KR20170111780A - Multi Source Mixture Ratio Supporting Apparatus for Multi Source Co-Deposition - Google Patents
Multi Source Mixture Ratio Supporting Apparatus for Multi Source Co-Deposition Download PDFInfo
- Publication number
- KR20170111780A KR20170111780A KR1020160037841A KR20160037841A KR20170111780A KR 20170111780 A KR20170111780 A KR 20170111780A KR 1020160037841 A KR1020160037841 A KR 1020160037841A KR 20160037841 A KR20160037841 A KR 20160037841A KR 20170111780 A KR20170111780 A KR 20170111780A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- accommodating
- mixing
- evaporation
- materials
- rooms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 93
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims abstract description 72
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 69
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims description 25
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 45
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 42
- 238000004925 denaturation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000036425 denaturation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 20
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 13
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 10
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/548—Controlling the composition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- H01L51/0008—
-
- H01L51/56—
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 발명은 다수 종류의 증착물질들을 각기 구별되는 증발온도로 증발시켜줄 수 있는 복합증발장치에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 기판 측에 증착시킬 복수 종류의 증착물질들 각각이 구분되어 수용될 수 있도록 다수의 수용룸이 마련된 수용부; 상기 수용부의 수용룸 외측의 적어도 일부 부분에 결합되며, 상기 수용부의 수용룸에 수용된 상기 증착물질 각각이 증발되기 위하여 필요한 열에너지를 공급하는 히터부; 및 상기 수용부의 상측에 마련되며, 상기 수용부 측에서 증발된 복수 종류의 증착물질이 기화된 상태에서 혼합되는 혼합공간을 제공하며, 상측에 기판측을 향하는 방출구가 형성된 혼합부;를 포함하며, 상기 혼합부는, 상기 혼합부 내측에 마련되는 상기 혼합공간 상으로 증발되어 유입된 상기 복수 종류의 증착물질들이 상기 기판측으로 균일하게 혼합되어 이동할 수 있도록 열에너지를 공급하는 배플(baffle)을 구비하여, 증착물질의 증발과정에서의 변성 발생을 억제할 수 있으며, 증발된 다수 종류의 증착물질이 균일하게 혼합되어 기판에 증착될 수 있는 기술이 개시된다. The present invention relates to a combined evaporation apparatus capable of evaporating a plurality of kinds of evaporation materials to respective distinct evaporation temperatures, and in accordance with the present invention, a plurality of kinds of evaporation materials to be deposited on a substrate side can be separately accommodated A receiving portion having a plurality of receiving rooms; A heater unit coupled to at least a part of the outside of the accommodating room of the accommodating unit and supplying heat energy necessary for evaporating each of the evaporating materials accommodated in the accommodating room of the accommodating unit; And a mixing part provided on the upper side of the receiving part and providing a mixing space in which a plurality of types of evaporated material evaporated on the receiving part side are mixed in a vaporized state and an outlet port facing the substrate side is formed on the upper side, Wherein the mixing unit includes a baffle for supplying heat energy to the plurality of evaporation materials evaporated into the mixing space provided inside the mixing unit so as to be uniformly mixed and moved to the substrate side, Disclosed herein is a technique capable of suppressing the occurrence of denaturation in the evaporation process of a deposition material, and capable of uniformly mixing a plurality of types of evaporated material vaporized and depositing the same on a substrate.
Description
본 발명은 기판에 대한 증착공정을 실시하는데 이용되는 증발장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 물리적 화학적 특성이 서로 다른 증착물질들을 개별적으로 동시에 증발시키고 균일한 혼합비율로 혼합되도록 하여 대면적의 기판에 증착되는 증착물질들의 혼합비율의 균일성을 확보할 수 있는 복합증발장치에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to an evaporation apparatus used for performing a deposition process on a substrate, and more particularly, to an evaporation apparatus for evaporating deposition materials having different physical and chemical characteristics at the same time and mixing them at a uniform mixing ratio, To a composite evaporation apparatus capable of ensuring uniformity of a mixing ratio of evaporated deposition materials.
디스플레이 장치들 중, 유기 발광 디스플레이 장치는 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수하며, 응답속도가 매우 빠르다는 장점이 있기에 차세대 디스플레이장치로 각광을 받고 있으며, 이에 대한 연구 또한 활발히 이루어지고 있다. Of the display devices, an organic light emitting display device has a wide viewing angle, an excellent contrast, and a very high response speed. Therefore, the OLED display device has attracted attention as a next generation display device.
유기발광디스플레이장치와 같은 평판 디스플레이장치에서, 유기물이나 전극으로 사용되는 금속 등은 진공의 분위기 속에서 해당물질을 증착하여 평판 상에 박막을 형성시키는 진공증착방법이 널리 이용되고 있다.BACKGROUND ART [0002] In a flat panel display device such as an organic light emitting display device, a vacuum deposition method is widely used in which an organic material or a metal used as an electrode is deposited in a vacuum atmosphere to form a thin film on a flat plate.
진공증착방법은 진공챔버 내부에 유기박막을 성막시킬 기판을 위치시키고, 형성시키고자 하는 박막 등의 패턴과 동일한 패턴을 갖는 증착용마스크를 기판에 밀착시킨 후 증착물질 증발장치를 이용하여 유기물과 같은 증착물질을 증발 또는 승화시키어 기판에 증착시키는 방법으로 실시되며 특히, 기판상에 둘 이상의 종류의 증착물질을 이용하여 도핑층을 형성시키고자 하는 경우에는 증착물질들을 동시에 증발시키어서 기판에 증착시키는 방법으로 실시되고 있다.In the vacuum deposition method, a substrate on which an organic thin film is to be formed is placed in a vacuum chamber, an evaporation mask having the same pattern as that of a thin film to be formed is brought into close contact with the substrate, Evaporation or sublimation of an evaporation material to deposit on a substrate. Particularly, when a doping layer is to be formed using two or more kinds of evaporation materials on a substrate, the evaporation materials are evaporated at the same time and deposited on the substrate .
이와 같이 여러 종류의 증착물질을 이용하여 도핑층을 형성시키기 위한 증착장치에 관하여 다양한 기술이 제안되고 연구되고 있다. 이러한 증착장치에 관한 기술 중에는 대한민국 등록특허 제 10-0532657호 (발명의 명칭 : 다증발원을 이용한 동시증착에서 균일하게 혼합된 박막의 증착을 위한 증발영역조절장치. 이하 선행기술 이라 함) 등이 있다. Various techniques have been proposed and studied for a deposition apparatus for forming a doping layer using various types of deposition materials. Among the techniques related to such a deposition apparatus are Korean Patent Registration No. 10-0532657 entitled " Device for controlling evaporation area for deposition of uniformly mixed thin films in simultaneous vapor deposition using a multi-evaporation source " .
이러한 선행기술에 따르면, 여러 증착물질들이 기판 면상의 동일한 영역에 이르러서 균일하게 중첩적으로 혼재되어 증착됨으로써 균일하게 혼합된 박막층을 형성시키는 기술이 개시되어 있다. According to this prior art, there is disclosed a technique for forming a uniformly mixed thin film layer by depositing a plurality of deposition materials in the same area on the substrate surface in a uniformly overlapping manner.
그러나, 이러한 선행기술 등에 따르면 다음과 같은 문제점이 있었다. 여러 종류의 증착물질들을 동시에 증착시키기 위해서 각각의 증착물질들을 증발시켜야하는데 고온에서 증발되는 증착물질을 증발시키기 위하여 가해준 열이 저온에서 증발되는 증착물질 측으로 전달됨으로써 과도한 열에 의한 변성을 야기시킬 수 있는 문제점이 있었다.However, the prior art has the following problems. In order to simultaneously deposit a plurality of types of deposition materials, each of the deposition materials must be evaporated. In order to vaporize the deposition material evaporated at a high temperature, the applied heat is transferred to the evaporated material at a low temperature, There was a problem.
또한, 증발된 증착물질이 기판면 근처에서 증착되기 직전에 중첩적으로 증착되는 형태로 혼합되기 때문에 국부적으로 혼합비율이 일정하지 않게 되는 경우가 종종 발생하였다. 따라서, 증착물질이 일정한 혼합비율로 고르게 혼합된 증착층을 얻기가 어렵다는 문제점 또한 있었다.Also, since the evaporated deposition material is mixed in the form of superimposed deposition just before deposition near the substrate surface, the mixing ratio sometimes becomes locally inconsistent. Therefore, there is also a problem that it is difficult to obtain a deposition layer in which the evaporation material is uniformly mixed at a constant mixing ratio.
본 발명의 목적은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 물리적 화학적 특성이 서로 다른 증착물질들이 각기 고유의 증발온도로 증발될 수 있도록 필요한 수준의 열에너지를 공급하고, 각기 개별적으로 증발된 증착물질들이 혼합공간 상의 국소적인 부분에서도 균일하게 혼합될 수 있도록 하여, 기판상에 증착되는 증착물질이 전반적으로 균일한 혼합비율로 기판에 증착될 수 있는 복합증발장치를 제공함에 있다.It is an object of the present invention to solve the above-mentioned problems of the prior art, and it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for supplying evaporative deposition materials having different physical and chemical characteristics to respective evaporation temperatures, Which are uniformly mixed even in local portions on the mixed space, so that the evaporation material deposited on the substrate can be deposited on the substrate at a generally uniform mixing ratio.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시 예에 따른 복합증착장치는 기판 측에 증착시킬 복수 종류의 증착물질들 각각이 구분되어 수용될 수 있도록 다수의 수용룸이 마련된 수용부; 상기 수용부의 수용룸 외측의 적어도 일부 부분에 결합되며, 상기 수용부의 수용룸에 수용된 상기 증착물질 각각이 증발되기 위하여 필요한 열에너지를 공급하는 히터부; 및 상기 수용부의 상측에 마련되며, 상기 수용부 측에서 증발된 복수 종류의 증착물질이 기화된 상태에서 혼합되는 혼합공간을 제공하며, 상측에 기판측을 향하는 방출구가 형성된 혼합부;를 포함하며, 상기 혼합부는, 상기 혼합부 내측에 마련되는 상기 혼합공간 상으로 증발되어 유입된 상기 복수 종류의 증착물질들이 상기 기판측으로 균일하게 혼합되어 이동할 수 있도록 열에너지를 공급하는 배플(baffle)을 구비하고 있는 것을 하나의 특징으로 할 수도 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a composite deposition apparatus including: an accommodating portion having a plurality of accommodating chambers for accommodating a plurality of types of deposition materials to be deposited on a substrate; A heater unit coupled to at least a part of the outside of the accommodating room of the accommodating unit and supplying heat energy necessary for evaporating each of the evaporating materials accommodated in the accommodating room of the accommodating unit; And a mixing part provided on the upper side of the receiving part and providing a mixing space in which a plurality of types of evaporated material evaporated on the receiving part side are mixed in a vaporized state and an outlet port facing the substrate side is formed on the upper side, The baffle may include a baffle for supplying thermal energy to the plurality of evaporation materials evaporated into the mixing space provided inside the mixing unit so that the plurality of evaporation materials introduced into the mixing space can be uniformly mixed and moved It may be a feature.
여기서, 상기 방출구는, 상기 혼합공간 내에서 혼합된 상기 증착물질들이 상기 기판측으로 유입될 수 있도록 일방향으로 길게 형성된 방출슬릿 또는 일방향으로 길게 배열된 다수개의 방출노즐인 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.The discharge port may be a discharge slit formed in a long direction in one direction or a plurality of discharge nozzles arranged in a long direction in one direction so that the deposition materials mixed in the mixing space may flow into the substrate side .
또한, 다수의 상기 수용룸 각각의 상측에는, 상기 수용룸과 상기 혼합부를 구분지어주며, 상기 혼합공간 측에 존재하는 증착물질들이 역으로 유입되는 것을 억제하기 위한 루프(roof)가 마련되어 있는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.In addition, a roof is provided on each of the plurality of accommodating rooms to separate the accommodating room and the mixing section from each other and to prevent the evaporated materials present in the mixed space from being reversely introduced. It can also be a feature.
나아가, 상기 루프에는 상기 수용룸에서 증발된 증착물질들이 상기 혼합부의 혼합공간 측으로 유입될 수 있도록 가이드하는 가이드구가 마련되어 있는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.Further, the loop may further include a guide hole for guiding evaporated evaporated materials in the accommodating chamber to the mixed space side of the mixed portion.
더 나아가, 상기 가이드구는 일방향으로 길게 형성된 가이드슬릿인 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.Furthermore, the guide hole may be a guide slit formed in a long direction in one direction.
더 나아가, 상기 가이드슬릿은 상기 루프 또는 상기 수용룸의 바닥면에 대하여 일정한 기울기를 가지도록 형성된 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.Furthermore, the guide slit may be characterized by being formed to have a constant slope with respect to the bottom surface of the receiving room or the loop.
또한, 상기 가이드구는 일정한 크기를 갖는 가이드노즐이며, 하나의 루프에 대하여 상기 가이드노즐이 다수 마련되어 있는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.In addition, the guide hole may be a guide nozzle having a predetermined size, and it may be a feature that a plurality of the guide nozzles are provided for one loop.
나아가, 상기 가이드노즐은 상기 루프 또는 상기 수용룸의 바닥면에 대하여 일정한 기울기의 각도를 가지도록 형성된 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.Further, the guide nozzle may be formed so as to have a predetermined inclination angle with respect to the loop or the bottom surface of the receiving room.
또한, 상기 수용부에 마련된 다수의 상기 수용룸은, 이웃하는 수용룸으로부터의 열적 영향(thermal effect) 또는 열적 간섭(thermal interference)을 억제하기 위하여, 각각 이웃하는 수용룸과의 바닥면의 높이가 서로 다르게 마련된 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.The plurality of the accommodating rooms provided in the accommodating portion may have a height of the bottom surface with respect to the neighboring accommodating room in order to suppress the thermal effect or thermal interference from the neighboring accommodating room Another feature may be another feature.
여기서, 다수의 상기 수용룸 각각의 사이에 마련되며, 이웃하는 수용룸으로의 열적 간섭(thermal interference)을 억제하기 위한 열전달억제수단;을 더 포함하며, 상기 히터부 및 상기 열전달억제수단에 의해 다수의 상기 수용룸 각각이 개별적인 온도로 제어될 수 있는 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다. And a heat transfer restraining means provided between each of the plurality of accommodating rooms and for suppressing thermal interference to a neighboring accommodating room, wherein the heater portion and the heat transfer suppressing means Each of the accommodating rooms of the first and second accommodating chambers can be controlled to an individual temperature.
나아가, 상기 히터부는, 다수의 상기 수용룸마다 각기 다른 열에너지를 공급할 수 있도록 구분되는 히터존을 다수 포함하며, 상기 열전달억제수단은 열차단재 또는 냉각판인 것을 또 하나의 특징으로 할 수도 있다.Further, the heater unit may include a plurality of heater zones that are divided to supply different heat energy to each of the plurality of accommodating rooms, and the heat transfer suppressing unit may be a heat plate or a cooling plate.
본 발명에 따른 복합증발장치는 증착물질 별로 증발온도에 맞는 수준의 열에너지를 공급함으로써 증착물질에 과도한 열이 공급되어 야기될 수 있는 변성의 발생을 억제시킬 수 있으며, 증발된 증착물질이 혼합공간 내에서 보다 균일하게 혼합될 수 있도록 배플을 통하여 열에너지를 공급하기 때문에 혼합공간으로 유입된 증착물질들이 고르게 혼합될 수 있게 된다. 따라서, 기판측으로 유입되는 동안에 증착물질들의 혼합비율을 안정적으로 일정하게 유지시킬 수 있게되어 증착불량발생을 억제시킬 수 있는 효과가 있다. The complex evaporation apparatus according to the present invention can suppress the generation of denaturation that may be caused by excessive heat supplied to the evaporation material by supplying thermal energy at a level suitable for the evaporation temperature for each evaporation material, The thermal energy is supplied through the baffle so as to be more uniformly mixed in the mixing space, so that the evaporated materials introduced into the mixing space can be mixed evenly. Therefore, it is possible to maintain the mixing ratio of the deposition materials stably during the introduction to the substrate side, thereby suppressing the occurrence of deposition defects.
또한 다수의 수용룸이 이웃하여 배치되어 증발장치의 부피를 대폭 감소시킬 수 있으므로 공간적 낭비를 억제시킬 수 있는 효과가 있다. In addition, since a plurality of accommodating chambers are arranged adjacent to each other, the volume of the evaporator can be greatly reduced, and spatial waste can be suppressed.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 복합증발장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2는 본 발명의 응용된 실시 예에 따른 복합증발장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 응용된 다른 실시 예에 따른 복합증발장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 응용된 또 다른 실시 예에 따른 복합증발장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 5는 본 발명의 응용된 또 다른 실시 예에 따른 복합증발장치를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 6은 본 발명의 응용된 또 다른 실시 예에 따른 복합증발장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic view of a combined vaporization apparatus according to an embodiment of the present invention; FIG.
2 is a schematic view of a combined vaporization apparatus according to an embodiment of the present invention.
3 is a schematic view of a combined vaporization apparatus according to another embodiment of the present invention.
4 is a schematic view of a combined vaporization apparatus according to another embodiment of the present invention.
5 is a schematic view of a combined vaporization apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a schematic view of a combined vaporization apparatus according to another embodiment of the present invention.
이하에서는 본 발명에 대하여 보다 구체적으로 이해할 수 있도록 첨부된 도면을 참조한 바람직한 실시 예를 들어 설명하기로 한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 복합증발장치를 개략적으로 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명의 응용된 실시 예에 따른 복합증발장치를 개략적으로 나타낸 도면이며, 도 3 내지 도 6은 본 발명의 응용된 각기 다른 실시 형태에 따른 복합증발장치들을 개략적으로 나타낸 도면들이다. FIG. 1 is a schematic view of a combined vaporization apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic view of a combined vaporization apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIGS. FIG. 2 is a schematic view showing a combined vaporization apparatus according to another embodiment of the present invention.
먼저, 도 1 또는 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 복합증발장치(100, 110) 는 배플(baffle)을 구비하고 있는 혼합부(400), 수용부(200) 및 히터부(300)를 포함하여 이루어진다. Referring to FIGS. 1 and 4, a combined
먼저, 수용부(200)는 증착물질(m1,m2,m3)들을 수용하는 부분으로서, 다수의 수용룸(211,213,215)을 포함하고 있다. 여기서 수용룸(211,213,215)은 기판측에 증착시킬 복수 종류의 증착물질들(m1,m2,m3) 각각이 구분되어 수용되도록 마련되는 것으로서, 증착공정에 사용될 증착물질의 종류 수 만큼 다수 마련된다. 그리고, 하나의 수용룸에 한 종류의 증착물질이 수용된다는 것이다. 그리고, 이와 같은 다수의 수용룸들(211,213,215)이 수용부(200)에 포함된다. First, the
여기서 각각의 수용룸들(211,213,215)은 상측에서 적어도 일부분이 혼합부(400)측과 연통될 수 있도록 개방되어 있다. 그리고, 후술할 혼합부(400)에 대하여 간단히 언급하자면, 혼합부(400)는 수용부(200)측에서 증발된 다수 종류의 증착물질들(m1,m2,m3)이 기화된 상태에서 혼합되는 혼합공간(433)을 제공한다. 이러한 혼합부(400)의 내측에 마련되는 혼합공간(433)이 수용룸(211, 213, 215) 각각과 공간적으로 연통되어 있다는 것이다.Here, each of the
그리고, 각각의 수용룸(211, 213, 215)들은 서로에 대하여 다양하게 배치된 형태를 가질 수 있다. 여기서, 각각의 수용룸(211, 213, 215)들이 서로에 대하여 열적 간섭 또는 열적영향을 주거나 받지 않도록 배치되는 것이 중요하다. 아울러 다수의 수용룸(211, 213, 215) 각각이 개별적인 온도로 제어될 수 있는 것이 바람직하다. 증착물질의 종류마다 각기 고유한 물리적 화학적 성질이 다르다. 예를 들어 증발온도의 경우 증착물질들마다 고유의 증발온도가 있으며, 과도한 열에너지 공급은 증착물질의 변성을 가져올 수 있다.In addition, each of the
따라서, 증착물질들마다 증발하는데 있어서 필요한 만큼 적정수준의 온도가 되도록 열에너지를 공급하고, 각 수용룸(211, 213, 215) 사이의 열적 간섭을 억제함으로써, 각 수용룸(211, 213, 215)에 수용된 증착물질(m1,m2,m3)에 맞는 증발온도로 가열될 수 있도록 개별적으로 온도가 제어되는 것이 바람직하다는 것이다. Therefore, thermal energy is supplied to the
예를 들어, 도 1 내지 도 3에서 참조되는 바와 같이 이웃하는 수용룸(211,213,215)으로부터의 열적 영향(thermal effect) 또는 열적 간섭(thermal interference)을 억제하기 위하여, 각각 이웃하는 수용룸(221,213,215)과의 바닥면의 높이가 서로 다르게 마련된 것이 바람직하다.For example, in order to suppress the thermal effect or thermal interference from neighboring
이처럼 이웃하고 있는 수용룸(211,213,215)과의 바닥면의 높이가 서로 다르게 마련되고 각 수용룸(211,213,215)에 수용된 증착물질(m1,m2,m3)의 부분을 후술할 히터부(300)를 통해 각기 독립적으로 가열을 함으로써 증착물질(m1,m2,m3)마다 요구되는 적정수준의 증발온도로 가열시켜 줄 수 있게 된다. The portions of the evaporation materials m1, m2, and m3 accommodated in the respective
도 1 내지 도 3에서 참조되는 바와 같이, 각 증착물질(m1,m2,m3)이 수용룸(211,213,215)에 수용되어서 형성되는 증착물질(m1,m2,m3) 수용층의 높이가 이웃하는 증착물질(m1,m2,m3) 수용층의 높이와 겹쳐지지 않게 수용시키면(다시 말해서, 증착물질(m1,m2,m3) 수용층의 수준(level)이 이웃하는 증착물질(m1,m2,m3) 수용층의 수준과 겹쳐지지 않도록 다르게 수용시키면), 각 수용룸(211,213,215)간의 열적 영향 또는 열적간섭의 문제가 발생할 가능성을 더욱 억제시킬 수 있다. The height of the deposition material m1, m2, m3, which is formed by receiving the deposition materials m1, m2, m3 in the
또한, 도1 내지 도 3에서 참조되는 바와 같은 수용룸의 배치형태 이외에도 도 4 내지 도 6에서 참조되는 바와 같이 열전달억제수단을 포함하는 응용된 실시 형태 또한 가능하다. Further, in addition to the arrangement of the receiving room as referred to in Figs. 1 to 3, there are also applicable embodiments including the heat transfer suppressing means as shown in Fig. 4 to Fig.
열전달억제수단은 수용룸(211, 213, 215)과 수용룸(211, 213, 215) 사이의 열적 영향 또는 열적 간섭(thermal interference)을 억제시켜주기 위하여 마련된다. 즉, 열전달억제수단은 서로 이웃하여 배치된 수용룸 사이에 마련되며, 서로 이웃하는 수용룸(211, 213, 215) 사이의 열적 간섭을 억제하여 준다. The heat transfer suppressing means is provided to suppress thermal influence or thermal interference between the
따라서, 수용부(200)의 수용룸(211, 213, 215)에 수용된 증착물질(m1,m2,m3)이 증발되기 위하여 필요한 열에너지를 공급하여주는 히터부(300)와 위와 같은 열전달억제수단에 의해 다수의 수용룸(211, 213, 215) 각각이 개별적인 온도로 제어되도록 한다.Therefore, the
이러한 열전달억제수단으로서 바람직한 형태로 열차단재 또는 냉각판이 있을 수 있다. 열차단재는 서로 이웃하는 수용룸(211, 213, 215) 사이에 배치되어 두 수용룸(211, 213, 215) 사이에 열적 간섭을 억제시켜줄 수 있으므로 바람직하다. There may be a heat shield or a cooling plate in a preferred form as such a heat transfer suppressing means. The heat shield is preferably disposed between neighboring
도 4 내지 도6에서 참조되는 도면에서는 열전달억제수단으로서 냉각판(510)을 이용하는 것을 개략적로 나타내었다. 4 to 6 schematically show that the
냉각판(510) 또한 서로 이웃하는 수용룸(211, 213, 215) 사이에 배치된다. 그리고 서로 이웃하는 두 수용룸(211, 213, 215)의 온도보다 낮은 온도를 유지한다. 이를 위해 냉각판(510)의 내부에는 냉매가 흐르는 냉매파이프(미도시)가 내장되어 있을 수 있다. 서로 이웃하는 두 수용룸(211, 213, 215)의 온도보다 낮은 온도를 냉각판(510)이 유지함으로써 두 수용룸(211, 213, 215) 사이의 열적 영향 또는 열적 간섭이 발생하는 것을 억제할 수 있게 된다. The
이처럼 이웃하고 있는 수용룸(211,213,215) 사이에 열적 간섭을 억제시켜주는 열전달억제수단으로서 냉각판(510)이 마련되고, 각 수용룸(211,213,215)에 수용된 증착물질(m1,m2,m3)의 부분을 후술할 히터부(300)를 통해 각기 독립적으로 가열을 함으로써 증착물질(m1,m2,m3)마다 요구되는 적정수준의 증발온도로 가열시켜 줄 수 있게 된다. A
도 4 내지 도 6에서는 수용부(200)에 포함되는 수용룸(211,213,215)이 3개 마련되고, 냉각판(510)이 수용룸(211, 213, 215) 사이에 마련된 형태를 예시적으로 도시하였으며, 도면에 도시된 바와 같은 형태로서 더 많은 수의 수용룸이 연이어 이웃하고 있도록 배치되어 마련된 실시형태 또한 충분히 가능하다. 이러한 경우 이웃하는 수용룸(211, 213, 215) 사이에 냉각판(510)과 같은 열전달억제수단이 마련되는 것이 바람직하다. 4 to 6 illustrate a configuration in which three
그리고, 수용룸(211,213,215)을 구성하는 재질은 증착물질(m1,m2,m3)을 가열시키기 위한 도가니로와 같은 소재로 이루어지면 충분하며, 세라믹재질 등으로 이루어질 수도 있다. The materials constituting the
이와 같이 수용룸(211, 213, 215)은 도 1에 도시된 바와 같은 형태 또는 도 4에 도시된 바와 같은 형태도 가능하지만, 여기서 좀 더 응용하여 도 2, 도 3, 도5 및 도6에 도시된 바와 같이 수용룸 상측에 루프(roof) 또는 방출구가 형성된 형태 또한 바람직하다. 이에 관한 설명은 후술하기로 한다. 2, 3, 5, and 6, the receiving
히터부(300)는 수용부(200)의 외측의 적어도 일부 부분에 결합되며, 수용부(200)의 수용룸(211,213,215)에 수용된 증착물질(m1,m2,m3) 각각이 증발되기 위하여 필요한 열에너지를 수용룸(211,213,215)에 공급하여 준다. The
좀 더 구체적으로 설명하면, 히터부(300)는 히터존을 다수 포함하고 있다. 여기서 히터존(heater zone)은 수용룸(211,213,215)의 일측 또는 타측에 마련되며, 다수의 수용룸(211,213,215)마다 각기 다른 열에너지를 공급할 수 있도록 구분되어 있는 것이다. 이러한 히터존의 구체적인 형태의 예로서 히팅플레이트(310)를 들을 수 있다. More specifically, the
도 1의 (b) 또는 도 4의(b)에서, 좌측의 수용룸(211)을 제1수용룸(211),이라고 하고, 가운데에 위치한 수용룸(213)을 제2수용룸(213)이라고 하며, 우측의 수용룸(215)을 제3수용룸(215)이라고 설명의 편의상 칭하기로 한다. The left
도면에서 참조되는 바와 같이, 제2수용룸(213)에 수용된 제2증발물질(m2)를 가열시키기 위한 히팅존인 히팅플레이트(310)가 제2수용룸(213)의 양측 외면에 접하도록 마련되어 있다.As shown in the figure, a
그리고, 제1수용룸(211)에 수용된 제1증발물질(m1)을 가열시키기 위한 히팅존인 히팅플레이트(310)가 제1수용룸(211)의 외측면(도면에서 보이는 모습을 기준으로 좌측 외면)에 마련되어 있고, 제3수용룸(215)에 마련된 제3증발물질(m3)을 가열시키기 위한 히팅플레이트(310)가 제3수용룸(215)의 외측면(도면 기준으로 우측 외면)에 마련되어 있는 것을 예시적 형태로서 도시하였다.A
이와 같이, 각각의 히팅플레이트(310)는 각각에 대응되는 수용룸(211,213,215)에 인접하여 장착되고, 각 수용룸(211, 213, 215)측으로 열을 공급하여 수용룸(211,213,215)에 수용된 증착물질(m1,m2,m3)이 증발될 수 있도록 가열한다. 그리고, 각각의 히팅플레이트(310)가 각각의 수용룸(211,213,215)측에 가해주는 열량은 개별적으로 제어될 수 있는 것이 바람직하다.Each of the
이를 위해, 앞서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한 바와 같이, 이웃하는 수용룸(211, 213, 215) 사이의 수준차가 있도록 구성하는 실시형태 또한 바람직하다.To this end, as described with reference to Figs. 1 to 3, it is also preferable that the level difference between the neighboring
그리고, 도 4 내지 도 6에서 참조되는 바와 같은 형태에서는, 냉각판(510)으로 인하여 각 수용룸(211, 213, 215)의 온도가 저하되는 것을 억제하기 위하여 냉각판(510)과 수용룸(211, 213, 215) 사이에 히팅플레이트(310)가 위치하는 것이 바람직하다. 4 to 6, in order to suppress the temperature of each of the receiving
도 4 내지 도 6에서는 히터부(300)에 포함되는 다수의 히터존으로서, 다수의 히팅플레이트(310)가 각 수용룸(211,213,215)의 외측에 마련되되, 냉각판(510)과 수용룸(211, 213, 215) 사이에 위치되어 있는 것을 예시적으로 도시하였다.4 to 6, a plurality of
이와 같은 히팅부(300)의 구성은 후술할 응용된 일부 다른 실시예 모두에 걸쳐 공통적으로 적용될 수 있다. The configuration of the
다음으로, 혼합부(400)는 수용부(200)의 상측에 마련된다. 그리고 혼합부(400)는 수용부(200) 측에서 증발된 복수 종류의 증착물질(m1,m2,m3)이 기화된 상태에서 혼합되는 혼합공간(433)을 제공한다. 이를 위해 혼합부(400)는 각 도면에서 참조되는 바와 같이 수용부(200)의 수용룸(211,213,215)의 상측과 서로 공간적으로 연통될 수 있게 마련되어 있는 것이 바람직하다. Next, the
그리고, 혼합부(400)의 내측에는 배플(baffle)(450)이 마련되어 있는 것이 바람직하다. 즉, 배플(450)은 수용룸(211,213,1215)로부터 증발된 복수 종류의 증발물질들이 혼합공간(433) 상으로 유입되어 기판측으로 균일하게 혼합되어 이동될 수 있도록 열에너지를 공급하여 준다. It is preferable that a
이러한 배플(450)은 앞서 설명한 히팅플레이트(310)와 같은 것으로 열을 발산하여 증발된 증착물질이 혼합공간(433) 내에서도 충분한 열에너지를 가지도록 한다. 배플(450)의 예시적인 형태로 평탄한 플레이트 형태를 도 4 내지 도 6에서 도시하였으나, 이러한 형태에만 국한되지 아니하며, 혼합된 증착물질이 원활하게 기판측으로 유입될 수 있으면서도 열에너지를 충분히 공급받을 수 있도록 다양한 형태로 마련될 수도 있다. The
증발된 증착물질이 충분한 열에너지를 가지고 있어야 분자들의 움직임이 활발해지게 되어 보다 균일하게 혼합될 수 있으며, 기판측으로 이동하는 동안에 챔버 내 주변에 들러붙으면서 응고되는 현상의 발생을 억제할 수 있으므로, 배플(450)에 의한 열에너지 공급은 증발물질의 균일한 혼합화와 기판측으로의 원활한 이동에 큰 도움이 된다.The vaporized evaporation material must have sufficient heat energy so that the movement of the molecules becomes more active so that it can be mixed more uniformly and the occurrence of the phenomenon of sticking to the periphery of the chamber during the movement to the substrate side can be suppressed, 450) greatly contributes to uniform mixing of the evaporation material and smooth movement to the substrate side.
그리고 이러한 배플(450)에 의한 열에너지 공급에 더하여, 혼합공간(433) 내로 열에너지를 공급을 하는 히팅플레이트(310)가 혼합부(400)의 외측면에 마련되어 있는 것 또한 바람직하다. 이와 같이 배플(450)과 히팅플레이트(310)가 혼합부(400)의 혼합공간(433) 내로 열에너지를 공급하여 주므로 증발된 증착물질이 혼합공간(433) 내에서 충분한 열에너지를 가지고 기판측으로 원활하게 유입될 수 있게 된다. It is also preferable that a
그리고, 혼합부(400)의 상측에는 기판 측을 향하는 방출구가 형성되어 있다.On the upper side of the mixing
이러한 방출구의 예로서, 도 1의 (a),(b) 또는 도 4의 (a),(b)에서 참조되는 것처럼 혼합공간(433) 내에서 혼합된 증착물질들이 기판측으로 유입될 수 있도록 일방향으로 길게 형성된 방출슬릿(431) 또는 일방향으로 길게 배열되도록 형성된 다수개의 방출노즐(436, 도 1의 (c) 또는 도 4의 (c)참조)인 것 또한 바람직하다.As an example of such an ejection port, as shown in Figs. 1 (a), (b), or 4 (a) and 4 (b), mixed materials in the mixing
도 1의 (a) 또는 도 4의(a)에 도시된 바와 같이 방출슬릿(431)이 형성되어 있고, 혼합공간(433)에서 혼합된 증착물질이 방출슬릿(431)을 통해 기판측으로 날아가게 된다.The discharge slit 431 is formed as shown in FIG. 1 (a) or FIG. 4 (a), and the evaporated material mixed in the mixing
도 1의 (c) 또는 도 4의 (c)에 도시된 바와 같이 방출노즐(436)이 다수 형성되어 있고, 혼합공간(433)에서 혼합된 증착물질이 방출노즐(436)을 통해 기판측으로 날아갈 수 있는 것 또한 바람직하다. A plurality of
이처럼, 각 수용룸(211,213,215)에서 증발된 증착물질이 혼합공간(433) 내에서 미리 혼합된 후 기판측으로 유입되어 증착되므로 증착물질들(m1,m2,m3)의 혼합비율을 안정적으로 일정하게 유지시킬 수 있게 된다.The evaporation material evaporated in each of the
각 도면에서는 방출슬릿(431)을 다른 응용된 실시 형태들의 예로서 도시하였으나, 도 1의 (c) 또는 도 4의 (c)에 도시된 바와 같은 방출노즐(436)이 방출슬릿(431) 대신 마련된 형태 또한 충분히 가능하다는 점을 밝혀둔다. Although the ejection slit 431 is shown in each of the figures as an example of other applied embodiments, the
다음으로 응용된 다른 실시예에 따른 복합증발장치에 대하여 설명하기로 하되, 앞서 도 1과 도 4를 중심으로 설명하여 중복되는 부분은 생략하고, 도 1 또는 도 4와 다른 부분 내지 설명되지 아니한 부분을 위주로 설명하기로 한다.1 and 4, the overlapping parts are omitted, and the parts other than those shown in Fig. 1 or Fig. 4 and the parts not described in Fig. 1 or Fig. 4 will be described. .
도 2, 도 3, 도 5 및 도 6에서 참조되는 바와 같이, 수용부(200)에서 다수의 수용룸(211,213,215) 각각의 상측에는, 수용룸(211,213,215)과 혼합부(400)를 구분지어주며, 혼합공간(433) 측에 존재하는 증착물질들이 역으로 수용룸(211,213,215) 측으로 유입되는 것을 억제하기 위한 루프(roof)가 마련되어 있는 것 또한 바람직하다. 2, 3, 5, and 6, the
그리고 이와 같은 루프(220)에는 수용룸(211, 213, 215) 내에서 증발된 증착물질들이 혼합부(400)의 혼합공간(433)측으로 유입될 수 있도록 가이드하는 가이드구가 마련되어 있는 것이 바람직하다.The
여기서 가이드구는 일방향으로 길게 형성된 가이드슬릿(231) 이나 일정한 크기를 가지며 일방향으로 길게 배열된 가이드노즐(236, 도 3 또는 도 6 참조)인 것이 바람직하다.Here, it is preferable that the guide hole is a
여기서 좀 더 나아가, 도 2 또는 도5에 도시된 바와 같이 가이드슬릿(231)이 루프(220) 또는 수용룸(211, 2113,215)의 바닥면에 대하여 일정한 기울기 각도(θ)를 가지도록 형성된 것 또한 바람직하다.2 or 5, the guide slit 231 is formed so as to have a constant inclination angle? With respect to the bottom surface of the
도 2 또는 도 5에서 참조되는 바와 같은 가이드슬릿(231)도 바람직하지만, 도 3 또는 도 6에서 참조되는 바와 같이 일정한 크기를 갖는 가이드노즐(236)또한 바람직하다. A guide slit 231 as referenced in FIG. 2 or 5 is also preferred, but a
도 3 또는 도 6에서는 각 수용룸(211,213,215)의 상측에 마련된 하나의 루프(220)에 형성된 가이드노즐(236) 다수가 일측방향으로 길게 형성된 것을 예시적으로 도시하였으며, 이러한 형태 또한 바람직하다. 3 and FIG. 6 illustratively show that
아울러, 도 2 또는 도 5에서 참조되는 가이드슬릿(231)이 루프(220)에 대하여 일정한 기울기 각도(θ)를 가지도록 형성된 것처럼, 도 6에서 참조되는 바와 같은 가이드노즐(236) 또한 루프(220)에 대하여 일정한 기울기 각도를 가지도록 형성된 것 또한 바람직하다. 6, guide
도 2 내지 도 6에서 참조되는 바와 같이 조금씩 다르게 응용된 실시 형태들이 가능하며, 이러한 것은 혼합공간(433)내에 유입되는 증착물질들이 혼합이 잘 이루어질 수 있으며, 혼합공간(433)내의 증착물질들이 수용룸 측으로 역으로 유입되는 것을 억제할 수 있도록 하기 위하여 적절한 형태를 선택하여 이루어질 수 있다.As shown in FIGS. 2 to 6, embodiments that are slightly different from each other are possible. This is because the deposition materials introduced into the mixing
그리고, 이상에서 설명한 바와 같은 복합증발장치는 물리기상증착(Physical Vapor Deposition)에 이용될 수 있으며, 유기증착물질을 증착시키는데 이용될 수도있다.The combined evaporation apparatus as described above may be used for physical vapor deposition and may be used for depositing an organic deposition material.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 복합증발장치는 증착물질 별로 증발온도에 맞는 수준의 열에너지를 공급함으로써 증착물질에 과도한 열이 공급되어 야기될 수 있는 변성의 발생을 억제시킬 수 있으며, 증발된 증착물질이 혼합공간 내에서 보다 균일하게 혼합될 수 있도록 배플을 통하여 열에너지를 공급하기 때문에 혼합공간으로 유입된 증착물질들이 고르게 혼합될 수 있게 된다. 따라서, 기판측으로 유입되는 동안에 증착물질들의 혼합비율을 안정적으로 일정하게 유지시킬 수 있게되어 증착불량발생을 억제시킬 수 있는 장점이 있다.As described above, the combined evaporation apparatus according to the present invention can suppress the occurrence of denaturation which may be caused by excessive heat supplied to the evaporation material by supplying thermal energy at a level suitable for the evaporation temperature for each evaporation material, Since the thermal energy is supplied through the baffle so that the material can be mixed more uniformly in the mixing space, the evaporated materials introduced into the mixing space can be mixed evenly. Accordingly, it is possible to maintain the mixing ratio of the deposition materials stably during the introduction to the substrate side, thereby preventing the deposition defect from occurring.
또한 다수의 수용룸이 연이어 배치되고 각 수용룸의 상측에 혼합부가 위치함으로써 증발장치의 전체적인 부피를 대폭 감소시킬 수 있으므로, 증발장치가 장착되는 증착챔버의 크기를 감축시킬 수 있게 된다. 따라서, 제조공정이 이루어지는 현장에서의 공간적 낭비를 억제시킬 수 있는 장점도 있다.In addition, since a plurality of accommodating chambers are arranged successively and the mixing section is located on the upper side of each accommodating room, the overall volume of the evaporating apparatus can be largely reduced, so that the size of the deposition chamber on which the evaporating apparatus is mounted can be reduced. Therefore, there is an advantage that the spatial waste in the field where the manufacturing process is performed can be suppressed.
이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명에 대한 구체적인 설명은 첨부된 도면을 참조한 실시 예들에 의해서 이루어졌지만, 상술한 실시 예들은 본 발명의 바람직한 실시 예를 들어 설명하였을 뿐이기 때문에, 본 발명이 상기의 실시 예에만 국한되는 것으로 이해되어져서는 아니되며, 본 발명의 권리범위는 후술하는 청구범위 및 그 등가개념으로 이해되어져야 할 것이다. While the present invention has been described in connection with what is presently considered to be practical exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, It is to be understood that the scope of the present invention is to be construed as being limited only by the embodiments, and the scope of the present invention should be understood as the following claims and their equivalents.
100, 110 : 복합증발장치
200 : 수용부 211,213,215 : 수용룸
220 : 루프(roof) 231 : 가이드슬릿
236 : 가이드노즐
300 : 히터부 310 : 히팅플레이트
400 : 혼합부 431 : 방출슬릿
436 : 방출노즐
510 : 냉각판100, 110: Combined evaporator
200: Reception area 211,213,215: Reception room
220: roof 231: guide slit
236: guide nozzle
300: heater part 310: heating plate
400: mixing portion 431: ejection slit
436: Discharge nozzle
510: cooling plate
Claims (11)
상기 수용부의 수용룸 외측의 적어도 일부 부분에 결합되며, 상기 수용부의 수용룸에 수용된 상기 증착물질 각각이 증발되기 위하여 필요한 열에너지를 공급하는 히터부; 및
상기 수용부의 상측에 마련되며, 상기 수용부 측에서 증발된 복수 종류의 증착물질이 기화된 상태에서 혼합되는 혼합공간을 제공하며, 상측에 기판측을 향하는 방출구가 형성된 혼합부;를 포함하며,
상기 혼합부는,
상기 혼합부 내측에 마련되는 상기 혼합공간 상으로 증발되어 유입된 상기 복수 종류의 증착물질들이 상기 기판측으로 균일하게 혼합되어 이동할 수 있도록 열에너지를 공급하는 배플(baffle)을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 복합증발장치.
An accommodating portion provided with a plurality of accommodating chambers so that a plurality of kinds of evaporation materials to be deposited on the substrate side can be separately accommodated;
A heater unit coupled to at least a part of the outside of the accommodating room of the accommodating unit and supplying heat energy necessary for evaporating each of the evaporating materials contained in the accommodating room of the accommodating unit; And
And a mixing part provided above the accommodation part and providing a mixing space in which a plurality of kinds of evaporation material vaporized at the accommodation part side are mixed in a vaporized state and an outlet port facing the substrate side is formed on the upper side,
The mixing unit
And a baffle for supplying thermal energy to the plurality of kinds of evaporation materials evaporated into the mixing space provided in the mixing part to be uniformly mixed and moved to the substrate side. Evaporation device.
상기 방출구는,
상기 혼합공간 내에서 혼합된 상기 증착물질들이 상기 기판측으로 유입될 수 있도록 일방향으로 길게 형성된 방출슬릿 또는 일방향으로 길게 배열된 다수개의 방출노즐인 것을 특징으로 하는 복합증발장치.
The method according to claim 1,
The discharge port
A discharge slit formed in one direction so as to allow the evaporated materials mixed in the mixing space to flow into the substrate side, or a plurality of discharge nozzles arranged in a long direction in one direction.
다수의 상기 수용룸 각각의 상측에는,
상기 수용룸과 상기 혼합부를 구분지어주며, 상기 혼합공간 측에 존재하는 증착물질들이 역으로 유입되는 것을 억제하기 위한 루프(roof)가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 복합증발장치.
The method according to claim 1,
On the upper side of each of the plurality of accommodating rooms,
And a roof for separating the mixing chamber and the accommodating chamber from each other and for preventing the evaporation materials present in the mixing space from being reversely introduced.
상기 루프에는
상기 수용룸에서 증발된 증착물질들이 상기 혼합부의 혼합공간 측으로 유입될 수 있도록 가이드하는 가이드구가 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 복합증발장치.
The method of claim 3,
In the loop
And a guide hole for guiding evaporated evaporated materials in the mixing chamber to the mixing space side of the mixing chamber.
상기 가이드구는 일방향으로 길게 형성된 가이드슬릿인 것을 특징으로 하는 복합증발 장치.
5. The method of claim 4,
Wherein the guide slit is a guide slit formed in a long direction in one direction.
상기 가이드슬릿은 상기 루프 또는 상기 수용룸의 바닥면에 대하여 일정한 기울기를 가지도록 형성된 것을 특징으로 하는 복합증발장치.
The method of claim 5, wherein
Wherein the guide slit is formed to have a constant slope with respect to the bottom surface of the room or the loop.
상기 가이드구는 일정한 크기를 갖는 가이드노즐이며,
하나의 루프에 대하여 상기 가이드노즐이 다수 마련되어 있는 것을 특징으로 하는 복합증발장치.
5. The method of claim 4,
The guide hole is a guide nozzle having a predetermined size,
Wherein a plurality of guide nozzles are provided for one loop.
상기 가이드노즐은 상기 루프 또는 상기 수용룸의 바닥면에 대하여 일정한 기울기의 각도를 가지도록 형성된 것을 특징으로 하는 복합증발장치.
8. The method of claim 7,
Wherein the guide nozzle is formed to have a predetermined angle of inclination with respect to the bottom surface of the receiving room.
상기 수용부에 마련된 다수의 상기 수용룸은,
이웃하는 수용룸으로부터의 열적 영향(thermal effect) 또는 열적 간섭(thermal interference)을 억제하기 위하여, 각각 이웃하는 수용룸과의 바닥면의 높이가 서로 다르게 마련된 것을 특징으로 하는 복합증발장치.
The method according to claim 1,
Wherein a plurality of the accommodating rooms provided in the accommodating portion are provided,
Characterized in that the height of the bottom surface with respect to the neighboring accommodation room is set to be different from each other in order to suppress the thermal effect or the thermal interference from the neighboring accommodation room.
다수의 상기 수용룸 각각의 사이에 마련되며, 이웃하는 수용룸으로의 열적 간섭(thermal interference)을 억제하기 위한 열전달억제수단;을 더 포함하며,
상기 히터부 및 상기 열전달억제수단에 의해 다수의 상기 수용룸 각각이 개별적인 온도로 제어될 수 있는 것을 특징으로 하는 복합증발장치.
The method according to claim 1,
And heat transfer suppressing means provided between each of the plurality of the accommodating rooms for suppressing thermal interference to a neighboring accommodating room,
Wherein each of the plurality of accommodation rooms can be controlled to an individual temperature by the heater unit and the heat transfer suppressing unit.
상기 히터부는,
다수의 상기 수용룸마다 각기 다른 열에너지를 공급할 수 있도록 구분되는 히터존을 다수 포함하며,
상기 열전달억제수단은
열차단재 또는 냉각판인 것을 특징으로 하는 복합증발장치.
11. The method of claim 10,
The heater unit includes:
And a plurality of heater zones divided to supply different heat energy to each of the plurality of accommodating rooms,
The heat transfer suppressing means
Wherein the heat exchanger is a heat block or a cold plate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160037841A KR102629005B1 (en) | 2016-03-29 | 2016-03-29 | Multi Source Mixture Ratio Supporting Apparatus for Multi Source Co-Deposition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160037841A KR102629005B1 (en) | 2016-03-29 | 2016-03-29 | Multi Source Mixture Ratio Supporting Apparatus for Multi Source Co-Deposition |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20170111780A true KR20170111780A (en) | 2017-10-12 |
KR102629005B1 KR102629005B1 (en) | 2024-01-25 |
Family
ID=60141610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160037841A Active KR102629005B1 (en) | 2016-03-29 | 2016-03-29 | Multi Source Mixture Ratio Supporting Apparatus for Multi Source Co-Deposition |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102629005B1 (en) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100623730B1 (en) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | Evaporation source assembly and deposition apparatus having same |
JP2008196032A (en) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Fujifilm Corp | Vapor deposition material evaporator |
KR20110095982A (en) * | 2010-02-20 | 2011-08-26 | 진중 김 | Combined evaporation source for CGI thin film manufacturing |
KR20120081811A (en) * | 2011-01-12 | 2012-07-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Deposition source and apparatus for organic layer deposition having the same |
KR20150112874A (en) * | 2014-03-27 | 2015-10-07 | 램 리써치 코포레이션 | systems and methods for bulk vaporization of precursor |
-
2016
- 2016-03-29 KR KR1020160037841A patent/KR102629005B1/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100623730B1 (en) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | Evaporation source assembly and deposition apparatus having same |
JP2008196032A (en) * | 2007-02-15 | 2008-08-28 | Fujifilm Corp | Vapor deposition material evaporator |
KR20110095982A (en) * | 2010-02-20 | 2011-08-26 | 진중 김 | Combined evaporation source for CGI thin film manufacturing |
KR20120081811A (en) * | 2011-01-12 | 2012-07-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | Deposition source and apparatus for organic layer deposition having the same |
KR20150112874A (en) * | 2014-03-27 | 2015-10-07 | 램 리써치 코포레이션 | systems and methods for bulk vaporization of precursor |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102629005B1 (en) | 2024-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4767000B2 (en) | Vacuum deposition equipment | |
KR100697663B1 (en) | Organic material deposition apparatus | |
KR101359066B1 (en) | Vacuum vapor deposition method | |
EP2187708B1 (en) | Film deposition apparatus with organic-material vapor generator | |
KR101983213B1 (en) | Evaporation source for organic material | |
US8420169B2 (en) | Method of manufacturing organic thin film | |
JP2004143521A (en) | Thin-film deposition device | |
KR101990619B1 (en) | Apparatus for depositing evaporated material, distribution pipe, vacuum deposition chamber, and method for depositing an evaporated material | |
TWI619823B (en) | Vacuum deposition system and method for depositing material therein | |
KR20170083087A (en) | Material source arrangement and material distribution arrangement for vacuum deposition | |
TW201625358A (en) | Crucible, a evaporation assembly having the same and a method using the same for evaporation purposes | |
KR101418712B1 (en) | Evaporation source and Apparatus for deposition having the same | |
KR20170111780A (en) | Multi Source Mixture Ratio Supporting Apparatus for Multi Source Co-Deposition | |
JPWO2020144894A1 (en) | Thin film deposition equipment | |
KR20170111778A (en) | Apparatus Restraining from Thermal Interference for Multi Source Co-Deposition | |
KR20170111775A (en) | Apparatus for Multi Source Co-Deposition | |
KR20140015874A (en) | Apparatus for treating substrate and process chamber | |
KR102454716B1 (en) | Evaporation Apparatus for Deposition of Different Kind of Materials | |
JP2023002533A (en) | Method for cooling deposition source, chamber for cooling deposition source, and deposition system | |
JP2023013910A (en) | Film deposition apparatus, film deposition method and evaporation source unit | |
JP2023013263A (en) | Film deposition apparatus, film deposition method and evaporation source | |
KR20040076637A (en) | Vapor depositing device | |
CN116180018A (en) | Co-steaming method and co-steaming equipment | |
JP2022003159A (en) | Vapor deposition apparatus | |
JP2023509077A (en) | Evaporation method, evaporator, and evaporation source |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20160329 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20210317 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20160329 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20221115 Patent event code: PE09021S01D |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20230522 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20231026 |
|
PG1601 | Publication of registration |