KR20130060368A - 연기 필터용 다공질 및 그의 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2A-B는 본 발명(실측으로 표시될 필요는 없음)에 따라 다공질을 형성하기 위한 시스템의 비제한적인 예시.
도 3은 본 발명(실측으로 표시될 필요는 없음)에 따라 다공질을 형성하기 위한 시스템의 비제한적인 예시.
도 4는 본 발명(실측으로 표시될 필요는 없음)에 따라 다공질을 형성하기 위한 시스템의 비제한적인 예시.
도 5는 본 발명(실측으로 표시될 필요는 없음)에 따라 다공질을 형성하기 위한 시스템의 비제한적인 예시.
도 6은 본 발명(실측으로 표시될 필요는 없음)에 따라 다공질을 형성하기 위한 시스템의 비제한적인 예시.
도 7은 본 발명(실측으로 표시될 필요는 없음)에 따라 다공질을 형성하기 위한 시스템의 비제한적인 예시.
도 8은 본 발명에(실측으로 표시될 필요는 없음)에 따라 다공질을 형성하기 위한 시스템의 비제한적인 예시.
도 9는 본 발명에(실측으로 표시될 필요는 없음)에 따라 다공질을 형성하기 위한 시스템의 비제한적인 예시.
도 10는 본 발명(실측으로 표시될 필요는 없음)에 따라 다공질을 형성하기 위한 시스템의 비제한적인 예시.
도 11은 본 발명에(실측으로 표시될 필요는 없음)에 따라 다공질을 형성하기 위한 시스템의 비제한적인 예시.
GUR | 탄소:GUR 비율 | 퍼센트손실(페이퍼 있음) | 퍼센트손실(페이퍼없음) |
2015 | 85:15 | 0.94% | 2.64% |
2015 | 80:20 | 0.59% | 3.45% |
2015 | 75:25 | 0.23% | 0.57% |
2015 | 70:30 | 0.14% | 1.00% |
X192 | 80:20 | 34.51% | 60.89% |
X192 | 75:25 | 13.88% | 43.78% |
X192 | 70:30 | 8.99% | 14.33% |
가소된 탄소-온-토우필터 | 4.01 mg/mm 탄소 | 0.98% | n/a |
샘플 | 초기 탄소 로딩(mg) | mg 탄소/mm 필터길이 | 탄소손실(mg) | mg 탄소손실/g 초기 탄소로딩 |
다공질 | 333 | 16.65 | 0.18 | 0.53 |
세척된 다공질 | 338 | 16.9 | 0.073 | 0.22 |
달마시안 필터 | 74 | 3.7 | 0.15 | 2.07 |
Claims (92)
- 물질 경로;
상기 물질 경로를 따라 배치된 몰드 캐비티;
몰드 캐비티의 적어도 일부분 앞의 물질 경로에 작동가능하게 연결되고 상기 물질 경로에 매트릭스 물질을 공급할 수 있는 하나 이상의 호퍼;
물질 경로의 적어도 제 1 부분과 열교환되는 열원; 및
물질 경로의 제 1 부분 뒤에 물질 경로를 따라 배치된 커터를 포함하는 시스템. - 제 1항에 있어서, 상기 물질 경로가 비인접되어 있는(noncontiguous) 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 물질 경로가 인접되어 있는(contiguous) 시스템.
- 제 1항에 있어서, 몰드 캐비티로서 페이퍼를 형성하도록 물질 경로에 작동가능하게 연결된 페이퍼 피더를 더 포함하는 시스템.
- 제 1항에 있어서, 몰드 캐비티의 라이너로서 페이퍼를 공급하도록 물질 경로에 작동가능하게 연결된 페이퍼 피더를 더 포함하는 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 몰드 캐비티가 이형제를 포함하는 시스템.
- 제 1항에 있어서, 몰드 캐비티의 라이너로서 릴리스 래퍼를 공급하도록 물질 경로에 작동가능하게 연결된 릴리스 피더를 더 포함하는 시스템.
- 제 7항에 있어서, 상기 릴리스 피더가 릴리스 래퍼를 연속적으로 순환시킬 수 있는 릴리스 컨베이어인 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 몰드 캐비티가 둘 이상의 몰드 캐비티 부분을 포함하는 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 몰드 캐비티가 몰드 캐비티의 세로축을 따라 제 1 단부 및 제 2 단부에 개구부를 가지는 원통형인 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 몰드 캐비티가 수직 및 수평 사이에 있거나 각도를 이루는 시스템.
- 제 1항에 있어서, 호퍼에 작동가능하게 연결된 체적 피더, 질량 흐름 피더, 중량 피더 및 이들의 임의의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 시스템.
- 제 1항에 있어서, 호퍼와 몰드 캐비티에 작동가능하게 연결된 물질 경로를 따라 부속품(garnitures), 램 프레스, 피스톤, 셰이커, 압출기, 트윈 스크류 압출기, 고체 압출기 및 이들의 임의의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 더 포함하는 시스템.
- 제 1항에 있어서, 매트릭스 물질을 혼합하도록 물질 경로를 따라 호퍼 앞에 있거나 호퍼에 작동가능하게 연결되는 매트릭스 블렌더를 더 포함하는 시스템.
- 제 14항에 있어서, 상기 매트릭스 블렌더가 리본 블렌더, 패들 블랜더, 플로우 블랜더, 더블 콘 블랜더, 트윈 쉘 블랜더, 행성 블랜더, 유동 블랜더, 고강도 블랜더, 회전 드럼, 블랜딩 스크류, 회전 믹서 및 이들의 임의의 조합으로 구성되는 그룹에서 선택되는 시스템.
- 제 1항에 있어서, 물질의 복수의 구성요소를 호퍼로 공급할 수 있도록 작동가능한 둘 이상의 구성요소 호퍼를 더 포함하는 시스템.
- 제 1항에 있어서, 몰드 캐비티 앞의 물질 경로의 적어도 제 3 부분과 열교환되는 제 2 열원을 더 포함하는 시스템.
- 제 1항에 있어서, 물질 경로의 제 1 부분 뒤의 물질 경로의 적어도 제 2 부분과 열교환되는 냉각 요소를 더 포함하는 시스템.
- 제 18항에 있어서, 상기 냉각 요소가 몰드 캐비티와 열교환되는 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 열원이 몰드 캐비티와 열교환되는 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 열원이 복사열, 전도열, 대류열 및 이들의 임의의 조합으로 구성된 그룹에서 선택되는 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 열원이 몰드 캐비티 내부의 가열된 유체, 몰드 캐비티 외부의 가열된 유체, 증기, 가열된 불활성 가스, 나노입자로부터의 보조 방사, 오븐, 용광로, 불꽃, 열전 물질 및 이들의 임의의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 시스템.
- 제 22항에 있어서, 나노입자로부터의 보조 방사가 전자기 방사선에 나노입자를 노출함으로써 생성되는 시스템.
- 제 1항에 있어서, 몰드 캐비티 뒤의 물질 경로를 따라 배치되는 다이를 더 포함하는 시스템.
- 제 1항에 있어서, 몰드 캐비티 뒤 및 커터 앞의 물질 경로를 따라 배치된 롤러, 톱니 바퀴, 휠, 벨트, 기어 및 이들의 임의의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 하나 이상을 더 포함하는 시스템.
- 제 1항에 있어서, 몰드 캐비티와 유체 소통되는 유체 연결을 더 포함하는 시스템.
- 제 1항에 있어서, 상기 커터가 블레이드, 핫 블레이드, 카바이드 블레이드, 위성 블레이드, 세라믹 블레이드, 강화 강철 블레이드, 다이아몬드 블레이드, 유연 블레이드(smooth blade), 톱니 형 블레이드, 레이저, 가압 유체, 액체 랜스, 가스 렌스, 기요틴 및 이들의 임의의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 시스템.
- 제 1항에 있어서, 몰드 캐비티, 호퍼, 열원, 커터 및 이들의 임의의 조합으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 적어도 하나와 작동가능하게 연결된 제어 시스템을 더 포함하는 시스템.
- 제 28항에 있어서, 상기 제어 시스템이 변수 변환기, 저항계, 프로그래머블 로직 컨트롤러, 디지털 로직 회로, 전기 릴레이, 컴퓨터 및 이들의 임의의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 시스템.
- 매트릭스 물질을 연속적으로 몰드 캐비티에 도입하고;
몰드 캐비티의 라이너로서 릴리스 래퍼를 배치하고;
복수의 접촉 지점에서 매트릭스 물질을 바인딩하도록 매트릭스 물질의 적어도 일부를 가열하여 다공질 장체를 형성하고;
방사 방향으로 다공질 장체를 커팅하여 다공질을 생성하는 것을 포함하는 방법. - 제 30항에 있어서, 상기 릴리스 래퍼가 페이퍼를 포함하는 방법.
- 제 30항에 있어서, 다공질 장체가 래핑된 다공질 장체이고, 다공질이 래핑된 다공질인 방법.
- 제 30항에 있어서, 상기 릴리스 래퍼가 제거가능한 방법.
- 제 30항에 있어서, 매트릭스 물질을 연속적으로 도입하는 것이 색인되고, 스페이서가 색인된 매트릭스 물질 사이에 배치되는 방법.
- 제 30항에 있어서, 둘 이상의 구성요소를 결합함으로써 매트릭스 물질을 혼합하는 것을 포함하는 방법.
- 제 30항에 있어서, 가열이 몰드 캐비티 내부의 가열된 유체, 몰드 캐비티 외부의 가열된 유체, 증기, 가열된 불활성 가스, 나노입자로부터의 보조 방사, 오븐, 용광로, 불꽃, 열전 물질 및 이들의 임의의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 방법.
- 제 36항에 있어서, 나노입자로부터의 보조 방사가 전자기 방사선에 나노입자를 노출함으로써 생성되는 방법.
- 제 30항에 있어서, 가열이 매트릭스 물질의 적어도 일부를 연화시키는 온도 또는 그 이상의 온도로 이루어지는 방법.
- 제 30항에 있어서, 둘 이상의 구성요소를 결합함으로써 매트릭스 물질을 혼합하는 것을 포함하는 방법.
- 제 30항에 있어서, 상기 매트릭스 물질이 활성 입자 및 바인더 입자를 포함하는 방법.
- 제 40항에 있어서, 상기 바인더 입자가 초고분자량 폴리에틸렌, 매우 높은 분자량 폴리에틸렌, 고분자량 폴리에틸렌, 폴리올레핀, 폴리에스테르, 폴리아미드, 나일론, 폴리아크릴계, 폴리스티렌, 폴리비닐, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리에테르 에테르 케톤, 비섬유 가소화 셀룰로오스, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리부틸렌, 폴리메틸펜텐, 저밀도 폴리에틸렌, 선형 저밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리사이클로헥실렌 다이메틸렌 테레프탈레이트, 폴리트리메틸렌 테레프탈레이트, 폴리메틸 메타크릴레이트, 폴리스티렌, 아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌, 스티렌-아크릴로니트릴, 스티렌-부타디엔, 스티렌-무수말레산, 에틸렌비닐아세테이트, 에틸렌비닐알코올, 폴리염화비닐, 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 부티레이트, 가소화 셀룰로오스, 셀룰로오스 프로피오네이트, 에틸 셀룰로오스, 이들의 임의의 유도체, 이들의 임의의 코폴리머, 및 이들의 임의의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 방법.
- 제 40항에 있어서, 상기 활성 입자가 활성 탄소, 이온 교환 수지, 건조제, 규산염, 분자체, 실리카겔, 활성 알루미나, 제올라이트, 펄라이트, 해포석, 백토, 마그네슘 규산염, 금속 산화물, 철 산화물 및 이들의 임의의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 방법.
- 제 40항에 있어서, 상기 활성 입자가 나노스케일 탄소 입자, 하나 이상의 벽을 가지는 탄소 나노튜브, 탄소 나노혼, 대나무와 같은 탄소 나노구조, 풀러렌, 풀러렌 응집물, 그래핀, 레이어 그래핀(a few layer graphene), 산화 그래핀, 철 산화물 나노입자, 나노입자, 금속 나노입자, 금 나노입자, 은 나노입자, 금속 산화물 나노입자, 알루미나 나노입자, 자기 나노입자, 파라마그네틱 나노입자, 수퍼파라마그네틱 나노입자, 가돌리늄 산화물 나노입자, 헤마타이트 나노입자, 마그네타이트 나노입자, 가도-나노입자, 엔도풀러렌, Gd@C60, 코어쉘 나노입자, 어니오네이티드 나노입자, 나노쉘, 어니오네이티드 철 산화물 나노입자 및 이들의 임의의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 방법.
- 제 40항에 있어서, 상기 매트릭스 물질이 활성 화합물, 이온 수지, 제올라이트, 나노입자, 세라믹 입자, 유리 구슬, 연화제, 가소제, 안료, 염료, 향료, 향기, 제어된 릴리스 베시클, 접착제, 점착제, 표면 수정제, 비타민, 과산화물, 살균제, 항진균제, 항균제, 대전 방지제, 난연제, 분해제 및 이들의 임의의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나의 첨가제를 더 포함하는 방법.
- 제 30항에 있어서, 상기 다공질이 약 40% 내지 약 90%의 공극 체적을 가지는 방법.
- 제 30항에 있어서, 상기 다공질이 적어도 약 1㎎/mm의 활성 입자 로딩과 다공질의 mm 길이 당 약 20mmH2O 미만의 캡슐화 압력 강하를 가지는 방법.
- 제 30항에 있어서, 다공질이 적어도 약 6mg/mm의 탄소 로딩과 mm 길이 당 약 20mmH2O 이하의 캡슐화 압력 강하를 가지는 방법.
- 제 30항에 있어서, 멀티-세그먼트 필터(multi-segmented filter)를 형성하기 위해 하나 이상의 필터 섹션과 다공질을 작동가능하게 연결하는 것을 더 포함하는 방법.
- 제 48항에 있어서, 하나 이상의 필터 섹션이 캐비티, 제 2 다공질, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리올레핀 토우, 폴리프로필렌 토우, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 무작위 배향된 아세테이트, 페이퍼, 골판지 페이퍼, 동심 필터, 카본-온-토우, 실리카, 규산 마그네슘, 제올라이트, 분자체, 염, 촉매, 염화 나트륨, 나일론, 향료, 연초, 캡슐, 셀룰로오스, 셀룰로오스 유도체, 셀룰로오스 아세테이트, 촉매 컨버터, 요오드 오산화물, 거친 분말, 탄소 입자, 탄소 섬유, 섬유, 유리 구슬, 나노입자, 빈 챔버, 배플드 보이드 챔버, 필라멘트 당 약 10 데니어 미만을 가진 셀룰로오스 아세테이트 토우, 필라멘트 당 약 10 데니어 이상을 가진 셀룰로오스 아세테이트 토우, 및 이들의 임의의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 방법.
- 제 48항에 있어서, 멀티-세그먼트 필터를 포장하는 것을 더 포함하는 방법.
- 제 30항에 있어서, 흡연 장치를 형성하기 위해 연초 칼럼과 다공질을 작동가능하게 연결하는 것을 더 포함하는 방법.
- 제 30항에 있어서, 다공질을 둘 이상의 섹션으로 방사 방향으로 커팅하는 것을 포함하는 방법.
- 제 52항에 있어서, 멀티-세그먼트 필터를 형성하기 위해 하나 이상의 필터 섹션과 하나 이상의 섹션을 작동가능하게 연결하는 것을 더 포함하는 방법.
- 제 53항에 있어서, 하나 이상의 필터 섹션이 캐비티, 제 2 다공질, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리올레핀 토우, 폴리프로필렌 토우, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 무작위 배향된 아세테이트, 페이퍼, 골판지 페이퍼, 동심 필터, 카본-온-토우, 실리카, 규산 마그네슘, 제올라이트, 분자체, 염, 촉매, 염화 나트륨, 나일론, 향료, 연초, 캡슐, 셀룰로오스, 셀룰로오스 유도체, 셀룰로오스 아세테이트, 촉매 컨버터, 요오드 오산화물, 거친 분말, 탄소 입자, 탄소 섬유, 섬유, 유리 구슬, 나노입자, 빈 챔버, 배플드 보이드 챔버, 필라멘트 당 약 10 데니어 미만을 가진 셀룰로오스 아세테이트 토우, 필라멘트 당 약 10 데니어 이상을 가진 셀룰로오스 아세테이트 토우, 및 이들의 임의의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 방법.
- 제 52항에 있어서, 흡연 장치를 형성하기 위해 연초 칼럼과 하나 이상의 섹션을 작동가능하게 연결하는 것을 더 포함하는 방법.
- 제 55항에 있어서, 흡연 장치를 포장하는 것을 더 포함하는 방법.
- 매트릭스 물질을 연속적으로 몰드 캐비티에 도입하고;
복수의 접촉 지점에서 매트릭스 물질을 바인딩하도록 매트릭스 물질의 적어도 일부를 가열하여 다공질 장체를 형성하고;
다이를 통하여 다공질 장체를 압출하는 것을 포함하는 방법. - 제 57항에 있어서, 상기 매트릭스 물질이 나노스케일 탄소 입자, 하나 이상의 벽을 가지는 탄소 나노튜브, 탄소 나노혼, 대나무와 같은 탄소 나노구조, 풀러렌, 풀러렌 응집물, 그래핀, 레이어 그래핀, 산화 그래핀, 철 산화물 나노입자, 나노입자, 금속 나노입자, 금 나노입자, 은 나노입자, 금속 산화물 나노입자, 알루미나 나노입자, 자기 나노입자, 파라마그네틱 나노입자, 수퍼파라마그네틱 나노입자, 가돌리늄 산화물 나노입자, 헤마타이트 나노입자, 마그네타이트 나노입자, 가도-나노입자, 엔도풀러렌, Gd@C60, 코어쉘 나노입자, 어니오네이티드 나노입자, 나노쉘, 어니오네이티드 철 산화물 나노입자 및 이들의 임의의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 활성 입자를 포함하는 방법.
- 제 57항에 있어서, 상기 다공질이 약 40% 내지 약 90%의 공극 체적을 가지는 방법.
- 제 57항에 있어서, 상기 다공질이 적어도 약 1㎎/mm의 활성 입자 로딩과 다공질의 mm 길이 당 약 20mmH2O 미만의 캡슐화 압력 강하를 가지는 방법.
- 제 57항에 있어서, 다공질이 적어도 약 6mg/mm의 탄소 로딩과 mm 길이 당 약 20mmH2O 이하의 캡슐화 압력 강하를 가지는 방법.
- 적어도 두개의 몰드 캐비티 부분을 포함하는 몰드 캐비티 - 상기 몰드 캐비티는 세로 축을 가짐 - ;
제 1 몰드 캐비티 부분을 포함하는 제 1 컨베이어;
제 2 몰드 캐비티 부분을 포함하는 제 2 컨베이어 - 상기 제 1 컨베이어와 제 2 컨베이어는 몰드 캐비티를 형성하도록 제 1 몰드 캐비티 부분과 제 2 몰드 캐비티 부분을 조합하고, 연속적인 방식으로 제 2 몰드 캐비티 부분에서 제 1 몰드 캐비티 부분을 분리할 수 있도록 작동가능함 - ;
매트릭스 물질로 몰드 캐비티를 적어도 부분적으로 채울 수 있는 호퍼; 및
매트릭스 물질을 다공질로 변형시키도록 몰드 캐비티의 적어도 제 1 부분과 열교환되는 열원을 포함하는 시스템. - 제 62항에 있어서, 상기 몰드 캐비티가 둘 이상의 캐비티 부분이 조립될 때 원하는 단면 형상을 가지는 시스템.
- 제 62항에 있어서, 몰드 캐비티를 래퍼로 라이닝할 수 있는 페이퍼 피더를 더 포함하는 시스템.
- 제 62항에 있어서, 몰드 캐비티의 세로축을 따른 일정 지점에서 하나 이상의 몰드 캐비티 부분으로부터 다공질을 제거하도록 작동할 수 있는 풀링 메커니즘, 푸싱 메커니즘 및/또는 리프팅 메커니즘을 더 포함하는 시스템.
- 제 62항에 있어서, 몰드 캐비티의 세로축과 일렬로 배치되어 몰드 캐비티 부분으로부터 다공질을 제거하도록 작동할 수 있는 풀링 메커니즘, 푸싱 메커니즘 및/또는 리프팅 메커니즘을 더 포함하는 시스템.
- 제 62항에 있어서, 원하는 길이로 다공질을 방사 방향으로 커팅하도록 작동할 수 있는 커터를 더 포함하는 시스템.
- 제 62항에 있어서, 원하는 길이로 세로축을 따라 다공질을 그라인딩할 수 있도록 작동되는 그라인더를 더 포함하는 시스템.
- 제 62항에 있어서, 둘 이상의 몰드 캐비티 부분 중 적어도 하나를 클리닝할 수있는 적어도 하나의 클리닝 요소를 더 포함하는 시스템.
- 매트릭스 물질을 복수의 몰드 캐비티에 도입하고;
복수의 접촉 지점에서 매트릭스 물질을 바인딩하도록 몰드 캐비티 중의 매트릭스 물질을 가열하여 다공질을 형성하는 것을 포함하는 방법. - 제 70항에 있어서, 상기 몰드 캐비티들이 각각 둘 이상의 몰드 캐비티 부분을 포함하는 방법.
- 제 70항에 있어서, 몰드 캐비티의 라이너로서 릴리스 래퍼를 배치하는 것을 더 포함하는 방법.
- 제 72항에 있어서, 상기 릴리스 래퍼가 페이퍼인 방법.
- 제 70항에 있어서, 상기 몰드 캐비티가 페이퍼인 방법.
- 제 70항에 있어서, 상기 다공질이 래핑된 다공질인 방법.
- 제 70항에 있어서, 상기 몰드 캐비티가 이형제를 포함하는 방법.
- 제 70항에 있어서, 상기 다공질을 다공질 섹션으로 커팅하는 것을 더 포함하는 방법.
- 제 70항에 있어서, 스페이서를 매스릭스 물질과 함께 도입하는 것을 더 포함하는 방법.
- 제 70항에 있어서, 다공질의 적어도 일부를 그라인딩하는 것을 더 포함하는 방법.
- 제 70항에 있어서, 다공질을 몰드 캐비티로부터 제거하는 것을 더 포함하는 방법.
- 제 70항에 있어서, 흡연 장치를 형성하기 위해 연초 칼럼과 다공질을 작동가능하게 연결하는 것을 더 포함하는 방법.
- 제 70항에 있어서, 다공질을 다공질 섹션으로 커팅하는 것을 더 포함하는 방법.
- 제 82항에 있어서, 흡연 장치를 형성하기 위해 연초 칼럼과 하나 이상의 다공질 섹션을 작동가능하게 연결하는 것을 더 포함하는 방법.
- 제 82항에 있어서, 캐비티, 제 2 다공질, 폴리프로필렌, 폴리에틸렌, 폴리올레핀 토우, 폴리프로필렌 토우, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 무작위 배향된 아세테이트, 페이퍼, 골판지 페이퍼, 동심 필터, 카본-온-토우, 실리카, 규산 마그네슘, 제올라이트, 분자체, 염, 촉매, 염화 나트륨, 나일론, 향료, 연초, 캡슐, 셀룰로오스, 셀룰로오스 유도체, 셀룰로오스 아세테이트, 촉매 컨버터, 요오드 오산화물, 거친 분말, 탄소 입자, 탄소 섬유, 섬유, 유리 구슬, 나노입자, 빈 챔버, 배플드 보이드 챔버, 필라멘트 당 약 10 데니어 미만을 가진 셀룰로오스 아세테이트 토우, 필라멘트 당 약 10 데니어 이상을 가진 셀룰로오스 아세테이트 토우, 및 이들의 임의의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 하나 이상의 필터 섹션에 하나 이상의 다공질 섹션을 작동가능하게 연결하는 것을 더 포함하는 방법.
- 제 70항에 있어서, 상기 매트릭스 물질이 나노스케일 탄소 입자, 하나 이상의 벽을 가지는 탄소 나노튜브, 탄소 나노혼, 대나무와 같은 탄소 나노구조, 풀러렌, 풀러렌 응집물, 그래핀, 레이어 그래핀, 산화 그래핀, 철 산화물 나노입자, 나노입자, 금속 나노입자, 금 나노입자, 은 나노입자, 금속 산화물 나노입자, 알루미나 나노입자, 자기 나노입자, 파라마그네틱 나노입자, 수퍼파라마그네틱 나노입자, 가돌리늄 산화물 나노입자, 헤마타이트 나노입자, 마그네타이트 나노입자, 가도-나노입자, 엔도풀러렌, Gd@C60, 코어쉘 나노입자, 어니오네이티드 나노입자, 나노쉘, 어니오네이티드 철 산화물 나노입자 및 이들의 임의의 조합으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 활성 입자를 포함하는 방법.
- 제 70항에 있어서, 상기 다공질이 약 40% 내지 약 90%의 공극 체적을 가지는 방법.
- 제 70항에 있어서, 상기 다공질이 적어도 약 1㎎/mm의 활성 입자 로딩과 다공질의 mm 길이 당 약 20mmH2O 미만의 캡슐화 압력 강하를 가지는 방법.
- 제 70항에 있어서, 다공질이 적어도 약 6mg/mm의 탄소 로딩과 mm 길이 당 약 20mmH2O 이하의 캡슐화 압력 강하를 가지는 방법.
- 다공질 내에 약 40%에서 약 90% 범위의 공극 체적을 달성하도록 몰드 캐비티에 있는 동안 매트릭스 물질을 가열함으로써 복수의 접촉 지점에서 바인딩된 매트릭스 물질을 포함하고, 상기 매트릭스 물질이 활성 입자와 바인더 물질을 포함하는 다공질.
- 다공질의 mm 길이 당 약 20mmH2O 미만의 캡슐화 압력 강하를 달성하도록 몰드 캐비티에 있는 동안 매트릭스 물질을 가열함으로써 복수의 접촉 지점에서 바인딩된 매트릭스 물질을 포함하고, 상기 매트릭스 물질이 다공질 장체의 적어도 약 1mg/mm의 활성 입자 로딩으로 활성 입자와 바인더 물질을 포함하는 다공질.
- 다공질의 mm 길이 당 약 20mmH2O 미만의 캡슐화 압력 강하를 달성하도록 몰드 캐비티에 있는 동안 매트릭스 물질을 가열함으로써 복수의 접촉 지점에서 바인딩된 매트릭스 물질을 포함하고, 상기 매트릭스 물질이 탄소를 포함하는 활성 입자와 바인더 물질을 포함하며, 다공질 장체의 적어도 약 6mg/mm의 활성 입자 로딩을 가지는 다공질.
- 몰드 캐비티에 있는 동안 매트릭스 물질을 가열함으로써 복수의 접촉 지점에서 바인딩된 매트릭스 물질을 포함하고, 상기 매트릭스 물질이 활성 입자와 바인더 물질을 포함하며,
상기 활성 입자가 나노스케일 탄소 입자, 하나 이상의 벽을 가지는 탄소 나노튜브, 탄소 나노혼, 대나무와 같은 탄소 나노구조, 풀러렌, 풀러렌 응집물, 그래핀, 레이어 그래핀, 산화 그래핀, 철 산화물 나노입자, 나노입자, 금속 나노입자, 금 나노입자, 은 나노입자, 금속 산화물 나노입자, 알루미나 나노입자, 자기 나노입자, 파라마그네틱 나노입자, 수퍼파라마그네틱 나노입자, 가돌리늄 산화물 나노입자, 헤마타이트 나노입자, 마그네타이트 나노입자, 가도-나노입자, 엔도풀러렌, Gd@C60, 코어쉘 나노입자, 어니오네이티드 나노입자, 나노쉘, 어니오네이티드 철 산화물 나노입자 및 이들의 임의의 조합을 포함하는 다공질.
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