[go: up one dir, main page]

JP2017183705A - ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 - Google Patents

ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017183705A
JP2017183705A JP2017022100A JP2017022100A JP2017183705A JP 2017183705 A JP2017183705 A JP 2017183705A JP 2017022100 A JP2017022100 A JP 2017022100A JP 2017022100 A JP2017022100 A JP 2017022100A JP 2017183705 A JP2017183705 A JP 2017183705A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
die bond
bond film
dicing
film
dicing sheet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2017022100A
Other languages
English (en)
Inventor
謙司 大西
Kenji Onishi
謙司 大西
雄一郎 宍戸
Yuichiro Shishido
雄一郎 宍戸
木村　雄大
Takehiro Kimura
雄大 木村
章洋 福井
Akihiro Fukui
章洋 福井
敏正 杉村
Toshimasa Sugimura
敏正 杉村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Denko Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Denko Corp filed Critical Nitto Denko Corp
Priority to KR1020170035214A priority Critical patent/KR20170113152A/ko
Priority to TW106109680A priority patent/TW201806040A/zh
Priority to CN201710183427.3A priority patent/CN107227123A/zh
Publication of JP2017183705A publication Critical patent/JP2017183705A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the groups H01L21/18 - H01L21/326 or H10D48/04 - H10D48/07 e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/35—Mechanical effects
    • H01L2924/351—Thermal stress
    • H01L2924/3512—Cracking
    • H01L2924/35121—Peeling or delaminating

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

【課題】クールエキスパンド工程においてダイボンドフィルムがダイシングシートから浮くことを抑制でき、且つ、ピックアップ工程においてダイシングシートからダイボンドフィルム付き半導体チップを好適に剥離することを可能とするダイシングダイボンドフィルムを提供すること。
【解決手段】 ダイシングシートと、ダイシングシート上に積層されたダイボンドフィルムとを有し、ダイシングシートとダイボンドフィルムとの２３℃での剥離力Ａが、０．１Ｎ／２０ｍｍ以上０．２５Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内であり、ダイシングシートとダイボンドフィルムとの−１５℃での剥離力Ｂが、下記剥離力Ｂの測定条件下で、０．１５Ｎ／２０ｍｍ以上０．５Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内であり、ダイボンドフィルムは、引張張力を加えることにより破断して使用されるダイシングダイボンドフィルム。
【選択図】図１

Description

本発明は、ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法に関する。
従来、半導体装置の製造において、ダイシングダイボンドフィルムが使用される場合がある。ダイシングダイボンドフィルムは、ダイシングシート上にダイボンドフィルムを剥離可能に設けたものである。半導体装置の製造においては、ダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルム上に半導体ウエハを保持して、半導体ウエハをダイシングして個々のチップとする。その後、チップをダイボンドフィルムとともにダイシングシートから剥離し、ダイボンドフィルムを介してリードフレーム等の被着体に固着させる。
ダイシングシート上にダイボンドフィルムが積層されたダイシングダイボンドフィルムを使用し、半導体ウエハをダイボンドフィルムの保持下でダイシングする場合、ダイボンドフィルムを半導体ウエハと同時に切断する必要がある。ところが、ダイヤモンドブレードを用いた一般的なダイシング方法においては、ダイシング時に発生する熱の影響によるダイボンドフィルムとダイシングシートとの癒着、切削屑の発生による半導体チップ同士の固着、半導体チップ側面への切削屑の付着等が懸念されるため、切断速度を遅くする必要があり、コストの上昇を招いていた。
そこで、近年、半導体ウエハにおける分割予定ラインにレーザー光を照射して改質領域を形成することにより、半導体ウエハを分割予定ラインにて容易に分割可能とした後、この半導体ウエハをダイシングダイボンドフィルムに貼り付け、その後、ダイシングダイボンドフィルムを低温下（例えば、−１５℃〜５℃）にてエキスパンド（以下、「クールエキスパンド」ともいう）することにより、半導体ウエハとダイボンドフィルムを破断して、個々の半導体チップ（ダイボンドフィルム付きの半導体チップ）を得る方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。これは、いわゆる、ステルスダイシング（登録商標）と呼ばれる方法である。
特開２００９−１６４５５６号公報
しかしながら、従来のステルスダイシングにおいては、クールエキスパンドの後からピックアップが行われるまでの間に、ダイボンドフィルム付きの半導体チップがダイシングシートから剥離してしまうことがあるといった問題があった。一方で、ピックアップ時にチップがダイシングシートから剥離できず、好適にピックアップできない場合があるといった問題があった。
本発明者らは、これらの問題について鋭意検討した結果、クールエキスパンドは、低温の条件であるため、ダイシングシートとダイボンドフィルムとの間の剥離力が低くなり、ダイボンドフィルムがダイシングシートから浮いてしまうことがあり、これが原因で、ピックアップ前に、ダイシングシートからダイボンドフィルム付きの半導体チップが剥離してしまう場合があることを突き止めた。
一方で、ピックアップは常温（例えば、２３℃）で行われる。そのため、ダイシングシートとダイボンドフィルムとの間の剥離力が低温条件においても比較的高いダイシングダイボンドフィルムが用いられた場合には、ピックアップの際に、剥離力が高くなりすぎることが原因で、好適にピックアップできなくなる場合があることを本発明者らは、突き止めた。
本発明は、前記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、クールエキスパンド工程においてダイボンドフィルムがダイシングシートから浮くことを抑制でき、且つ、ピックアップ工程においてダイシングシートからダイボンドフィルム付き半導体チップを好適に剥離することを可能とするダイシングダイボンドフィルムを提供することにある。
また、当該ダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明者等は、前記問題点を解決すべく、ダイシングダイボンドフィルムについて検討した。その結果、下記構成のダイシングダイボンドフィルムを採用することにより、クールエキスパンド工程においてダイボンドフィルムがダイシングシートから浮くことを抑制でき、且つ、ピックアップ工程においてダイシングシートからダイボンドフィルム付き半導体チップを好適に剥離することが可能となることを見出し、本発明を完成させるに至った。
すなわち、本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、
ダイシングシートと、
前記ダイシングシート上に積層されたダイボンドフィルムとを有し、
前記ダイシングシートと前記ダイボンドフィルムとの２３℃での剥離力Ａが、下記剥離力Ａの測定条件下で、０．１Ｎ／２０ｍｍ以上０．２５Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内であり、
前記ダイシングシートと前記ダイボンドフィルムとの−１５℃での剥離力Ｂが、下記剥離力Ｂの測定条件下で、０．１５Ｎ／２０ｍｍ以上０．５Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内であり、
前記ダイボンドフィルムは、引張張力を加えることにより破断して使用されることを特徴とする。
＜剥離力Ａの測定条件＞
Ｔ型剥離試験
剥離速度３００ｍｍ／分
＜剥離力Ｂの測定条件＞
Ｔ型剥離試験
剥離速度３００ｍｍ／分。
前記構成によれば、前記剥離力Ａが、前記剥離力Ａの測定条件下で、０．１Ｎ／２０ｍｍ以上０．２５Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内であるため、ピックアップ工程においてダイシングシートからダイボンドフィルム付き半導体チップを好適に剥離することが可能となる。また、前記剥離力Ｂが、前記剥離力Ｂの測定条件下で、０．１５Ｎ／２０ｍｍ以上０．５Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内であるため、クールエキスパンド工程においてダイボンドフィルムがダイシングシートから浮くことを抑制できる。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、
半導体ウエハをダイシングダイボンドフィルムに貼り付ける工程Ａと、
０℃以下の条件で、前記ダイシングダイボンドフィルムをエキスパンドして、少なくとも前記ダイボンドフィルムを破断し、ダイボンドフィルム付きチップを得る工程Ｂと、
前記ダイボンドフィルム付きチップをピックアップする工程Ｃと
を含み、
前記ダイシングダイボンドフィルムは、
ダイシングシートと、
前記ダイシングシート上に積層されたダイボンドフィルムとを有し、
前記ダイシングシートと前記ダイボンドフィルムとの２３℃での剥離力Ａが、下記剥離力Ａの測定条件下で、０．１Ｎ／２０ｍｍ以上０．２５Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内であり、
前記ダイシングシートと前記ダイボンドフィルムとの−１５℃での剥離力Ｂが、下記剥離力Ｂの測定条件下で、０．１５Ｎ／２０ｍｍ以上０．５Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内であることを特徴とする。
＜剥離力Ａの測定条件＞
Ｔ型剥離試験
剥離速度３００ｍｍ／分
＜剥離力Ｂの測定条件＞
Ｔ型剥離試験
剥離速度３００ｍｍ／分。
前記構成によれば、前記剥離力Ａが、前記剥離力Ａの測定条件下で、０．１Ｎ／２０ｍｍ以上０．２５Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内であるため、工程Ｃ（ピックアップ工程）においてダイシングシートからダイボンドフィルム付き半導体チップを好適に剥離することが可能となる。また、前記剥離力Ｂが、前記剥離力Ｂの測定条件下で、０．１５Ｎ／２０ｍｍ以上０．５Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内であるため、工程Ｂ（クールエキスパンド工程）においてダイボンドフィルムがダイシングシートから浮くことを抑制できる。
なお、本発明に係る半導体装置の製造方法においては、半導体ウエハとダイボンドフィルムとを同時にクールエキスパンド工程において破断させる場合と、ダイボンドフィルムのみをクールエキスパンド工程において破断させる場合とを含む。
本発明によれば、クールエキスパンド工程においてダイボンドフィルムがダイシングシートから浮くことを抑制でき、且つ、ピックアップ工程においてダイシングシートからダイボンドフィルム付き半導体チップを好適に剥離することを可能とするダイシングダイボンドフィルムを提供することができる。また、当該ダイシングダイボンドフィルムを用いた半導体装置の製造方法を提供することができる。
本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムを示す断面模式図である。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 （ａ）、（ｂ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 （ａ）、及び、（ｂ）は、他の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面模式図である。 他の実施形態に係る半導体装置の他の製造方法を説明するための断面模式図である。
（ダイシングダイボンドフィルム）
本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムについて、以下に説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るダイシングダイボンドフィルムを示す断面模式図である。
図１に示すように、ダイシングダイボンドフィルム１０は、ダイシングシート１１上にダイボンドフィルム３が積層された構成を有する。ダイシングシート１１は、基材１上に粘着剤層２が積層された構成を有する。ダイボンドフィルム３は、粘着剤層2上に設けられている。
なお、本実施形態では、ダイシングシート１１には、ダイボンドフィルム３に覆われていない部分２ｂが存在する場合について説明するが、本発明に係るダイシングダイボンドフィルムは、この例に限定されず、ダイシングシート全体を覆うようにダイボンドフィルムがダイシングシートに積層されていてもよい。
ダイシングシート１１とダイボンドフィルム３との２３℃での剥離力Ａは、下記剥離力Ａの測定条件下で、０．１Ｎ／２０ｍｍ以上０．２５Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内であり、好ましくは、０．１２Ｎ／２０ｍｍ以上０．２３Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内であり、より好ましくは、０．１４Ｎ／２０ｍｍ以上０．２２Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内である。
＜剥離力Ａの測定条件＞
Ｔ型剥離試験
剥離速度３００ｍｍ／分
前記剥離力Ａが、前記剥離力Ａの測定条件下で、０．１Ｎ／２０ｍｍ以上０．２５Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内であるため、ピックアップ工程においてダイシングシート１１からダイボンドフィルム３付き半導体チップ５（図４（ｂ）参照）を好適に剥離することが可能となる。
ダイシングシート１１とダイボンドフィルム３との−１５℃での剥離力Ｂは、下記剥離力Ｂの測定条件下で、０．１５Ｎ／２０ｍｍ以上０．５Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内であり、好ましくは、０．２０Ｎ／２０ｍｍ以上０．４５Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内であり、より好ましくは、０．２４Ｎ／２０ｍｍ以上０．４０Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内である。
＜剥離力Ｂの測定条件＞
Ｔ型剥離試験
剥離速度３００ｍｍ／分
前記剥離力Ｂが、前記剥離力Ｂの測定条件下で、０．１５Ｎ／２０ｍｍ以上０．５Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内であるため、クールエキスパンド工程においてダイボンドフィルム３がダイシングシート１１から浮くことを抑制できる。
前記剥離力Ｂは、前記剥離力Ａよりも大きいことが好ましい。前記剥離力Ｂが、前記剥離力Ａよりも大きいと、クールエキスパンド工程においてダイボンドフィルム３がダイシングシート１１から浮くことをより抑制でき、且つ、ピックアップ工程においてダイシングシート１１からダイボンドフィルム３付き半導体チップ５をより好適に剥離することが可能となる。
前記剥離力Ａと前記剥離力Ｂとの差［（剥離力Ｂ）−（剥離力Ａ）］は、好ましくは０．０３Ｎ／２０ｍｍ以上であり、より好ましくは、０．０５Ｎ／２０ｍｍ以上である。また、前記差［（剥離力Ｂ）−（剥離力Ａ）］は、大きい方が好ましいが、例えば、０．５Ｎ／２０ｍｍ以下である。
前記剥離力Ａ、及び、前記剥離力Ｂのより詳細な測定方法は、実施例記載の方法による。
（ダイボンドフィルム）
ダイボンドフィルム３のガラス転移温度（Ｔｇ）は、５０℃以下であることが好ましく、より好ましくは、４０℃以下である。ダイボンドフィルム３のガラス転移温度（Ｔｇ）が、５０℃以下であると、常温と低温の剥離力の差を効果的に出すことができる。また、ダイボンドフィルム３のガラス転移温度（Ｔｇ）は、低いほどが好ましいが、ピックアップ性の観点から、例えば、０℃以上である。
前記ガラス転移温度（Ｔｇ）のより詳細な測定方法は、実施例記載の方法による。
ダイボンドフィルム３の２３℃での引張貯蔵弾性率Ａは、好ましくは、５ＭＰａ以上３０００ＭＰａ以下であり、より好ましくは、１０ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下である。前記引張貯蔵弾性率Ａが、５ＭＰａ以上であると、ピックアップ工程においてより好適にピックアップすることができる。一方、前記引張貯蔵弾性率Ａが、３０００ＭＰａ以下であると、クールエキスパンド工程の後、ピックアップ工程までの間に、ダイボンドフィルム３がダイシングシート１１から剥離することを防止することができる。
ダイボンドフィルム３の−１５℃での引張貯蔵弾性率Ｂは、好ましくは、１ＧＰａ以上１０ＧＰａ以下であり、より好ましくは、２ＧＰａ以上５ＧＰａ以下である。前記引張貯蔵弾性率Ｂが、１ＧＰａ以上であると、ダイボンドフィルム３は、クールエキスパンド工程において好適に破断される。一方、前記引張貯蔵弾性率Ｂが、１０ＧＰａ以下であると、クールエキスパンド工程においてダイボンドフィルム３がダイシングシート１１から浮くことを好適に抑制することができる。
前記引張貯蔵弾性率Ａと前記引張貯蔵弾性率Ｂの比［（引張貯蔵弾性率Ｂ）／（引張貯蔵弾性率Ａ）］は、好ましくは、２以上であり、より好ましくは３０以上である。前記比［（引張貯蔵弾性率Ｂ）／（引張貯蔵弾性率Ａ）］が、２以上であると、クールエキスパンド工程においてダイボンドフィルム３がダイシングシート１１から浮くことをより抑制でき、且つ、ピックアップ工程においてダイシングシート１１からダイボンドフィルム３付き半導体チップ５をより好適に剥離することが可能となる。また、前記比［（引張貯蔵弾性率Ｂ）／（引張貯蔵弾性率Ａ）］は、大きいほどが好ましいが、割断性とピックアップ性のバランスの観点から、例えば、３００以下である。
前記引張貯蔵弾性率Ａ、及び、前記引張貯蔵弾性率Ｂのより詳細な測定方法は、実施例記載の方法による。
ダイボンドフィルム３の層構成は、図１に示すように、単層の接着剤層からなるものが挙げられる。なお、本明細書において、単層とは、同一の組成からなる層をいい、同一の組成からなる層を複数積層したものを含む。
ただし、本発明におけるダイボンドフィルムは、この例に限定されない。例えば、組成の異なる２種類以上の接着剤層を積層した多層構造であってもよい。
ダイボンドフィルム３を構成する材料としては、熱硬化性樹脂が挙げられる。また、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂とを併用してもよい。
前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。特に、半導体素子を腐食させるイオン性不純物等の含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型、ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、ヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型、グリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは、０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体素子の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体（アクリル共重合体）等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。
上記アクリル樹脂のなかでも、凝集力向上の理由で、アクリル共重合体が特に好ましい。上記アクリル共重合体としては、例えば、アクリル酸エチルとメチルメタクリレートとの共重合体、アクリル酸とアクリロニトリルとの共重合体、アクリル酸ブチルとアクリロニトリルとの共重合体を挙げることができる。
また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。
前記熱硬化性樹脂の配合割合としては、所定条件下で加熱した際にダイボンドフィルム３が熱硬化型としての機能を発揮する程度であれば特に限定されないが、ダイボンドフィルム３全体に対して５〜６０重量％の範囲内であることが好ましく、１０〜５０重量％の範囲内であることがより好ましい。
ダイボンドフィルム３は、なかでも、２３℃で液状のエポキシ樹脂と、２３℃で液状のフェノール樹脂と、ガラス転移温度（Ｔｇ）が５０℃以下であるアクリル樹脂とを含み、これらの合計含有量が、ダイボンドフィルム３全体に対して、２０重量％以上含まれることが好ましい。これにより、低温でのダイシングシート１１とダイボンドフィルム３との剥離力を高くすることができる。
なお、２３℃で液状とは、２３℃における粘度が５０００Ｐａ・ｓ未満であることをいう。前記粘度は、Ｔｈｅｒｍｏ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製の型番ＨＡＡＫＥ Ｒｏｔｏ ＶＩＳＣＯ１を用いて測定した値をいう。
本発明のダイボンドフィルム３を予めある程度架橋をさせておく場合には、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させておくことができる。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図ることができる。
前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。
また、ダイボンドフィルム３には、その用途に応じてフィラーを適宜配合することができる。フィラーの配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。前記フィラーとしては、無機フィラー、及び、有機フィラーが挙げられるが、取り扱い性の向上、熱電導性の向上、溶融粘度の調整、チキソトロピック性付与等の特性の観点から、無機フィラーが好ましい。前記無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウィスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカ等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。熱電導性の向上の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカが好ましい。また、上記各特性のバランスがよいという観点からは、結晶質シリカ、又は、非晶質シリカが好ましい。また、導電性の付与、熱電導性の向上等の目的で、無機フィラーとして、導電性物質（導電フィラー）を用いることとしてもよい。導電フィラーとしては、銀、アルミニウム、金、胴、ニッケル、導電性合金等を球状、針状、フレーク状とした金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。
前記フィラーの平均粒径は、０．００５〜１０μｍであることが好ましく、０．００５〜１μｍであることがより好ましい。前記フィラーの平均粒径を０．００５μｍ以上とすることにより、被着体への濡れ性、及び、接着性を良好とすることができるからである。また、１０μｍ以下とすることにより、上記各特性の付与のために加えたフィラーの効果を十分なものとすることができるとともに、耐熱性を確保することができる。なお、フィラーの平均粒径は、例えば、光度式の粒度分布計（ＨＯＲＩＢＡ製、装置名；ＬＡ−９１０）により求めた値である。
尚、ダイボンドフィルム３には、前記フィラー以外に、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
ダイボンドフィルム３の厚さ（積層体の場合は、総厚）は特に限定されないが、例えば、１〜２００μｍの範囲から選択することができ、好ましくは５〜１００μｍ、より好ましくは１０〜８０μｍである。
（ダイシングシート）
本実施形態に係るダイシングシート１１は、基材１上に粘着剤層２が積層された構成を有する。ただし、本発明におけるダイシングシートは、クールエキスパンド工程においてダイボンドフィルム３を破断して個片化する際に、ダイボンドフィルム３を固定することができれば、この例に限定されない。例えば、基材と粘着剤層との間に他の層が存在していてもよい。
（基材）
基材１は紫外線透過性を有するものが好ましく、ダイシングダイボンドフィルム１０の強度母体となるものである。例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。
また基材１の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、クールエキスパンド後に、基材１の半導体ウエハの外周部分を熱収縮させる（ヒートエキスパンドする）ことにより、ダイボンドフィルム３付きの半導体チップ５同士の間隔を広げて、半導体チップ５の回収の容易化を図ることができる。
基材１の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。基材１は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材１には、帯電防止能を付与する為、基材１上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材１は単層あるいは２種以上の複層でもよい。
基材１は、−１５℃、伸度１００％での引張強度が、好ましくは１０Ｎ／１０ｍｍ以上であり、より好ましくは１２Ｎ／１０ｍｍ以上である。基材１の−１５℃、伸度１００％での引張強度が、１０Ｎ／１０ｍｍ以上であると、割断の力がウエハ部分に効果的に伝達され、均一な割断が達成される。
基材１の厚さは、特に制限されず適宜に決定できるが、一般的には５〜２００μｍ程度である。
（粘着剤層）
粘着剤層２の２３℃での引張貯蔵弾性率Ａは、好ましくは、１ＭＰａ以上１００ＭＰａ以下であり、より好ましくは、２ＭＰａ以上３０ＭＰａ以下である。前記引張貯蔵弾性率Ａが、１ＭＰａ以上であると、ピックアップ工程においてダイボンドフィルム３付きチップをより好適にピックアップすることができる。一方、前記引張貯蔵弾性率Ａが、１００ＭＰａ以下であると、クールエキスパンド工程の後、ピックアップ工程までの間に、ダイボンドフィルム３がダイシングシート１１から剥離することを防止することができる。
粘着剤層２の−１５℃での引張貯蔵弾性率Ｂは、好ましくは、５ＭＰａ以上５００ＭＰａ以下であり、より好ましくは、１０ＭＰａ以上２００ＭＰａ以下である。前記引張貯蔵弾性率Ｂが、５ＭＰａ以上であると、割断時に割断の力を接着フィルムに効率的に伝えることができる。一方、前記引張貯蔵弾性率Ｂが、５００ＭＰａ以下であると、クールエキスパンド工程においてダイボンドフィルム３がダイシングシート１１から浮くことを好適に抑制することができる。
前記引張貯蔵弾性率Ａと前記引張貯蔵弾性率Ｂの比［（引張貯蔵弾性率Ｂ）／（引張貯蔵弾性率Ａ）］は、好ましくは、２以上であり、より好ましくは４以上である。前記比［（引張貯蔵弾性率Ｂ）／（引張貯蔵弾性率Ａ）］が、２以上であると、クールエキスパンド工程においてダイボンドフィルム３がダイシングシート１１から浮くことをより抑制でき、且つ、ピックアップ工程においてダイシングシート１１からダイボンドフィルム３付き半導体チップ５をより好適に剥離することが可能となる。また、前記比［（引張貯蔵弾性率Ｂ）／（引張貯蔵弾性率Ａ）］は、大きいほどが好ましいが、ピックアップと割断性性のバランスの観点から、例えば、１００以下である。
前記引張貯蔵弾性率Ａ、及び、前記引張貯蔵弾性率Ｂのより詳細な測定方法は、実施例記載の方法による。
粘着剤層２の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウエハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。
粘着剤層２は、放射線硬化型粘着剤により形成してもよい。ダイボンドフィルム３が貼り合わせられた状態で紫外線を照射すると、ダイボンドフィルム３との間でアンカー効果を生じさせることができる。これにより、低温（例えば、−１５℃）での粘着剤層２とダイボンドフィルム３との密着性を向上させることができる。
なお、アンカー効果による密着性は、低温であるほど高くなる。常温（例えば、２３℃）でも、アンカー効果はあるが、常温では、低温時に比較してアンカー効果による密着性は発揮されない。その結果、好適に剥離力Ｂを高めつつ、剥離力Ａを低くすることが可能となる。
放射線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の放射線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。放射線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の放射線硬化型粘着剤を例示できる。
配合する放射線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また放射線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
また、放射線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の放射線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の放射線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の放射線硬化型粘着剤は、低分子成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計の点で容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
前記内在型の放射線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記放射線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。放射線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
前記放射線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
また放射線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。
粘着剤層２の厚さは特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止やダイボンドフィルム３の固定保持の両立性等の点から、１〜５０μｍ程度が好ましく、より好ましくは２〜３０μｍ、更に好ましくは５〜２５μｍである。
前記ダイシングダイボンドフィルム１０のダイボンドフィルム３は、セパレータにより保護されていることが好ましい（図示せず）。セパレータは、実用に供するまでダイボンドフィルム３を保護する保護材としての機能を有している。また、セパレータは、更に、粘着剤層２にダイボンドフィルム３を転写する際の支持基材として用いることができる。セパレータはダイシングダイボンドフィルムのダイボンドフィルム３上にワークを貼着する際に剥がされる。セパレータとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。
本実施の形態に係るダイシングダイボンドフィルム１０は、例えば、次の通りにして作製される。
先ず、基材１は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
次に、基材１上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、前駆層を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて前記前駆層を形成してもよい。その後、基材１上に前記前駆層をセパレータと共に貼り合わせる。これにより、ダイシングシート前駆体が作製される。
ダイボンドフィルム３は、例えば、次の通りにして作製される。
まず、ダイボンドフィルム３の形成材料である接着剤組成物溶液を作製する。当該接着剤組成物溶液には、前述の通り、前記接着剤組成物やフィラー、その他各種の添加剤等が配合されている。
次に、接着剤組成物溶液を基材セパレータ上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、ダイボンドフィルム３を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。また、セパレータ上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させてダイボンドフィルム３を形成してもよい。その後、基材セパレータ上にダイボンドフィルム３をセパレータと共に貼り合わせる。
続いて、前記ダイシングシート前駆体及びダイボンドフィルム３からそれぞれセパレータを剥離し、ダイボンドフィルム３と粘着剤層とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる。貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜５０℃が好ましく、３５〜４５℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。その後、基材１側から紫外線を照射してもよい。紫外線の照射量としては、前記剥離力Ａ及び前記剥離力Ｂを前記数値範囲内となる量が好ましい。具体的な紫外線の照射量は、粘着剤層の組成や厚さ等に応じて異なるが、例えば、５０ｍＪ〜５００ｍＪが好ましく、１００ｍＪ〜３００ｍＪがより好ましい。以上により、本実施の形態に係るダイシングダイボンドフィルムが得られる。
（半導体装置の製造方法）
次に、図２〜図７を参照しながらダイシングダイボンドフィルム１０を用いた半導体装置の製造方法について説明する。図２〜図５は、本実施形態に係る半導体装置の一製造方法を説明するための断面模式図である。まず、半導体ウェハ４の分割予定ライン４Ｌにレーザー光を照射して分割予定ライン４Ｌ上に改質領域を形成する。本方法は、半導体ウェハの内部に集光点を合わせ、格子状の分割予定ラインに沿ってレーザー光を照射し、多光子吸収によるアブレーションにより半導体ウェハの内部に改質領域を形成する方法である。レーザー光照射条件としては、以下の条件の範囲内で適宜調整すればよい。
＜レーザー光照射条件＞
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０−８ｃｍ２
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ以下
パルス幅 １μｓ以下
出力 １ｍＪ以下
レーザー光品質 ＴＥＭ００
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 １００倍以下
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 １００％以下
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度 ２８０ｍｍ／秒以下
なお、レーザー光を照射して分割予定ライン４Ｌ上に改質領域を形成する方法については、特許第３４０８８０５号公報や、特開２００３−３３８５６７号公報に詳述されているので、ここでの詳細な説明は省略することとする。
次に、図３に示すように、ダイボンドフィルム３上に、改質領域形成後の半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（マウント工程）。本工程は、圧着ロール等の押圧手段により押圧しながら行う。マウントの際の貼り付け温度は特に限定されないが、４０〜８０℃の範囲内であることが好ましい。半導体ウェハ４の反りを効果的に防止することができるとともに、ダイシングダイボンドフィルムの伸縮の影響を低減することができるからである。
次に、ダイシングダイボンドフィルム１０に引張張力を加えることによって、半導体ウェハ４とダイボンドフィルム３とを分割予定ライン４Ｌにて破断し、半導体チップ５を形成する（クールエキスパンド工程）。本工程には、例えば、市販のウェハ拡張装置を用いることができる。具体的には、図４（ａ）に示すように、半導体ウェハ４が貼り合わせられたダイシングダイボンドフィルム１０の粘着剤層２周辺部にダイシングリング３１を貼り付けた後、ウェハ拡張装置３２に固定する。次に、図４（ｂ）に示すように、突き上げ部３３を上昇させて、ダイシングダイボンドフィルム１２に張力をかける。
前記クールエキスパンド工程は、０〜−１５℃の条件下において実行されることが好ましく、−５〜−１５℃の条件下において実行されることがより好ましい。前記クールエキスパンド工程が０〜−１５℃の条件下において実行されるため、好適にダイボンドフィルム３を破断することができる。
また、前記クールエキスパンド工程において、エキスパンド速度（突き上げ部が上昇する速度）は１００〜４００ｍｍ／秒であることが好ましく、１００〜３５０ｍｍ／秒であることがより好ましく、１００〜３００ｍｍ／秒であることがさらに好ましい。エキスパンド速度を１００ｍｍ／秒以上とすれば、半導体ウェハ４とダイボンドフィルム３とを略同時に容易に破断することができる。また、エキスパンド速度を４００ｍｍ／秒以下とすれば、ダイシングシート１１が破断することを防止することができる。
また、前記クールエキスパンド工程において、エキスパンド量は、エキスパンド量４〜１６ｍｍであることが好ましい。前記エキスパンド量は、前記数値範囲内において、形成されるチップサイズに応じて適宜調整することができる。エキスパンド量を４ｍｍ以上とすれば、半導体ウェハ４、及び、ダイボンドフィルム３の破断をより容易とすることができる。また、エキスパンド量を１６ｍｍ以下とすれば、ダイシングシート１１が破断することをより防止することができる。
このように、ダイシングダイボンドフィルム１０に引張張力を加えることにより、半導体ウェハ４の改質領域を起点として半導体ウェハ４の厚さ方向に割れを発生させるとともに、半導体ウェハ４と密着するダイボンドフィルム３を破断させることができ、ダイボンドフィルム３付きの半導体チップ５を得ることができる。
次に、必要に応じて、ヒートエキスパンド工程を行う。ヒートエキスパンド工程では、ダイシングシート１１の半導体ウエハ４が貼り付けられている部分よりも外側を加熱して熱収縮させる。これにより、半導体チップ５同士の間隔を広げる。ヒートエキスパンド工程における条件は、特に限定されないが、エキスパンド量４〜１６ｍｍ、ヒート温度２００〜２６０℃、ヒート距離２〜３０ｍｍ、ローテーションスピード３°／ｓｅｃ〜１０°／ｓｅｃの範囲内とすることが好ましい。
次に、必要に応じて、クリーニング工程を行う。クリーニング工程では、ダイボンドフィルム３付き半導体チップ５が固定された状態のダイシングシート１１をスピンコーターにセットする。次に、洗浄液を半導体チップ５に滴下しながらスピンコーターを回転させる。これにより、半導体チップ５の表面を洗浄する。洗浄液としては、例えば、水が挙げられる。スピンコーターの回転速度や回転時間は、洗浄液の種類等に応じて異なるが、例えば、回転速度４００〜３０００ｒｐｍ、回転時間１〜５分とすることができる。
次に、ダイシングダイボンドフィルム１０に接着固定された半導体チップ５を剥離する為に、半導体チップ５のピックアップを行う（ピックアップ工程）。ピックアップの方法としては特に限定されず、従来公知の種々の方法を採用できる。例えば、個々の半導体チップ５をダイシングダイボンドフィルム１０側からニードルによって突き上げ、突き上げられた半導体チップ５をピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
次に、図５に示すように、ピックアップした半導体チップ５を、ダイボンドフィルム３を介して被着体６にダイボンドする（仮固着工程）。被着体６としては、リードフレーム、ＴＡＢフィルム、基板又は別途作製した半導体チップ等が挙げられる。被着体６は、例えば、容易に変形されるような変形型被着体であってもよく、変形することが困難である非変形型被着体（半導体ウェハ等）であってもよい。
前記基板としては、従来公知のものを使用することができる。また、前記リードフレームとしては、Ｃｕリードフレーム、４２Ａｌｌｏｙリードフレーム等の金属リードフレームやガラスエポキシ、ＢＴ（ビスマレイミド−トリアジン）、ポリイミド等からなる有機基板を使用することができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、半導体素子を接着固定し、半導体素子と電気的に接続して使用可能な回路基板も含まれる。
ダイボンドフィルム３の仮固着時における２５℃での剪断接着力は、被着体６に対して０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．２〜１０ＭＰａである。ダイボンドフィルム３の剪断接着力が少なくとも０．２ＭＰａ以上であると、ワイヤーボンディング工程の際に、当該工程に於ける超音波振動や加熱により、ダイボンドフィルム３と半導体チップ５又は被着体６との接着面でずり変形を生じることが少ない。即ち、ワイヤーボンディングの際の超音波振動により半導体素子が動くことが少なく、これによりワイヤーボンディングの成功率が低下するのを防止する。また、ダイボンドフィルム３の仮固着時における１７５℃での剪断接着力は、被着体６に対して０．０１ＭＰａ以上であることが好ましく、より好ましくは０．０１〜５ＭＰａである。
次に、被着体６の端子部（インナーリード）の先端と半導体チップ５上の電極パッド（図示しない）とをボンディングワイヤー７で電気的に接続するワイヤーボンディングを行う（ワイヤーボンディング工程）。前記ボンディングワイヤー７としては、例えば金線、アルミニウム線又は銅線等が用いられる。ワイヤーボンディングを行う際の温度は、８０〜２５０℃、好ましくは８０〜２２０℃の範囲内で行われる。また、その加熱時間は数秒〜数分間行われる。結線は、前記温度範囲内となる様に加熱された状態で、超音波による振動エネルギーと印加加圧による圧着工ネルギーの併用により行われる。本工程は、ダイボンドフィルム３の熱硬化を行うことなく実行することができる。また、本工程の過程でダイボンドフィルム３により半導体チップ５と被着体６とが固着することはない。
次に、封止樹脂８により半導体チップ５を封止する（封止工程）。本工程は、被着体６に搭載された半導体チップ５やボンディングワイヤー７を保護する為に行われる。本工程は、封止用の樹脂を金型で成型することにより行う。封止樹脂８としては、例えばエポキシ系の樹脂を使用する。樹脂封止の際の加熱温度は、通常１７５℃で６０〜９０秒間行われるが、本発明はこれに限定されず、例えば１６５〜１８５℃で、数分間キュアすることができる。これにより、封止樹脂を硬化させると共に、ダイボンドフィルム３を介して半導体チップ５と被着体６とを固着させる。即ち、本発明に於いては、後述する後硬化工程が行われない場合に於いても、本工程に於いてダイボンドフィルム３による固着が可能であり、製造工程数の減少及び半導体装置の製造期間の短縮に寄与することができる。
前記後硬化工程に於いては、前記封止工程で硬化不足の封止樹脂８を完全に硬化させる。封止工程に於いてダイボンドフィルム３が完全に熱硬化していない場合でも、本工程に於いて封止樹脂８と共にダイボンドフィルム３の完全な熱硬化が可能となる。本工程に於ける加熱温度は、封止樹脂の種類により異なるが、例えば１６５〜１８５℃の範囲内であり、加熱時間は０．５〜８時間程度である。
上述した実施形態では、ダイボンドフィルム３付き半導体チップ５を被着体６に仮固着した後、ダイボンドフィルム３を完全に熱硬化させることなくワイヤーボンディング工程を行う場合について説明した。しかしながら、本発明においては、被着体６に、ダイボンドフィルム３付き半導体チップ５を仮固着時した後、ダイボンドフィルム３を熱硬化させ、その後、ワイヤーボンディング工程を行う通常のダイボンド工程を行うこととしてもよい。
なお、本発明のダイシングダイボンドフィルムは、複数の半導体チップを積層して３次元実装をする場合にも好適に用いることができる。このとき、半導体チップ間にダイボンドフィルムとスペーサとを積層させてもよく、スペーサを積層することなく、ダイボンドフィルムのみを半導体チップ間に積層させてもよく、製造条件や用途等に応じて適宜変更可能である。
次に、半導体ウェハの表面に溝を形成し、その後、裏面研削を行う工程を採用した半導体装置の製造方法について以下に説明することとする。
図６、図７は、本実施形態に係る半導体装置の他の製造方法を説明するための断面模式図である。まず、図６（ａ）に示すように、回転ブレード４１にて半導体ウェハ４の表面４Ｆに裏面４Ｒまで達しない溝４Ｓを形成する。なお、溝４Ｓの形成時には、半導体ウェハ４は、図示しない支持基材にて支持される。溝４Ｓの深さは、半導体ウェハ４の厚さやエキスパンドの条件に応じて適宜設定可能である。次に、図６（ｂ）に示すように、表面４Ｆが当接するように半導体ウェハ４を保護基材４２に支持させる。その後、研削砥石４５にて裏面研削を行い、裏面４Ｒから溝４Ｓを表出させる。なお、半導体ウェハへの保護基材４２の貼り付けは、従来公知の貼付装置を用いることができ、裏面研削も、従来公知の研削装置を用いることができる。
次に、図７に示すように、ダイシングダイボンドフィルム１０上に、溝４Ｓが表出した半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（仮固着工程）。その後、保護基材４２を剥がし、ウェハ拡張装置３２によりダイシングダイボンドフィルム１０に張力をかける。これにより、ダイボンドフィルム３を破断し、半導体チップ５を形成する（チップ形成工程）。なお、チップ形成工程における温度、エキスパンド速度、エキスパンド量は、レーザー光を照射して分割予定ライン４Ｌ上に改質領域を形成する場合と同様である。以降の工程は、レーザー光を照射して分割予定ライン４Ｌ上に改質領域を形成する場合と同様であるからここでの説明は省略することとする。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウエハとダイボンドフィルムとを同時にクールエキスパンド工程において破断させるか、ダイボンドフィルムのみをクールエキスパンド工程において破断させていれば、上述した実施形態に限定されない。その他の実施形態として、例えば、図６（ａ）に示すように、回転ブレード４１にて半導体ウェハ４の表面４Ｆに裏面４Ｒまで達しない溝４Ｓを形成した後、ダイシングダイボンドフィルム上に、溝４Ｓが表出した半導体ウェハ４を圧着し、これを接着保持させて固定する（仮固着工程）。その後、ウェハ拡張装置によりダイシングダイボンドフィルムに張力をかける。これにより、溝４Ｓの部分において半導体ウエハ４とダイボンドフィルム３を破断し、半導体チップ５を形成してもよい。
以下、本発明に関し実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。また、各例中、部は特記がない限りいずれも重量基準である。
（実施例１）
＜ダイシングシートの作製＞
冷却管、窒素導入管、温度計、及び、撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」ともいう）１００部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」ともい。）１９部、過酸化ベンゾイル０．４部、及び、トルエン８０部を入れ、窒素気流中で６０℃にて１０時間重合処理をし、アクリル系ポリマーＡを得た。
このアクリル系ポリマーＡに２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、「ＭＯＩ」ともいう）１．２部を加え、空気気流中で５０℃にて６０時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＡ’を得た。
次に、アクリル系ポリマーＡ’１００部に対し、ポリイソシアネート化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）１．３部、及び、光重合開始剤（商品名「イルガキュア１８４」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）３部を加えて、粘着剤溶液（「粘着剤溶液Ａ」ともいう）を作製した。
前記で調製した粘着剤溶液Ａを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層Ａを形成した。次いで、粘着剤層Ａの露出面に、厚さ１１５μｍのグンゼ社製ＥＶＡフィルム（エチレン・酢酸ビニル共重合体フィルム）を貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存し、ダイシングシートＡを得た。
＜ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度２０重量％の接着剤組成物溶液Ａを得た。
（ａ）アクリル樹脂（商品名「ＳＧ−７０８−６」ナガセケムテックス社製、ガラス転移温度（Ｔｇ）：４℃）：１００部
（ｂ）エポキシ樹脂（商品名「ＪＥＲ８２８」三菱化学社製、２３℃で液状）：１１部
（ｃ）フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ−７８５１ｓｓ」明和化成社製、２３℃で固形）：５部
（ｄ）球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」株式会社アドマテックス製）：１１０部
接着剤組成物溶液Ａを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ（平均厚さ）１０μｍのダイボンドフィルムＡを得た。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
ダイシングシートＡから、ＰＥＴ剥離ライナーを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＡを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、３００ｍＪの紫外線をダイシングシート側から照射した。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＡを得た。
（実施例２）
＜ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｅ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度２０重量％の接着剤組成物溶液Ｂを得た。
（ａ）アクリル樹脂（商品名「ＳＧ−７０８−６」ナガセケムテックス社製、ガラス転移温度（Ｔｇ）：４℃）：１００部
（ｂ）エポキシ樹脂（商品名「ＪＥＲ１０１０」三菱化学社製、２３℃で固形）：１４０部
（ｃ）エポキシ樹脂（商品名「ＪＥＲ８２８」三菱化学社製、２３℃で液状）：６０部
（ｄ）フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ−７８５１ｓｓ」明和化成社製、２３℃で固形）：１００部
（ｅ）球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」株式会社アドマテックス製）：４０部
接着剤組成物溶液Ｂを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ（平均厚さ）１０μｍのダイボンドフィルムＢを得た。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１で用いたダイシングシートＡと同じものを準備した。次に、ダイシングシートＡから、ＰＥＴ剥離ライナーを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＢを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、３００ｍＪの紫外線をダイシングシート側から照射した。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＢを得た。
（実施例３）
＜ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｅ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度２０重量％の接着剤組成物溶液Ｃを得た。
（ａ）アクリル樹脂（商品名「ＳＧ−７０Ｌ」ナガセケムテックス社製、ガラス転移温度（Ｔｇ）：−１３℃）：１００部
（ｂ）エポキシ樹脂（商品名「ＪＥＲ１０１０」三菱化学社製、２３℃で固形）：１４０部
（ｃ）エポキシ樹脂（商品名「ＪＥＲ８２８」三菱化学社製、２３℃で液状）：６０部
（ｄ）フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ−７８５１ｓｓ」明和化成社製、２３℃で固形）１００部
（ｅ）球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」株式会社アドマテックス製）：１００部
接着剤組成物溶液Ｃを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ（平均厚さ）１０μｍのダイボンドフィルムＣを得た。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１で用いたダイシングシートＡと同じものを準備した。次に、ダイシングシートＡから、ＰＥＴ剥離ライナーを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＣを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、３００ｍＪの紫外線をダイシングシート側から照射した。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＣを得た。
（実施例４）
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１で用いたダイシングシートＡと同じものを準備した。また、実施例１で用いたダイボンドフィルムＡと同じものを準備した。次に、ダイシングシートＡから、ＰＥＴ剥離ライナーを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＡを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、４０ｍＪの紫外線をダイシングシート側から照射した。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＤを得た。
（実施例５）
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１で用いたダイシングシートＡと同じものを準備した。また、実施例１で用いたダイボンドフィルムＡと同じものを準備した。次に、ダイシングシートＡから、ＰＥＴ剥離ライナーを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＡを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、８０ｍＪの紫外線をダイシングシート側から照射した。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＥを得た。
（実施例６）
＜ダイシングシートの作製＞
実施例１と同様にして調製した粘着剤溶液Ａを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層Ａを形成した。次いで、粘着剤層Ａの露出面に、厚さ１００μｍのポリ塩化ビニルフィルム（アキレス社製、製品名：Ｖ−９ＫＮ）を貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存し、ダイシングシートＣを得た。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１で用いたダイボンドフィルムＡと同じものを準備した。次に、ダイシングシートＣから、ＰＥＴ剥離ライナーを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＡを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、３００ｍＪの紫外線をダイシングシート側から照射した。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＩを得た。
（比較例１）
＜ダイシングシートの作製＞
実施例１と同様にして調整した粘着剤溶液Ａを、ＰＥＴ剥離ライナーのシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱乾燥し、厚さ１０μｍの粘着剤層Ａを形成した。次いで、粘着剤層Ａの露出面に、厚さ１１５μｍのグンゼ社製ＥＶＡフィルム（エチレン・酢酸ビニル共重合体フィルム）を貼り合わせ、２３℃にて７２時間保存した。
その後、ＥＶＡフィルム側（基材側）から３００ｍＪの紫外線を照射した。以上により、ダイシングシートＢを得た。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例２で用いたダイボンドフィルムＢと同じものを準備した。ダイシングシートＢから、ＰＥＴ剥離ライナーを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＢを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＦを得た。
（比較例２）
＜ダイボンドフィルムの作製＞
下記（ａ）〜（ｄ）をメチルエチルケトンに溶解させ、固形分濃度２０重量％の接着剤組成物溶液Ｄを得た。
（ａ）アクリル樹脂（商品名「ＳＧ−７０Ｌ」ナガセケムテックス社製）：１００部
（ｂ）エポキシ樹脂（商品名「ＪＥＲ８２８」三菱化学社製）：２００部
（ｃ）フェノール樹脂（商品名「ＭＥＨ−７８５１ｓｓ」明和化成社製）１００部
（ｄ）球状シリカ（商品名「ＳＯ−２５Ｒ」株式会社アドマテックス製）：１００部
接着剤組成物溶液Ｄを、シリコーン離型処理した厚さが５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムからなる離型処理フィルム（剥離ライナー）上に塗布した後、１３０℃で２分間乾燥させた。これにより、厚さ（平均厚さ）１０μｍのダイボンドフィルムＤを得た。
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１で用いたダイシングシートＡと同じものを準備した。次に、ダイシングシートＡから、ＰＥＴ剥離ライナーを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＤを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。次に、３００ｍＪの紫外線をダイシングシート側から照射した。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＧを得た。
（比較例３）
＜ダイシングダイボンドフィルムの作製＞
実施例１で用いたダイシングシートＡと同じものを準備した。また、実施例１で用いたダイボンドフィルムＡと同じものを準備した。次に、ダイシングシートＡから、ＰＥＴ剥離ライナーを剥離し、露出した粘着剤層にダイボンドフィルムＡを貼り合わせた。貼り合わせには、ハンドローラーを用いた。以上により、ダイシングダイボンドフィルムＨを得た。
（ダイシングシートとダイボンドフィルムとの剥離力の測定）
実施例、及び、比較例に係るダイシングダイボンドフィルムから離型処理フィルムを剥離し、ダイボンドフィルムを露出させた。その後、露出したダイボンドフィルムに、幅５０ｍｍの裏打ちテープ（ＢＴ３１５、日東電工製）を貼り合わせた。裏打ちテープの幅50ｍｍにそってダイシングダイボンドフィルムをカットし、５０ｍｍ幅にてダイシングシートとダイボンドフィルム（裏打ちテープが貼り合わせられたダイボンドフィルム）との剥離力を測定した。測定温度２３℃での剥離力を剥離力Ａ、測定温度−１５℃での剥離力を剥離力Ｂとした。剥離力Ａ、剥離力Ｂのそれぞれの測定条件は、下記の通りである。結果を表１に示す。
＜剥離力Ａの測定条件＞
Ｔ型剥離試験
剥離速度３００ｍｍ／分
測定装置：ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製、ＡＧ−２０ＫＮＳＤ
＜剥離力Ｂの測定条件＞
Ｔ型剥離試験
−１５℃の環境下にサンプルをセットし、２分後に測定
剥離速度３００ｍｍ／分。
測定装置：ＳＨＩＭＡＤＺＵ社製、恒温恒湿槽付３連引張試験機
［ダイボンドフィルムの−１５℃での引張貯蔵弾性率、２３℃での引張貯蔵弾性率、及び、ガラス転移温度の測定］
実施例、及び、比較例に係るダイボンドフィルムを厚みが２００μｍになるまで重ね合わせた。次に、長さ４０ｍｍ（測定長さ）、幅１０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出した。次に、固体粘弾性測定装置（ＲＳＡIII、レオメトリックサイエンティフィック（株）製）を用いて、−５０〜１００℃における引張貯蔵弾性率を測定した。測定条件は、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、チャック間距離２２．５ｍｍとした。その際の−１５℃、及び、２３℃での値を読み取り、引張貯蔵弾性率の測定値とした。測定温度２３℃での引張貯蔵弾性率を引張貯蔵弾性率Ａ、測定温度−１５℃での引張貯蔵弾性率を引張貯蔵弾性率Ｂとした。結果を表１に示す。また、引張貯蔵弾性率Ａと引張貯蔵弾性率Ｂの比［（引張貯蔵弾性率Ｂ）／（引張貯蔵弾性率Ａ）］も合わせて表１に示した。更に、ｔａｎδ（Ｅ”（損失弾性率）／Ｅ’（貯蔵弾性率））の値を算出することによりガラス転移温度（Ｔｇ）を得た。結果を表１に示す。
［粘着剤層の−１５℃での引張貯蔵弾性率、２３℃での引張貯蔵弾性率の測定］
実施例、及び、比較例に係る粘着剤層を厚みが２００μｍになるまで重ね合わせた。次に、長さ４０ｍｍ（測定長さ）、幅１０ｍｍの短冊状にカッターナイフで切り出した。次に、固体粘弾性測定装置（ＲＳＡIII、レオメトリックサイエンティフィック（株）製）を用いて、−５０〜１００℃における引張貯蔵弾性率を測定した。測定条件は、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／ｍｉｎ、チャック間距離２２．５ｍｍとした。その際の−１５℃、及び、２３℃での値を読み取り、引張貯蔵弾性率の測定値とした。測定温度２３℃での引張貯蔵弾性率を引張貯蔵弾性率Ａ、測定温度−１５℃での引張貯蔵弾性率を引張貯蔵弾性率Ｂとした。結果を表１に示す。また、引張貯蔵弾性率Ａと引張貯蔵弾性率Ｂの比［（引張貯蔵弾性率Ｂ）／（引張貯蔵弾性率Ａ）］も合わせて表１に示した。
［基材の−１５℃、伸度１００％での引張強度の測定］
実施例、及び、比較例に係る基材を、それぞれ幅１０ｍｍに切断した。次に、この試料について、引っ張り試験機（テンシロン、島津製作所社製）を用いて−１５℃、チャック間距離１０ｍｍ、引っ張り速度１００ｍｍ／ｍｉｎでの１００％延び時の引張強度を得た。サンプルは−１５℃の環境下に設定した後、２分後に測定を行った。結果を表１に示す。
（エキスパンド評価）
レーザー加工装置として株式会社東京精密製、ＭＬ３００−Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎを用いて、１２インチの半導体ウエハの内部に集光点を合わせ、格子状（１０ｍｍ×１０ｍｍ）の分割予定ラインに沿ってレーザー光を照射し、半導体ウエハの内部に改質領域を形成した。レーザー光照射条件は、下記のようにして行った。
（Ａ）レーザー光
レーザー光源 半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長 １０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積 ３．１４×１０−８ｃｍ２
発振形態 Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数 １００ｋＨｚ
パルス幅 ３０ｎｓ
出力 ２０μＪ／パルス
レーザー光品質 ＴＥＭ００ ４０
偏光特性 直線偏光
（Ｂ）集光用レンズ
倍率 ５０倍
ＮＡ ０．５５
レーザー光波長に対する透過率 ６０％
（Ｃ）半導体基板が載置される裁置台の移動速度 １００ｍｍ／秒
次に、半導体ウェハの表面にバックグラインド用保護テープを貼り合せ、ディスコ社製バックグラインダーＤＧＰ８７６０を用いて半導体ウェハの厚みが３０μｍになるように裏面を研削した。
次に、実施例、及び、比較例のダイシングダイボンドフィルムにレーザー光による前処理を行った前記半導体ウェハ及びダイシングリングを貼り合わせた。
次に、ディスコ社製ダイセパレーターＤＤＳ２３００を用いて半導体ウェハの割断及びダイシングシートの熱収縮を行うことにより、サンプルを得た。具体的には、まず、クールエキスパンダーユニットで、エキスパンド温度−１５℃、エキスパンド速度２００ｍｍ／秒、エキスパンド量１２ｍｍの条件で半導体ウェハを割断した。
その後、ヒートエキスパンダーユニットで、エキスパンド量１０ｍｍ、ヒート温度２５０℃、風量４０Ｌ／ｍｉｎ、ヒート距離２０ｍｍ、ローテーションスピード３°／ｓｅｃの条件でダイシングシートを熱収縮させた。
ダイボンドフィルムがダイシングシートから浮いている部分の面積（ダイボンドフィルム全体の面積を１００％としたときの浮いているダイボンドフィルムの面積の割合）を顕微鏡で観察した。浮きの面積が３0％未満である場合を○、３０％以上である場合を×として評価した。結果を表１に示す。
（クリーニングによるチップ飛び評価）
エキスパンド評価の後のサンプルを用い、クリーニングによるチップ飛び評価を行った。具体的には、まず、ダイボンドフィルム付き半導体チップが固定された状態のダイシングシートをスピンコーターにセットした。次に、洗浄液としての水を半導体チップに滴下しながらスピンコーターを回転させた。これにより、半導体チップの表面を洗浄した。スピンコーターの回転速度は２５００ｒｐｍ、回転時間は１分とした。その後、乾燥を８００ｒｐｍで１分行った。チップが飛んで無くなっているか否かを確認した。全てのチップが残っている場合を○、１つでも無くなっている場合を×として評価した。結果を表１に示す。
（ピックアップ評価）
クリーニングによるチップ飛び評価の後のサンプルを用い、ピックアップ評価を行った。具体的には、ダイボンダーＳＰＡ−３００（新川社製）を用い、以下の条件でピックアップを行った。全てピックアップできた場合を○、ピックアップできないチップが１つでもあれば×として評価を行った。結果を表１に示す。
＜ピックアップ条件＞
ピン数：５
ピックアップハイト：５００μｍ
ピックアップ評価数：５０チップ
Figure 2017183705
１ 基材
２ 粘着剤層
３ ダイボンドフィルム
４ 半導体ウェハ
５ 半導体チップ
６ 被着体
７ ボンディングワイヤー
８ 封止樹脂
１０ ダイシングダイボンドフィルム
１１ ダイシングシート

Claims (2)

  1. ダイシングシートと、
    前記ダイシングシート上に積層されたダイボンドフィルムとを有し、
    前記ダイシングシートと前記ダイボンドフィルムとの２３℃での剥離力Ａが、下記剥離力Ａの測定条件下で、０．１Ｎ／２０ｍｍ以上０．２５Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内であり、
    前記ダイシングシートと前記ダイボンドフィルムとの−１５℃での剥離力Ｂが、下記剥離力Ｂの測定条件下で、０．１５Ｎ／２０ｍｍ以上０．５Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内であり、
    前記ダイボンドフィルムは、引張張力を加えることにより破断して使用される
    ことを特徴とするダイシングダイボンドフィルム。
    ＜剥離力Ａの測定条件＞
    Ｔ型剥離試験
    剥離速度３００ｍｍ／分
    ＜剥離力Ｂの測定条件＞
    Ｔ型剥離試験
    剥離速度３００ｍｍ／分。
  2. 半導体ウエハをダイシングダイボンドフィルムに貼り付ける工程Ａと、
    ０℃以下の条件で、前記ダイシングダイボンドフィルムをエキスパンドして、少なくとも前記ダイボンドフィルムを破断し、ダイボンドフィルム付きチップを得る工程Ｂと、
    前記ダイボンドフィルム付きチップをピックアップする工程Ｃと
    を含み、
    前記ダイシングダイボンドフィルムは、
    ダイシングシートと、
    前記ダイシングシート上に積層されたダイボンドフィルムとを有し、
    前記ダイシングシートと前記ダイボンドフィルムとの２３℃での剥離力Ａが、下記剥離力Ａの測定条件下で、０．１Ｎ／２０ｍｍ以上０．２５Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内であり、
    前記ダイシングシートと前記ダイボンドフィルムとの−１５℃での剥離力Ｂが、下記剥離力Ｂの測定条件下で、０．１５Ｎ／２０ｍｍ以上０．５Ｎ／２０ｍｍ以下の範囲内であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
    ＜剥離力Ａの測定条件＞
    Ｔ型剥離試験
    剥離速度３００ｍｍ／分
    ＜剥離力Ｂの測定条件＞
    Ｔ型剥離試験
    剥離速度３００ｍｍ／分。
JP2017022100A 2016-03-24 2017-02-09 ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法 Pending JP2017183705A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020170035214A KR20170113152A (ko) 2016-03-24 2017-03-21 다이싱 다이 본드 필름, 및 반도체 장치의 제조 방법
TW106109680A TW201806040A (zh) 2016-03-24 2017-03-23 切晶黏晶膜及半導體裝置之製造方法
CN201710183427.3A CN107227123A (zh) 2016-03-24 2017-03-24 切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016059621 2016-03-24
JP2016059621 2016-03-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2017183705A true JP2017183705A (ja) 2017-10-05

Family

ID=60008668

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017022100A Pending JP2017183705A (ja) 2016-03-24 2017-02-09 ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2017183705A (ja)
KR (1) KR20170113152A (ja)
TW (1) TW201806040A (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019204862A (ja) * 2018-05-23 2019-11-28 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP2019209689A (ja) * 2018-06-05 2019-12-12 イノックス・アドバンスト・マテリアルズ・カンパニー・リミテッドＩＮＮＯＸ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 帯電防止ダイアタッチフィルム、その製造方法、及びこれを用いたウエハダイシング工程
CN111009488A (zh) * 2018-10-05 2020-04-14 日东电工株式会社 切割芯片接合薄膜
KR20200039567A (ko) * 2018-10-05 2020-04-16 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 다이 본드 필름
JP2020145212A (ja) * 2019-03-04 2020-09-10 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP2020145392A (ja) * 2019-03-08 2020-09-10 日東電工株式会社 ダイシングテープ、及び接着フィルム付きダイシングテープ
KR20200130235A (ko) 2018-03-09 2020-11-18 린텍 가부시키가이샤 보호막 형성용 복합 시트 및 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법
JP2021005623A (ja) * 2019-06-26 2021-01-14 日東電工株式会社 ダイシングテープ、及び、ダイシングダイボンドフィルム
CN115476053A (zh) * 2022-09-09 2022-12-16 惠州佰维存储科技有限公司 一种晶圆颗粒分离方法
JP7640255B2 (ja) 2020-12-01 2025-03-05 日東電工株式会社 半導体ウェハ搭載用基材、ダイシングテープ、及び、ダイシングダイボンドフィルム

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240157784A (ko) * 2018-07-11 2024-11-01 가부시끼가이샤 레조낙 반도체 장치의 제조 방법, 접착층 및 다이싱·다이본딩 일체형 필름
CN113348533B (zh) * 2019-05-10 2022-06-03 昭和电工材料株式会社 拾取性的评价方法、切晶粘晶一体型膜及其评价方法及分选方法、半导体装置的制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010056544A (ja) * 2008-08-01 2010-03-11 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2011091363A (ja) * 2009-09-28 2011-05-06 Nitto Denko Corp 半導体装置用フィルム
JP2012018949A (ja) * 2010-07-06 2012-01-26 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2012059769A (ja) * 2010-09-06 2012-03-22 Nitto Denko Corp 半導体装置用フィルム、及び、半導体装置
JP2015198118A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 日東電工株式会社 ダイシングフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010056544A (ja) * 2008-08-01 2010-03-11 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2011091363A (ja) * 2009-09-28 2011-05-06 Nitto Denko Corp 半導体装置用フィルム
JP2012018949A (ja) * 2010-07-06 2012-01-26 Nitto Denko Corp ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2012059769A (ja) * 2010-09-06 2012-03-22 Nitto Denko Corp 半導体装置用フィルム、及び、半導体装置
JP2015198118A (ja) * 2014-03-31 2015-11-09 日東電工株式会社 ダイシングフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200130235A (ko) 2018-03-09 2020-11-18 린텍 가부시키가이샤 보호막 형성용 복합 시트 및 보호막이 형성된 반도체 칩의 제조 방법
JP2019204862A (ja) * 2018-05-23 2019-11-28 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP7033003B2 (ja) 2018-05-23 2022-03-09 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP2019209689A (ja) * 2018-06-05 2019-12-12 イノックス・アドバンスト・マテリアルズ・カンパニー・リミテッドＩＮＮＯＸ Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 帯電防止ダイアタッチフィルム、その製造方法、及びこれを用いたウエハダイシング工程
KR20200039567A (ko) * 2018-10-05 2020-04-16 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 다이 본드 필름
JP7075326B2 (ja) 2018-10-05 2022-05-25 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
KR102675702B1 (ko) 2018-10-05 2024-06-19 닛토덴코 가부시키가이샤 다이싱 다이 본드 필름
JP7176919B2 (ja) 2018-10-05 2022-11-22 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP2020061422A (ja) * 2018-10-05 2020-04-16 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP2020061423A (ja) * 2018-10-05 2020-04-16 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
CN111009488A (zh) * 2018-10-05 2020-04-14 日东电工株式会社 切割芯片接合薄膜
JP7389556B2 (ja) 2019-03-04 2023-11-30 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP2020145212A (ja) * 2019-03-04 2020-09-10 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム
JP2020145392A (ja) * 2019-03-08 2020-09-10 日東電工株式会社 ダイシングテープ、及び接着フィルム付きダイシングテープ
JP7539223B2 (ja) 2019-03-08 2024-08-23 日東電工株式会社 ダイシングテープ、及び接着フィルム付きダイシングテープ
JP2021005623A (ja) * 2019-06-26 2021-01-14 日東電工株式会社 ダイシングテープ、及び、ダイシングダイボンドフィルム
JP7328807B2 (ja) 2019-06-26 2023-08-17 日東電工株式会社 ダイシングテープ、及び、ダイシングダイボンドフィルム
JP7640255B2 (ja) 2020-12-01 2025-03-05 日東電工株式会社 半導体ウェハ搭載用基材、ダイシングテープ、及び、ダイシングダイボンドフィルム
CN115476053A (zh) * 2022-09-09 2022-12-16 惠州佰维存储科技有限公司 一种晶圆颗粒分离方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170113152A (ko) 2017-10-12
TW201806040A (zh) 2018-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4976522B2 (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
KR102493750B1 (ko) 다이싱·다이본드 필름 및 반도체 장치의 제조 방법
JP6068386B2 (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
TWI521578B (zh) 切晶黏晶膜
JP5580701B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP6310748B2 (ja) ダイボンドフィルム、ダイシングシート付きダイボンドフィルム、半導体装置、及び、半導体装置の製造方法
JP2017183705A (ja) ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP2011060848A (ja) 熱硬化型ダイボンドフィルム、ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置
JP4927187B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP6295135B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2011187571A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP6295132B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP2012222002A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP2011023607A (ja) 放熱性ダイボンドフィルム
JP6193663B2 (ja) ダイシングテープ付きダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP6670177B2 (ja) ダイボンドフィルム、ダイシングダイボンドフィルム、及び、半導体装置の製造方法
JP5908543B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP5749314B2 (ja) 放熱性ダイボンドフィルム
JP2012186361A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子
JP2013038181A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP5456807B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム
JP6574685B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体装置の製造方法
JP2012186360A (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム及び半導体素子
JP4954568B2 (ja) ダイシング・ダイボンドフィルム、及びそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2012069953A (ja) 半導体装置製造用接着シート、及びそれを用いた半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170911

A871 Explanation of circumstances concerning accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871

Effective date: 20170911

A975 Report on accelerated examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005

Effective date: 20171019

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171027

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171214

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20180201