KR20170062270A - 유기 발광 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 기판 상의 게이트 라인; 게이트 라인 상에 있으며, 개구 영역을 구비하여 게이트 라인의 일 부분을 노출하는 절연층; 절연층 상의 복수 개의 트랜지스터; 및 복수 개의 트랜지스터 상에 있으며, 일 부분은 절연층의 개구 영역에 있고, 게이트 라인과 복수 개의 트랜지스터 간의 기생 캐패시턴스 발생 또는 복수 개의 트랜지스터 간의 기생 캐패시턴스 발생을 최소화하는 차단층을 포함하고, 절연층의 개구 영역은 복수 개의 트랜지스터 사이에 있다.
Description
도 2는 도 1에 도시된 A-A' 선에 따른 단면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 보여주는 개략적인 평면도이다,
도 4는 도 3의 B-B' 선에 따른 단면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 보여주는 도 3의 B-B'에 따른 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 보여주는 개략적인 평면도이다.
도 7은 도 6의 C-C' 선에 따른 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 보여주는 도 6의 C-C'에 따른 단면도이다.
103: 게이트 라인
105: 절연층
107: 액티브층
109: 드레인 전극
111: 소스 전극
112: 스위칭 트랜지스터
113, 213, 313, 413: 차단층
115, 117: 개구 영역
125: 스토리지 캐패시터
219, 419: 보호층
Claims (14)
- 기판 상의 게이트 라인;
상기 게이트 라인 상에 있으며, 개구 영역을 구비하여 상기 게이트 라인의 일 부분을 노출하는 절연층;
상기 절연층 상의 복수 개의 트랜지스터; 및
상기 복수 개의 트랜지스터 상에 있으며, 일 부분은 상기 절연층의 개구 영역에 있고, 상기 게이트 라인과 상기 복수 개의 트랜지스터 간의 기생 캐패시턴스 발생 또는 상기 복수 개의 트랜지스터 간의 기생 캐패시턴스 발생을 최소화하는 차단층을 포함하고,
상기 절연층의 개구 영역은 상기 복수 개의 트랜지스터 사이에 있는, 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서
상기 복수 개의 트랜지스터는 액티브층, 소스 전극 및 드레인 전극을 구비하고,
상기 절연층의 개구 영역은, 상기 복수 개의 트랜지스터의 드레인 전극과 인접한 또 다른 트랜지스터의 소스 전극과 상기 복수 개의 트랜지스터의 드레인 전극 사이에 있는, 유기 발광 표시 장치. - 제2 항에 있어서,
상기 절연층의 개구 영역은, 상기 복수 개의 트랜지스터와 상기 또 다른 트랜지스터의 소스 전극 주변 및 액티브층의 주변까지 연장된 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서
상기 복수 개의 트랜지스터와 상기 차단층 사이에 있는 보호층을 더 포함하는, 유기 발광 표시 장치. - 제4 항에 있어서,
상기 보호층은, 상기 절연층의 개구 영역에 있는 상기 게이트 라인의 일 부분을 덮도록 연장된, 유기 발광 표시 장치. - 제5 항에 있어서,
상기 보호층의 두께는, 상기 절연층의 두께 및 상기 차단층의 두께보다 얇은, 유기 발광 표시 장치. - 제6 항에 있어서,
상기 보호층은, 상기 차단층에서 발생하는 수분 및 산소로부터 상기 복수 개의 트랜지스터를 보호하는, 유기 발광 표시 장치. - 제1 항에 있어서,
상기 차단층의 유전율은, 상기 절연층의 유전율 보다 낮은, 유기 발광 표시 장치. - 제8 항에 있어서,
상기 차단층의 유전율은 2 F/m 이하인, 유기 발광 표시 장치. - 제9 항에 있어서,
상기 차단층은, PAC(photo acryl), PI(polyimide), Polynoborenes, BCB(benzocyclobutene), PTFE(polytetrafluoroethylene), HSQ(hydrogen silsesquioxane), MSQ(methyl silsesquioxane) 중 하나의 물질로 이루어지는, 유기 발광 표시 장치. - 기판 상에 복수 개의 박막 트랜지스터; 및
상기 복수 개의 박막 트랜지스터 중 적어도 두 개의 인접한 박막 트랜지스터 간의 기생 캐패시턴스 발생을 억제하는 구성을 포함하는, 표시 장치용 패널. - 제 11항에 있어서,
상기 구성은, 상기 적어도 두 개의 인접한 박막 트랜지스터 사이의 게이트 절연막 부분의 일부 또는 전부를 제거한 구조를 포함하는, 표시 장치용 패널. - 제 12항에 있어서,
상기 구성은, 상기 복수 개의 박막 트랜지스터와 관련 절연막으로 사용되는 실리콘질화물(SiO2) 또는 실리콘산화물(SiNx) 보다 유전율이 낮은 물질을 더 포함하는, 표시 장치용 패널. - 제 13항에 있어서,
상기 복수 개의 박막 트랜지스터가 비정질 실리콘(a-Si) 박막 트랜지스터이면 상기 절연막은 실리콘질화물(SiNx)로 이루어지고,
상기 복수 개의 박막 트랜지스터가 산화물(oxide) 박막 트랜지스터이면 상기 절연막은 실리콘산화물(SiO2) 및 실리콘질화물(SiNx)의 조합인, 표시 장치용 패널.
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- 2015-11-27 KR KR1020150167881A patent/KR102430051B1/ko active Active
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