시도하였다. 구체적으로는, 엘라스토머를 포함하는 수지 조성물을 채용함으로써, 상기 경화물의 탄성율을 내려서, 휨을 억제하는 것을 시도하였다. 그 결과, 휨의 억제는 달성할 수 있었다. 그러나, 엘라스토머를 포함하는 수지 조성물의 경화물은 도체층과의 밀착성이 떨어졌다.Then, this inventor tried to suppress warp by lowering the elastic modulus of the hardened|cured material of a resin composition. Specifically, by adopting a resin composition containing an elastomer, an attempt was made to lower the modulus of elasticity of the cured product and suppress warpage. As a result, suppression of warpage was able to be achieved. However, the hardened|cured material of the resin composition containing an elastomer was inferior in adhesiveness with a conductor layer.

그래서 본 발명자는 검토를 더 하여, 엘라스토머에 조합하여 밀착성 부여제를 사용함으로써 밀착성을 개선시키는 것을 시도하였다. 그러나, 밀착성 부여제를 사용하면, 밀착성은 향상되지만, 휨은 커졌다. 따라서, 종래의 밀봉재에서는, 휨의 억제와 밀착성의 향상 양쪽을 달성하는 것은 어려웠다.Therefore, the present inventors further studied and tried to improve the adhesion by using an adhesion imparting agent in combination with the elastomer. However, when an adhesive imparting agent was used, although adhesiveness improved, warpage became large. Therefore, in the conventional sealing material, it is difficult to achieve both suppression of warpage and improvement of adhesion.

본 발명은, 상기 과제를 감안하여 창안된 것으로, 휨의 억제 및 도체층과의 밀착성이 우수한 경화물을 얻을 수 있는 수지 조성물; 상기 수지 조성물의 경화물; 및 상기 수지 조성물을 사용한 수지 시트, 회로 기판, 반도체 칩 패키지 및 반도체 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.The present invention has been devised in view of the above problems, and includes a resin composition capable of obtaining a cured product having excellent curvature suppression and adhesion to a conductor layer; a cured product of the resin composition; And to provide a resin sheet, a circuit board, a semiconductor chip package, and a semiconductor device using the resin composition.

본 발명자는, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토하였다. 그 결과, 본 발명자는, (A) 에폭시 수지, (B) 무기 충전재 및 (C) 엘라스토머를 포함하고, (A) 에폭시 수지가, (A-1) 에폭시기 및 킬레이트 형성능을 갖는 구조를 함유하는 에폭시 수지를 포함하는 수지 조성물에 의하면 상기 과제를 해결할 수 있음을 발견하여, 본 발명을 완성시켰다.The present inventors intensively studied in order to solve the above problems. As a result, the present inventors found (A) an epoxy resin, (B) an inorganic filler and (C) an elastomer, and (A) an epoxy resin containing a structure having (A-1) an epoxy group and a chelate forming ability. According to the resin composition containing resin, it was discovered that the said subject could be solved, and this invention was completed.

즉, 본 발명은, 하기의 것을 포함한다.That is, the present invention includes the following.

〔1〕(A) 에폭시 수지, (B) 무기 충전재 및 (C) 엘라스토머를 포함하고,[1] (A) containing an epoxy resin, (B) an inorganic filler and (C) an elastomer,

(A) 에폭시 수지가, (A-1) 에폭시기 및 킬레이트 형성능을 갖는 구조를 함유하는 에폭시 수지를 포함하는, 수지 조성물.(A) The resin composition in which the epoxy resin contains the epoxy resin containing the structure which has (A-1) epoxy group and chelate formation ability.

〔2〕(A-1) 성분의 킬레이트 변성량이 0.3질량% 내지 10질량%인, 〔1〕에 기재된 수지 조성물.[2] The resin composition according to [1], wherein the amount of chelate modification of component (A-1) is 0.3% by mass to 10% by mass.

〔3〕(A-1) 성분의 질량 W(A-1)와 (C) 성분의 질량 W(C)의 비 W(A-1)/W(C)가 0.01 내지 1.0인, 〔1〕또는〔2〕에 기재된 수지 조성물.[3] The ratio W (A-1) / W (C) of the mass W (A-1) of component (A-1) and the mass W (C) of component (C) is 0.01 to 1.0, [1] or the resin composition according to [2].

〔4〕(B) 성분의 양이, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 40질량% 이상인, 〔1〕내지〔3〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[4] The resin composition according to any one of [1] to [3], wherein the amount of the component (B) is 40% by mass or more with respect to 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition.

〔5〕(C) 성분이, 1,000 이상의 수 평균 분자량을 갖는, 〔1〕내지〔4〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[5] The resin composition according to any one of [1] to [4], wherein component (C) has a number average molecular weight of 1,000 or more.

〔6〕(D) 경화제를 추가로 포함하는, 〔1〕내지〔5〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[6] (D) The resin composition according to any one of [1] to [5], further containing a curing agent.

〔7〕(E) 경화 촉진제를 추가로 포함하는, 〔1〕내지〔6〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[7] (E) The resin composition according to any one of [1] to [6], further comprising a curing accelerator.

〔8〕밀봉층용인, 〔1〕내지〔7〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물.[8] The resin composition according to any one of [1] to [7], which is for a sealing layer.

〔9〕〔1〕내지〔8〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물.[9] A cured product of the resin composition according to any one of [1] to [8].

〔10〕지지체와, 지지체 위에 형성된〔1〕내지〔8〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물 층을 구비하는, 수지 시트.[10] A resin sheet comprising a support and a resin composition layer comprising the resin composition according to any one of [1] to [8] formed on the support.

〔11〕〔1〕내지〔8〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물을 포함하는 회로 기판.[11] A circuit board comprising a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [8].

〔12〕〔1〕내지〔8〕중 어느 하나에 기재된 수지 조성물의 경화물을 포함하는 반도체 칩 패키지.[12] A semiconductor chip package containing a cured product of the resin composition according to any one of [1] to [8].

〔13〕〔11〕에 기재된 회로 기판 또는〔12〕에 기재된 반도체 칩 패키지를 구비하는 반도체 장치.[13] A semiconductor device comprising the circuit board according to [11] or the semiconductor chip package according to [12].

본 발명에 의하면, 휨의 억제 및 도체층과의 밀착성이 우수한 경화물을 얻을 수 있는 수지 조성물; 상기 수지 조성물의 경화물; 및 상기 수지 조성물을 사용한 수지 시트, 회로 기판, 반도체 칩 패키지 및 반도체 장치를 제공할 수 있다.ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the resin composition which can obtain the cured material excellent in suppression of warp and adhesiveness with a conductor layer; a cured product of the resin composition; And it is possible to provide a resin sheet, a circuit board, a semiconductor chip package and a semiconductor device using the resin composition.

[도 1] 도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지의 일례로서의 Fan-Out형 WLP를 모식적으로 나타내는 단면도이다.[Fig. 1] Fig. 1 is a cross-sectional view schematically showing a Fan-Out type WLP as an example of a semiconductor chip package according to an embodiment of the present invention.

이하, 본 발명에 대하여 실시형태 및 예시물을 나타내어 설명한다. 단, 본 발명은, 하기에 나타내는 실시형태 및 예시물에 한정되는 것은 아니고, 특허청구범위 및 이의 균등한 범위를 일탈하지 않는 범위에서 임의로 변경해서 실시될 수 있다.Hereinafter, embodiments and examples of the present invention are shown and described. However, the present invention is not limited to the embodiments and examples shown below, and can be implemented with arbitrary changes within a range not departing from the scope of the claims and their equivalents.

[1. 수지 조성물의 개요][One. Overview of Resin Composition]

본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 조성물은, (A) 에폭시 수지, (B) 무기 충전재 및 (C) 엘라스토머를 조합하여 포함한다. 그리고, (A) 에폭시 수지가, (A-1) 에폭시기 및 킬레이트 형성능을 갖는 구조를 함유하는 에폭시 수지를 포함한다. 이하의 설명에 있어서, 「(A-1) 에폭시기 및 킬레이트 형성능을 갖는 구조를 함유하는 에폭시 수지」를 「(A-1) 킬레이트형 에폭시 수지」라고 말하는 경우가 있다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 「킬레이트 형성능을 갖는 구조」를 「킬레이트능 구조」라고 말하는 경우가 있다.A resin composition according to one embodiment of the present invention includes (A) an epoxy resin, (B) an inorganic filler, and (C) an elastomer in combination. And (A) The epoxy resin contains the epoxy resin containing the structure which has (A-1) epoxy group and chelate formation ability. In the following description, "(A-1) epoxy resin containing an epoxy group and a structure having chelate forming ability" may be referred to as "(A-1) chelate type epoxy resin". In addition, in the following description, a "structure having chelate-forming ability" may be referred to as a "chelate-capable structure".

본 실시형태에 따른 수지 조성물은, 열경화시킴으로써 경화물을 얻을 수 있다. 그리고, 얻어지는 경화물은, 휨의 억제 및 도체층과의 밀착성이 우수할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 따른 수지 조성물의 경화물은, 통상, 실리콘에 대한 밀착성이 우수할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 따른 수지 조성물은, 낮은 최저 용융 점도를 갖는 것이 바람직하고, 인장 탄성율이 작은 경화물을 얻을 수 있는 것이 바람직하다.A cured product can be obtained by thermally curing the resin composition according to the present embodiment. And the cured|cured material obtained can be excellent in suppression of curvature and adhesiveness with a conductor layer. In addition, the cured product of the resin composition according to the present embodiment can usually have excellent adhesion to silicone. In addition, the resin composition according to the present embodiment preferably has a low minimum melt viscosity, and it is preferable that a cured product having a small tensile modulus of elasticity can be obtained.

본 실시형태에 따른 수지 조성물은, 상기 성분에 조합하여, 임의의 성분을 추가로 포함하고 있어도 좋다. 예를 들어, 수지 조성물은, (D) 경화제, (E) 경화 촉진제 등을 포함하고 있어도 좋다.The resin composition according to the present embodiment may further contain an optional component in combination with the above components. For example, the resin composition may contain (D) a hardening agent, (E) a hardening accelerator, etc.

[2. (A) 에폭시 수지][2. (A) Epoxy Resin]

본 실시형태에 따른 수지 조성물은, (A) 성분으로서의 (A) 에폭시 수지를 포함한다. (A) 에폭시 수지는, 에폭시기를 갖는 경화성 수지이다.The resin composition according to the present embodiment contains (A) epoxy resin as component (A). (A) An epoxy resin is a curable resin having an epoxy group.

본 실시형태에 따른 (A) 에폭시 수지는, (A-1) 성분으로서 (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지를 포함한다. (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지는, 에폭시기 및 킬레이트능 구조를 함유한다.The (A) epoxy resin according to the present embodiment contains the (A-1) chelate type epoxy resin as the component (A-1). (A-1) A chelate-type epoxy resin contains an epoxy group and a chelate ability structure.

킬레이트능 구조는, 킬레이트 형성능을 갖는 구조를 나타낸다. 이러한 킬레이트능 구조는, 통상, 산소 및 질소로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종류의 원자를 포함한다. 이하의 설명에서는, 산소 및 질소로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 원자를 「특정 원자」라고 부르는 경우가 있다. 1개의 킬레이트능 구조는, 통상, 복수개의 특정 원자를 포함한다. 복수의 특정 원자는, 일반적으로, 직접 결합을 하고 있지 않으므로, 이들 특정 원자의 사이에는 특정 원자끼리를 연결하는 분자쇄가 있다. 즉, 특정 원자끼리의 사이는, 통상, 분자쇄에 의해 연결되어 있다. 여기서, 상기 분자쇄에 포함되는 원자에는, 산소 원자 및 질소 원자는 포함하지 않는다. 상기 분자쇄의 원자의 수는, 통상 1 이상, 바람직하게는 2 이상이고, 바람직하게는 6 이하이다. 여기서, 특정 원자끼리의 사이를 연결하는 상기 분자쇄의 원자의 수란, 분자쇄에 의해 연결된 특정 원자의 사이에 있는 원자의 최소의 수를 나타낸다. 따라서, 상기 분자쇄에, 상기 분자쇄로부터 분지된 분기쇄가 결합하고 있는 경우라도, 상기 분기쇄에 포함되는 원자의 수는 상기 분자쇄의 원자의 수에는 포함시키지 않는다. 따라서, 킬레이트능 구조는, 바람직하게는 1 이상 6 이하, 보다 바람직하게는 2 이상 6 이하의 원자를 개재하여 인접하는 특정 원자를 포함하는 구조일 수 있다. 상기 킬레이트능 구조에 있어서, 특정 원자의 일부 또는 전부는, 배위 원자로서 기능할 수 있다.A chelating ability structure represents a structure having a chelating ability. Such a chelating ability structure usually contains at least one type of atom selected from the group consisting of oxygen and nitrogen. In the following description, an atom selected from the group consisting of oxygen and nitrogen may be referred to as a "specific atom". One chelating ability structure usually contains a plurality of specific atoms. Since a plurality of specific atoms are generally not directly bonded, there is a molecular chain linking the specific atoms between these specific atoms. That is, between specific atoms, it is usually connected by a molecular chain. Here, the atoms included in the molecular chain do not include oxygen atoms and nitrogen atoms. The number of atoms in the molecular chain is usually 1 or more, preferably 2 or more, and preferably 6 or less. Here, the number of atoms of the molecular chain linking between specific atoms represents the minimum number of atoms present between specific atoms linked by a molecular chain. Therefore, even when a branch chain branched from the molecular chain is bonded to the molecular chain, the number of atoms included in the branch chain is not included in the number of atoms of the molecular chain. Therefore, the chelate ability structure may be a structure containing preferably 1 or more and 6 or less, more preferably 2 or more and 6 or less atoms adjacent to each other via an atom. In the chelating ability structure, some or all of the specific atoms can function as coordinating atoms.

킬레이트능 구조는, 특정 원자로서, 산소 원자를 포함하는 것이 바람직하다.It is preferable that the chelate ability structure contains an oxygen atom as a specific atom.

특정 원자로서의 산소 원자 중 적어도 하나는, 하이드록시기 유래인 것이 보다 바람직하다. 즉, 킬레이트능 구조가 하이드록시기를 함유하고, 상기 하이드록시기에 포함되는 산소 원자가 킬레이트능 구조의 특정 원자인 것이 보다 바람직하다.It is more preferable that at least one of the oxygen atoms as specific atoms is derived from a hydroxyl group. That is, it is more preferable that the chelate ability structure contains a hydroxyl group, and the oxygen atom contained in the said hydroxyl group is a specific atom of the chelate ability structure.

또한, 특정 원자로서의 산소 원자 중 적어도 하나는, 카보닐기 유래인 것이 보다 바람직하다. 즉, 킬레이트능 구조가 카보닐기를 함유하고, 상기 카보닐기에 포함되는 산소 원자가 킬레이트능 구조의 특정 원자인 것이 보다 바람직하다.Moreover, it is more preferable that at least one of the oxygen atoms as a specific atom is derived from a carbonyl group. That is, it is more preferable that the chelate ability structure contains a carbonyl group, and the oxygen atom contained in the carbonyl group is a specific atom of the chelate ability structure.

킬레이트능 구조가 산소 원자를 복수개 포함하는 경우, 이들 산소 원자에는, 원자수 2개의 분자쇄에 의해 연결된 산소 원자가 포함되는 것이 바람직하다. 즉, 킬레이트능 구조에 포함되는 어느 2개의 산소 원자는, 2개의 원자를 개재하여 인접하고 있는 것이 바람직하다. 킬레이트능 구조는, 상기와 같이 2개의 원자를 개재하여 인접하고 있는 2개의 산소 원자의 쌍을, 1쌍만 포함하고 있어도 좋고, 2쌍 이상 포함하고 있어도 좋다.When the chelating ability structure contains a plurality of oxygen atoms, it is preferable that these oxygen atoms contain oxygen atoms connected by a molecular chain having two atoms. That is, it is preferable that any two oxygen atoms contained in the chelate ability structure are adjacent via two atoms. The chelate ability structure may contain only one pair of the pair of two oxygen atoms adjoining via two atoms as mentioned above, and may contain two or more pairs.

킬레이트능 구조는, 통상, 특정 원자에 조합하여, 탄소 원자 및 수소 원자를 포함한다. 또한, 킬레이트능 구조는, 추가로, 산소 원자 및 질소 원자 이외의 임의의 헤테로 원자를 포함하고 있어도 좋다. 킬레이트능 구조가 포함하는 것이 바람직한 임의의 헤테로 원자로서는, 인 원자 및 황 원자를 들 수 있다. 임의의 헤테로 원자의 종류는, 1종류라도 좋고, 2종류 이상이라도 좋다. 또한, 임의의 헤테로 원자의 개수는, 1개라도 좋고, 2개 이상이라도 좋다.The chelating ability structure usually contains a carbon atom and a hydrogen atom in combination with a specific atom. Moreover, the chelate ability structure may further contain arbitrary heteroatoms other than an oxygen atom and a nitrogen atom. A phosphorus atom and a sulfur atom are mentioned as an arbitrary heteroatom which the chelate ability structure preferably contains. The number of arbitrary heteroatoms may be one or two or more. In addition, the number of arbitrary heteroatoms may be 1 or 2 or more.

바람직한 킬레이트능 구조의 구체예로서는, 카복시기 및 인산기를 들 수 있다. 그 중에서도, 인산기가 보다 바람직하다. 킬레이트능 구조는, (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지의 기본 골격, 측쇄 또는 말단 중 어느 것에 존재해도 좋다. (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지가 함유하는 킬레이트능 구조는, 1종류라도 좋고, 2종류 이상이라도 좋다. 또한, (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지가 1분자 중에 함유하는 킬레이트능 구조의 수는, 1개라도 좋고, 2개 이상이라도 좋다.Specific examples of the preferred chelating ability structure include a carboxy group and a phosphoric acid group. Especially, a phosphoric acid group is more preferable. The chelate ability structure may exist in any of the basic skeleton, side chain, or terminal of the (A-1) chelate type epoxy resin. (A-1) The chelating ability structure which a chelate type epoxy resin contains may be 1 type, or 2 or more types may be sufficient as it. In addition, the number of chelating ability structures which (A-1) chelate-type epoxy resin contains in 1 molecule may be 1, or 2 or more may be sufficient as it.

(A-1) 킬레이트형 에폭시 수지가 1분자 중에 함유하는 에폭시기의 수는, 1개라도 좋고, 2개 이상이라도 좋다.(A-1) The number of epoxy groups that the chelate type epoxy resin contains in one molecule may be one or two or more.

(A-1) 킬레이트형 에폭시 수지는, 상기 분자 중에 방향족 구조를 함유하는 것이 바람직하다. 방향족 구조란, 일반적으로 방향족으로 정의되는 화학 구조이며, 다환 방향족 및 방향족 복소환도 포함한다. 방향환 구조를 함유하는 (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지를 사용하는 경우, 수지 조성물의 경화물의 내열성을 향상시킬 수 있다.(A-1) The chelate type epoxy resin preferably contains an aromatic structure in the molecule. An aromatic structure is a chemical structure generally defined as aromatic, and includes polycyclic aromatics and aromatic heterocycles. When using the (A-1) chelate type epoxy resin containing an aromatic ring structure, the heat resistance of the hardened|cured material of a resin composition can be improved.

(A-1) 킬레이트형 에폭시 수지는, 킬레이트능 구조를 함유하지 않는 에폭시 수지와, 킬레이트능 구조를 함유하는 화합물과 반응해서 얻어지는 구조를 포함할 수 있다. 예를 들어, 인산기를 함유하는 (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지는, 킬레이트능 구조를 함유하지 않는 에폭시 수지와 인산류를 반응시켜서 얻어지는 구조를 포함할 수 있다. 인산류로서는, 예를 들어, 인산(H3PO4), 포스폰산(H3PO3), 자아인산(H3PO2), 2인산(H4P2O7) 및 3인산 등의 폴리인산을 들 수 있다.(A-1) A chelate type epoxy resin can contain the structure obtained by reacting with the epoxy resin which does not contain a chelate functional structure, and the compound containing a chelate functional structure. For example, the (A-1) chelate-type epoxy resin containing a phosphoric acid group can contain a structure obtained by reacting an epoxy resin and phosphoric acids that do not contain a chelate functional structure. Examples of phosphoric acids include phosphoric acid (H 3 PO 4 ), phosphonic acid (H 3 PO 3 ), self-phosphoric acid (H 3 PO 2 ), diphosphoric acid (H 4 P 2 O 7 ), and polyphosphoric acid such as triphosphoric acid. Phosphoric acid can be mentioned.

(A-1) 킬레이트형 에폭시 수지는, 예를 들어, 페놀성 또는 알코올성 수산기와, 킬레이트능 구조를 갖는 화합물의 수산기를 글리시딜에테르화하는 것을 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다. 또한, (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지는, 예를 들어, 킬레이트능 구조를 함유하지 않는 에폭시 수지와, 킬레이트능 구조를 함유하는 화합물을 반응시키는 것을 포함하는 방법에 의해 제조할 수 있다. 구체예를 들면, 인산기를 함유하는 (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지는, 국제공개 제2021/039380호에 기재된 방법으로 제조할 수 있다.(A-1) A chelate-type epoxy resin can be manufactured by the method which includes, for example, glycidyl-etherifying a phenolic or alcoholic hydroxyl group and the hydroxyl group of the compound which has a chelate functional structure. The (A-1) chelate type epoxy resin can be produced, for example, by a method including reacting an epoxy resin not containing a chelate functional structure with a compound containing a chelate functional structure. For example, the (A-1) chelate type epoxy resin containing a phosphoric acid group can be manufactured by the method described in International Publication No. 2021/039380.

킬레이트능 구조를 함유하지 않는 에폭시 수지와 킬레이트능 구조를 함유하는 화합물을 반응시키는 것을 포함하는 (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지의 제조방법에서는, 통상, 에폭시 수지의 에폭시기에 킬레이트능 구조를 함유하는 화합물이 반응하여, (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지가 얻어진다. 이 때, 킬레이트능 구조를 함유하는 화합물의 반응량은, 킬레이트 변성량으로 표시된다. 구체적으로는, 킬레이트 변성량은, 킬레이트능 구조를 함유하지 않는 에폭시 수지 100질량%에 대한, 상기 에폭시 수지에 반응한 킬레이트능 구조를 함유하는 화합물의 비율로 표시된다. 상기 킬레이트 변성량은, 바람직하게는 0.3질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.8질량% 이상이고, 바람직하게는 10질량% 이하, 보다 바람직하게는 5.0질량% 이하, 특히 바람직하게는 3.0질량% 이하이다. 킬레이트 변성량이 상기 범위에 있는 경우, 수지 조성물의 경화물의 밀착성을 효과적으로 높일 수 있다.In the method for producing a chelate type epoxy resin (A-1) comprising reacting an epoxy resin containing no chelating functional structure with a compound containing a chelating functional structure, the epoxy group of the epoxy resin usually contains a chelating functional structure. The compound reacts to obtain (A-1) chelate type epoxy resin. At this time, the amount of reaction of the compound containing the chelating ability structure is expressed as the amount of chelate modification. Specifically, the amount of chelate modification is expressed as a ratio of a compound containing a chelate functional structure reacted to the epoxy resin with respect to 100% by mass of an epoxy resin containing no chelate functional structure. The amount of chelate modification is preferably 0.3% by mass or more, more preferably 0.5% by mass or more, particularly preferably 0.8% by mass or more, preferably 10% by mass or less, more preferably 5.0% by mass or less, Especially preferably, it is 3.0 mass % or less. When the amount of chelate modification is within the above range, the adhesiveness of the cured product of the resin composition can be effectively improved.

(A-1) 킬레이트형 에폭시 수지로서는, 시판품을 사용해도 좋다. 시판의 (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지로서는, ADEKA사 제조의 「EP-49-10P」, 「EP-49-10P2」 (모두, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 인산의 반응 생성물); ADEKA사 제조의 「EP-49-23」을 들 수 있다.(A-1) As a chelate type epoxy resin, you may use a commercial item. As a commercially available (A-1) chelate type epoxy resin, "EP-49-10P" by ADEKA, "EP-49-10P2" (both are reaction products of bisphenol A type epoxy resin and phosphoric acid); "EP-49-23" by ADEKA Corporation is mentioned.

(A-1) 킬레이트형 에폭시 수지는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(A-1) A chelate type epoxy resin may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

에폭시 수지에는, 온도 20℃에서 액상인 에폭시 수지(이하, 「액상 에폭시 수지」라고 말하는 경우가 있음)와, 온도 20℃에서 고체상인 에폭시 수지(이하, 「고체상 에폭시 수지」라고 말하는 경우가 있음)가 있다. 수지 조성물에 포함되는 (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지는, 액상 에폭시 수지만이라도 좋고, 고체상 에폭시 수지만이라도 좋고, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 조합이라도 좋다. (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지는, 액상 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하고, 액상 에폭시 수지만을 포함하는 것이 보다 바람직하다.Epoxy resins include liquid epoxy resins at a temperature of 20°C (hereinafter sometimes referred to as "liquid epoxy resins") and solid epoxy resins at a temperature of 20°C (hereinafter sometimes referred to as "solid epoxy resins"). there is The (A-1) chelate type epoxy resin contained in the resin composition may be a liquid epoxy resin alone, a solid epoxy resin alone, or a combination of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin. (A-1) The chelate type epoxy resin preferably contains a liquid epoxy resin, and more preferably contains only a liquid epoxy resin.

(A-1) 킬레이트형 에폭시 수지의 에폭시 당량은, 바람직하게는 50g/eq. 내지 5,000g/eq., 보다 바람직하게는 60g/eq. 내지 3,000g/eq., 더욱 바람직하게는 80g/eq. 내지 2,000g/eq., 특히 바람직하게는 110g/eq. 내지 1,000g/eq.이다. 에폭시 당량은, 에폭시기 1당량당 수지의 질량을 나타낸다. 이 에폭시 당량은, JIS K7236에 따라서 측정할 수 있다.(A-1) The epoxy equivalent of the chelate type epoxy resin is preferably 50 g/eq. to 5,000 g/eq., more preferably 60 g/eq. to 3,000 g/eq., more preferably 80 g/eq. to 2,000 g/eq., particularly preferably 110 g/eq. to 1,000 g/eq. Epoxy equivalent shows the mass of resin per 1 equivalent of epoxy groups. This epoxy equivalent can be measured according to JIS K7236.

(A-1) 킬레이트형 에폭시 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 바람직하게는 100 내지 5,000, 보다 바람직하게는 250 내지 3,000, 더욱 바람직하게는 400 내지 1,500이다. 또한, (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지의 수 평균 분자량은, 통상 5,000미만, 바람직하게는 3,000 미만이다. 수지의 중량 평균 분자량 및 수 평균 분자량은, 겔 투과 크로마토그래피(GPC)법에 의해, 폴리스티렌 환산의 값으로서 측정할 수 있다.(A-1) The weight average molecular weight (Mw) of the chelate type epoxy resin is preferably 100 to 5,000, more preferably 250 to 3,000, still more preferably 400 to 1,500. Moreover, the number average molecular weight of (A-1) chelate type epoxy resin is less than 5,000 normally, Preferably it is less than 3,000. The weight average molecular weight and number average molecular weight of the resin can be measured as values in terms of polystyrene by a gel permeation chromatography (GPC) method.

수지 조성물 중의 (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지의 양은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.1질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.5질량% 이상이고, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 10질량% 이하, 특히 바람직하게는 5질량% 이하이다. (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 휨을 억제하면서 밀착성을 효과적으로 향상시킬 수 있고, 또한 통상은, 최저 용융 점도를 효과적으로 낮게 할 수 있다.The amount of the chelating epoxy resin (A-1) in the resin composition is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.1% by mass or more, and particularly preferably 0.5% by mass based on 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition. % or more, preferably 20% by mass or less, more preferably 10% by mass or less, and particularly preferably 5% by mass or less. (A-1) When the amount of the chelate type epoxy resin is within the above range, the adhesiveness can be effectively improved while curvature is suppressed, and the minimum melt viscosity can usually be effectively lowered.

수지 조성물 중의 (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지의 양은, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.1질량% 이상, 보다 바람직하게는 1질량% 이상, 특히 바람직하게는 2질량% 이상이고, 바람직하게는 40질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 특히 바람직하게는 20질량% 이하이다. 수지 조성물의 수지 성분이란, 달리 언급하지 않는 한, 수지 조성물의 불휘발 성분 중, (B) 무기 충전재를 제외한 성분을 나타낸다. (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 휨을 억제하면서 밀착성을 효과적으로 향상시킬 수 있고, 또한 통상은, 최저 용융 점도를 효과적으로 낮게 할 수 있다.The amount of the chelate type epoxy resin (A-1) in the resin composition is preferably 0.1% by mass or more, more preferably 1% by mass or more, and particularly preferably 2% by mass with respect to 100% by mass of the resin component of the resin composition. or more, preferably 40% by mass or less, more preferably 30% by mass or less, and particularly preferably 20% by mass or less. Unless otherwise indicated, the resin component of a resin composition represents the component except (B) inorganic filler among the non-volatile components of a resin composition. (A-1) When the amount of the chelate type epoxy resin is within the above range, the adhesiveness can be effectively improved while curvature is suppressed, and the minimum melt viscosity can usually be effectively lowered.

(A) 에폭시 수지의 전량 100질량%에 대하여, (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지의 질량은, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 3질량% 이상, 특히 바람직하게는 5질량% 이상이고, 바람직하게는 80질량% 이하, 보다 바람직하게는 60질량% 이하, 특히 바람직하게는 40질량% 이하이다. (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 휨을 억제하면서 밀착성을 효과적으로 향상시킬 수 있고, 또한 통상은, 최저 용융 점도를 효과적으로 낮게 할 수 있다.(A) With respect to 100% by mass of the total amount of the epoxy resin, the mass of the (A-1) chelate type epoxy resin is preferably 1% by mass or more, more preferably 3% by mass or more, and particularly preferably 5% by mass or more, preferably 80% by mass or less, more preferably 60% by mass or less, and particularly preferably 40% by mass or less. (A-1) When the amount of the chelate type epoxy resin is within the above range, the adhesiveness can be effectively improved while curvature is suppressed, and the minimum melt viscosity can usually be effectively lowered.

수지 조성물 중의 (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지의 질량 W(A-1)와 (C) 엘라스토머의 질량 W(C)의 비 W(A-1)/W(C)는, 특정한 범위에 있는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 상기 비 W(A-1)/W(C)는, 바람직하게는 0.01 이상, 보다 바람직하게는 0.02 이상, 특히 바람직하게는 0.04 이상이고, 바람직하게는 1.0 이하, 보다 바람직하게는 0.8 이하, 특히 바람직하게는 0.7 이하이다. 비 W(A-1)/W(C)가 상기 범위에 있는 경우, 휨을 억제하면서 밀착성을 효과적으로 향상시킬 수 있고, 또한 통상은, 최저 용융 점도를 효과적으로 낮게 할 수 있다.The ratio W(A-1)/W(C) of the mass W(A-1) of the (A-1) chelate type epoxy resin in the resin composition and the mass W(C) of the (C) elastomer is within a specific range. it is desirable Specifically, the ratio W(A-1)/W(C) is preferably 0.01 or more, more preferably 0.02 or more, particularly preferably 0.04 or more, preferably 1.0 or less, more preferably 0.8 or less, particularly preferably 0.7 or less. When the ratio W(A-1)/W(C) is within the above range, the adhesiveness can be effectively improved while curvature is suppressed, and the minimum melt viscosity can usually be effectively lowered.

(A) 에폭시 수지는, (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지에 조합하여, (A-2) 성분으로서, (A-2) (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지 이외의 에폭시 수지를 포함하고 있어도 좋다. 이하의 설명에 있어서, 「(A-2) (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지 이외의 에폭시 수지」를, 「(A-2) 임의의 에폭시 수지」라고 말하는 경우가 있다.(A) Even if the epoxy resin contains an epoxy resin other than the chelate type epoxy resin (A-2) (A-1) as the component (A-2) in combination with the (A-1) chelate type epoxy resin good night. In the following description, "(A-2) (A-1) epoxy resin other than chelate type epoxy resin" may be referred to as "(A-2) arbitrary epoxy resin".

(A-2) 임의의 에폭시 수지의 예로서는, 비크실레놀형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 페놀아르알킬형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 스피로환 함유 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 트리메틸올형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 이소시아누레이트형 에폭시 수지, 페놀프탈이미딘형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. (A-2) 임의의 에폭시 수지는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(A-2) Examples of arbitrary epoxy resins include bixylenol type epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol S type epoxy resins, bisphenol AF type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, Trisphenol type epoxy resin, naphthol novolak type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, glycidylamine type epoxy Resins, cresol novolak type epoxy resins, phenol aralkyl type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, linear aliphatic epoxy resins, epoxy resins having a butadiene structure, alicyclic epoxy resins, heterocyclic epoxy resins, spiro ring-containing epoxy resins, Cyclohexane type epoxy resin, cyclohexanedimethanol type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, trimethylol type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin, isocyanurate type epoxy resin, phenolphthalimidine type epoxy resin, etc. can (A-2) Arbitrary epoxy resins may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

(A-2) 임의의 에폭시 수지는, 내열성이 우수한 경화물을 얻는 관점에서, 방향족 구조를 함유하는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 방향족 구조를 함유하는 (A-2) 임의의 에폭시 수지로서는, 예를 들어, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 S형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, tert-부틸-카테콜형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비크실레놀형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 글리시딜아민형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 선상 지방족 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 스피로환 함유 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 트리메틸올형 에폭시 수지, 방향족 구조를 갖는 테트라페닐에탄형 에폭시 수지 등을 들 수 있다.(A-2) It is preferable that the arbitrary epoxy resin contains the epoxy resin containing an aromatic structure from a viewpoint of obtaining the hardened|cured material excellent in heat resistance. Examples of the optional epoxy resin (A-2) containing an aromatic structure include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, and dicyclopentadiene type epoxy resin. Resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol novolac type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, tert-butyl-catechol type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bixylenol type epoxy Resin, glycidylamine type epoxy resin having an aromatic structure, cresol novolak type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, linear aliphatic epoxy resin having an aromatic structure, epoxy resin having a butadiene structure having an aromatic structure, aromatic structure An alicyclic epoxy resin, a heterocyclic epoxy resin, a spiro ring-containing epoxy resin having an aromatic structure, a cyclohexane dimethanol type epoxy resin having an aromatic structure, a naphthylene ether type epoxy resin, a trimethylol type epoxy resin having an aromatic structure, an aromatic tetraphenylethane type epoxy resins having a structure; and the like.

(A-2) 임의의 에폭시 수지는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지를 포함하는 것이 바람직하다. (A-2) 임의의 에폭시 수지의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 에폭시 수지의 비율은, 바람직하게는 50질량% 이상, 보다 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이다.(A-2) It is preferable that arbitrary epoxy resins contain the epoxy resin which has 2 or more epoxy groups in 1 molecule. (A-2) The ratio of the epoxy resin having two or more epoxy groups per molecule to 100% by mass of the non-volatile component of any epoxy resin is preferably 50% by mass or more, more preferably 60% by mass or more. , Particularly preferably, it is 70% by mass or more.

(A-2) 임의의 에폭시 수지는, 액상 에폭시 수지만이라도 좋고, 고체상 에폭시 수지만이라도 좋고, 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지의 조합이라도 좋다.(A-2) The optional epoxy resin may be a liquid epoxy resin alone, a solid epoxy resin alone, or a combination of a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin.

액상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 2개 이상의 에폭시기를 갖는 액상 에폭시 수지가 바람직하다. (A-2) 임의의 에폭시 수지로서 사용할 수 있는 바람직한 액상 에폭시 수지로서는, 예를 들어, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 사이클로헥산형 에폭시 수지, 사이클로헥산디메탄올형 에폭시 수지 및 부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지를 들 수 있다.As the liquid epoxy resin, a liquid epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is preferable. (A-2) As a preferable liquid epoxy resin which can be used as arbitrary epoxy resins, for example, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol AF type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resins, phenol novolak type epoxy resins, cyclohexane type epoxy resins, cyclohexanedimethanol type epoxy resins, and epoxy resins having a butadiene structure.

(A-2) 임의의 에폭시 수지로서 사용할 수 있는 액상 에폭시 수지의 구체예 로서는, DIC사 제조의 「HP4032」, 「HP4032D」, 「HP4032SS」(나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「828US」, 「828EL」, 「jER828EL」, 「825」, 「에피코트 828EL」(비스페놀 A형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER807」, 「1750」(비스페놀 F형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER152」(페놀 노볼락형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「630」, 「630LSD」, 「604」(글리시딜아민형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「ED-523T」(글리시롤형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「EP-3950L」, 「EP-3980S」(글리시딜아민형 에폭시 수지); ADEKA사 제조의 「EP-4088S」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼 카가쿠사 제조의 「ZX-1059」(비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 혼합품); 다이셀사 제조의 「PB-3600」, 닛폰 소다사 제조의 「JP-100」, 「JP-200」(부타디엔 구조를 갖는 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼 제조의 「ZX1658」, 「ZX1658GS」(액상 1,4-글리시딜사이클로헥산형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(A-2) As a specific example of the liquid epoxy resin which can be used as arbitrary epoxy resin, DIC Corporation "HP4032", "HP4032D", "HP4032SS" (naphthalene type epoxy resin); "828US", "828EL", "jER828EL", "825", "Epicoat 828EL" (bisphenol A type epoxy resin) by Mitsubishi Chemical Corporation; Mitsubishi Chemical Corporation "jER807", "1750" (bisphenol F-type epoxy resin); "jER152" (phenol novolac type epoxy resin) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation; "630" by Mitsubishi Chemical Corporation, "630LSD", "604" (glycidylamine type|mold epoxy resin); "ED-523T" by ADEKA (a glycerol-type epoxy resin); "EP-3950L" by ADEKA, "EP-3980S" (glycidylamine type epoxy resin); "EP-4088S" by ADEKA (dicyclopentadiene type epoxy resin); "ZX-1059" (a mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel Chemical & Material Chemical Co., Ltd.; "PB-3600" by Daicel Co., Ltd., "JP-100" by Nippon Soda Co., Ltd., "JP-200" (epoxy resin having a butadiene structure); “ZX1658” and “ZX1658GS” (liquid 1,4-glycidylcyclohexane type epoxy resin) manufactured by Nippon-Stetsu Chemical & Material Co., Ltd. and the like are exemplified. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

고체상 에폭시 수지로서는, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 고체상 에폭시 수지가 바람직하고, 1분자 중에 3개 이상의 에폭시기를 갖는 방향족계 고체상 에폭시 수지가 보다 바람직하다. (A-2) 임의의 에폭시 수지로서 사용할 수 있는 바람직한 고체상 에폭시 수지로서는, 예를 들어, 비크실레놀형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 나프탈렌형 4관능 에폭시 수지, 나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지, 트리스페놀형 에폭시 수지, 나프톨형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 나프틸렌에테르형 에폭시 수지, 안트라센형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 AF형 에폭시 수지, 페놀아르알킬형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 페놀프탈이미딘형 에폭시 수지가 바람직하다.As the solid epoxy resin, a solid epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule is preferable, and an aromatic solid epoxy resin having three or more epoxy groups in one molecule is more preferable. (A-2) Preferred solid-state epoxy resins that can be used as any epoxy resin include, for example, bixylenol type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, naphthalene type tetrafunctional epoxy resins, naphthol novolac type epoxy resins, cresol furnace Rockfish type epoxy resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, trisphenol type epoxy resin, naphthol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, naphthylene ether type epoxy resin, anthracene type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol AF A type epoxy resin, a phenol aralkyl type epoxy resin, a tetraphenylethane type epoxy resin, and a phenolphthalimidine type epoxy resin are preferable.

(A-2) 임의의 에폭시 수지로서 사용할 수 있는 고체상 에폭시 수지의 구체예로서는, DIC사 제조의 「HP4032H」(나프탈렌형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-4700」, 「HP-4710」(나프탈렌형 4관능 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-690」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「N-695」(크레졸 노볼락형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「HP-7200」, 「HP-7200HH」, 「HP-7200H」, 「HP-7200L」(디사이클로펜타디엔형 에폭시 수지); DIC사 제조의 「EXA-7311」, 「EXA-7311-G3」, 「EXA-7311-G4」, 「EXA-7311-G4S」, 「HP6000」, 「HP6000L」(나프틸렌에테르형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「EPPN-502H」(트리스페놀형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「NC7000L」(나프톨 노볼락형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「NC3000H」, 「NC3000」, 「NC3000L」, 「NC3000FH」, 「NC3100」(비페닐형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ESN475V」, 「ESN4100V」(나프탈렌형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ESN485」(나프톨형 에폭시 수지); 닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조의 「ESN375」(디하이드록시나프탈렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX4000H」, 「YX4000」, 「YX4000HK」, 「YL7890」(비크실레놀형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL6121」(비페닐형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX8800」(안트라센형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YX7700」(페놀아르알킬형 에폭시 수지); 오사카 가스 케미컬사 제조의 「PG-100」, 「CG-500」; 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7760」(비스페놀 AF형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「YL7800」(플루오렌형 에폭시 수지); 미츠비시 케미컬사 제조의 「jER1031S」(테트라페닐에탄형 에폭시 수지); 닛폰 카야쿠사 제조의 「WHR991S」(페놀프탈이미딘형 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 이들은, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(A-2) As a specific example of the solid-state epoxy resin which can be used as arbitrary epoxy resins, "HP4032H" by DIC Corporation (naphthalene-type epoxy resin); "HP-4700" by DIC Corporation, "HP-4710" (naphthalene type tetrafunctional epoxy resin); "N-690" by DIC Corporation (cresol novolak-type epoxy resin); "N-695" by DIC Corporation (cresol novolak-type epoxy resin); "HP-7200", "HP-7200HH", "HP-7200H", "HP-7200L" (dicyclopentadiene type epoxy resin) by DIC; "EXA-7311", "EXA-7311-G3", "EXA-7311-G4", "EXA-7311-G4S", "HP6000", "HP6000L" (naphthylene ether type epoxy resin) manufactured by DIC; Nippon Kayaku Co., Ltd. "EPPN-502H" (trisphenol type epoxy resin); Nippon Kayaku Co., Ltd. "NC7000L" (naphthol novolac type epoxy resin); Nippon Kayaku Co., Ltd. "NC3000H", "NC3000", "NC3000L", "NC3000FH", "NC3100" (biphenyl type epoxy resin); "ESN475V" and "ESN4100V" (naphthalene-type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel Chemical &Materials; "ESN485" (naphthol type epoxy resin) manufactured by Nippon Steel Chemical &Materials; "ESN375" (dihydroxy naphthalene type epoxy resin) by the Nippon-tsu Chemical & Material company; "YX4000H", "YX4000", "YX4000HK", "YL7890" (bixylenol type epoxy resin) by Mitsubishi Chemical Corporation; Mitsubishi Chemical Corporation "YL6121" (biphenyl type epoxy resin); Mitsubishi Chemical Corporation "YX8800" (anthracene-type epoxy resin); Mitsubishi Chemical Corporation "YX7700" (phenol aralkyl type epoxy resin); "PG-100" and "CG-500" manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd.; Mitsubishi Chemical Corporation "YL7760" (bisphenol AF type epoxy resin); Mitsubishi Chemical Corporation "YL7800" (fluorene type epoxy resin); Mitsubishi Chemical Corporation "jER1031S" (tetraphenylethane type epoxy resin); "WHR991S" (phenolphthalimidine type epoxy resin) by Nippon Kayaku Co., Ltd., etc. are mentioned. These may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

(A-2) 임의의 에폭시 수지의 에폭시 당량의 범위는, (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지의 에폭시 당량의 범위와 동일할 수 있다.(A-2) The range of the epoxy equivalent of the arbitrary epoxy resin may be the same as the range of the epoxy equivalent of the (A-1) chelate type epoxy resin.

(A-2) 임의의 에폭시 수지의 중량 평균 분자량 및 수 평균 분자량의 범위는, (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지의 중량 평균 분자량 및 수 평균 분자량의 범위와 동일할 수 있다.(A-2) The ranges of the weight average molecular weight and number average molecular weight of the arbitrary epoxy resin may be the same as the ranges of the weight average molecular weight and number average molecular weight of the (A-1) chelate type epoxy resin.

(A) 에폭시 수지로서 액상 에폭시 수지와 고체상 에폭시 수지를 조합하여 사용하는 경우, 이들의 질량비(액상 에폭시 수지:고체상 에폭시 수지)는, 바람직하게는 20:1 내지 1:5, 보다 바람직하게는 10:1 내지 1:2, 특히 바람직하게는 5:1 내지 1:1이다.(A) When a liquid epoxy resin and a solid epoxy resin are used in combination as the epoxy resin, the mass ratio (liquid epoxy resin:solid epoxy resin) is preferably 20:1 to 1:5, more preferably 10 :1 to 1:2, particularly preferably 5:1 to 1:1.

수지 조성물 중의 (A) 에폭시 수지의 양은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 2질량% 이상, 특히 바람직하게는 5질량% 이상이고, 바람직하게는 40질량% 이하, 보다 바람직하게는 30질량% 이하, 특히 바람직하게는 20질량% 이하이다. (A) 에폭시 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 휨의 억제 및 밀착성의 향상의 효과를 현저히 얻을 수 있고, 또한 통상은, 최저 용융 점도를 효과적으로 낮게 할 수 있다.The amount of (A) epoxy resin in the resin composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, and particularly preferably 5% by mass or more, based on 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition, It is preferably 40% by mass or less, more preferably 30% by mass or less, and particularly preferably 20% by mass or less. (A) When the amount of the epoxy resin is within the above range, the effect of suppressing warpage and improving adhesion can be remarkably obtained, and usually, the minimum melt viscosity can be effectively lowered.

수지 조성물 중의 (A) 에폭시 수지의 양은, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 20질량% 이상, 특히 바람직하게는 30질량% 이상이고, 바람직하게는 70질량% 이하, 보다 바람직하게는 60질량% 이하, 특히 바람직하게는 50질량% 이하이다. (A) 에폭시 수지의 양이 상기 범위에 있는 경우, 휨의 억제 및 밀착성의 향상의 효과를 현저히 얻을 수 있고, 또한 통상은, 최저 용융 점도를 효과적으로 낮게 할 수 있다.The amount of the epoxy resin (A) in the resin composition is preferably 10% by mass or more, more preferably 20% by mass or more, particularly preferably 30% by mass or more, based on 100% by mass of the resin component of the resin composition. It is preferably 70% by mass or less, more preferably 60% by mass or less, and particularly preferably 50% by mass or less. (A) When the amount of the epoxy resin is within the above range, the effect of suppressing warpage and improving adhesion can be remarkably obtained, and usually, the minimum melt viscosity can be effectively lowered.

[3. (B) 무기 충전재][3. (B) inorganic filler]

본 실시형태에 따른 수지 조성물은, (B) 성분으로서의 (B) 무기 충전재를 포함한다. (B) 무기 충전재는, 통상, 입자의 상태로 수지 조성물에 포함된다.The resin composition according to the present embodiment includes (B) an inorganic filler as component (B). (B) An inorganic filler is usually contained in a resin composition in the form of particles.

(B) 무기 충전재의 재료로서는, 무기 화합물을 사용한다. (B) 무기 충전재의 재료로서는, 예를 들어, 실리카, 알루미나, 유리, 코디어라이트, 실리콘 산화물, 황산 바륨, 탄산 바륨, 탈크, 클레이, 운모분, 산화 아연, 하이드로탈사이트, 베마이트, 수산화 알루미늄, 수산화 마그네슘, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 산화 마그네슘, 질화 붕소, 질화 알루미늄, 질화 망간, 붕산 알루미늄, 탄산 스트론튬, 티탄산 스트론튬, 티탄산 칼슘, 티탄산 마그네슘, 티탄산 비스무트, 산화 티탄, 산화 지르코늄, 티탄산 바륨, 티탄산 지르콘산 바륨, 지르콘산 바륨, 지르콘산 칼슘, 인산 지르코늄 및 인산 텅스텐산 지르코늄 등을 들 수 있다. 이들 중에서도 실리카, 산화 알루미나가 적합하고, 실리카가 특히 적합하다. 실리카로서는, 예를 들어, 무정형 실리카, 용융 실리카, 결정 실리카, 합성 실리카, 중공 실리카 등을 들 수 있다. 또한, 실리카로서는 구형 실리카가 바람직하다. (B) 무기 충전재는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(B) As a material of an inorganic filler, an inorganic compound is used. (B) Materials for the inorganic filler include, for example, silica, alumina, glass, cordierite, silicon oxide, barium sulfate, barium carbonate, talc, clay, mica powder, zinc oxide, hydrotalcite, boehmite, hydroxide Aluminum, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, magnesium oxide, boron nitride, aluminum nitride, manganese nitride, aluminum borate, strontium carbonate, strontium titanate, calcium titanate, magnesium titanate, bismuth titanate, titanium oxide, zirconium oxide, barium titanate, Zirconate barium titanate, barium zirconate, calcium zirconate, zirconium phosphate, zirconium tungstate phosphate, etc. are mentioned. Among these, silica and alumina oxide are suitable, and silica is particularly suitable. As silica, amorphous silica, fused silica, crystalline silica, synthetic silica, hollow silica etc. are mentioned, for example. Moreover, as a silica, spherical silica is preferable. (B) An inorganic filler may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

(B) 무기 충전재의 시판품으로서는, 예를 들어, 덴카 카가쿠코교사 제조의 「UFP-30」; 신닛테츠 스미킨 머티리얼즈사 제조의 「SP60-05」, 「SP507-05」; 아도마텍스사 제조의 「YC100C」, 「YA050C」, 「YA050C-MJE」, 「YA010C」; 덴카사 제조의 「UFP-30」; 토쿠야마사 제조의 「씰필 NSS-3N」, 「씰필 NSS-4N」, 「씰필 NSS-5N」; 아도마텍스사 제조의 「SC2500SQ」, 「SO-C4」, 「SO-C2」, 「SO-C1」, 「SC2050-SXF」 등을 들 수 있다.(B) As a commercial item of an inorganic filler, it is "UFP-30" by Denka Chemical Co., Ltd.; "SP60-05" and "SP507-05" manufactured by Nippon Steel Sumikin Materials; "YC100C", "YA050C", "YA050C-MJE", "YA010C" manufactured by Adomatex; "UFP-30" by Denka Corporation; "Seal Fill NSS-3N", "Seal Fill NSS-4N", and "Seal Fill NSS-5N" manufactured by Tokuyama Corporation; "SC2500SQ", "SO-C4", "SO-C2", "SO-C1", "SC2050-SXF" by Adomatex Co., Ltd., etc. are mentioned.

(B) 무기 충전재의 평균 입자 직경은, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 바람직하게는 0.01㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.05㎛ 이상, 특히 바람직하게는 0.1㎛ 이상이고, 바람직하게는 10㎛ 이하, 보다 바람직하게는 7㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 5㎛ 이하이다.(B) The average particle diameter of the inorganic filler is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.05 μm or more, particularly preferably 0.1 μm or more, and preferably 10 μm or more, from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention. μm or less, more preferably 7 μm or less, still more preferably 5 μm or less.

(B) 무기 충전재의 평균 입자 직경은, 미(Mie) 산란 이론에 기초하는 레이저 회절·산란법에 의해 측정할 수 있다. 구체적으로는, 레이저 회절 산란식 입자 직경 분포 측정 장치에 의해, 무기 충전재의 입자 직경 분포를 체적 기준으로 작성하고, 이의 중간 직경을 평균 입자 직경으로 함으로써 측정할 수 있다. 측정 샘플은, 무기 충전재 100mg, 메틸에틸케톤 10g을 바이알병에 칭량하여 취하고, 초음파로 10분간 분산시킨 것을 사용할 수 있다. 측정 샘플을, 레이저 회절식 입자 직경 분포 측정 장치를 사용하여, 사용 광원 파장을 청색 및 적색으로 하고, 플로우 셀 방식으로 무기 충전재의 체적 기준의 입자 직경 분포를 측정하고, 얻어진 입자 직경 분포로부터 중간 직경으로서 평균 입자 직경을 산출할 수 있다. 레이저 회절식 입자 직경 분포 측정 장치로서는, 예를 들어 호리바 세사쿠쇼사 제조 「LA-960」 등을 들 수 있다.(B) The average particle diameter of the inorganic filler can be measured by a laser diffraction/scattering method based on Mie scattering theory. Specifically, it can be measured by creating the particle size distribution of the inorganic filler on a volume basis with a laser diffraction scattering type particle size distribution analyzer and taking the median diameter as the average particle size. As the measurement sample, 100 mg of the inorganic filler and 10 g of methyl ethyl ketone were weighed into a vial bottle and dispersed by ultrasonic waves for 10 minutes can be used. The measurement sample was measured using a laser diffraction type particle size distribution measuring device, using blue and red light source wavelengths, and measuring the volume-based particle size distribution of the inorganic filler by a flow cell method, and from the obtained particle size distribution, the median diameter The average particle diameter can be calculated as Examples of the laser diffraction type particle size distribution measuring device include "LA-960" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd. and the like.

(B) 무기 충전재의 비표면적은, 본 발명의 원하는 효과를 현저히 얻는 관점에서, 바람직하게는 1㎡/g 이상, 보다 바람직하게는 2㎡/g 이상, 특히 바람직하게는 3㎡/g 이상이다. 상한에 특단의 제한은 없지만, 바람직하게는 60㎡/g 이하, 50㎡/g 이하 또는 40㎡/g 이하이다. 비표면적은, BET법에 따라서, 비표면적 측정 장치(마운텍사 제조 Macsorb HM-1210)를 사용해서 시료 표면에 질소 가스를 흡착시키고, BET 다점법을 사용하여 비표면적을 산출함으로써 측정할 수 있다.(B) The specific surface area of the inorganic filler is preferably 1 m 2 /g or more, more preferably 2 m 2 /g or more, and particularly preferably 3 m 2 /g or more from the viewpoint of significantly obtaining the desired effect of the present invention. . The upper limit is not particularly limited, but is preferably 60 m 2 /g or less, 50 m 2 /g or less, or 40 m 2 /g or less. The specific surface area can be measured according to the BET method by adsorbing nitrogen gas to the sample surface using a specific surface area measuring device (Macsorb HM-1210 manufactured by Mountec Co., Ltd.) and calculating the specific surface area using the BET multi-point method.

(B) 무기 충전재는, 내습성 및 분산성을 높이는 관점에서, 표면 처리제로 처리되어 있는 것이 바람직하다. 표면 처리제로서는, 예를 들어, 불소 함유 실란 커플링제, 아미노실란계 커플링제, 에폭시실란계 커플링제, 머캅토실란계 커플링제, 실란계 커플링제, 알콕시실란, 오가노실라잔 화합물, 티타네이트계 커플링제 등을 들 수 있다. 표면 처리제는, 1종류 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의로 조합하여 사용해도 좋다.(B) The inorganic filler is preferably treated with a surface treatment agent from the viewpoint of improving moisture resistance and dispersibility. Examples of the surface treatment agent include fluorine-containing silane coupling agents, aminosilane coupling agents, epoxysilane coupling agents, mercaptosilane coupling agents, silane coupling agents, alkoxysilanes, organosilazane compounds, and titanate coupling agents. A ring agent etc. are mentioned. A surface treatment agent may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types arbitrarily.

표면 처리제의 시판품으로서는, 예를 들어, 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM403」(3-글리시독시프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM803」(3-머캅토프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBE903」(3-아미노프로필트리에톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」(N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「SZ-31」(헥사메틸디실라잔), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM103」(페닐트리메톡시실란), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM-4803」(장쇄 에폭시형 실란 커플링제), 신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM-7103」(3,3,3-트리플루오로프로필트리메톡시실란) 등을 들 수 있다.As a commercial item of a surface treatment agent, for example, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM403" (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM803" (3-mercaptopropyltrimethoxysilane) Silane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBE903" (3-aminopropyltriethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM573" (N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "SZ-31" (hexamethyldisilazane) manufactured by Kogyo Co., Ltd. "KBM103" (phenyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM-4803" (long-chain epoxy type silane couple) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. ring agent), Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. "KBM-7103" (3,3,3-trifluoropropyltrimethoxysilane), etc. are mentioned.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, (B) 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 특정한 범위에 들어가는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 무기 충전재 100질량%는, 0.2질량% 내지 5질량%의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 바람직하고, 0.2질량% 내지 3질량%의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 보다 바람직하고, 0.3질량% 내지 2질량%의 표면 처리제로 표면 처리되어 있는 것이 더욱 바람직하다.The degree of surface treatment with the surface treatment agent is preferably within a specific range from the viewpoint of improving the dispersibility of (B) the inorganic filler. Specifically, 100% by mass of the inorganic filler is preferably surface-treated with 0.2% by mass to 5% by mass of a surface treatment agent, more preferably 0.2% by mass to 3% by mass of a surface treatment agent, It is more preferable that the surface is treated with a surface treatment agent of 0.3% by mass to 2% by mass.

표면 처리제에 의한 표면 처리의 정도는, 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량에 의해 평가할 수 있다. 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은, 무기 충전재의 분산성 향상의 관점에서, 0.02mg/㎡ 이상이 바람직하고, 0.1mg/㎡ 이상이 보다 바람직하고, 0.2mg/㎡ 이상이 더욱 바람직하다. 한편, 수지 조성물의 용융 점도의 상승을 억제하는 관점에서, 1.0mg/㎡ 이하가 바람직하고, 0.8mg/㎡ 이하가 보다 바람직하고, 0.5mg/㎡ 이하가 더욱 바람직하다.The degree of surface treatment by the surface treatment agent can be evaluated by the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler. The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler is preferably 0.02 mg/m 2 or more, more preferably 0.1 mg/m 2 or more, and still more preferably 0.2 mg/m 2 or more, from the viewpoint of improving the dispersibility of the inorganic filler. On the other hand, from the viewpoint of suppressing an increase in the melt viscosity of the resin composition, 1.0 mg/m 2 or less is preferable, 0.8 mg/m 2 or less is more preferable, and 0.5 mg/m 2 or less is still more preferable.

(B) 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량은, 표면 처리 후의 무기 충전재를 용제(예를 들어, 메틸에틸케톤(MEK))에 의해 세정 처리한 후에 측정할 수 있다. 구체적으로는, 용제로서 충분한 양의 MEK를 표면 처리제로 표면 처리된 무기 충전재에 첨가하여, 25℃에서 5분간 초음파 세정한다. 상청액을 제거하고, 고형분을 건조시킨 후, 카본 분석계를 이용해서 무기 충전재의 단위 표면적당 카본량을 측정할 수 있다. 카본 분석계로서는, 호리바 세사쿠쇼사 제조 「EMIA-320V」등을 사용할 수 있다.(B) The amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured after washing the inorganic filler after surface treatment with a solvent (for example, methyl ethyl ketone (MEK)). Specifically, a sufficient amount of MEK as a solvent is added to the surface-treated inorganic filler with a surface treatment agent, followed by ultrasonic cleaning at 25°C for 5 minutes. After removing the supernatant liquid and drying the solid content, the amount of carbon per unit surface area of the inorganic filler can be measured using a carbon analyzer. As a carbon analyzer, "EMIA-320V" manufactured by Horiba Seisakusho Co., Ltd. or the like can be used.

수지 조성물 중의 (B) 무기 충전재의 양은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 40질량% 이상, 보다 바람직하게는 50질량% 이상, 더욱 바람직하게는 60질량% 이상, 특히 바람직하게는 70질량% 이상이고, 바람직하게는 95질량% 이하, 보다 바람직하게는 90질량% 이하, 더욱 바람직하게는 85질량% 이하, 특히 바람직하게는 80질량% 이하이다. 일반적으로, 무기 충전재의 양이 상기와 같이 많은 경우, 수지 조성물의 최저 용융 점도의 증가 및 수지 조성물의 경화물의 밀착성의 저하의 과제가 생기기 쉬웠다. 이에 대하여, 본 실시형태에 따른 수지 조성물에 의하면 상기와 같이 무기 충전재가 많은 경우라도 경화물의 밀착성을 개선할 수 있고, 더욱 바람직하게는 최저 용융 점도를 낮게 할 수 있다. 따라서, 상기 하한값 이상의 많은 (B) 무기 충전재를 포함하는 경우에, 본 실시형태에 따른 수지 조성물의 이점을 특히 유효하게 활용할 수 있다. 또한, (B) 무기 충전재의 양이 상기 상한값 이하인 경우, 휨의 억제 및 밀착성의 향상의 효과를 현저히 얻을 수 있고, 또한 통상은, 최저 용융 점도를 효과적으로 낮게 할 수 있다.The amount of the inorganic filler (B) in the resin composition is preferably 40% by mass or more, more preferably 50% by mass or more, still more preferably 60% by mass or more, especially with respect to 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition. It is preferably 70% by mass or more, preferably 95% by mass or less, more preferably 90% by mass or less, still more preferably 85% by mass or less, and particularly preferably 80% by mass or less. In general, when the amount of the inorganic filler is large as described above, the problems of an increase in the minimum melt viscosity of the resin composition and a decrease in the adhesiveness of a cured product of the resin composition tend to occur. In contrast, according to the resin composition according to the present embodiment, even when the inorganic filler is large as described above, the adhesiveness of the cured product can be improved, and more preferably the minimum melt viscosity can be reduced. Therefore, the advantage of the resin composition according to the present embodiment can be particularly effectively utilized when the inorganic filler (B) is included in a large number equal to or greater than the above lower limit. Further, (B) When the amount of the inorganic filler is less than or equal to the above upper limit, the effect of suppressing warpage and improving adhesion can be remarkably obtained, and usually, the minimum melt viscosity can be effectively lowered.

[4. (C) 엘라스토머][4. (C) elastomer]

본 실시형태에 따른 수지 조성물은, (C) 성분으로서의 (C) 엘라스토머를 포함한다. 상기 (C) 엘라스토머에는, 상기 (A) 내지 (B) 성분에 해당하는 것은 포함시키지 않는다. (C) 엘라스토머란, 유연성을 갖는 수지이고, 바람직하게는, 고무 탄성을 갖는 수지 또는 다른 성분과 중합해서 고무 탄성을 나타내는 수지이다. 고무 탄성으로서는, 예를 들어, 일본 공업 규격(JIS K7161)에 준거하고, 온도 25℃, 습도 40%RH에서 인장 시험을 행한 경우에, 1GPa 이하의 탄성율을 나타내는 수지를 들 수 있다. (C) 엘라스토머는, 통상, 유기 용제에 용해할 수 있는 부정형 수지 성분이다. (C) 엘라스토머는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다. (C) 엘라스토머에 의하면, 수지 조성물의 경화물의 탄성율을 내릴 수 있다.The resin composition according to the present embodiment contains (C) elastomer as component (C). The elastomer (C) does not include those corresponding to the components (A) to (B). (C) The elastomer is a resin having flexibility, and preferably a resin having rubber elasticity or a resin exhibiting rubber elasticity by polymerizing with other components. Examples of rubber elasticity include a resin that exhibits an elastic modulus of 1 GPa or less when a tensile test is performed in accordance with Japanese Industrial Standards (JIS K7161) at a temperature of 25° C. and a humidity of 40% RH. (C) The elastomer is usually an amorphous resin component that can be dissolved in an organic solvent. (C) An elastomer may be used individually by 1 type, and may be used combining two or more types by arbitrary ratios. (C) According to the elastomer, the elastic modulus of the cured product of the resin composition can be lowered.

(C) 엘라스토머는 고분자량인 것이 바람직하다. (C) 엘라스토머의 수 평균 분자량(Mn)은, 바람직하게는 1,000 이상, 보다 바람직하게는 1,500 이상, 더욱 바람직하게는 2,000 이상, 더욱 바람직하게는 3,000 이상, 특히 바람직하게는 5,000 이상이다. (C) 엘라스토머가 상기와 같이 고분자량인 경우, 휨의 억제 및 밀착성의 향상의 효과를 현저히 얻을 수 있고, 또한 통상은, 최저 용융 점도를 효과적으로 낮게 할 수 있다. 수 평균 분자량의 상한은, 특단의 제한은 없지만, 바람직하게는 1,000,000 이하, 보다 바람직하게는 900,000 이하이다. 수 평균 분자량(Mn)은, GPC(겔 투과 크로마토그래피)를 사용해서 측정되는 폴리스티렌 환산의 수 평균 분자량이다.(C) It is preferable that an elastomer is high molecular weight. (C) The number average molecular weight (Mn) of the elastomer is preferably 1,000 or more, more preferably 1,500 or more, still more preferably 2,000 or more, still more preferably 3,000 or more, and particularly preferably 5,000 or more. (C) When the elastomer has a high molecular weight as described above, the effect of suppressing warpage and improving adhesion can be remarkably obtained, and usually, the minimum melt viscosity can be effectively lowered. The upper limit of the number average molecular weight is not particularly limited, but is preferably 1,000,000 or less, more preferably 900,000 or less. The number average molecular weight (Mn) is a number average molecular weight in terms of polystyrene measured using GPC (gel permeation chromatography).

(C) 엘라스토머는, 유리 전이 온도(Tg)가 25℃ 이하인 수지 및 25℃ 이하에서 액상인 수지로부터 선택되는 1종 이상인 것이 바람직하다. 유리 전이 온도(Tg)가 25℃ 이하인 수지의 유리 전이 온도는, 바람직하게는 20℃ 이하, 보다 바람직하게는 15℃ 이하이다. 유리 전이 온도의 하한은 특별히 한정되지 않지만, 통상 -15℃ 이상일 수 있다. 또한, 25℃에서 액상인 수지는, 바람직하게는 20℃ 이하에서 액상인 수지, 보다 바람직하게는 15℃ 이하에서 액상인 수지이다. 유리 전이 온도는, DSC(시차 주사 열량 측정)에 의해 5℃/분의 승온 속도로 측정할 수 있다.(C) The elastomer is preferably at least one selected from resins having a glass transition temperature (Tg) of 25°C or less and liquid resins at 25°C or less. The glass transition temperature of the resin having a glass transition temperature (Tg) of 25°C or lower is preferably 20°C or lower, more preferably 15°C or lower. The lower limit of the glass transition temperature is not particularly limited, but may be usually -15°C or higher. The resin that is liquid at 25°C is preferably a resin that is liquid at 20°C or lower, more preferably a resin that is liquid at 15°C or lower. The glass transition temperature can be measured by DSC (differential scanning calorimetry) at a heating rate of 5°C/min.

(C) 엘라스토머는, 분자 내에, 폴리부타디엔 구조, 폴리실록산 구조, 폴리(메타)아크릴레이트 구조, 폴리알킬렌 구조, 폴리알킬렌옥시 구조, 폴리이소프렌 구조, 폴리이소부틸렌 구조, 폴리카보네이트 구조, 폴리스티렌 구조로부터 선택되는 1종 이상의 구조를 갖는 수지인 것이 바람직하다. 「(메타)아크릴레이트」란, 메타크릴레이트 및 아크릴레이트 및 이들의 조합을 포함하는 용어이다. 이들 구조는, (C) 엘라스토머의 분자의 주쇄에 포함되어 있어도, 측쇄에 포함되어 있어도 좋다.(C) In the molecule, the elastomer has a polybutadiene structure, a polysiloxane structure, a poly(meth)acrylate structure, a polyalkylene structure, a polyalkyleneoxy structure, a polyisoprene structure, a polyisobutylene structure, a polycarbonate structure, and a polystyrene structure. It is preferable that it is resin which has 1 or more types of structures chosen from structures. "(meth)acrylate" is a term containing methacrylate, acrylate, and combinations thereof. These structures may be included in the main chain or side chain of the (C) elastomer molecule.

(C) 엘라스토머로서는, 예를 들어, 폴리부타디엔 구조를 함유하는 수지를 들 수 있다. 폴리부타디엔 구조는, 주쇄에 포함되어 있어도 좋고, 측쇄에 포함되어 있어도 좋다. 또한, 폴리부타디엔 구조는, 일부 또는 전부가 수소 첨가되어 있어도 좋다. 폴리부타디엔 구조를 함유하는 수지를 「폴리부타디엔 수지」라고 말하는 경우가 있다. 폴리부타디엔 수지의 구체예로서는, 클레이발레이사 제조의 「Ricon 130MA8」, 「Ricon 130MA13」, 「Ricon 130MA20」, 「Ricon 131MA5」, 「Ricon 131MA10」, 「Ricon 131MA17」, 「Ricon 131MA20」, 「Ricon 184MA6」(산 무수물기 함유 폴리부타디엔), 닛폰 소다사 제조의 「GQ-1000」(수산기, 카복실기 도입 폴리부타디엔), 「G-1000」, 「G-2000」, 「G-3000」(양 말단 수산기 폴리부타디엔), 「GI-1000」, 「GI-2000」, 「GI-3000」(양 말단 수산기 수소화 폴리부타디엔), 나가세 켐텍스사 제조의 「FCA-061L」(수소화 폴리부타디엔 골격 에폭시 수지) 등을 들 수 있다. 또한, 폴리부타디엔 수지의 구체예로서는, 페놀성 수산기함유 부타디엔 수지; 분자 내에 폴리부타디엔 구조, 우레탄 구조 및 이미드 구조를 갖는 폴리이미드 수지를 들 수 있다. 상기 폴리이미드 수지는, 하이드록실기 말단 폴리부타디엔, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 원료로 하여 선상 폴리이미드 수지(일본 공개특허공보 특개2006-37083호, 국제공개 제2008/153208호에 기재된 폴리이미드)로서 제조할 수 있다. 상기 폴리이미드 수지의 부타디엔 구조의 함유율은, 바람직하게는 60질량% 내지 95질량%, 보다 바람직하게는 75질량% 내지 85질량%이다. 상기 폴리이미드 수지의 상세는, 일본 공개특허공보 특개2006-37083호, 국제공개 제2008/153208호의 기재를 참작할 수 있고, 상기 내용은 본 명세서에 편입된다.(C) As an elastomer, resin containing a polybutadiene structure is mentioned, for example. The polybutadiene structure may be contained in the main chain or in the side chain. In addition, part or all of the polybutadiene structure may be hydrogenated. A resin containing a polybutadiene structure may be referred to as "polybutadiene resin". Specific examples of the polybutadiene resin include "Ricon 130MA8", "Ricon 130MA13", "Ricon 130MA20", "Ricon 131MA5", "Ricon 131MA10", "Ricon 131MA17", "Ricon 131MA20", and "Ricon 184MA6" manufactured by Clay Valley. "(polybutadiene containing an acid anhydride group), "GQ-1000" (hydroxyl group, carboxyl group-introduced polybutadiene) manufactured by Nippon Soda Co., Ltd., "G-1000", "G-2000", "G-3000" (both ends) hydroxyl polybutadiene), "GI-1000", "GI-2000", "GI-3000" (both hydroxyl group hydrogenated polybutadiene), "FCA-061L" (hydrogenated polybutadiene backbone epoxy resin) manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd. etc. can be mentioned. Moreover, as a specific example of polybutadiene resin, it is butadiene resin containing a phenolic hydroxyl group; and polyimide resins having a polybutadiene structure, a urethane structure and an imide structure in the molecule. The polyimide resin is a linear polyimide resin (polyi described in Japanese Patent Laid-Open No. 2006-37083 and International Publication No. 2008/153208) using hydroxyl group-terminated polybutadiene, a diisocyanate compound, and tetrabasic acid anhydride as raw materials. mid). The content of the butadiene structure of the polyimide resin is preferably 60% by mass to 95% by mass, more preferably 75% by mass to 85% by mass. The detail of the said polyimide resin can consider description of Unexamined-Japanese-Patent No. 2006-37083 and international publication 2008/153208, The said content is integrated in this specification.

(C) 엘라스토머로서는, 예를 들어, 폴리(메타)아크릴레이트 구조를 함유하는 수지를 들 수 있다. 폴리(메타)아크릴레이트 구조를 함유하는 수지를 「폴리(메타)아크릴 수지」라고 말하는 경우가 있다. 폴리(메타)아크릴 수지의 구체예로서는, 나가세 켐텍스사 제조의 테이산 레진; 네가미 코교사 제조의 「ME-2000」, 「W-116.3」, 「W-197C」, 「KG-25」, 「KG-3000」; 토아 고세사 제조의 「ARUFON UH-2000」 등을 들 수 있다.(C) As an elastomer, resin containing a poly(meth)acrylate structure is mentioned, for example. A resin containing a poly(meth)acrylate structure may be referred to as a "poly(meth)acrylic resin". As a specific example of poly(meth)acrylic resin, Teisan Resin by Nagase ChemteX Co., Ltd.; "ME-2000", "W-116.3", "W-197C", "KG-25", "KG-3000" manufactured by Negami Kogyo; "ARUFON UH-2000" by Toagosei Co., Ltd. etc. are mentioned.

(C) 엘라스토머로서는, 예를 들어, 폴리카보네이트 구조를 함유하는 수지를 들 수 있다. 폴리카보네이트 구조를 함유하는 수지를 「폴리카보네이트 수지」라고 말하는 경우가 있다. 폴리카보네이트 수지의 구체예로서는, 미츠비시 가스 카가쿠사 제조의 「FPC0220」, 「FPC2136」, 아사히 카세이 케미컬즈사 제조의 「T6002」, 「T6001」(폴리카보네이트디올), 쿠라레사 제조의 「C-1090」, 「C-2090」, 「C-3090」(폴리카보네이트디올) 등을 들 수 있다. 또한, 폴리카보네이트 수지의 구체예로서는, 분자 내에 이미드 구조, 우레탄 구조 및 폴리카보네이트 구조를 갖는 폴리이미드 수지를 들 수 있다. 상기 폴리이미드 수지는, 하이드록실기 말단 폴리카보네이트, 디이소시아네이트 화합물 및 4염기산 무수물을 원료로 하는 선상 폴리이미드 수지로서 제조할 수 있다. 상기 폴리이미드 수지의 카보네이트 구조의 함유율은, 바람직하게는 60질량% 내지 95질량%, 보다 바람직하게는 75질량% 내지 85질량%이다. 상기 폴리이미드 수지의 상세는, 국제공개 제2016/129541호의 기재를 참작할 수 있고, 상기 내용은 본 명세서에 편입된다.(C) As an elastomer, resin containing a polycarbonate structure is mentioned, for example. A resin containing a polycarbonate structure is sometimes referred to as "polycarbonate resin". Specific examples of the polycarbonate resin include "FPC0220" and "FPC2136" manufactured by Mitsubishi Gas Chemical Co., Ltd., "T6002" and "T6001" (polycarbonate diol) manufactured by Asahi Kasei Chemicals, and "C-1090" manufactured by Kuraray, "C-2090", "C-3090" (polycarbonate diol), etc. are mentioned. Further, specific examples of the polycarbonate resin include polyimide resins having an imide structure, a urethane structure, and a polycarbonate structure in the molecule. The polyimide resin can be produced as a linear polyimide resin using a hydroxyl group-terminated polycarbonate, a diisocyanate compound, and a tetrabasic acid anhydride as raw materials. The content of the carbonate structure of the polyimide resin is preferably 60% by mass to 95% by mass, more preferably 75% by mass to 85% by mass. The detail of the said polyimide resin can consider description of international publication 2016/129541, and the said content is integrated in this specification.

(C) 엘라스토머로서는, 예를 들어, 폴리실록산 구조를 함유하는 수지를 들 수 있다. 폴리실록산 구조를 함유하는 수지를 「실록산 수지」라고 말하는 경우가 있다. 실록산 수지의 구체예로서는, 신에츠 실리콘사 제조의 「SMP-2006」, 「SMP-2003PGMEA」, 「SMP-5005PGMEA」, 아민기 말단 폴리실록산 및 4염기산 무수물을 원료로 하는 선상 폴리이미드(국제공개 제2010/053185호, 일본 공개특허공보 특개2002-12667호 및 일본 공개특허공보 특개2000-319386호 등) 등을 들 수 있다.(C) As an elastomer, resin containing a polysiloxane structure is mentioned, for example. A resin containing a polysiloxane structure may be referred to as a "siloxane resin". Specific examples of the siloxane resin include "SMP-2006", "SMP-2003PGMEA" and "SMP-5005PGMEA" manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd., linear polyimide using amine-terminated polysiloxane and tetrabasic acid anhydride as raw materials (International Publication No. 2010 /053185, Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-12667 and Japanese Unexamined Patent Publication No. 2000-319386, etc.).

(C) 엘라스토머로서는, 예를 들어, 폴리알킬렌 구조 또는 폴리알킬렌옥시 구조를 함유하는 수지를 들 수 있다. 폴리알킬렌 구조를 함유하는 수지를 「알킬렌수지」라고 말하는 경우가 있다. 또한, 폴리알킬렌옥시 구조를 함유하는 수지를 「알킬렌옥시 수지」라고 말하는 경우가 있다. 폴리알킬렌옥시 구조는, 탄소 원자수 2 내지 15의 폴리알킬렌옥시 구조가 바람직하고, 탄소 원자수 3 내지 10의 폴리알킬렌옥시 구조가 보다 바람직하고, 탄소 원자수 5 내지 6의 폴리알킬렌옥시 구조가 특히 바람직하다. 알킬렌 수지 및 알킬렌옥시 수지의 구체예로서는, 아사히 카세이 센이사 제조의 「PTXG-1000」, 「PTXG-1800」 등을 들 수 있다.(C) As an elastomer, resin containing a polyalkylene structure or a polyalkyleneoxy structure is mentioned, for example. A resin containing a polyalkylene structure is sometimes referred to as "alkylene resin". In addition, a resin containing a polyalkyleneoxy structure may be referred to as "alkyleneoxy resin". The polyalkyleneoxy structure is preferably a polyalkyleneoxy structure of 2 to 15 carbon atoms, more preferably a polyalkyleneoxy structure of 3 to 10 carbon atoms, and a polyalkylene having 5 to 6 carbon atoms. Oxy structures are particularly preferred. Specific examples of the alkylene resin and the alkyleneoxy resin include "PTXG-1000" and "PTXG-1800" manufactured by Asahi Kasei Seni.

(C) 엘라스토머로서는, 예를 들어, 폴리이소프렌 구조를 함유하는 수지를 들 수 있다. 폴리이소프렌 구조를 함유하는 수지를 「이소프렌 수지」라고 말하는 경우가 있다. 이소프렌 수지의 구체예로서는, 쿠라레사 제조의 「KL-610」, 「KL613」등을 들 수 있다.(C) As an elastomer, resin containing a polyisoprene structure is mentioned, for example. A resin containing a polyisoprene structure is sometimes referred to as "isoprene resin". As a specific example of isoprene resin, "KL-610" by the Kuraray company, "KL613", etc. are mentioned.

(C) 엘라스토머로서는, 예를 들어, 폴리이소부틸렌 구조를 함유하는 수지를 들 수 있다. 폴리이소부틸렌 구조를 함유하는 수지를 「이소부틸렌 수지」라고 말하는 경우가 있다. 이소부틸렌 수지의 구체예로서는, 카네카사 제조의 「SIBSTAR-073T」(스티렌-이소부틸렌-스티렌 트리블록 공중합체), 「SIBSTAR-042D」(스티렌-이소부틸렌 디블록 공중합체) 등을 들 수 있다.(C) As an elastomer, resin containing a polyisobutylene structure is mentioned, for example. A resin containing a polyisobutylene structure may be referred to as "isobutylene resin". Specific examples of the isobutylene resin include "SIBSTAR-073T" (styrene-isobutylene-styrene triblock copolymer) and "SIBSTAR-042D" (styrene-isobutylene diblock copolymer) manufactured by Kaneka Corporation. can

(C) 엘라스토머로서는, 예를 들어, 폴리스티렌 구조를 함유하는 수지를 들 수 있다. 폴리스티렌 구조를 함유하는 수지를 「폴리스티렌 수지」라고 말하는 경우가 있다. 폴리스티렌 수지는, 스티렌 단위에 조합하여, 상기 스티렌 단위와는 다른 임의의 반복 단위를 포함하는 공중합체라도 좋고, 수첨 폴리스티렌 수지라도 좋다. 폴리스티렌 수지로서는, 예를 들어, 스티렌-부타디엔-스티렌 블록 공중합체(SBS), 스티렌-이소프렌-스티렌 블록 공중합체(SIS), 스티렌-에틸렌-부틸렌-스티렌 블록 공중합체(SEBS), 스티렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 공중합체(SEPS), 스티렌-에틸렌-에틸렌-프로필렌-스티렌 블록 공중합체(SEEPS), 스티렌-부타디엔-부틸렌-스티렌 블록 공중합체(SBBS), 스티렌-부타디엔 디블록 공중합체, 수소화 스티렌-부타디엔 블록 공중합체, 수소화 스티렌-이소프렌 블록 공중합체, 수소화 스티렌-부타디엔 랜덤 공중합체, 스티렌-무수 말레산 공중합체 등을 들 수 있다. 폴리스티렌 수지의 구체예로서는, 수첨 스티렌계 열가소성 엘라스토머 「H1041」, 「타프텍 H1043」, 「타프텍 P2000」, 「타프텍 MP10」(아사히 카세이사 제조); 에폭시화 스티렌-부타디엔 열가소성 엘라스토머 「에포프랜드 AT501」, 「CT310」(다이셀사 제조); 하이드록실기를 변성 스티렌계 엘라스토머 「셉톤 HG252」(쿠라레사 제조); 카복실기를 갖는 변성 스티렌계 엘라스토머 「타프텍 N503M」, 아미노기를 갖는 변성 스티렌계 엘라스토머 「타프텍 N501」, 산 무수물기를 갖는 변성 스티렌계 엘라스토머 「타프텍 M1913」(아사히 카세이 케미컬즈사 제조); 미변성 스티렌계 엘라스토머 「셉톤 S8104」(쿠라레사 제조); 스티렌-에틸렌/부틸렌-스티렌 블록 공중합체 「FG1924」(Kraton사 제조), 「EF-40」(CRAY VALLEY사 제조)을 들 수 있다.(C) As an elastomer, resin containing a polystyrene structure is mentioned, for example. A resin containing a polystyrene structure may be referred to as "polystyrene resin". The polystyrene resin may be a copolymer containing an arbitrary repeating unit different from the styrene unit in combination with a styrene unit, or may be a hydrogenated polystyrene resin. As the polystyrene resin, for example, styrene-butadiene-styrene block copolymer (SBS), styrene-isoprene-styrene block copolymer (SIS), styrene-ethylene-butylene-styrene block copolymer (SEBS), styrene-ethylene -propylene-styrene block copolymer (SEPS), styrene-ethylene-ethylene-propylene-styrene block copolymer (SEEPS), styrene-butadiene-butylene-styrene block copolymer (SBBS), styrene-butadiene diblock copolymer, Hydrogenated styrene-butadiene block copolymer, hydrogenated styrene-isoprene block copolymer, hydrogenated styrene-butadiene random copolymer, styrene-maleic anhydride copolymer, etc. are mentioned. Specific examples of the polystyrene resin include hydrogenated styrenic thermoplastic elastomers "H1041", "Taftek H1043", "Taftec P2000", and "Taftec MP10" (manufactured by Asahi Kasei Co., Ltd.); epoxidized styrene-butadiene thermoplastic elastomers "Epopland AT501" and "CT310" (manufactured by Daicel Corporation); hydroxyl group-modified styrenic elastomer "Septon HG252" (manufactured by Kuraray Co., Ltd.); "Taftec N503M", a modified styrenic elastomer having a carboxyl group, "Taftec N501", a modified styrenic elastomer having an amino group, and "Taftec M1913", a modified styrenic elastomer having an acid anhydride group (manufactured by Asahi Kasei Chemicals Co., Ltd.); unmodified styrene-based elastomer "Septon S8104" (manufactured by Kuraray); A styrene-ethylene/butylene-styrene block copolymer "FG1924" (made by Kraton) and "EF-40" (made by CRAY VALLEY) are mentioned.

상기 중에서도, (C) 엘라스토머로서는, 분자 내에 폴리부타디엔 구조, 폴리카보네이트 구조 및 폴리(메타)아크릴레이트 구조로부터 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 적어도 1종의 구조를 함유하는 수지가 보다 바람직하다. 또한, (C) 엘라스토머로서는, 분자 내에 폴리부타디엔 구조 또는 폴리카보네이트 구조를 갖는 수지가 특히 바람직하다. 폴리부타디엔 구조 또는 폴리카보네이트 구조를 갖는 (C) 엘라스토머는, 일반적으로, (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지와의 상용성이 낮다. 따라서, 상기 (C) 엘라스토머는, 미시적으로는 (A-1) 킬레이트형 에폭시 수지로부터 상분리하여, 유연성이 우수한 미소한 도메인을 형성할 수 있다. 수지 조성물의 경화물에서는, 상기 도메인의 유연성이 발휘됨으로써 상기 경화물의 탄성율을 효과적으로 내릴 수 있으므로, 밀착성을 손상시키지 않고 휨을 특히 효과적으로 억제할 수 있다.Among the above, as the elastomer (C), a resin containing at least one structure selected from the group consisting of a polybutadiene structure, a polycarbonate structure and a poly(meth)acrylate structure in a molecule is more preferable. Further, (C) as the elastomer, a resin having a polybutadiene structure or a polycarbonate structure in the molecule is particularly preferable. The (C) elastomer having a polybutadiene structure or a polycarbonate structure generally has low compatibility with the (A-1) chelate type epoxy resin. Accordingly, the elastomer (C) can phase-separate from the (A-1) chelate type epoxy resin microscopically to form minute domains with excellent flexibility. In the cured product of the resin composition, since the modulus of elasticity of the cured product can be effectively lowered by exhibiting the flexibility of the domain, warpage can be particularly effectively suppressed without impairing adhesion.

(C) 엘라스토머는, (A) 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기를 갖고 있어도 좋다. (C) 엘라스토머가 (A) 에폭시 수지와 반응하는 경우, 수지 조성물의 경화물의 기계적 강도를 높일 수 있다. (A) 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기에는, 가열에 의해 나타나는 관능기가 포함된다. (A) 에폭시 수지와 반응할 수 있는 관능기는, 하이드록시기, 카복시기, 산 무수물기, 페놀성 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 및 우레탄기로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 관능기일 수 있다. 그 중에서도, 상기 관능기로서는, 하이드록시기, 산 무수물기, 페놀성 수산기, 에폭시기, 이소시아네이트기 및 우레탄기가 바람직하고, 하이드록시기, 산 무수물기, 페놀성 수산기 및 에폭시기가 보다 바람직하고, 페놀성 수산기가 특히 바람직하다. 관능기를 포함하는 (C) 엘라스토머의 수 평균 분자량(Mn)은, 5,000 이상인 것이 바람직하다.(C) The elastomer may have a functional group capable of reacting with the (A) epoxy resin. (C) When the elastomer reacts with the (A) epoxy resin, the mechanical strength of the cured product of the resin composition can be increased. (A) The functional group that can react with the epoxy resin includes a functional group that appears by heating. (A) The functional group capable of reacting with the epoxy resin may be at least one functional group selected from the group consisting of a hydroxy group, a carboxy group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group and a urethane group. Especially, as said functional group, a hydroxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, an epoxy group, an isocyanate group, and a urethane group are preferable, a hydroxyl group, an acid anhydride group, a phenolic hydroxyl group, and an epoxy group are more preferable, and a phenolic hydroxyl group is particularly preferred. It is preferable that the number average molecular weight (Mn) of (C) elastomer containing a functional group is 5,000 or more.

수지 조성물 중의 (C) 엘라스토머의 양은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 2질량% 이상, 더욱 바람직하게는 3질량% 이상이고, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 15질량% 이하, 더욱 바람직하게는 10질량% 이하이다. (C) 엘라스토머의 양이 상기 범위에 있는 경우, 휨의 억제 및 밀착성의 향상의 효과를 현저히 얻을 수 있고, 또한 통상은, 최저 용융 점도를 효과적으로 낮게 할 수 있다.The amount of the (C) elastomer in the resin composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, still more preferably 3% by mass or more, based on 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition. It is preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, and still more preferably 10% by mass or less. (C) When the amount of the elastomer is within the above range, the effect of suppressing warpage and improving adhesion can be remarkably obtained, and usually, the minimum melt viscosity can be effectively lowered.

수지 조성물 중의 (C) 엘라스토머의 양은, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상, 더욱 바람직하게는 20질량% 이상이고, 바람직하게는 80질량% 이하, 보다 바람직하게는 60질량% 이하, 더욱 바람직하게는 50질량% 이하이다. (C) 엘라스토머의 양이 상기 범위에 있는 경우, 휨의 억제 및 밀착성의 향상의 효과를 현저히 얻을 수 있고, 또한 통상은, 최저 용융 점도를 효과적으로 낮게 할 수 있다.The amount of the (C) elastomer in the resin composition is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, still more preferably 20% by mass or more, based on 100% by mass of the resin component of the resin composition. is 80% by mass or less, more preferably 60% by mass or less, still more preferably 50% by mass or less. (C) When the amount of the elastomer is within the above range, the effect of suppressing warpage and improving adhesion can be remarkably obtained, and usually, the minimum melt viscosity can be effectively lowered.

[5. (D) 경화제][5. (D) curing agent]

본 실시형태에 따른 수지 조성물은, 상기 (A) 내지 (C) 성분에 조합하여, 임의의 성분으로서, (D) 경화제를 추가로 포함하고 있어도 좋다. 상기 (D) 성분으로서의 (D) 경화제에는, 상기 (A) 내지 (C) 성분에 해당하는 것은 포함시키지 않는다. (D) 경화제는, (A) 에폭시 수지와 반응하여, 수지 조성물을 경화시키는 기능을 가질 수 있다.The resin composition according to the present embodiment may further contain (D) a curing agent as an optional component in combination with the components (A) to (C). The (D) curing agent as the component (D) does not include those corresponding to the components (A) to (C). (D) The curing agent may have a function of curing the resin composition by reacting with the (A) epoxy resin.

(D) 경화제로서는, 예를 들어, 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스터계 경화제, 아민계 경화제, 산 무수물계 경화제, 벤조옥사진계 경화제, 시아네이트에스테르계 경화제, 카보디이미드계 경화제, 티올계 경화제 등을 들 수 있고, 그 중에서도 페놀계 경화제, 나프톨계 경화제, 활성 에스테르계 경화제가 바람직하고, 페놀계 경화제 및 활성 에스테르계 경화제가 특히 바람직하다. (D) 경화제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(D) As the curing agent, for example, a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent, an active ester-based curing agent, an amine-based curing agent, an acid anhydride-based curing agent, a benzoxazine-based curing agent, a cyanate ester-based curing agent, a carbodiimide-based curing agent, thiol and the like, and among these, a phenol-based curing agent, a naphthol-based curing agent, and an active ester-based curing agent are preferred, and a phenol-based curing agent and an active ester-based curing agent are particularly preferred. (D) Curing agent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제로서는, 내열성 및 내수성의 관점에서, 노볼락 구조를 갖는 것이 바람직하다. 또한, 밀착성의 관점에서, 함질소 페놀계 경화제가 바람직하고, 트리아진 골격 함유 페놀계 경화제가 보다 바람직하다.As the phenol-based curing agent and the naphthol-based curing agent, those having a novolak structure are preferable from the viewpoints of heat resistance and water resistance. Further, from the viewpoint of adhesiveness, a nitrogen-containing phenol-based curing agent is preferable, and a triazine skeleton-containing phenol-based curing agent is more preferable.

페놀계 경화제 및 나프톨계 경화제의 구체예로서는, 예를 들어, 메이와 카세이사 제조의 「MEH-7700」, 「MEH-7810」, 「MEH-7851」, 「MEH-8000H」; 닛폰 카야쿠사 제조의 「NHN」, 「CBN」, 「GPH」; 닛테츠 케미칼 & 머티리얼사 제조의 「SN-170」, 「SN-180」, 「SN-190」, 「SN-475」, 「SN-485」, 「SN-495」, 「SN-495V」, 「SN-375」, 「SN-395」; DIC사 제조의 「TD-2090」, 「TD-2090-60M」, 「LA-7052」, 「LA-7054」, 「LA-1356」, 「LA-3018」, 「LA-3018-50P」, 「EXB-9500」, 「HPC-9500」, 「KA-1160」, 「KA-1163」, 「KA-1165」; 군에이 카가쿠사 제조의 「GDP-6115L」, 「GDP-6115H」, 「ELPC75」 등을 들 수 있다.As a specific example of a phenol type hardening|curing agent and a naphthol type hardening|curing agent, it is "MEH-7700" by a Maywa Kasei company, "MEH-7810", "MEH-7851", "MEH-8000H", for example; "NHN", "CBN", and "GPH" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.; "SN-170", "SN-180", "SN-190", "SN-475", "SN-485", "SN-495", "SN-495V" manufactured by Nittetsu Chemical & Materials Co., Ltd. "SN-375", "SN-395"; "TD-2090", "TD-2090-60M", "LA-7052", "LA-7054", "LA-1356", "LA-3018", "LA-3018-50P" manufactured by DIC, "EXB-9500", "HPC-9500", "KA-1160", "KA-1163", "KA-1165"; "GDP-6115L", "GDP-6115H", "ELPC75" by Gunei Chemical Co., Ltd., etc. are mentioned.

활성 에스테르계 경화제로서는, 1분자 중에 1개 이상의 활성 에스테르기를 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 그 중에서도, 활성 에스테르계 경화제로서는, 페놀 에스테르류, 티오페놀에스테르류, N-하이드록시아민에스테르류, 복소환 하이드록시 화합물의 에스테르류 등의, 반응 활성이 높은 에스테르기를 1분자 중에 2개 이상 갖는 화합물이 바람직하다. 상기 활성 에스테르계 경화제는, 카복실산 화합물 및/또는 티오카복실산 화합물과 하이드록시 화합물 및/또는 티올 화합물과의 축합 반응에 의해 얻어지는 것이 바람직하다. 특히, 내열성 향상의 관점에서, 카복실산 화합물과 하이드록시 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 경화제가 바람직하고, 카복실산 화합물과 페놀 화합물 및/또는 나프톨 화합물로부터 얻어지는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다. 카복실산 화합물로서는, 예를 들어, 벤조산, 아세트산, 석신산, 말레산, 이타콘산, 프탈산, 이소프탈산, 테레프탈산, 피로멜리트산 등을 들 수 있다. 페놀 화합물 또는 나프톨 화합물로서는, 예를 들어, 하이드로퀴논, 레조르신, 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S, 페놀프탈린, 메틸화 비스페놀 A, 메틸화 비스페놀 F, 메틸화 비스페놀 S, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 카테콜, α-나프톨, β-나프톨, 1,5-디하이드록시나프탈렌, 1,6-디하이드록시나프탈렌, 2,6-디하이드록시나프탈렌, 디하이드록시벤조페논, 트리하이드록시벤조페논, 테트라하이드록시벤조페논, 플로로글루신, 벤젠트리올, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물, 페놀 노볼락 등을 들 수 있다. 여기서, 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 화합물」이란, 디사이클로펜타디엔 1분자에 페놀 2분자가 축합되어 얻어지는 디페놀 화합물을 말한다.As the active ester curing agent, a compound having one or more active ester groups in one molecule can be used. Among them, active ester curing agents include phenol esters, thiophenol esters, N-hydroxyamine esters, heterocyclic hydroxy compound esters, etc., having two or more ester groups with high reaction activity in one molecule. compounds are preferred. The active ester curing agent is preferably obtained by a condensation reaction of a carboxylic acid compound and/or a thiocarboxylic acid compound with a hydroxy compound and/or a thiol compound. In particular, from the viewpoint of improving heat resistance, an active ester-based curing agent obtained from a carboxylic acid compound and a hydroxy compound is preferable, and an active ester-based curing agent obtained from a carboxylic acid compound, a phenol compound, and/or a naphthol compound is more preferable. Examples of the carboxylic acid compound include benzoic acid, acetic acid, succinic acid, maleic acid, itaconic acid, phthalic acid, isophthalic acid, terephthalic acid, and pyromellitic acid. Examples of the phenolic compound or naphthol compound include hydroquinone, resorcinol, bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, phenolphthalin, methylated bisphenol A, methylated bisphenol F, methylated bisphenol S, phenol, o-cresol, m- Cresol, p-cresol, catechol, α-naphthol, β-naphthol, 1,5-dihydroxynaphthalene, 1,6-dihydroxynaphthalene, 2,6-dihydroxynaphthalene, dihydroxybenzophenone, Trihydroxybenzophenone, tetrahydroxybenzophenone, phloroglucine, benzenetriol, dicyclopentadiene type diphenol compound, phenol novolak, etc. are mentioned. Here, "dicyclopentadiene-type diphenol compound" refers to a diphenol compound obtained by condensation of two molecules of phenol with one molecule of dicyclopentadiene.

활성 에스테르계 경화제의 바람직한 구체예로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제, 페놀 노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르계 경화제, 페놀 노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르계 경화제를 들 수 있다. 그 중에서도, 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제가 보다 바람직하다. 「디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조」란, 페닐렌-디사이클로펜틸렌-페닐렌으로 이루어진 2가의 구조 단위를 나타낸다.Preferred specific examples of the active ester curing agent include an active ester curing agent containing a dicyclopentadiene type diphenol structure, an active ester curing agent containing a naphthalene structure, an active ester curing agent containing an acetylated product of phenol novolac, and phenol and active ester-based curing agents containing novolac benzoyl compounds. Among them, an active ester curing agent containing a naphthalene structure and an active ester curing agent containing a dicyclopentadiene type diphenol structure are more preferable. The "dicyclopentadiene type diphenol structure" refers to a divalent structural unit composed of phenylene-dicyclopentylene-phenylene.

활성 에스테르계 경화제의 시판품으로서는, 디사이클로펜타디엔형 디페놀 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제로서, 「EXB9451」, 「EXB9460」, 「EXB9460S」, 「HPC-8000-65T」, 「HPC-8000H-65TM」, 「EXB-8000L-65TM」(DIC사 제조); 나프탈렌 구조를 포함하는 활성 에스테르계 경화제로서 「EXB-9416-70BK」, 「EXB-8150-65T」, 「EXB-8100L-65T」, 「EXB-8150L-65T」(DIC사 제조); 페놀 노볼락의 아세틸화물을 포함하는 활성 에스테르계 경화제로서 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀 노볼락의 벤조일화물을 포함하는 활성 에스테르계 경화제로서 「YLH1026」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀 노볼락의 아세틸화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「DC808」(미츠비시 케미컬사 제조); 페놀 노볼락의 벤조일화물인 활성 에스테르계 경화제로서 「YLH1026」(미츠비시 케미컬사 제조), 「YLH1030」(미츠비시 케미컬사 제조),「YLH1048」(미츠비시 케미컬사 제조) 등을 들 수 있다.Commercially available active ester curing agents include "EXB9451", "EXB9460", "EXB9460S", "HPC-8000-65T", "HPC-8000H- 65TM", "EXB-8000L-65TM" (manufactured by DIC Corporation); "EXB-9416-70BK", "EXB-8150-65T", "EXB-8100L-65T", "EXB-8150L-65T" (manufactured by DIC Corporation) as active ester curing agents containing a naphthalene structure; "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester curing agent containing an acetylated product of phenol novolac; "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester-based curing agent containing a benzoyl compound of phenol novolac; "DC808" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) as an active ester curing agent that is an acetylated product of phenol novolac; "YLH1026" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YLH1030" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), "YLH1048" (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation), etc. are mentioned as an active ester type curing agent which is a benzoylation compound of phenol novolac.

아민계 경화제로서는, 1분자내 중에 1개 이상의 아미노기를 갖는 경화제를 들 수 있고, 예를 들어, 지방족 아민류, 폴리에테르아민류, 지환식 아민류, 방향족 아민류 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 방향족 아민류가 바람직하다. 아민계 경화제는, 제1급 아민 또는 제2급 아민이 바람직하고, 제1급 아민이 보다 바람직하다. 아민계 경화제의 구체예로서는, 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸아닐린), 디페닐디아미노설폰, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐설폰, 3,3'-디아미노디페닐설폰, m-페닐렌디아민, m-크실릴렌디아민, 디에틸톨루엔디아민, 4,4'-디아미노디페닐에테르, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 2,2'-디메틸-4,4'-디아미노비페닐, 3,3'-디하이드록시벤지딘, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로판, 3,3-디메틸-5,5-디에틸-4,4-디페닐메탄디아민, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)프로판, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 4,4'-비스(4-아미노페녹시)비페닐, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)설폰, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)설폰 등을 들 수 있다. 아민계 경화제는 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 닛폰 카야쿠사 제조의 「KAYABOND C-200S」, 「KAYABOND C-100」, 「카야하드 A-A」, 「카야하드 A-B」, 「카야하드 A-S」, 미츠비시 케미컬사 제조의 「에피큐어 W」등을 들 수 있다.Examples of the amine-based curing agent include a curing agent having at least one amino group in one molecule, and examples thereof include aliphatic amines, polyetheramines, alicyclic amines, and aromatic amines. Especially, aromatic amines are preferable. The amine-based curing agent is preferably a primary amine or a secondary amine, and more preferably a primary amine. Specific examples of the amine curing agent include 4,4'-methylenebis(2,6-dimethylaniline), diphenyldiaminosulfone, 4,4'-diaminodiphenylmethane, and 4,4'-diaminodiphenylsulfone. , 3,3'-diaminodiphenylsulfone, m-phenylenediamine, m-xylylenediamine, diethyltoluenediamine, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3,3'-dimethyl-4, 4'-diaminobiphenyl, 2,2'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dihydroxybenzidine, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl ) Propane, 3,3-dimethyl-5,5-diethyl-4,4-diphenylmethanediamine, 2,2-bis(4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(4-(4-amino) Phenoxy)phenyl)propane, 1,3-bis(3-aminophenoxy)benzene, 1,3-bis(4-aminophenoxy)benzene, 1,4-bis(4-aminophenoxy)benzene, 4 , 4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis (4- (4-aminophenoxy) phenyl) sulfone, bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl) sulfone, etc. are mentioned. A commercially available products may be used as the amine curing agent, for example, "KAYABOND C-200S", "KAYABOND C-100", "Kaya Hard A-A", "Kaya Hard A-B", and "Kaya Hard A-S" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. , "Epicure W" by Mitsubishi Chemical Corporation, etc. are mentioned.

산 무수물계 경화제로서는, 1분자내 중에 1개 이상의 산 무수물기를 갖는 경화제를 들 수 있다. 산 무수물계 경화제의 구체예로서는, 무수 프탈산, 테트라하이드로 무수 프탈산, 헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸테트라하이드로 무수 프탈산, 메틸헥사하이드로 무수 프탈산, 메틸나딕산 무수물, 수소화 메틸나딕산 무수물, 트리알킬테트라하이드로 무수 프탈산, 도데세닐 무수 석신산, 5-(2,5-디옥소테트라하이드로-3-푸라닐)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-디카복실산 무수물, 무수 트리멜리트산, 무수 피로멜리트산, 벤조페논테트라카복실산 2무수물, 비페닐테트라카복실산 2무수물, 나프탈렌테트라카복실산 2무수물, 옥시디프탈산 2무수물, 3,3'-4,4'-디페닐설폰테트라카복실산 2무수물, 1,3,3a,4,5,9b-헥사하이드로-5-(테트라하이드로-2,5-디옥소-3-푸라닐)-나프토[1,2-C]푸란-1,3-디온, 에틸렌글리콜비스(안하이드로트리멜리테이트), 스티렌과 말레산이 공중합한 스티렌·말레산 수지 등의 폴리머형 산 무수물 등을 들 수 있다. 산 무수물계 경화제의 시판품으로서는, 예를 들어, 신닛폰 리카사 제조의 「MH-700」 등을 들 수 있다.Examples of the acid anhydride-based curing agent include a curing agent having at least one acid anhydride group in one molecule. Specific examples of the acid anhydride-based curing agent include phthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methylnadic anhydride, hydrogenated methylnadic anhydride, and trialkyltetrahydrophthalic anhydride. , dodecenyl succinic anhydride, 5-(2,5-dioxotetrahydro-3-furanyl)-3-methyl-3-cyclohexene-1,2-dicarboxylic anhydride, trimellitic anhydride, pyromelli anhydride Triacic acid, benzophenonetetracarboxylic dianhydride, biphenyltetracarboxylic dianhydride, naphthalenetetracarboxylic dianhydride, oxydiphthalic dianhydride, 3,3'-4,4'-diphenylsulfotetracarboxylic dianhydride, 1,3, 3a,4,5,9b-hexahydro-5-(tetrahydro-2,5-dioxo-3-furanyl)-naphtho[1,2-C]furan-1,3-dione, ethylene glycol bis (anhydrotrimellitate), and polymeric acid anhydrides such as styrene maleic acid resin obtained by copolymerization of styrene and maleic acid. As a commercial item of an acid anhydride type hardening|curing agent, "MH-700" by Shin Nippon Rika Co., Ltd. etc. are mentioned, for example.

벤조옥사진계 경화제의 구체예로서는, JFE 케미컬사 제조의 「JBZ-OD100」 (벤조옥사진환 당량 218g/eq.), 「JBZ-OP100D」(벤조옥사진환 당량 218g/eq.), 「ODA-BOZ」(벤조옥사진환 당량 218g/eq.); 시코쿠 카세이코교사 제조의 「P-d」(벤조옥사진환 당량 217g/eq.), 「F-a」(벤조옥사진환 당량 217g/eq.); 쇼와 코분시사 제조의 「HFB2006M」(벤조옥사진환 당량 432g/eq.) 등을 들 수 있다.As specific examples of the benzoxazine-based curing agent, "JBZ-OD100" (benzoxazine ring equivalent weight 218 g / eq.), "JBZ-OP100D" (benzoxazine ring equivalent weight 218 g / eq.), "ODA-BOZ" manufactured by JFE Chemical Co., Ltd. (benzoxazine ring equivalent 218g/eq.); "P-d" (benzoxazine ring equivalent 217g/eq.) and "F-a" (benzoxazine ring equivalent 217g/eq.) manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.; "HFB2006M" (benzoxazine ring equivalent 432 g/eq.) by Showa Kobunshi Co., Ltd., etc. are mentioned.

시아네이트에스테르계 경화제로서는, 예를 들어, 비스페놀 A 디시아네이트, 폴리페놀시아네이트, 올리고(3-메틸렌-1,5-페닐렌시아네이트), 4,4'-메틸렌비스(2,6-디메틸페닐시아네이트), 4,4'-에틸리덴디페닐디시아네이트, 헥사플루오로비스페놀 A 디시아네이트, 2,2-비스(4-시아네이트)페닐프로판, 1,1-비스(4-시아네이트페닐메탄), 비스(4-시아네이트-3,5-디메틸페닐)메탄, 1,3-비스(4-시아네이트페닐-1-(메틸에틸리덴))벤젠, 비스(4-시아네이트페닐)티오에테르 및 비스(4-시아네이트페닐)에테르 등의 2관능 시아네이트 수지; 페놀 노볼락 및 크레졸 노볼락 등으로부터 유도되는 다관능 시아네이트 수지; 이들 시아네이트 수지가 일부 트리아진화된 프리폴리머 등을 들 수 있다. 시아네이트에스테르계 경화제의 구체예로서는, 론자 재팬사 제조의 「PT30」 및 「PT60」(페놀 노볼락형 다관능 시아네이트에스테르 수지), 「ULL-950S」(다관능 시아네이트에스테르 수지), 「BA230」, 「BA230S75」 (비스페놀 A 디시아네이트의 일부 또는 전부가 트리아진화되어 3량체가 된 프리폴리머) 등을 들 수 있다.Examples of the cyanate ester curing agent include bisphenol A dicyanate, polyphenol cyanate, oligo(3-methylene-1,5-phenylencyanate), and 4,4'-methylenebis(2,6- dimethylphenylcyanate), 4,4'-ethylidenediphenyldicyanate, hexafluorobisphenol A dicyanate, 2,2-bis(4-cyanate)phenylpropane, 1,1-bis(4- cyanatephenylmethane), bis(4-cyanate-3,5-dimethylphenyl)methane, 1,3-bis(4-cyanatephenyl-1-(methylethylidene))benzene, bis(4-cyanate) Bifunctional cyanate resins, such as nate phenyl) thioether and bis (4-cyanate phenyl) ether; polyfunctional cyanate resins derived from phenol novolacs, cresol novolacs, and the like; and prepolymers in which these cyanate resins are partly triazinated. As specific examples of the cyanate ester curing agent, "PT30" and "PT60" (phenol novolak type polyfunctional cyanate ester resin), "ULL-950S" (polyfunctional cyanate ester resin), and "BA230" manufactured by Lonza Japan Co., Ltd. ”, “BA230S75” (a prepolymer obtained by triazation of part or all of bisphenol A dicyanate to form a trimer), and the like.

카보디이미드계 경화제의 구체예로서는, 닛신보 케미컬사 제조의 카보디라이트(등록상표) V-03(카보디이미드기 당량: 216g/eq.), V-05(카보디이미드기 당량: 262g/eq.), V-07(카보디이미드기 당량: 200g/eq.); V-09(카보디이미드기 당량: 200g/eq.); 라인 케미사 제조의 스타바쿠졸(등록상표) P(카보디이미드기 당량: 302g/eq.)을 들 수 있다.Specific examples of the carbodiimide-based curing agent include Carbodilite (registered trademark) V-03 (carbodiimide group equivalent: 216 g/eq.) and V-05 (carbodiimide group equivalent: 262 g/eq.) manufactured by Nisshinbo Chemical Co., Ltd. eq.), V-07 (carbodiimide group equivalent: 200 g/eq.); V-09 (carbodiimide group equivalent: 200 g/eq.); and Stabacuzol (registered trademark) P (carbodiimide group equivalent: 302 g/eq.) manufactured by Rhein Chemie.

티올계 경화제의 구체예로서는, 트리메틸올프로판트리스(3-머캅토프로피오네이트), 펜타에리스리톨테트라키스(3-머캅토부티레이트), 트리스(3-머캅토프로필)이소시아누레이트 등을 들 수 있다.Specific examples of the thiol-based curing agent include trimethylolpropane tris(3-mercaptopropionate), pentaerythritol tetrakis(3-mercaptobutyrate), and tris(3-mercaptopropyl)isocyanurate. .

(D) 경화제의 활성기 당량은, 바람직하게는 50g/eq. 내지 3,000g/eq., 보다 바람직하게는 100g/eq. 내지 1,000g/eq., 더욱 바람직하게는 100g/eq. 내지 500g/eq., 특히 바람직하게는 100g/eq. 내지 300g/eq.이다. 활성기 당량은, 활성기 1당량당 경화제의 질량이다.(D) The active group equivalent of the curing agent is preferably 50 g/eq. to 3,000 g/eq., more preferably 100 g/eq. to 1,000 g/eq., more preferably 100 g/eq. to 500 g/eq., particularly preferably 100 g/eq. to 300 g/eq. The active group equivalent is the mass of the curing agent per 1 equivalent of the active group.

(A) 에폭시 수지의 에폭시기 수를 1이라고 할 경우, (D) 경화제의 활성기 수는, 바람직하게는 0.1 이상, 보다 바람직하게는 0.2 이상, 더욱 바람직하게는 0.3 이상이고, 바람직하게는 5.0 이하, 보다 바람직하게는 2.0 이하, 특히 바람직하게는 1.0 이하이다. 「(A) 에폭시 수지의 에폭시기 수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 (A) 에폭시 수지의 불휘발 성분의 질량을 에폭시 당량으로 나눈 값을 전부 합계한 값을 나타낸다. 또한, 「(D) 경화제의 활성기 수」란, 수지 조성물 중에 존재하는 (D) 경화제의 불휘발 성분의 질량을 활성기 당량으로 나눈 값을 전부 합계한 값을 나타낸다.(A) When the number of epoxy groups of the epoxy resin is 1, (D) the number of active groups of the curing agent is preferably 0.1 or more, more preferably 0.2 or more, still more preferably 0.3 or more, and preferably 5.0 or less, More preferably, it is 2.0 or less, and particularly preferably 1.0 or less. "The number of epoxy groups of (A) epoxy resin" represents the sum of all values obtained by dividing the mass of non-volatile components of the (A) epoxy resin present in the resin composition by the epoxy equivalent. In addition, "the number of active groups of (D) curing agent" represents a value obtained by dividing the mass of non-volatile components of the (D) curing agent present in the resin composition by the active group equivalent.

수지 조성물 중의 (D) 경화제의 양은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 1질량% 이상, 보다 바람직하게는 2질량% 이상, 특히 바람직하게는 4질량% 이상이고, 바람직하게는 30질량% 이하, 보다 바람직하게는 20질량% 이하, 특히 바람직하게는 10질량% 이하이다.The amount of the curing agent (D) in the resin composition is preferably 1% by mass or more, more preferably 2% by mass or more, particularly preferably 4% by mass or more, based on 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition. It is preferably 30% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, and particularly preferably 10% by mass or less.

수지 조성물 중의 (D) 경화제의 양은, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 5질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상, 특히 바람직하게는 15질량% 이상이고, 바람직하게는 50질량% 이하, 보다 바람직하게는 40질량% 이하, 특히 바람직하게는 30질량% 이하이다.The amount of the curing agent (D) in the resin composition is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, particularly preferably 15% by mass or more, based on 100% by mass of the resin component of the resin composition. is 50% by mass or less, more preferably 40% by mass or less, and particularly preferably 30% by mass or less.

[6. (E) 경화 촉진제][6. (E) curing accelerator]

본 실시형태에 따른 수지 조성물은, 상기 (A) 내지 (D) 성분에 조합하여, 임의의 성분으로서, (E) 경화 촉진제를 추가로 포함하고 있어도 좋다. 상기 (E) 성분으로서의 (E) 경화 촉진제에는, 상기 (A) 내지 (D) 성분에 해당하는 것은 포함시키지 않는다. (E) 경화 촉진제는, (A) 에폭시 수지의 경화를 촉진시키는 경화 촉매로서의 기능을 갖는다.The resin composition according to the present embodiment may further contain (E) a curing accelerator as an optional component in combination with the above components (A) to (D). The (E) hardening accelerator as the component (E) does not include those corresponding to the components (A) to (D). (E) The curing accelerator has a function as a curing catalyst that promotes curing of the (A) epoxy resin.

(E) 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 인계 경화 촉진제, 우레아계 경화 촉진제, 구아니딘계 경화 촉진제, 이미다졸계 경화 촉진제, 금속계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 이미다졸계 경화 촉진제가 바람직하다. (E) 경화 촉진제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.(E) Examples of the curing accelerator include phosphorus curing accelerators, urea curing accelerators, guanidine curing accelerators, imidazole curing accelerators, metal curing accelerators, and amine curing accelerators. Among them, an imidazole-based curing accelerator is preferable. (E) A hardening accelerator may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

인계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 테트라부틸포스포늄브로마이드, 테트라부틸포스포늄클로라이드, 테트라부틸포스포늄아세테이트, 테트라부틸포스포늄데카노에이트, 테트라부틸포스포늄라우레이트, 비스(테트라부틸포스포늄)피로멜리테이트, 테트라부틸포스포늄하이드로젠헥사하이드로프탈레이트, 테트라부틸포스포늄2,6-비스[(2-하이드록시-5-메틸페닐)메틸]-4-메틸페노레이트, 디-tert-부틸디메틸포스포늄테트라페닐보레이트 등의 지방족 포스포늄염; 메틸트리페닐포스포늄브로마이드, 에틸트리페닐포스포늄브로마이드, 프로필트리페닐포스포늄브로마이드, 부틸트리페닐포스포늄브로마이드, 벤질트리페닐포스포늄클로라이드, 테트라페닐포스포늄브로마이드, p-톨릴트리페닐포스포늄테트라-p-톨릴보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라페닐포스포늄테트라p-톨릴보레이트, 트리페닐에틸포스포늄테트라페닐보레이트, 트리스(3-메틸페닐)에틸포스포늄테트라페닐보레이트, 트리스(2-메톡시페닐)에틸포스포늄테트라페닐보레이트, (4-메틸페닐)트리페닐포스포늄티오시아네이트, 테트라페닐포스포늄티오시아네이트, 부틸트리페닐포스포늄티오시아네이트 등의 방향족 포스포늄염; 트리페닐포스핀·트리페닐보란 등의 방향족 포스핀·보란 복합체; 트리페닐포스핀·p-벤조퀴논 부가 반응물 등의 방향족 포스핀·퀴논 부가 반응물; 트리부틸포스핀, 트리-tert-부틸포스핀, 트리옥틸포스핀, 디-tert-부틸(2-부테닐)포스핀, 디-tert-부틸(3-메틸-2-부테닐)포스핀, 트리사이클로헥실포스핀 등의 지방족 포스핀; 디부틸페닐포스핀, 디-tert-부틸페닐포스핀, 메틸디페닐포스핀, 에틸디페닐포스핀, 부틸디페닐포스핀, 디페닐사이클로헥실포스핀, 트리페닐포스핀, 트리-o-톨릴포스핀, 트리-m-톨릴포스핀, 트리-p-톨릴포스핀, 트리스(4-에틸페닐)포스핀, 트리스(4-프로필페닐)포스핀, 트리스(4-이소프로필페닐)포스핀, 트리스(4-부틸페닐)포스핀, 트리스(4-tert-부틸페닐)포스핀, 트리스(2,4-디메틸페닐)포스핀, 트리스(2,5-디메틸페닐)포스핀, 트리스(2,6-디메틸페닐)포스핀, 트리스(3,5-디메틸페닐)포스핀, 트리스(2,4,6-트리메틸페닐)포스핀, 트리스(2,6-디메틸-4-에톡시페닐)포스핀, 트리스(2-메톡시페닐)포스핀, 트리스(4-메톡시페닐)포스핀, 트리스(4-에톡시페닐)포스핀, 트리스(4-tert-부톡시페닐)포스핀, 디페닐-2-피리딜포스핀, 1,2-비스(디페닐포스피노)에탄, 1,3-비스(디페닐포스피노)프로판, 1,4-비스(디페닐포스피노)부탄, 1,2-비스(디페닐포스피노)아세틸렌, 2,2'-비스(디페닐포스피노)디페닐에테르 등의 방향족 포스핀 등을 들 수 있다.Examples of the phosphorus-based curing accelerator include tetrabutylphosphonium bromide, tetrabutylphosphonium chloride, tetrabutylphosphonium acetate, tetrabutylphosphonium decanoate, tetrabutylphosphonium laurate, and bis(tetrabutylphosphonium)pyro Mellitate, tetrabutylphosphonium hydrogenhexahydrophthalate, tetrabutylphosphonium 2,6-bis[(2-hydroxy-5-methylphenyl)methyl]-4-methylphenolate, di-tert-butyldimethylphosphonium aliphatic phosphonium salts such as tetraphenyl borate; Methyltriphenylphosphonium bromide, ethyltriphenylphosphonium bromide, propyltriphenylphosphonium bromide, butyltriphenylphosphonium bromide, benzyltriphenylphosphonium chloride, tetraphenylphosphonium bromide, p-tolyltriphenylphosphonium tetra- p-Tolyl borate, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetraphenylphosphonium tetrap-tolyl borate, triphenylethylphosphonium tetraphenylborate, tris(3-methylphenyl)ethylphosphonium tetraphenylborate, tris(2-methylphenylborate) Aromatic phosphonium salts, such as oxyphenyl) ethylphosphonium tetraphenylborate, (4-methylphenyl) triphenylphosphonium thiocyanate, tetraphenylphosphonium thiocyanate, and butyl triphenylphosphonium thiocyanate; aromatic phosphine/borane complexes such as triphenylphosphine/triphenylborane; aromatic phosphine/quinone addition reactants such as triphenylphosphine/p-benzoquinone addition reactants; Tributylphosphine, tri-tert-butylphosphine, trioctylphosphine, di-tert-butyl (2-butenyl) phosphine, di-tert-butyl (3-methyl-2-butenyl) phosphine, aliphatic phosphines such as tricyclohexylphosphine; Dibutylphenylphosphine, di-tert-butylphenylphosphine, methyldiphenylphosphine, ethyldiphenylphosphine, butyldiphenylphosphine, diphenylcyclohexylphosphine, triphenylphosphine, tri-o-tolyl Phosphine, tri-m-tolylphosphine, tri-p-tolylphosphine, tris (4-ethylphenyl) phosphine, tris (4-propylphenyl) phosphine, tris (4-isopropylphenyl) phosphine, Tris (4-butylphenyl) phosphine, tris (4-tert-butylphenyl) phosphine, tris (2,4-dimethylphenyl) phosphine, tris (2,5-dimethylphenyl) phosphine, tris (2, 6-dimethylphenyl)phosphine, tris(3,5-dimethylphenyl)phosphine, tris(2,4,6-trimethylphenyl)phosphine, tris(2,6-dimethyl-4-ethoxyphenyl)phosphine , tris (2-methoxyphenyl) phosphine, tris (4-methoxyphenyl) phosphine, tris (4-ethoxyphenyl) phosphine, tris (4-tert-butoxyphenyl) phosphine, diphenyl- 2-pyridylphosphine, 1,2-bis(diphenylphosphino)ethane, 1,3-bis(diphenylphosphino)propane, 1,4-bis(diphenylphosphino)butane, 1,2- and aromatic phosphines such as bis(diphenylphosphino)acetylene and 2,2'-bis(diphenylphosphino)diphenyl ether.

우레아계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 1,1-디메틸요소; 1,1,3-트리메틸요소, 3-에틸-1,1-디메틸요소, 3-사이클로헥실-1,1-디메틸요소, 3-사이클로옥틸-1,1-디메틸요소 등의 지방족 디메틸우레아; 3-페닐-1,1-디메틸요소, 3-(4-클로로페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(3,4-디클로로페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(3-클로로-4-메틸페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(2-메틸페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(4-메틸페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(3,4-디메틸페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(4-이소프로필페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(4-메톡시페닐)-1,1-디메틸요소, 3-(4-니트로페닐)-1,1-디메틸요소, 3-[4-(4-메톡시페녹시)페닐]-1,1-디메틸요소, 3-[4-(4-클로로페녹시)페닐]-1,1-디메틸요소, 3-[3-(트리플루오로메틸)페닐]-1,1-디메틸요소, N,N-(1,4-페닐렌)비스(N',N'-디메틸요소), N,N-(4-메틸-1,3-페닐렌)비스(N',N'-디메틸요소)〔톨루엔비스디메틸우레아〕등의 방향족 디메틸우레아 등을 들 수 있다.Examples of the urea-based curing accelerator include 1,1-dimethylurea; Aliphatic dimethyl urea, such as 1,1,3-trimethyl urea, 3-ethyl-1,1-dimethyl urea, 3-cyclohexyl-1,1-dimethyl urea, and 3-cyclooctyl-1,1-dimethyl urea; 3-phenyl-1,1-dimethyl urea, 3-(4-chlorophenyl)-1,1-dimethyl urea, 3-(3,4-dichlorophenyl)-1,1-dimethyl urea, 3-(3- Chloro-4-methylphenyl)-1,1-dimethylurea, 3-(2-methylphenyl)-1,1-dimethylurea, 3-(4-methylphenyl)-1,1-dimethylurea, 3-(3,4 -Dimethylphenyl)-1,1-dimethylurea, 3-(4-isopropylphenyl)-1,1-dimethylurea, 3-(4-methoxyphenyl)-1,1-dimethylurea, 3-(4 -Nitrophenyl)-1,1-dimethylurea, 3-[4-(4-methoxyphenoxy)phenyl]-1,1-dimethylurea, 3-[4-(4-chlorophenoxy)phenyl]- 1,1-dimethylurea, 3-[3-(trifluoromethyl)phenyl]-1,1-dimethylurea, N,N-(1,4-phenylene)bis(N',N'-dimethylurea ), and aromatic dimethylurea such as N,N-(4-methyl-1,3-phenylene)bis(N',N'-dimethylurea) [toluenebisdimethylurea].

구아니딘계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 디시안디아미드, 1-메틸구아니딘, 1-에틸구아니딘, 1-사이클로헥실구아니딘, 1-페닐구아니딘, 1-(o-톨릴)구아니딘, 디메틸구아니딘, 디페닐구아니딘, 트리메틸구아니딘, 테트라메틸구아니딘, 펜타메틸구아니딘, 1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 7-메틸-1,5,7-트리아자바이사이클로[4.4.0]데카-5-엔, 1-메틸비구아니드, 1-에틸비구아니드, 1-n-부틸비구아니드, 1-n-옥쿠타데실비구아니드, 1,1-디메틸비구아니드, 1,1-디에틸비구아니드, 1-사이클로헥실비구아니드, 1-알릴비구아니드, 1-페닐비구아니드, 1-(o-톨릴)비구아니드 등을 들 수 있다.Examples of the guanidine-based curing accelerator include dicyandiamide, 1-methylguanidine, 1-ethylguanidine, 1-cyclohexylguanidine, 1-phenylguanidine, 1-(o-tolyl)guanidine, dimethylguanidine, and diphenylguanidine. , trimethylguanidine, tetramethylguanidine, pentamethylguanidine, 1,5,7-triazabicyclo[4.4.0]deca-5-ene, 7-methyl-1,5,7-triazabicyclo[4.4.0] Deca-5-ene, 1-methylbiguanide, 1-ethylbiguanide, 1-n-butylbiguanide, 1-n-octadecylbiguanide, 1,1-dimethylbiguanide, 1 , 1-diethylbiguanide, 1-cyclohexylbiguanide, 1-allylbiguanide, 1-phenylbiguanide, 1-(o-tolyl)biguanide and the like.

이미다졸계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 2-메틸이미다졸, 2-운데실이미다졸, 2-헵타데실이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1,2-디메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 2-페닐이미다졸, 2-페닐-4-메틸이미다졸, 1-벤 질-2-메틸이미다졸, 1-벤질-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미다졸륨트리멜리테이트, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-운데실이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진, 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸릴-(1')]-에틸-s-트리아진이소시아누르산 부가물, 2-페닐이미다졸이소시아누르산 부가물, 2-페닐-4,5-디하이드록시메틸이미다졸, 2-페닐-4-메틸-5-하이드록시메틸이미다졸, 2,3-디하이드로-1H-피롤로[1,2-a]벤즈이미다졸, 1-도데실-2-메틸-3-벤질이미다졸륨클로라이드, 2-메틸이미다졸린, 2-페닐이미다졸린 등의 이미다졸 화합물 및 이미다졸 화합물과 에폭시 수지의 어덕트체를 들 수 있다. 이미다졸계 경화 촉진제의 시판품으로서는, 예를 들어, 시코쿠 카세이코교사 제조의 「1B2PZ」, 「2E4MZ」, 「2MZA-PW」, 「2MZ-OK」, 「2MA-OK」, 「2MA-OK-PW」, 「2PHZ」, 「2PHZ-PW」, 「Cl1Z」, 「Cl1Z-CN」, 「Cl1Z-CNS」, 「Cl1Z-A」; 미츠비시 케미컬사 제조의 「P200-H50」 등을 들 수 있다.Examples of the imidazole-based curing accelerator include 2-methylimidazole, 2-undecylimidazole, 2-heptadecylimidazole, 1,2-dimethylimidazole, and 2-ethyl-4-methyl. Imidazole, 1,2-dimethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methyl Imidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyanoethyl-2- Ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimida Zolium trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-unde Silimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-ethyl-4'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s -triazine, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, 2-phenylimidazole isocyanuric acid Adduct, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, 2,3-dihydro-1H-pyrrolo[1, 2-a] benzimidazole, 1-dodecyl-2-methyl-3-benzimidazolium chloride, 2-methylimidazolin, imidazole compounds such as 2-phenylimidazolin, imidazole compounds and epoxy resins The adduct form of Examples of commercially available imidazole curing accelerators include "1B2PZ", "2E4MZ", "2MZA-PW", "2MZ-OK", "2MA-OK" and "2MA-OK-" manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd. PW”, “2PHZ”, “2PHZ-PW”, “Cl1Z”, “Cl1Z-CN”, “Cl1Z-CNS”, “Cl1Z-A”; "P200-H50" by the Mitsubishi Chemical Corporation etc. are mentioned.

금속계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 코발트, 구리, 아연, 철, 니켈, 망간, 주석 등의 금속의, 유기 금속 착체 또는 유기 금속염을 들 수 있다. 유기 금속 착체의 구체예로서는, 코발트(II)아세틸아세토네이트, 코발트(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 코발트 착체, 구리(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 구리 착체, 아연(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 아연 착체, 철(III)아세틸아세토네이트 등의 유기 철 착체, 니켈(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 니켈 착체, 망간(II)아세틸아세토네이트 등의 유기 망간 착체 등을 들 수 있다. 유기 금속염으로서는, 예를 들어, 옥틸산 아연, 옥틸산 주석, 나프텐산 아연, 나프텐산 코발트, 스테아르산 주석, 스테아르산 아연 등을 들 수 있다.Examples of the metal-based hardening accelerator include organometallic complexes or organometallic salts of metals such as cobalt, copper, zinc, iron, nickel, manganese, and tin. Specific examples of the organometallic complex include organic cobalt complexes such as cobalt (II) acetylacetonate and cobalt (III) acetylacetonate, organic copper complexes such as copper (II) acetylacetonate, and zinc (II) acetylacetonate. organic iron complexes such as organic zinc complexes and iron (III) acetylacetonate; organic nickel complexes such as nickel (II) acetylacetonate; and organic manganese complexes such as manganese (II) acetylacetonate. Examples of the organometallic salt include zinc octylate, tin octylate, zinc naphthenate, cobalt naphthenate, tin stearate and zinc stearate.

아민계 경화 촉진제로서는, 예를 들어, 트리에틸아민, 트리부틸아민 등의 트리알킬아민, 4-디메틸아미노피리딘, 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀, 1,8-디아자바이사이클로(5,4,0)-운데센 등을 들 수 있다. 아민계 경화 촉진제로서는, 시판품을 사용해도 좋고, 예를 들어, 아지노모토 파인 테크노사 제조의 「MY-25」 등을 들 수 있다.Examples of the amine curing accelerator include trialkylamines such as triethylamine and tributylamine, 4-dimethylaminopyridine, benzyldimethylamine, 2,4,6-tris(dimethylaminomethyl)phenol, and 1,8 -Diazabicyclo(5,4,0)-undecene etc. are mentioned. As an amine-type hardening accelerator, you may use a commercial item, for example, "MY-25" by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd. etc. are mentioned.

수지 조성물 중의 (E) 경화 촉진제의 양은, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.02질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.03질량% 이상이고, 바람직하게는 1.0질량% 이하, 보다 바람직하게는 0.5질량% 이하, 특히 바람직하게는 0.1질량% 이하이다.The amount of the (E) curing accelerator in the resin composition is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.02% by mass or more, and particularly preferably 0.03% by mass or more, based on 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition, It is preferably 1.0% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or less, and particularly preferably 0.1% by mass or less.

수지 조성물 중의 (E) 경화 촉진제의 양은, 수지 조성물의 수지 성분 100질량%에 대하여, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 0.05질량% 이상, 특히 바람직하게는 0.10질량% 이상이고, 바람직하게는 2.0질량% 이하, 보다 바람직하게는 1.0질량% 이하, 특히 바람직하게는 0.5질량% 이하이다.The amount of the curing accelerator (E) in the resin composition is preferably 0.01% by mass or more, more preferably 0.05% by mass or more, particularly preferably 0.10% by mass or more, based on 100% by mass of the resin component of the resin composition. It is preferably 2.0% by mass or less, more preferably 1.0% by mass or less, and particularly preferably 0.5% by mass or less.

[7. (F) 임의의 첨가제][7. (F) optional additives]

본 실시형태에 따른 수지 조성물은, 상기 (A) 내지 (E) 성분에 조합하여, 임의의 불휘발 성분으로서, (F) 임의의 첨가제를 추가로 포함하고 있어도 좋다. (F) 임의의 첨가제로서는, 예를 들어, 유기 구리 화합물, 유기 아연 화합물, 유기 코발트 화합물 등의 유기 금속 화합물; 실리콘계 레벨링제, 아크릴 폴리머계 레벨링제 등의 레벨링제; 벤톤, 몬모릴로나이트 등의 증점제; 실리콘계 소포제, 아크릴계 소포제, 불소계 소포제, 비닐 수지계 소포제 등의 소포제; 벤조트리아졸계 자외선 흡수제 등의 자외선 흡수제; 요소실란 등의 접착성 향상제; 트리아졸계 밀착성 부여제, 테트라졸계 밀착성 부여제, 트리아진계 밀착성 부여제 등의 밀착성 부여제; 힌더드페놀계 산화 방지제 등의 산화 방지제; 스틸벤 유도체 등의 형광 증백제; 불소계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등의 계면활성제; 인계 난연제(예를 들어, 인산 에스테르 화합물, 포스파젠 화합물, 포스핀산 화합물, 적인), 질소계 난연제(예를 들어 황산 멜라민), 할로겐계 난연제, 무기계 난연제(예를 들어 3산화 안티몬) 등의 난연제; 인산 에스테르계 분산제, 폴리옥시알킬렌계 분산제, 아세틸렌계 분산제, 실리콘계 분산제, 음이온성 분산제, 양이온성 분산제 등의 분산제; 보레이트계 안정제, 티타네이트계 안정제, 알루미네이트계 안정제, 지르코네이트계 안정제, 이소시아네이트계 안정제, 카복실산계 안정제, 카복실산 무수물계 안정제 등의 안정제를 들 수 있다. (F) 임의의 첨가제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition according to the present embodiment may further contain (F) optional additives as optional non-volatile components in combination with the components (A) to (E). (F) Examples of optional additives include organometallic compounds such as organocopper compounds, organozinc compounds, and organocobalt compounds; leveling agents such as silicone-based leveling agents and acrylic polymer-based leveling agents; thickeners such as bentone and montmorillonite; antifoaming agents such as silicone antifoaming agents, acrylic antifoaming agents, fluorine antifoaming agents, and vinyl resin antifoaming agents; ultraviolet absorbers such as benzotriazole-based ultraviolet absorbers; adhesion improvers such as urea silane; adhesion imparting agents such as triazole-based adhesion imparting agents, tetrazole-based adhesion imparting agents, and triazine-based adhesion imparting agents; antioxidants such as hindered phenolic antioxidants; fluorescent whitening agents such as stilbene derivatives; surfactants such as fluorine-based surfactants and silicone-based surfactants; Flame retardants such as phosphorus-based flame retardants (eg, phosphoric acid ester compounds, phosphazene compounds, phosphinic acid compounds, red), nitrogen-based flame retardants (eg, melamine sulfate), halogen-based flame retardants, inorganic flame retardants (eg, antimony trioxide) ; dispersants such as phosphoric acid ester dispersants, polyoxyalkylene dispersants, acetylene dispersants, silicone dispersants, anionic dispersants, and cationic dispersants; and stabilizers such as borate-based stabilizers, titanate-based stabilizers, aluminate-based stabilizers, zirconate-based stabilizers, isocyanate-based stabilizers, carboxylic acid-based stabilizers, and carboxylic acid anhydride-based stabilizers. (F) Arbitrary additives may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

[8. (G) 용제][8. (G) Solvent]

본 실시형태에 따른 수지 조성물은, 상기 (A) 내지 (F) 성분과 같은 불휘발 성분에 조합하여, 임의의 휘발성 성분으로서, (G) 용제를 추가로 포함하고 있어도 좋다. (G) 용제로서는, 통상, 유기 용제를 사용한다. 유기 용제로서는, 예를 들어, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 사이클로헥사논 등의 케톤계 용제; 아세트산 메틸, 아세트산 에틸, 아세트산 부틸, 아세트산 이소부틸, 아세트산 이소아밀, 프로피온산 메틸, 프로피온산 에틸, γ-부티로락톤 등의 에스테르계 용제; 테트라하이드로피란, 테트라하이드로푸란, 1,4-디옥산, 디에틸에테르, 디이소프로필에테르, 디부틸에테르, 디페닐에테르, 아니솔 등의 에테르계 용제; 메탄올, 에탄올, 프로판올, 부탄올, 에틸렌글리콜 등의 알코올계 용제; 아세트산 2-에톡시에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸디글리콜아세테이트, γ-부티로락톤, 메톡시프로피온산 메틸 등의 에테르 에스테르계 용제; 락트산 메틸, 락트산 에틸, 2-하이드록시이소부티르산 메틸 등의 에스테르 알코올계 용제; 2-메톡시프로판올, 2-메톡시에탄올, 2-에톡시에탄올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(부틸카비톨) 등의 에테르 알코올계 용제; N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈 등의 아미드계 용제; 디메틸설폭사이드 등의 설폭사이드계 용제; 아세토니트릴, 프로피오니트릴 등의 니트릴계 용제; 헥산, 사이클로펜탄, 사이클로헥산, 메틸사이클로헥산 등의 지방족 탄화수소계 용제; 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 에틸 벤젠, 트리메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용제 등을 들 수 있다. (G) 용제는, 1종류를 단독으로 사용해도 좋고, 2종류 이상을 조합하여 사용해도 좋다.The resin composition according to the present embodiment may further contain (G) a solvent as an optional volatile component in combination with the non-volatile components such as the components (A) to (F). (G) As a solvent, an organic solvent is usually used. Examples of the organic solvent include ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone; ester solvents such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, isobutyl acetate, isoamyl acetate, methyl propionate, ethyl propionate, and γ-butyrolactone; ether solvents such as tetrahydropyran, tetrahydrofuran, 1,4-dioxane, diethyl ether, diisopropyl ether, dibutyl ether, diphenyl ether, and anisole; alcohol solvents such as methanol, ethanol, propanol, butanol, and ethylene glycol; ether ester solvents such as 2-ethoxyethyl acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, diethylene glycol monoethyl ether acetate, ethyl diglycol acetate, γ-butyrolactone, and methyl methoxypropionate; ester alcohol solvents such as methyl lactate, ethyl lactate, and methyl 2-hydroxyisobutyrate; ether alcohol solvents such as 2-methoxypropanol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, propylene glycol monomethyl ether, and diethylene glycol monobutyl ether (butyl carbitol); amide solvents such as N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, and N-methyl-2-pyrrolidone; sulfoxide-based solvents such as dimethyl sulfoxide; nitrile solvents such as acetonitrile and propionitrile; aliphatic hydrocarbon-based solvents such as hexane, cyclopentane, cyclohexane, and methylcyclohexane; Aromatic hydrocarbon solvents, such as benzene, toluene, xylene, ethylbenzene, and trimethylbenzene, etc. are mentioned. (G) A solvent may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more types.

(G) 용제의 양은, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 수지 조성물 중의 전 성분을 100질량%로 할 경우, 예를 들어, 60질량% 이하, 40질량% 이하, 30질량% 이하, 20질량% 이하, 15질량% 이하, 10질량% 이하 등일 수 있고, 0질량%라도 좋다.(G) The amount of the solvent is not particularly limited, but when all components in the resin composition are 100% by mass, for example, 60% by mass or less, 40% by mass or less, 30% by mass or less, 20% by mass or less, It can be 15 mass % or less, 10 mass % or less, etc., and 0 mass % may be sufficient.

[9. 수지 조성물의 제조방법][9. Manufacturing method of resin composition]

본 실시형태에 따른 수지 조성물은, 예를 들어, 상기 성분을 혼합함으로써 제조할 수 있다. 상기 성분은, 일부 또는 전부를 동시에 혼합해도 좋고, 차례로 혼합해도 좋다. 각 성분을 혼합하는 과정에서, 온도를 적절히 설정해도 좋고, 따라서, 일시적으로 또는 시종에 걸쳐 가열 및/또는 냉각해도 좋다. 또한, 각 성분을 혼합하는 과정에 있어서, 교반 또는 진탕을 행하여도 좋다.The resin composition according to the present embodiment can be produced by mixing the above components, for example. Some or all of the above components may be mixed simultaneously or sequentially. In the process of mixing each component, the temperature may be set appropriately, so you may heat and/or cool temporarily or continuously. In addition, in the process of mixing each component, you may perform stirring or shaking.

[10. 수지 조성물 및 이의 경화물의 특성][10. Characteristics of resin composition and cured product thereof]

본 실시형태에 따른 수지 조성물에 의하면, 휨의 억제가 가능한 경화물을 얻을 수 있다. 따라서, 실리콘 웨이퍼 등의 기재 위에 수지 조성물의 경화물의 층 (이하, 「경화물 층」이라고 말하는 경우가 있음)을 형성해서 적층체를 얻은 경우에, 상기 적층체의 휨량을 작게 할 수 있다. 예를 들어, 후술하는 실시예의 [휨의 평가] 항목에서 설명하는 방법에 의해 적층체를 제조해서 이의 휨량을 측정한 경우, 휨량을 1.5mm 이하로 할 수 있다.According to the resin composition according to the present embodiment, a cured product capable of suppressing warpage can be obtained. Therefore, when a layered product is obtained by forming a layer of a cured product of a resin composition (hereinafter sometimes referred to as a "cured product layer") on a substrate such as a silicon wafer, the amount of warpage of the layered product can be reduced. For example, when a laminate is manufactured by the method described in the [Evaluation of warpage] section of the examples described later and the warpage amount thereof is measured, the warpage amount can be 1.5 mm or less.

본 실시형태에 따른 수지 조성물에 의하면, 도체층과의 밀착성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다. 따라서, 도체층에 접촉하도록 수지 조성물의 경화물 층을 형성한 경우에, 도체층과 경화물 층과의 박리를 억제할 수 있다. 예를 들어, 후술하는 실시예의 [동박 밀착 강도의 평가] 항목에서 설명하는 방법에 의해 동박 밀착 강도를 측정한 경우, 바람직하게는 0.53kgf/cm 이상, 더욱 바람직하게는 0.57kgf/cm 이상, 특히 바람직하게는 0.60kgf/cm 이상의 동박 밀착 강도를 얻을 수 있다.According to the resin composition according to the present embodiment, a cured product having excellent adhesion to the conductor layer can be obtained. Therefore, when the cured product layer of the resin composition is formed so as to contact the conductor layer, peeling of the conductor layer and the cured product layer can be suppressed. For example, when the copper foil adhesion strength is measured by the method described in the [Evaluation of Copper Foil Adhesion Strength] section of Examples described later, it is preferably 0.53 kgf/cm or more, more preferably 0.57 kgf/cm or more, particularly Preferably, copper foil adhesion strength of 0.60 kgf/cm or more can be obtained.

본 실시형태에 따른 수지 조성물에 의하면, 통상, 실리콘에 대한 밀착성이 우수한 경화물을 얻을 수 있다. 따라서, 실리콘으로 형성된 부재에 접촉하도록 수지 조성물의 경화물 층을 형성한 경우에, 상기 부재와 경화물 층과의 박리를 억제할 수 있다. 예를 들어, 후술하는 실시예의 [Si 밀착 강도의 평가] 항목에서 설명하는 방법에 의해 Si 밀착 강도를 측정한 경우, 바람직하게는 550kgf/㎠ 이상, 보다 바람직하게는 570kgf/㎠ 이상, 특히 바람직하게는 590kgf/㎠ 이상의 Si 밀착 강도를 얻을 수 있다.According to the resin composition according to the present embodiment, a cured product having excellent adhesion to silicone can usually be obtained. Therefore, when the cured product layer of the resin composition is formed so as to come into contact with a member formed of silicone, separation between the member and the cured product layer can be suppressed. For example, when the Si adhesion strength is measured by the method described in the [Evaluation of Si adhesion strength] section of the examples described later, it is preferably 550 kgf/cm 2 or more, more preferably 570 kgf/cm 2 or more, particularly preferably can obtain Si adhesion strength of 590 kgf/cm 2 or more.

본 실시형태에 따른 수지 조성물에 의하면, 통상, 탄성율이 작은 경화물을 얻을 수 있다. 본 발명자는, 경화물이 이와 같이 작은 탄성율을 갖는 것이, 상기와 같이 우수한 밀착성 및 휨의 억제의 효과가 얻어지는 한가지 원인이라고 생각한다. 예를 들어, 후술하는 실시예의 [탄성율의 측정] 항목에서 설명하는 방법에 의해 수지 조성물의 경화물의 인장 탄성율을 측정한 경우, 바람직하게는 16GPa 이하, 보다 바람직하게는 15GPa 이하, 특히 바람직하게는 14.5GPa 이하의 인장 탄성율을 얻을 수 있다. 하한은, 특단의 제한은 없지만, 예를 들어 5GPa 이상일 수 있다.According to the resin composition according to the present embodiment, a cured product having a small elastic modulus can usually be obtained. This inventor considers that the hardened|cured material has such a small modulus of elasticity as one of the reasons why the excellent adhesiveness and the effect of suppressing warpage are obtained as described above. For example, when the tensile modulus of elasticity of a cured product of a resin composition is measured by the method described in the [Measurement of Elastic Modulus] section of Examples described later, it is preferably 16 GPa or less, more preferably 15 GPa or less, and particularly preferably 14.5 A tensile modulus of elasticity of GPa or less can be obtained. The lower limit is not particularly limited, but may be, for example, 5 GPa or more.

본 실시형태에 따른 수지 조성물에 의하면, 통상, 낮은 최저 용융 점도를 가질 수 있다. 따라서, 수지 조성물에 의해 밀봉을 행할 경우에, 수지 조성물이 충전되지 않는 틈새의 형성을 억제할 수 있다. 예를 들어, 후술하는 실시예의 [용융 점도의 측정] 항목에서 설명하는 방법에 의해 수지 조성물의 최저 용융 점도를 측정한 경우에, 바람직하게는 9,000poise 이하, 보다 바람직하게는 8,000poise 이하, 특히 바람직하게는 7,500poise 이하의 최저 용융 점도를 얻을 수 있다. 하한값은, 특단의 제한은 없지만, 바람직하게는 500poise 이상, 보다 바람직하게는 1,000poise 이상, 특히 바람직하게는 2,000poise 이상일 수 있다.According to the resin composition according to the present embodiment, it can usually have a low minimum melt viscosity. Therefore, when sealing with a resin composition, formation of the gap|interval which is not filled with a resin composition can be suppressed. For example, when the minimum melt viscosity of the resin composition is measured by the method described in the [Measurement of Melt Viscosity] section of Examples below, it is preferably 9,000 poise or less, more preferably 8,000 poise or less, particularly preferably Preferably, the lowest melt viscosity of 7,500 poise or less can be obtained. The lower limit is not particularly limited, but may be preferably 500 poise or more, more preferably 1,000 poise or more, and particularly preferably 2,000 poise or more.

수지 조성물은, 상기 특성을 가지므로, 밀봉층용 수지 조성물로서 적합하게 사용할 수 있고, 특히, 반도체를 밀봉하기 위한 수지 조성물(반도체 밀봉용 수지 조성물), 바람직하게는 반도체 칩을 밀봉하기 위한 수지 조성물(반도체 칩 밀봉용 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 수지 조성물은, 밀봉 용도 이외에 절연층용 수지 조성물로서 사용해도 좋다. 예를 들어, 상기 수지 조성물은, 반도체 칩 패키지의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(반도체 칩 패키지의 절연층용 수지 조성물) 및 회로 기판(프린트 배선판을 포함함)의 절연층을 형성하기 위한 수지 조성물(회로 기판의 절연층용 수지 조성물)로서 적합하게 사용할 수 있다.Since the resin composition has the above characteristics, it can be suitably used as a resin composition for a sealing layer, and in particular, a resin composition for sealing a semiconductor (resin composition for semiconductor sealing), preferably a resin composition for sealing a semiconductor chip ( It can be suitably used as a resin composition for sealing semiconductor chips). In addition, you may use a resin composition as a resin composition for insulation layers other than a sealing use. For example, the resin composition is a resin composition for forming an insulating layer of a semiconductor chip package (resin composition for an insulating layer of a semiconductor chip package) and a resin composition for forming an insulating layer of a circuit board (including a printed wiring board). It can be suitably used as (resin composition for insulating layers of circuit boards).

반도체 칩 패키지로서는, 예를 들어, FC-CSP, MIS-BGA 패키지, ETS-BGA 패키지, Fan-out형 WLP(Wafer Level Package), Fan-in형 WLP, Fan-out형 PLP(Panel Level Package), Fan-in형 PLP를 들 수 있다.As the semiconductor chip package, for example, FC-CSP, MIS-BGA package, ETS-BGA package, fan-out type WLP (Wafer Level Package), fan-in type WLP, fan-out type PLP (Panel Level Package) , a fan-in type PLP.

또한, 상기 수지 조성물은, 언더필재로서 사용해도 좋고, 예를 들어, 반도체 칩을 기판에 접속한 후에 사용하는 MUF(Molding Under Filling)의 재료로서 사용해도 좋다.In addition, the resin composition may be used as an underfill material, for example, as a material for MUF (Molding Under Filling) used after connecting a semiconductor chip to a substrate.

또한, 상기 수지 조성물은, 수지 시트, 프리프레그 등의 시트상 적층 재료, 솔더 레지스트, 다이본딩재, 구멍 메움 수지, 부품 매립 수지 등 수지 조성물이 사용되는 광범위한 용도에 사용할 수 있다.In addition, the resin composition can be used for a wide range of applications in which the resin composition is used, such as sheet-like laminated materials such as resin sheets and prepregs, solder resists, die bonding materials, hole filling resins, and parts embedding resins.

[11. 수지 시트][11. resin sheet]

본 발명의 일 실시형태에 따른 수지 시트는, 지지체와, 상기 지지체 위에 형성된 수지 조성물 층을 갖는다. 수지 조성물 층은, 수지 조성물에 의해 형성된 층이므로, 통상은 상기 수지 조성물을 포함하고, 바람직하게는 상기 수지 조성물만을 포함한다.A resin sheet according to an embodiment of the present invention has a support and a resin composition layer formed on the support. Since the resin composition layer is a layer formed of a resin composition, it usually contains the resin composition, and preferably contains only the resin composition.

수지 조성물 층의 두께는, 박형화의 관점에서, 바람직하게는 600㎛ 이하, 보다 바람직하게는 550㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 500㎛ 이하, 400㎛ 이하, 350㎛ 이하, 300㎛ 이하 또는 200㎛ 이하이다. 수지 조성물 층의 두께의 하한은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 1㎛ 이상, 5㎛ 이상, 10㎛ 이상 등일 수 있다.The thickness of the resin composition layer is preferably 600 μm or less, more preferably 550 μm or less, still more preferably 500 μm or less, 400 μm or less, 350 μm or less, 300 μm or less, or 200 μm or less, from the viewpoint of thinning. am. The lower limit of the thickness of the resin composition layer is not particularly limited, and may be, for example, 1 μm or more, 5 μm or more, or 10 μm or more.

지지체로서는, 예를 들어, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박, 이형지를 들 수 있고, 플라스틱 재료로 이루어진 필름, 금속박이 바람직하다.Examples of the support include a film made of plastic material, metal foil, and release paper, and a film made of plastic material and metal foil are preferable.

지지체로서 플라스틱 재료로 이루어진 필름을 사용하는 경우, 플라스틱 재료로서는, 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(이하, 「PET」라고 약칭하는 경우가 있음), 폴리에틸렌나프탈레이트(이하, 「PEN」이라고 약칭하는 경우가 있음) 등의 폴리에스테르; 폴리카보네이트(이하, 「PC」라고 약칭하는 경우가 있음); 폴리메틸메타크릴레이트(이하, 「PMMA」라고 약칭하는 경우가 있음) 등의 아크릴 폴리머; 환상 폴리올레핀; 트리아세틸 셀룰로오스(이하, 「TAC」라고 약칭하는 경우가 있음); 폴리에테르설파이드(이하, 「PES」라고 약칭하는 경우가 있음); 폴리에테르케톤; 폴리이미드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트가 바람직하고, 저렴한 폴리에틸렌테레프탈레이트가 특히 바람직하다.When using a film made of a plastic material as the support, examples of the plastic material include polyethylene terephthalate (hereinafter sometimes abbreviated as "PET"), polyethylene naphthalate (hereinafter abbreviated as "PEN") with) polyesters such as; polycarbonate (hereinafter sometimes abbreviated as "PC"); acrylic polymers such as polymethyl methacrylate (hereinafter sometimes abbreviated as "PMMA"); cyclic polyolefin; triacetyl cellulose (hereinafter sometimes abbreviated as "TAC"); polyether sulfide (hereinafter sometimes abbreviated as "PES"); polyether ketone; Polyimide etc. are mentioned. Especially, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate are preferable, and inexpensive polyethylene terephthalate is especially preferable.

지지체로서 금속박을 사용하는 경우, 금속박으로서는, 예를 들어, 동박, 알루미늄박 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 동박이 바람직하다. 동박으로서는, 구리의 단금속으로 이루어진 박을 사용해도 좋고, 구리와 다른 금속(예를 들어, 주석, 크롬, 은, 마그네슘, 니켈, 지르코늄, 규소, 티탄 등)과의 합금으로 이루어진 박을 사용해도 좋다.When using metal foil as a support body, as a metal foil, copper foil, aluminum foil, etc. are mentioned, for example. Especially, copper foil is preferable. As the copper foil, a foil made of a single metal of copper may be used, or a foil made of an alloy of copper and another metal (eg, tin, chromium, silver, magnesium, nickel, zirconium, silicon, titanium, etc.) good night.

지지체는, 수지 조성물 층과 접합하는 면에, 매트 처리, 코로나 처리, 대전 방지 처리 등의 처리가 실시되어 있어도 좋다. The surface of the support to be bonded to the resin composition layer may be subjected to a treatment such as a mat treatment, a corona treatment, or an antistatic treatment.

또한, 지지체로서는, 수지 조성물 층과 접합하는 면에 이형층을 갖는 이형층 부착 지지체를 사용해도 좋다. 이형층 부착 지지체의 이형층에 사용하는 이형제로서는, 예를 들어, 알키드 수지, 폴리올레핀 수지, 우레탄 수지 및 실리콘 수지로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 이형제를 들 수 있다. 이형제의 시판품으로서는, 예를 들어, 알키드 수지계 이형제인, 린텍사 제조의 「SK-1」, 「AL-5」, 「AL-7」 등을 들 수 있다. 또한, 이형층 부착 지지체로서는, 예를 들어, 토레사 제조의 「루미라 T60」; 테이진사 제조의 「퓨렉스」; 유니치카사 제조의 「유니필」 등을 들 수 있다.Moreover, as a support body, you may use the support body with a release layer which has a release layer on the surface to which it joins with a resin composition layer. As a release agent used for the release layer of the support body with a release layer, 1 or more types of release agents selected from the group which consists of alkyd resins, polyolefin resins, urethane resins, and silicone resins are mentioned, for example. As a commercial item of a release agent, "SK-1" by a Lintec company, "AL-5", "AL-7" etc. which are alkyd resin type release agents are mentioned, for example. In addition, as a support body with a mold release layer, it is "Lumira T60" by a Toray company, for example; "Purex" by Teijin; "Uni-Peel" manufactured by Unitica Co., Ltd., and the like are exemplified.

지지체의 두께는, 5㎛ 내지 75㎛의 범위가 바람직하고, 10㎛ 내지 60㎛의 범위가 보다 바람직하다. 한편, 이형층 부착 지지체를 사용하는 경우, 이형층 부착 지지체 전체의 두께가 상기 범위인 것이 바람직하다.The thickness of the support is preferably in the range of 5 μm to 75 μm, and more preferably in the range of 10 μm to 60 μm. On the other hand, when using a support body with a release layer, it is preferable that the thickness of the whole support body with a release layer is the said range.

수지 시트는, 예를 들어, 수지 조성물을, 다이코터 등의 도포 장치를 사용해서 지지체 위에 도포하여 제조할 수 있다. 또한, 필요에 따라서, 수지 조성물을 용제에 용해해서 수지 바니쉬를 조제하고, 상기 수지 바니쉬를 도포해서 수지 시트를 제조해도 좋다. 용제를 사용함으로써, 점도를 조정하여, 도포성을 향상시킬 수 있다. 수지 바니쉬를 사용한 경우, 통상은, 도포 후에 수지 바니쉬를 건조시켜서 수지 조성물 층을 형성한다.A resin sheet can be manufactured, for example by applying a resin composition onto a support using a coating device such as a die coater. Further, if necessary, a resin composition may be dissolved in a solvent to prepare a resin varnish, and the resin varnish may be applied to prepare a resin sheet. By using a solvent, the viscosity can be adjusted and applicability can be improved. When a resin varnish is used, usually, after application, the resin varnish is dried to form a resin composition layer.

용제로서는, 예를 들어, 수지 조성물이 포함할 수 있는 용제로서 설명한 것을 사용할 수 있다. 용제는, 1종 단독으로 사용해도 좋고, 2종 이상을 임의의 비율로 조합하여 사용해도 좋다.As a solvent, what was described as the solvent which a resin composition can contain can be used, for example. A solvent may be used individually by 1 type, and may be used combining 2 or more types by arbitrary ratios.

건조는, 가열, 열풍 분사 등의 공지의 방법에 의해 실시해도 좋다. 건조 조건은, 수지 조성물 층 중의 용제의 함유량이, 통상 10질량% 이하, 바람직하게는 5질량% 이하가 되도록 건조시킨다. 용제의 비점에 의해서도 다르지만, 예를 들어 30질량% 내지 60질량%의 유기 용제를 포함하는 수지 바니쉬를 사용하는 경우, 50℃ 내지 150℃에서 3분 내지 10분간 건조시킴으로써, 수지 조성물 층을 형성할 수 있다.You may perform drying by a well-known method, such as heating and hot air spray. Drying conditions are made to dry so that content of the solvent in a resin composition layer may be 10 mass % or less normally, Preferably it is 5 mass % or less. Although different depending on the boiling point of the solvent, for example, when using a resin varnish containing 30% by mass to 60% by mass of an organic solvent, drying at 50°C to 150°C for 3 minutes to 10 minutes can form a resin composition layer. can

수지 시트는, 필요에 따라서, 지지체 및 수지 조성물 층 이외의 임의의 층을 포함하고 있어도 좋다. 예를 들어, 수지 시트에 있어서, 수지 조성물 층의 지지체와 접합하고 있지 않은 면(즉, 지지체와는 반대측의 면)에는, 지지체에 준한 보호 필름이 제공되어 있어도 좋다. 보호 필름의 두께는, 예를 들어, 1㎛ 내지 40㎛이다. 보호 필름에 의해, 수지 조성물 층의 표면으로의 먼지 등의 부착이나 흠집을 방지할 수 있다. 수지 시트가 보호 필름을 갖는 경우, 보호 필름을 벗김으로써 수지 시트는 사용 가능해진다. 또한, 수지 시트는, 롤 형상으로 권취하여 보존하는 것이 가능하다.The resin sheet may contain arbitrary layers other than a support body and a resin composition layer as needed. For example, in the resin sheet, a protective film conforming to the support may be provided on the surface of the resin composition layer not bonded to the support (ie, the surface on the opposite side to the support). The thickness of the protective film is, for example, 1 μm to 40 μm. With the protective film, adhesion of dust or the like to the surface of the resin composition layer and scratches can be prevented. When the resin sheet has a protective film, the resin sheet can be used by peeling off the protective film. In addition, it is possible to wind up and preserve|save a resin sheet in roll shape.

수지 시트는, 반도체 칩을 밀봉하기 위해(반도체 칩 밀봉용 수지 시트) 적합하게 사용할 수 있다. 적용 가능한 반도체 칩 패키지로서는, 예를 들어, Fan-out형 WLP, Fan-in형 WLP, Fan-out형 PLP, Fan-in형 PLP 등을 들 수 있다. 또한, 수지 시트는, 예를 들어, 회로 기판을 밀봉하기 위해(회로 기판의 밀봉용 수지 시트) 사용할 수 있다.A resin sheet can be suitably used for sealing semiconductor chips (resin sheet for sealing semiconductor chips). Examples of applicable semiconductor chip packages include fan-out type WLP, fan-in type WLP, fan-out type PLP, and fan-in type PLP. In addition, a resin sheet can be used to seal a circuit board (resin sheet for sealing of a circuit board), for example.

또한, 수지 시트는, 반도체 칩 패키지의 제조에 있어서 절연층을 형성하기 위해(반도체 칩 패키지의 절연용 수지 시트) 적합하게 사용할 수 있다. 예를 들어, 수지 시트는, 회로 기판의 절연층을 형성하기 위해(회로 기판의 절연층용 수지 시트) 사용할 수 있다. 이러한 기판을 사용한 패키지의 일례로서는, FC-CSP, MIS-BGA 패키지, ETS-BGA 패키지를 들 수 있다.In addition, a resin sheet can be suitably used in order to form an insulating layer in manufacture of a semiconductor chip package (resin sheet for insulation of a semiconductor chip package). For example, a resin sheet can be used to form an insulating layer of a circuit board (resin sheet for an insulating layer of a circuit board). As an example of a package using such a board|substrate, an FC-CSP, MIS-BGA package, and ETS-BGA package are mentioned.

또한, 수지 시트를, 반도체 칩을 기판에 접속한 후에 사용하는 MUF의 재료에 사용해도 좋다.Moreover, you may use a resin sheet as the material of the MUF used after connecting a semiconductor chip to a board|substrate.

또한, 수지 시트는 높은 절연 신뢰성이 요구되는 다른 광범위한 용도에 사용할 수 있다. 예를 들어, 수지 시트는, 프린트 배선판 등의 회로 기판의 절연층을 형성하기 위해 적합하게 사용할 수 있다.In addition, the resin sheet can be used for a wide range of other applications requiring high insulation reliability. For example, a resin sheet can be suitably used in order to form the insulating layer of circuit boards, such as a printed wiring board.

[12. 회로 기판][12. circuit board]

본 발명의 일 실시형태에 따른 회로 기판은, 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 통상, 회로 기판은, 수지 조성물의 경화물로 형성된 경화물 층을 포함한다. 이러한 경화물 층은, 통상은 절연층 또는 밀봉층으로서 기능할 수 있고, 밀봉층으로서 기능하는 것이 바람직하다. 상기 회로 기판은, 예를 들어, 하기의 공정 (1) 및 공정 (2)를 포함하는 제조방법에 의해 제조할 수 있다.A circuit board according to an embodiment of the present invention includes a cured product of a resin composition. Usually, the circuit board includes a cured product layer formed of a cured product of a resin composition. Such a cured product layer can usually function as an insulating layer or a sealing layer, and it is preferable to function as a sealing layer. The circuit board can be manufactured by, for example, a manufacturing method including the following steps (1) and (2).

(1) 기재 위에 수지 조성물 층을 형성하는 공정.(1) A step of forming a resin composition layer on a substrate.

(2) 수지 조성물 층을 경화하여, 경화물 층을 형성하는 공정.(2) A step of curing the resin composition layer to form a cured product layer.

공정 (1)에서는 기재를 준비한다. 기재로서는, 예를 들어, 유리 에폭시 기판, 금속 기판(스테인리스나 냉간 압연 강판(SPCC) 등), 폴리에스테르 기판, 폴리이미드 기판, BT 레진 기판, 열경화형 폴리페닐렌에테르 기판 등의 기판을 들 수 있다. 또한, 기재는, 상기 기재의 일부로서 표면에 동박 등의 금속층을 갖고 있어도 좋다. 예를 들어, 양쪽의 표면에 박리 가능한 제1 금속층 및 제2 금속층을 갖는 기재를 사용해도 좋다. 이러한 기재를 사용하는 경우, 통상, 회로 배선으로서 기능할 수 있는 배선층으로서의 도체층이, 제2 금속층의 제1 금속층과는 반대측의 면에 형성된다. 금속층의 재료로서는, 동박, 캐리어 부착 동박, 후술하는 도체층의 재료 등을 들 수 있고, 동박이 바람직하다. 금속층을 갖는 기재로서는, 예를 들어, 미츠이 킨조쿠코교사 제조 캐리어 동박 부착 극박 동박 「Micro Thin」을 들 수 있다.In step (1), a substrate is prepared. Examples of the base material include substrates such as glass epoxy substrates, metal substrates (stainless steel, cold rolled steel sheet (SPCC), etc.), polyester substrates, polyimide substrates, BT resin substrates, and thermosetting polyphenylene ether substrates. there is. In addition, the base material may have a metal layer such as copper foil on the surface as a part of the base material. For example, you may use the base material which has the 1st metal layer and the 2nd metal layer which can be peeled on both surfaces. In the case of using such a base material, usually, a conductor layer as a wiring layer capable of functioning as circuit wiring is formed on the surface of the second metal layer opposite to the first metal layer. Examples of the material of the metal layer include copper foil, copper foil with a carrier, material of a conductor layer described later, and the like, and copper foil is preferable. As a base material which has a metal layer, ultra-thin copper foil "Micro Thin" with carrier copper foil by Mitsui Kinzoku Kogyo Co., Ltd. is mentioned, for example.

또한, 기재의 한쪽 또는 양쪽의 표면에는 도체층이 형성되어 있어도 좋다. 이하의 설명에서는, 기재와, 상기 기재 표면에 형성된 도체층을 포함하는 부재를, 적절히 「배선층 부착 기재」라고 말하는 경우가 있다. 도체층에 포함되는 도체 재료로서는, 예를 들어, 금, 백금, 팔라듐, 은, 구리, 알루미늄, 코발트, 크롬, 아연, 니켈, 티탄, 텅스텐, 철, 주석 및 인듐으로 이루어지는 그룹으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 재료를 들 수 있다. 도체 재료로서는, 단금속을 사용해도 좋고, 합금을 사용해도 좋다. 합금으로서는, 예를 들어, 상기 그룹으로부터 선택되는 2종 이상의 금속의 합금(예를 들어, 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금 및 구리·티탄 합금)을 들 수 있다. 그 중에서도, 도체층 형성의 범용성, 비용, 패터닝의 용이성의 관점에서, 단금속으로서의 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리; 및 합금으로서의 니켈·크롬 합금, 구리·니켈 합금, 구리·티탄 합금의 합금이 바람직하다. 그 중에서도, 크롬, 니켈, 티탄, 알루미늄, 아연, 금, 팔라듐, 은 또는 구리의 단금속; 및 니켈·크롬 합금이 보다 바람직하고, 구리의 단금속이 특히 바람직하다.In addition, a conductor layer may be formed on one or both surfaces of the base material. In the following description, a member including a base material and a conductor layer formed on the surface of the base material may be appropriately referred to as a "substrate with a wiring layer". As the conductor material contained in the conductor layer, for example, one selected from the group consisting of gold, platinum, palladium, silver, copper, aluminum, cobalt, chromium, zinc, nickel, titanium, tungsten, iron, tin and indium Materials containing the above metals are exemplified. As the conductor material, a single metal may be used or an alloy may be used. Examples of the alloy include alloys of two or more types of metals selected from the above groups (for example, nickel-chromium alloys, copper-nickel alloys, and copper-titanium alloys). Among them, chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper; and alloys of nickel-chromium alloys, copper-nickel alloys, and copper-titanium alloys as alloys are preferred. Among them, single metals such as chromium, nickel, titanium, aluminum, zinc, gold, palladium, silver or copper; and a nickel-chromium alloy are more preferred, and a simple metal of copper is particularly preferred.

도체층은, 예를 들어 배선층으로서 기능시키기 위해, 패턴 가공되어 있어도 좋다. 이 때, 도체층의 라인(회로 폭)/스페이스(회로 간의 폭)비는, 특별히 제한되지 않지만, 바람직하게는 20/20㎛ 이하(즉 피치가 40㎛ 이하), 보다 바람직하게는 10/10㎛ 이하, 더욱 바람직하게는 5/5㎛ 이하, 보다 더 바람직하게는 1/1㎛ 이하, 특히 바람직하게는 0.5/0.5㎛ 이상이다. 피치는, 도체층의 전체에 걸쳐 균일해도 좋고, 불균일해도 좋다. 도체층의 최소 피치는, 예를 들어, 40㎛ 이하, 36㎛ 이하 또는 30㎛ 이하라도 좋다.The conductor layer may be subjected to pattern processing in order to function as a wiring layer, for example. At this time, the line (circuit width)/space (inter-circuit width) ratio of the conductor layer is not particularly limited, but is preferably 20/20 μm or less (that is, the pitch is 40 μm or less), more preferably 10/10. μm or less, more preferably 5/5 μm or less, still more preferably 1/1 μm or less, and particularly preferably 0.5/0.5 μm or more. The pitch may be uniform or non-uniform over the entire conductor layer. The minimum pitch of the conductor layer may be, for example, 40 μm or less, 36 μm or less, or 30 μm or less.

도체층의 두께는, 회로 기판의 디자인에 의하지만, 바람직하게는 3㎛ 내지 35㎛, 보다 바람직하게는 5㎛ 내지 30㎛, 더욱 바람직하게는 10㎛ 내지 20㎛, 특히 바람직하게는 15㎛ 내지 20㎛이다.The thickness of the conductor layer depends on the design of the circuit board, but is preferably 3 μm to 35 μm, more preferably 5 μm to 30 μm, still more preferably 10 μm to 20 μm, and particularly preferably 15 μm to 30 μm. It is 20 μm.

기재를 준비한 후에, 기재 위에 수지 조성물 층을 형성한다. 기재의 표면에 도체층이 형성되어 있는 경우, 수지 조성물 층의 형성은, 도체층이 수지 조성물 층에 매립되도록 행하는 것이 바람직하다.After preparing the substrate, a resin composition layer is formed on the substrate. When a conductor layer is formed on the surface of the substrate, it is preferable to form the resin composition layer so that the conductor layer is embedded in the resin composition layer.

수지 조성물 층의 형성은, 예를 들어, 수지 시트와 기재를 적층함으로써 행하여진다. 이러한 적층은, 예를 들어, 지지체측으로부터 수지 시트를 기재에 가열 압착함으로써, 기재에 수지 조성물 층을 첩합함으로써 행할 수 있다. 수지 시트를 기재에 가열 압착하는 부재(이하, 「가열 압착 부재」라고 말하는 경우가 있음)로서는, 예를 들어, 가열된 금속판(SUS 경판 등) 또는 금속 롤(SUS 롤 등) 등을 들 수 있다. 한편, 가열 압착 부재를 수지 시트에 직접 프레스하는 것이 아니고, 기재의 표면 요철에 수지 시트가 충분히 추종하도록, 내열 고무 등의 탄성재를 개재하여 프레스하는 것이 바람직하다.Formation of the resin composition layer is performed, for example, by laminating a resin sheet and a base material. Such lamination can be performed by, for example, bonding the resin composition layer to the substrate by heat-pressing the resin sheet to the substrate from the support side. As a member for heat-pressing a resin sheet to a substrate (hereinafter sometimes referred to as a "heat-compression member"), a heated metal plate (such as a SUS head plate) or a metal roll (such as a SUS roll) is exemplified. . On the other hand, it is preferable not to directly press the hot-compression member to the resin sheet, but to press through an elastic material such as heat-resistant rubber so that the resin sheet sufficiently follows the irregularities on the surface of the base material.

기재와 수지 시트의 적층은, 예를 들어, 진공 라미네이트법에 의해 실시해도 좋다. 적층 조건은, 예를 들어, 하기와 같을 수 있다. 가열 압착 온도는, 바람직하게는 60℃ 내지 160℃, 보다 바람직하게는 80℃ 내지 140℃의 범위이다. 가열 압착 압력은, 바람직하게는 0.098MPa 내지 1.77MPa, 보다 바람직하게는 0.29MPa 내지 1.47MPa의 범위이다. 가열 압착 시간은, 바람직하게는 20초간 내지 400초간, 보다 바람직하게는 30초간 내지 300초간의 범위이다. 적층은, 바람직하게는 압력 13hPa 이하의 압력을 감압 조건 하에서 실시한다.Lamination of the base material and the resin sheet may be performed by, for example, a vacuum lamination method. Lamination conditions may be as follows, for example. The heat compression temperature is preferably in the range of 60°C to 160°C, and more preferably in the range of 80°C to 140°C. The heat compression pressure is preferably in the range of 0.098 MPa to 1.77 MPa, and more preferably in the range of 0.29 MPa to 1.47 MPa. The heat pressing time is preferably in the range of 20 seconds to 400 seconds, and more preferably in the range of 30 seconds to 300 seconds. Lamination is preferably performed under reduced pressure conditions at a pressure of 13 hPa or less.

적층 후에, 상압 하(대기압 하), 예를 들어, 가열 압착 부재를 지지체측으로부터 프레스함으로써, 적층된 수지 시트의 평활화 처리를 행하여도 좋다. 평활화 처리의 프레스 조건은, 상기 적층의 가열 압착 조건과 동일한 조건으로 할 수 있다. 또한, 적층과 평활화 처리는, 진공 라미네이터를 사용하여 연속적으로 행하여도 좋다.After lamination, the laminated resin sheets may be smoothed under normal pressure (under atmospheric pressure), for example, by pressing the hot-compression bonding member from the support body side. The press conditions for the smoothing treatment can be the same conditions as the thermal compression conditions for the above laminate. In addition, you may perform lamination|stacking and a smoothing process continuously using a vacuum laminator.

기재 위에 수지 조성물 층을 형성한 후, 수지 조성물 층을 열경화하여, 경화물 층을 형성한다. 수지 조성물 층의 열경화 조건은, 수지 조성물의 종류에 따라서도 다를 수 있지만, 경화 온도는 통상 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 150℃ 내지 220℃의 범위, 보다 바람직하게는 170℃ 내지 200℃의 범위), 경화 시간은 5분간 내지 120분간의 범위(바람직하게는 10분간 내지 100분간의 범위, 보다 바람직하게는 15분간 내지 90분간의 범위)이다.After forming the resin composition layer on the substrate, the resin composition layer is thermally cured to form a cured product layer. Although the thermal curing conditions of the resin composition layer may vary depending on the type of resin composition, the curing temperature is usually in the range of 120°C to 240°C (preferably in the range of 150°C to 220°C, more preferably 170°C to 240°C). 200°C), and the curing time is in the range of 5 minutes to 120 minutes (preferably in the range of 10 minutes to 100 minutes, more preferably in the range of 15 minutes to 90 minutes).

수지 조성물 층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물 층에 대하여, 경화 온도보다도 낮은 온도에서 가열하는 예비 가열 처리를 실시해도 좋다. 예를 들어, 수지 조성물 층을 열경화시키기에 앞서, 통상 50℃ 이상 120℃ 미만(바람직하게는 60℃ 이상 110℃ 이하, 보다 바람직하게는 70℃ 이상 100℃ 이하)의 온도에서, 수지 조성물 층을, 통상 5분간 이상(바람직하게는 5분간 내지 150분간, 보다 바람직하게는 15분간 내지 120분간) 예비 가열해도 좋다.Before thermally curing the resin composition layer, the resin composition layer may be subjected to a preliminary heat treatment by heating at a temperature lower than the curing temperature. For example, prior to thermally curing the resin composition layer, the resin composition layer is usually at a temperature of 50°C or more and less than 120°C (preferably 60°C or more and 110°C or less, more preferably 70°C or more and 100°C or less). You may preheat normally for 5 minutes or more (preferably from 5 minutes to 150 minutes, more preferably from 15 minutes to 120 minutes).

이상과 같이 해서, 수지 조성물의 경화물로 형성된 경화물 층을 갖는 회로 기판을 제조할 수 있다. 또한, 회로 기판의 제조방법은, 임의의 공정을 추가로 포함하고 있어도 좋다. As described above, a circuit board having a cured product layer formed of a cured product of the resin composition can be manufactured. Moreover, the manufacturing method of a circuit board may further include arbitrary steps.

예를 들어, 수지 시트를 사용하여 회로 기판을 제조한 경우, 회로 기판의 제조방법은, 수지 시트의 지지체를 박리하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 지지체는, 수지 조성물 층의 열경화 전에 박리해도 좋고, 수지 조성물 층의 열경화 후에 박리해도 좋다.For example, when manufacturing a circuit board using a resin sheet, the manufacturing method of a circuit board may include the process of peeling the support body of a resin sheet. The support may be peeled off before thermal curing of the resin composition layer or after thermal curing of the resin composition layer.

회로 기판의 제조방법은, 예를 들어, 경화물 층을 형성한 후에, 상기 경화물 층의 표면을 연마하는 공정을 포함하고 있어도 좋다. 연마 방법은 특별히 한정되지 않는다. 연마 방법의 예로서는, 화학 기계 연마 장치에 의한 화학 기계 연마 방법, 버프 등의 기계 연마 방법, 지석 회전에 의한 평면 연삭 방법 등을 들 수 있다.The manufacturing method of the circuit board may include, for example, a step of polishing the surface of the cured product layer after forming the cured product layer. The polishing method is not particularly limited. Examples of the polishing method include a chemical mechanical polishing method using a chemical mechanical polishing device, a mechanical polishing method such as buffing, a surface grinding method by rotating a grindstone, and the like.

회로 기판의 제조방법은, 예를 들어, 도체층을 층간 접속하는 공정 (3)을 포함하고 있어도 좋다. 층간 접속의 방법으로서는, 예를 들어, 경화물 층에 천공을 하는 방법을 들 수 있다. 천공에 의해, 경화물 층에 비아홀, 스루홀 등의 홀을 형성할 수 있다. 비아홀의 형성 방법으로서는, 예를 들어, 레이저 조사, 에칭, 미케니컬 드릴링 등을 들 수 있다. 비아홀의 치수 및 형상은 회로 기판의 디자인에 따라서 적절히 결정해도 좋다. 한편, 공정 (3)은, 경화물 층의 연마 또는 연삭에 의해 층간 접속을 행하여도 좋다.The method for manufacturing a circuit board may include, for example, step (3) of interlayer connection of conductor layers. As a method of interlayer connection, a method of perforating the cured product layer is exemplified. By punching, holes such as via holes and through holes can be formed in the cured product layer. Examples of the via hole formation method include laser irradiation, etching, mechanical drilling, and the like. The size and shape of the via hole may be appropriately determined according to the design of the circuit board. On the other hand, in step (3), interlayer connection may be performed by polishing or grinding the cured product layer.

비아홀의 형성 후, 비아홀 내의 스미어를 제거하는 공정을 행하는 것이 바람직하다. 상기 공정은 디스미어 공정이라고 불리는 경우가 있다. 예를 들어, 경화물 층 위로의 도체층의 형성을 도금 공정에 의해 행하는 경우에는, 비아홀에 대하여, 습식 디스미어 처리를 행하여도 좋다. 또한, 경화물 층 위로의 도체층의 형성을 스퍼터 공정에 의해 행하는 경우에는, 플라즈마 처리 공정 등의 드라이 디스미어 공정을 행하여도 좋다. 또한, 디스미어 공정에 의해, 경화물 층에 조화 처리가 실시되어도 좋다.After forming the via hole, it is preferable to perform a step of removing smear in the via hole. The said process is sometimes called a desmear process. For example, when the formation of the conductor layer over the cured product layer is performed by a plating process, a wet desmear treatment may be performed on the via hole. In addition, when forming the conductor layer on the cured product layer by a sputtering process, you may perform a dry desmear process such as a plasma treatment process. Moreover, a roughening process may be given to the hardened|cured material layer by the desmear process.

또한, 경화물 층 위에 도체층을 형성하기 전에, 경화물 층에 대하여 조화 처리를 행하여도 좋다. 이러한 조화 처리에 의하면, 통상, 비아홀 내를 포함한 경화물 층의 표면이 조화된다. 조화 처리로서는, 건식 및 습식 중 어느 쪽의 조화 처리를 행하여도 좋다. 건식 조화 처리의 예로서는, 플라즈마 처리 등을 들 수 있다. 또한, 습식 조화 처리의 예로서는, 팽윤액에 의한 팽윤 처리, 산화제에 의한 조화 처리 및 중화액에 의한 중화 처리를 이러한 순서로 행하는 방법을 들 수 있다.In addition, you may perform a roughening process with respect to the hardened|cured material layer before forming a conductor layer on a hardened|cured material layer. According to this roughening treatment, the surface of the cured material layer including the inside of the via hole is usually roughened. As a roughening process, you may perform any roughening process of a dry process and a wet process. Plasma treatment etc. are mentioned as an example of a dry roughening process. Moreover, as an example of a wet conditioning process, the method of performing the swelling process by a swelling liquid, the roughening process by an oxidizing agent, and the neutralization process by a neutralization liquid in this order is mentioned.

비아홀을 형성 후, 경화물 층 위에 도체층을 형성해도 좋다. 비아홀이 형성된 위치에 도체층을 형성함으로써, 새롭게 형성된 도체층과 기재 표면의 도체층이 도통하여 층간 접속이 행하여진다. 도체층의 형성 방법은, 예를 들어, 도금법, 스퍼터법, 증착법 등을 들 수 있다. 예를 들어, 세미 어디티브법, 풀 어디티브법 등의 적절한 방법에 의해 경화물 층의 표면에 도금하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성해도 좋다. 또한, 예를 들어, 수지 시트에서의 지지체가 금속박인 경우, 서브트랙티브법에 의해, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성해도 좋다. 형성되는 도체층의 재료는, 단금속이라도 좋고, 합금이라도 좋다. 또한, 이러한 도체층은, 단층 구조를 갖고 있어도 좋고, 다른 종류의 재료의 층을 2층 이상 포함하는 복층 구조를 갖고 있어도 좋다.After forming the via hole, you may form a conductor layer on the cured material layer. By forming a conductor layer at the position where the via hole is formed, the newly formed conductor layer and the conductor layer on the surface of the base material conduct, and interlayer connection is performed. As for the formation method of a conductor layer, a plating method, sputtering method, vapor deposition method etc. are mentioned, for example. For example, a conductor layer having a desired wiring pattern may be formed by plating the surface of the cured product layer by an appropriate method such as a semi-additive method or a full additive method. Further, for example, when the support in the resin sheet is a metal foil, a conductor layer having a desired wiring pattern may be formed by a subtractive method. The material of the conductor layer formed may be a simple metal or an alloy. In addition, such a conductor layer may have a single-layer structure, or may have a multi-layer structure containing two or more layers of different types of materials.

여기서, 경화물 층 위에 도체층을 형성하는 실시형태의 예를 상세히 설명한다. 경화물 층의 표면에, 무전해 도금에 의해 도금 시드층을 형성한다. 그 다음에, 형성된 도금 시드층 위에, 원하는 배선 패턴에 대응하여, 도금 시드층의 일부를 노출시키는 마스크 패턴을 형성한다. 노출한 도금 시드층 위에, 전해 도금에 의해 전해 도금층을 형성한 후, 마스크 패턴을 제거한다. 그 후, 불필요한 도금 시드층을 에칭 등의 처리에 의해 제거하여, 원하는 배선 패턴을 갖는 도체층을 형성할 수 있다.Here, an example of an embodiment in which a conductor layer is formed on the cured product layer will be described in detail. A plating seed layer is formed on the surface of the cured product layer by electroless plating. Then, on the formed plating seed layer, a mask pattern exposing a part of the plating seed layer is formed corresponding to a desired wiring pattern. After forming an electrolytic plating layer by electroplating on the exposed plating seed layer, the mask pattern is removed. Thereafter, the unnecessary plating seed layer can be removed by processing such as etching to form a conductor layer having a desired wiring pattern.

회로 기판의 제조방법은, 기재를 제거하는 공정 (4)를 포함하고 있어도 좋다. 기재를 제거함으로써, 경화물 층과, 상기 경화물 층에 매립된 도체층을 갖는 회로 기판을 얻을 수 있다. 상기 공정 (4)는, 예를 들어, 박리 가능한 금속층을 갖는 기재를 사용한 경우에 행할 수 있다.The manufacturing method of a circuit board may include the process (4) of removing a base material. By removing the substrate, a circuit board having a cured product layer and a conductor layer embedded in the cured product layer can be obtained. The said process (4) can be performed, for example, when using the base material which has a peelable metal layer.

[13. 반도체 칩 패키지][13. semiconductor chip package]

본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지는, 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 이러한 반도체 칩 패키지로서는, 예를 들어, 하기의 것을 들 수 있다.A semiconductor chip package according to an embodiment of the present invention includes a cured product of a resin composition. As such a semiconductor chip package, the following are mentioned, for example.

제1 예에 따른 반도체 칩 패키지는, 상기 회로 기판과, 상기 회로 기판에 탑재된 반도체 칩을 포함한다. 상기 반도체 칩 패키지는, 회로 기판에 반도체 칩을 접합함으로써 제조할 수 있다.A semiconductor chip package according to the first example includes the circuit board and a semiconductor chip mounted on the circuit board. The semiconductor chip package can be manufactured by bonding a semiconductor chip to a circuit board.

회로 기판과 반도체 칩의 접합 조건은, 반도체 칩의 단자 전극과 회로 기판의 회로 배선이 도체 접속할 수 있는 임의의 조건을 채용할 수 있다. 예를 들어, 반도체 칩의 플립칩 실장에서 사용되는 조건을 채용할 수 있다. 또한, 예를 들어, 반도체 칩과 회로 기판과의 사이에, 절연성의 접착제를 개재하여 접합해도 좋다.As the bonding condition between the circuit board and the semiconductor chip, any condition under which terminal electrodes of the semiconductor chip and circuit wiring of the circuit board can be connected by conductor can be adopted. For example, conditions used in flip chip mounting of semiconductor chips can be employed. Further, for example, you may bond between a semiconductor chip and a circuit board through an insulating adhesive agent.

접합 방법의 예로서는, 반도체 칩을 회로 기판에 압착하는 방법을 들 수 있다. 압착 조건으로서는, 압착 온도는 통상 120℃ 내지 240℃의 범위(바람직하게는 130℃ 내지 200℃의 범위, 보다 바람직하게는 140℃ 내지 180℃의 범위), 압착 시간은 통상 1초간 내지 60초간의 범위(바람직하게는 5초간 내지 30초간의 범위)이다.As an example of the bonding method, a method of press-bonding a semiconductor chip to a circuit board is exemplified. As compression conditions, the compression temperature is usually in the range of 120°C to 240°C (preferably in the range of 130°C to 200°C, more preferably in the range of 140°C to 180°C), and the compression time is usually 1 second to 60 seconds. range (preferably in the range of 5 seconds to 30 seconds).

또한, 접합 방법의 다른 예로서는, 반도체 칩을 회로 기판에 리플로우해서 접합하는 방법을 들 수 있다. 리플로우 조건은, 120℃ 내지 300℃의 범위로 해도 좋다.As another example of the bonding method, a method of reflowing and bonding a semiconductor chip to a circuit board is exemplified. Reflow conditions may be in the range of 120°C to 300°C.

반도체 칩을 회로 기판에 접합한 후, 반도체 칩을 몰드 언더필재로 충전해도 좋다. 상기 몰드 언더필재로서, 상기 실시형태에 따른 수지 조성물을 사용하는 것이 바람직하다.After bonding the semiconductor chip to the circuit board, the semiconductor chip may be filled with a mold underfill material. As the mold underfill material, it is preferable to use the resin composition according to the above embodiment.

제2 예에 따른 반도체 칩 패키지는, 반도체 칩과, 상기 반도체 칩을 밀봉하는 수지 조성물의 경화물을 포함한다. 이러한 반도체 칩 패키지에서는, 통상, 수지 조성물의 경화물은 밀봉층으로서 기능한다. 제2 예에 따른 반도체 칩 패키지로서는, 예를 들어, Fan-out형 WLP, Fan-out형 PLP 등을 들 수 있다.A semiconductor chip package according to the second example includes a semiconductor chip and a cured product of a resin composition for sealing the semiconductor chip. In such a semiconductor chip package, the cured product of the resin composition usually functions as a sealing layer. Examples of the semiconductor chip package according to the second example include a fan-out type WLP and a fan-out type PLP.

도 1은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 칩 패키지의 일례로서의 Fan-out형 WLP를 모식적으로 나타내는 단면도이다. Fan-out형 WLP로서의 반도체 칩 패키지(100)는, 예를 들어, 도 1에 나타내는 바와 같이, 반도체 칩(110); 반도체 칩(110)의 주위를 덮도록 형성된 밀봉층(120); 반도체 칩(110)의 밀봉층(120)과는 반대측의 면에 제공된, 절연층으로서의 재배선 형성층(130); 도체층으로서의 재배선층(140); 솔더 레지스트층(150) 및 범프(160)를 구비한다.1 is a cross-sectional view schematically showing a fan-out type WLP as an example of a semiconductor chip package according to an embodiment of the present invention. A semiconductor chip package 100 as a fan-out type WLP includes, for example, a semiconductor chip 110 as shown in FIG. 1; a sealing layer 120 formed to cover the periphery of the semiconductor chip 110; a redistribution formation layer 130 as an insulating layer provided on the surface of the semiconductor chip 110 opposite to the sealing layer 120; a redistribution layer 140 as a conductor layer; A solder resist layer 150 and bumps 160 are provided.

이러한 반도체 칩 패키지의 제조방법은,The manufacturing method of such a semiconductor chip package,

(A) 기재에 가고정 필름을 적층하는 공정,(A) a step of laminating a temporarily fixed film on a substrate;

(B) 반도체 칩을 가고정 필름 위에 가고정하는 공정,(B) a process of temporarily fixing a semiconductor chip on a temporarily fixing film;

(C) 반도체 칩 위에 밀봉층을 형성하는 공정,(C) a step of forming a sealing layer on the semiconductor chip;

(D) 기재 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하는 공정,(D) a step of peeling the substrate and temporarily fixed film from the semiconductor chip;

(E) 반도체 칩의 기재 및 가고정 필름을 박리한 면에 재배선 형성층을 형성하는 공정,(E) a step of forming a redistribution layer on the surface of the semiconductor chip from which the base material and temporarily fixed film are peeled off;

(F) 재배선 형성층 위에, 도체층으로서의 재배선층을 형성하는 공정 및(F) a step of forming a redistribution layer as a conductor layer on the redistribution forming layer; and

(G) 재배선층 위에 솔더 레지스트층을 형성하는 공정을 포함한다.(G) a step of forming a solder resist layer on the redistribution layer.

또한, 상기 반도체 칩 패키지의 제조방법은,In addition, the manufacturing method of the semiconductor chip package,

(H) 복수의 반도체 칩 패키지를, 개개의 반도체 칩 패키지에 다이싱하여 개편화하는 공정을 포함하고 있어도 좋다.(H) You may include a process of dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages to separate them.

(공정 (A))(Process (A))

공정 (A)는, 기재에 가고정 필름을 적층하는 공정이다. 기재와 가고정 필름의 적층 조건은, 회로 기판의 제조방법에서의 기재와 수지 시트의 적층 조건과 동일할 수 있다.Step (A) is a step of laminating a temporarily fixed film on a base material. The lamination conditions of the substrate and the temporarily fixed film may be the same as the lamination conditions of the substrate and the resin sheet in the manufacturing method of the circuit board.

기재로서는, 예를 들어, 실리콘 웨이퍼; 유리 웨이퍼; 유리 기판; 구리, 티탄, 스테인리스, 냉간 압연 강판(SPCC) 등의 금속 기판; FR-4 기판 등의, 유리 섬유에 에폭시 수지 등을 배어들게 하여 열경화 처리한 기판; BT 수지 등의 비스말레이미드 트리아진 수지로 이루어진 기판 등을 들 수 있다.As a base material, it is a silicon wafer, for example; glass wafer; glass substrate; Metal substrates, such as copper, titanium, stainless steel, and a cold-rolled steel plate (SPCC); substrates, such as FR-4 substrates, in which glass fibers are impregnated with an epoxy resin or the like and subjected to a thermal curing treatment; and substrates made of bismaleimide triazine resins such as BT resin.

가고정 필름은, 반도체 칩으로부터 박리할 수 있고, 또한, 반도체 칩을 가고정할 수 있는 임의의 재료를 사용할 수 있다. 시판품으로서는, 닛토 덴코사 제조 「리봐알파」 등을 들 수 있다.Temporarily fixing film can use any material that can be separated from the semiconductor chip and can also temporarily fix the semiconductor chip. As a commercial item, the Nitto Denko Corporation "Reva Alpha" etc. are mentioned.

(공정 (B))(Process (B))

공정 (B)는, 반도체 칩을, 가고정 필름 위에 가고정하는 공정이다. 반도체 칩의 가고정은, 예를 들어, 플립칩 본더, 다이본더 등의 장치를 이용해서 행할 수 있다. 반도체 칩의 배치의 레이아웃 및 배치 수는, 가고정 필름의 형상, 크기, 목적으로 하는 반도체 칩 패키지의 생산수 등에 따라서 적절하게 설정할 수 있다. 예를 들어, 복수행 및 복수열의 매트릭스형상으로 반도체 칩을 정렬시켜서 가고정해도 좋다.A process (B) is a process of temporarily fixing a semiconductor chip on a temporarily fixing film. Temporary fixation of the semiconductor chip can be performed using an apparatus such as a flip chip bonder or a die bonder, for example. The layout and number of batches of semiconductor chips can be appropriately set according to the shape, size, and number of production targets of semiconductor chip packages of the temporarily fixed film. For example, semiconductor chips may be aligned and temporarily fixed in a matrix of multiple rows and multiple columns.

(공정 (C))(Process (C))

공정 (C)는, 반도체 칩 위에 밀봉층을 형성하는 공정이다. 밀봉층은, 상기 실시형태에 따른 수지 조성물의 경화물에 의해 형성할 수 있다. 밀봉층은, 통상, 반도체 칩 위에 수지 조성물 층을 형성하는 공정과, 상기 수지 조성물 층을 열경화시켜서 밀봉층으로서의 경화물 층을 형성하는 공정을 포함하는 방법으로 형성한다. 반도체 칩 위로의 수지 조성물 층의 형성은, 예를 들어, 기재 대신에 반도체 칩을 사용하는 것 이외에는, 상기 회로 기판의 제조방법에서 설명한 기재 위로의 수지 조성물 층의 형성 방법과 동일한 방법으로 행할 수 있다.Step (C) is a step of forming a sealing layer on the semiconductor chip. The sealing layer can be formed of a cured product of the resin composition according to the above embodiment. The sealing layer is usually formed by a method including a step of forming a resin composition layer on a semiconductor chip and a step of thermally curing the resin composition layer to form a cured product layer as the sealing layer. The formation of the resin composition layer on the semiconductor chip can be performed in the same manner as the method for forming the resin composition layer on the substrate described in the above circuit board manufacturing method, except that, for example, a semiconductor chip is used instead of the substrate. .

반도체 칩 위에 수지 조성물 층을 형성한 후에, 이 수지 조성물 층을 열경화시켜서, 반도체 칩을 덮는 밀봉층을 얻는다. 이로써, 수지 조성물의 경화물에 의한 반도체 칩의 밀봉이 행하여진다. 수지 조성물 층의 열경화 조건은, 회로 기판의 제조방법에서의 수지 조성물 층의 열경화 조건과 동일한 조건을 사용해도 좋다. 또한, 수지 조성물 층을 열경화시키기 전에, 수지 조성물 층에 대하여, 경화 온도보다도 낮은 온도에서 가열하는 예비 가열 처리를 실시해도 좋다. 상기 예비 가열 처리의 처리 조건은, 회로 기판의 제조방법에서의 예비 가열 처리와 동일한 조건을 사용해도 좋다.After the resin composition layer is formed on the semiconductor chip, the resin composition layer is thermally cured to obtain a sealing layer covering the semiconductor chip. Thereby, sealing of the semiconductor chip by the hardened|cured material of a resin composition is performed. The conditions for thermal curing of the resin composition layer may be the same conditions as those for thermal curing of the resin composition layer in the manufacturing method of the circuit board. Further, before thermally curing the resin composition layer, the resin composition layer may be subjected to a preliminary heat treatment by heating at a temperature lower than the curing temperature. As the treatment conditions for the preheating treatment, the same conditions as those for the preheating treatment in the circuit board manufacturing method may be used.

(공정 (D))(Process (D))

공정 (D)는, 기재 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하는 공정이다. 박리 방법은, 가고정 필름의 재질에 따른 적절한 방법을 사용하는 것이 바람직하다. 박리 방법으로서는, 예를 들어, 가고정 필름을 가열, 발포 또는 팽창시켜서 박리하는 방법을 들 수 있다. 또한, 박리 방법으로서는, 예를 들어, 기재를 통해서 가고정 필름에 자외선을 조사하여, 가고정 필름의 점착력을 저하시켜서 박리하는 방법을 들 수 있다.Step (D) is a step of peeling the substrate and temporarily fixed film from the semiconductor chip. Peeling method, it is preferable to use an appropriate method according to the material of the temporarily fixed film. As a peeling method, the method of peeling by heating, foaming, or expanding a temporarily fixed film is mentioned, for example. Further, as a peeling method, for example, a method of irradiating ultraviolet rays to a temporarily fixed film through a base material to reduce the adhesive strength of the temporarily fixed film and peeling is mentioned.

가고정 필름을 가열, 발포 또는 팽창시켜서 박리하는 방법에 있어서, 가열 조건은, 통상, 100℃ 내지 250℃에서 1초간 내지 90초간 또는 5분간 내지 15분간이다. 또한, 자외선을 조사해서 가고정 필름의 점착력을 저하시켜서 박리하는 방법에 있어서, 자외선의 조사량은, 통상, 10mJ/㎠ 내지 1,000mJ/㎠이다.In the method of peeling the temporarily fixed film by heating, foaming or expanding, the heating conditions are usually 100 ° C to 250 ° C for 1 second to 90 seconds or 5 minutes to 15 minutes. In addition, in the method of peeling by irradiating ultraviolet rays to reduce the adhesive strength of the temporarily fixed film, the irradiation amount of ultraviolet rays is usually, 10mJ / cm 2 to 1,000mJ / cm 2 .

상기와 같이 기재 및 가고정 필름을 반도체 칩으로부터 박리하면, 밀봉층의 면이 노출된다. 반도체 칩 패키지의 제조방법은, 상기 노출된 밀봉층의 면을 연마하는 것을 포함하고 있어도 좋다. 연마에 의해, 밀봉층의 표면의 평활성을 향상시킬 수 있다. 연마 방법으로서는, 회로 기판의 제조방법에서 설명한 것과 같은 방법을 이용할 수 있다.When peeling the substrate and temporarily fixed film from the semiconductor chip as described above, the surface of the sealing layer is exposed. The manufacturing method of a semiconductor chip package may include polishing the surface of the said exposed sealing layer. Polishing can improve the smoothness of the surface of the sealing layer. As the polishing method, the same method as described in the circuit board manufacturing method can be used.

(공정 (E))(Process (E))

공정 (E)는, 반도체 칩의 기재 및 가고정 필름을 박리한 면에, 절연층으로서의 재배선 형성층을 형성하는 공정이다. 통상, 이러한 재배선 형성층은, 반도체 칩 및 밀봉층 위에 형성된다. 재배선 형성층은, 예를 들어, 감광성 수지 조성물 또는 열경화성 수지 조성물에 의해 형성할 수 있다. 또한, 재배선 형성층을 형성한 후, 반도체 칩과 재배선층을 층간 접속하기 위해서, 통상, 재배선 형성층에 비아홀을 형성한다.Step (E) is a step of forming a rewiring formation layer as an insulating layer on the surface of the semiconductor chip from which the base material and temporarily fixed film are peeled off. Usually, such a rewiring forming layer is formed on the semiconductor chip and the sealing layer. The rewiring forming layer can be formed of, for example, a photosensitive resin composition or a thermosetting resin composition. In addition, after forming the redistribution layer, via holes are usually formed in the redistribution layer in order to interlayer connect the semiconductor chip and the redistribution layer.

(공정 (F))(Process (F))

공정 (F)는, 재배선 형성층 위에, 도체층으로서의 재배선층을 형성하는 공정이다. 재배선 형성층 위에 재배선층을 형성하는 방법은, 회로 기판의 제조방법에서의 경화물 층 위로의 도체층의 형성 방법과 동일할 수 있다. 또한, 공정 (E) 및 공정 (F)를 반복해서 행하고, 재배선층 및 재배선 형성층을 교호하여 쌓아올려도(빌드업) 좋다Step (F) is a step of forming a redistribution layer as a conductor layer on the rewiring formation layer. A method of forming the redistribution layer on the redistribution forming layer may be the same as the method of forming the conductor layer over the cured product layer in the circuit board manufacturing method. Alternatively, steps (E) and (F) may be repeatedly performed to alternately stack the rewiring layer and the rewiring formation layer (build-up).

(공정 (G))(Process (G))

공정 (G)는, 재배선층 위에 솔더 레지스트층을 형성하는 공정이다. 솔더 레지스트층의 재료는, 절연성을 갖는 임의의 재료를 사용할 수 있다. 그 중에서도, 반도체 칩 패키지의 제조의 용이성의 관점에서, 감광성 수지 조성물 및 열경화성 수지 조성물이 바람직하다.Step (G) is a step of forming a solder resist layer on the redistribution layer. Any material having insulating properties can be used as the material of the solder resist layer. Especially, from a viewpoint of the ease of manufacture of a semiconductor chip package, a photosensitive resin composition and a thermosetting resin composition are preferable.

또한, 공정 (G)에서는, 필요에 따라서, 범프를 형성하는 범핑 가공을 행하여도 좋다. 범핑 가공은, 땜납 볼, 땜납 도금 등의 방법으로 행할 수 있다. 또한, 범핑 가공에서의 비아홀의 형성은, 공정 (E)와 동일하게 행할 수 있다.In step (G), a bumping process for forming bumps may be performed as needed. The bumping process can be performed by a method such as solder ball or solder plating. Formation of via holes in the bumping process can be performed in the same manner as in Step (E).

(공정 (H))(Process (H))

반도체 칩 패키지의 제조방법은, 공정 (A) 내지 (G) 이외에, 공정 (H)를 포함하고 있어도 좋다. 공정 (H)는, 복수의 반도체 칩 패키지를 개개의 반도체 칩 패키지로 다이싱하여 개편화하는 공정이다. 반도체 칩 패키지를 개개의 반도체 칩 패키지로 다이싱하는 방법은 특별히 한정되지 않는다.The method for manufacturing a semiconductor chip package may include a step (H) in addition to steps (A) to (G). Step (H) is a step of dicing a plurality of semiconductor chip packages into individual semiconductor chip packages to separate them. A method of dicing a semiconductor chip package into individual semiconductor chip packages is not particularly limited.

제3 예에 따른 반도체 칩 패키지로서는, 도 1에 일례를 나타내는 반도체 칩 패키지(100)에 있어서, 재배선 형성층(130) 또는 솔더 레지스트층(150)을, 상기 실시형태에 따른 수지 조성물의 경화물로 형성한 반도체 칩 패키지를 들 수 있다.As a semiconductor chip package according to the third example, in the semiconductor chip package 100 shown as an example in FIG. Semiconductor chip packages formed by

[14. 반도체 장치][14. semiconductor device]

본 발명의 일 실시형태에 따른 반도체 장치는, 상기 회로 기판 또는 반도체 칩 패키지를 구비한다. 반도체 장치로서는, 예를 들어, 전기 제품(예를 들어, 컴퓨터, 휴대전화, 스마트폰, 태블릿형 디바이스, 웨어러블 디바이스, 디지털 카메라, 의료 기기 및 텔레비전 등) 및 탈것(예를 들어, 자동 이륜차, 자동차, 전차, 선박 및 항공기 등) 등에 제공되는 각종 반도체 장치를 들 수 있다.A semiconductor device according to an embodiment of the present invention includes the circuit board or semiconductor chip package. As the semiconductor device, for example, electric appliances (eg, computers, mobile phones, smart phones, tablet-type devices, wearable devices, digital cameras, medical equipment, televisions, etc.) and vehicles (eg, motorcycles, automobiles) , trains, ships, aircraft, etc.) and the like.

[실시예][Example]

이하, 실시예를 나타내어 본 발명에 대하여 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은, 이하에 나타내는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 이하의 설명에 있어서, 양을 나타내는 「부」 및 「%」는, 별도 명시가 없는 한, 각각 「질량부」 및 「질량%」를 의미한다. 또한, 특별히 지정이 없는 경우의 온도 조건 및 압력 조건은, 실온(25℃) 및 대기압(1atm)이었다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by showing examples. However, this invention is not limited to the Example shown below. In the following description, "parts" and "%" representing quantities mean "parts by mass" and "% by mass", respectively, unless otherwise specified. In addition, temperature conditions and pressure conditions in the case where there is no designation in particular were room temperature (25 degreeC) and atmospheric pressure (1 atm).

[무기 충전재의 설명][Description of Inorganic Fillers]

이하의 실시예 및 비교예에서 사용한 무기 충전재는, 하기와 같다.The inorganic filler used in the following Examples and Comparative Examples is as follows.

무기 충전재 1: 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 실리카 입자(평균 입자 직경 1㎛, 비표면적 4.5㎡/g).Inorganic filler 1: Spherical silica particles (average particle diameter: 1 μm, specific surface area: 4.5 m 2 /g) surface-treated with an aminosilane-based coupling agent ("KBM573" manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

무기 충전재 2: 아미노실란계 커플링제(신에츠 카가쿠코교사 제조 「KBM573」)로 표면 처리된 구형 알루미나 입자(평균 입자 직경 1.5㎛, 비표면적 1.6㎡/g).Inorganic filler 2: Spherical alumina particles (average particle diameter: 1.5 μm, specific surface area: 1.6 m 2 /g) surface-treated with an aminosilane-based coupling agent (“KBM573” manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.).

[제조예 1. 엘라스토머 1의 제조][Production Example 1. Preparation of Elastomer 1]

반응 용기에서, 2관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔(수 평균 분자량 = 5,047(GPC법), 하이드록실기 당량 = 1,800g/eq., 고형분 100질량%, 닛폰 소다사 제조 「G-3000」) 69g과, 방향족 탄화수소계 혼합 용매(이데미츠 세키유 카가쿠사 제조 「이프졸 150」) 40g과, 디부틸주석 라우레이트 0.005g을 혼합하고, 균일하게 용해시켰다. 균일해졌을 때 50℃로 승온하고, 더 교반하면서, 이소포론디이소시아네이트(에보닉 데구사 재팬사 제조, IPDI, 이소시아네이트기 당량 = 113g/eq) 8g을 첨가하고, 약 3시간 반응을 행하였다. 그 다음에, 상기 반응물을 실온까지 냉각하고나서, 여기에 크레졸 노볼락 수지(DIC사 제조 「KA-1160」, 수산기 당량 = 117g/eq.) 23g과, 에틸디글리콜아세테이트(다이셀사 제조) 60g을 첨가하고, 교반하면서 80℃까지 승온하고, 약 4시간 반응을 행하였다. FT-IR로부터 2,250cm-1의 NCO 피크의 소실을 확인하였다. NCO 피크 소실의 확인으로써 반응의 종점이라 간주하고, 반응 물을 실온까지 강온하고나서 100메쉬의 여과포로 여과하여, 폴리부타디엔 구조 및 페놀성 수산기를 갖는 엘라스토머 1(불휘발분 50질량%)을 얻었다. 수 평균 분자량은 5,500이었다.In the reaction vessel, bifunctional hydroxyl group terminal polybutadiene (number average molecular weight = 5,047 (GPC method), hydroxyl group equivalent = 1,800 g / eq., solid content 100 mass%, Nippon Soda Co., Ltd. "G-3000") 69 g, 40 g of an aromatic hydrocarbon-based mixed solvent (“Ipsol 150” manufactured by Idemitsu Sekiyu Chemical Co., Ltd.) and 0.005 g of dibutyltin laurate were mixed and uniformly dissolved. When it became uniform, the temperature was raised to 50°C, and 8 g of isophorone diisocyanate (made by Evonik Degussa Japan, IPDI, isocyanate group equivalent = 113 g/eq) was added while further stirring, and the reaction was performed for about 3 hours. Then, after cooling the reaction product to room temperature, 23 g of cresol novolak resin ("KA-1160" manufactured by DIC, hydroxyl equivalent = 117 g/eq.) and 60 g of ethyldiglycol acetate (produced by Daicel) are added thereto. was added, the temperature was raised to 80°C while stirring, and the reaction was performed for about 4 hours. Disappearance of the NCO peak at 2,250 cm −1 was confirmed from FT-IR. The disappearance of the NCO peak was regarded as the end point of the reaction, and the reaction product was cooled to room temperature and then filtered through a 100-mesh filter cloth to obtain Elastomer 1 having a polybutadiene structure and phenolic hydroxyl groups (50% by mass of non-volatile content). The number average molecular weight was 5,500.

[제조예 2. 엘라스토머 2의 제조][Production Example 2. Production of Elastomer 2]

반응 용기에서, 2관능성 하이드록실기 말단 폴리부타디엔(수 평균 분자량 = 5,047(GPC법), 하이드록실기 당량 = 1,800g/eq., 고형분 100질량%: 닛폰 소다사 제조 「G-3000」) 50g과, 방향족 탄화수소계 혼합 용매(이데미츠 세키유카가쿠사 제조 「이프졸 150」) 23.5g과, 디부틸주석 라우레이트 0.005g을 혼합하고, 균일하게 용해시켰다. 균일해졌을 때 50℃로 승온하고, 더 교반하면서, 톨루엔-2,4-디이소시아네이트(이소시아네이트기 당량 = 87.08g/eq.) 4.8g을 첨가하고, 약 3시간 반응을 행하였다. 그 다음에, 상기 반응물을 실온까지 냉각하고나서, 여기에 벤조페논테트라카복실산 2무수물(산 무수물 당량 = 161.1g/eq.) 8.96g과, 트리에틸렌디아민 0.07g과, 에틸디글리콜아세테이트(다이셀사 제조) 40.4g을 첨가하고, 교반하면서 130℃까지 승온하고, 약 4시간 반응을 행하였다. FT-IR로부터 2,250cm-1의 NCO 피크의 소실을 확인하였다. NCO 피크 소실의 확인으로써 반응의 종점이라 간주하고, 반응 물을 실온까지 강온하고나서 100메쉬의 여과포로 여과하여, 이미드 구조, 우레탄 구조 및 폴리부타디엔 구조를 갖는 엘라스토머 2(불휘발분 50질량%)를 얻었다. 수 평균 분자량은 13,700이었다.In the reaction vessel, bifunctional hydroxyl group terminal polybutadiene (number average molecular weight = 5,047 (GPC method), hydroxyl group equivalent = 1,800 g / eq., 100 mass% of solid content: Nippon Soda Co., Ltd. "G-3000") 50 g, 23.5 g of an aromatic hydrocarbon-based mixed solvent (“Ipsol 150” by Idemitsu Sekiyu Chemical Co., Ltd.) and 0.005 g of dibutyltin laurate were mixed and uniformly dissolved. When it became uniform, the temperature was raised to 50°C, and 4.8 g of toluene-2,4-diisocyanate (isocyanate group equivalent = 87.08 g/eq.) was added while further stirring, and the mixture was reacted for about 3 hours. Then, after cooling the reactant to room temperature, 8.96 g of benzophenonetetracarboxylic dianhydride (acid anhydride equivalent = 161.1 g/eq.), 0.07 g of triethylenediamine, and ethyldiglycol acetate (Dicell Co., Ltd.) Production) 40.4g was added, and the temperature was raised to 130°C while stirring, and the reaction was performed for about 4 hours. Disappearance of the NCO peak at 2,250 cm −1 was confirmed from FT-IR. After confirming the disappearance of the NCO peak, it was regarded as the end point of the reaction, and the reaction product was cooled to room temperature and then filtered with a 100 mesh filter cloth to obtain an elastomer 2 having an imide structure, a urethane structure, and a polybutadiene structure (50% by mass of non-volatile matter) got The number average molecular weight was 13,700.

[제조예 3. 엘라스토머 3의 제조][Production Example 3. Preparation of Elastomer 3]

반응 용기에서, 폴리카보네이트디올(수 평균 분자량: 약 1,000, 수산기 당량: 500g/eq., 불휘발분: 100%, 쿠라레사 제조 「C-1015N」) 80g 및 디부틸주석 디라우레이트 0.01g을, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(다이셀사 제조 「에틸디글리콜아세테이트」) 37.6g 중에 균일하게 용해시켰다. 그 다음에, 상기 혼합물을 50℃로 승온하고, 더 교반하면서, 톨루엔-2,4-디이소시아네이트(이소시아네이트기 당량: 87.08) 27.8g을 첨가하고, 약 3시간 반응을 행하였다. 상기 반응물을 실온까지 냉각하고나서, 여기에 벤조페논테트라카복실산 2무수물(산 무수물 당량: 161.1g/eq.) 14.3g, 트리에틸렌디아민 0.12g 및 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트(다이셀사 제조 「에틸디글리콜아세테이트」) 84.0g을 첨가하고, 교반하면서 130℃까지 승온하고, 약 4시간 반응을 행하였다. FT-IR로부터 2,250cm-1의 NCO 피크의 소실을 확인하였다. NCO 피크 소실의 확인으로써 반응의 종점으로 간주하고, 반응물을 실온까지 강온하고나서 100메쉬의 여과포로 여과하여, 이미드 구조, 우레탄 구조 및 폴리카보네이트 구조를 갖는 엘라스토머 3(불휘발분 50질량%)을 얻었다. 수 평균 분자량은 8,500이었다.In a reaction vessel, 80 g of polycarbonate diol (number average molecular weight: about 1,000, hydroxyl equivalent: 500 g/eq., non-volatile content: 100%, "C-1015N" manufactured by Kuraray) and 0.01 g of dibutyltin dilaurate were mixed, It was uniformly dissolved in 37.6 g of diethylene glycol monoethyl ether acetate (“Ethyl Diglycol Acetate” by Daicel Co., Ltd.). Then, the temperature of the mixture was raised to 50°C, and 27.8 g of toluene-2,4-diisocyanate (isocyanate group equivalent: 87.08) was added while further stirring, followed by reaction for about 3 hours. After cooling the reaction product to room temperature, 14.3 g of benzophenonetetracarboxylic dianhydride (acid anhydride equivalent: 161.1 g/eq.), 0.12 g of triethylenediamine and diethylene glycol monoethyl ether acetate (manufactured by Daicel Co., Ltd. "Ethyl 84.0 g of "diglycol acetate") was added, the temperature was raised to 130°C while stirring, and the reaction was conducted for about 4 hours. Disappearance of the NCO peak at 2,250 cm −1 was confirmed from FT-IR. The disappearance of the NCO peak was regarded as the end point of the reaction, and the reaction product was cooled to room temperature and then filtered with a 100 mesh filter cloth to obtain Elastomer 3 (50% by mass of non-volatile matter) having an imide structure, a urethane structure and a polycarbonate structure. Got it. The number average molecular weight was 8,500.

[실시예 1][Example 1]

액상의 킬레이트형 에폭시 수지(ADEKA사 제조 「EP-49-10P」, 에폭시 당량 240g/eq., 킬레이트 변성량(인산 변성량) 1.0질량%) 2부, 액상 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ZX1059」, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 1:1 혼합품(질량비), 에폭시 당량: 169g/eq.) 4부 및 비크실레놀형 에폭시 수지(미츠비시 케미컬사 제조 「YX4000H」, 에폭시 당량 185g/eq.) 3부를 MEK 10부에 교반하면서 가열 용해시켰다. 실온까지 냉각한 후, 엘라스토머 1(불휘발분 50질량%)을 16부, 트리아진 골격 및 노볼락 구조를 갖는 페놀계 경화제(DIC사 제조 「LA-3018-50P」, 활성기 당량 약 151g/eq., 고형분 50%의 2-메톡시프로판올 용액) 10부, 이미다졸계 경화 촉진제(시코쿠 카세이코교사 제조 「1B2PZ」, 1-벤 질-2-페닐이미다졸, 고형분 5질량%의 MEK 용액) 1부, 무기 충전재 1을 75부 및 MEK 10부를 혼합하고, 고속 회전 믹서로 균일하게 분산한 후에, 카트리지 필터(ROKITECHNO사 제조 「SHP020」)로 여과하여, 수지 바니쉬를 제조하였다. Liquid chelate type epoxy resin (“EP-49-10P” manufactured by ADEKA, epoxy equivalent 240 g/eq., chelate modified amount (phosphoric acid modified amount) 1.0% by mass) 2 parts, liquid epoxy resin (Nittetsu Sumikin Chemical Co., Ltd. Production "ZX1059", 1:1 mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g/eq.) 4 parts and bixylenol type epoxy resin ("YX4000H" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation) , Epoxy equivalent 185 g/eq.) 3 parts were heated and dissolved in 10 parts of MEK while stirring. After cooling to room temperature, 16 parts of elastomer 1 (50% by mass of non-volatile matter), a phenolic curing agent having a triazine skeleton and a novolac structure (“LA-3018-50P” manufactured by DIC Corporation, active group equivalent of about 151 g/eq. , 2-methoxypropanol solution with a solid content of 50%) 10 parts, imidazole-based curing accelerator ("1B2PZ" manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., 1-benzyl-2-phenylimidazole, MEK solution with a solid content of 5% by mass) 1 part and inorganic filler 1 were mixed with 75 parts and 10 parts of MEK, dispersed uniformly with a high-speed rotary mixer, and then filtered with a cartridge filter (“SHP020” manufactured by ROKITECHNO) to prepare a resin varnish.

[실시예 2][Example 2]

킬레이트형 에폭시 수지(ADEKA사 제조 「EP-49-10P」, 에폭시 당량 240g/eq.)의 양을 1.5부로 변경하고, 엘라스토머 1(불휘발분 50질량%)의 양을 18부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 바니쉬를 제조하였다.The amount of chelate type epoxy resin (“EP-49-10P” manufactured by ADEKA, epoxy equivalent: 240 g/eq.) was changed to 1.5 parts, and the amount of elastomer 1 (50% by mass of non-volatile content) was changed to 18 parts. A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above.

[실시예 3][Example 3]

킬레이트형 에폭시 수지(ADEKA사 제조 「EP-49-10P」, 에폭시 당량 240g/eq.)의 양을 0.7부로 변경하고, 엘라스토머 1(불휘발분 50질량%)의 양을 19부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 바니쉬를 제조하였다.The amount of chelate type epoxy resin (“EP-49-10P” manufactured by ADEKA, epoxy equivalent: 240 g/eq.) was changed to 0.7 part, and the amount of elastomer 1 (50% by mass of non-volatile content) was changed to 19 parts. A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above.

[실시예 4][Example 4]

킬레이트형 에폭시 수지(ADEKA사 제조 「EP-49-10P」, 에폭시 당량 240g/eq.)의 양을 3부로 변경하고, 엘라스토머 1(불휘발분 50질량%)의 양을 14부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 바니쉬를 제조하였다.The amount of chelate type epoxy resin (“EP-49-10P” manufactured by ADEKA, epoxy equivalent of 240 g/eq.) was changed to 3 parts, and the amount of elastomer 1 (50% by mass of non-volatile content) was changed to 14 parts. A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above.

[실시예 5][Example 5]

킬레이트형 에폭시 수지(ADEKA사 제조 「EP-49-10P」, 에폭시 당량 240g/eq.)의 양을 4부로 변경하고, 엘라스토머 1(불휘발분 50질량%)의 양을 12부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 바니쉬를 제조하였다.The amount of chelate type epoxy resin (“EP-49-10P” manufactured by ADEKA, epoxy equivalent: 240 g/eq.) was changed to 4 parts, and the amount of elastomer 1 (50% by mass of non-volatile content) was changed to 12 parts. A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above.

[실시예 6][Example 6]

킬레이트형 에폭시 수지(ADEKA사 제조 「EP-49-10P」, 에폭시 당량 240g/eq.)을 액상의 킬레이트 변성형 에폭시 수지(ADEKA사 제조 「EP-49-10P2」, 에폭시 당량 300g/eq., 킬레이트 변성량(인산 변성량) 1.5질량%)로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 바니쉬를 제조하였다.A chelate type epoxy resin (“EP-49-10P” manufactured by ADEKA, epoxy equivalent 240 g/eq.) is mixed with a liquid chelate modified epoxy resin (“EP-49-10P2” manufactured by ADEKA, epoxy equivalent 300 g/eq., The amount of chelate modification (amount of phosphoric acid modification) was changed to 1.5% by mass). A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above.

[실시예 7][Example 7]

킬레이트형 에폭시 수지(ADEKA사 제조 「EP-49-10P」, 에폭시 당량 240g/eq.)을 액상의 킬레이트형 에폭시 수지(ADEKA사 제조 「EP-49-23」, 에폭시 당량 175g/eq.)로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 바니쉬를 제조하였다.A chelate type epoxy resin ("EP-49-10P" manufactured by ADEKA, epoxy equivalent 240 g/eq.) was converted into a liquid chelate type epoxy resin ("EP-49-23" manufactured by ADEKA, epoxy equivalent 175 g/eq.) changed. A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above.

[실시예 8][Example 8]

75부의 무기 충전재 1 대신에 75부의 무기 충전재 2를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 바니쉬를 제조하였다.A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1, except that 75 parts of inorganic filler 2 was used instead of 75 parts of inorganic filler 1.

[실시예 9][Example 9]

엘라스토머 1(불휘발분 50질량%) 16부 대신에 엘라스토머 2(불휘발분 50질량%) 16부를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 바니쉬를 제조하였다.A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 16 parts of Elastomer 2 (50% by mass of nonvolatile matter) were used instead of 16 parts of Elastomer 1 (50% by mass of nonvolatile matter).

[실시예 10][Example 10]

엘라스토머 1(불휘발분 50질량%) 16부 대신에 엘라스토머 3(불휘발분 50질량%) 16부를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 바니쉬를 제조하였다.A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 16 parts of Elastomer 3 (50% by mass of nonvolatile matter) was used instead of 16 parts of Elastomer 1 (50% by mass of nonvolatile matter).

[실시예 11][Example 11]

엘라스토머 1(불휘발분 50질량%) 16부 대신에 수산기 함유 아크릴 폴리머(토아 고세사 제조 「ARUFON UH-2000」, 중량 평균 분자량 11,000) 8부를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 바니쉬를 제조하였다.Resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 8 parts of hydroxyl-containing acrylic polymer ("ARUFON UH-2000" manufactured by Toagosei Co., Ltd., weight average molecular weight: 11,000) was used instead of 16 parts of elastomer 1 (50% by mass of non-volatile matter). manufactured.

[실시예 12][Example 12]

트리아진 골격 및 노볼락 구조를 갖는 페놀계 경화제(DIC사 제조 「LA-3018-50P」, 활성기 당량 약 151g/eq., 고형분 50%의 2-메톡시프로판올 용액) 10부 대신에, 페놀 노볼락 수지(DIC사 제조 「TD-2090-60M」, 수산기 당량 약 105g/eq., 고형분 60%의 MEK 용액) 7.5부를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 바니쉬를 제조하였다.In place of 10 parts of a phenolic curing agent ("LA-3018-50P" manufactured by DIC, active group equivalent of about 151 g/eq., 2-methoxypropanol solution with a solid content of 50%) having a triazine skeleton and a novolac structure, phenol furnace A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 7.5 parts of rockfish resin ("TD-2090-60M" manufactured by DIC, hydroxyl equivalent of about 105 g/eq., MEK solution with a solid content of 60%) was used.

[실시예 13][Example 13]

트리아진 골격 및 노볼락 구조를 갖는 페놀계 경화제(DIC사 제조 「LA-3018-50P」, 활성기 당량 약 151g/eq., 고형분 50%의 2-메톡시프로판올 용액) 10부 대신에, 나프탈렌계 페놀 수지(닛테츠 케미컬 & 머티리얼사 제조 「SN485」, 수산기 당량 215g/eq., 고형분 60질량%의 MEK 용액) 10부를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 바니쉬를 제조하였다.A phenolic curing agent having a triazine skeleton and a novolac structure ("LA-3018-50P" manufactured by DIC, active group equivalent of about 151 g/eq., 2-methoxypropanol solution with a solid content of 50%) instead of 10 parts, naphthalene-based A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1, except that 10 parts of phenol resin ("SN485" manufactured by Nittetsu Chemical & Material Co., Ltd., MEK solution having a hydroxyl equivalent of 215 g/eq. and a solid content of 60% by mass) was used.

[실시예 14][Example 14]

트리아진 골격 및 노볼락 구조를 갖는 페놀계 경화제(DIC사 제조 「LA-3018-50P」, 활성기 당량 약 151g/eq., 고형분 50%의 2-메톡시프로판올 용액) 10부 대신에, 활성 에스테르 화합물(DIC사 제조 「HPC-8000-65T」, 활성기 당량 약 223g/eq., 고형분 65질량%의 톨루엔 용액) 10부를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 바니쉬를 제조하였다.A phenolic curing agent having a triazine skeleton and a novolac structure ("LA-3018-50P" manufactured by DIC, active group equivalent of about 151 g/eq., 2-methoxypropanol solution with a solid content of 50%) instead of 10 parts, active ester A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that 10 parts of the compound ("HPC-8000-65T" manufactured by DIC, active group equivalent of about 223 g/eq., toluene solution with a solid content of 65 mass%) was used.

[비교예 1][Comparative Example 1]

킬레이트형 에폭시 수지(ADEKA사 제조 「EP-49-10P」, 에폭시 당량 240g/eq.)을 사용하지 않은 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 바니쉬를 제조하였다.A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except that the chelate type epoxy resin (“EP-49-10P” manufactured by ADEKA, epoxy equivalent: 240 g/eq.) was not used.

[비교예 2][Comparative Example 2]

킬레이트형 에폭시 수지(ADEKA사 제조 「EP-49-10P」, 에폭시 당량 240g/eq.)를 사용하지 않았다. 또한, 액상 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨카가쿠사 제조 「ZX1059」, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 1:1 혼합품(질량비), 에폭시 당량: 169g/eq.)의 양을 6부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 바니쉬를 제조하였다.A chelate type epoxy resin (“EP-49-10P” manufactured by ADEKA, epoxy equivalent: 240 g/eq.) was not used. Further, the amount of the liquid epoxy resin (“ZX1059” manufactured by Nippon Steel Sumikin Chemicals, Inc., 1:1 mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g/eq.) is 6 changed to part. A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above.

[비교예 3][Comparative Example 3]

킬레이트형 에폭시 수지(ADEKA사 제조 「EP-49-10P」, 에폭시 당량 240g/eq.)를 사용하지 않았다. 또한, 무기 충전재 1의 양을 82부로 변경하였다. 또한, 트리아진 골격 및 노볼락 구조를 갖는 페놀계 경화제(DIC사 제조 「LA-3018-50P」, 활성기 당량 약 151g/eq., 고형분 50%의 2-메톡시프로판올 용액)의 양을 18부로 변경하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 바니쉬를 작성하였다.A chelate type epoxy resin (“EP-49-10P” manufactured by ADEKA, epoxy equivalent: 240 g/eq.) was not used. In addition, the amount of inorganic filler 1 was changed to 82 parts. In addition, the amount of a phenolic curing agent ("LA-3018-50P" manufactured by DIC Corporation, active group equivalent of about 151 g / eq., 2-methoxypropanol solution with a solid content of 50%) having a triazine skeleton and a novolac structure is 18 parts changed. A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above matters.

[비교예 4][Comparative Example 4]

킬레이트형 에폭시 수지(ADEKA사 제조 「EP-49-10P」, 에폭시 당량 240g/eq.)을 사용하지 않았다. 또한, 액상 에폭시 수지(신닛테츠 스미킨 카가쿠사 제조 「ZX1059」, 비스페놀 A형 에폭시 수지와 비스페놀 F형 에폭시 수지의 1:1 혼합품(질량비), 에폭시 당량: 169g/eq.)의 양을 6부로 변경하였다. 또한, 수지 바니쉬에, 밀착성 부여제로서 트리아진 관능기 함유 실란 커플링제(시코쿠 카세이사 제조 「VD-5」, 2,4-디아미노-6-트리에톡시실란트리아진) 0.3부를 첨가하였다. 이상의 사항 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 수지 바니쉬를 제조하였다.A chelate type epoxy resin (“EP-49-10P” manufactured by ADEKA, epoxy equivalent 240 g/eq.) was not used. Further, the amount of liquid epoxy resin ("ZX1059" manufactured by Nippon Steel Sumikin Chemical Co., Ltd., 1:1 mixture of bisphenol A type epoxy resin and bisphenol F type epoxy resin (mass ratio), epoxy equivalent: 169 g/eq.) was 6 changed to part. Further, 0.3 part of a triazine functional group-containing silane coupling agent ("VD-5", 2,4-diamino-6-triethoxysilane triazine, manufactured by Shikoku Kasei Co., Ltd.) was added to the resin varnish as an adhesive imparting agent. A resin varnish was prepared in the same manner as in Example 1 except for the above.

[수지 시트의 제조][Preparation of Resin Sheet]

지지체로서, 알키드 수지계 이형제(린텍사 제조 「AL-5」)로 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(토레사 제조 「루미라 R80」, 두께 38㎛, 연화점 130℃)을 준비하였다. 상기 지지체 위에, 실시예 및 비교예에서 제조한 수지 바니쉬를, 건조 후의 수지 조성물 층의 두께가 50㎛가 되도록 다이코터로 도포하고, 85℃ 내지 100℃에서 4분간 건조하여, 수지 시트를 얻었다.As a support, a polyethylene terephthalate film ("Lumira R80" manufactured by Toray Corporation, thickness: 38 µm, softening point: 130°C) subjected to release treatment with an alkyd resin release agent ("AL-5" manufactured by Lintec) was prepared. On the support, the resin varnish prepared in Examples and Comparative Examples was applied with a die coater so that the thickness of the resin composition layer after drying was 50 μm, and dried at 85 ° C. to 100 ° C. for 4 minutes to obtain a resin sheet.

[동박 밀착 강도의 평가][Evaluation of Copper Foil Adhesion Strength]

<동장 적층판의 하지(下地) 처리><Substrate Treatment of Copper Clad Laminate>

표면에 동박을 갖는 유리포 기재 에폭시 수지 양면 동장 적층판(동박의 두께 18㎛, 기판의 두께 0.8mm, 파나소닉사 제조 「R-1766」)을 준비하였다. 마이크로에칭제(맥크사 제조 「CZ8101」)를 사용하고, 구리 에칭량 2㎛가 되도록 에칭하여, 양면의 조화 처리를 행하였다. 이렇게 해서 얻어진 동장 적층판을 「조화 동장 적층판」이라고 말하는 경우가 있다.A glass cloth-based epoxy resin double-sided copper-clad laminate (copper foil thickness of 18 μm, substrate thickness of 0.8 mm, manufactured by Panasonic Corporation “R-1766”) having copper foil on the surface was prepared. Using a microetching agent (“CZ8101” manufactured by Mack Corporation), it was etched so that the amount of copper etching was 2 μm, and both surfaces were roughened. A copper clad laminated board obtained in this way may be referred to as a "roughened copper clad laminated board".

<수지 시트의 적층><Laminating of Resin Sheets>

실시예 및 비교예에서 제조한 수지 시트를, 배취식 진공 가압 라미네이터(닛코 머티리얼즈사 제조 2스테이지 빌드업 라미네이터 「CVP700」)를 사용하고, 수지 조성물 층이 조화 동장 적층판과 접합하도록, 조화 동장 적층판의 한 면에 적층하였다. 적층은, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 하고, 그 후 30초간, 100℃, 압력 0.74MPa로 압착함으로써 행하였다.The resin sheets produced in Examples and Comparative Examples are bonded to the roughened copper-clad laminate using a batch-type vacuum pressure laminator (2-stage build-up laminator "CVP700" manufactured by Nikko Materials), so that the resin composition layer is bonded to the roughened copper-clad laminate. Laminated on one side. The lamination was performed by reducing the pressure for 30 seconds to set the air pressure to 13 hPa or less, and then compressing the layer at 100°C and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds.

<동박의 하지 처리><Treatment of copper foil base>

동박(미츠이 킨조쿠코잔사 제조의 전해 동박 「3EC-III」, 두께 35㎛)을 마이크로에칭제(맥크사 제조 「맥 에치본드 CZ-8100」)에 침지하여, 동박의 광택면에 조화 처리(1㎛ 에칭)를 행하였다.Copper foil (electrolytic copper foil “3EC-III” manufactured by Mitsui Kinzokukozan Co., Ltd., thickness 35 μm) is immersed in a microetching agent (“Mac Etchbond CZ-8100” manufactured by Mack Corporation), and the glossy surface of the copper foil is roughened ( 1 μm etching) was performed.

<동박의 라미네이트와 경화><Copper foil lamination and curing>

조화 동장 적층판에 적층된 수지 시트의 지지체를 박리하고, 수지 조성물 층을 노출시켰다. 상기 수지 조성물 층에, 조화 처리된 광택면이 접합하도록, 수지 조성물 층과 동박을 적층하였다. 적층은, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 하고, 그 후 30초간, 100℃, 압력 0.74MPa로 압착함으로써 행하였다. 그 다음에, 대기압 하, 100℃, 압력 0.5MPa로 60초간 열 프레스하여, 수지 조성물 층을 평활화하였다. 또한, 100℃, 30분, 계속해서 190℃, 90분의 경화 조건으로 수지 조성물을 경화함으로써, 「조화 동장 적층판/수지 조성물의 경화물 층/동박」의 층 구조를 갖는 샘플을 얻었다.The support of the resin sheet laminated on the roughened copper clad laminate was peeled off to expose the resin composition layer. A resin composition layer and copper foil were laminated to the resin composition layer so that the roughened glossy surface was bonded to the resin composition layer. The lamination was performed by reducing the pressure for 30 seconds to set the air pressure to 13 hPa or less, and then compressing the layer at 100°C and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds. Then, it was hot-pressed for 60 seconds under atmospheric pressure at 100°C and a pressure of 0.5 MPa to smooth the resin composition layer. Further, by curing the resin composition under curing conditions of 100°C, 30 minutes, and then 190°C, 90 minutes, a sample having a layer structure of "cured product layer/copper foil of roughened copper-clad laminate/resin composition" was obtained.

<동박의 박리 강도(필 강도)의 측정 및 평가><Measurement and evaluation of peel strength (peel strength) of copper foil>

동박에, 폭 10mm, 길이 100mm의 부분을 둘러싸는 칼집을 넣었다. 이 부분의 일단을 벗겨서 집기구(티에스이사 제조의 오토콤형 시험기 「AC-50C-SL」)로 집고, 실온 중에서, 50mm/분의 속도로 수직 방향으로 20mm을 박리했을 때의 하중(kgf/cm)을 측정하여, 동박 밀착 강도로서의 필 강도를 구하였다.A sheath was placed in the copper foil to enclose a portion having a width of 10 mm and a length of 100 mm. The load (kgf/cm) when peeling off one end of this part and holding it with a clamp (Autocomb type tester "AC-50C-SL" manufactured by TSE) and peeling 20 mm in the vertical direction at a speed of 50 mm/min at room temperature ) was measured, and the peel strength as copper foil adhesion strength was obtained.

[Si 밀착 강도의 평가][Evaluation of Si adhesion strength]

<실리콘 웨이퍼로의 라미네이트와 경화><Laminate to Silicon Wafer and Curing>

실시예 및 비교예에서 제조한 수지 시트를, 배취식 진공 가압 라미네이터(닛코 머티리얼즈사 제조 2스테이지 빌드업 라미네이터 「CVP700」)를 사용하여, 수지 조성물 층과 실리콘 웨이퍼가 접합하도록, 12인치 실리콘 웨이퍼(두께 775㎛)의 한 면에 적층하였다. 적층은, 30초간 감압하여 기압을 13hPa 이하로 한 후, 100℃, 압력 0.74MPa에서 30초간 압착시킴으로써 실시하였다. 적층 후, 수지 시트의 지지체를 박리하였다. 100℃, 30분, 계속해서 190℃, 90분의 경화 조건으로 수지 조성물을 경화하여, 「실리콘 웨이퍼/수지 조성물의 경화물 층」의 층 구성을 갖는 적층체를 얻었다.The resin sheets produced in Examples and Comparative Examples were bonded to a 12-inch silicon wafer ( 775 μm thick) was laminated on one side. The lamination was carried out by reducing the pressure for 30 seconds to reduce the air pressure to 13 hPa or less, and then compressing at 100°C and a pressure of 0.74 MPa for 30 seconds. After lamination, the support of the resin sheet was peeled off. The resin composition was cured under curing conditions of 100° C. for 30 minutes, followed by 190° C. for 90 minutes to obtain a laminate having a layer configuration of “silicone wafer/cured product layer of resin composition”.

<시험편의 제작><Production of test piece>

얻어진 적층체를 1cm각(角)으로 잘라내고, 경화물 층이 위를 향하도록, 에폭시 접착제 부착 세라믹제 백킹 플레이트(11.4cm각, P/N901450) 위에 올렸다. 또한, 경화물 층 위에, 스터드 핀(압정형상 지그; 접착면의 직경 2.7mm; P/N 901106)을 에폭시 접착제로 고정하고, 150℃, 1시간 가열하여, 스터드 핀을 경화물 층에 접착시켰다.The resulting laminate was cut into 1 cm squares and placed on a ceramic backing plate (11.4 cm square, P/N901450) with an epoxy adhesive so that the cured product layer faces upward. Further, on the cured product layer, stud pins (tack-shaped jig; adhesive surface diameter 2.7 mm; P/N 901106) were fixed with an epoxy adhesive, and heated at 150° C. for 1 hour to adhere the stud pins to the cured product layer. .

<Stud pull 시험><Stud pull test>

Stud pull 시험기(ROMULUS, Quad Group Inc.사 제조)를 이용하여, 2kgf/초의 속도로 스터드 핀을, 경화물 층의 주면에 수직인 방향으로 인장하고, 경화물 층이 박리된 시점의 하중값(kgf/㎠)을 Si 밀착 강도로서 측정하였다.Using a Stud pull tester (ROMULUS, manufactured by Quad Group Inc.), a stud pin is pulled at a rate of 2 kgf/sec in a direction perpendicular to the main surface of the cured material layer, and the load value at the time when the cured material layer is peeled off ( kgf/cm 2 ) was measured as Si adhesion strength.

[휨의 평가][Evaluation of warpage]

실시예 및 비교예에서 제조한 수지 시트를, 배취식 진공 가압 라미네이터(닛코·머티리얼즈사 제조 2스테이지 빌드업 라미네이터 「CVP700」)를 사용하여, 수지 조성물 층과 실리콘 웨이퍼가 접합하도록, 12인치 실리콘 웨이퍼(두께 775㎛)의 한 면 전체에 적층하였다. 수지 시트의 지지체를 박리해서 수지 조성물 층을 노출시키고, 상기 수지 조성물 층의 표면에 추가로 수지 시트를 동일하게 적층하여, 지지체를 박리하였다. 상기 적층에 의해, 12인치 실리콘 웨이퍼의 한 면에 2층의 수지 조성물 층(합계 두께 100㎛)을 형성하였다. 한편, 적층은, 상기 [Si 밀착 강도의 평가]와 동일한 조건으로 실시하였다.The resin sheets produced in Examples and Comparative Examples were bonded to a 12-inch silicon wafer using a batch-type vacuum pressure laminator (2-stage build-up laminator "CVP700" manufactured by Nikko Materials) so that the resin composition layer and the silicon wafer were bonded. (thickness 775 μm) was laminated on the entire surface. The support of the resin sheet was peeled off to expose the resin composition layer, and a resin sheet was further laminated on the surface of the resin composition layer in the same manner to peel off the support. By the above lamination, two resin composition layers (total thickness of 100 μm) were formed on one side of a 12-inch silicon wafer. On the other hand, lamination was carried out under the same conditions as in [Evaluation of Si adhesion strength].

오븐에서 100℃, 30분, 계속해서 190℃, 90분간 가열하여, 수지 조성물 층을 경화시켜서, 「실리콘 웨이퍼/수지 조성물의 경화물 층」의 층 구성을 갖는 적층체를 얻었다. 얻어진 적층체의 단부를, 수평한 대에 꽉 눌렀다. 꽉 누른 단부와는 반대측의 웨이퍼 단부와 대 사이의 거리를, 휨량으로서 측정하였다. 그리고, 이하의 기준으로 휨을 평가하였다.The resin composition layer was cured by heating in an oven at 100°C for 30 minutes and then at 190°C for 90 minutes to obtain a laminate having a layer configuration of "silicone wafer/cured resin composition layer". The edge of the obtained laminate was pressed against a horizontal platform. The distance between the end of the wafer on the opposite side to the end pressed and the table was measured as the amount of warpage. And the warpage was evaluated according to the following criteria.

휨의 평가 기준:Criteria for evaluating warpage:

「○」: 휨량이 0mm 이상 1.5mm(1500㎛) 이하."○": The amount of warpage is 0 mm or more and 1.5 mm (1500 µm) or less.

「×」: 휨량이 1.5mm보다 크다."x": The amount of warpage is greater than 1.5 mm.

[탄성율의 측정][Measurement of modulus of elasticity]

실시예 및 비교예에서 제조한 수지 시트를, 190℃에서 90분간의 조건으로 열경화시키고, 지지체를 박리하여, 시트상의 경화물을 얻었다. 일본 공업 규격(JIS K7127)에 준거하고, 텐시론 만능 시험기(에이 앤드 디사 제조)에 의해 경화물의 인장 시험을 행하여, 경화물의 실온에서의 탄성율(인장 탄성율)을 측정하였다.The resin sheets produced in Examples and Comparative Examples were thermally cured at 190°C for 90 minutes, and the support was peeled off to obtain a sheet-like cured product. In accordance with Japanese Industrial Standards (JIS K7127), a tensile test of the cured product was performed using a Tensilon universal testing machine (manufactured by A&D), and the modulus of elasticity (tensile modulus of elasticity) of the cured product at room temperature was measured.

[용융 점도의 측정][Measurement of Melt Viscosity]

실시예 및 비교예에서 제조한 수지 시트로부터 지지체를 박리하여, 수지 조성물 층을 얻었다. 상기 수지 조성물 층을 금형으로 압축함으로써, 측정용 펠렛(직경 18mm, 1.0g 내지 1.1g)을 제작하였다. 그 후, 상기 측정용 펠렛에 대하여, 동적 점탄성 측정 장치(유비엠사 제조 「Rheosol-G3000」)를 사용하여, 최저 용융 점도의 측정을 행하였다. 구체적으로는, 측정용 펠렛 1g에 대하여, 직경 18mm의 패럴렐 플레이트를 사용하여, 개시 온도 60℃로부터 200℃까지의 온도 범위로 승온해서 동적 점탄성율을 측정하고, 이의 최저값을 구하였다. 측정 조건은, 승온 속도 5℃/분, 측정 온도 간격 2.5℃, 진동수 1Hz, 변형률 5deg로 하였다.A resin composition layer was obtained by peeling the support from the resin sheet prepared in Examples and Comparative Examples. Pellets for measurement (diameter 18 mm, 1.0 g to 1.1 g) were produced by compressing the resin composition layer with a mold. After that, the minimum melt viscosity was measured for the pellet for measurement using a dynamic viscoelasticity measuring device (“Rheosol-G3000” manufactured by UBM). Specifically, with respect to 1 g of pellets for measurement, using a parallel plate with a diameter of 18 mm, the temperature was raised in the temperature range from the starting temperature of 60 ° C. to 200 ° C., the dynamic viscoelasticity was measured, and the minimum value thereof was obtained. The measurement conditions were a heating rate of 5°C/min, a measurement temperature interval of 2.5°C, a frequency of 1Hz, and a strain of 5deg.

[결과][result]

상기 실시예 및 비교예의 결과를, 하기 표에 나타낸다. 하기 표에 있어서, 약칭의 의미는 이하와 같다.The results of the above Examples and Comparative Examples are shown in the table below. In the table below, the meaning of the abbreviation is as follows.

(B) 함유율: (B) 무기 충전재의 함유율.(B) Content rate: (B) Content rate of inorganic filler.

활성기 비: (A) 에폭시 수지의 에폭시기 수를 1로 한 경우의, (D) 경화제의 활성기 수.Active group ratio: (A) The number of active groups in the curing agent (D) when the number of epoxy groups in the epoxy resin is 1.

Figure pat00001
Figure pat00001

Figure pat00002
Figure pat00002

100 반도체 칩 패키지
110 반도체 칩
120 밀봉층
130 재배선 형성층
140 재배선층
150 솔더 레지스트층
160 범프
100 Semiconductor Chip Package
110 semiconductor chips
120 sealing layer
130 rewiring cambium
140 redistribution layer
150 solder resist layer
160 bump

Claims (13)

(A) 에폭시 수지, (B) 무기 충전재 및 (C) 엘라스토머를 포함하고,
(A) 에폭시 수지가, (A-1) 에폭시기 및 킬레이트 형성능을 갖는 구조를 함유하는 에폭시 수지를 포함하는, 수지 조성물.
(A) an epoxy resin, (B) an inorganic filler and (C) an elastomer;
(A) The resin composition in which the epoxy resin contains the epoxy resin containing the structure which has (A-1) epoxy group and chelate formation ability.
제1항에 있어서, (A-1) 성분의 킬레이트 변성량이 0.3질량% 내지 10질량%인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the amount of chelate modification of component (A-1) is 0.3% by mass to 10% by mass. 제1항에 있어서, (A-1) 성분의 질량 W(A-1)와 (C) 성분의 질량 W(C)의 비 W(A-1)/W(C)가 0.01 내지 1.0인, 수지 조성물.The method of claim 1, wherein the ratio W (A-1) / W (C) of the mass W (A-1) of component (A-1) and the mass W (C) of component (C) is 0.01 to 1.0, resin composition. 제1항에 있어서, (B) 성분의 양이, 수지 조성물의 불휘발 성분 100질량%에 대하여, 40질량% 이상인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein the amount of the component (B) is 40% by mass or more with respect to 100% by mass of the non-volatile component of the resin composition. 제1항에 있어서, (C) 성분이, 1,000 이상의 수 평균 분자량을 갖는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, wherein component (C) has a number average molecular weight of 1,000 or more. 제1항에 있어서, (D) 경화제를 추가로 포함하는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, further comprising (D) a curing agent. 제1항에 있어서, (E) 경화 촉진제를 추가로 포함하는, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, further comprising (E) a curing accelerator. 제1항에 있어서, 밀봉층용인, 수지 조성물.The resin composition according to claim 1, which is for a sealing layer. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물.A cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 8. 지지체와, 지지체 위에 형성된 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물을 포함하는 수지 조성물 층을 구비하는, 수지 시트.A resin sheet comprising a support and a resin composition layer comprising the resin composition according to any one of claims 1 to 8 formed on the support. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물을 포함하는 회로 기판.A circuit board comprising a cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 8. 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 수지 조성물의 경화물을 포함하는 반도체 칩 패키지.A semiconductor chip package comprising a cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 8. 제11항에 기재된 회로 기판 또는 제12항에 기재된 반도체 칩 패키지를 구비하는 반도체 장치.A semiconductor device comprising the circuit board according to claim 11 or the semiconductor chip package according to claim 12.
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