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KR20170113152A - 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법 Download PDF

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KR20170113152A
KR20170113152A KR1020170035214A KR20170035214A KR20170113152A KR 20170113152 A KR20170113152 A KR 20170113152A KR 1020170035214 A KR1020170035214 A KR 1020170035214A KR 20170035214 A KR20170035214 A KR 20170035214A KR 20170113152 A KR20170113152 A KR 20170113152A
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KR
South Korea
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die
bonding film
dicing
dicing sheet
peeling force
Prior art date
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KR1020170035214A
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English (en)
Inventor
겐지 오니시
유이치로 시시도
유타 기무라
아키히로 후쿠이
도시마사 스기무라
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 쿨 익스팬드 공정에 있어서 다이 본드 필름이 다이싱 시트로부터 들뜨는 것을 억제할 수 있고, 또한, 픽업 공정에 있어서 다이싱 시트로부터 다이 본드 필름 구비 반도체 칩을 바람직하게 박리하는 것을 가능하게 하는 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명은, 다이싱 시트와, 다이싱 시트 상에 적층된 다이 본드 필름을 갖고, 다이싱 시트와 다이 본드 필름의 23℃에서의 박리력 A가, 0.1N/20㎜ 이상 0.25N/20㎜ 이하의 범위 내이며, 다이싱 시트와 다이 본드 필름의 -15℃에서의 박리력 B가, 하기 박리력 B의 측정 조건 하에서, 0.15N/20㎜ 이상 0.5N/20㎜ 이하의 범위 내이며, 다이 본드 필름은, 인장 장력을 가함으로써 파단되어 사용되는 다이싱 다이 본드 필름이다.

Description

다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법{DICING DIE-BONDING FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 장치의 제조에 있어서, 다이싱 다이 본드 필름이 사용되는 경우가 있다. 다이싱 다이 본드 필름은, 다이싱 시트 상에 다이 본드 필름을 박리 가능하게 설치한 것이다. 반도체 장치의 제조에 있어서는, 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 필름 상에 반도체 웨이퍼를 보유 지지하고, 반도체 웨이퍼를 다이싱하여 개개의 칩으로 한다. 그 후, 칩을 다이 본드 필름과 함께 다이싱 시트로부터 박리하고, 다이 본드 필름을 통하여 리드 프레임 등의 피착체에 고착시킨다.
다이싱 시트 상에 다이 본드 필름이 적층된 다이싱 다이 본드 필름을 사용하고, 반도체 웨이퍼를 다이 본드 필름의 보유 지지 하에서 다이싱한 경우, 다이 본드 필름을 반도체 웨이퍼와 동시에 절단할 필요가 있다. 그런데, 다이아몬드 블레이드를 사용한 일반적인 다이싱 방법에 있어서는, 다이싱 시에 발생하는 열의 영향에 의한 다이 본드 필름과 다이싱 시트의 유착, 절삭 칩의 발생에 의한 반도체 칩끼리의 고착, 반도체 칩 측면에의 절삭 칩의 부착 등이 우려되기 때문에, 절단 속도를 느리게 할 필요가 있어, 비용의 상승을 초래하고 있었다.
따라서, 최근 들어, 반도체 웨이퍼에 있어서의 분할 예정 라인에 레이저광을 조사하여 개질 영역을 형성함으로써, 반도체 웨이퍼를 분할 예정 라인에서 용이하게 분할 가능하게 한 후, 이 반도체 웨이퍼를 다이싱 다이 본드 필름에 부착하고, 그 후, 다이싱 다이 본드 필름을 저온 하(예를 들어, -15℃ 내지 5℃)에서 익스팬드(이하, 「쿨 익스팬드」라고도 한다)함으로써, 반도체 웨이퍼와 다이 본드 필름을 파단하여, 개개의 반도체 칩(다이 본드 필름 구비 반도체 칩)을 얻는 방법이 제안되어 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이것은, 소위, 스텔스 다이싱(등록 상표)이라 불리는 방법이다.
일본 특허 공개 제2009-164556호 공보
그러나, 종래의 스텔스 다이싱에 있어서는, 쿨 익스팬드 후부터 픽업이 행하여질 때까지의 사이에, 다이 본드 필름 구비 반도체 칩이 다이싱 시트로부터 박리되어버리는 경우가 있다고 하는 문제가 있었다. 한편, 픽업 시에 칩을 다이싱 시트로부터 박리되지 못하여, 바람직하게 픽업할 수 없는 경우가 있다고 하는 문제가 있었다.
본 발명자들은, 이들 문제에 대하여 예의 검토한 결과, 쿨 익스팬드는 저온의 조건이기 때문에, 다이싱 시트와 다이 본드 필름 사이의 박리력이 낮아져, 다이 본드 필름이 다이싱 시트로부터 들떠버리는 경우가 있고, 이것이 원인으로, 픽업 전에, 다이싱 시트로부터 다이 본드 필름 구비 반도체 칩이 박리되어버리는 경우가 있음을 밝혀냈다.
한편, 픽업은 상온(예를 들어, 23℃)에서 행하여진다. 그로 인해, 다이싱 시트와 다이 본드 필름 사이의 박리력이 저온 조건에서도 비교적 높은 다이싱 다이 본드 필름이 사용된 경우에는, 픽업 시에, 박리력이 너무 높아지는 것이 원인으로, 바람직하게 픽업할 수 없게 되는 경우가 있음을 본 발명자들은 밝혀냈다.
본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 쿨 익스팬드 공정에 있어서 다이 본드 필름이 다이싱 시트로부터 들뜨는 것을 억제할 수 있고, 또한, 픽업 공정에 있어서 다이싱 시트로부터 다이 본드 필름 구비 반도체 칩을 바람직하게 박리하는 것을 가능하게 하는 다이싱 다이 본드 필름을 제공하는 데 있다.
또한, 당해 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명자들은, 상기 문제점을 해결하기 위해, 다이싱 다이 본드 필름에 대하여 검토하였다. 그 결과, 하기 구성의 다이싱 다이 본드 필름을 채용함으로써, 쿨 익스팬드 공정에 있어서 다이 본드 필름이 다이싱 시트로부터 들뜨는 것을 억제할 수 있고, 또한, 픽업 공정에 있어서 다이싱 시트로부터 다이 본드 필름 구비 반도체 칩을 바람직하게 박리하는 것이 가능하게 된다는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시키기에 이르렀다.
즉, 본 발명에 따른 다이싱 다이 본드 필름은,
다이싱 시트와,
상기 다이싱 시트 상에 적층된 다이 본드 필름을 갖고,
상기 다이싱 시트와 상기 다이 본드 필름의 23℃에서의 박리력 A가, 하기 박리력 A의 측정 조건 하에서, 0.1N/20㎜ 이상 0.25N/20㎜ 이하의 범위 내이며,
상기 다이싱 시트와 상기 다이 본드 필름의 -15℃에서의 박리력 B가, 하기 박리력 B의 측정 조건 하에서, 0.15N/20㎜ 이상 0.5N/20㎜ 이하의 범위 내이며,
상기 다이 본드 필름은, 인장 장력을 가함으로써 파단되어 사용되는 것을 특징으로 한다.
<박리력 A의 측정 조건>
T형 박리 시험
박리 속도 300㎜/분
<박리력 B의 측정 조건>
T형 박리 시험
박리 속도 300㎜/분.
상기 구성에 의하면, 상기 박리력 A가, 상기 박리력 A의 측정 조건 하에서, 0.1N/20㎜ 이상 0.25N/20㎜ 이하의 범위 내이기 때문에, 픽업 공정에 있어서 다이싱 시트로부터 다이 본드 필름 구비 반도체 칩을 바람직하게 박리하는 것이 가능해진다. 또한, 상기 박리력 B가, 상기 박리력 B의 측정 조건 하에서, 0.15N/20㎜ 이상 0.5N/20㎜ 이하의 범위 내이기 때문에, 쿨 익스팬드 공정에 있어서 다이 본드 필름이 다이싱 시트로부터 들뜨는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법은,
반도체 웨이퍼를 다이싱 다이 본드 필름에 부착하는 공정 A와,
0℃ 이하의 조건에서, 상기 다이싱 다이 본드 필름을 익스팬드하여, 적어도 상기 다이 본드 필름을 파단하여, 다이 본드 필름 구비 칩을 얻는 공정 B와,
상기 다이 본드 필름 구비 칩을 픽업하는 공정 C
를 포함하고,
상기 다이싱 다이 본드 필름은,
다이싱 시트와,
상기 다이싱 시트 상에 적층된 다이 본드 필름을 갖고,
상기 다이싱 시트와 상기 다이 본드 필름의 23℃에서의 박리력 A가, 하기 박리력 A의 측정 조건 하에서, 0.1N/20㎜ 이상 0.25N/20㎜ 이하의 범위 내이며,
상기 다이싱 시트와 상기 다이 본드 필름의 -15℃에서의 박리력 B가, 하기 박리력 B의 측정 조건 하에서, 0.15N/20㎜ 이상 0.5N/20㎜ 이하의 범위 내인 것을 특징으로 한다.
<박리력 A의 측정 조건>
T형 박리 시험
박리 속도 300㎜/분
<박리력 B의 측정 조건>
T형 박리 시험
박리 속도 300㎜/분.
상기 구성에 의하면, 상기 박리력 A가, 상기 박리력 A의 측정 조건 하에서, 0.1N/20㎜ 이상 0.25N/20㎜ 이하의 범위 내이기 때문에, 공정 C(픽업 공정)에 있어서 다이싱 시트로부터 다이 본드 필름 구비 반도체 칩을 바람직하게 박리하는 것이 가능해진다. 또한, 상기 박리력 B가, 상기 박리력 B의 측정 조건 하에서, 0.15N/20㎜ 이상 0.5N/20㎜ 이하의 범위 내이기 때문에, 공정 B(쿨 익스팬드 공정)에 있어서 다이 본드 필름이 다이싱 시트로부터 들뜨는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법에 있어서는, 반도체 웨이퍼와 다이 본드 필름을 동시에 쿨 익스팬드 공정에 있어서 파단시킨 경우와, 다이 본드 필름만을 쿨 익스팬드 공정에 있어서 파단시킨 경우를 포함한다.
본 발명에 따르면, 쿨 익스팬드 공정에 있어서 다이 본드 필름이 다이싱 시트로부터 들뜨는 것을 억제할 수 있고, 또한, 픽업 공정에 있어서 다이싱 시트로부터 다이 본드 필름 구비 반도체 칩을 바람직하게 박리하는 것을 가능하게 하는 다이싱 다이 본드 필름을 제공할 수 있다. 또한, 당해 다이싱 다이 본드 필름을 사용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름을 도시하는 단면 모식도이다.
도 2는 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 3은 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 4의 (a), (b)는 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 5는 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 6의 (a) 및 (b)는 다른 실시 형태에 따른 반도체 장치의 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
도 7은 다른 실시 형태에 따른 반도체 장치의 다른 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다.
(다이싱 다이 본드 필름)
본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름에 대해서, 이하에 설명한다. 도 1은, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름을 도시하는 단면 모식도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 다이싱 다이 본드 필름(10)은 다이싱 시트(11) 상에 다이 본드 필름(3)이 적층된 구성을 갖는다. 다이싱 시트(11)는 기재(1) 상에 점착제층(2)이 적층된 구성을 갖는다. 다이 본드 필름(3)은 점착제층(2) 상에 설치되어 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 다이싱 시트(11)에는, 다이 본드 필름(3)에 덮여 있지 않은 부분(2b)이 존재하는 경우에 대하여 설명하지만, 본 발명에 따른 다이싱 다이 본드 필름은, 이 예에 한정되지 않고, 다이싱 시트 전체를 덮도록 다이 본드 필름이 다이싱 시트에 적층되어 있어도 된다.
다이싱 시트(11)와 다이 본드 필름(3)의 23℃에서의 박리력 A는, 하기 박리력 A의 측정 조건 하에서, 0.1N/20㎜ 이상 0.25N/20㎜ 이하의 범위 내이며, 바람직하게는, 0.12N/20㎜ 이상 0.23N/20㎜ 이하의 범위 내이며, 보다 바람직하게는, 0.14N/20㎜ 이상 0.22N/20㎜ 이하의 범위 내이다.
<박리력 A의 측정 조건>
T형 박리 시험
박리 속도 300㎜/분
상기 박리력 A가, 상기 박리력 A의 측정 조건 하에서, 0.1N/20㎜ 이상 0.25N/20㎜ 이하의 범위 내이기 때문에, 픽업 공정에 있어서 다이싱 시트(11)로부터 다이 본드 필름(3) 구비 반도체 칩(5)(도 4의 (b) 참조)을 바람직하게 박리하는 것이 가능해진다.
다이싱 시트(11)와 다이 본드 필름(3)의 -15℃에서의 박리력 B는, 하기 박리력 B의 측정 조건 하에서, 0.15N/20㎜ 이상 0.5N/20㎜ 이하의 범위 내이며, 바람직하게는, 0.20N/20㎜ 이상 0.45N/20㎜ 이하의 범위 내이며, 보다 바람직하게는, 0.24N/20㎜ 이상 0.40N/20㎜ 이하의 범위 내이다.
<박리력 B의 측정 조건>
T형 박리 시험
박리 속도 300㎜/분
상기 박리력 B가, 상기 박리력 B의 측정 조건 하에서, 0.15N/20㎜ 이상 0.5N/20㎜ 이하의 범위 내이기 때문에, 쿨 익스팬드 공정에 있어서 다이 본드 필름(3)이 다이싱 시트(11)로부터 들뜨는 것을 억제할 수 있다.
상기 박리력 B는, 상기 박리력 A보다도 큰 것이 바람직하다. 상기 박리력 B가, 상기 박리력 A보다도 크면, 쿨 익스팬드 공정에 있어서 다이 본드 필름(3)이 다이싱 시트(11)로부터 들뜨는 것을 보다 억제할 수 있고, 또한, 픽업 공정에 있어서 다이싱 시트(11)로부터 다이 본드 필름(3) 구비 반도체 칩(5)을 보다 바람직하게 박리하는 것이 가능해진다.
상기 박리력 A와 상기 박리력 B의 차[(박리력 B)-(박리력 A)]는, 바람직하게는 0.03N/20㎜ 이상이며, 보다 바람직하게는, 0.05N/20㎜ 이상이다. 또한, 상기 차[(박리력 B)-(박리력 A)]는 큰 편이 바람직한데, 예를 들어, 0.5N/20㎜ 이하이다.
상기 박리력 A, 및 상기 박리력 B의 보다 상세한 측정 방법은, 실시예에 기재된 방법에 의한다.
(다이 본드 필름)
다이 본드 필름(3)의 유리 전이 온도(Tg)는 50℃ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는, 40℃ 이하이다. 다이 본드 필름(3)의 유리 전이 온도(Tg)가 50℃ 이하이면, 상온과 저온의 박리력의 차를 효과적으로 낼 수 있다. 또한, 다이 본드 필름(3)의 유리 전이 온도(Tg)는 낮을수록 바람직한데, 픽업성의 관점에서, 예를 들어, 0℃ 이상이다.
상기 유리 전이 온도(Tg)의 보다 상세한 측정 방법은, 실시예에 기재된 방법에 의한다.
다이 본드 필름(3)의 23℃에서의 인장 저장 탄성률 A는, 바람직하게는, 5MPa 이상 3000MPa 이하이고, 보다 바람직하게는, 10MPa 이상 1000MPa 이하이다. 상기 인장 저장 탄성률 A가 5MPa 이상이면 픽업 공정에 있어서 보다 바람직하게 픽업할 수 있다. 한편, 상기 인장 저장 탄성률 A가 3000MPa 이하이면, 쿨 익스팬드 공정 후, 픽업 공정까지의 사이에, 다이 본드 필름(3)이 다이싱 시트(11)로부터 박리되는 것을 방지할 수 있다.
다이 본드 필름(3)의 -15℃에서의 인장 저장 탄성률 B는, 바람직하게는, 1GPa 이상 10GPa 이하이고, 보다 바람직하게는, 2GPa 이상 5GPa 이하이다. 상기 인장 저장 탄성률 B가 1GPa 이상이면 다이 본드 필름(3)은 쿨 익스팬드 공정에 있어서 바람직하게 파단된다. 한편, 상기 인장 저장 탄성률 B가 10GPa 이하이면, 쿨 익스팬드 공정에 있어서 다이 본드 필름(3)이 다이싱 시트(11)로부터 들뜨는 것을 바람직하게 억제할 수 있다.
상기 인장 저장 탄성률 A와 상기 인장 저장 탄성률 B의 비[(인장 저장 탄성률 B)/(인장 저장 탄성률 A)]는, 바람직하게는, 2 이상이며, 보다 바람직하게는 30 이상이다. 상기 비[(인장 저장 탄성률 B)/(인장 저장 탄성률 A)]가 2 이상이면 쿨 익스팬드 공정에 있어서 다이 본드 필름(3)이 다이싱 시트(11)로부터 들뜨는 것을 보다 억제할 수 있고, 또한, 픽업 공정에 있어서 다이싱 시트(11)로부터 다이 본드 필름(3) 구비 반도체 칩(5)을 보다 바람직하게 박리하는 것이 가능해진다. 또한, 상기 비[(인장 저장 탄성률 B)/(인장 저장 탄성률 A)]는 클수록 바람직하지만, 할단성과 픽업성의 밸런스의 관점에서, 예를 들어, 300 이하이다.
상기 인장 저장 탄성률 A, 및 상기 인장 저장 탄성률 B의 보다 상세한 측정 방법은, 실시예에 기재된 방법에 의한다.
다이 본드 필름(3)의 층 구성은, 도 1에 도시한 바와 같이, 단층의 접착제층을 포함하는 것을 들 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 단층이란, 동일한 조성을 포함하는 층을 말하며, 동일한 조성을 포함하는 층을 복수 적층한 것을 포함한다.
단, 본 발명에 있어서의 다이 본드 필름은, 이 예에 한정되지 않는다. 예를 들어, 조성이 서로 다른 2종류 이상의 접착제층을 적층한 다층 구조여도 된다.
다이 본드 필름(3)을 구성하는 재료로서는, 열경화성 수지를 들 수 있다. 또한, 열가소성 수지와 열경화성 수지를 병용해도 된다.
상기 열경화성 수지로서는, 페놀 수지, 아미노 수지, 불포화 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 폴리우레탄 수지, 실리콘 수지, 열경화성 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이 수지는, 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 특히, 반도체 소자를 부식시키는 이온성 불순물 등의 함유가 적은 에폭시 수지가 바람직하다. 또한, 에폭시 수지의 경화제로서는 페놀 수지가 바람직하다.
상기 에폭시 수지는, 접착제 조성물로서 일반적으로 사용되는 것이기만 하면 특별히 한정은 없고, 예를 들어 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화비스페놀 A형, 수소 첨가 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 비페닐형, 나프탈렌형, 플루올렌형, 페놀노볼락형, 오르토크레졸노볼락형, 트리스히드록시페닐메탄형, 테트라페닐올에탄형 등의 2관능 에폭시 수지나 다관능 에폭시 수지, 히단토인형, 트리스글리시딜이소시아누레이트형, 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 사용된다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 에폭시 수지 중 노볼락형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스히드록시페닐메탄형 수지, 테트라페닐올에탄형 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 이들 에폭시 수지는, 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 많고, 내열성 등이 우수하기 때문이다.
상기 페놀 수지는, 상기 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이며, 예를 들어, 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지, 크레졸노볼락 수지, tert-부틸페놀노볼락 수지, 노닐페놀노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스티렌 등의 폴리옥시스티렌 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이 페놀 수지 중 페놀노볼락 수지, 페놀아르알킬 수지가 특히 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.
상기 에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예를 들어, 상기 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 수산기가 0.5 내지 2.0당량이 되도록 배합하는 것이 바람직하다. 보다 바람직한 것은, 0.8 내지 1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않아, 에폭시 수지 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.
상기 열가소성 수지로서는, 천연 고무, 부틸 고무, 이소프렌 고무, 클로로프렌 고무, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 에틸렌-아크릴산에스테르 공중합체, 폴리부타디엔 수지, 폴리카르보네이트 수지, 열가소성 폴리이미드 수지, 6-나일론이나 6,6-나일론 등의 폴리아미드 수지, 페녹시 수지, 아크릴 수지, PET나 PBT 등의 포화 폴리에스테르 수지, 폴리아미드이미드 수지, 또는 불소 수지 등을 들 수 있다. 이들 열가소성 수지는 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 이들 열가소성 수지 중, 이온성 불순물이 적고 내열성이 높아, 반도체 소자의 신뢰성을 확보할 수 있는 아크릴 수지가 특히 바람직하다.
상기 아크릴 수지로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 탄소수 30 이하, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄 또는 분지의 알킬기를 갖는 아크릴산 또는 메타크릴산의 에스테르 1종 또는 2종 이상을 성분으로 하는 중합체(아크릴 공중합체) 등을 들 수 있다. 상기 알킬기로서는, 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, t-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, 헥실기, 헵틸기, 시클로헥실기, 2-에틸헥실기, 옥틸기, 이소옥틸기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 이소데실기, 운데실기, 라우릴기, 트리데실기, 테트라데실기, 스테아릴기, 옥타데실기, 또는 도데실기 등을 들 수 있다.
상기 아크릴 수지 중에서도 응집력 향상의 이유로, 아크릴 공중합체가 특히 바람직하다. 상기 아크릴 공중합체로서는, 예를 들어, 아크릴산에틸과 메틸메타크릴레이트의 공중합체, 아크릴산과 아크릴로니트릴의 공중합체, 아크릴산부틸과 아크릴로니트릴의 공중합체를 들 수 있다.
또한, 상기 중합체를 형성하는 다른 모노머로서는, 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸아크릴레이트, 카르복시펜틸아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산 또는 크로톤산 등과 같은 카르복실기 함유 모노머, 무수 말레산 또는 무수 이타콘산 등과 같은 산 무수물 모노머, (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴 또는 (4-히드록시메틸시클로헥실)-메틸아크릴레이트 등과 같은 히드록실기 함유 모노머, 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트 또는 (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등과 같은 술폰산기 함유 모노머, 또는 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등과 같은 인산기 함유 모노머를 들 수 있다.
상기 열경화성 수지의 배합 비율로서는, 소정 조건 하에서 가열했을 때에 다이 본드 필름(3)이 열경화형으로서의 기능을 발휘하는 정도라면 특별히 한정되지 않지만, 다이 본드 필름(3) 전체에 대하여 5 내지 60중량％의 범위 내인 것이 바람직하고, 10 내지 50중량％의 범위 내인 것이 보다 바람직하다.
다이 본드 필름(3)은 그 중에서도, 23℃에서 액상의 에폭시 수지와, 23℃에서 액상의 페놀 수지와, 유리 전이 온도(Tg)가 50℃ 이하인 아크릴 수지를 포함하고, 이 합계 함유량이, 다이 본드 필름(3) 전체에 대하여 20중량％ 이상 포함되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 저온에서의 다이싱 시트(11)와 다이 본드 필름(3)의 박리력을 높일 수 있다.
또한, 23℃에서 액상이란, 23℃에서의 점도가 5000Pa·s 미만인 것을 말한다. 상기 점도는, Thermo Scientific사 제조의 형식 번호 HAAKE RotoVISCO1을 사용하여 측정한 값을 말한다.
본 발명의 다이 본드 필름(3)을 미리 어느 정도 가교를 시켜 둔 경우에는, 제작 시에, 중합체의 분자쇄 말단의 관능기 등과 반응하는 다관능성 화합물을 가교제로서 첨가시켜 둘 수 있다. 이에 의해, 고온 하에서의 접착 특성을 향상시켜, 내열성의 개선을 도모할 수 있다.
상기 가교제로서는, 종래 공지된 것을 채용할 수 있다. 특히, 톨릴렌디이소시아네이트, 디페닐메탄디이소시아네이트, p-페닐렌디이소시아네이트, 1,5-나프탈렌디이소시아네이트, 다가 알코올과 디이소시아네이트의 부가물 등의 폴리이소시아네이트 화합물이 보다 바람직하다. 가교제의 첨가량으로서는, 상기한 중합체 100중량부에 대하여 통상 0.05 내지 7중량부로 하는 것이 바람직하다. 가교제의 양이 7중량부보다 많으면, 접착력이 저하되므로 바람직하지 않다. 그 한편, 0.05중량부보다 적으면 응집력이 부족하므로 바람직하지 않다. 또한, 이와 같은 폴리이소시아네이트 화합물과 함께, 필요에 따라, 에폭시 수지 등의 다른 다관능성 화합물을 함께 포함시키도록 해도 된다.
또한, 다이 본드 필름(3)에는, 그 용도에 따라서 필러를 적절히 배합할 수 있다. 필러의 배합은, 도전성의 부여나 열전도성의 향상, 탄성률의 조절 등을 가능하게 한다. 상기 필러로서는, 무기 필러, 및 유기 필러를 들 수 있는데, 취급성의 향상, 열전도성의 향상, 용융 점도의 조정, 틱소트로픽성 부여 등의 특성의 관점에서, 무기 필러가 바람직하다. 상기 무기 필러로서는, 특별히 제한은 없고, 예를 들어, 수산화알루미늄, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 탄산마그네슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 산화칼슘, 산화마그네슘, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 붕산알루미늄 위스커, 질화붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 열전도성 향상의 관점에서는, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 질화붕소, 결정질 실리카, 비정질 실리카가 바람직하다. 또한, 상기 각 특성의 밸런스가 좋다는 관점에서는, 결정질 실리카, 또는, 비정질 실리카가 바람직하다. 또한, 도전성의 부여, 열전도성의 향상 등의 목적으로, 무기 필러로서, 도전성 물질(도전 필러)을 사용하는 것으로 해도 된다. 도전 필러로서는, 은, 알루미늄, 금, 동, 니켈, 도전성 합금 등을 구형, 바늘형, 플레이크형으로 한 금속 분말, 알루미나 등의 금속 산화물, 아몰퍼스 카본 블랙, 그래파이트 등을 들 수 있다.
상기 필러의 평균 입경은, 0.005 내지 10㎛인 것이 바람직하고, 0.005 내지 1㎛인 것이 보다 바람직하다. 상기 필러의 평균 입경을 0.005㎛ 이상으로 함으로써, 피착체에 대한 습윤성, 및 접착성을 양호하게 할 수 있기 때문이다. 또한, 10㎛ 이하로 함으로써, 상기 각 특성의 부여를 위하여 첨가한 필러의 효과를 충분한 것으로 할 수 있음과 함께, 내열성을 확보할 수 있다. 또한, 필러의 평균 입경은, 예를 들어, 광도식의 입도 분포계(HORIBA 제조, 장치명; LA-910)에 의해 구한 값이다.
또한, 다이 본드 필름(3)에는, 상기 필러 이외에, 필요에 따라 다른 첨가제를 적절하게 배합할 수 있다. 다른 첨가제로서는, 예를 들어 난연제, 실란 커플링제 또는 이온 트랩제 등을 들 수 있다. 상기 난연제로서는, 예를 들어, 삼산화안티몬, 오산화안티몬, 브롬화에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로, 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 상기 실란 커플링제로서는, 예를 들어, β-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다. 이들 화합물은, 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다. 상기 이온 트랩제로서는, 예를 들어 히드로탈사이트류, 수산화 비스무트 등을 들 수 있다. 이들은, 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.
다이 본드 필름(3)의 두께(적층체의 경우에는, 총 두께)는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 1 내지 200㎛의 범위로부터 선택할 수 있고, 바람직하게는 5 내지 100㎛, 보다 바람직하게는 10 내지 80㎛이다.
(다이싱 시트)
본 실시 형태에 따른 다이싱 시트(11)는 기재(1) 상에 점착제층(2)이 적층된 구성을 갖는다. 단, 본 발명에 있어서의 다이싱 시트는, 쿨 익스팬드 공정에 있어서 다이 본드 필름(3)을 파단하여 개편화할 때에 다이 본드 필름(3)을 고정할 수 있다면, 이 예에 한정되지 않는다. 예를 들어, 기재와 점착제층 사이에 다른층이 존재하고 있어도 된다.
(기재)
기재(1)는 자외선 투과성을 갖는 것이 바람직하고, 다이싱 다이 본드 필름(10)의 강도 모체로 되는 것이다. 예를 들어, 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모폴리프로필렌, 폴리부텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산비닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산에스테르(랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리이미드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리이미드, 폴리에테르이미드, 폴리아미드, 전체 방향족 폴리아미드, 폴리페닐술피드, 아라미드(종이), 유리, 유리 클로쓰, 불소 수지, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 셀룰로오스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다.
또한 기재(1)의 재료로서는, 상기 수지의 가교체 등의 폴리머를 들 수 있다. 상기 플라스틱 필름은, 비연신으로 사용해도 되고, 필요에 따라 1축 또는 2축의 연신 처리를 실시한 것을 사용해도 된다. 연신 처리 등에 의해 열수축성을 부여한 수지 시트에 의하면, 쿨 익스팬드 후에, 기재(1)의 반도체 웨이퍼의 외주 부분을 열 수축시키는(히트 익스팬드하는) 것에 의해, 다이 본드 필름(3) 구비 반도체 칩(5)끼리의 간격을 벌려서, 반도체 칩(5)의 회수 용이화를 도모할 수 있다.
기재(1)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 보유 지지성 등을 높이기 위해서, 관용의 표면 처리, 예를 들어, 크롬산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(예를 들어, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다. 기재(1)는 동종 또는 이종의 것을 적절하게 선택하여 사용할 수 있고, 필요에 따라 수종을 블렌드한 것을 사용할 수 있다. 또한, 기재(1)에는, 대전 방지능을 부여하기 위해서, 기재(1) 상에 금속, 합금, 이들의 산화물 등을 포함하는 두께가 30 내지 500Å 정도인 도전성 물질의 증착 층을 형성할 수 있다. 기재(1)는 단층 또는 2종 이상의 복층이어도 된다.
기재(1)는 -15℃, 신도 100％에서의 인장 강도가, 바람직하게는 10N/10㎜ 이상이며, 보다 바람직하게는 12N/10㎜ 이상이다. 기재(1)의 -15℃, 신도 100％에서의 인장 강도가 10N/10㎜ 이상이면 할단의 힘이 웨이퍼 부분에 효과적으로 전달되어, 균일한 할단이 달성된다.
기재(1)의 두께는, 특별히 제한되지 않고 적절하게 결정할 수 있지만, 일반적으로는 5 내지 200㎛ 정도이다.
(점착제층)
점착제층(2)의 23℃에서의 인장 저장 탄성률 A는, 바람직하게는, 1MPa 이상 100MPa 이하이고, 보다 바람직하게는, 2MPa 이상 30MPa 이하이다. 상기 인장 저장 탄성률 A가 1MPa 이상이면 픽업 공정에 있어서 다이 본드 필름(3) 구비 칩을 보다 바람직하게 픽업할 수 있다. 한편, 상기 인장 저장 탄성률 A가 100MPa 이하이면, 쿨 익스팬드 공정 후, 픽업 공정까지의 사이에, 다이 본드 필름(3)이 다이싱 시트(11)로부터 박리되는 것을 방지할 수 있다.
점착제층(2)의 -15℃에서의 인장 저장 탄성률 B는, 바람직하게는, 5MPa 이상 500MPa 이하이고, 보다 바람직하게는, 10MPa 이상 200MPa 이하이다. 상기 인장 저장 탄성률 B가, 5MPa 이상이면 할단 시에 할단의 힘을 접착 필름에 효율적으로 전할 수 있다. 한편, 상기 인장 저장 탄성률 B가 500MPa 이하이면, 쿨 익스팬드 공정에 있어서 다이 본드 필름(3)이 다이싱 시트(11)로부터 들뜨는 것을 바람직하게 억제할 수 있다.
상기 인장 저장 탄성률 A와 상기 인장 저장 탄성률 B의 비[(인장 저장 탄성률 B)/(인장 저장 탄성률 A)]는, 바람직하게는, 2 이상이며, 보다 바람직하게는 4 이상이다. 상기 비[(인장 저장 탄성률 B)/(인장 저장 탄성률 A)]가, 2 이상이면 쿨 익스팬드 공정에 있어서 다이 본드 필름(3)이 다이싱 시트(11)로부터 들뜨는 것을 보다 억제할 수 있고, 또한, 픽업 공정에 있어서 다이싱 시트(11)로부터 다이 본드 필름(3) 구비 반도체 칩(5)을 보다 바람직하게 박리하는 것이 가능해진다. 또한, 상기 비[(인장 저장 탄성률 B)/(인장 저장 탄성률 A)]는 클수록 바람직하지만, 픽업과 할단성의 밸런스의 관점에서, 예를 들어, 100 이하이다.
상기 인장 저장 탄성률 A, 및 상기 인장 저장 탄성률 B의 보다 상세한 측정 방법은, 실시예에 기재된 방법에 의한다.
점착제층(2)의 형성에 사용하는 점착제로서는 특별히 제한되지 않고, 예를 들어, 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제를 사용할 수 있다. 상기 감압성 점착제로서는, 반도체 웨이퍼나 유리 등의 오염을 싫어하는 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 폴리머를 베이스 중합체로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.
상기 아크릴계 폴리머로서는, 예를 들어, (메트)아크릴산알킬에스테르(예를 들어, 메틸에스테르, 에틸에스테르, 프로필에스테르, 이소프로필에스테르, 부틸에스테르, 이소부틸에스테르, s-부틸에스테르, t-부틸에스테르, 펜틸에스테르, 이소펜틸에스테르, 헥실에스테르, 헵틸에스테르, 옥틸에스테르, 2-에틸헥실에스테르, 이소옥틸에스테르, 노닐에스테르, 데실에스테르, 이소데실에스테르, 운데실에스테르, 도데실에스테르, 트리데실에스테르, 테트라데실에스테르, 헥사데실에스테르, 옥타데실에스테르, 에이코실에스테르 등의 알킬기의 탄소수 1 내지 30, 특히 탄소수 4 내지 18의 직쇄상 또는 분지쇄상의 알킬에스테르 등) 및 (메트)아크릴산 시클로알킬에스테르(예를 들어, 시클로펜틸에스테르, 시클로헥실에스테르 등)의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 사용한 아크릴계 폴리머 등을 들 수 있다. 또한, (메트)아크릴산에스테르란 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르를 말하며, 본 발명의 (메트)는 모두 마찬가지의 의미이다.
상기 아크릴계 폴리머는, 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라, 상기 (메트)아크릴산알킬에스테르 또는 시클로알킬에스테르와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 모노머 성분으로서, 예를 들어, 아크릴산, 메타크릴산, 카르복시에틸(메트)아크릴레이트, 카르복시펜틸(메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카르복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 모노머; (메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산4-히드록시부틸, (메트)아크릴산6-히드록시헥실, (메트)아크릴산8-히드록시옥틸, (메트)아크릴산10-히드록시데실, (메트)아크릴산12-히드록시라우릴, (4-히드록시메틸시클로헥실)메틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록실기 함유 모노머; 스티렌술폰산, 알릴술폰산, 2-(메트)아크릴아미드-2-메틸프로판술폰산, (메트)아크릴아미도프로판술폰산, 술포프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌술폰산 등의 술폰산기 함유 모노머; 2-히드록시에틸아크릴로일포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; 아크릴아미드, 아크릴로니트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머 성분은, 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머의 사용량은, 전체 단량체 성분의 40중량％ 이하가 바람직하다.
또한, 상기 아크릴계 폴리머는, 가교시키기 위해서, 다관능성 모노머 등도, 필요에 따라 공중합용 모노머 성분으로서 포함할 수 있다. 이와 같은 다관능성 모노머로서, 예를 들어, 헥산디올디(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜디(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜디(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜디(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨디(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다관능성 모노머도 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 다관능성 모노머의 사용량은, 점착 특성 등의 점에서, 전체 단량체 성분의 30중량％ 이하가 바람직하다.
상기 아크릴계 폴리머는, 단일 모노머 또는 2종 이상의 모노머 혼합물을 중합에 부쳐서 얻어진다. 중합은, 용액 중합, 유화 중합, 괴상 중합, 현탁 중합 등 중에서 어느 방식으로도 행할 수 있다. 청정한 피착체에 대한 오염 방지 등의 점에서, 저분자량 물질의 함유량이 작은 것이 바람직하다. 이 점으로부터, 아크릴계 폴리머의 수 평균 분자량은, 바람직하게는 30만 이상, 더욱 바람직하게는 40만 내지 300만 정도이다.
또한, 상기 점착제에는, 베이스 중합체인 아크릴계 폴리머 등의 수 평균 분자량을 높이기 위해서, 외부 가교제를 적절하게 채용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 폴리이소시아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 소위 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그 사용량은, 가교해야 할 베이스 중합체와의 밸런스에 따라, 나아가, 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절히 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 중합체 100중량부에 대하여 5중량부 정도 이하, 또한 0.1 내지 5중량부 배합하는 것이 바람직하다. 또한, 점착제에는, 필요에 따라, 상기 성분 외에, 종래 공지된 각종 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제를 사용해도 된다.
점착제층(2)은 방사선 경화형 점착제에 의해 형성해도 된다. 다이 본드 필름(3)이 접합된 상태에서 자외선을 조사하면, 다이 본드 필름(3)과의 사이에서 앵커 효과를 발생시킬 수 있다. 이에 의해, 저온(예를 들어, -15℃)에서의 점착제층(2)과 다이 본드 필름(3)의 밀착성을 향상시킬 수 있다.
또한, 앵커 효과에 의한 밀착성은, 저온일수록 높아진다. 상온(예를 들어, 23℃)에서도, 앵커 효과는 있지만, 상온에서는, 저온 시와 비교하여 앵커 효과에 의한 밀착성은 발휘되지 않는다. 그 결과, 바람직하게 박리력 B를 높이면서, 박리력 A를 낮게 하는 것이 가능해진다.
방사선 경화형 점착제는, 탄소-탄소 이중 결합 등의 방사선 경화성의 관능기를 갖거나, 또한 점착성을 나타내는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어, 상기 아크릴계 점착제, 고무계 점착제 등의 일반적인 감압성 점착제에, 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 방사선 경화형 점착제를 예시할 수 있다.
배합하는 방사선 경화성의 모노머 성분으로서는, 예를 들어, 우레탄올리고머, 우레탄(메트)아크릴레이트, 트리메틸올프로판트리(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메탄테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨트리(메트)아크릴레이트, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨모노히드록시펜타(메트)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-부탄디올디(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 또한 방사선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에테르계, 폴리에스테르계, 폴리카르보네이트계, 폴리부타디엔계 등 여러가지의 올리고머를 들 수 있어, 그 분자량이 100 내지 30000 정도의 범위의 것이 적당하다. 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라, 점착제층의 점착력을 저하할 수 있는 양을 적절하게 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여 예를 들어 5 내지 500중량부, 바람직하게는 40 내지 150중량부 정도이다.
또한, 방사선 경화형 점착제로서는, 상기 설명한 첨가형의 방사선 경화형 점착제 외에, 베이스 중합체로서, 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄 또는 주쇄 중 또는 주쇄 말단에 갖는 것을 사용한 내재형의 방사선 경화형 점착제를 들 수 있다. 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없고, 또는 대부분은 포함하지 않기 때문에, 경시적으로 올리고머 성분 등이 점착제 재중에서 이동하지 않고, 안정된 층구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.
상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별히 제한없이 사용할 수 있다. 이와 같은 베이스 중합체로서는, 아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 폴리머의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 폴리머를 들 수 있다.
상기 아크릴계 폴리머에의 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은 특별히 제한되지 않고, 여러가지 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합은 폴리머 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계의 점에서 용이하다. 예를 들어, 미리, 아크릴계 폴리머에 관능기를 갖는 모노머를 공중합한 후, 이 관능기와 반응할 수 있는 관능기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성을 유지한 채 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.
이들 관능기의 조합의 예로서는, 카르복실산기와 에폭시기, 카르복실산기와 아지리딜기, 히드록실기와 이소시아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 관능기의 조합 중에서도 반응 추적의 용이함 때문에, 히드록실기와 이소시아네이트기의 조합이 바람직하다. 또한, 이들 관능기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머를 생성하는 조합이라면, 관능기는 아크릴계 폴리머와 상기 화합물 중 어느 측에 있어도 되지만, 상기 바람직한 조합에서는, 아크릴계 폴리머가 히드록실기를 갖고, 상기 화합물이 이소시아네이트기를 갖는 경우가 바람직하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 이소시아네이트 화합물로서는, 예를 들어, 메타크릴로일이소시아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트, m-이소프로페닐-α,α-디메틸벤질이소시아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 폴리머로서는, 상기 예시된 히드록시기 함유 모노머나 2-히드록시에틸비닐에테르, 4-히드록시부틸비닐에테르, 디에틸렌글리콜모노비닐에테르의 에테르계 화합물 등을 공중합한 것이 사용된다.
상기 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 중합체(특히 아크릴계 폴리머)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분을 배합할 수도 있다. 방사선 경화성의 올리고머 성분 등은, 통상 베이스 중합체 100중량부에 대하여 30중량부의 범위 내이며, 바람직하게는 0 내지 10중량부의 범위이다.
상기 방사선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시킨 경우에는 광중합 개시제를 함유시킨다. 광중합 개시제로서는, 예를 들어, 4-(2-히드록시에톡시)페닐(2-히드록시-2-프로필)케톤, α-히드록시-α,α'-디메틸아세토페논, 2-메틸-2-히드록시프로피오페논, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤 등의 α-케톨계 화합물; 메톡시아세토페논, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2,2-디에톡시아세토페논, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1 등의 아세토페논계 화합물; 벤조인에틸에테르, 벤조인이소프로필에테르, 아니소인메틸에테르 등의 벤조인에테르계 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 케탈계 화합물; 2-나프탈렌술포닐클로라이드 등의 방향족 술포닐클로라이드계 화합물; 1-페논-1,1-프로판디온-2-(o-에톡시카르보닐)옥심 등의 광활성 옥심계 화합물; 벤조페논, 벤조일벤조산, 3,3'-디메틸-4-메톡시벤조페논 등의 벤조페논계 화합물; 티오크산톤, 2-클로로티오크산톤, 2-메틸티오크산톤, 2,4-디메틸티오크산톤, 이소프로필티오크산톤, 2,4-디클로로티오크산톤, 2,4-디에틸티오크산톤, 2,4-디이소프로필티오크산톤 등의 티오크산톤계 화합물; 캄포퀴논; 할로겐화케톤; 아실포스핀옥시드; 아실포스포네이트 등을 들 수 있다. 광중합 개시제의 배합량은, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 중합체 100중량부에 대하여 예를 들어 0.05 내지 20중량부 정도이다.
또한 방사선 경화형 점착제로서는, 예를 들어, 일본 특허 공개 소60-196956호 공보에 개시되어 있는, 불포화 결합을 2개 이상 갖는 부가 중합성 화합물, 에폭시기를 갖는 알콕시실란 등의 광중합성 화합물과, 카르보닐 화합물, 유기 황 화합물, 과산화물, 아민, 오늄염계 화합물 등의 광중합 개시제를 함유하는 고무계 점착제나 아크릴계 점착제 등을 들 수 있다.
점착제층(2)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 칩 절단면의 절결 방지나 다이 본드 필름(3)의 고정 보유 지지의 양립성 등의 점에서, 1 내지 50㎛ 정도가 바람직하고, 보다 바람직하게는 2 내지 30㎛, 더욱 바람직하게는 5 내지 25㎛이다.
상기 다이싱 다이 본드 필름(10)의 다이 본드 필름(3)은 세퍼레이터에 의해 보호되어 있는 것이 바람직하다(도시하지 않음). 세퍼레이터는, 실용에 제공할 때까지 다이 본드 필름(3)을 보호하는 보호재로서의 기능을 갖고 있다. 또한, 세퍼레이터는, 또한, 점착제층(2)에 다이 본드 필름(3)을 전사할 때의 지지 기재로서 사용할 수 있다. 세퍼레이터는 다이싱 다이 본드 필름의 다이 본드 필름(3) 상에 워크를 부착할 때에 박리된다. 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등도 사용 가능하다.
본 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름(10)은 예를 들어, 다음과 같이 하여 제작된다.
우선, 기재(1)는 종래 공지된 제막 방법에 의해 제막할 수 있다. 당해 제막 방법으로서는, 예를 들어 캘린더 제막법, 유기 용매 중에서의 캐스팅법, 밀폐계에서의 인플레이션 압출법, T다이 압출법, 공압출법, 드라이 라미네이트법 등을 예시할 수 있다.
이어서, 기재(1) 상에 점착제 조성물 용액을 도포하여 도포막을 형성한 후, 그 도포막을 소정 조건 하에서 건조시켜(필요에 따라 가열 가교시켜), 전구층을 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예를 들어 건조 온도 80 내지 150℃, 건조 시간 0.5 내지 5분간의 범위 내에서 행하여진다. 또한, 세퍼레이터 상에 점착제 조성물을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건에서 도포막을 건조시켜서 상기 전구층을 형성해도 된다. 그 후, 기재(1) 상에 상기 전구층을 세퍼레이터와 함께 접합한다. 이에 의해, 다이싱 시트 전구체가 제작된다.
다이 본드 필름(3)은 예를 들어, 다음과 같이 하여 제작된다.
먼저, 다이 본드 필름(3)의 형성 재료인 접착제 조성물 용액을 제작한다. 당해 접착제 조성물 용액에는, 전술한 바와 같이, 상기 접착제 조성물이나 필러, 기타 각종 첨가제 등이 배합되어 있다.
이어서, 접착제 조성물 용액을 기재 세퍼레이터 상에 소정 두께로 되도록 도포하여 도포막을 형성한 후, 그 도포막을 소정 조건 하에서 건조시켜, 다이 본드 필름(3)을 형성한다. 도포 방법으로서는 특별히 한정되지 않고 예를 들어, 롤 도포 시공, 스크린 도포 시공, 그라비아 도포 시공 등을 들 수 있다. 또한, 건조 조건으로서는, 예를 들어 건조 온도 70 내지 160℃, 건조 시간 1 내지 5분간의 범위 내에서 행하여진다. 또한, 세퍼레이터 상에 점착제 조성물 용액을 도포하여 도포막을 형성한 후, 상기 건조 조건에서 도포막을 건조시켜서 다이 본드 필름(3)을 형성해도 된다. 그 후, 기재 세퍼레이터 상에 다이 본드 필름(3)을 세퍼레이터와 함께 접합한다.
계속해서, 상기 다이싱 시트 전구체 및 다이 본드 필름(3)으로부터 각각 세퍼레이터를 박리하고, 다이 본드 필름(3)과 점착제층이 접합면이 되도록 하여 양자를 접합한다. 접합은, 예를 들어 압착에 의해 행할 수 있다. 이때, 라미네이트 온도는 특별히 한정되지 않고 예를 들어 30 내지 50℃가 바람직하고, 35 내지 45℃가 보다 바람직하다. 또한, 선압은 특별히 한정되지 않고 예를 들어 0.1 내지 20kgf/cm가 바람직하고, 1 내지 10kgf/cm가 보다 바람직하다. 그 후, 기재(1)측으로부터 자외선을 조사해도 된다. 자외선의 조사량으로서는, 상기 박리력 A 및 상기 박리력 B가 상기 수치 범위 내로 되는 양이 바람직하다. 구체적인 자외선의 조사량은, 점착제층의 조성이나 두께 등에 따라서 상이한데, 예를 들어, 50mJ 내지 500mJ가 바람직하고, 100mJ 내지 300mJ가 보다 바람직하다. 이상에 의해, 본 실시 형태에 따른 다이싱 다이 본드 필름이 얻어진다.
(반도체 장치의 제조 방법)
이어서, 도 2 내지 도 7을 참조하면서 다이싱 다이 본드 필름(10)을 사용한 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 설명한다. 도 2 내지 도 5는, 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 일 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다. 먼저, 반도체 웨이퍼(4)의 분할 예정 라인(4L)에 레이저광을 조사하여 분할 예정 라인(4L) 상에 개질 영역을 형성한다. 본 방법은, 반도체 웨이퍼의 내부에 집광점을 맞추고, 격자형의 분할 예정 라인을 따라서 레이저광을 조사하고, 다광자 흡수에 의한 어블레이션에 의해 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하는 방법이다. 레이저광 조사 조건으로서는, 이하의 조건의 범위 내에서 적절히 조정하면 된다.
<레이저광 조사 조건>
(A) 레이저광
레이저광원 반도체 레이저 여기 Nd:YAG 레이저
파장 1064㎚
레이저광 스폿 단면적 3.14×10-8㎠
발진 형태 Q 스위치 펄스
반복 주파수 100kHz 이하
펄스폭 1μs 이하
출력 1mJ 이하
레이저광 품질 TEM00
편광 특성 직선 편광
(B) 집광용 렌즈
배율 100배 이하
NA 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 100％ 이하
(C) 반도체 기판이 적재되는 적재대의 이동 속도 280㎜/초 이하
또한, 레이저광을 조사하여 분할 예정 라인(4L) 상에 개질 영역을 형성하는 방법에 대해서는, 일본 특허 제3408805호 공보나, 일본 특허 공개 제2003-338567호 공보에 상세하게 설명되어 있으므로, 여기에서의 상세한 설명은 생략하기로 한다.
이어서, 도 3에 도시한 바와 같이, 다이 본드 필름(3) 상에 개질 영역 형성 후의 반도체 웨이퍼(4)를 압착하고, 이것을 접착 보유 지지시켜서 고정한다(마운트 공정). 본 공정은, 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 행한다. 마운트 시의 부착 온도는 특별히 한정되지 않지만, 40 내지 80℃의 범위 내인 것이 바람직하다. 반도체 웨이퍼(4)의 휨을 효과적으로 방지할 수 있음과 함께, 다이싱 다이 본드 필름의 신축 영향을 저감할 수 있기 때문이다.
이어서, 다이싱 다이 본드 필름(10)에 인장 장력을 가함으로써, 반도체 웨이퍼(4)와 다이 본드 필름(3)을 분할 예정 라인(4L)에서 파단하여, 반도체 칩(5)을 형성한다(쿨 익스팬드 공정). 본 공정에는, 예를 들어, 시판하고 있는 웨이퍼 확장 장치를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 도 4의 (a)에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(4)가 접합된 다이싱 다이 본드 필름(10)의 점착제층(2) 주변부에 다이싱 링(31)을 부착한 후, 웨이퍼 확장 장치(32)에 고정한다. 이어서, 도 4의 (b)에 도시한 바와 같이, 밀어올리기부(33)를 상승시켜서, 다이싱 다이 본드 필름(12)에 장력을 가한다.
상기 쿨 익스팬드 공정은, 0 내지 -15℃의 조건 하에서 실행되는 것이 바람직하고, -5 내지 -15℃의 조건 하에서 실행되는 것이 보다 바람직하다. 상기 쿨 익스팬드 공정이 0 내지 -15℃의 조건 하에서 실행되기 때문에, 바람직하게 다이 본드 필름(3)을 파단할 수 있다.
또한, 상기 쿨 익스팬드 공정에 있어서, 익스팬드 속도(밀어올리기부가 상승하는 속도)는 100 내지 400㎜/초인 것이 바람직하고, 100 내지 350㎜/초인 것이 보다 바람직하고, 100 내지 300㎜/초인 것이 더욱 바람직하다. 익스팬드 속도를 100㎜/초 이상으로 하면, 반도체 웨이퍼(4)와 다이 본드 필름(3)을 대략 동시에 용이하게 파단할 수 있다. 또한, 익스팬드 속도를 400㎜/초 이하로 하면, 다이싱 시트(11)가 파단되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 쿨 익스팬드 공정에 있어서, 익스팬드량은, 익스팬드량 4 내지 16㎜인 것이 바람직하다. 상기 익스팬드량은, 상기 수치 범위 내에 있어서, 형성되는 칩 사이즈에 따라서 적절히 조정할 수 있다. 익스팬드량을 4㎜ 이상으로 하면, 반도체 웨이퍼(4) 및 다이 본드 필름(3)의 파단을 보다 용이하게 할 수 있다. 또한, 익스팬드량을 16㎜ 이하로 하면, 다이싱 시트(11)가 파단되는 것을 보다 방지할 수 있다.
이와 같이, 다이싱 다이 본드 필름(10)에 인장 장력을 가함으로써, 반도체 웨이퍼(4)의 개질 영역을 기점으로 하여 반도체 웨이퍼(4)의 두께 방향으로 깨짐을 발생시킴과 함께, 반도체 웨이퍼(4)와 밀착하는 다이 본드 필름(3)을 파단시킬 수 있어, 다이 본드 필름(3) 구비 반도체 칩(5)을 얻을 수 있다.
이어서, 필요에 따라, 히트 익스팬드 공정을 행한다. 히트 익스팬드 공정에서는, 다이싱 시트(11)의 반도체 웨이퍼(4)가 부착되어 있는 부분보다도 외측을 가열하여 열 수축시킨다. 이에 의해, 반도체 칩(5)끼리의 간격을 넓힌다. 히트 익스팬드 공정에서의 조건은, 특별히 한정되지 않지만, 익스팬드량 4 내지 16㎜, 히트 온도 200 내지 260℃, 히트 거리 2 내지 30㎜, 로테이션 스피드 3°/sec 내지 10°/sec가 범위 내에서 하는 것이 바람직하다.
이어서, 필요에 따라, 클리닝 공정을 행한다. 클리닝 공정에서는, 다이 본드 필름(3) 구비 반도체 칩(5)이 고정된 상태의 다이싱 시트(11)를 스핀 코터에 세트한다. 이어서, 세정액을 반도체 칩(5)에 적하하면서 스핀 코터를 회전시킨다. 이에 의해, 반도체 칩(5)의 표면을 세정한다. 세정액으로서는, 예를 들어, 물을 들 수 있다. 스핀 코터의 회전 속도나 회전 시간은, 세정액의 종류 등에 따라서 상이하지만, 예를 들어, 회전 속도 400 내지 3000rpm, 회전 시간 1 내지 5분으로 할 수 있다.
이어서, 다이싱 다이 본드 필름(10)에 접착 고정된 반도체 칩(5)을 박리하기 위해서, 반도체 칩(5)의 픽업을 행한다(픽업 공정). 픽업의 방법으로서는 특별히 한정되지 않고 종래 공지된 다양한 방법을 채용할 수 있다. 예를 들어, 개개의 반도체 칩(5)을 다이싱 다이 본드 필름(10)측으로부터 니들에 의해 밀어올리고, 밀어올려진 반도체 칩(5)을 픽업 장치에 의해 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.
이어서, 도 5에 도시한 바와 같이, 픽업한 반도체 칩(5)을 다이 본드 필름(3)을 통하여 피착체(6)에 다이 본드한다(가고착 공정). 피착체(6)로서는, 리드 프레임, TAB 필름, 기판 또는 별도 제작한 반도체 칩 등을 들 수 있다. 피착체(6)는 예를 들어, 용이하게 변형되는 변형형 피착체여도 되고, 변형되는 것이 곤란한 비변형형 피착체(반도체 웨이퍼 등)여도 된다.
상기 기판으로서는, 종래 공지된 것을 사용할 수 있다. 또한, 상기 리드 프레임으로서는, Cu 리드 프레임, 42Alloy 리드 프레임 등의 금속 리드 프레임이나 유리 에폭시, BT(비스말레이미드-트리아진), 폴리이미드 등을 포함하는 유기 기판을 사용할 수 있다. 그러나, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니며, 반도체 소자를 접착 고정하고, 반도체 소자와 전기적으로 접속하여 사용 가능한 회로 기판도 포함된다.
다이 본드 필름(3)의 가고착 시에 있어서의 25℃에서의 전단 접착력은, 피착체(6)에 대하여 0.2MPa 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.2 내지 10MPa이다. 다이 본드 필름(3)의 전단 접착력이 적어도 0.2MPa 이상이면 와이어 본딩 공정 시에, 당해 공정에 있어서의 초음파 진동이나 가열에 의해, 다이 본드 필름(3)과 반도체 칩(5) 또는 피착체(6)의 접착면에서 전단 변형이 발생하는 경우가 적다. 즉, 와이어 본딩 시의 초음파 진동에 의해 반도체 소자가 움직이는 일이 적고, 이에 의해 와이어 본딩의 성공률이 저하되는 것을 방지한다. 또한, 다이 본드 필름(3)의 가고착 시에 있어서의 175℃에서의 전단 접착력은, 피착체(6)에 대하여 0.01MPa 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.01 내지 5MPa이다.
이어서, 피착체(6)의 단자부(이너 리드)의 선단과 반도체 칩(5) 상의 전극 패드(도시 생략)를 본딩와이어(7)로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩을 행한다(와이어 본딩 공정). 상기 본딩와이어(7)로서는, 예를 들어 금선, 알루미늄선 또는 구리선 등이 사용된다. 와이어 본딩을 행할 때의 온도는, 80 내지 250℃, 바람직하게는 80 내지 220℃의 범위 내에서 행하여진다. 또한, 그 가열 시간은 몇초 내지 몇분간 행하여진다. 결선은, 상기 온도 범위 내가 되도록 가열된 상태에서, 초음파에 의한 진동 에너지와 인가 가압에 의한 압착 에너지의 병용에 의해 행하여진다. 본 공정은, 다이 본드 필름(3)의 열경화를 행하지 않고 실행할 수 있다. 또한, 본 공정의 과정에서 다이 본드 필름(3)에 의해 반도체 칩(5)과 피착체(6)가 고착되는 일은 없다.
이어서, 밀봉 수지(8)에 의해 반도체 칩(5)을 밀봉한다(밀봉 공정). 본 공정은, 피착체(6)에 탑재된 반도체 칩(5)이나 본딩와이어(7)를 보호하기 위하여 행하여진다. 본 공정은, 밀봉용의 수지를 금형으로 성형함으로써 행한다. 밀봉 수지(8)로서는, 예를 들어 에폭시계의 수지를 사용한다. 수지 밀봉 시의 가열 온도는, 통상 175℃에서 60 내지 90초간 행하여지지만, 본 발명은 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 165 내지 185℃에서, 몇분간 큐어할 수 있다. 이에 의해, 밀봉 수지를 경화시킴과 함께, 다이 본드 필름(3)을 통하여 반도체 칩(5)과 피착체(6)를 고착시킨다. 즉, 본 발명에 있어서는, 후술하는 후경화 공정이 행해지지 않는 경우에 있어서도, 본 공정에 있어서 다이 본드 필름(3)에 의한 고착이 가능하고, 제조 공정수의 감소 및 반도체 장치의 제조 기간의 단축에 기여할 수 있다.
상기 후경화 공정에 있어서는, 상기 밀봉 공정에서 경화 부족의 밀봉 수지(8)를 완전히 경화시킨다. 밀봉 공정에 있어서 다이 본드 필름(3)이 완전히 열경화되지 않은 경우에도, 본 공정에 있어서 밀봉 수지(8)와 함께 다이 본드 필름(3)의 완전한 열경화가 가능해진다. 본 공정에 있어서의 가열 온도는, 밀봉 수지의 종류에 따라 상이한데, 예를 들어 165 내지 185℃의 범위 내이며, 가열 시간은 0.5 내지 8시간 정도이다.
상술한 실시 형태에서는, 다이 본드 필름(3) 구비 반도체 칩(5)을 피착체(6)에 가고착한 후, 다이 본드 필름(3)을 완전히 열경화시키지 않고 와이어 본딩 공정을 행하는 경우에 대하여 설명하였다. 그러나, 본 발명에 있어서는, 피착체(6)에, 다이 본드 필름(3) 구비 반도체 칩(5)을 가고착한 후, 다이 본드 필름(3)을 열경화시키고, 그 후, 와이어 본딩 공정을 행하는 통상의 다이 본드 공정을 행하는 것으로 해도 된다.
또한, 본 발명의 다이싱 다이 본드 필름은, 복수의 반도체 칩을 적층하여 3차원 실장을 한 경우에도 바람직하게 사용할 수 있다. 이때, 반도체 칩 사이에 다이 본드 필름과 스페이서를 적층시켜도 되고, 스페이서를 적층하지 않고, 다이 본드 필름만을 반도체 칩 사이에 적층시켜도 되고, 제조 조건이나 용도 등에 따라서 적절히 변경 가능하다.
이어서, 반도체 웨이퍼의 표면에 홈을 형성하고, 그 후, 이면 연삭을 행하는 공정을 채용한 반도체 장치의 제조 방법에 대하여 이하에 설명하기로 한다.
도 6, 도 7은, 본 실시 형태에 따른 반도체 장치의 다른 제조 방법을 설명하기 위한 단면 모식도이다. 먼저, 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 회전 블레이드(41)로 반도체 웨이퍼(4)의 표면(4F)에 이면(4R)까지 달하지 않은 홈(4S)을 형성한다. 또한, 홈(4S)의 형성 시에는, 반도체 웨이퍼(4)는 도시하지 않은 지지 기재로 지지된다. 홈(4S)의 깊이는, 반도체 웨이퍼(4)의 두께나 익스팬드의 조건에 따라서 적절히 설정 가능하다. 이어서, 도 6의 (b)에 도시한 바와 같이, 표면(4F)이 접촉하도록 반도체 웨이퍼(4)를 보호 기재(42)에 지지시킨다. 그 후, 연삭 숫돌(45)로 이면 연삭을 행하여, 이면(4R)으로부터 홈(4S)을 표출시킨다. 또한, 반도체 웨이퍼에 대한 보호 기재(42)의 부착은, 종래 공지된 부착 장치를 사용할 수 있고, 이면 연삭도, 종래 공지된 연삭 장치를 사용할 수 있다.
이어서, 도 7에 도시한 바와 같이, 다이싱 다이 본드 필름(10) 상에 홈(4S)이 표출된 반도체 웨이퍼(4)를 압착하고, 이것을 접착 보유 지지시켜서 고정한다(가고착 공정). 그 후, 보호 기재(42)를 박리하고, 웨이퍼 확장 장치(32)에 의해 다이싱 다이 본드 필름(10)에 장력을 가한다. 이에 의해, 다이 본드 필름(3)을 파단하여, 반도체 칩(5)을 형성한다(칩 형성 공정). 또한, 칩 형성 공정에 있어서의 온도, 익스팬드 속도, 익스팬드량은, 레이저광을 조사하여 분할 예정 라인(4L) 상에 개질 영역을 형성하는 경우와 동일하다. 이후의 공정은, 레이저광을 조사하여 분할 예정 라인(4L) 상에 개질 영역을 형성하는 경우와 동일하기 때문에 여기에서의 설명은 생략하기로 한다.
본 발명에 따른 반도체 장치의 제조 방법은, 반도체 웨이퍼와 다이 본드 필름을 동시에 쿨 익스팬드 공정에 있어서 파단시키거나, 다이 본드 필름만을 쿨 익스팬드 공정에 있어서 파단시켰다면, 상술한 실시 형태에 한정되지 않는다. 기타 실시 형태로서, 예를 들어, 도 6의 (a)에 도시한 바와 같이, 회전 블레이드(41)로 반도체 웨이퍼(4)의 표면(4F)에 이면(4R)까지 달하지 않은 홈(4S)을 형성한 후, 다이싱 다이 본드 필름 상에 홈(4S)이 표출된 반도체 웨이퍼(4)를 압착하고, 이것을 접착 보유 지지시켜서 고정한다(가고착 공정). 그 후, 웨이퍼 확장 장치에 의해 다이싱 다이 본드 필름에 장력을 가한다. 이에 의해, 홈(4S)의 부분에 있어서 반도체 웨이퍼(4)와 다이 본드 필름(3)을 파단하여, 반도체 칩(5)을 형성해도 된다.
[실시예]
이하, 본 발명에 관해 실시예를 사용하여 상세하게 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 벗어나지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 각 예 중, 부는 특기가 없는 한 모두 중량 기준이다.
(실시예 1)
<다이싱 시트의 제작>
냉각관, 질소 도입관, 온도계, 및 교반 장치를 구비한 반응 용기에, 아크릴산2-에틸헥실(이하, 「2EHA」라고도 한다) 100부, 아크릴산-2-히드록시에틸(이하, 「HEA」라고도 한다.) 19부, 과산화벤조일 0.4부, 및 톨루엔 80부를 넣고, 질소 기류 중에서 60℃에서 10시간 중합 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 A를 얻었다.
이 아크릴계 폴리머 A에 2-메타크릴로일옥시에틸이소시아네이트(이하, 「MOI」라고도 한다) 1.2부를 첨가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 60시간, 부가 반응 처리를 하여, 아크릴계 폴리머 A'를 얻었다.
이어서, 아크릴계 폴리머 A' 100부에 대하여 폴리이소시아네이트 화합물(상품명 「코로네이트 L」, 닛본 폴리우레탄(주) 제조) 1.3부, 및 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어184」, 시바 스페셜티 케미컬즈사 제조) 3부를 첨가하여, 점착제 용액(「점착제 용액 A」라고도 한다)을 제작하였다.
상기에서 조제한 점착제 용액 A를, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 건조시켜서, 두께 10㎛의 점착제층 A를 형성하였다. 계속해서, 점착제층 A의 노출면에, 두께 115㎛의 군제사 제조의 EVA 필름(에틸렌·아세트산비닐 공중합체 필름)을 접합하고, 23℃에서 72시간 보존하여, 다이싱 시트 A를 얻었다.
<다이 본드 필름의 제작>
하기 (a) 내지 (d)를 메틸에틸케톤에 용해시켜, 고형분 농도 20중량％의 접착제 조성물 용액 A를 얻었다.
(a) 아크릴 수지(상품명 「SG-708-6」 나가세 켐텍스사 제조, 유리 전이 온도(Tg): 4℃): 100부
(b) 에폭시 수지(상품명 「JER828」 미쯔비시 가가꾸사 제조, 23℃에서 액상): 11부
(c) 페놀 수지(상품명 「MEH-7851ss」 메이와 가세이사 제조, 23℃에서 고형): 5부
(d) 구형 실리카(상품명 「SO-25R」가부시키가이샤 애드마텍스 제조): 110부
접착제 조성물 용액 A를, 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 두께(평균 두께) 10㎛의 다이 본드 필름 A를 얻었다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
다이싱 시트 A로부터, PET 박리 라이너를 박리하고, 노출된 점착제층에 다이 본드 필름 A를 접합하였다. 접합에는 핸드 롤러를 사용하였다. 이어서, 300mJ의 자외선을 다이싱 시트측으로부터 조사하였다. 이상에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 A를 얻었다.
(실시예 2)
<다이 본드 필름의 제작>
하기 (a) 내지 (e)를 메틸에틸케톤에 용해시켜, 고형분 농도 20중량％의 접착제 조성물 용액 B를 얻었다.
(a) 아크릴 수지(상품명 「SG-708-6」 나가세 켐텍스사 제조, 유리 전이 온도(Tg): 4℃): 100부
(b) 에폭시 수지(상품명 「JER1010」 미쯔비시 가가꾸사 제조, 23℃에서 고형): 140부
(c) 에폭시 수지(상품명 「JER828」 미쯔비시 가가꾸사 제조, 23℃에서 액상): 60부
(d) 페놀 수지(상품명 「MEH-7851ss」 메이와 가세이사 제조, 23℃에서 고형): 100부
(e) 구형 실리카(상품명 「SO-25R」가부시키가이샤 애드마텍스 제조): 40부
접착제 조성물 용액 B를, 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 두께(평균 두께) 10㎛의 다이 본드 필름 B를 얻었다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
실시예 1에서 사용한 다이싱 시트 A와 동일한 것을 준비하였다. 이어서, 다이싱 시트 A로부터, PET 박리 라이너를 박리하고, 노출된 점착제층에 다이 본드 필름 B를 접합하였다. 접합에는 핸드 롤러를 사용하였다. 이어서, 300mJ의 자외선을 다이싱 시트측으로부터 조사하였다. 이상에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 B를 얻었다.
(실시예 3)
<다이 본드 필름의 제작>
하기 (a) 내지 (e)를 메틸에틸케톤에 용해시켜, 고형분 농도 20중량％의 접착제 조성물 용액 C를 얻었다.
(a) 아크릴 수지(상품명 「SG-70L」 나가세 켐텍스사 제조, 유리 전이 온도(Tg): -13℃): 100부
(b) 에폭시 수지(상품명 「JER1010」 미쯔비시 가가꾸사 제조, 23℃에서 고형): 140부
(c) 에폭시 수지(상품명 「JER828」 미쯔비시 가가꾸사 제조, 23℃에서 액상): 60부
(d) 페놀 수지(상품명 「MEH-7851ss」 메이와 가세이사 제조, 23℃에서 고형) 100부
(e) 구형 실리카(상품명 「SO-25R」가부시키가이샤 애드마텍스 제조): 100부
접착제 조성물 용액 C를, 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 두께(평균 두께) 10㎛의 다이 본드 필름 C를 얻었다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
실시예 1에서 사용한 다이싱 시트 A와 동일한 것을 준비하였다. 이어서, 다이싱 시트 A로부터, PET 박리 라이너를 박리하고, 노출된 점착제층에 다이 본드 필름 C를 접합하였다. 접합에는 핸드 롤러를 사용하였다. 이어서, 300mJ의 자외선을 다이싱 시트측으로부터 조사하였다. 이상에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 C를 얻었다.
(실시예 4)
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
실시예 1에서 사용한 다이싱 시트 A와 동일한 것을 준비하였다. 또한, 실시예 1에서 사용한 다이 본드 필름 A와 동일한 것을 준비하였다. 이어서, 다이싱 시트 A로부터, PET 박리 라이너를 박리하고, 노출된 점착제층에 다이 본드 필름 A를 접합하였다. 접합에는 핸드 롤러를 사용하였다. 이어서, 40mJ의 자외선을 다이싱 시트측으로부터 조사하였다. 이상에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 D를 얻었다.
(실시예 5)
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
실시예 1에서 사용한 다이싱 시트 A와 동일한 것을 준비하였다. 또한, 실시예 1에서 사용한 다이 본드 필름 A와 동일한 것을 준비하였다. 이어서, 다이싱 시트 A로부터, PET 박리 라이너를 박리하고, 노출된 점착제층에 다이 본드 필름 A를 접합하였다. 접합에는 핸드 롤러를 사용하였다. 이어서, 80mJ의 자외선을 다이싱 시트측으로부터 조사하였다. 이상에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 E를 얻었다.
(실시예 6)
<다이싱 시트의 제작>
실시예 1과 동일하게 하여 조제한 점착제 용액 A를, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 건조시켜서, 두께 10㎛의 점착제층 A를 형성하였다. 계속해서, 점착제층 A의 노출면에, 두께 100㎛의 폴리염화비닐 필름(아킬레스사 제조, 제품명: V-9KN)을 접합하고, 23℃에서 72시간 보존하여, 다이싱 시트 C를 얻었다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
실시예 1에서 사용한 다이 본드 필름 A와 동일한 것을 준비하였다. 이어서, 다이싱 시트 C로부터, PET 박리 라이너를 박리하고, 노출된 점착제층에 다이 본드 필름 A를 접합하였다. 접합에는 핸드 롤러를 사용하였다. 이어서, 300mJ의 자외선을 다이싱 시트측으로부터 조사하였다. 이상에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 I를 얻었다.
(비교예 1)
<다이싱 시트의 제작>
실시예 1과 동일하게 하여 조정한 점착제 용액 A를, PET 박리 라이너의 실리콘 처리를 실시한 면 상에 도포하고, 120℃에서 2분간 가열 건조시켜서, 두께 10㎛의 점착제층 A를 형성하였다. 계속해서, 점착제층 A의 노출면에, 두께 115㎛의 군제사 제조의 EVA 필름(에틸렌·아세트산비닐 공중합체 필름)을 접합하고, 23℃에서 72시간 보존하였다. 그 후, EVA 필름측(기재측)으로부터 300mJ의 자외선을 조사하였다. 이상에 의해, 다이싱 시트 B를 얻었다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
실시예 2에서 사용한 다이 본드 필름 B와 동일한 것을 준비하였다. 다이싱 시트 B로부터, PET 박리 라이너를 박리하고, 노출된 점착제층에 다이 본드 필름 B를 접합하였다. 접합에는 핸드 롤러를 사용하였다. 이상에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 F를 얻었다.
(비교예 2)
<다이 본드 필름의 제작>
하기 (a) 내지 (d)를 메틸에틸케톤에 용해시켜, 고형분 농도 20중량％의 접착제 조성물 용액 D를 얻었다.
(a) 아크릴 수지(상품명 「SG-70L」 나가세 켐텍스사 제조) : 100부
(b) 에폭시 수지(상품명 「JER828」 미쯔비시 가가꾸사 제조) : 200부
(c) 페놀 수지(상품명 「MEH-7851ss」 메이와 가세이사 제조) 100부
(d) 구형 실리카(상품명 「SO-25R」가부시키가이샤 애드마텍스 제조): 100부
접착제 조성물 용액 D를, 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 포함하는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켰다. 이에 의해, 두께(평균 두께) 10㎛의 다이 본드 필름 D를 얻었다.
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
실시예 1에서 사용한 다이싱 시트 A와 동일한 것을 준비하였다. 이어서, 다이싱 시트 A로부터, PET 박리 라이너를 박리하고, 노출된 점착제층에 다이 본드 필름 D를 접합하였다. 접합에는 핸드 롤러를 사용하였다. 이어서, 300mJ의 자외선을 다이싱 시트측으로부터 조사하였다. 이상에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 G를 얻었다.
(비교예 3)
<다이싱 다이 본드 필름의 제작>
실시예 1에서 사용한 다이싱 시트 A와 동일한 것을 준비하였다. 또한, 실시예 1에서 사용한 다이 본드 필름 A와 동일한 것을 준비하였다. 이어서, 다이싱 시트 A로부터, PET 박리 라이너를 박리하고, 노출된 점착제층에 다이 본드 필름 A를 접합하였다. 접합에는 핸드 롤러를 사용하였다. 이상에 의해, 다이싱 다이 본드 필름 H를 얻었다.
(다이싱 시트와 다이 본드 필름의 박리력의 측정)
실시예, 및 비교예에 따른 다이싱 다이 본드 필름으로부터 이형 처리 필름을 박리하여, 다이 본드 필름을 노출시켰다. 그 후, 노출된 다이 본드 필름에, 폭 50㎜의 덧댐 테이프(BT315, 닛토덴코 제조)를 접합하였다. 덧댐 테이프의 폭 50㎜를 따라 다이싱 다이 본드 필름을 커트하고, 50㎜ 폭으로 다이싱 시트와 다이 본드 필름(덧댐 테이프가 접합된 다이 본드 필름)의 박리력을 측정하였다. 측정 온도 23℃에서의 박리력을 박리력 A, 측정 온도 -15℃에서의 박리력을 박리력 B라 하였다. 박리력 A, 박리력 B의 각각의 측정 조건은 하기와 같다. 결과를 표 1에 나타내었다.
<박리력 A의 측정 조건>
T형 박리 시험
박리 속도 300㎜/분
측정 장치: SHIMADZU사 제조, AG-20KNSD
<박리력 B의 측정 조건>
T형 박리 시험
-15℃의 환경 하에 샘플을 세트하고, 2분 후에 측정
박리 속도 300㎜/분.
측정 장치: SHIMADZU사 제조, 항온 항습조 구비 3연 인장 시험기
[다이 본드 필름의 -15℃에서의 인장 저장 탄성률, 23℃에서의 인장 저장 탄성률, 및 유리 전이 온도의 측정]
실시예, 및 비교예에 따른 다이 본드 필름을 두께가 200㎛가 될 때까지 중첩하였다. 이어서, 길이 40㎜(측정 길이), 폭 10㎜의 직사각형으로 커터 나이프로 잘라냈다. 이어서, 고체 점탄성 측정 장치(RSAIII, 레오메트릭 사이언티픽(주) 제조)를 사용하여, -50 내지 100℃에서의 인장 저장 탄성률을 측정하였다. 측정 조건은, 주파수 1Hz, 승온 속도 10℃/min, 척간 거리 22.5㎜로 하였다. 그 때의 -15℃, 및 23℃에서의 값을 판독하고, 인장 저장 탄성률의 측정값으로 하였다. 측정 온도 23℃에서의 인장 저장 탄성률을 인장 저장 탄성률 A, 측정 온도 -15℃에서의 인장 저장 탄성률을 인장 저장 탄성률 B라 하였다. 결과를 표 1에 나타내었다. 또한, 인장 저장 탄성률 A와 인장 저장 탄성률 B의 비[(인장 저장 탄성률 B)/(인장 저장 탄성률 A)]도 아울러 표 1에 나타냈다. 또한, tanδ(E"(손실 탄성률)/E'(저장 탄성률))의 값을 산출함으로써 유리 전이 온도(Tg)를 얻었다. 결과를 표 1에 나타내었다.
[점착제층의 -15℃에서의 인장 저장 탄성률, 23℃에서의 인장 저장 탄성률의 측정]
실시예, 및 비교예에 따른 점착제층을 두께가 200㎛가 될 때까지 중첩하였다. 이어서, 길이 40㎜(측정 길이), 폭 10㎜의 직사각형으로 커터 나이프로 잘라냈다. 이어서, 고체 점탄성 측정 장치(RSAIII, 레오메트릭 사이언티픽(주) 제조) 을 사용하여, -50 내지 100℃에서의 인장 저장 탄성률을 측정하였다. 측정 조건은, 주파수 1Hz, 승온 속도 10℃/min, 척간 거리 22.5㎜로 하였다. 그 때의 -15℃, 및 23℃에서의 값을 판독하고, 인장 저장 탄성률의 측정값으로 하였다. 측정 온도 23℃에서의 인장 저장 탄성률을 인장 저장 탄성률 A, 측정 온도 -15℃에서의 인장 저장 탄성률을 인장 저장 탄성률 B라 하였다. 결과를 표 1에 나타내었다. 또한, 인장 저장 탄성률 A와 인장 저장 탄성률 B의 비[(인장 저장 탄성률 B)/(인장 저장 탄성률 A)]도 아울러 표 1에 나타냈다.
[기재의 -15℃, 신도 100％에서의 인장 강도의 측정]
실시예, 및 비교예에 따른 기재를, 각각 폭 10㎜로 절단하였다. 이어서, 이 시료에 대해서, 인장 시험기(텐실론, 시마즈 세이사꾸쇼사 제조)를 사용하여 -15℃, 척간 거리 10㎜, 인장 속도 100㎜/min에서의 100％ 연장 시의 인장 강도를 얻었다. 샘플은 -15℃의 환경 하에 설정한 후, 2분 후에 측정을 행하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
(익스팬드 평가)
레이저 가공 장치로서 가부시키가이샤 도쿄 세이미쯔 제조, ML300-Integration을 사용하여, 12인치의 반도체 웨이퍼의 내부에 집광점을 맞추고, 격자형(10㎜×10㎜)의 분할 예정 라인을 따라서 레이저광을 조사하여, 반도체 웨이퍼의 내부에 개질 영역을 형성하였다. 레이저광 조사 조건은, 하기와 같이 하여 행하였다.
(A) 레이저광
레이저광원 반도체 레이저 여기 Nd:YAG 레이저
파장 1064㎚
레이저광 스폿 단면적 3.14×10-8㎠
발진 형태 Q 스위치 펄스
반복 주파수 100kHz
펄스폭 30ns
출력 20μJ/펄스
레이저광 품질 TEM00 40
편광 특성 직선 편광
(B) 집광용 렌즈
배율 50배
NA 0.55
레이저광 파장에 대한 투과율 60％
(C) 반도체 기판이 적재되는 적재대의 이동 속도 100㎜/초
이어서, 반도체 웨이퍼의 표면에 백그라인드용 보호 테이프를 접합하고, 디스코사 제조의 백 그라인더 DGP8760을 사용하여 반도체 웨이퍼의 두께가 30㎛로 되도록 이면을 연삭하였다.
이어서, 실시예, 및 비교예의 다이싱 다이 본드 필름에 레이저광에 의한 전처리를 행한 상기 반도체 웨이퍼 및 다이싱 링을 접합하였다.
이어서, 디스코사 제조의 다이 세퍼레이터 DDS2300을 사용하여 반도체 웨이퍼의 할단 및 다이싱 시트의 열수축을 행함으로써, 샘플을 얻었다. 구체적으로는, 먼저, 쿨 익스팬더 유닛으로, 익스팬드 온도 -15℃, 익스팬드 속도 200㎜/초, 익스팬드량 12㎜의 조건에서 반도체 웨이퍼를 할단하였다.
그 후, 히트 익스팬더 유닛으로, 익스팬드량 10㎜, 히트 온도 250℃, 풍량 40L/min, 히트 거리 20㎜, 로테이션 스피드 3°/sec의 조건에서 다이싱 시트를 열 수축시켰다.
다이 본드 필름이 다이싱 시트로부터 들떠있는 부분의 면적(다이 본드 필름 전체의 면적을 100％로 했을 때의 들떠있는 다이 본드 필름의 면적 비율)을 현미경으로 관찰하였다. 들뜸의 면적이 30％ 미만인 경우를 ○, 30％ 이상인 경우를 ×로서 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
(클리닝에 의한 칩 비산 평가)
익스팬드 평가 후의 샘플을 사용하여, 클리닝에 의한 칩 비산 평가를 행하였다. 구체적으로는, 먼저, 다이 본드 필름 구비 반도체 칩이 고정된 상태의 다이싱 시트를 스핀 코터에 세트하였다. 이어서, 세정액으로서의 물을 반도체 칩에 적하하면서 스핀 코터를 회전시켰다. 이에 의해, 반도체 칩의 표면을 세정하였다. 스핀 코터의 회전 속도는 2500rpm, 회전 시간은 1분으로 하였다. 그 후, 건조를 800rpm에서 1분 행하였다. 칩이 비산되어 없어졌는지 여부를 확인하였다. 모든 칩이 남아있는 경우를 ○ , 1개라도 없어진 경우를 ×로서 평가하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
(픽업 평가)
클리닝에 의한 칩 비산 평가 후의 샘플을 사용하여 픽업 평가를 행하였다. 구체적으로는, 다이 본더 SPA-300(신카와사 제조)을 사용하여, 이하의 조건에서 픽업을 행하였다. 모두 픽업할 수 있는 경우를 ○, 픽업할 수 없는 칩이 1개라도 있다면 ×로서 평가를 행하였다. 결과를 표 1에 나타내었다.
<픽업 조건>
핀수: 5
픽업 하이트: 500㎛
픽업 평가수: 50칩
Figure pat00001
1: 기재
2: 점착제층
3: 다이 본드 필름
4: 반도체 웨이퍼
5: 반도체 칩
6: 피착체
7: 본딩와이어
8: 밀봉 수지
10: 다이싱 다이 본드 필름
11: 다이싱 시트

Claims (2)

  1. 다이싱 시트와,
    상기 다이싱 시트 상에 적층된 다이 본드 필름을 갖고,
    상기 다이싱 시트와 상기 다이 본드 필름의 23℃에서의 박리력 A가, 하기 박리력 A의 측정 조건 하에서, 0.1N/20㎜ 이상 0.25N/20㎜ 이하의 범위 내이며,
    상기 다이싱 시트와 상기 다이 본드 필름의 -15℃에서의 박리력 B가, 하기 박리력 B의 측정 조건 하에서, 0.15N/20㎜ 이상 0.5N/20㎜ 이하의 범위 내이며,
    상기 다이 본드 필름은, 인장 장력을 가함으로써 파단되어 사용되는
    것을 특징으로 하는 다이싱 다이 본드 필름.
    <박리력 A의 측정 조건>
    T형 박리 시험
    박리 속도 300㎜/분
    <박리력 B의 측정 조건>
    T형 박리 시험
    박리 속도 300㎜/분
  2. 반도체 웨이퍼를 다이싱 다이 본드 필름에 부착하는 공정 A와,
    0℃ 이하의 조건에서, 상기 다이싱 다이 본드 필름을 익스팬드하여, 적어도 상기 다이 본드 필름을 파단하여, 다이 본드 필름 구비 칩을 얻는 공정 B와,
    상기 다이 본드 필름 구비 칩을 픽업하는 공정 C
    를 포함하고,
    상기 다이싱 다이 본드 필름은,
    다이싱 시트와,
    상기 다이싱 시트 상에 적층된 다이 본드 필름을 갖고,
    상기 다이싱 시트와 상기 다이 본드 필름의 23℃에서의 박리력 A가, 하기 박리력 A의 측정 조건 하에서, 0.1N/20㎜ 이상 0.25N/20㎜ 이하의 범위 내이며,
    상기 다이싱 시트와 상기 다이 본드 필름의 -15℃에서의 박리력 B가, 하기 박리력 B의 측정 조건 하에서, 0.15N/20㎜ 이상 0.5N/20㎜ 이하의 범위 내인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
    <박리력 A의 측정 조건>
    T형 박리 시험
    박리 속도 300㎜/분
    <박리력 B의 측정 조건>
    T형 박리 시험
    박리 속도 300㎜/분
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