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KR20130079610A - Projection exposure device, projection exposure method, and device manufacturing method - Google Patents

Projection exposure device, projection exposure method, and device manufacturing method Download PDF

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KR20130079610A
KR20130079610A KR1020137013468A KR20137013468A KR20130079610A KR 20130079610 A KR20130079610 A KR 20130079610A KR 1020137013468 A KR1020137013468 A KR 1020137013468A KR 20137013468 A KR20137013468 A KR 20137013468A KR 20130079610 A KR20130079610 A KR 20130079610A
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projection exposure
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가부시키가이샤 니콘
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Abstract

투영 노광 장치는 마스크 (R) 에 형성된 패턴을 투영 광학계 (PL) 를 통해 기판 (W) 상에 전사한다. 투영 노광 장치는 투영 광학계 (PL) 와 그 기판 (W) 의 표면 사이에 공급되는 액체 (7) 의 제전을 실시하는 제전 장치 (40 ∼ 46) 를 구비한다. 액체의 대전에 의해 발생하는 회로 패턴의 파괴나 장치의 오동작을 방지할 수 있다.The projection exposure apparatus transfers the pattern formed on the mask R onto the substrate W through the projection optical system PL. The projection exposure apparatus has static eliminating devices 40 to 46 for eliminating the liquid 7 supplied between the projection optical system PL and the surface of the substrate W. [ It is possible to prevent breakage of the circuit pattern and malfunction of the apparatus caused by charging of the liquid.

Description

투영 노광 장치, 투영 노광 방법 및 디바이스 제조 방법{PROJECTION EXPOSURE DEVICE, PROJECTION EXPOSURE METHOD, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a projection exposure apparatus, a projection exposure method,

본 발명은 예를 들어 반도체 소자, 촬상 소자 (CCD 등), 액정 표시 소자 또는 박막 자기 헤드 등의 디바이스를 제조하기 위한 리소그래피 공정으로 마스크 패턴을 감광성 기판 상에 전사하기 위해 사용되는 투영 노광 방법 및 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 액침법을 사용한 투영 노광 장치 및 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a projection exposure method and apparatus used for transferring a mask pattern onto a photosensitive substrate by a lithography process for manufacturing a device such as a semiconductor element, an imaging element (CCD, etc.), a liquid crystal display element, And more particularly, to a projection exposure apparatus and a projection exposure method using an immersion method.

반도체 소자 등을 제조할 때, 마스크로서의 레티클 패턴의 이미지를 투영 광학계를 통해 감광성 기판으로서의 레지스트가 도포된 웨이퍼 (또는 유리 플레이트 등) 상의 각 쇼트 영역에 전사하는 투영 노광 장치가 사용되고 있다. 종래에는 투영 노광 장치로서 스텝·앤드·리피트 방식의 축소 투영형 투영 노광 장치 (스테퍼) 가 많이 사용되고 있었는데, 최근에는 레티클과 웨이퍼를 동기 주사하여 노광하는 스텝·앤드·스캔 방식의 투영 노광 장치도 널리 사용되고 있다.A projection exposure apparatus for transferring an image of a reticle pattern as a mask to each shot area on a wafer (or a glass plate or the like) coated with a resist as a photosensitive substrate through a projection optical system is used. Conventionally, a step-and-repeat type reduction projection type exposure apparatus (stepper) has been widely used as a projection exposure apparatus. Recently, a step-and-scan type projection exposure apparatus which synchronously scans a reticle and a wafer exposes .

투영 노광 장치에 구비되어 있는 투영 광학계의 해상도는 사용하는 노광 파장이 짧아질수록, 또한 투영 광학계의 개구수가 클수록 높아진다. 따라서, 집적 회로의 미세화에 따라 투영 노광 장치에서 사용되는 노광 파장은 해마다 단파장화되고 있고, 투영 광학계의 개구수도 증대되고 있다. 그리고, 현재 주류인 노광 파장은 KrF 엑시머 레이저의 248㎚ 인데, 더욱 단파장인 ArF 엑시머 레이저의 193㎚ 도 이미 실용화되어 있다.The resolution of the projection optical system provided in the projection exposure apparatus becomes higher as the exposure wavelength to be used is shorter and as the numerical aperture of the projection optical system becomes larger. Therefore, with the miniaturization of the integrated circuit, the exposure wavelength used in the projection exposure apparatus has become shorter each year, and the aperture of the projection optical system has been increased. The exposure wavelength, which is currently the mainstream, is 248 nm of the KrF excimer laser, and 193 nm of the ArF excimer laser of shorter wavelength is already put into practical use.

또한, 노광할 때에는 해상도와 마찬가지로 초점 심도 (DOF) 도 중요해진다. 해상도 (R) 및 초점 심도 (δ) 는 각각 이하의 식으로 표시된다.Also, in exposure, the depth of focus (DOF) becomes important as well as the resolution. The resolution (R) and the depth of focus (?) Are expressed by the following equations respectively.

R = k1·λ/NA (1)R = k1? / NA (1)

δ = k2·λ/NA2 (2)隆 = k 2了 / NA 2 (2)

여기에서, λ 는 노광 파장, NA 는 투영 광학계의 개구수, k1, k2 는 프로세스 계수이다. (1) 식, (2) 식으로부터 해상도 (R) 를 높이기 위해, 노광 파장 (λ) 을 짧게 하고 개구수 (NA) 를 크게 하면, 초점 심도 (δ) 가 작아지는 것을 알 수 있다. 종래부터 투영 노광 장치에서는 오토 포커스 방식으로 웨이퍼의 표면을 투영 광학계의 이미지면에 맞춰 노광하고 있는데, 웨이퍼 표면과 이미지면을 전혀 오차 없이 맞추는 것은 불가능하기 때문에, 다소 오차가 잔류해도 결상 성능에 영향을 미치지 않도록 초점 심도 (δ) 는 큰 것이 바람직하다. 그래서, 종래에도 위상 시프트 레티클법, 변형 조명법, 다층 레지스트법 등 실질적으로 초점 심도를 크게 하는 것이 제안되어 있다.Here,? Is the exposure wavelength, NA is the numerical aperture of the projection optical system, and k1 and k2 are process coefficients. It can be seen that the depth of focus? Is reduced when the exposure wavelength? Is shortened and the numerical aperture NA is increased in order to increase the resolution R from the expressions (1) and (2). Conventionally, the projection exposure apparatus exposes the wafer surface to the image plane of the projection optical system by the autofocus method. However, since it is impossible to adjust the wafer surface and the image plane without any error, even if some errors remain, It is preferable that the depth of focus (delta) be large so as not to be too large. Therefore, conventionally, it has been proposed to substantially increase the depth of focus, such as the phase shift reticle method, the modified illumination method, and the multilayer resist method.

상기와 같이 종래의 투영 노광 장치에서는 노광광의 단파장화 및 투영 광학계의 개구수의 증대에 따라 초점 심도가 작아지고 있다. 그리고, 반도체 집적 회로가 더욱 고집적화되는 것에 대응하기 위해, 노광 파장이 더욱 단파장화되는 것도 연구되고 있고, 이 상태로는 초점 심도가 너무 작아져 노광 동작시의 마진이 부족할 우려가 있다.As described above, in the conventional projection exposure apparatus, the depth of focus becomes smaller as the wavelength of exposure light is shortened and the numerical aperture of the projection optical system is increased. In order to cope with higher integration of the semiconductor integrated circuit, further research has been made to reduce the exposure wavelength to a shorter wavelength. In this state, the depth of focus becomes too small, and there is a possibility that the margin at the time of the exposure operation becomes insufficient.

그래서, 실질적으로 노광 파장을 짧게 하고, 또한 초점 심도를 크게 하는 방법으로서 액침법이 제안되어 있다. 이것은 투영 광학계의 하면 (下面) 과 웨이퍼 표면의 사이를 순수 (純水), 또는 유기 용매 등의 액체로 채우고, 액체 중에서의 노광광의 파장이 공기 중의 1/n 배 (n 은 액체의 굴절률로 통상 1.2 ∼ 1.6 정도) 가 되는 것을 이용하여 해상도를 향상시킴과 함께, 초점 심도를 약 n 배로 확대한다는 것이다. 액침법을 적용한 투영 노광 장치 및 노광 방법의 종래 기술로는, 예를 들어 국제 공개 제99/49504호에 기재된 기술을 들 수 있다.Therefore, an immersion method has been proposed as a method of substantially shortening the exposure wavelength and increasing the depth of focus. This is because the space between the lower surface of the projection optical system and the wafer surface is filled with pure water or a liquid such as an organic solvent and the wavelength of the exposure light in the liquid is 1 / n times as large as the air 1.2 to 1.6) is used to improve the resolution and to increase the depth of focus to about n times. As a prior art of a projection exposure apparatus and an exposure method to which a liquid immersion method is applied, for example, a technique described in International Publication No. 99/49504 can be mentioned.

상기 기술한 액침법에는 순수 또는 유기 용매 등이 투영 광학계의 하면과 웨이퍼 표면의 사이를 채우는 액체로서 사용된다. 여기에서 사용되는 액체는 모두 전기적인 절연성이 높고, 예를 들어 반도체 공장에서 사용되는 초순수는 비저항이 15MΩ·㎝ 정도로 높다. 이러한 절연성이 높은 액체는 배관 경로내를 유동할 때, 배관과의 마찰이나 배관 경로내에 형성된 오리피스에서 발생하는 캐비테이션 등에 의해 정전기를 띠기 쉽다. 정전기를 띤 액체를 액침법에 사용한 경우, 이미 웨이퍼 상에 형성되어 있는 회로 패턴과의 사이에 방전이 일어나 회로 패턴을 파괴할 우려가 있었다. 또한, 회로 패턴 이외의 물체와의 사이에서 방전이 일어난 경우에는 방전시에 발생하는 전기적 노이즈에 의해 투영 광학계 주변 또는 웨이퍼 주변에 배치된 전기 기기가 오동작하여 투영 노광 장치가 에러를 발생하거나 정지될 우려가 있었다. 또한, 대전되어 있는 액체는 정전기에 의해 주위의 불순물을 빨아 당기기 때문에, 그 불순물이 노광의 방해가 되는 경우도 있었다.In the liquid immersion method described above, pure water or an organic solvent is used as a liquid filling the space between the lower surface of the projection optical system and the wafer surface. All liquids used here have high electrical insulation. For example, ultrapure water used in a semiconductor factory has a resistivity as high as 15 M? 占 ㎝ m. Such a liquid having a high insulation property tends to generate static electricity when it flows in the piping route due to friction with the piping or cavitation generated in the orifice formed in the piping path. When a liquid with electrostatic charge is used for immersion, a discharge may occur between the circuit pattern already formed on the wafer and the circuit pattern may be destroyed. In addition, when a discharge occurs with an object other than the circuit pattern, the electric noise generated in the discharge causes a malfunction of the electric device disposed around the wafer or the periphery of the projection optical system, thereby causing the projection exposure apparatus to cause an error . Further, since the charged liquid sucks the surrounding impurities by the static electricity, the impurities sometimes interfere with the exposure.

본 발명은 이러한 점을 감안하여 액침법에 사용하는 액체의 대전에 의해 발생하는 회로 패턴의 파괴나 장치의 오동작을 방지할 수 있는 투영 노광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 또한, 본 발명은 회로 패턴의 파괴나 장치의 오동작을 방지할 수 있는 투영 노광 방법 및 디바이스 제조 방법을 제공하는 것도 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a projection exposure apparatus capable of preventing breakage of a circuit pattern or malfunction of a device caused by charging of a liquid used in a liquid immersion method. It is another object of the present invention to provide a projection exposure method and a device manufacturing method that can prevent breakage of a circuit pattern and malfunction of the apparatus.

본 발명의 제 1 태양에 따르면, 마스크 (R) 에 형성된 패턴을 액체 (7) 를 통해 기판 (W) 상에 전사하는 투영 노광 장치로서, 상기 패턴의 이미지를 기판 상에 투영하는 투영 광학계 (PL) 와; 상기 투영 광학계와 상기 기판 표면의 사이에 공급되는 액체의 제전 (除電) 을 실시하는 제전 장치 (40 ∼ 48) 를 구비한 투영 노광 장치가 제공된다.According to the first aspect of the present invention, there is provided a projection exposure apparatus for transferring a pattern formed on a mask R onto a substrate W through a liquid 7, the projection exposure apparatus comprising: a projection optical system PL for projecting an image of the pattern onto a substrate; ) Wow; And a static eliminating device (40 to 48) for performing static elimination of the liquid supplied between the projection optical system and the surface of the substrate.

본 발명의 투영 노광 장치에 의하면, 투영 광학계와 기판의 사이에 제전된 액체를 공급할 수 있기 때문에, 기판에 형성된 회로 패턴이 정전기의 방전에 의해 파괴되는 것을 방지하고, 또한 투영 광학계 및 기판의 주변에 배치된 전기 기기가 정전기의 방전에 의해 오동작하는 것을 방지할 수 있다. 이 경우에 있어서, 제전 장치 (40 ∼ 43) 는 액체를 투영 광학계와 기판 표면의 사이에 공급하는 액체 공급 배관 (21, 22, 27, 28) 의 유로에 형성되고, 어스 (earth) 된 제전 필터 (40a, 41a, 42a, 43a) 를 갖는 것으로 할 수 있다. 그리고, 이 제전 필터는 도전성 발포 금속이나 도전성 망상 부재로 구성될 수 있다. 이에 의해 제전 필터내를 통과하는 액체에 대전되어 있는 정전기를 제거할 수 있다. 노광 장치는 상기 액체를 상기 투영 광학계와 상기 기판 표면의 사이에 공급하는 액체 공급 장치를 구비할 수 있다. 이 경우, 제전 장치가 액체 공급 장치에 형성될 수 있다. 상기 투영 노광 장치가 스텝·앤드·리피트형 투영 노광 장치인 경우에는 액체 공급 장치가 기판을 스테핑하는 방향으로 액체를 공급할 수 있다. 한편, 투영 노광 장치가 스텝·앤드·스캔형 투영 노광 장치인 경우에는 액체 공급 장치가 스캔 방향으로 액체를 공급할 수 있다.According to the projection exposure apparatus of the present invention, since the discharged liquid can be supplied between the projection optical system and the substrate, it is possible to prevent the circuit pattern formed on the substrate from being destroyed by the discharge of the static electricity, It is possible to prevent the disposed electric device from malfunctioning due to the discharge of the static electricity. In this case, the static eliminators 40 to 43 are formed in the flow paths of the liquid supply pipes 21, 22, 27 and 28 for supplying liquid between the projection optical system and the surface of the substrate, (40a, 41a, 42a, 43a). The elimination filter may be formed of a conductive foamed metal or a conductive network member. As a result, the static electricity charged in the liquid passing through the static elimination filter can be removed. The exposure apparatus may include a liquid supply device for supplying the liquid between the projection optical system and the surface of the substrate. In this case, a static eliminator can be formed in the liquid supply apparatus. When the projection exposure apparatus is a step-and-repeat type projection exposure apparatus, the liquid supply apparatus can supply the liquid in a direction for stepping the substrate. On the other hand, when the projection exposure apparatus is a step-and-scan type projection exposure apparatus, the liquid supply apparatus can supply the liquid in the scanning direction.

본 발명의 제 2 태양에 따르면, 마스크 (R) 에 형성된 패턴을 액체 (7) 를 통해 기판 (W) 상에 전사하는 투영 노광 장치로서, 상기 패턴의 이미지를 기판 상에 투영하는 투영 광학계 (PL) 와; 상기 투영 광학계와 상기 기판의 표면 사이에 개재되는 액체의 제전을 실시하는 제전 장치 (40 ∼ 46) 를 구비한 투영 노광 장치가 제공된다.According to a second aspect of the present invention, there is provided a projection exposure apparatus for transferring a pattern formed on a mask R onto a substrate W through a liquid 7, the projection exposure apparatus comprising: a projection optical system PL for projecting an image of the pattern onto a substrate; ) Wow; And a static eliminator (40 to 46) for static eliminating the liquid interposed between the projection optical system and the surface of the substrate.

이 경우에 있어서, 제전 장치는 기판과 대향하는 투영 광학계의 광학 소자 (4) 에 형성된 전극 부재 (44) 를 갖는 것으로 할 수 있다. 또한, 제전 장치는 그 액체를 공급하는 액체 공급 배관 (21, 22, 27, 28) 의 공급구 (21b ∼ 21d, 22b ∼ 22d) 와 그 액체를 회수하는 액체 회수 배관 (23, 24, 29, 30) 의 회수구 (23b, 23c, 24b, 24c) 의 적어도 일측에 형성된 제전 필터 (40a, 40c, 40d, 41a, 41c, 41d, 45a, 45b, 46a, 46b) 를 갖는 것으로 할 수도 있다. 이것에 의하면, 액체가 광학 소자와 기판의 사이에 채워져 있는 상태에서도 제전할 수 있기 때문에, 노광 중 또는 기판의 이동 중에 액체가 대전되는 것을 방지할 수 있다.In this case, the static eliminator may have the electrode member 44 formed on the optical element 4 of the projection optical system facing the substrate. The static eliminator also includes supply ports 21b to 21d and 22b to 22d of the liquid supply pipes 21, 22, 27 and 28 for supplying the liquid and liquid recovery pipes 23, 24 and 29, 40c, 40d, 41a, 41c, 41d, 45a, 45b, 46a, 46b formed on at least one side of the recovery ports 23b, 23c, 24b, This makes it possible to prevent the liquid from being charged during exposure or during movement of the substrate because the liquid can be discharged even when the liquid is filled between the optical element and the substrate.

본 발명의 제 3 태양에 따르면, 노광 빔 (IL) 으로 마스크 (R) 를 조사하고, 상기 마스크 (R) 에 형성된 패턴을 투영 광학계 (PL) 에 의해 액체 (7) 를 통해 기판 상에 투영하는 투영 노광 방법으로서,According to the third aspect of the present invention, the mask R is irradiated with the exposure beam IL, and the pattern formed on the mask R is projected onto the substrate through the liquid 7 by the projection optical system PL As a projection exposure method,

상기 액체의 제전을 실시하는 단계와; 상기 액체를 상기 투영 광학계 (PL) 와 상기 기판 (W) 의 표면 사이에 공급하는 단계를 갖는 투영 노광 방법이 제공된다.Performing a discharge of the liquid; And supplying the liquid between the projection optical system (PL) and the surface of the substrate (W).

이것에 의하면, 투영 광학계와 기판의 표면 사이에 채워지는 액체의 정전기는 제거되고, 정전기의 방전에 의해 생길 우려가 있는 회로 패턴의 파괴나 투영 노광 장치의 오동작을 방지할 수 있다. 그리고, 제전을 실시하는 단계는 그 액체를 공급하는 단계에 앞서 실시되도록 할 수 있다. 이 경우, 상기 액체를 상기 투영 광학계와 상기 기판의 표면 사이에 공급하는 단계에 있어서, 상기 액체를 제전 필터에 통과시켜도 된다. 제전 필터는 상기 액체를 상기 투영 광학계와 상기 기판의 표면 사이에 공급하는 액체 공급관의 선단 (先端) 에 형성할 수 있다. 상기 액체의 제전을 실시하는 단계에 있어서, 상기 투영 광학계와 상기 기판의 표면 사이에 공급된 액체를 도전재와 접촉시켜도 된다.According to this, the static electricity of the liquid filled between the projection optical system and the surface of the substrate is removed, and the destruction of the circuit pattern or the malfunction of the projection exposure apparatus, which may be caused by the discharge of the static electricity, can be prevented. And, the step of performing the erasing may be performed before the step of supplying the liquid. In this case, in the step of supplying the liquid between the projection optical system and the surface of the substrate, the liquid may be passed through the static elimination filter. The antistatic filter may be formed at the tip (tip end) of the liquid supply pipe for supplying the liquid between the projection optical system and the surface of the substrate. The liquid supplied between the projection optical system and the surface of the substrate may be brought into contact with the conductive material.

본 발명의 제 4 태양에 따르면, 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조 방법으로서, 그 리소그래피 공정에서 상기 태양의 투영 노광 장치를 사용하여 노광하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 방법이 제공된다.According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a device manufacturing method including a lithography process, characterized in that the lithography process exposes the device using the above-described projection exposure apparatus.

이것에 의하면, 정전기의 방전에 의해 생길 우려가 있는 회로 패턴의 파괴를 방지할 수 있기 때문에, 제조하는 디바이스의 수율이 향상되어 정전기의 방전에 의한 투영 노광 장치의 오동작을 방지할 수 있기 때문에, 높은 처리 능력을 유지할 수 있다.This makes it possible to prevent destruction of a circuit pattern that may be caused by discharge of static electricity, so that the yield of a device to be manufactured is improved and erroneous operation of the projection exposure apparatus by discharge of static electricity can be prevented, The processing capability can be maintained.

도 1 은 본 발명의 제 1 실시형태에서 사용되는 투영 노광 장치의 개략 구성을 나타내는 도면이다.
도 2 는 본 발명의 제 1 실시형태에서의 X 방향을 따른 공급구 및 회수구와, 제전 장치의 배치를 나타내는 도면이다.
도 3 은 본 발명의 제 1 실시형태에서의 X 방향 및 Y 방향을 따른 공급구 및 회수구와, 제전 장치의 배치를 나타내는 도면이다.
도 4 는 본 발명의 제 2 실시형태에서의 공급구 및 회수구와, 제전 장치의 배치를 나타내는 도면이다.
도 5 는 본 발명의 제 3 실시형태에서의 공급구 및 회수구와, 제전 장치의 배치를 나타내는 도면이다.
도 6 은 본 발명의 제 3 실시형태에서의 주사 노광시의 동작을 나타내는 도면이다.
도 7 은 반도체 디바이스의 제조 공정의 일례를 나타내는 플로우차트도이다.1 is a diagram showing a schematic configuration of a projection exposure apparatus used in a first embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a view showing the arrangement of a supply port and a recovery port along the X direction and a static eliminator in the first embodiment of the present invention. Fig.
3 is a view showing the arrangement of a supply port and a recovery port along the X direction and the Y direction and the arrangement of the static eliminator in the first embodiment of the present invention.
4 is a view showing the arrangement of a supply port and a recovery port and a static eliminator in the second embodiment of the present invention.
5 is a view showing the arrangement of a supply port and a recovery port and a static eliminator in the third embodiment of the present invention.
Fig. 6 is a diagram showing the operation at the time of scanning exposure in the third embodiment of the present invention. Fig.
7 is a flowchart showing an example of a manufacturing process of a semiconductor device.

이하, 본 발명의 바람직한 실시형태의 일례에 대해 도 1 ∼ 도 3 을 참조하여 설명한다. 본 예는 본 발명을 스텝·앤드·리피트 방식의 투영 노광 장치에 적용한 것이다.Hereinafter, an example of a preferred embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 1 to 3. Fig. This example applies the present invention to a step-and-repeat projection exposure apparatus.

실시예Example 1 One

도 1 은 본 예의 투영 노광 장치의 개략 구성을 나타내고, 이 도 1 에 있어서, 노광 광원으로서의 ArF 엑시머 레이저 광원, 옵티컬·인테그레이터 (호모지나이저), 시야 조리개, 콘덴서 렌즈 등을 포함하는 조명 광학계 (1) 로부터 사출 (射出) 된 파장 193㎚ 의 자외 펄스광으로 이루어지는 노광광 (IL) 은 레티클 (R) 에 형성된 패턴을 조명한다. 레티클 (R) 의 패턴은 양측 (또는 웨이퍼 (W) 측에 일측) 텔레센트릭한 투영 광학계 (PL) 를 통해 소정의 투영 배율 (β) (β 는 예를 들어 1/4, 1/5 등) 로 포토레지스트가 도포된 웨이퍼 (W) 상의 노광 영역에 축소 투영된다. 또, 노광광 (IL) 으로는 KrF 엑시머 레이저광 (파장 248㎚), F2 레이저광 (파장 157㎚) 이나 수은 램프의 i 선 (파장 365㎚) 등을 사용해도 된다. 이하, 투영 광학계 (PL) 의 광축 (AX) 에 평행한 축을 Z 축으로 하고, Z 축에 수직인 평면내에서 도 1 의 지면 (紙面) 에 수직인 축을 Y 축으로 하고, 도 1 의 지면에 평행한 축을 X 축으로 하여 설명한다.1 schematically shows the structure of a projection exposure apparatus according to this embodiment. In Fig. 1, an illumination optical system including an ArF excimer laser light source as an exposure light source, an optical integrator (homogenizer), a field diaphragm, The exposure light IL composed of ultraviolet pulse light having a wavelength of 193 nm emitted from the exposure light source 1 illuminates a pattern formed on the reticle R. [ The pattern of the reticle R is projected through a telecentric projection optical system PL on both sides (or one side on the side of the wafer W) at a predetermined projection magnification β (β is 1/4, 1/5, To the exposure area on the wafer W coated with the photoresist. As the exposure light IL, KrF excimer laser light (wavelength 248 nm), F 2 laser light (wavelength 157 nm), or mercury lamp i line (wavelength 365 nm) may be used. Hereinafter, the axis parallel to the optical axis AX of the projection optical system PL is defined as the Z axis, and the axis perpendicular to the plane of FIG. 1 in the plane perpendicular to the Z axis is taken as the Y axis. And a parallel axis is taken as an X axis.

레티클 (R) 은 레티클 스테이지 (RST) 상에 유지되고, 레티클 스테이지 (RST) 에는 X 방향, Y 방향, 회전 방향으로 레티클 (R) 을 미동하는 기구가 장착되어 있다. 레티클 스테이지 (RST) 의 2 차원적인 위치 및 회전각은 레이저 간섭계 (도시 생략) 에 의해 실시간으로 계측되고, 이 계측치에 기초하여 주제어계 (14) 가 레티클 (R) 의 위치를 결정한다.The reticle R is held on the reticle stage RST and the reticle stage RST is equipped with a mechanism for moving the reticle R in the X direction, Y direction, and rotation direction. The two-dimensional position and rotation angle of the reticle stage RST are measured in real time by a laser interferometer (not shown), and the main controller 14 determines the position of the reticle R based on the measured values.

한편, 웨이퍼 (W) 는 웨이퍼 홀더 (도시 생략) 를 통해 웨이퍼 (W) 의 포커스 위치 (Z 방향의 위치) 및 경사각을 제어하는 Z 스테이지 (9) 상에 고정되어 있다. 웨이퍼 홀더는 웨이퍼가 대전되는 것을 방지하기 위해 도전성 코팅이 실시되고, 도시를 생략한 어스선에 의해 접지되어 있다. Z 스테이지 (9) 는 투영 광학계 (PL) 의 이미지면과 실질적으로 평행한 XY 평면을 따라 이동하는 XY 스테이지 (10) 상에 고정되고, XY 스테이지 (10) 는 베이스 (11) 상에 탑재되어 있다. Z 스테이지 (9) 는 웨이퍼 (W) 의 포커스 위치 (Z 방향의 위치), 및 경사각을 제어하여 웨이퍼 (W) 상의 표면을 오토 포커스 방식, 및 오토 레벨링 방식으로 투영 광학계 (PL) 의 이미지면에 맞추고, XY 스테이지 (10) 는 웨이퍼 (W) 의 X 방향 및 Y 방향의 위치를 결정한다. Z 스테이지 (9) (웨이퍼 (W)) 의 2 차원적인 위치 및 회전각은 이동경 (12) 의 위치로서 레이저 간섭계 (13) 에 의해 리얼타임으로 계측되고 있다. 이 계측 결과에 기초하여 주제어계 (14) 로부터 웨이퍼 스테이지 구동계 (15) 에 제어 정보가 보내지고, 이에 기초하여 웨이퍼 스테이지 구동계 (15) 는 Z 스테이지 (9), XY 스테이지 (10) 의 동작을 제어한다. 노광시에는 웨이퍼 (W) 상의 각 쇼트 영역을 순차적으로 노광 위치로 단계 이동하고, 레티클 (R) 의 패턴 이미지를 노광하는 동작이 스텝·앤드·리피트 방식으로 반복된다.On the other hand, the wafer W is fixed on the Z stage 9 for controlling the focus position (position in the Z direction) and the tilt angle of the wafer W through a wafer holder (not shown). The wafer holder is provided with a conductive coating to prevent the wafer from being charged, and is grounded by a ground line (not shown). The Z stage 9 is fixed on the XY stage 10 moving along the XY plane substantially parallel to the image plane of the projection optical system PL and the XY stage 10 is mounted on the base 11 . The Z stage 9 controls the focus position (position in the Z direction) and the tilt angle of the wafer W so that the surface of the wafer W is scanned by the auto focus method and the auto leveling method on the image plane of the projection optical system PL And the XY stage 10 determines the position of the wafer W in the X and Y directions. The two-dimensional position and rotation angle of the Z stage 9 (wafer W) are measured in real time by the laser interferometer 13 as the position of the movable mirror 12. Based on the measurement result, control information is sent from the main control system 14 to the wafer stage driving system 15, and based on this, the wafer stage driving system 15 controls the operation of the Z stage 9 and the XY stage 10 do. During exposure, each shot area on the wafer W is sequentially moved to the exposure position, and the operation of exposing the pattern image of the reticle R is repeated in a step-and-repeat manner.

그런데, 본 예에서는 노광 파장을 실질적으로 짧게 하여 해상도를 향상시킴과 함께, 초점 심도는 실질적으로 크게 하기 위해 액침법을 적용한다. 따라서, 적어도 레티클 (R) 의 패턴 이미지를 웨이퍼 (W) 상에 전사하고 있는 동안에는 웨이퍼 (W) 의 표면과, 투영 광학계 (PL) 의 웨이퍼 (W) 와 대향하는 렌즈 (4) 의 선단면 (하면) 의 사이에 소정의 액체 (7) 를 채워 둔다. 투영 광학계 (PL) 는 다른 광학계를 수납하는 경통 (3) 과, 그 렌즈 (4) 를 갖고 있고, 렌즈 (4) 에만 액체 (7) 가 접촉하도록 구성되어 있다. 이에 의해, 금속으로 이루어지는 경통 (3) 의 부식 등이 방지되고 있다.Incidentally, in this embodiment, the liquid immersion method is applied in order to substantially increase the resolution by substantially shortening the exposure wavelength and substantially increase the depth of focus. Therefore, at least while the pattern image of the reticle R is being transferred onto the wafer W, the surface of the wafer W and the front end face of the lens 4 facing the wafer W of the projection optical system PL A predetermined liquid 7 is filled in between the upper and lower surfaces. The projection optical system PL has a lens barrel 3 for accommodating another optical system and the lens 4 so that the liquid 7 is in contact with only the lens 4. As a result, corrosion of the lens barrel 3 made of a metal is prevented.

또, 투영 광학계 (PL) 는 렌즈 (4) 를 포함하는 복수의 광학 소자로 이루어지고, 렌즈 (4) 는 경통 (3) 의 최하부에 착탈 (교환) 이 자유롭게 고정되어 있다. 본 예에서는 웨이퍼 (W) 에 가장 가깝게 웨이퍼 (W) 와 대향하는 광학 소자, 즉 액체 (7) 와 접촉하는 광학 소자를 렌즈로 하고 있지만, 그 광학 소자는 렌즈에 한정되는 것이 아니라, 투영 광학계 (PL) 의 광학 특성, 예를 들어 수차 (收差) (구면 수차, 코마 수차 등) 의 조정에 사용하는 광학 플레이트 (평행 평면판 등) 이어도 된다. 또, 노광광의 조사에 의해 레지스트로부터 발생하는 비산 입자, 또는 액체 (7) 중의 불순물의 부착 등에 기인하여 액체 (7) 에 접촉하는 광학 소자의 표면이 더러워지므로, 그 광학 소자를 정기적으로 교환할 필요가 있다. 그러나, 액체 (7) 에 접촉하는 광학 소자가 렌즈이면, 그 교환 부품의 비용이 높고, 또한 교환에 요구되는 시간이 길어져 보수 유지 비용 (러닝 (running) 비용) 의 상승이나 스루풋 (throughput) 의 저하를 초래한다. 그래서, 액체 (7) 와 접촉하는 광학 소자를, 예를 들어 렌즈 (4) 보다 저렴한 평행 평면판으로 하도록 해도 된다. 이 경우, 투영 노광 장치의 운반, 조립, 조정시 등에 있어서 투영 광학계 (PL) 의 투과율, 웨이퍼 (W) 상에서의 노광광의 조도, 및 조도 분포의 균일성 등을 저하시키는 물질 (예를 들어 규소계 유기물 등) 이 그 평행 평면판에 부착되어도 액체 (7) 를 공급하기 직전에 그 평행 평면판을 교환할 뿐만 아니라, 액체 (7) 와 접촉하는 광학 소자를 렌즈로 하는 경우에 비교하여 그 교환 비용이 낮아진다는 이점도 있다.The projection optical system PL is composed of a plurality of optical elements including a lens 4 and the lens 4 is fixed to the lowermost portion of the lens barrel 3 freely detachably. In this example, the optical element which is in contact with the wafer W closest to the wafer W, that is, the optical element which is in contact with the liquid 7 is a lens. However, the optical element is not limited to the lens, Optical plate (parallel flat plate or the like) used for adjusting the optical characteristics of the light beam PL, for example, an aberration (spherical aberration, coma aberration, etc.). Furthermore, since the surface of the optical element contacting the liquid 7 is dirty due to the scattered particles generated from the resist or the impurities in the liquid 7 due to the irradiation of the exposure light, the optical element needs to be replaced periodically . However, if the optical element that is in contact with the liquid 7 is a lens, the cost of the replacement part is high, and the time required for the replacement becomes long, so that the maintenance cost (running cost) increases and the throughput . Thus, the optical element which is in contact with the liquid 7 may be made to be a parallel flat plate which is less expensive than, for example, the lens 4. [ In this case, a material that reduces the transmittance of the projection optical system PL, the illuminance of the exposure light on the wafer W, the uniformity of the illuminance distribution, and the like (for example, Organic material or the like) adheres to the parallel flat plate, the parallel flat plate is exchanged immediately before the supply of the liquid 7, and in comparison with the case where the optical element in contact with the liquid 7 is used as a lens, Is also lowered.

또, 웨이퍼 (W) 에 가장 가깝게 웨이퍼 (W) 와 대향하는 광학 소자를 광학 플레이트로 하는 경우에는 당해 광학 플레이트와, 웨이퍼 (W) 에 2 번째로 가까운 광학 소자 (렌즈 (4)) 의 사이도 액체 (7) 로 충전할 필요가 있다. 이에 의해 해상도를 향상시킴과 함께 초점 심도를 실질적으로 크게 한다는 액침법의 효과를 충분히 얻을 수 있다. 이 경우, 광학 플레이트와 렌즈 (4) 사이의 공간과 액체 연결하는 액체 공급 배관과 액체 회수 배관을 투영 광학계의 측벽에 결합하면 된다.When the optical element facing the wafer W closest to the wafer W is an optical plate, the optical plate and the optical element (lens 4) closest to the wafer W It is necessary to fill it with the liquid 7. As a result, it is possible to sufficiently obtain the effect of the liquid immersion method that the resolution is improved and the depth of focus is substantially increased. In this case, the liquid supply pipe and the liquid recovery pipe which are in liquid communication with the space between the optical plate and the lens 4 may be coupled to the side wall of the projection optical system.

또한, 액체 (7) 로서 본 예에서는 예를 들어 순수를 사용한다. 순수는 반도체 제조 공장 등에서 용이하게 대량으로 입수할 수 있음과 함께, 웨이퍼 상의 포토레지스트나 광학 렌즈 등에 대한 악영향이 없는 이점이 있다. 또한, 순수는 환경에 대한 악영향이 없음과 함께, 불순물의 함유량이 매우 낮으므로, 웨이퍼의 표면 및 렌즈 (4) 의 표면을 세정하는 작용도 기대할 수 있다. 한편, 순수는 비저항이 높고 전기적인 절연성이 높으므로, 절연체인 수지 배관을 유동할 때의 마찰이나, 오리피스 부분에서 발생하는 캐비테이션 등에 의해 정전기를 띠기 쉽다는 성질도 갖고 있다.In this embodiment, pure water is used as the liquid 7, for example. The pure water can be easily obtained in large quantities in a semiconductor manufacturing factory or the like, and has an advantage that there is no adverse effect on the photoresist on the wafer, the optical lens, and the like. In addition, the pure water has no adverse effect on the environment, and the content of the impurities is very low, so that the function of cleaning the surface of the wafer and the surface of the lens 4 can also be expected. On the other hand, since pure water has high resistivity and high electrical insulation property, it has a property of easily generating static electricity due to friction when flowing through an insulator resin pipe or cavitation generated in an orifice part.

액체 (7) 로서 순수를 사용한 경우, 파장이 190㎚ 정도의 노광광에 대한 순수 (물) 의 굴절률 (n) 은 약 1.44 라고 여겨지고 있기 때문에, KrF 엑시머 레이저광의 파장 193㎚ 는 웨이퍼 (W) 상에서는 1/n, 즉 약 134㎚ 로 단파장화되어 높은 해상도가 얻어진다. 또한, 초점 심도는 공기 중에 비교하여 약 n 배, 즉 약 1.44 배로 확대되기 때문에, 공기 중에서 사용하는 경우와 동일한 정도의 초점 심도를 확보할 수 있으면 되는 경우에는 투영 광학계 (PL) 의 개구수를 보다 증가시킬 수 있고, 이 점에서도 해상도가 향상된다.When pure water is used as the liquid 7, since the refractive index (n) of pure water (water) for exposure light having a wavelength of about 190 nm is considered to be about 1.44, the wavelength 193 nm of the KrF excimer laser light is on the wafer W 1 / n, i.e., about 134 nm, resulting in a high resolution. Further, since the depth of focus is enlarged to about n times, that is, about 1.44 times as compared with that in air, when the depth of focus can be secured to the same degree as in the case of using in air, the numerical aperture of the projection optical system And the resolution is also improved in this respect as well.

그 액체 (7) 는 그 액체의 탱크, 가압 펌프, 온도 제어 장치 등으로 이루어지는 액체 공급 장치 (5) 에 의해 소정의 액체 공급 배관 (21) 을 통해 웨이퍼 (W) 상에 온도 제어된 상태로 공급되고, 그 액체의 탱크 및 흡인 펌프 등으로 이루어지는 액체 회수 장치 (6) 에 의해 소정의 액체 회수 배관 (23) 을 통해 웨이퍼 (W) 상에서 회수된다. 액체 (7) 의 온도는, 예를 들어 본 예의 투영 노광 장치가 수납되어 있는 챔버내의 온도와 동일한 정도로 설정되어 있다. 액체 공급 배관 (21) 은 공급관 (21a) 과 공급구 (21b) 로 주로 구성되어 있다. 공급관 (21a) 의 일단은 액체 공급 장치 (5) 에 접속되고, 타단은 공급구 (21b) 에 접속되어 있다. 공급구 (21b) 는 선단부가 가늘게 형성되어 있고, 투영 광학계 (PL) 의 렌즈 (4) 의 선단부가 X 방향으로 개재되도록 배치되어 있다 (도 2 참조). 액체 공급 배관 (21) 에는 액체 (7) 의 제전을 실시하는 제전 장치 (40) 가 형성되어 있다. 제전 장치 (40) 는 제전 필터 (40a) 와 어스선 (40b) 으로 주로 구성되고, 공급관 (21a) 의 유로에 형성된 제전 필터 (40a) 는 어스선을 통해 접지되어 있다. 제전 장치 (40) 의 상세에 관해서는 후술한다. 한편, 액체 회수 배관 (23) 은 회수관 (23a) 과 회수구 (23b, 23c) 로 주로 구성되어 있다. 회수관 (23a) 의 일단은 액체 회수 장치 (6) 에 접속되고, 타단은 2 개로 분기되어 회수구 (23b, 23c) 에 접속되어 있다 (도 2 참조). 또한, 그 1 쌍의 공급구 (21a) 및 회수구 (23b, 23c) 를 거의 180°회전 배치한 1 쌍의 공급구 (22b) 및 회수구 (24b, 24c) 및 그 렌즈 (4) 의 선단부가 Y 방향으로 개재되도록 배치된 2 쌍의 공급구, 및 회수구도 배치되어 있다 (도 3 참조).The liquid 7 is supplied in a temperature-controlled state on the wafer W via a predetermined liquid supply pipe 21 by a liquid supply device 5 including a liquid tank, a pressurizing pump, And is recovered on the wafer W through a predetermined liquid recovery pipe 23 by a liquid recovery device 6 including a liquid tank and a suction pump. The temperature of the liquid 7 is set to, for example, about the same as the temperature in the chamber in which the projection exposure apparatus of this embodiment is housed. The liquid supply pipe 21 is mainly composed of a supply pipe 21a and a supply port 21b. One end of the supply pipe 21a is connected to the liquid supply device 5 and the other end is connected to the supply port 21b. The supply port 21b is formed such that the distal end thereof is thin and the distal end of the lens 4 of the projection optical system PL is interposed in the X direction (see FIG. 2). The liquid supply pipe 21 is provided with a static eliminator 40 for static elimination of the liquid 7. The static eliminator 40 is mainly composed of a static elimination filter 40a and a ground line 40b and the static elimination filter 40a formed in the flow path of the supply duct 21a is grounded via a ground line. Details of the static eliminator 40 will be described later. On the other hand, the liquid recovery pipe 23 is mainly composed of a recovery pipe 23a and recovery ports 23b and 23c. One end of the recovery pipe 23a is connected to the liquid recovery device 6 and the other end is branched into two and connected to the recovery ports 23b and 23c (see Fig. 2). The pair of supply ports 22b and the recovery ports 24b and 24c and the distal end portions of the lenses 4 are provided with a pair of the supply ports 21a and the recovery ports 23b and 23c, Two pairs of supply ports and a recovery port are arranged so as to be interposed in the Y direction (see FIG. 3).

도 2 는 도 1 의 투영 광학계 (PL) 의 렌즈 (4) 의 선단부 (4A) 및 웨이퍼 (W) 와, 그 선단부 (4A) 를 X 방향으로 개재하는 2 쌍의 공급구 및 회수구의 위치 관계를 나타내고, 이 도 2 에 있어서, 선단부 (4A) 의 +X 방향측에 공급구 (21b) 가, -X 방향측에 회수구 (23b, 23c) 가 각각 배치되어 있다. 또한, 회수구 (23b, 23c) 는 선단부 (4A) 중심을 통과하여 X 축에 평행한 축에 대해 부채형상으로 펼쳐진 형태로 배치되어 있다. 그리고, 1 쌍의 공급구 (21b) 및 회수구 (23b, 23c) 를 거의 180°회전한 위치에서 다른 1 쌍의 공급구 (22b) 및 회수구 (24b, 24c) 가 배치되고, 공급구 (22b) 는 공급관 (22a) 을 통해 액체 공급 장치 (5) 에 접속되고, 회수구 (24b, 24c) 는 회수관 (24a) 을 통해 액체 회수 장치 (6) 에 접속되어 있다. 공급관 (22a) 과 공급구 (22b) 에 의해 액체 공급 배관 (22) 은 주로 구성되고, 회수관 (24a) 과 회수구 (24b, 24c) 에 의해 액체 회수 배관 (24) 은 주로 구성된다.2 shows the positional relationship between the distal end 4A and the wafer W of the lens 4 of the projection optical system PL shown in Fig. 1 and the two pairs of supply and withdrawing openings interposing the distal end 4A in the X- In Fig. 2, a supply port 21b is arranged on the + X direction side of the tip end portion 4A, and a collection port 23b, 23c is arranged on the -X direction side. The collecting openings 23b and 23c are arranged in a fan-shaped fashion with respect to an axis passing through the center of the tip end 4A and parallel to the X axis. A pair of other supply ports 22b and recovery ports 24b and 24c are disposed at a position where the pair of supply ports 21b and recovery ports 23b and 23c are rotated by substantially 180 degrees. 22b are connected to the liquid supply device 5 through the supply pipe 22a and the recovery ports 24b, 24c are connected to the liquid recovery device 6 via the recovery pipe 24a. The liquid supply pipe 22 is mainly constituted by the supply pipe 22a and the supply port 22b and the liquid recovery pipe 24 is mainly constituted by the recovery pipe 24a and the recovery ports 24b and 24c.

액체 공급 배관 (21, 22) 에는 제전 장치 (40, 41) 가 형성되어 있다. 제전 장치 (40, 41) 는 도전성 발포 금속으로 이루어지는 제전 필터 (40a, 41a) 와 어스선 (40b, 41b) 으로 주로 구성되고, 상기 제전 필터 (40a, 41a) 는 공급관 (21a, 22a) 의 유로에 형성되고 어스선 (40b, 41b) 을 통해 접지되어 있다. 제전 필터 (40a, 41a) 는 도전성 발포 금속, 예를 들어 다공질의 구리나 알루미늄 등으로 구성되어 있다. 이 발포 금속 중을 액체 (7) 가 통과하면, 액체 (7) 에 대전되어 있던 정전기는 제전 필터 (40a, 41a) 에 의해 회수되어 어스선 (40b, 41b) 에 의해 대지에 방전된다. 즉, 제전 필터 (40a, 41a) 에 의해 액체 (7) 의 제전을 실시할 수 있다. 이 경우에 있어서, 제전 필터 (40a, 41a) 는 가능한 한 공급구 (21b, 22b) 근처에 형성하는 것이 바람직하다. 제전 필터 (40a, 41a) 를 통과한 후에 액체 (7) 가 다시 대전되어 웨이퍼 (W) 상에 공급되는 것을 방지하기 위해서이다.The liquid supply pipes 21 and 22 are provided with static eliminators 40 and 41, respectively. The static eliminators 40 and 41 mainly consist of static elimination filters 40a and 41a made of a conductive foamed metal and ground lines 40b and 41b. The static eliminator filters 40a and 41a are connected to the flow paths of the supply pipes 21a and 22a And is grounded through the ground wires 40b and 41b. The antistatic filters 40a and 41a are made of conductive foamed metal, for example, porous copper or aluminum. When the liquid 7 passes through the foamed metal, the static electricity charged in the liquid 7 is recovered by the static elimination filters 40a and 41a and discharged to the earth by the earth lines 40b and 41b. In other words, the elimination of the liquid 7 by the elimination filters 40a and 41a can be performed. In this case, it is preferable that the static elimination filters 40a and 41a are formed as close as possible to the supply ports 21b and 22b. In order to prevent the liquid 7 from being charged again on the wafer W after passing through the antistatic filters 40a and 41a.

도 3 은 도 1 의 투영 광학계 (PL) 의 렌즈 (4) 의 선단부 (4A) 와, 그 선단부 (4A) 를 Y 방향으로 개재하는 2 쌍의 공급구 및 회수구의 위치 관계를 나타내는 도면이다. 이 도 3 에 있어서, 공급구 (27b) 는 선단부 (4A) 의 +Y 방향측에 배치되고, 공급관 (27a) 을 통해 액체 공급 장치 (5) 에 접속되어 있다. 여기에서, 공급관 (27a) 과 공급구 (27b) 에 의해 액체 공급 배관 (27) 은 주로 구성된다. 한편, 회수구 (29b, 29c) 는 선단부 (4A) 의 -Y 방향측에 각각 배치되고, 회수관 (29a) 을 통해 액체 회수 장치 (6) 에 접속되어 있다. 여기에서, 회수관 (29a) 과 회수구 (29b, 29c) 에 의해 액체 회수 배관 (29) 은 주로 구성된다. 또한, 1 쌍의 공급구 (27b) 및 회수구 (29b, 29c) 를 거의 180°회전한 위치에서 다른 1 쌍의 공급구 (28b) 및 회수구 (30b, 30c) 가 배치되어 있다. 공급구 (28b) 는 공급관 (28a) 을 통해 액체 공급 장치 (5) 에 접속되고, 회수구 (30b, 30c) 는 회수관 (30a) 을 통해 액체 회수 장치 (6) 에 접속되어 있고, 각각 액체 공급 배관 (28), 액체 회수 배관 (29) 의 주된 부분을 구성하고 있다. 액체 공급 장치 (5) 는 액체 공급 배관 (21, 22, 27, 28) 의 적어도 하나를 통해 렌즈 (4) 의 선단부 (4A) 와 웨이퍼 (W) 의 사이에 온도 제어된 액체를 공급하고, 액체 회수 장치 (6) 는 액체 회수 배관 (23, 24, 29, 30) 의 적어도 하나를 통해 그 액체를 회수한다. 또, Y 방향으로 액체 (7) 를 공급하는 액체 공급 배관 (27, 28) 에도 제전 장치 (42, 43) 가 형성되어 있다. 구체적으로는 공급관 (27a, 28a) 에 제전 필터 (42a, 43a) 가 형성되고, 어스선 (42b, 43b) 을 통해 접지되어 있다. 이에 의해 Y 방향으로 액체 (7) 를 공급하는 경우에도 제전을 실시할 수 있다.Fig. 3 is a diagram showing the positional relationship between the tip end 4A of the lens 4 of the projection optical system PL of Fig. 1 and two pairs of a supply port and a collection port interposing the tip end portion 4A in the Y direction. 3, the supply port 27b is disposed on the + Y direction side of the tip end 4A and is connected to the liquid supply device 5 through the supply pipe 27a. Here, the liquid supply pipe 27 is mainly constituted by the supply pipe 27a and the supply port 27b. On the other hand, the recovery ports 29b and 29c are respectively disposed on the -Y direction side of the tip end 4A and connected to the liquid recovery device 6 through a recovery pipe 29a. Here, the liquid recovery pipe 29 is mainly constituted by the recovery pipe 29a and the recovery ports 29b, 29c. Another pair of supply ports 28b and recovery ports 30b and 30c are disposed at a position where the pair of supply ports 27b and the recovery ports 29b and 29c are rotated by approximately 180 degrees. The supply port 28b is connected to the liquid supply device 5 through the supply pipe 28a and the recovery ports 30b and 30c are connected to the liquid recovery device 6 through the recovery pipe 30a, The supply piping 28, and the liquid return pipe 29. [0050] The liquid supply device 5 supplies a temperature-controlled liquid between the tip end 4A of the lens 4 and the wafer W through at least one of the liquid supply pipes 21, 22, 27 and 28, The recovery device 6 recovers the liquid through at least one of the liquid recovery pipes 23, 24, 29, The static eliminators 42 and 43 are also formed in the liquid supply pipes 27 and 28 for supplying the liquid 7 in the Y direction. Specifically, static elimination filters 42a and 43a are formed in the supply pipes 27a and 28a, and are grounded through the ground wires 42b and 43b. As a result, even when the liquid 7 is supplied in the Y direction, erasing can be performed.

다음으로 본 예의 투영 노광 장치의 동작에 대하여 설명한다. 주제어 장치 (14 ; 도 1 참조) 는 제조하는 반도체 디바이스에 대응한 노광 레시피 (recipe) 를 기억하고 있고, 그 노광 레시피에 기록되어 있는 노광 에너지나 베스트 포커스 위치 등에 기초하여 필요한 동작을 각 부에 지령한다. 주제어계 (14) 로부터의 지령에 기초하여 도시를 생략한 웨이퍼 반송계가 Z 스테이지 (9) 상에 고정된 도시를 생략한 웨이퍼 홀더 상에 웨이퍼 (W) 를 반송한다. 그리고, 레티클 스테이지 (RST) 는 레티클 (R) 의 위치를 결정하고, 웨이퍼 스테이지 구동계 (15) 는 Z 스테이지 (9) 및 XY 스테이지 (10) 를 사용하여 웨이퍼 (W) 의 위치를 결정한다. 위치 결정 동작과 병행하여 액체 공급 장치 (5) 는 주제어계 (14) 로부터의 지령에 기초하여 액체 (7) 를 액체 공급 배관 (21, 22, 27, 28) 에 공급하고, 액체 공급 배관 (21, 22, 27, 28) 에 형성된 제전 필터 (40a, 41a, 42a, 43a) 에 의해 액체 (7) 의 제전을 실시한다. 제전된 액체 (7) 는 투영 광학계 (PL) 의 렌즈 (4) 와 웨이퍼 (W) 사이에 공급되어 렌즈 (4) 와 웨이퍼 (W) 사이의 공간을 채운다. 레티클 (R) 과 웨이퍼 (W) 가 소정의 위치에 위치 결정되고, 액체 (7) 가 렌즈 (4) 와 웨이퍼 (W) 사이의 공간을 채운 후, 조명 광학계 (1) 는 조명광 (IL) 을 사출하고, 레티클 (R) 의 패턴 이미지를 웨이퍼 (W) 상의 제 1 쇼트 영역에 노광한다. 그 제 1 쇼트 영역의 노광이 종료하면, 웨이퍼 (W) 는 XY 스테이지 (10) 에 의해 다음의 쇼트 영역을 노광하는 위치로 단계 이동한다. 액체 공급 장치 (5) 와 액체 회수 장치 (6) 는 단계 이동의 방향에 따라 적당한 액체 공급 배관과 액체 회수 배관을 선택하여 웨이퍼 (W) 의 이동 중에 액체 (7) 의 공급과 회수를 동시에 행하고, 렌즈 (4) 와 웨이퍼 (W) 사이의 공간에 액체 (7) 를 유지한다. 이후, 이 단계 이동을 반복 (스텝 앤드 리피트) 하여, 웨이퍼 (W) 상의 모든 쇼트 영역에 대하여 노광한다. 이와 같이, 본 예의 투영 노광 장치에서는 액체 (7) 를 렌즈 (4) 와 웨이퍼 (W) 사이에 공급하기 전에 액체 (7) 의 제전을 실시하고 있기 때문에, 대전된 액체 (7) 에 의해 웨이퍼 (W) 상에서 방전이 발생하여 웨이퍼 (W) 상에 형성되어 있는 패턴의 파괴나, 주변 장치의 오동작 등의 문제의 발생을 방지할 수 있다.Next, the operation of the projection exposure apparatus of this embodiment will be described. The main control device 14 (see Fig. 1) stores an exposure recipe corresponding to the semiconductor device to be manufactured, and instructs each part to perform necessary operations based on the exposure energy or the best focus position recorded in the exposure recipe do. The wafer transfer system, not shown, transfers the wafer W onto a wafer holder, which is fixed on the Z stage 9 and whose illustration is omitted, based on a command from the main controller 14. The reticle stage RST determines the position of the reticle R and the wafer stage driving system 15 uses the Z stage 9 and the XY stage 10 to determine the position of the wafer W. [ In parallel with the positioning operation, the liquid supply device 5 supplies the liquid 7 to the liquid supply pipes 21, 22, 27, and 28 based on a command from the main control system 14, The static elimination filters 40a, 41a, 42a, and 43a formed on the electrodes 22, 27, and 28 apply electric charges to the liquid 7, respectively. The discharged liquid 7 is supplied between the lens 4 of the projection optical system PL and the wafer W to fill the space between the lens 4 and the wafer W. [ After the reticle R and the wafer W are positioned at a predetermined position and the liquid 7 fills the space between the lens 4 and the wafer W, the illumination optical system 1 irradiates the illumination light IL And exposes a pattern image of the reticle R to a first shot area on the wafer W. [ When the exposure of the first shot area is completed, the wafer W is moved to the position where the next shot area is exposed by the XY stage 10. The liquid supply device 5 and the liquid recovery device 6 select the appropriate liquid supply pipe and the liquid recovery pipe in accordance with the direction of the step movement to simultaneously perform the supply and recovery of the liquid 7 during the movement of the wafer W, And holds the liquid 7 in the space between the lens 4 and the wafer W. Thereafter, this step movement is repeated (step-and-repeat) to expose all the shot areas on the wafer W. [ As described above, in the projection exposure apparatus of this embodiment, since the discharge of the liquid 7 is performed before the liquid 7 is supplied between the lens 4 and the wafer W, W, the occurrence of a problem such as destruction of a pattern formed on the wafer W and malfunction of the peripheral device can be prevented.

다음으로, 웨이퍼 (W) 의 단계 이동시에 있어서의 액체 (7) 의 공급 및 회수 방법에 대하여 더욱 상세하게 설명한다. 도 2 에 있어서, 실선으로 나타내는 화살표 (25A) 방향 (-X 방향) 으로 웨이퍼 (W) 를 단계 이동시킬 때에는 액체 공급 장치 (5) 는 액체 공급 배관 (21) 을 통해 렌즈 (4) 의 선단부 (4A) 와 웨이퍼 (W) 사이에 액체 (7) 를 공급한다. 이 때, 액체 (7) 는 액체 공급 장치 (5) 의 내부, 또는 공급관 (21a) 을 유동함에 따라 배관과의 마찰에 의해, 또는 배관 경로내에 형성되는 오리피스에서 생기는 캐비테이션에 의해 서서히 정전기를 띠어 대전 상태가 된다. 대전 상태가 된 액체 (7) 는 액체 공급 배관 (21) 의 공급관 (21a) 에 형성된 제전 필터 (40a) 를 통과한다. 제전 필터 (40a) 는 도전성 발포 금속으로 형성되고 어스선 (40b) 에 의해 어스 (접지) 되어 있기 때문에, 액체 (7) 가 제전 필터 (40a) 를 통과할 때 정전기는 회수되어 대지에 방전되고, 액체 (7) 는 제전된다. 따라서, 웨이퍼 (W) 와 렌즈 (4) 의 사이에는 대전되어 있지 않은 액체 (7) 가 공급된다.Next, a method of supplying and collecting the liquid 7 at the time of moving the wafer W in steps will be described in more detail. 2, when the wafer W is moved stepwise in the direction of the arrow 25A (-X direction) indicated by the solid line, the liquid supply device 5 is connected to the distal end portion 4A) and the wafer (W). At this time, the liquid 7 gradually forms static electricity by cavitation occurring in the liquid supply device 5, or by friction with the piping as it flows through the supply pipe 21a, or by the orifice formed in the piping path, State. The liquid 7 in the charged state passes through the elimination filter 40a formed in the supply pipe 21a of the liquid supply pipe 21. [ Since the static elimination filter 40a is formed of a conductive foamed metal and grounded by the ground line 40b, when the liquid 7 passes through the static elimination filter 40a, static electricity is recovered and discharged to the earth, (7) is discharged. Therefore, the liquid 7, which is not charged, is supplied between the wafer W and the lens 4.

그리고, 액체 회수 장치 (6) 는 액체 회수 배관 (23) 을 통해 웨이퍼 (W) 상으로부터 액체 (7) 를 회수한다. 이 때, 액체 (7) 는 웨이퍼 (W) 상을 화살표 (25B) 방향 (-X 방향) 으로 흐르고 있고, 웨이퍼 (W) 와 렌즈 (4) 의 사이는 액체 (7) 에 의해 안정적으로 채워진다.The liquid recovery device 6 recovers the liquid 7 from the wafer W via the liquid recovery pipe 23. [ At this time, the liquid 7 flows on the wafer W in the direction of the arrow 25B (-X direction), and the space between the wafer W and the lens 4 is stably filled with the liquid 7.

한편, 이점쇄선으로 나타내는 화살표 (26A) 방향 (+X 방향) 으로 웨이퍼 (W) 를 단계 이동시킬 때에는 액체 공급 장치 (5) 는 액체 공급 배관 (22) 을 사용하여 렌즈 (4) 의 선단부 (4A) 와 웨이퍼 (W) 의 사이에 액체 (7) 를 공급하고, 액체 회수 장치 (6) 는 액체 회수 배관 (24) 을 사용하여 액체 (7) 를 회수한다. 액체 (7) 의 공급에 앞서 액체 공급 배관 (22) 의 공급관 (21a) 에 형성된 제전 필터 (41a) 에 의해 액체 (7) 는 제전되어 있다. 공급된 액체 (7) 는 웨이퍼 (W) 상을 화살표 (26B) 방향 (+X 방향) 으로 흐르고 있고, 웨이퍼 (W) 와 렌즈 (4) 의 사이는 액체 (7) 에 의해 채워진다.On the other hand, when the wafer W is moved stepwise in the direction of the arrow 26A (+ X direction) indicated by the alternate long and short dashed line, the liquid supply device 5 uses the liquid supply pipe 22 to move the distal end portion 4A And the wafer W. The liquid recovery device 6 recovers the liquid 7 by using the liquid recovery pipe 24. The liquid recovery device 6 is provided with the liquid recovery device 6, The liquid 7 is discharged by the elimination filter 41a formed in the supply pipe 21a of the liquid supply pipe 22 prior to the supply of the liquid 7. [ The supplied liquid 7 flows on the wafer W in the direction of the arrow 26B (+ X direction), and the space between the wafer W and the lens 4 is filled with the liquid 7.

이와 같이, 본 예의 투영 노광 장치에서는 제전 필터 (40a, 41a) 에 의해 제전된 액체 (7) 가 웨이퍼 (W) 와 렌즈 (4) 의 사이에 공급되기 때문에, 정전기의 방전에 의해 야기되는 웨이퍼 (W) 에 형성되어 있는 회로 패턴의 파괴나, 투영 광학계 (PL) 나 Z 스테이지 (9) 및 XY 스테이지 (10) 의 주변에 배치된 장치의 오동작을 방지할 수 있다.As described above, in the projection exposure apparatus of this embodiment, since the liquid 7 discharged by the static elimination filters 40a and 41a is supplied between the wafer W and the lens 4, W of the projection optical system PL and the devices arranged in the periphery of the Z-stage 9 and the X-Y stage 10 can be prevented.

또한, X 방향에 서로 반전된 2 쌍의 공급구와 회수구를 형성하고, 각각의 액체 공급 배관의 유로에 제전 필터를 형성하고 있기 때문에, 웨이퍼 (W) 를 +X 방향, 또는 -X 방향의 어느쪽으로 이동하는 경우에도, 웨이퍼 (W) 와 렌즈 (4) 사이에 제전된 액체 (7) 를 안정적으로 계속하여 채울 수 있다. 또한, 액체 (7) 가 웨이퍼 (W) 상을 흐르기 때문에, 웨이퍼 (W) 상에 이물질 (레지스트로부터의 비산 입자를 포함) 이 부착되어 있는 경우라도, 그 이물질을 액체 (7) 에 의해 흘려 보낼 수 있고, 액체 (7) 는 제전 장치 (40, 41) 에 의해 제전되어 있기 때문에, 정전기에 의해 주위의 불순물을 빨아 당기는 일도 없다. 또한, 액체 (7) 는 액체 공급 장치 (5) 에 의해 소정의 온도로 조정되어 있기 때문에, 웨이퍼 (W) 표면의 온도가 조정되어 노광시에 생기는 열에 의한 웨이퍼의 열팽창에 의한 중첩 정밀도 등의 저하를 방지할 수 있다. 따라서, EGA (Enhanced Global Alignment; 인핸스드·글로벌·얼라인먼트) 방식의 얼라인먼트와 같이, 얼라인먼트와 노광에 시간차가 있는 경우라도, 웨이퍼의 열팽창에 의해 중첩 정밀도가 저하되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 예의 투영 노광 장치에서는 웨이퍼 (W) 를 이동시키는 방향과 동일한 방향으로 액체 (7) 가 흐르고 있기 때문에, 이물질이나 열을 흡수한 액체를 렌즈 (4) 의 선단부 (4A) 바로 아래의 노광 영역 상에 체류시키지 않고 회수할 수 있다.In addition, since two pairs of supply ports and recovery ports mutually inverted in the X direction are formed and the elimination filter is formed in the flow path of each liquid supply pipe, the wafer W is moved in the + X direction or the -X direction The liquid 7 discharged between the wafer W and the lens 4 can be stably and continuously filled. Since the liquid 7 flows on the wafer W, even if foreign matter (including scattered particles from the resist) adheres on the wafer W, the foreign matter is caused to flow by the liquid 7 Since the liquid 7 is discharged by the static eliminators 40 and 41, it does not suck the surrounding impurities by the static electricity. Further, since the liquid 7 is adjusted to a predetermined temperature by the liquid supply device 5, the temperature of the surface of the wafer W is adjusted, so that the superimposition accuracy due to the thermal expansion of the wafer due to heat Can be prevented. Therefore, even when there is a time difference between alignment and exposure, as in the case of alignment in the EGA (Enhanced Global Alignment) system, it is possible to prevent the superimposition accuracy from being lowered due to thermal expansion of the wafer. In the projection exposure apparatus of this embodiment, since the liquid 7 flows in the same direction as the direction in which the wafer W is moved, the liquid that absorbs foreign matter and heat is exposed to light just below the tip end 4A of the lens 4 It can be recovered without staying in the region.

또한, 웨이퍼 (W) 를 Y 방향으로 단계 이동시킬 때에는 Y 방향으로부터 액체 (7) 를 공급 및 회수한다. 즉, 도 3 에 있어서 실선으로 나타내는 화살표 (31A) 방향 (-Y 방향) 으로 웨이퍼를 단계 이동시킬 때에는 액체 공급 장치 (5) 는 공급관 (27a), 공급구 (27b) 를 통해 액체를 공급하고, 액체 회수 장치 (6) 는 회수관 (29a) 및 회수구 (29b, 29c) 를 사용하여 액체를 회수하고, 액체는 렌즈 (4) 의 선단부 (4A) 바로 아래의 노광 영역 상을 화살표 (31B) 방향 (-Y 방향) 으로 흐른다. 또한, 웨이퍼를 +Y 방향으로 단계 이동시킬 때에는 공급관 (28a), 공급구 (28b), 회수관 (30a) 및 회수구 (30b, 30c) 를 사용하여 액체의 공급 및 회수가 이루어지고, 액체는 선단부 (4A) 바로 아래의 노광 영역 상을 +Y 방향으로 흐른다. 이에 의해, 웨이퍼 (W) 를 X 방향으로 이동하는 경우와 마찬가지로, 웨이퍼 (W) 를 +Y 방향 또는 -Y 방향의 어느 쪽으로 이동하는 경우라도, 웨이퍼 (W) 와 렌즈 (4) 의 선단부 (4A) 사이를 액체 (7) 에 의해 채울 수 있다. 이 경우에 있어서도, 액체 공급 배관 (27, 28) 에 형성된 제전 장치 (42, 43) 에 의해 액체 (7) 의 제전이 실시된다.When the wafer W is moved stepwise in the Y direction, the liquid 7 is supplied and collected from the Y direction. That is, when the wafer is moved stepwise in the direction of the arrow 31A (-Y direction) indicated by the solid line in Fig. 3, the liquid supply device 5 supplies the liquid through the supply pipe 27a and the supply port 27b, The liquid recovery apparatus 6 recovers the liquid by using the recovery pipe 29a and the recovery ports 29b and 29c and the liquid is discharged on the exposure area immediately below the distal end 4A of the lens 4, Direction (-Y direction). When the wafer is moved stepwise in the + Y direction, the liquid is supplied and recovered by using the supply pipe 28a, the supply port 28b, the recovery pipe 30a and the recovery ports 30b and 30c, And flows in the + Y direction on the exposure area immediately below the tip end 4A. Thereby, even when the wafer W is moved in either the + Y direction or the -Y direction as in the case of moving the wafer W in the X direction, the wafer W and the distal end portions 4A ) Can be filled by the liquid (7). Even in this case, the elimination of the liquid 7 is carried out by the static eliminators 42 and 43 formed in the liquid supply pipes 27 and 28.

또, X 방향 또는 Y 방향으로부터 액체 (7) 를 공급 및 회수하는 공급구 및 회수구 뿐만 아니라, 예를 들어 경사 방향으로부터 액체 (7) 를 공급 및 회수하기 위한 공급구 및 회수구를 형성하고, 그 액체 공급 배관에 제전 필터를 형성해도 된다.In addition to a supply port and a recovery port for supplying and recovering the liquid 7 from the X direction or the Y direction as well as a supply port and a recovery port for supplying and recovering the liquid 7 from the oblique direction, An electrostatic discharge filter may be formed on the liquid supply pipe.

본 예의 투영 노광 장치의 제전 장치 (40, 41, 42, 43) 에 있어서는, 공급관 (21a, 22a, 27a, 28a) 에 제전 필터 (40a, 41a, 42a, 43a) 를 형성하는 구성으로 했지만, 제전 필터 (40a, 41a, 42a, 43a) 는 액체 공급 배관 (21, 22, 27, 28) 의 유로이면 어디에 형성되어도 된다. 단, 제전 필터 통과후의 경로가 길면 액체 (7) 는 다시 대전될 우려가 있기 때문에, 제전 필터는 액체 공급 배관의 가능한 한 하류측에 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 공급구 (21b, 22b, 27b, 28b) 에 제전 필터를 형성할 수 있다. 이 경우, 공급구와 제전 필터를 일체로 구성하면 된다. 또한, 제전 필터를 액체 공급 배관의 유로 중에 복수 형성해도 된다.The static elimination filters 40a, 41a, 42a and 43a are formed on the supply pipes 21a, 22a, 27a and 28a in the static eliminators 40, 41, 42 and 43 of the projection exposure apparatus of the present embodiment, The filters 40a, 41a, 42a, and 43a may be formed anywhere on the flow path of the liquid supply pipes 21, 22, 27, However, since the liquid 7 may be charged again if the path after passing through the elimination filter is long, it is preferable to form the elimination filter on the downstream side of the liquid supply pipe as far as possible. For example, a static elimination filter can be formed on the supply ports 21b, 22b, 27b, and 28b. In this case, the supply port and the static electricity filter may be integrally formed. Further, a plurality of static elimination filters may be formed in the flow path of the liquid supply pipe.

또한, 본 예에서는 제전 필터를 발포 금속으로 형성했지만, 도전성 재료와 액체 (7) 가 접촉하는 구성이면 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도전성 철망으로 구성해도 되고, 공급관 (21a, 22a, 27a, 28a) 의 적어도 일부를 도전성 재료로 형성해도 된다. 제전 필터로서 철망 또는 도전성 재료의 공급관을 사용한 경우에는 발포 금속을 사용한 경우에 비교하여 간단한 구성으로 할 수 있고, 또한 액체 (7) 가 유동할 때의 관로 저항을 작게 할 수 있다. 또는, 액체 공급 배관 (및 회수 배관) 의 내벽에 대전 방지제를 코팅해도 된다.In this embodiment, the antistatic filter is formed of a foamed metal. However, the present invention is not limited thereto as long as the electroconductive material and the liquid 7 are in contact with each other. For example, it may be formed of a conductive wire net, or at least a part of the supply pipes 21a, 22a, 27a and 28a may be formed of a conductive material. When a wire mesh or a conductive material supply pipe is used as the static elimination filter, a simple structure can be obtained in comparison with the case of using a foamed metal, and the resistance of the pipe when the liquid 7 flows can be reduced. Alternatively, an antistatic agent may be coated on the inner wall of the liquid supply pipe (and the recovery pipe).

실시예Example 2 2

다음으로, 본 발명의 제 2 실시형태에 대하여 도 4 를 참조하여 설명한다. 본 제 2 실시형태의 설명에 있어서, 제 1 실시형태와 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.Next, 2nd Embodiment of this invention is described with reference to FIG. In the description of the second embodiment, the same components as those in the first embodiment are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted.

도 4 는 도 1 의 투영 광학계 (PL) 의 렌즈 (4) 의 선단부 (4A) 와, 그 선단부 (4A) 를 X 방향 및 Y 방향으로 개재하는 2 쌍씩, 총 4 쌍의 공급구 및 회수구의 위치 관계를 나타낸다. 도 4 에 나타내는 바와 같이, 본 예에서는 렌즈 (4) 의 하면에 전극 부재 (44) 가 형성되어 있다. 전극 부재 (44) 는 렌즈 (4) 의 표면의 일부에 증착에 의해 형성된 도전체이고, 액체 (7) 가 렌즈 (4) 와 웨이퍼 (W) 의 사이에 채워졌을 때 액체 (7) 와 접촉하고, 또한 노광광의 방해가 되지 않는 위치에 본 예에서는 렌즈 (4) 의 선단부 (4A) 의 노광 범위 외에 링형상체로 형성되어 있다. 즉, 도전체는 렌즈 (4) 의 광축과 동축인 고리형체로 형성되어 있다. 그리고, 이 전극 부재 (44) 는 도시를 생략한 어스선을 통해 어스 (접지) 되어 있다. 또한, 액체 공급 배관 (21, 22, 27, 28) 의 공급관 (21a, 22a, 27a, 28a) 의 각각에는 제전 필터 (40a, 41a, 42a, 43a) 가 형성되어 있고, 도시를 생략한 어스선을 통해 어스 (접지) 되어 있다. 이것에 의하면, 제전 필터 (40a, 41a, 42a, 43a) 를 사용하여 렌즈 (4) 와 웨이퍼 (W) 의 사이에 제전된 액체 (7) 를 공급할 수 있음과 함께, 전극 부재 (44) 를 사용하여 렌즈 (4) 와 웨이퍼 (W) 의 사이에 유지되어 있는 상태의 액체 (7) 를 제전할 수 있다. 바꿔 말하면, 액체 (7) 의 공급전에는 제전 필터 (40a, 41a, 42a, 43a) 가 제전을 실시하고, 공급후에는 전극 부재 (44) 가 제전을 실시한다. 또한, 이것에 의하면 노광 중에도 액체 (7) 의 제전을 실시할 수 있기 때문에, 노광 중에 액체 (7) 가 대전된 경우라도 빠르게 제전을 실시할 수 있음과 함께, 얼라인먼트 중이나 단계 이동 중에 액체 (7) 가 대전된 경우라도 빠르게 제전을 실시할 수 있다. 또, 본 예에서는 액체 공급 배관 (21, 22, 27, 28) 에 제전 필터 (40a, 41a, 42a, 43a) 를 형성함과 함께, 렌즈 (4) 의 선단부 (4A) 에 전극 부재 (44) 를 형성했지만, 제전 필터를 형성하지 않고 전극 부재 (44) 만을 형성할 수도 있다. 이 경우에도 렌즈 (4) 와 웨이퍼 (W) 의 사이에 유지되어 있는 상태의 액체 (7) 를 제전할 수 있다.4 is a view showing the positions of four pairs of supply and recovery ports in total, including two pairs of the front end 4A of the lens 4 of the projection optical system PL of FIG. 1 and the front end 4A thereof in the X and Y directions Relationship. 4, an electrode member 44 is formed on the lower surface of the lens 4 in this example. The electrode member 44 is a conductor formed by deposition on a part of the surface of the lens 4 and is in contact with the liquid 7 when the liquid 7 is filled between the lens 4 and the wafer W And is formed in a ring-shaped body outside the exposure range of the tip end 4A of the lens 4 in the position where the exposure light is not disturbed. That is, the conductor is formed as an annular body which is coaxial with the optical axis of the lens 4. [ The electrode member 44 is grounded (grounded) through a ground line (not shown). Discharge filters 40a, 41a, 42a and 43a are formed in the supply pipes 21a, 22a, 27a and 28a of the liquid supply pipes 21, 22, 27 and 28, respectively, (Grounded) through the ground. This makes it possible to supply the depleted liquid 7 between the lens 4 and the wafer W by using the static elimination filters 40a, 41a, 42a and 43a and to use the electrode member 44 The liquid 7 held between the lens 4 and the wafer W can be discharged. In other words, before the liquid 7 is supplied, the static elimination filters 40a, 41a, 42a, and 43a perform the erasing, and after the supply, the electrode member 44 performs erasing. This makes it possible to perform the erasing of the liquid 7 even during the exposure. Therefore, even when the liquid 7 is charged during the exposure, the erasing can be performed quickly, and the liquid 7 can be discharged during alignment, It is possible to perform the charge elimination even if the charge is negatively charged. In this embodiment, the elimination filters 40a, 41a, 42a and 43a are formed on the liquid supply pipes 21, 22, 27 and 28 and the electrode member 44 is provided on the tip end 4A of the lens 4, It is also possible to form only the electrode member 44 without forming the elimination filter. In this case, the liquid 7 held between the lens 4 and the wafer W can be discharged.

또한, Z 스테이지 (9) 의 웨이퍼 (W) 의 주위에 웨이퍼 (W) 표면과 동일한 높이의 보조 평면판을 배치하고, 보조 평면판 상에 전극 부재를 형성해도 된다. 이것에 의하면, 웨이퍼 (W) 외의 보조 평면판 상이어도 Z 스테이지 (9) 와 렌즈 (4) 의 사이에 액체 (7) 를 유지할 수 있기 때문에, Z 스테이지 (9) 상에 형성된 전극 부재를 렌즈 (4) 아래로 이동함으로써 액체 (7) 의 제전을 실시할 수 있다. 또, 웨이퍼 (W) 상에 액체 (7) 가 있는 경우, 웨이퍼 (W) 에 도포되는 레지스트는 통상 절연체이기 때문에, 웨이퍼 홀더를 통해 웨이퍼 (W) 를 접지해도 웨이퍼 (W) 상의 액체 (7) 의 제전을 실시할 수는 없다. 그러나, 도전성 레지스트를 도포한 웨이퍼 (W) 를 사용하면, 액체 (7) 는 도전성 레지스트, 웨이퍼 (W), 웨이퍼 홀더를 통해 접지되어 제전을 실시할 수 있다.An auxiliary flat plate having the same height as the surface of the wafer W may be disposed around the wafer W of the Z stage 9 to form an electrode member on the auxiliary flat plate. Since the liquid 7 can be held between the Z stage 9 and the lens 4 even on the auxiliary plane plate other than the wafer W, the electrode member formed on the Z stage 9 can be held by the lens 4), it is possible to perform the discharge of the liquid (7). When the liquid 7 is present on the wafer W, since the resist applied to the wafer W is usually an insulator, even if the wafer W is grounded through the wafer holder, Can not be carried out. However, when the wafer W coated with the conductive resist is used, the liquid 7 can be grounded through the conductive resist, the wafer W and the wafer holder to perform the electric discharge.

실시예Example 3 3

다음으로, 본 발명의 제 3 실시형태에 대하여 도 5 를 참조하여 설명한다. 본 예는 본 발명을 스텝·앤드·스캔 방식의 투영 노광 장치, 이른바 주사형 투영 노광 장치로 노광하는 경우에 적용한 것이다. 본 예에서도 주사 노광 중에는 액침법의 적용에 의해 렌즈 (4) 와 웨이퍼 (W) 의 표면 사이에 액체 (7) 가 채워진다. 액체 (7) 의 공급 및 회수는 각각 액체 공급 장치 (5) 및 액체 회수 장치 (6) 에 의해 이루어지고, 액체 공급 배관 (21, 22) 에 형성된 제전 장치 (40, 41) 에 의해 액체 (7) 의 제전이 실시된다. 또, 본 예의 설명에 있어서, 제 1 및 제 2 실시형태와 동일한 구성에 대해서는 동일한 부호를 붙이고 설명을 생략한다.Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to Fig. This example is applied to the case of exposing the present invention to a projection exposure apparatus of the step-and-scan type, that is, a so-called projection type projection exposure apparatus. In this example as well, during the scanning exposure, the liquid 7 is filled between the lens 4 and the surface of the wafer W by application of immersion method. The supply and recovery of the liquid 7 are performed by the liquid supply device 5 and the liquid recovery device 6 respectively and are controlled by the static eliminators 40 and 41 formed in the liquid supply lines 21 and 22, Is carried out. In the description of this embodiment, the same components as those of the first and second embodiments are denoted by the same reference numerals, and a description thereof will be omitted.

도 5 는 투영 광학계 (PL) 의 렌즈 (4) 의 선단부 (4B) 와 액체 (7) 를 X 방향으로 공급, 회수하기 위한 공급구 및 회수구의 위치 관계를 나타내고 있다. 본 예의 주사형 투영 노광 장치에 있어서, 투영 광학계 (PL) 의 최하단의 렌즈 (4) 는 선단부 (4B) 가 주사 노광에 필요한 부분만을 남기고 Y 방향 (비주사 방향) 으로 가늘고 긴 직사각형으로 깎여 있고, 투영 광학계 (PL) 의 렌즈 (4) 의 선단부 (4B) 가 X 방향으로 개재되도록 +X 방향측에 3 개의 공급구 (21b ∼ 21d) 가 배치되고, -X 방향측에 2 개의 회수구 (23b, 23c) 가 배치되어 있다.5 shows the positional relationship between the supply port and the recovery port for supplying and recovering the tip portion 4B of the lens 4 of the projection optical system PL and the liquid 7 in the X direction. In the scanning projection exposure apparatus of the present embodiment, the lens 4 at the lowermost end of the projection optical system PL is cut into a rectangular shape elongated in the Y direction (non-scanning direction) while leaving only the portion required for scanning exposure, Three supply ports 21b to 21d are arranged on the + X direction side so that the tip end portion 4B of the lens 4 of the projection optical system PL is interposed in the X direction and two return ports 23b And 23c are disposed.

그리고, 공급구 (21b ∼ 21d) 는 공급관 (21a) 을 통해 액체 공급 장치 (5) 에 접속되고, 회수구 (23b, 23c) 는 회수관 (23a) 을 통해 액체 회수 장치 (6) 에 접속되어 있다. 또한, 공급구 (21b ∼ 21d) 와 회수구 (23b, 23c) 를 거의 180°회전한 위치에 공급구 (22b ∼ 22d) 와 회수구 (24b, 24c) 를 배치하고 있다. 공급구 (21b ∼ 21d) 와 회수구 (24b, 24c) 는 Y 방향으로 번갈아 배열되고, 공급구 (22b ∼ 22c) 와 회수구 (23b, 23c) 는 Y 방향으로 번갈아 배열되고, 공급구 (22b ∼ 22d) 는 공급관 (22a) 을 통해 액체 공급 장치 (5) 에 접속되고, 회수구 (24b, 24c) 는 회수관 (24a) 을 통해 액체 회수 장치 (6) 에 접속되어 있다.The supply ports 21b to 21d are connected to the liquid supply device 5 through the supply pipe 21a and the recovery ports 23b and 23c are connected to the liquid recovery device 6 through the recovery pipe 23a have. The supply ports 22b to 22d and the recovery ports 24b and 24c are disposed at positions where the supply ports 21b to 21d and the recovery ports 23b and 23c are rotated by approximately 180 degrees. The supply ports 21b to 21d and the recovery ports 24b and 24c are alternately arranged in the Y direction, and the supply ports 22b to 22c and the recovery ports 23b and 23c are alternately arranged in the Y direction, and the supply port 22b is provided. 22d is connected to the liquid supply apparatus 5 via the supply pipe 22a, and recovery ports 24b and 24c are connected to the liquid recovery apparatus 6 through the recovery tube 24a.

액체 공급 배관 (21) 에는 제전 장치 (40) 가 형성되어 있다. 제전 장치 (40) 는 액체 공급 배관 (21) 의 유로인 공급구 (21b ∼ 21d) 에 형성된 제전 필터 (40a, 40c, 40d) 와, 이 제전 필터에 접속된 어스선 (40b) 에 의해 주로 구성되어 있다. 마찬가지로, 액체 공급 배관 (22) 에 형성된 제전 장치 (41) 는 액체 공급 배관 (22) 의 유로인 공급구 (22b ∼ 22d) 에 형성된 제전 필터 (41a, 41c, 41d) 와 이 제전 필터에 접속된 어스선 (41b) 으로 주로 구성되어 있다. 제전 필터 (40a, 40c, 40d, 41a, 41c, 41d) 는 도전성 발포 금속으로 구성되어 있고, 어스선 (40b, 41b) 을 통해 접지되어 있다.A static eliminator (40) is formed in the liquid supply pipe (21). The static eliminator 40 is mainly constituted by static elimination filters 40a, 40c and 40d formed in the supply ports 21b to 21d which are flow paths of the liquid supply pipe 21 and a ground line 40b connected to the static eliminator filter have. Similarly, the static eliminator 41 formed in the liquid supply pipe 22 is provided with static elimination filters 41a, 41c and 41d formed in the supply ports 22b to 22d, which are flow paths of the liquid supply pipe 22, And a ground line 41b. The static elimination filters 40a, 40c, 40d, 41a, 41c and 41d are made of conductive foamed metal and are grounded through the ground wires 40b and 41b.

또한, 본 예의 투영 노광 장치에서는 액체 회수 배관 (23, 24) 에도 제전 장치 (45, 46) 가 형성되어 있다. 구체적으로는 액체 회수 배관 (23, 24) 의 유로인 회수구 (23b, 23c, 24b, 24c) 에 제전 필터 (45a, 45b, 46a, 46b) 가 형성되고, 어스선 (45c, 46c) 을 통해 접지되어 있다.Further, in the projection exposure apparatus of this embodiment, the liquid recovery pipes 23 and 24 are also provided with static eliminators 45 and 46, respectively. Specifically, static elimination filters 45a, 45b, 46a, and 46b are formed in the recovery ports 23b, 23c, 24b, and 24c, which are flow paths of the liquid recovery pipes 23 and 24, .

다음으로, 본 예의 주사형 노광 장치의 노광 동작에 대하여 설명한다. 주사 노광시에는 선단부 (4B) 의 바로 아래의 직사각형의 노광 영역에 레티클의 일부의 패턴 이미지가 투영되고, 투영 광학계 (PL) 에 대하여 레티클 (도시 생략) 이 -X 방향 (또는 +X 방향) 으로 속도 (V) 로 이동하는 것에 동기하여 XY 스테이지 (10) 를 통해 웨이퍼 (W) 가 +X 방향 (또는 -X 방향) 으로 속도 (β·V) (β 는 투영 배율) 로 이동한다. 그리고, 1 개의 쇼트 영역으로의 노광 종료후에 웨이퍼 (W) 의 스테핑에 의해 다음의 쇼트 영역이 주사 개시 위치로 이동하고, 이하 스텝·앤드·스캔 방식으로 각 쇼트 영역으로의 노광이 순차적으로 행해진다.Next, the exposure operation of the scanning type exposure apparatus of this embodiment will be described. A pattern image of a part of the reticle is projected onto a rectangular exposure area immediately below the tip 4B and a reticle (not shown) is projected onto the projection optical system PL in the -X direction (or the + X direction) The wafer W is moved through the XY stage 10 in the + X direction (or the -X direction) at the speed? V (? Is the projection magnification) in synchronism with the movement to the speed V. After the end of exposure to one shot area, the next shot area is moved to the scanning start position by the stepping of the wafer W, and the exposure to each shot area is performed sequentially by the step-and-scan method .

그리고, 실선의 화살표로 나타내는 주사 방향 (-X 방향) 으로 웨이퍼 (W) 를 이동시켜 주사 노광하는 경우에는 공급관 (21a), 공급구 (21b ∼ 21d), 제전 필터 (40a, 40b, 40d) 를 사용하여 액체 (7) 를 제전 및 공급하고, 회수관 (23a), 회수구 (23b, 23c), 제전 필터 (45a, 45b) 를 사용하여 액체 (7) 를 제전 및 회수하고, 렌즈 (32) 와 웨이퍼 (W) 의 사이를 채우도록 -X 방향으로 액체 (7) 를 흐르게 한다. 또한, 이점쇄선의 화살표로 나타내는 방향 (+X 방향) 으로 웨이퍼 (W) 를 이동시켜 주사 노광하는 경우에는 공급관 (22a), 공급구 (22b ∼ 22d), 제전 필터 (41a, 41c, 41d) 를 사용하여 액체 (7) 를 제전 및 공급하고, 회수관 (24a) 및 회수구 (24b, 24c), 제전 필터 (46a, 46b) 를 사용하여 액체 (7) 를 제전 및 회수하고, 렌즈 (4) 와 웨이퍼 (W) 의 사이를 채우도록 +X 방향으로 액체 (7) 를 흐르게 한다.The supply tube 21a, the supply ports 21b to 21d, and the static elimination filters 40a, 40b, and 40d are disposed in the scanning direction (-X direction) And the liquid 7 is discharged and recovered by using the recovery pipe 23a, the recovery ports 23b and 23c and the discharge filters 45a and 45b, The liquid 7 is caused to flow in the -X direction so as to fill the space between the wafer W and the wafer W. The supply pipe 22a, the supply ports 22b to 22d, and the static elimination filters 41a, 41c, and 41d are arranged so as to be movable in the X-, Y-, and Z- The liquid 7 is discharged and recovered by using the recovery pipe 24a and the recovery openings 24b and 24c and the deenergization filters 46a and 46b to remove the liquid 7, The liquid 7 flows in the + X direction so as to fill the space between the wafer W and the wafer W.

도 6 은 주사 노광시에 있어서의 공급구 (21b ∼ 21d) 및 회수구 (23b, 23c) 와 액체 (7) 의 상태를 나타내는 도면이다. 도 6 에 있어서, 웨이퍼 (W) 는 실선의 화살표로 나타내는 -X 방향으로 이동하고 있다. 본 예의 주사 노광 장치에서는 상기와 같이 주사 노광 중에도 액체를 공급 및 회수하고 있기 때문에, 공급구 (21b ∼ 21d) 와 회수구 (23b, 23c) 중 적어도 1 개는 렌즈 (4) 와 웨이퍼 (W) 의 사이를 채우는 액체 (7) 에 항상 접하고 있다.Fig. 6 is a view showing the states of the supply ports 21b to 21d, the recovery ports 23b and 23c, and the liquid 7 in the scanning exposure. In Fig. 6, the wafer W is moved in the -X direction indicated by a solid-line arrow. At least one of the supply ports 21b to 21d and the recovery ports 23b and 23c is provided between the lens 4 and the wafer W, The liquid 7 that fills the gap between the liquid and the liquid.

이상과 같이 본 예의 주사형 노광 장치에 의하면, 렌즈 (4) 와 웨이퍼 (W) 의 사이에 존재하는 액체 (7) 는 주사 노광 중에 공급구 (21b ∼ 21d) 와 회수구 (23b, 23c) 중 적어도 어느 1 개에 접촉하고 있기 때문에, 공급구 (21b ∼ 21d) 에 형성된 제전 필터 (40a, 40c, 40d) 또는 회수구 (23b, 23c) 에 형성된 제전 필터 (45a, 45b) 에 의해 액체 (7) 가 렌즈 (4) 와 웨이퍼 (W) 의 사이를 채우고 있는 상태에서 제전을 실시할 수 있다. 또한, 이것에 의하면, 주사 노광 중에 액체 (7) 의 제전을 항상 실시할 수 있기 때문에, 노광 중에 액체 (7) 가 대전되는 것을 방지할 수 있고, 정전기의 방전에 의해 야기되는 웨이퍼 (W) 에 형성되어 있는 회로 패턴의 파괴나, 투영 광학계 (PL) 나 Z 스테이지 (9) 및 XY 스테이지 (10) 의 주변에 배치된 장치의 오동작 등의 문제를 방지할 수 있다.As described above, according to the scanning type exposure apparatus of the present embodiment, the liquid 7 existing between the lens 4 and the wafer W is supplied to the supply ports 21b to 21d and the recovery ports 23b and 23c It is possible to prevent the liquid 7 (7a, 7b) from being removed by the neutralization filters 45a, 45b formed in the neutralization filters 40a, 40c, 40d formed in the supply ports 21b to 21d or the recovery ports 23b, Can fill the space between the lens 4 and the wafer W. According to this, since the discharge of the liquid 7 can be always performed during the scanning exposure, it is possible to prevent the liquid 7 from being charged during the exposure, and to prevent the liquid W from being charged on the wafer W caused by the discharge of the static electricity Problems such as destruction of the formed circuit pattern and malfunction of the apparatus disposed in the vicinity of the projection optical system PL, the Z stage 9, and the XY stage 10 can be prevented.

또, 본 예에서는 제전 필터를 액체 공급 배관 및 액체 회수 배관에 형성한 구성으로 했지만, 제 2 실시형태와 마찬가지로, 렌즈 (4) 의 선단 (4B) 에 전극 부재를 형성하고, 액체 (7) 가 렌즈 (4) 와 웨이퍼 (W) 의 사이에 채워진 상태에서 액체 (7) 의 제전을 실시하도록 해도 된다.In this embodiment, the electrostatic filter is formed in the liquid supply pipe and the liquid recovery pipe. However, as in the second embodiment, the electrode member is formed at the tip end 4B of the lens 4, The electric discharge of the liquid 7 may be performed in a state filled between the lens 4 and the wafer W. [

또한, 본 예의 투영 노광 장치에서는 공급구 (21b ∼ 21d, 22b ∼ 22d) 와 회수구 (23b, 23c, 24b, 24c) 의 양측에 제전 필터를 형성하는 구성으로 했지만, 어느 일측에 형성해도 된다. 또, 본 예에서는 1 개의 액체 회수 배관에 대하여 2 개씩 회수구를 형성하고, 그 어느 것에나 제전 필터를 형성하는 구성으로 했지만, 2 개의 회수구 중 어느 1 개에만 제전 필터를 형성해도 된다. 이 경우에도 액체 (7) 의 제전을 확실하게 실시할 수 있다.In the projection exposure apparatus of the present embodiment, the static elimination filter is formed on both sides of the supply ports 21b to 21d, 22b to 22d and the recovery ports 23b, 23c, 24b and 24c. In this embodiment, the two liquid recovery pipes are formed in one liquid recovery pipe, and a neutralization filter is formed in any of the liquid recovery pipes. However, a neutralization filter may be formed in only one of the two recovery nozzles. Even in this case, erasing of the liquid 7 can be reliably performed.

또, 공급구 및 회수구의 수나 형상은 특별히 한정되는 것이 아니고, 예를 들어 선단부 (4B) 의 장변에 대하여 2 쌍의 공급구 및 회수구로 액체 (7) 를 공급 또는 회수하도록 해도 된다. 또, 이 경우에는 +X 방향 또는 -X 방향의 어느 방향으로부터도 액체 (7) 를 공급 및 회수할 수 있도록 하기 위해, 공급구와 회수구를 상하에 나란히 배치해도 된다. 또한, 웨이퍼 (W) 를 Y 방향으로 단계 이동시킬 때에는 제 1 실시형태와 마찬가지로, Y 방향으로부터 액체 (7) 를 공급 및 회수하는 액체 공급 배관 및 액체 회수 배관을 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우에도, 액체 공급 배관 및/또는 액체 회수 배관에 상기 기술한 바와 같은 제전 필터를 형성해도 된다. 이렇게 함으로써, 단계 이동시의 액체 공급시에 생기는 액체의 대전을 방지하여 다음의 쇼트 에어리어의 주사 노광을 제전된 액체를 통해 개시하는 것이 가능해진다.The number and shape of the supply port and the recovery port are not particularly limited, and for example, the liquid 7 may be supplied or recovered to two pairs of the supply port and the recovery port with respect to the long side of the tip portion 4B. In this case, the supply port and the recovery port may be arranged vertically in order to supply and recover the liquid 7 from any direction in the + X direction or -X direction. When the wafer W is moved stepwise in the Y direction, it is preferable to form a liquid supply pipe and a liquid recovery pipe for supplying and recovering the liquid 7 from the Y direction, as in the first embodiment. In this case as well, the electrostatic discharge filter as described above may be formed in the liquid supply pipe and / or the liquid recovery pipe. By doing so, it is possible to prevent the liquid from being charged during the supply of the liquid at the time of the step movement, and start the scanning exposure of the next shot area through the discharged liquid.

상기 각각의 실시형태에 있어서, 액체 (7) 로서 사용되는 액체는 특별히 순수에 한정되는 것이 아니라, 노광광에 대한 투과성이 있고 가능한 한 굴절률이 높고, 또한 투영 광학계나 웨이퍼 표면에 도포되어 있는 포토레지스트에 대하여 안정적인 것 (예를 들어 시더유 (cedar oil)) 을 사용할 수 있다.In each of the above embodiments, the liquid to be used as the liquid 7 is not particularly limited to pure water, but may be any material that has permeability to exposure light and has a refractive index as high as possible, (For example cedar oil) may be used.

또한, 액체 (7) 로는 화학적으로 안정적이고, 즉 노광광에 대한 투과율이 높고 안전한 액체인 불소계 불활성 액체를 사용해도 된다. 이 불소계 불활성 액체로는, 예를 들어 플로리나트 (미국 쓰리엠사의 상품명) 를 사용할 수 있다. 특히, 노광광으로서 F2 레이저광을 사용하는 경우에는, 액체로는 F2 레이저광을 투과 가능한 예를 들어 불소계 오일이나 과불화 폴리에테르 (PFPE) 등의 불소계 액체를 사용하면 된다. 이들 불소계 불활성 액체는 냉각 효과의 면에서도 우수하다. 본 발명의 목적으로부터 보면, 액체의 대전 방지를 위한 임의의 첨가제를 첨가해도 된다. 예를 들어, 액체 (7) 로서 순수를 사용하는 경우, 순수 중에 이산화 탄소를 주입함으로써 순수의 대전을 억제할 수 있다.Further, as the liquid 7, a fluorine-based inert liquid which is chemically stable, that is, a liquid having a high transmittance to exposure light and a safe liquid may be used. As the fluorine-based inert liquid, for example, florinat (trade name of 3M Company, USA) can be used. In particular, when the F 2 laser light is used as the exposure light, a fluorine-based liquid such as a fluorine-based oil or a perfluorinated polyether (PFPE) that can transmit F 2 laser light can be used as the liquid. These fluorine-based inert liquids are excellent in terms of cooling effect. From the object of the present invention, any additive for preventing electrification of the liquid may be added. For example, when pure water is used as the liquid 7, it is possible to suppress the charging of pure water by injecting carbon dioxide into pure water.

또한, 상기 기술한 각 실시형태에서 회수된 액체 (7) 를 재이용하도록 해도 되고, 이 경우에는 회수된 액체 (7) 로부터 불순물을 제거하는 필터를 액체 회수 장치, 또는 회수관 등에 형성해 두는 것이 바람직하다.The liquid 7 recovered in each of the above-described embodiments may be reused. In this case, it is preferable to form a filter for removing impurities from the recovered liquid 7 in a liquid recovery device, a recovery tube, or the like .

또한, 액체 (7) 를 흘리는 범위는 레티클의 패턴 이미지의 투영 영역 (노광광의 조사 영역) 의 전역을 덮도록 설정되어 있으면 되고, 그 크기는 임의이어도 되는데, 유속, 유량 등을 제어하는데 있어서, 상기 기술한 각 실시형태와 같이 노광 영역보다 조금 크게 하여 그 범위를 가능한 한 작게 해 두는 것이 바람직하다. 또, 공급되는 액체를 회수구로 모두 회수하는 것은 곤란하므로, Z 스테이지 상으로부터 액체가 넘치지 않도록, 예를 들어 웨이퍼를 둘러싸서 격벽을 형성하고, 그 격벽내의 액체를 회수하는 배관을 추가로 형성해 두는 것이 바람직하다.The range of the liquid 7 to be flowed may be set so as to cover the entire area of the projection area (the area irradiated with the exposure light) of the pattern image of the reticle and may be any size. In controlling the flow rate, flow rate, It is preferable to make the area slightly larger than the exposure area as in each of the embodiments described so far as possible. Further, it is difficult to collect all of the supplied liquid into the recovery port. Therefore, it is necessary to further form a pipe for surrounding the wafer, for example, so as to prevent the liquid from overflowing from the Z stage and to collect the liquid in the partition wall desirable.

또한, 상기 기술한 각 실시형태에서는 웨이퍼 (W ; XY 스테이지 (10)) 의 이동 방향을 따라 액체 (7) 를 흘리는 것으로 했지만, 액체 (7) 를 흘리는 방향은 그 이동 방향에 일치하고 있을 필요는 없다. 즉, 액체 (7) 를 흘리는 방향은 그 이동 방향과 교차하고 있어도 되고, 예를 들어 웨이퍼 (W) 를 +X 방향으로 이동할 때에는 액체 (7) 의 -X 방향의 속도 성분이 제로, 내지는 소정의 허용치 이하가 되는 방향을 따라 액체 (7) 를 흘리면 된다. 이에 의해, 스텝·앤드·리피트 방식, 또는 스텝·앤드·스캔 방식 (모두 스텝·앤드·스티치 방식을 포함) 으로 웨이퍼를 노광할 때, 그 이동 방향이 단시간 (예를 들어 수백 ms 정도) 에 빈번히 변화해도, 그에 추종하여 유체를 흘리는 방향을 제어하고, 투영 광학계와 웨이퍼의 사이에 액체를 채워 둘 수 있다. 또한, 스텝·앤드·스캔 방식의 주사형 투영 노광 장치에서는 스루풋을 향상시키기 위해, 쇼트 영역 사이에서의 웨이퍼의 이동에 있어서 XY 스테이지의 주사 방향 및 비주사 방향의 속도 성분이 모두 제로가 되지 않도록, 즉 1 개의 쇼트 영역 사이의 주사 노광 종료후로서 XY 스테이지의 감속 중 (주사 방향의 속도 성분이 제로가 되기 전) 에 XY 스테이지의 스테핑 (비주사 방향으로의 이동) 을 개시하고, 그 스테핑이 종료하기 전 (비주사 방향의 속도 성분이 제로가 되기 전으로서, 예를 들어 XY 스테이지의 감속 중) 에 다음의 쇼트 영역을 주사 노광하기 위해 XY 스테이지의 가속을 개시하도록 XY 스테이지의 이동을 제어한다. 이러한 경우에도, 웨이퍼의 이동 방향에 따라 액체를 흘리는 방향을 제어하고, 투영 광학계와 웨이퍼의 사이에 액체를 채워 둘 수 있다.In each of the above-described embodiments, the liquid 7 is caused to flow along the moving direction of the wafer W (the XY stage 10). However, the direction in which the liquid 7 flows need not coincide with the moving direction none. For example, when the wafer W is moved in the + X direction, the velocity component in the -X direction of the liquid 7 may be zero or a predetermined value, for example, The liquid 7 may be flowed along a direction in which the flow rate is less than the allowable value. Thereby, when the wafer is exposed by the step-and-repeat method or the step-and-scan method (including the step-and-stitch method), the moving direction of the wafer is frequently moved for a short time (for example, It is possible to control the flow direction of the fluid so as to follow it and to fill the space between the projection optical system and the wafer with a liquid. In order to improve the throughput in the scanning projection exposure apparatus of the step-and-scan type, in order to prevent the velocity components in the scanning direction and the non-scanning direction of the XY stage from becoming zero during movement of the wafer between the shot areas, That is, stepping of the XY stage (movement in the non-scanning direction) is started during deceleration of the XY stage (before the velocity component in the scanning direction becomes zero) as the scanning exposure between one shot area and the end of the stepping The movement of the XY stage is controlled so as to start the acceleration of the XY stage in order to scan-expose the next shot area before (before the velocity component in the non-scanning direction becomes zero, for example, during deceleration of the XY stage). Even in this case, it is possible to control the flow direction of the liquid in accordance with the moving direction of the wafer, and to fill the space between the projection optical system and the wafer with liquid.

또한, 투영 광학계 (PL) 의 웨이퍼 (W) 에 가장 가까운 광학 소자를 광학 플레이트로 한 경우에는 당해 광학 플레이트와, 웨이퍼 (W) 에 2 번째로 가까운 광학 소자 (렌즈 (4)) 의 사이에 공급하는 액체 (7) 도 제전 필터로 제전하는 것이 바람직하다.When the optical element closest to the wafer W of the projection optical system PL is an optical plate, the optical plate is provided between the optical plate and the optical element (lens 4) closest to the wafer W It is preferable to discharge the liquid 7 by the electrostatic filter.

또, 상기 기술한 액침법을 사용한 경우에는 투영 광학계 (PL) 의 개구수 (NA) 가 0.9 ∼ 1.3 이 되는 경우도 있다. 이와 같이 투영 광학계 (PL) 의 개구수 (NA) 가 커지는 경우에는 종래부터 노광광으로서 사용되고 있는 랜덤 편광광에서는 편광 효과에 따라 결상 성능이 악화되는 경우도 있기 때문에, 편광 조명을 사용하는 것이 바람직하다. 그 경우, 레티클 (R) 의 라인·앤드·스페이스 패턴의 라인 패턴의 길이 방향에 맞춘 직선 편광 조명을 실시하고, 레티클 (R) 의 패턴으로부터는 S 편광 성분 (라인 패턴의 길이 방향에 따른 편광 방향 성분) 의 회절광이 많이 사출되도록 하면 된다. 투영 광학계 (PL) 와 웨이퍼 (W) 표면에 도포된 레지스트 사이가 액체로 채워져 있는 경우, 투영 광학계 (PL) 와 웨이퍼 (W) 표면에 도포된 레지스트 사이가 공기 (기체) 로 채워져 있는 경우에 비교하여 콘트라스트의 향상에 기여하는 S 편광 성분의 회절광의 레지스트 표면에서의 투과율이 높아지므로, 투영 광학계 (PL) 의 개구수 (NA) 가 1.0 을 초과하는 경우에도 높은 결상 성능을 얻을 수 있다. 또한, 위상 시프트 마스크나 일본 공개특허공보 평6-188169호에 개시되어 있는 사입사 (斜入射) 조명법 (다이폴 조명법) 등을 적당히 조합하면 보다 효과적이다.When the liquid immersion method described above is used, the numerical aperture (NA) of the projection optical system PL may be 0.9 to 1.3. When the numerical aperture (NA) of the projection optical system PL is increased as described above, the polarization performance is deteriorated due to the polarization effect in the randomly polarized light conventionally used as the exposure light, and therefore, it is preferable to use polarized illumination . In this case, linearly polarized illumination is performed in accordance with the longitudinal direction of the line pattern of the line-and-space pattern of the reticle R, and the S-polarized light component (the polarization direction along the longitudinal direction of the line pattern The diffracted light of the diffracted light component is emitted. When the space between the projection optical system PL and the resist coated on the surface of the wafer W is filled with the liquid and the space between the projection optical system PL and the resist coated on the surface of the wafer W is filled with air The transmittance of the diffracted light of the S polarized light component contributing to the enhancement of the contrast at the surface of the resist becomes high. Therefore, even when the numerical aperture NA of the projection optical system PL exceeds 1.0, a high imaging performance can be obtained. It is also more effective to appropriately combine the phase shift mask and the oblique incidence illumination method (dipole illumination method) disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-188169.

또한, 레티클 (R) 의 라인 패턴의 길이 방향에 맞춘 직선 편광 조명 (S 편광 조명) 뿐만 아니라, 일본 공개특허공보 평6-53120호에 개시되어 있는 바와 같이, 광축을 중심으로 한 원의 접선 (둘레) 방향으로 직선 편광하는 편광 조명법과 사입사 조명법의 조합도 효과적이다. 특히, 레티클 (R) 의 패턴이 소정의 일방향으로 연장되는 라인 패턴 뿐만 아니라, 복수의 다른 방향으로 연장되는 라인 패턴이 혼재하는 경우에는 마찬가지로 일본 공개특허공보 평6-53120호에 개시되어 있는 바와 같이, 광축을 중심으로 한 원의 접선 방향으로 직선 편광하는 편광 조명법과 윤대 (輪帶) 조명법을 병용함으로써, 투영 광학계의 개구수 (NA) 가 큰 경우에도 높은 결상 성능을 얻을 수 있다.Further, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-53120, a tangential line of a circle centering on the optical axis (a circularly polarized light) A polarized illumination method in which linearly polarized light is emitted in the direction of the incident light and an incident illumination method are effective. Particularly, when a pattern of the reticle R extends not only in a line pattern extending in a predetermined direction but also in a plurality of line patterns extending in different directions, as disclosed in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 6-53120 , It is possible to obtain a high imaging performance even when the numerical aperture (NA) of the projection optical system is large by using the polarized light illumination method and the annular illumination method which are linearly polarized in the tangential direction of the circle around the optical axis.

또, 본 발명은 웨이퍼 등의 피처리 기판을 별도로 탑재하여 XY 방향으로 독립적으로 이동 가능한 2 개의 스테이지를 구비한 트윈 스테이지형 노광 장치에도 적용할 수 있다. 이 경우, 각각의 기판 스테이지에서 액침 노광되도록 구성하고, 상기 실시형태에서 설명한 제전 장치를 각 스테이지마다 형성할 수 있다. 트윈 스테이지형 노광 장치의 구조 및 노광 동작은, 예를 들어 일본 공개특허공보 평10-163099호 및 일본 공개특허공보 평10-214783호 (대응 미국 특허 제6,341,007호, 제6,400,441호, 제6,549,269호 및 제6,590,634호), 일본 특허공표공보 2000-505958호 (대응 미국 특허 제5,969,441호) 또는 미국 특허 제6,208,407호에 개시되어 있고, 본 국제 출원에서 지정 또는 선택된 나라의 법령으로 허용되는 한, 그들 개시를 원용하여 본문의 기재의 일부로 한다.The present invention can also be applied to a twin-stage type exposure apparatus having two stages which can be independently moved in the X and Y directions by separately mounting a target substrate such as a wafer. In this case, the liquid-immersion exposure can be performed on each substrate stage, and the static eliminator described in the above embodiment can be formed for each stage. The structure and exposure operation of the twin-stage type exposure apparatus are disclosed in, for example, Japanese Laid-Open Patent Publication Nos. 10-163099 and 10-214783 (corresponding US Patent Nos. 6,341,007, 6,400,441, 6,549,269, 6,590,634), Japanese Patent Publication No. 2000-505958 (corresponding US Patent No. 5,969,441), or US Patent No. 6,208,407, and as permitted by the laws of the country designated or selected in this international application, Shall be made as part of the description of the text.

또한, 본 발명은 일본 공개특허공보 평11-135400호에 개시되어 있는 바와 같이, 웨이퍼 등의 피처리 기판을 탑재하여 이동 가능한 웨이퍼 스테이지와, 노광에 관한 각종 데이터를 계측하는 계측 센서를 탑재하여 웨이퍼 스테이지와는 독립적으로 이동 가능한 계측 스테이지를 구비한 투영 노광 장치에도 적용할 수 있다. 이 경우, 계측 스테이지 상에 제전용 전극 부재를 형성하고, 계측 스테이지와 투영 광학계 (PL) 의 사이에 유지되는 액체 (7) 의 제전을 실시하도록 해도 된다.Further, as disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-135400, the present invention has a wafer stage on which a substrate to be processed such as a wafer is mounted and a measurement sensor for measuring various data relating to exposure, The present invention is also applicable to a projection exposure apparatus having a measurement stage movable independently of the stage. In this case, a charge removing electrode member may be formed on the measuring stage to perform the erasing of the liquid 7 held between the measuring stage and the projection optical system PL.

또, 본 예의 투영 노광 장치의 용도로는 반도체 제조용 투영 노광 장치에 한정되지 않고, 예를 들어 사각형 유리 플레이트에 액정 표시 소자 패턴을 노광하는 액정용 투영 노광 장치나, 박막 자기 헤드를 제조하기 위한 투영 노광 장치에도 널리 적용할 수 있다.The projection exposure apparatus of this embodiment is not limited to the projection exposure apparatus for semiconductor manufacturing. For example, it may be a projection exposure apparatus for a liquid crystal for exposing a liquid crystal display element pattern to a rectangular glass plate or a projection exposure apparatus for producing a thin film magnetic head It can be widely applied to an exposure apparatus.

또한, 반도체 소자 등을 제조하는 디바이스 제조용 투영 노광 장치에서 사용하는 레티클 또는 마스크를, 예를 들어 원자외광 또는 진공 자외광을 사용하는 투영 노광 장치에서 제조하는 경우가 있고, 상기 기술한 각 실시형태의 투영 노광 장치는 레티클 또는 마스크를 제조하는 포토 리소그래피 공정에서도 바람직하게 사용할 수 있다.Further, there is a case where a reticle or a mask used in a projection exposure apparatus for manufacturing a device for manufacturing a semiconductor element or the like is produced, for example, by a projection exposure apparatus using external light or vacuum ultraviolet light. The projection exposure apparatus can be preferably used also in a photolithography process for manufacturing a reticle or a mask.

또, 노광용 조명광으로서의 DFB 반도체 레이저 또는 화이버 레이저로부터 발진되는 적외역 또는 가시역의 단일 파장 레이저를, 예를 들어 에르븀 (Er) (또는 에르븀과 이테르븀 (Yb) 의 양측) 이 도핑된 화이버 증폭기로 증폭하고, 또한 비선형 광학 결정을 사용하여 자외광으로 파장 변환한 고조파를 사용해도 된다.It is also possible to amplify an infrared or visible single wavelength laser oscillated from a DFB semiconductor laser or a fiber laser as an illumination light for exposure with a fiber amplifier doped with, for example, erbium (Er) (or both sides of erbium and ytterbium (Yb) And a harmonic wave whose wavelength is converted into ultraviolet light by using a nonlinear optical crystal may be used.

또한, 투영 광학계 (PL) 는 굴절계, 반사계 및 반사 굴절계의 어느 것이어도 된다. 반사 굴절계로는, 예를 들어 미국 특허 제5788229호에 개시되어 있는 바와 같이, 복수의 굴절 광학 소자와 2 개의 반사 광학 소자 (적어도 일측은 오목면경) 를 절곡되지 않게 일직선으로 연장하는 광축 상에 배치한 광학계를 사용할 수 있다. 이 미국 특허에 개시된 반사 굴절계를 갖는 투영 노광 장치에서는 웨이퍼에 가장 가까운, 즉 액체와 접촉하는 광학 소자는 반사 광학 소자가 된다. 또, 본 국제 출원에서 지정한 지정국, 또는 선택한 선택국의 국내 법령이 허용하는 한, 이 미국 특허의 개시를 원용하여 본문의 기재의 일부로 한다.Further, the projection optical system PL may be any of a refractometer, a refractometer, and a refractometer. As the reflection refractometer, for example, as disclosed in U.S. Patent No. 5788229, a plurality of refractive optical elements and two reflective optical elements (at least one of which is a concave mirror) are arranged on an optical axis that extends straight and not bent An optical system can be used. In the projection exposure apparatus having the reflective refracting system disclosed in this U.S. Patent, the optical element closest to the wafer, i.e., in contact with the liquid becomes a reflective optical element. In so far as permitted by the national statutes of the designated State or the selected State selected by this international application, the disclosure of this US patent shall be made part of the description of the text.

또, 복수의 렌즈로 구성되는 조명 광학계, 투영 광학계를 노광 장치 본체에 장착하여 광학 조정함과 함께, 다수의 기계 부품으로 이루어지는 레티클 스테이지나 웨이퍼 스테이지를 노광 장치 본체에 장착하여 배선이나 배관을 접속하고, 액체를 공급 및 회수하기 위한 배관 (공급관, 공급구 등) 을 설치하여 추가로 종합 조정 (전기 조정, 동작 확인 등) 함으로써 본 실시형태의 투영 노광 장치를 제조할 수 있다. 또, 투영 노광 장치의 제조는 온도 및 클린도 등이 관리된 클린 룸에서 실시하는 것이 바람직하다.In addition, an illumination optical system and a projection optical system, which are composed of a plurality of lenses, are mounted on an exposure apparatus main body and optically adjusted, and a reticle stage or a wafer stage composed of a plurality of mechanical parts is mounted on the exposure apparatus main body, (A supply pipe, a supply port, or the like) for supplying and recovering the liquid, and further performing comprehensive adjustment (electrical adjustment, operation confirmation, and the like) to manufacture the projection exposure apparatus of this embodiment. It is preferable that the projection exposure apparatus is manufactured in a clean room where temperature, cleanliness, etc. are managed.

그리고, 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스는 도 7 에 나타내는 바와 같이, 마이크로 디바이스의 기능·성능 설계를 하는 단계 201, 이 설계 단계에 기초한 레티클 (마스크) 을 제작하는 단계 202, 디바이스의 기재인 기판을 제조하는 단계 203, 상기 기술한 실시형태의 노광 장치에 의해 레티클의 패턴을 기판에 노광하는 기판 처리 단계 204, 디바이스 조립 단계 (다이싱 공정, 본딩 공정, 패키지 공정을 포함) 205, 검사 단계 206 등을 거쳐 제조된다.As shown in Fig. 7, the microdevice such as a semiconductor device includes a step 201 for designing a function and a performance of a microdevice, a step 202 for manufacturing a reticle (mask) based on the designing step, A substrate processing step 204 for exposing the pattern of the reticle to a substrate by the exposure apparatus of the above-described embodiment, a device assembling step 205 (including a dicing step, a bonding step, and a packaging step) 205, Lt; / RTI >

또, 본 발명은 상기 기술한 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지의 구성을 취할 수 있다.The present invention is not limited to the above-described embodiments, and various configurations can be adopted without departing from the gist of the present invention.

본 발명의 투영 노광 장치에 의하면, 액침법에 사용하는 액체의 제전을 실시할 수 있기 때문에, 대전된 액체가 방전함으로써 발생하는 회로 패턴의 파괴나 장치의 오동작을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명의 투영 노광 방법에 의하면, 액침법에 사용하는 액체의 제전을 실시하기 때문에, 회로 패턴의 파괴나 장치의 오동작을 발생시키지 않고 노광할 수 있다. 또한, 본 발명의 디바이스 제조 방법에 의하면, 회로 패턴의 파괴나 장치의 오동작이 일어나지 않기 때문에, 디바이스를 제조할 때 수율이 향상되어 높은 처리 능력을 유지할 수 있다.According to the projection exposure apparatus of the present invention, it is possible to eliminate the liquid used for the liquid immersion method, thereby preventing destruction of the circuit pattern and malfunction of the apparatus caused by discharge of the charged liquid. Further, according to the projection exposure method of the present invention, since the liquid used in the liquid immersion method is discharged, exposure can be performed without causing breakage of the circuit pattern or malfunction of the apparatus. Further, according to the device manufacturing method of the present invention, since the breakdown of the circuit pattern and the malfunction of the device do not occur, the yield can be improved when the device is manufactured, and high processing ability can be maintained.

Claims (17)

마스크에 형성된 패턴을 액체를 통해 기판 상에 전사하는 투영 노광 장치로서,
상기 패턴의 이미지를 상기 기판 상에 투영하는 투영 광학계와;
상기 투영 광학계와 상기 기판의 표면 사이에 공급되는 액체의 제전 (除電) 을 실시하는 제전 장치를 구비한 투영 노광 장치.A projection exposure apparatus for transferring a pattern formed on a mask onto a substrate via a liquid,
A projection optical system for projecting an image of the pattern onto the substrate;
A projection exposure apparatus provided with a static elimination device for performing an electrostatic discharge of the liquid supplied between the projection optical system and the surface of the substrate. 제 1 항에 있어서,
상기 제전 장치는 상기 액체를 상기 투영 광학계와 상기 기판의 표면 사이에 공급하는 액체 공급 배관의 유로에 형성되고, 어스된 제전 필터를 갖는 투영 노광 장치.The method of claim 1,
And the antistatic device is formed in a flow path of a liquid supply pipe for supplying the liquid between the projection optical system and the surface of the substrate, and has an earthed antistatic filter. 제 2 항에 있어서,
상기 제전 필터는 도전성 발포 금속으로 구성되어 있는 투영 노광 장치.3. The method of claim 2,
The antistatic filter is a projection exposure apparatus composed of a conductive foamed metal. 제 2 항에 있어서,
상기 제전 필터는 도전성 망상 부재로 구성되어 있는 투영 노광 장치.3. The method of claim 2,
The antistatic filter is a projection exposure apparatus composed of a conductive network member. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 액체를 상기 투영 광학계와 상기 기판의 표면 사이에 공급하는 액체 공급 장치를 추가로 구비하고, 상기 제전 장치가 액체 공급 장치에 형성되어 있는 투영 노광 장치.The method according to any one of claims 1 to 4,
And a liquid supply device for supplying the liquid between the projection optical system and the surface of the substrate, wherein the antistatic device is formed in the liquid supply device. 제 5 항에 있어서,
상기 투영 노광 장치가 스텝·앤드·리피트형 투영 노광 장치이고, 상기 액체 공급 장치가 상기 기판을 스테핑하는 방향으로 액체를 공급하는 투영 노광 장치.The method of claim 5, wherein
The projection exposure apparatus is a step-and-repeat projection exposure apparatus, and the projection exposure apparatus supplies the liquid in a direction in which the liquid supply device steps the substrate. 제 5 항에 있어서,
상기 투영 노광 장치가 스텝·앤드·스캔형 투영 노광 장치이고, 상기 액체 공급 장치가 스캔 방향으로 액체를 공급하는 투영 노광 장치.The method of claim 5, wherein
The projection exposure apparatus is a step-and-scan type projection exposure apparatus, wherein the liquid supply apparatus supplies the liquid in the scanning direction. 마스크에 형성된 패턴을 액체를 통해 기판 상에 전사하는 투영 노광 장치로서,
상기 패턴의 이미지를 상기 기판 상에 투영하는 투영 광학계와;
상기 투영 광학계와 상기 기판의 표면 사이에 개재되는 액체의 제전을 실시하는 제전 장치를 구비한 투영 노광 장치.A projection exposure apparatus for transferring a pattern formed on a mask onto a substrate via a liquid,
A projection optical system for projecting an image of the pattern onto the substrate;
A projection exposure apparatus provided with a static elimination device for performing an electrostatic discharge of the liquid interposed between the projection optical system and the surface of the substrate. 제 8 항에 있어서,
상기 제전 장치는 상기 기판과 대향하는 상기 투영 광학계의 광학 소자에 형성된 전극 부재를 갖는 투영 노광 장치.The method of claim 8,
And said antistatic device has an electrode member formed on an optical element of said projection optical system facing said substrate. 제 9 항에 있어서,
상기 전극 부재가 상기 광학 소자 상에 상기 광학 소자의 광축과 동축에 형성된 고리형 도전체인 투영 노광 장치.The method of claim 9,
And the electrode member is a ring-shaped conductor formed coaxially with the optical axis of the optical element on the optical element. 제 8 항에 있어서,
상기 액체를 공급하는 액체 공급 배관과, 상기 액체를 회수하는 액체 회수 배관을 가지며, 상기 제전 장치는 상기 액체 공급 배관의 공급구와 상기 액체 회수 배관의 회수구의 적어도 일측에 형성된 제전 필터를 갖는 투영 노광 장치.The method of claim 8,
A projection exposure apparatus having a liquid supply pipe for supplying the liquid and a liquid recovery pipe for recovering the liquid, wherein the antistatic device has an antistatic filter formed on at least one side of a supply port of the liquid supply pipe and a recovery port of the liquid recovery pipe. . 노광 빔으로 마스크를 조사하고, 상기 마스크에 형성된 패턴을 투영 광학계에 의해 액체를 통해 기판 상에 투영하는 투영 노광 방법으로서,
상기 액체의 제전을 실시하는 단계와;
상기 액체를 상기 투영 광학계와 상기 기판의 표면 사이에 공급하는 단계를 갖는 투영 노광 방법.A projection exposure method for irradiating a mask with an exposure beam and projecting a pattern formed on the mask onto a substrate through a liquid by a projection optical system,
Performing an electrostatic discharge of the liquid;
And supplying the liquid between the projection optical system and the surface of the substrate. 제 12 항에 있어서,
상기 제전을 실시하는 단계는 상기 액체를 공급하는 단계에 앞서 실시되는 투영 노광 방법.13. The method of claim 12,
And the step of performing the static elimination is performed prior to the step of supplying the liquid. 제 13 항에 있어서,
상기 액체를 상기 투영 광학계와 상기 기판의 표면 사이에 공급하는 단계에서, 상기 액체를 제전 필터로 통과시키는 것을 포함하는 투영 노광 방법.The method of claim 13,
Supplying the liquid between the projection optical system and the surface of the substrate, passing the liquid through an antistatic filter. 제 14 항에 있어서,
상기 제전 필터는 상기 액체를 상기 투영 광학계와 상기 기판의 표면 사이에 공급하는 액체 공급관의 선단에 형성되어 있는 투영 노광 방법.15. The method of claim 14,
And said antistatic filter is formed at the tip of a liquid supply pipe for supplying said liquid between said projection optical system and a surface of said substrate. 제 12 항에 있어서,
상기 액체의 제전을 실시하는 단계에서, 상기 투영 광학계와 상기 기판의 표면 사이에 공급된 액체를 도전재와 접촉시키는 것을 포함하는 투영 노광 방법.13. The method of claim 12,
In the step of performing the electrostatic discharge, the projection exposure method comprising contacting a liquid supplied between the projection optical system and the surface of the substrate with a conductive material. 리소그래피 공정을 포함하는 디바이스 제조 방법으로서,
상기 리소그래피 공정에 있어서 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 기재된 투영 노광 장치를 사용하여 노광하는 디바이스 제조 방법.A device manufacturing method comprising a lithography process,
The device manufacturing method which exposes using the projection exposure apparatus in any one of Claims 1-11 in the said lithography process.
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