KR20140111965A - 연마 장치 및 연마 방법 - Google Patents
연마 장치 및 연마 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20140111965A KR20140111965A KR1020140026985A KR20140026985A KR20140111965A KR 20140111965 A KR20140111965 A KR 20140111965A KR 1020140026985 A KR1020140026985 A KR 1020140026985A KR 20140026985 A KR20140026985 A KR 20140026985A KR 20140111965 A KR20140111965 A KR 20140111965A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polishing liquid
- polishing
- liquid
- line
- abrasive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 750
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 593
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 138
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 90
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 10
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 238000010586 diagram Methods 0.000 claims description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 6
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 4
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 claims description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 33
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 25
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 17
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 14
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 11
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 11
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 9
- 230000033116 oxidation-reduction process Effects 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N Cu2+ Chemical compound [Cu+2] JPVYNHNXODAKFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 3
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 3
- 229910001431 copper ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 2
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 2
- 238000002338 electrophoretic light scattering Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000007561 laser diffraction method Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 2
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 240000006829 Ficus sundaica Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000009918 complex formation Effects 0.000 description 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000006864 oxidative decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000006479 redox reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
도 2는 도 1에 도시한 연마 장치의 개략 평면도이며, 연마 패드, 연마 헤드, 연마액 공급 노즐, 연마액 저류 기구 및 연마액 센서의 배치 관계를 도시하는 도면.
도 3은 도 1에 도시한 연마 장치의 변형예를 도시하는 개략 평면도.
도 4는 연마액 저류 기구의 적어도 일부를 상하 이동시킴으로써 연마액 저류량을 제어(조정)하는 구성을 도시하는 도면이며, 도 4의 (a)는 연마액 저류 기구를 도시하는 모식적 입면도, 도 4의 (b)는 도 4의 (a)의 Ⅳ 화살 표시도.
도 5는 연마액 저류 기구에 형성된 개구의 크기를 변화시킴으로써 연마액 저류량을 제어(조정)하는 구성을 도시하는 평면도.
도 6은 연마액 저류 기구에 저류된 연마액의 일부를 흡입하여 배출함으로써 연마액 저류량을 제어(조정)하는 구성을 도시하는 모식적 입면도.
도 7은 연마액 저류 기구에 있어서의 연마액을 차단하는 부분을 확대 또는 축소함으로써 연마액 저류량을 제어(조정)하는 구성을 도시하는 평면도.
도 8은 연마액 공급 노즐에 의한 연마액의 공급 유량을 제어(조정)하는 구성을 도시하는 평면도.
도 9의 (a), (b)는 연마액 공급 노즐에 의한 연마액의 공급 위치 및 연마액의 온도를 제어(조정)하는 구성을 도시하는 도면이며, 도 9의 (a)는 모식적 입면도, 도 9의 (b)는 도 9의 (a)의 Ⅸ 화살 표시도.
도 10은 연마액 공급 노즐이 복수의 통로를 구비함으로써 연마액의 공급 위치를 복수 개소(다점 공급)로 하는 구성을 도시하는 부분 단면 입면도.
도 11의 (a), (b)는 연마액 센서가 연마액 저류 기구에 저류된 연마액에 직접 접촉 또는 침지되도록 배치된 구성을 도시하는 모식적 입면도.
도 12는 연마액 센서가 연마액 저류 기구에 저류된 연마액을 흡입하여 이송한 개소에 배치된 구성을 도시하는 모식적 입면도.
도 13은 연마액 공급 노즐에 의한 연마액의 공급 위치 및 연마액의 온도를 제어(조정)하는 구성을 도시하는 모식적 입면도.
도 14는 연마액의 pH의 시간 경과에 대한 변화를 도시하는 그래프.
도 15는 연마액의 산화 환원 전위의 시간 경과에 대한 변화를 도시하는 그래프.
도 16은 연마액의 특정 파장에 있어서의 흡광도의 시간 경과에 대한 변화를 도시하는 그래프.
2 : 연마 패드
3 : 연마 헤드
4 : 연마액 공급 노즐
5 : 선도 측정기
6 : 선도 제어기
10 : 연마액 저류 기구
11, 17 : 연마액 저류판
11a : 개구
11A, 11B, 11C : 저류판편
12 : 나사 막대
13 : 암나사 부재
13a, 14 : 기어
16 : 셔터
24 : 연마액 공급 튜브
25 : 온도 센서
26 : 열 교환기
M : 모터
P : 펌프
S, S1, S2, S3 : 연마액 센서
W : 기판
Claims (21)
- 연마 헤드에 의해 연마 대상의 기판을 유지하고 기판을 연마 테이블 상의 연마 패드에 압박하여 기판의 피연마면을 연마하는 연마 장치에 있어서,
연마 패드 상에 연마액을 공급하는 연마액 공급 노즐과,
연마 패드 상에 배치되며, 연마 패드 상에서 연마액을 차단하여 연마액을 저류하는 연마액 저류 기구와,
상기 연마액 저류 기구에 저류된 연마액의 선도에 관계되는 물리량을 측정하는 연마액 센서와,
상기 연마액 센서에 의해 측정된 물리량으로부터 저류되어 있는 연마액의 선도를 산출하는 선도 측정기와,
상기 선도 측정기에 의해 구한 연마액의 선도에 기초하여 연마액의 공급 상태의 제어 및/또는 연마액의 저류 상태의 제어를 행하는 선도 제어기를 구비한 것을 특징으로 하는, 연마 장치. - 제1항에 있어서,
상기 연마액 저류 기구는, 상기 연마 테이블의 회전 방향에 있어서 상기 연마 헤드의 하류측에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는, 연마 장치. - 제1항에 있어서,
상기 연마액 저류 기구는, 상기 선도 제어기로부터의 명령에 기초하여, 연마액 저류량을 조정 가능한 것을 특징으로 하는, 연마 장치. - 제3항에 있어서,
상기 연마액 저류량은, 상기 연마액 저류 기구의 적어도 일부를 상하 이동시킴으로써 조정 가능한 것을 특징으로 하는, 연마 장치. - 제3항에 있어서,
상기 연마액 저류량은, 상기 연마액 저류 기구에 형성된 개구의 크기를 변화시킴으로써 조정 가능한 것을 특징으로 하는, 연마 장치. - 제3항에 있어서,
상기 연마액 저류량은, 상기 연마액 저류 기구에 저류된 연마액의 일부를 흡입하여 배출함으로써 조정 가능한 것을 특징으로 하는, 연마 장치. - 제3항에 있어서,
상기 연마액 저류량은, 상기 연마액 저류 기구에 있어서의 연마액을 차단하는 부분을 확대 또는 축소함으로써 조정 가능한 것을 특징으로 하는, 연마 장치. - 제1항에 있어서,
상기 연마액 공급 노즐은, 상기 선도 제어기로부터의 명령에 기초하여, 연마액의 공급 상태를 조정 가능한 것을 특징으로 하는, 연마 장치. - 제8항에 있어서,
상기 연마액 공급 노즐의 연마액 공급 상태의 조정은, 연마액의 공급 유량의 조정인 것을 특징으로 하는, 연마 장치. - 제8항에 있어서,
상기 연마액 공급 노즐의 연마액 공급 상태의 조정은, 연마액의 공급 위치의 조정인 것을 특징으로 하는, 연마 장치. - 제8항에 있어서,
상기 연마액 공급 노즐의 연마액 공급 상태의 조정은, 연마액의 온도의 조정인 것을 특징으로 하는, 연마 장치. - 제1항에 있어서,
상기 연마액 센서는, pH, 산화 환원 전위, 분광법, 광의 굴절률, 광산란, ζ 전위, 전기 전도도, 온도, 액중 성분 농도 중 적어도 하나의 물리량을 측정하는 것을 특징으로 하는, 연마 장치. - 제1항에 있어서,
측정한 2개 이상의 물리량을 사용하여 연마액의 선도를 산출하는 것을 특징으로 하는, 연마 장치. - 제1항에 있어서,
상기 연마액 센서는, 상기 연마액 저류 기구에 저류된 연마액에 직접 접촉 또는 침지되거나 또는 상기 연마액 저류 기구에 저류된 연마액을 흡입하여 이송한 개소에 배치되는 것을 특징으로 하는, 연마 장치. - 제1항에 있어서,
상기 연마액 센서는, 연마 패드의 대략 반경 방향의 복수 개소에 있어서 측정 가능한 것을 특징으로 하는, 연마 장치. - 제1항에 있어서,
상기 연마액 공급 노즐에 연마액을 공급하는 연마액 공급부는, 연마 패드 상에 공급하기 전의 연마액의 선도를 구하는 사용 전 연마액 선도 측정 기구를 구비한 것을 특징으로 하는, 연마 장치. - 제16항에 있어서,
상기 사용 전 연마액 선도 측정 기구에 의해 구한 사용 전의 연마액의 선도와, 상기 선도 측정기에 의해 구한 연마에 사용 중인 연마액의 선도를 비교하여, 사용 중인 연마액의 선도의 측정값을 보정하는 것을 특징으로 하는, 연마 장치. - 제1항에 있어서,
상기 선도 측정기에 의해 선도가 높다고 판정된 연마액은, 연마 테이블로부터 배출 후에 상기 연마액 공급 노즐에 공급하여 재이용하는 것을 특징으로 하는, 연마 장치. - 연마 헤드에 의해 연마 대상의 기판을 유지하고 기판을 연마 테이블 상의 연마 패드에 압박하여 기판의 피연마면을 연마하는 연마 방법에 있어서,
연마액 공급 노즐로부터 연마 패드 상에 연마액을 공급하고,
연마액을 기판과 연마 패드 사이에 개재시키면서 기판을 연마 패드에 미끄럼 접촉시켜 기판을 연마하고,
연마 패드 상에서 연마액을 차단하여 연마액을 저류하고,
저류된 연마액의 선도에 관계되는 물리량을 측정하고,
측정된 물리량으로부터 저류되어 있는 연마액의 선도를 산출하고,
산출된 연마액의 선도에 기초하여 연마액의 공급 상태의 제어 및/또는 연마액의 저류 상태의 제어를 행하는 것을 특징으로 하는, 연마 방법. - 제19항에 있어서,
산출된 연마액의 선도가 미리 정한 임계값을 하회했을 때에, 저류되어 있는 연마액 저류량을 감소 및/또는 연마액 공급 노즐로부터의 연마액 공급량을 증가시키는 것을 특징으로 하는, 연마 방법. - 제19항에 있어서,
상기 연마 패드의 반경 방향의 복수 개소에 있어서 연마액의 선도를 구하고, 구한 선도가 미리 정한 임계값을 하회한 개소만 연마액의 선도를 갱신하는 동작을 행하는 것을 특징으로 하는, 연마 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2013-049686 | 2013-03-12 | ||
JP2013049686A JP6139188B2 (ja) | 2013-03-12 | 2013-03-12 | 研磨装置および研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140111965A true KR20140111965A (ko) | 2014-09-22 |
KR102131089B1 KR102131089B1 (ko) | 2020-07-07 |
Family
ID=51529185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140026985A Active KR102131089B1 (ko) | 2013-03-12 | 2014-03-07 | 연마 장치 및 연마 방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9242339B2 (ko) |
JP (1) | JP6139188B2 (ko) |
KR (1) | KR102131089B1 (ko) |
TW (1) | TWI608896B (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180114834A (ko) * | 2017-04-11 | 2018-10-19 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 장치 및 연마 방법 |
KR20200119350A (ko) * | 2018-03-07 | 2020-10-19 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 연마 유체 첨가제 농도 측정 장치 및 그에 관련된 방법들 |
KR20210033590A (ko) * | 2019-09-18 | 2021-03-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 연마 장치 및 이를 이용한 기판 연마 방법 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10688623B2 (en) * | 2014-09-30 | 2020-06-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Slurry dispersion system with real time control |
TWI547348B (zh) * | 2015-08-31 | 2016-09-01 | 力晶科技股份有限公司 | 化學機械研磨裝置與方法 |
JP2019029562A (ja) * | 2017-08-01 | 2019-02-21 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
TWI701103B (zh) * | 2018-02-14 | 2020-08-11 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | 研磨設備、檢測裝置以及半導體基板的研磨方法 |
JP6975078B2 (ja) * | 2018-03-15 | 2021-12-01 | キオクシア株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
WO2020082259A1 (en) | 2018-10-24 | 2020-04-30 | Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing apparatus having scraping fixture |
CN111482891A (zh) * | 2020-04-20 | 2020-08-04 | 北京烁科精微电子装备有限公司 | 一种化学机械平坦化设备 |
JP7492854B2 (ja) * | 2020-05-11 | 2024-05-30 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び研磨方法 |
JP2024509159A (ja) * | 2021-03-03 | 2024-02-29 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | Cmpにおける温度制御された除去速度 |
JP2023009482A (ja) * | 2021-07-07 | 2023-01-20 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置および研磨方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040214508A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-10-28 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for controlling film thickness in a chemical mechanical planarization system |
US20050164606A1 (en) * | 2004-01-26 | 2005-07-28 | Tbw Industries Inc. | Chemical mechanical planarization process control utilizing in-situ conditioning process |
JP2007180309A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Toshiba Corp | 研磨装置および研磨方法 |
US20100187200A1 (en) * | 2007-09-07 | 2010-07-29 | Clifford Spiro | Cmp sensor and control system |
JP2011167769A (ja) | 2010-02-16 | 2011-09-01 | Konica Minolta Opto Inc | ガラス基板の研磨方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10309661A (ja) * | 1995-09-08 | 1998-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体基板の研磨方法及びその装置 |
US5645682A (en) * | 1996-05-28 | 1997-07-08 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for conditioning a planarizing substrate used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
US6285035B1 (en) * | 1998-07-08 | 2001-09-04 | Lsi Logic Corporation | Apparatus for detecting an endpoint polishing layer of a semiconductor wafer having a wafer carrier with independent concentric sub-carriers and associated method |
US6323046B1 (en) * | 1998-08-25 | 2001-11-27 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for endpointing a chemical-mechanical planarization process |
US7530877B1 (en) * | 1999-06-03 | 2009-05-12 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor processor systems, a system configured to provide a semiconductor workpiece process fluid |
US6077147A (en) * | 1999-06-19 | 2000-06-20 | United Microelectronics Corporation | Chemical-mechanical polishing station with end-point monitoring device |
US6214732B1 (en) * | 1999-11-01 | 2001-04-10 | Lucent Technologies, Inc. | Chemical mechanical polishing endpoint detection by monitoring component activity in effluent slurry |
JP2001198794A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-24 | Ebara Corp | 研磨装置 |
US6287171B1 (en) * | 2000-02-15 | 2001-09-11 | Speedfam-Ipec Corporation | System and method for detecting CMP endpoint via direct chemical monitoring of reactions |
US6569690B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-05-27 | Agere Systems Guardian Corp | Monitoring system for determining progress in a fabrication activity |
TW539594B (en) * | 2001-05-17 | 2003-07-01 | Macronix Int Co Ltd | Oxidant concentration monitoring system in chemical mechanical polishing process |
US6762832B2 (en) * | 2001-07-18 | 2004-07-13 | Air Liquide America, L.P. | Methods and systems for controlling the concentration of a component in a composition with absorption spectroscopy |
US6887132B2 (en) * | 2001-09-10 | 2005-05-03 | Multi Planar Technologies Incorporated | Slurry distributor for chemical mechanical polishing apparatus and method of using the same |
US6458020B1 (en) * | 2001-11-16 | 2002-10-01 | International Business Machines Corporation | Slurry recirculation in chemical mechanical polishing |
TWI252791B (en) * | 2002-01-18 | 2006-04-11 | Promos Technologies Inc | Slurry supply system disposed above the rotating platen of a chemical mechanical polishing apparatus |
JP4102081B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2008-06-18 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置及び研磨面の異物検出方法 |
US6899784B1 (en) * | 2002-06-27 | 2005-05-31 | International Business Machines Corporation | Apparatus for detecting CMP endpoint in acidic slurries |
US7166015B2 (en) * | 2002-06-28 | 2007-01-23 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for controlling fluid material composition on a polishing pad |
US7232363B2 (en) * | 2004-07-22 | 2007-06-19 | Applied Materials, Inc. | Polishing solution retainer |
JP2006088292A (ja) * | 2004-09-27 | 2006-04-06 | Toshiba Corp | 研磨装置、研磨方法および半導体装置の製造方法 |
US20090287340A1 (en) * | 2008-05-15 | 2009-11-19 | Confluense Llc | In-line effluent analysis method and apparatus for CMP process control |
US8197306B2 (en) * | 2008-10-31 | 2012-06-12 | Araca, Inc. | Method and device for the injection of CMP slurry |
US8277286B2 (en) * | 2009-02-13 | 2012-10-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Slurry dispenser for chemical mechanical polishing (CMP) apparatus and method |
-
2013
- 2013-03-12 JP JP2013049686A patent/JP6139188B2/ja active Active
-
2014
- 2014-03-07 KR KR1020140026985A patent/KR102131089B1/ko active Active
- 2014-03-10 US US14/203,494 patent/US9242339B2/en active Active
- 2014-03-10 TW TW103108097A patent/TWI608896B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040214508A1 (en) * | 2002-06-28 | 2004-10-28 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for controlling film thickness in a chemical mechanical planarization system |
US20050164606A1 (en) * | 2004-01-26 | 2005-07-28 | Tbw Industries Inc. | Chemical mechanical planarization process control utilizing in-situ conditioning process |
JP2007520083A (ja) | 2004-01-26 | 2007-07-19 | ティービーダブリュ インダストリーズ,インコーポレーテッド | 現場調整プロセスを使用する化学機械的平坦化プロセス制御 |
JP2007180309A (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Toshiba Corp | 研磨装置および研磨方法 |
US20100187200A1 (en) * | 2007-09-07 | 2010-07-29 | Clifford Spiro | Cmp sensor and control system |
JP2011167769A (ja) | 2010-02-16 | 2011-09-01 | Konica Minolta Opto Inc | ガラス基板の研磨方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180114834A (ko) * | 2017-04-11 | 2018-10-19 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 장치 및 연마 방법 |
KR20230098505A (ko) * | 2017-04-11 | 2023-07-04 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 연마 장치 및 연마 방법 |
KR20200119350A (ko) * | 2018-03-07 | 2020-10-19 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 연마 유체 첨가제 농도 측정 장치 및 그에 관련된 방법들 |
KR20210033590A (ko) * | 2019-09-18 | 2021-03-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 연마 장치 및 이를 이용한 기판 연마 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9242339B2 (en) | 2016-01-26 |
TWI608896B (zh) | 2017-12-21 |
US20140273753A1 (en) | 2014-09-18 |
KR102131089B1 (ko) | 2020-07-07 |
TW201440951A (zh) | 2014-11-01 |
JP6139188B2 (ja) | 2017-05-31 |
JP2014172155A (ja) | 2014-09-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20140111965A (ko) | 연마 장치 및 연마 방법 | |
JP6077152B2 (ja) | 研磨装置 | |
CN108723976B (zh) | 泄漏检测方法、以及非暂时性的计算机可读取记录介质 | |
CN112004640B (zh) | 具备研磨垫的表面性状测定装置的研磨装置及研磨系统 | |
TW201801855A (zh) | 研磨裝置及研磨方法 | |
CA2724228A1 (en) | In-line effluent analysis method and apparatus for cmp process control | |
JP2002154056A (ja) | 研磨液の製造装置 | |
JP6372847B2 (ja) | 研磨装置 | |
JP2009302577A (ja) | 基板研磨装置および基板研磨方法 | |
JP4926650B2 (ja) | 連続式全有機炭素濃度測定方法及びその装置 | |
CN203125329U (zh) | 用于化学机械抛光设备的抛光液供应装置 | |
JP3789297B2 (ja) | 研磨液の供給装置 | |
CN114302789B (zh) | 研磨装置及研磨方法 | |
US20240075580A1 (en) | Surface property measuring system, surface property measuring method, polishing apparatus, and polishing method | |
JP5126657B2 (ja) | 研磨装置 | |
TWI583495B (zh) | 工件厚度的測定裝置、測定方法及工件的硏磨裝置 | |
US20070243797A1 (en) | Polishing method and polishing apparatus | |
JP2014172156A (ja) | 研磨液の性状測定装置 | |
KR102433527B1 (ko) | 씨엠피 슬러리 공급 공정 관리시스템 | |
JP5893443B2 (ja) | 塗布装置及び口金認識方法 | |
JP2023162110A (ja) | 表面性状測定システム、表面性状測定方法、研磨装置、および研磨方法 | |
KR20070028191A (ko) | 폴리싱 패드 수명감지장치를 구비한 폴리싱 패드 컨디셔너및 폴리싱 패드 수명감지방법 | |
JP2017132023A (ja) | 排気機構 | |
KR101482856B1 (ko) | 화학증착소재 실시간 진단장치 | |
KR101426759B1 (ko) | 웨이퍼 연마장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20140307 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20181019 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20140307 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20200107 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20200622 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20200701 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20200702 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration |