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KR20210018347A - Euv 조명 빔의 수축에 배치하기 위한 조리개 - Google Patents

Euv 조명 빔의 수축에 배치하기 위한 조리개 Download PDF

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KR20210018347A
KR20210018347A KR1020207037965A KR20207037965A KR20210018347A KR 20210018347 A KR20210018347 A KR 20210018347A KR 1020207037965 A KR1020207037965 A KR 1020207037965A KR 20207037965 A KR20207037965 A KR 20207037965A KR 20210018347 A KR20210018347 A KR 20210018347A
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KR
South Korea
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section
euv
illumination light
aperture
wall
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Pending
Application number
KR1020207037965A
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English (en)
Inventor
미하엘 파트라
Original Assignee
칼 짜이스 에스엠티 게엠베하
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하 filed Critical 칼 짜이스 에스엠티 게엠베하
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Abstract

조리개(5a)는 EUV 조명 광용 EUV 광원과 EUV 조명 광학 유닛 사이의 EUV 조명 광 빔(3)의 수축에 배치하기 위한 역할을 한다. 조리개(5a)는 빔 입사 섹션(27), 빔 출사 섹션(32) 및 중간의 빔 튜브 섹션(30)을 갖는다. 입사 섹션(27)은 EUV 조명 광 빔(3)의 전파 방향(P)으로 감소하는 횡단면을 갖는다. 출사 섹션(32)의 횡단면은 전파 방향(P)으로 증가한다. 튜브 섹션(30)의 횡단면은 일정하다. 빔 튜브 섹션(30)의 내벽(31)은 EUV 조명 광에 대해 반사성으로 구현된다. 결과는, 조리개의 우수한 열적 부하 성능과 함께 조명 광 빔의 규정된 미리 결정을 갖는 조리개이다.

Description

EUV 조명 빔의 수축에 배치하기 위한 조리개
본 특허 출원은 독일 특허출원 제 DE 10　2018　208　710.5호를 우선권으로 청구하며, 이 독일 특허출원의 내용은 본 명세서에서 참조로서 인용된다.
본 발명은 EUV 조명 광을 위한 EUV 광원과 EUV 조명 광학 유닛 사이에서 EUV 조명 빔의 수축에 배치하기 위한 조리개에 관한 것이다. 더 나아가, 본 발명은 그러한 조리개를 포함하는 조명 시스템, 그러한 조명 시스템을 포함하는 광학 시스템, 그러한 광학 시스템을 포함하는 투영 노광 장치, 그러한 투영 노광 장치를 사용하는 마이크로 구조 또는 나노 구조의 구성요소를 제조하기 위한 방법, 및 그러한 제조 방법을 사용하여 구성된 구성요소에 관한 것이다.
원하는 광 부분을 원치 않는 복사선이나 잔해 부분으로부터 분리하기 위한 중간 초점의 사용이 US　9　298　110　B2로부터의 투영 노광 장치와 관련하여 알려져 있다. US　2009/0073396　A1은 광원과 조명 광학 유닛 사이의 경계를 포함하는 투영 노광 장치를 개시한다. WO　2012/100 846　A1은 투영 노광 장치에 사용하기 위한 도파관 구조를 개시한다. US　2011/0026002　A1은 EUV 광원과 또한 이 광원과 조명 광학 유닛 사이의 경계를 개시한다. DE　10　2011　015　266　A1은 EUV 복사선 수집을 향상시키기 위한 디바이스를 포함하는 EUV 집광기(collector) 시스템을 개시한다.
본 발명의 목적은, 결과적으로 먼저 조리개의 우수한 열적 부하 성능과 연계하여 조명 광 빔의 규정된 사전 결정을 야기하도록, 기술 분야에서 언급한 타입의 조리개를 개발하는 것이다.
본 목적은 청구항 1에 명시된 특성을 가진 조리개에 의해 본 발명에 따라 달성된다.
본 발명에 따르면, 빔 입사 섹션과 빔 출사 섹션 사이의 빔 튜브 섹션이, 조리개의 증가한 열적 부하 성능의 결과로, 첫째 매우 규정된 방식으로 미리 결정되어 사용될 EUV 조명 광 빔의 코스의 가능성을 초래하며, 둘째, 수축 구역에서의 더 넓은 조리개 상호작용 영역을 제공하는 역할을 할 수 도 있음을 인식하게 되었다. 조리개가 배치될 수 있는 수축 구역은 EUV 조명 광 빔의 빔 경로의 중간 초점일 수 도 있다. EUV 조명 광 빔은 이때 잘 규정될 수 있으며, 빔 경로의 추가 코스에서 잘 규정된 수축을 이미징하는데, 구체적으로는 EUV 투영 노광 장치 내에 유리하게도 작은 정도의 퓨필 필링(pupil filling)을 제공하는데 사용될 수 있다. 투영 노광 장치의 오브젝트 필드의 조명의 잘 규정된 조명각 분포와, 그에 다른 투영 노광 동안의 매우 우수한 구조 해상도가 결과이다. 빔 튜브 섹션의 내벽은, 원치 않게 EUV 조명 광과 혼입되는(entrained) 복사선 및/또는 잔해 부분에 대해 흡수성으로서 구현될 수 도 있다. 원치 않는 광이나 복사선 부분의 흡수로 인해 야기되는 열의 효과적인 소산이 빔 튜브 섹션에 의해 발생할 수 있다. 조리개는, 투과된 EUV 조명 광 빔 내에서 광 분포도를 실질적으로 변경하지 않거나, 가능한 적게 변경하는 투과된 EUV 조명 광에 대한 효과를 실현할 수 있다.
빔 튜브 섹션의 내벽이 그에 대해 반사성으로서 구현되는 EUV 조명 광은 5nm와 30nm 사이의 범위에서 파장을 가질 수 있다.
청구항 2 또는 청구항 3에 기재된 흡수성 내벽은 조리개의 우수한 분리 효과와 또한 우수한 빔 성형 효과를 제공한다. 입사 섹션의 내벽 및/또는 출사 섹션의 내벽은, 원치 않게 EUV 조명 광과 혼입되는 복사선 및/또는 잔해 부분에 대해 흡수성으로서 구현될 수 있다.
청구항 4에 기재된 빔 튜브 섹션의 횡단면은 분리 효과와 빔 성형 효과에 관하여 대응하는 장점을 갖는다.
청구항 5에 기재된 빔 튜스 섹션의 길이/반경 비는 우수한 빔 성형 효과와, 동시에 우수한 분리 효과 및 우수한 열 소산에 특히 적절함이 입증되었다. 비 L/R은 1.5보다 클 수 있고, 2.0보다 클 수 있고, 또한 2.5보다 클 수 있다. 비 L/R은 10 미만일 수 있고, 5 미만일 수 있고, 또한 3 미만일 수 있다.
청구항 6에 기재한 원뿔형으로 연장하는 내벽은 특히 적절한 형상임이 입증되었다. 입사 섹션 및/또는 출사 섹션의 내벽의 원뿔각(cone angle)은 조명 광 빔의 발산각, 즉 수축에서 존재하는 중간 초점의 개구수가 될 수 있다.
청구항 7에 기재한 원뿔각의 구성은 조리개 형상의 빔 발산에 대한 우수한 적응을 제공한다.
청구항 8에 기재한 둥근 전환 구역은 이들 전환 구역에서 국부적인 열 스파이크를 회피한다.
청구항 9에 기재한 전환 구역의 흡수성 실시예는 원치 않는 부유 광의 생성을 회피한다. 전환 구역은 EUV 조명 광과 원치 않는 광이나 복사선 부분 모두에 흡수성으로서 구현될 수 있다.
청구항 10 및 청구항 11에 기재된 조명 시스템, 청구항 12에 기재된 광학 시스템, 청구항 13에 기재된 투영 노광 장치, 청구항 14에 기재된 마이크로 구조 또는 나노 구조의 구성요소를 제조하기 위한 방법, 및 제조된 마이크로 구조 또는 나노 구조의 구성요소의 장점은 본 발명에 따른 조리개를 참조하여 앞서 이미 설명한 것들에 대응한다. 구성요소는 예컨대 메모리 칩과 같은 반도체 칩일 수 있다.
본 발명의 예시적인 실시예는 도면을 참조하여 이하에서 더 상세하게 설명된다.
도 1은, 개략적으로 및 자오단면에서 조명 광학 유닛에 관한 마이크로리소그라픽 투영 노광 장치를 도시한다.
도 2는, 도 1에 따른 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛의 수축 또는 중간 초점 조리개(constriction or intermediate focus stop)를 축방향 섹션에서 확대도로 도시한다.
도 3은, 도 1에 따른 투영 노광 장치의 조명 광학 유닛에서 도 2에 따른 수축 또는 중간 초점 조리개 대신 사용될 수 있는 중간 초점 조리개의 추가 실시예를 도시한다.
마이크로리소그라피용 투영 노광 장치(1)는 마이크로 구조 또는 나노 구조의 전자 반도체 구성요소를 제조하는 역할을 한다. 광원(2)은 예컨대 5nm와 30nm 사이의 파장 범위에서의 조명에 사용되는 EUV 복사선을 방출한다. 광원(2)은 GDPP(Gas Discharge Produced Plasma) 소스나 LPP(Laser Produced Plasma) 소스일 수 있다. 싱크로트론에 기반한 복사선원이 또한 광원(2)에 사용될 수 있다. 그러한 광원에 관한 정보는 예컨대, US　6　859　515　B2에서 당업자가 찾아볼 수 있다. 이미징 광 빔(3)의 형태인 EUV 조명 광이나 조명 복사선은 투영 노광 장치(1) 내에서의 조명과 이미징에 사용된다. 광원(2) 하류의 이미징 광 빔(3)은 먼저 집광기(4)를 통과하며, 집광기(4)는, 예컨대 종래 기술에서 알려져 있는 멀티-쉘 구조를 갖는 네스티드(nested) 집광기나 대안적으로는 이 경우 광원(2)의 하류에 배치되는 타원형상 집광기일 수 있다. 대응하는 집광기는 EP　1　225　481　A 및 US　9　298　110　B2로부터 알려져 있다. 집광기(4)의 하류에서, EUV 조명 광(3)은 먼저 중간 초점 평면(5)을 통과하며, 이 초점 평면(5)은 이미징 광 빔(3)을 원치 않는 복사선이나 입자 부분으로부터 분리하는데 사용될 수 있다. 중간 초점 평면(5)에는 중간 초점 조리개(5a)가 배치되며, 이 조리개(5a)는 축방향 종단면도로 예시하며 이하에서 더 상세하게 설명될 것이다. 중간 초점 평면(5)을 통과한 후, 이미징 광 빔(3)은 먼저 필드 퍼싯 미러(6) 상에 충돌한다.
위치 관계의 기재를 용이하게 하기 위해, 데카르트 전역(cartesian global) xyz-좌표계가 도면에 도시된다. 도 1에서, x-축은 도면의 평면에 수직으로 및 이 평면으로부터 진행하며, y-축은 도 1에서 오른쪽을 향해 진행한다. z-축은 도 1에서 상방으로 진행한다.
이미징 광 빔(3)으로부터 원치 않는 복사선 부분의 분리는, 원치 않는 복사선 부분이 원하는 이미징 광과 파장이 상이하다면, 집광기(4)가 원하는 이미징 광과 상이하게 그러한 복사선 부분을 안내하는 경우 용이하게 될 수 있다. 그러한 집광기는 US　8　198　613　B2로부터 알려져 있다.
도면에 예시하지 않은 필드 퍼싯 미러(6)의 필드 퍼싯은 직사각형이나 아치형일 수 있으며, 각각 동일한 x/y 종횡비를 가질 수 있다. x/y 종횡비는 예컨대 12/5일 수 있거나, 25/4일 수 있거나, 104/8일 수 있거나, 20/1일 수 있거나 30/1일 수 있다.
필드 퍼싯은 필드 퍼싯 미러(6)의 반사면을 미리 결정하며, 예컨대 다수의 열로 그룹화되어 각 경우 다수의 필드 퍼싯 그룹을 형성한다.
필드 퍼싯 미러(6)에서 반사한 후, 개별 필드 퍼싯에 할당되는 이미징 광 부분 빔으로 분할된 이미징 광 빔(3)은 퓨필 퍼싯 미러(10) 상에 충돌한다. 전체 이미징 광 빔(3)의 각각의 이미징 광 부분 빔은 각각의 이미징 광 채널을 따라 안내된다.
도면에서 또한 예시되지 않은 퓨필 퍼싯 미러(10)의 퓨필 퍼싯은 예컨대 서로 중첩되어 놓이는(lying one in another) 퍼싯 링의 중심 주위에 배치될 수 있다. 퓨필 퍼싯은, 필드 퍼싯 중 하나에 의해 반사되는 EUV 조명 광(3)의 각 이미징 광 부분 빔에 할당되어, 충돌하게 되며 필드 퍼싯 중 하나와 퓨필 퍼싯 중 하나를 포함하는 각각의 퍼싯 쌍은 EUV 조명 광(3)의 관련된 이미징 광 부분 빔에 대한 이미징 광 채널을 미리 규정한다. 퓨필 퍼싯-필드 퍼싯의 채널 단위 할당(channel-by-channel assignment)은 투영 노광 장치(1)에 의해 원하는 조명에 따라 실현된다. 그러한 채널 단위 할당은 예컨대 US2015/0015865　A1에서 더 상세하게 설명된다.
퓨필 퍼싯 미러(10)(도 1)와, 3개의 EUV 미러(12, 13, 14)로 구성되는 하류의 전송 광학 유닛(15)을 통해, 필드 퍼싯은 투영 노광 장치(1)의 오브젝트 평면(16)에 이미징된다. EUV 미러(14)는 그레이징 입사(grazing incidence)용 미러(그레이징 입사 미러)로서 구현된다. 오브젝트 평면(16)에는 레티클(17)이 배치되며, 이 레티클로부터, EUV 조명 광(3)으로 조명 구역이 조명되며, 이 조명 구역은 투영 노광 장치(1)의 하류 투영 광학 유닛(19)의 오브젝트 필드(18)와 일치한다. 조명 구역은 또한 조명 필드로서 지칭된다. 오브젝트 필드(18)는, 투영 노광 장치(1)의 조명 광학 유닛의 구체적인 실시예에 따라 직사각형 또는 아치형이다. 이미징 광 채널은 오브젝트 필드(18)에서 중첩된다. EUV 조명 광(3)은 레티클(17)로부터 반사된다. 레티클(17)은 오브젝트 홀더(17a)에 의해 유지되며, 이 오브젝트 홀더(17a)는, 개략적으로 나타내는 오브젝트 변위 드라이브(17b)를 이용하여 변위 방향(y)을 따라 피구동 방식으로 변위될 수 있다.
투영 광학 유닛(19)은 오브젝트 평면(16)의 오브젝트 필드(18)를 이미지 평면(21)의 이미지 필드(20)에 이미징한다. 이 이미지 평면(21)에는 감광 층을 갖고 있는 웨이퍼(22)가 배치되며, 웨이퍼(22)는, 투영 노광 장치(1)에 의해 투영 노광 동안 노광된다. 웨이퍼(22), 즉 이미징이 그 위에 실현되는 기판은 웨이퍼 또는 기판 홀더(22a)에 의해 유지되며, 이러한 홀더(22a)는, 또한 개략적으로 나타내는 웨이퍼 변위 드라이브(22b)를 이용하여 오브젝트 홀더(17a)의 변위와 동기적으로 변위 방향(y)을 따라 변위할 수 있다. 투영 노광 동안, 레티클(17)과 웨이퍼(22)는 y-방향으로 동기화된 방식으로 주사된다. 투영 노광 장치(1)는 스캐너로 구현된다. 주사 방향(y)은 오브젝트 변위 방향이다.
정정 평면(23)에는 조명 강도 정정 디바이스(24)가 배치되며, 이 디바이스(24)의 구조와 기능은 예컨대 US　2015/0015865 A1에 기재되어 있다. 정정 디바이스(24)는 제어 유닛(25)에 의해 구동된다. 정정 디바이스의 추가 예는 WO　2009/074　211 A1, EP　0　952　491 A2 및 DE　10　2008　013　229 A1으로부터 알려져 있다.
필드 퍼싯 미러(6), 퓨필 퍼싯 미러(10), 전송 광학 유닛(15)의 미러(12 내지 14) 및 정정 디바이스(24)는 투영 노광 장치(1)의 조명 광학 유닛(26)의 부분이다. 투영 광학 유닛(19)과 함께, 조명 광학 유닛(26)은 투영 노광 장치(1)의 조명 시스템을 형성한다.
도 2는 중간 초점 조리개(5a)를 더 상세하게 도시한다. 중간 초점 조리개(5a)는 중간 초점 평면(5)에 배치된다. 중간 초점 조리개(5a)는 광원(2)과 조명 광학 유닛(26) 사이에서 EUV 조명 광 빔(3)의 수축, 즉 예컨대 중간 초점에 배치하기 위한 역할을 한다.
조리개(5a)는 빔 입사 섹션(27)을 가지며, 집광기(4)로부터 온 조명 광 빔(3)이 이 섹션을 통해 조리개(5a)에 입사한다. 조리개(5a)를 통한 조명 광 빔(3)의 주요한 전파 방향은 도 1 및 2에서 P로 표시한다.
사용된 광, 즉 조명 광 빔(3)과 원치 않게 혼입된 광 또는 복사선 또는 잔해 부분 사이의 분리가 조리개(5a)에서 발생한다. 예컨대 원치않게 혼입된 광 부분은 조명 광(3)의 파장을 가질 수 도 있지만, 조명 광 빔(3)의 발산 내에서 통과하지 않을 수 도 있다. 원치 않는 복사선 부분은 조명 광(3)과 상이한 파장을 가질 수 도 있다.
조리개(5a)의 입사 섹션(27)은 전파 방향(P)으로 감소하는 횡단면을 갖는다. 빔 입사 섹션(27)은 원뿔형으로 테이퍼링하는 방식으로 연장하는 내벽(28)을 갖는다. 빔 입사 섹션(27)의 이 내벽(28)은 조명 광(3)에 대해서 및 원치 않게 혼입된 광이나 복사선 부분에 대해 흡수성으로 구현된다. 이러한 목적에 적절한 흡수성 코팅이나 흡수성 필름이 US　9,200,359 B2 및 본 명세서에서 인용한 참고문헌으로부터 알려져 있다.
내벽(28)의 원뿔각(KE)은, 도 2에서 예시한 축방향 종단면도에서 내벽(28)의 단면선과 조리개(5a)의 축방향 종축(29) 사이의 각도로서 규정된다. 이 종축(29)은 전파 방향(P)과 일치한다.
조리개(5a)는 전파 방향(P)에서 입사 섹션(27)의 하류의 빔 튜브 섹션(30)을 갖는다. 이 튜브 섹션(30)은, 전파 방향(P)으로 일정한 횡단면을 갖는다. 튜브 섹션(30)의 내벽(31)은 조명 광(3)에 대해 반사성으로 구현되며, 구체적으로는 매우 반사성이다. 내벽(31)은 예컨대 매우 반사성 코팅으로서 루테늄 코팅을 가질 수 있다.
내벽(31)은, 조명 광(3)에 대해 반사성인 소재와, 다른 파장 범위에 대해 흡수성인 소재가 이 벽에 도포된다는 점으로 인해 원치 않는 복사선 부분에 대해 흡수성 효과를 가질 수 있다. 그러한 소재는 예컨대 US　2004/0058253 A1으로부터 알려져 있다. 내벽(31)은, (이미 참조한 US　8　198　613 B2와 유사하게) 원치 않는 복사선 부분이 조명 광(3)과 상이하게 반사되며, 그 후 시스템에서 추후에, 예컨대 아직 기재하지 않은 빔 축사 섹션(32)에서 흡수되도록 구조를 가질 수 있다.
튜브 섹션(30)은 반경(R)을 갖는 원형 횡단면을 갖는다. 튜브 섹션(30)은 종축(29)을 따라, 즉 전파 방향(P)으로 측정된 길이(L)를 갖는다. 튜브 섹션(30)의 길이(L)와 반경(R)의 비는 1.0보다 크다. 반경(R)은 절대값이 2mm와 5mm 사이의 범위에서 크기를 갖는다.
조리개(5a)는, 전파 방향(P)으로 튜브 섹션(30)의 하류에 빔 출사 섹션(32)을 갖는다. 출사 섹션(32)은 전파 방향(P)으로 증가하는 횡단면을 갖는다. 출사 섹션(32)의 내벽(33)은 조명 광(3) 및 원치 않는 복사선 부분에 대해 흡수성으로 구현된다. 내벽(33)은 전파 방향(P)으로 연장하며, 내벽(33)의 단면선과 종축(29) 사이에서 원뿔각(KA)을 갖는 원뿔형으로 넓어지는 방식으로 연장한다. 도 2에 따른 실시예의 경우 다음이 유효하다: KE = KA. 대안적으로, 원뿔각(KE, KA)은 또한 서로 상이할 수 있다.
중간 초점 조리개(5a)는, 종축(29)에 수직인 중심 평면(34)에 대하여 전체적으로 미러-대칭이다. 중심 평면(34)은 중간 초점 평면(5)과 일치한다.
첫째 입사 섹션(27)과 튜브 섹션(30) 사이와, 둘째 튜브 섹션(30)과 출사 섹션(32) 사이에서의 조리개(5a)의 내벽의 전환 에지 구역(35, 36)은 각 경우에 EUV 조명 광(3)에 대해 및 원치 않는 복사선 부분에 대해 흡수성으로 구성된다.
이 에지 구역(35, 36)은 전환 에지로 제조될 수 있다.
도 2는 또한 중간 초점 조리개(5a)를 통한 조명 광 빔(3)의 코스를 예시한다. 튜브 섹션(30)의 중간 초점 평면(5)에서 초점을 갖는 조명 광 빔(3)의 범위의 코스가 종단면도로 예시된다.
초점의 상류 및 하류의 크기가 같은 조명 광 빔(3)의 발산각이 도 2에서 ΘB로 예시된다. 예시한 실시예의 경우에 다음이 유효하다: ΘB = KE = KA. 조리개(5a)의 입사 섹션(27)과 출사 섹션(32)의 원뿔각(KE, KA)은 그에 따라 조명 광 빔(3)의 발산각(ΘB)이 된다. 대안적으로, 원뿔각(KE) 및/또는 원뿔각(KA)은 발산각(ΘB)과 또한 상이할 수 있다.
조명 광 빔(3)의 광선의 상세한 코스는 더 양호한 명료성을 위해 도 2에 도시하지 않는다. 조명 광 빔(3)의 광선의 일부분은, 반사가 내벽(31)에서 발생하지 않고 중간 초점(5)을 통과할 것이다. 이 광선에 의해 구성되는 전체 조명 광 빔(3)의 비율은, 비(L/R)가 작을수록, 중간 초점에서 주어진 개구수에 대해 모두 더 커진다. 비(L/R)가 상승함에 따라, 내벽(31)에서 반사되는 광선에 의해 구성되는 비율은 더 커진다. 구체적으로, 한번보다 많이 내벽(31)에서 반사되는 광선에 의해 구성되는 비율은 또한 비(L/R)가 상승함에 따라 더 커지게 된다.
내벽(31)에서 EUV 조명 광(3)의 최대 반사 횟수는 1보다 클 수 있고, 2보다 클 수 있고, 3보다 클 수 있으며 4보다 클 수 있다. 이 반사 횟수는 일반적으로 최대 5이다.
다른 파장의 이들 원치 않는 복사선 부분이 조명 광 빔(3)의 발산 내에서 통과하는 한, 원치 않는 복사선 부분의 적어도 하나의 반사가, 바람직하게는 다수의 그러한 반사가 내벽(31)에서 발생하도록 하는 크기를 갖는 비(L/R)로 튜브 섹션(30)을 구성하는 것이 필요하다.
원치 않는 광이나 복사선 부분은 입사 섹션(27)과 출사 섹션(32)의 흡수성 내벽(28 및 33)에서 또한 흡수된다.
잔해 부분은, 기계적 효과를 갖는 조리개(5a)에 의해 차단된다.
KE 및/또는 KA는 5°와 30°사이의 범위에 있을 수 있다. KE 및/또는 KA는 특히 8.63°와 14.48°의 범위에 있을 수 있으며, 이 범위는 0.15와 0.25 사이의 조명 광 빔(3)의 중간 초점에서의 개구수에 대응한다. KE 및/또는 KA는 대략 8.6°, 9.2°, 9.8°, 10.4°, 11.0°, 11.5°, 12.1°, 12.7°, 13.3°, 13.9° 또는 14.5°인 값을 특히 가질 수 있으며, 이 값은 0.15, 0.16, 0.17, 0.18, 0.19, 0.20, 0.21, 0.22, 0.23, 0.24 또는 0.25인 조명 광 빔(3)의 중간 초점에서의 개구수에 대응한다.
각도(KE, KA 및 ΘB)는 그에 따라 도 2에서 실제 축적대로 예시하지는 않는다.
내벽(31) 상의 조명 광 빔(3)의 입사각은 60°보다 클 수 있고, 65°보다 클 수 있고, 70°보다 클 수 있고, 75°보다 클 수 있고, 80°보다 클 수 있으며, 특히 이보다 더 클 수 있다. 그러한 그레이징 입사각의 경우에, 내벽(31)의 매우 반사성인 코팅의 반사도는 특히 우수하며, 입사각에 따라서는, 80%보다 클 수 있고, 85%보다 클 수 있으며 심지어 90%보다 클 수 있다.
내벽(31) 상의 조명 광 빔(3)의 최대 입사각은 통상 90°- 조명 광 빔의 중간 초점에서의 개구수로 주어진다. 조명 광 빔(3)의 중간 초점에서의 작은 개구수는 그러므로 내벽(31)의 코팅의 높은 반사도를 달성하기 위해 유용하다.
중간 초점 조리개(5a)를 통과하면, 조명 광 빔(3)은 100W 초과, 예컨대 500W의 사용 파워를 가질 수 있다. 원치 않는 광 및 복사선 부분의 파워는 동일한 크기를 가질 수 있다.
도 3은 중간 초점 조리개(5a)의 추가 실시예를 도시한다. 도 1 및 도 2를 참조하여 및 특히 도 2를 참조하여 앞서 이미 설명한 것들에 대응하는 구성요소와 기능은 동일한 표기와 참조부호를 가지며, 다시 더 상세하게 논의하지 않을 것이다.
첫째 입사 섹션(27)과 튜브 섹션(30) 사이에서 및 둘째 튜브 섹션(30)과 출사 섹션(32) 사이에서, 에지 전환 구역(35a, 36a)이 도 3에 따라서 조리개(5a)의 경우 둥글게 구현된다. 이들 둥근 전환 구역(35a, 36a)은 조명 광(3)에 대해서 및 다른 혼입된 파장에 대해서 흡수성으로 구현된다.
조리개(5a)의 실시예에 따라, 비(L/R)는 0.5와 3 사이의 범위에 있다. 일반적으로 이 비(L/R)는 적어도 1.0이다.
투영 노광 동안, 먼저, 레티클(17)과 웨이퍼(22) - 조명 광(3)에 감광성인 코팅을 가짐 - 가 제공된다. 후속하여, 레티클(17)의 일부분은 투영 노광 장치(1)를 이용하여 웨이퍼(22) 상에 투영된다. 최종적으로, 조명 광(3)으로 노광되는 웨이퍼(22) 상의 감광 층이 현상된다. 마이크로 구조의 또는 나노 구조의 구성요소, 예컨대 반도체 칩이 이런 식으로 제조된다.

Claims (15)

  1. EUV 조명 광용 EUV 광원(2)과 EUV 조명 광학 유닛(26) 사이에서의 EUV 조명 광 빔(3)의 수축에 배치하기 위한 조리개(5a)로서,
    - EUV 조명 광 빔(3)의 전파 방향(P)으로 감소하는 횡단면을 갖는 빔 입사 섹션(27),
    - EUV 조명 광 빔(3)의 전파 방향(P)으로 증가하는 횡단면을 갖는 빔 출사 섹션(32),
    - 상기 빔 입사 섹션(27)과 상기 빔 출사 섹션(32) 사이에 배치되며, EUV 조명 광 빔(3)의 전파 방향(P)으로 일정한 횡단면을 갖는 빔 튜브 섹션(30)을 포함하며,
    상기 빔 튜브 섹션(30)의 내벽(31)이 EUV 조명 광에 대해 반사성으로 구현되는, 조리개.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 빔 입사 섹션(27)의 내벽(28)이 EUV 조명 광에 대해 흡수성으로 구현되는 것을 특징으로 하는, 조리개.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서, 상기 빔 출사 섹션(32)의 내벽(33)이 EUV 조명 광에 대해 흡수성으로 구현되는 것을 특징으로 하는, 조리개.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 빔 튜브 섹션(30)은 반경®을 갖는 원형 횡단면을 갖는 것을 특징으로 하는, 조리개.
  5. 청구항 4에 있어서, 1.0보다 큰, 상기 전파 방향(P)에서 측정된 상기 빔 튜브 섹션(30)의 길이(L)와 상기 빔 튜브 섹션(30)의 반경(R)의 비(L/R)를 특징으로 하는, 조리개.
  6. 청구항 1 내지 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 빔 입사 섹션(27) 및/또는 상기 빔 출사 섹션(32)이 원뿔형으로 연장하는 내벽(28; 33)을 갖는 것을 특징으로 하는, 조리개.
  7. 청구항 6에 있어서, 상기 빔 입사 섹션(27)의 내벽(28)의 원뿔각(KE)은 상기 빔 출사 섹션(32)의 내벽(33)의 원뿔각(KA)과 크기가 정확히 같은 것을 특징으로 하는, 조리개.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 있어서, 상기 빔 입사 섹션(27)과 상기 빔 튜브 섹션(30) 사이 및/또는 상기 빔 튜브 섹션(30)과 상기 빔 출사 섹션(32) 사이의 내벽 전환 구역(35a, 36a)이 둥근 형태로 구성되는 것을 특징으로 하는, 조리개.
  9. 청구항 8에 있어서, 상기 둥근 전환 구역(35a, 36a)이 흡수성으로 구현되는 것을 특징으로 하는, 조리개.
  10. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 기재된 조리개(5a)와 조명 광학 유닛(26)을 포함하는 조명 시스템.
  11. 청구항 1 내지 청구항 9 중 어느 한 항에 기재된 조리개(5a)와, EUV 광원(2)과 상기 조리개(5a) 사이의 광 경로에 배치되는 집광기(4)를 포함하는 조명 시스템.
  12. 청구항 10 또는 청구항 11에 기재된 조명 시스템을 포함하는 광학 시스템으로서,
    상기 조명 광학 유닛(26)은, 오브젝트(17)가 배치될 수 있는 오브젝트 필드(18)를 조명하는 역할을 하며, 기판(22)이 배치될 수 있는 이미지 필드(20)에 상기 오브젝트 필드(18)를 이미징하기 위한 투영 광학 유닛(19)을 포함하는, 광학 시스템.
  13. 청구항 12에 기재된 광학 시스템과 EUV 광원(2)을 포함하는 투영 노광 장치.
  14. 구조화된 구성요소를 제조하기 위한 방법으로서,
    - 감광성 소재로 만든 층이 적어도 부분적으로 도포되는 웨이퍼(22)를 제공하는 단계,
    - 이미징될 구조를 갖는 오브젝트(17)로서 레티클을 제공하는 단계,
    - 청구항 13에 기재된 투영 노광 장치(1)를 제공하는 단계,
    - 상기 투영 노광 장치(1)를 이용하여 상기 웨이퍼(22)의 층의 구역 상에 상기 레티클(17)의 적어도 일부분을 투영하는 단계를 포함하는, 방법.
  15. 청구항 14에 기재된 방법에 따라 제조되는 구조화된 구성요소.
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