[go: up one dir, main page]

KR20090119734A - Manufacturing method of resin composition for semiconductor element sealing - Google Patents

Manufacturing method of resin composition for semiconductor element sealing Download PDF

Info

Publication number
KR20090119734A
KR20090119734A KR1020090042436A KR20090042436A KR20090119734A KR 20090119734 A KR20090119734 A KR 20090119734A KR 1020090042436 A KR1020090042436 A KR 1020090042436A KR 20090042436 A KR20090042436 A KR 20090042436A KR 20090119734 A KR20090119734 A KR 20090119734A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
component
average particle
resin composition
particle diameter
melt
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
KR1020090042436A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR101537822B1 (en
Inventor
히로후미 오오노
쇼우이치 기무라
미노루 야마네
Original Assignee
닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 닛토덴코 가부시키가이샤 filed Critical 닛토덴코 가부시키가이샤
Publication of KR20090119734A publication Critical patent/KR20090119734A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101537822B1 publication Critical patent/KR101537822B1/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29BPREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B7/00Mixing; Kneading
    • B29B7/80Component parts, details or accessories; Auxiliary operations
    • B29B7/88Adding charges, i.e. additives
    • B29B7/90Fillers or reinforcements, e.g. fibres
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J3/00Processes of treating or compounding macromolecular substances
    • C08J3/20Compounding polymers with additives, e.g. colouring
    • C08J3/203Solid polymers with solid and/or liquid additives
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29BPREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B7/00Mixing; Kneading
    • B29B7/002Methods
    • B29B7/007Methods for continuous mixing
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29BPREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B9/00Making granules
    • B29B9/02Making granules by dividing preformed material
    • B29B9/06Making granules by dividing preformed material in the form of filamentary material, e.g. combined with extrusion
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29BPREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B9/00Making granules
    • B29B9/12Making granules characterised by structure or composition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J3/00Processes of treating or compounding macromolecular substances
    • C08J3/12Powdering or granulating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34Silicon-containing compounds
    • C08K3/36Silica
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/16Solid spheres
    • C08K7/18Solid spheres inorganic
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293Organic, e.g. plastic
    • H01L23/295Organic, e.g. plastic containing a filler
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29BPREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B7/00Mixing; Kneading
    • B29B7/30Mixing; Kneading continuous, with mechanical mixing or kneading devices
    • B29B7/34Mixing; Kneading continuous, with mechanical mixing or kneading devices with movable mixing or kneading devices
    • B29B7/38Mixing; Kneading continuous, with mechanical mixing or kneading devices with movable mixing or kneading devices rotary
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08JWORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J2363/00Characterised by the use of epoxy resins; Derivatives of epoxy resins
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K2201/00Specific properties of additives
    • C08K2201/002Physical properties
    • C08K2201/005Additives being defined by their particle size in general

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Processes Of Treating Macromolecular Substances (AREA)
  • Processing And Handling Of Plastics And Other Materials For Molding In General (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 하기 (A) 내지 (C) 성분: (A) 에폭시 수지; (B) 경화제; 및 (C) 무기질 충전제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물의 제조 방법으로서, 평균 입경이 5 μm 내지 50 μm인 (A) 성분 및 (B) 성분을 포함하고, 추가로 (C) 성분을 포함하는 혼합물을 얻는 공정; 상기 혼합물을 용융-혼련기에 공급하기 위한 용기에 저장하는 공정; 저장한 상기 혼합물을 상기 용기로부터 용융-혼련기에 공급하여 혼련 재료를 얻는 공정; 및 상기 혼련 재료를 냉각 고화하여 분쇄하는 공정을 포함하는 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention provides the following components (A) to (C): (A) an epoxy resin; (B) curing agent; And (C) a method for producing a resin composition for sealing semiconductor elements comprising an inorganic filler, comprising (A) component and (B) component having an average particle diameter of 5 µm to 50 µm, further comprising (C) component Obtaining a mixture to make; Storing the mixture in a vessel for feeding the melt-kneader; Feeding the stored mixture from the vessel to a melt-kneader to obtain a kneading material; And a process of cooling and solidifying the kneaded material to be pulverized.

반도체 소자 밀봉용 수지 조성물, 용융-혼련, 편석 억제 Resin composition for semiconductor element sealing, melt-kneading, segregation suppression

Description

반도체 소자 밀봉용 수지 조성물의 제조 방법{METHOD FOR PRODUCING RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT ENCAPSULATION}Manufacturing method of resin composition for semiconductor element sealing {METHOD FOR PRODUCING RESIN COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT ENCAPSULATION}

본 발명은 반도체 소자를 밀봉하기 위해서 이용되는 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물의 제조 방법에 관한 것이다. This invention relates to the manufacturing method of the resin composition for semiconductor element sealing used in order to seal a semiconductor element.

종래, 트랜지스터, IC, LSI 등의 반도체 소자는 에폭시 수지, 경화제 및 무기질 충전제 등을 함유하는 수지 조성물을 이용하여 밀봉되어 있다. 일반적으로 고체상의 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물의 제조에서는 배합 성분을 혼합하여 용융-혼련한 후에, 압연하여 냉각 고화한 것을 분쇄한다는 공정이 취해지고 있다(일본 특허 공개 제2007-77333호 공보, 일본 특허 공개 제2006-297701호 공보 및 일본 특허 공개 제2001-64398호 공보).Conventionally, semiconductor elements, such as a transistor, IC, and LSI, are sealed using the resin composition containing an epoxy resin, a hardening | curing agent, an inorganic filler, etc. In general, in the production of a resin composition for sealing a semiconductor device in solid state, a step is taken in which a blended component is mixed and melt-kneaded, followed by rolling and pulverizing a cooled solidified product (Japanese Patent Laid-Open No. 2007-77333, Japanese Patent). Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-297701 and Japanese Patent Laid-Open No. 2001-64398.

상기 수지 조성물의 제조 공정에서는 제조 효율을 올리기 위해서, 배합 성분의 혼합물을 미리 대량으로 제조하여, 용융-혼련기에 공급하면서 연속적으로 용융-혼련하는 것이 행해지고 있다. 예를 들면, 도 1에 나타내는 히터 (3), 로터 블레이드 (4) 및 믹싱 챔버 (5)를 갖는 용융-혼련기 (1)과, 혼합물을 용융-혼련기 (1)에 공급하기 위한 용기(이하, 공급용 용기라고 함)인 호퍼 (2)를 포함하는 용융-혼련 장치를 이용한 경우에는 대량의 혼합물을 호퍼 (2)에 일시적으로 저장하고, 호퍼 (2)로부터 용융-혼련기 (1)에 공급하여 연속적으로 용융-혼련이 행해진다.In the manufacturing process of the said resin composition, in order to raise manufacturing efficiency, the mixture of a compounding component is manufactured in advance in large quantities, and continuously melt-kneading, supplying to a melt-kneading machine is performed. For example, a melt-kneader 1 having a heater 3, a rotor blade 4, and a mixing chamber 5 shown in FIG. 1, and a container for supplying the mixture to the melt-kneader 1 ( When a melt-kneading apparatus including a hopper 2 (hereinafter referred to as a supply container) is used, a large amount of the mixture is temporarily stored in the hopper 2, and the melt-kneader 1 is removed from the hopper 2. The melt-kneading is performed continuously by supplying to the.

그러나, 혼합물을 호퍼 (2)로부터 용융-혼련기 (1)에 공급하는 사이에 배합 성분의 일부가 호퍼 (2) 내에서 편석되어, 그 결과, 용융-혼련의 초기와 후기에서는 얻어지는 수지 조성물의 조성 비율이 약간 변동되므로 수지 조성물의 물성이 변화된다는 문제가 있었다. 이 원인은 배합 성분의 일부가 호퍼 (2)의 벽면에 체류하기 때문으로 추정된다. 이 때문에, 호퍼 (2)의 형상을 바꿈으로써 개선할 수 있는 가능성도 있지만, 종래 이용되고 있는 호퍼 (2)의 형상은 다방면에 걸치기 때문에, 형상마다 제조 조건을 변경하는 것은 제조 효율의 면에서 문제가 있다.However, during the feeding of the mixture from the hopper 2 to the melt-kneader 1, a part of the compounding components segregates in the hopper 2, and as a result, of the resin composition obtained at the beginning and the end of the melt-kneading. Since the composition ratio slightly changed, there was a problem that the physical properties of the resin composition were changed. This is presumably because some of the compounding components stay on the wall surface of the hopper 2. For this reason, although there is a possibility that the shape of the hopper 2 can be improved by changing the shape of the hopper 2 conventionally used, changing the manufacturing conditions for each shape is a problem in terms of production efficiency. There is.

또한, 배합 성분의 일부의 편석은 공급용 용기로서 호퍼를 갖는 용융-혼련 장치를 이용한 경우에 한하지 않고, 리본 믹서 등을 공급 용기로서 이용하여 용융-혼련한 경우라도 발생할 수 있다.In addition, segregation of a part of the compounding components is not limited to the case of using a melt-kneading apparatus having a hopper as a supply container, but may also occur when melt-kneading using a ribbon mixer or the like as a supply container.

본 발명은 이러한 사정에 감안하여 이루어진 것으로, 혼합물을 호퍼나 리본 믹서 등의 공급용 용기로부터 용융-혼련기에 공급하여 용융-혼련하는 공정을 구비한 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물의 제조에 있어서, 공급용 용기 내에서의 성분의 체류를 공급용 용기의 형상이나 용량에 영향을 미치는 것 없이 막을 수 있고, 그 결과, 배합 성분의 일부의 편석에 의한 상기 수지 조성물의 조성 비율의 변동을 억제하여, 물성이 안정된 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. This invention is made | formed in view of such a situation, and in the manufacture of the resin composition for semiconductor element sealing provided with the process of supplying a mixture from a supply container, such as a hopper or a ribbon mixer, to a melt-kneading machine, and melt-kneading, The retention of components in the container can be prevented without affecting the shape or capacity of the supply container, and as a result, the variation of the composition ratio of the resin composition due to segregation of a part of the compounding component is suppressed, and the physical properties It aims at providing the manufacturing method of the stable resin composition for semiconductor element sealing.

구체적으로, 본 발명은 하기 (1) 내지 (3) 항목에 관한 것이다.Specifically, the present invention relates to the following items (1) to (3).

(1) 본 발명은 (A) 에폭시 수지; (B) 경화제; 및 (C) 무기질 충전제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물의 제조 방법으로서, (1) This invention is (A) epoxy resin; (B) curing agent; And (C) a method for producing a resin composition for sealing semiconductor elements comprising an inorganic filler,

평균 입경이 5 μm 내지 50 μm인 (A) 성분 및 (B) 성분을 포함하고, 추가로 (C) 성분을 포함하는 혼합물을 얻는 공정;Obtaining a mixture containing component (A) and component (B) having an average particle diameter of 5 μm to 50 μm, further comprising component (C);

상기 혼합물을 용융-혼련기에 공급하기 위한 용기에 저장하는 공정;Storing the mixture in a vessel for feeding the melt-kneader;

저장한 상기 혼합물을 상기 용기로부터 용융-혼련기에 공급하여 혼련 재료를 얻는 공정; 및Feeding the stored mixture from the vessel to a melt-kneader to obtain a kneading material; And

상기 혼련 재료를 냉각 고화하여 분쇄하는 공정 Cooling and solidifying the kneading material

을 포함하는 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물의 제조 방법.The manufacturing method of the resin composition for semiconductor element sealing containing a.

(2) (1)에 있어서, 상기 (A) 성분 및 (B) 성분의 하기 수학식 1로 표시되는 평균 입경에 있어서의 구형 환산 중량이, (C) 성분의 하기 수학식 1로 표시되는 평균 입경에 있어서의 구형 환산 중량에 대하여 0.4 내지 20배인 상기 수지 조성물의 제조 방법.(2) The average in which the spherical equivalent weight in the average particle diameter represented by following formula (1) of the said (A) component and (B) component is represented by following formula (1) of (C) component The manufacturing method of the said resin composition which is 0.4-20 times with respect to the spherical equivalent weight in particle diameter.

평균 입경 d에 있어서의 구형 환산 중량 = [πd3/6×(비중)]Spherical terms of the average particle diameter by weight d = [πd 3/6 × (weight);

(식 중, d는 레이저 회절/산란식 입도 분포 측정 장치를 이용하여 측정되는 평균 입경이고, 비중은 JIS-K6911에 따라서 측정되는 값임) (Wherein d is an average particle diameter measured using a laser diffraction / scattering particle size distribution analyzer, and specific gravity is a value measured according to JIS-K6911)

(3) (1)또는 (2)에 있어서, 상기 (A) 성분 및 (B) 성분의 평균 입경이 15 내지 25 μm인 상기 수지 조성물의 제조 방법. (3) The manufacturing method of the said resin composition of (1) or (2) whose average particle diameters of the said (A) component and (B) component are 15-25 micrometers.

본 발명에 따르면, 평균 입경이 5 μm 내지 50 μm가 되도록 조정한 에폭시 수지(A 성분) 및 경화제(B 성분)을 이용하면, 에폭시 수지(A 성분), 경화제(B 성분) 및 무기질 충전제(C 성분)의 혼합물을 호퍼나 리본 믹서 등의 공급용 용기로부터 용융-혼련기에 공급할 때에, 공급용 용기 내에서의 배합 성분의 체류를 공급용 용기의 형상이나 용량에 영향을 미치는 것 없이 막을 수 있다. 그 결과, 상기 성분의 편석을 억제하여 물성이 안정된 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물을 얻을 수 있다. According to the present invention, when an epoxy resin (component A) and a curing agent (component B) adjusted to have an average particle diameter of 5 µm to 50 µm, an epoxy resin (component A), a curing agent (component B) and an inorganic filler (C When the mixture of components) is supplied from the supply vessel such as a hopper or a ribbon mixer to the melt-kneader, the retention of the compounding component in the supply vessel can be prevented without affecting the shape or capacity of the supply vessel. As a result, segregation of the said component can be suppressed and the resin composition for semiconductor element sealing with stable physical property can be obtained.

이어서, 본 발명의 실시 형태에 대해서 자세히 설명한다.Next, embodiment of this invention is described in detail.

본 발명의 제조 방법으로 제조되는 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물은 하기 (A) 내지 (C) 성분을 포함한다.The resin composition for semiconductor element sealing manufactured by the manufacturing method of this invention contains the following (A)-(C) component.

(A) 에폭시 수지(A) epoxy resin

(B) 경화제(B) curing agent

(C) 무기질 충전제(C) inorganic filler

본 발명의 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물의 제조 방법에 있어서는 평균 입경이 5 μm 내지 50 μm로 조정된 에폭시 수지(A 성분) 및 경화제(B 성분)을 이용한다. 이들 소정의 평균 입경으로 조정되는 에폭시 수지(A 성분) 및 경화제(B 성분)는 분쇄하여 얻을 수도 있고, 미리 소정의 평균 입경이 되도록 조정된 시판품을 이용할 수도 있다.In the manufacturing method of the resin composition for semiconductor element sealing of this invention, the epoxy resin (component A) and hardening | curing agent (component B) whose average particle diameters were adjusted to 5 micrometers-50 micrometers are used. The epoxy resin (component A) and hardening | curing agent (component B) adjusted to these predetermined average particle diameters may be grind | pulverized, and the commercial item adjusted so that it may become a predetermined average particle diameter may also be used.

에폭시 수지(A 성분) 및 경화제(B 성분)의 평균 입경이 50 μm를 초과하면, 에폭시 수지(A 성분), 경화제(B 성분) 및 무기질 충전제(C 성분)의 혼합물을 공급용 용기로부터 용융-혼련기에 공급할 때에, 배합 성분의 일부가 공급용 용기 내에서 체류될 수 있다. 특히, 혼련 후기에서 수지 조성물 중의 무기질 충전제(C 성분)의 함유량이 높아지는 경향이 보인다. 또한, 평균 입경이 5 μm 미만의 에폭시 수지(A 성분) 및 경화제(B 성분)는 일반적으로 입수가 어렵고, 실용적이지 않다.When the average particle diameter of the epoxy resin (component A) and the curing agent (component B) exceeds 50 µm, a mixture of the epoxy resin (component A), curing agent (component B) and inorganic filler (component C) is melted from the supply container. When feeding to the kneader, some of the blending components may remain in the supply vessel. In particular, the content of the inorganic filler (component C) in the resin composition is increased in the late kneading. In addition, epoxy resins (component A) and curing agents (component B) having an average particle diameter of less than 5 µm are generally difficult to obtain and are not practical.

성분의 편석을 보다 효과적으로 억제하기 위해서는 평균 입경이 15 μm 내지 25 μm가 되도록 조정된 에폭시 수지(A 성분) 및 경화제(B 성분)를 이용하는 것이 바람직하다.In order to suppress segregation of a component more effectively, it is preferable to use the epoxy resin (component A) and hardening | curing agent (component B) adjusted so that average particle diameter might be 15 micrometers-25 micrometers.

에폭시 수지(A 성분), 경화제(B 성분) 및 무기질 충전제(C 성분)의 평균 입경은, 레이저 회절/산란식 입도 분포 측정 장치를 이용하여 각 성분의 모집단으로부터 임의로 추출되는 시료를 분석함으로써 측정할 수 있다.The average particle diameter of the epoxy resin (component A), the curing agent (component B) and the inorganic filler (component C) can be measured by analyzing a sample which is randomly extracted from the population of each component using a laser diffraction / scattering particle size distribution measuring device. Can be.

본 발명에 있어서는, 소정의 평균 입경으로 조정된 A 성분 및 B 성분의 하기 수학식 1로 표시되는 평균 입경에 있어서의 구형 환산 중량이, C 성분의 하기 수학식 1로 표시되는 평균 입경에 있어서의 구형 환산 중량에 대하여 0.4 내지 20배인 것이 바람직하다. 20배를 초과하면, 에폭시 수지(A 성분), 경화제(B 성분) 및 무기질 충전제(C 성분)의 혼합물을 공급용 용기로부터 용융-혼련기에 연속적으로 공급할 때에, 공급용 용기 내에서 혼합물의 체류에 의한 상기 성분의 편석이 발생하기 쉬워질 수 있다. 특히, 혼련 후기에서 제조된 수지 조성물 중의 무기질 충전제(C 성분) 함유량이 높아지는 경향이 보인다. 또한, 0.4배 미만이라도 성분의 편석이 발생하는 경향이 보인다.In this invention, the spherical equivalent weight in the average particle diameter represented by following formula (1) of A component and B component adjusted to the predetermined average particle diameter is in the average particle diameter represented by following formula (1) of C component. It is preferable that it is 0.4-20 times with respect to the spherical equivalent weight. If it exceeds 20 times, when the mixture of the epoxy resin (component A), curing agent (component B) and inorganic filler (component C) is continuously supplied from the supply vessel to the melt-kneader, the mixture remains in the supply vessel. Segregation of the above components can easily occur. In particular, there exists a tendency for content of the inorganic filler (C component) in the resin composition manufactured by the kneading | mixing late to become high. In addition, segregation of components tends to occur even if less than 0.4 times.

<수학식 1><Equation 1>

평균 입경 d에 있어서의 구형 환산 중량 = [πd3/6×(비중)]Spherical terms of the average particle diameter by weight d = [πd 3/6 × (weight);

(식 중, d는 레이저 회절/산란식 입도 분포 측정 장치를 이용하여 측정되는 평균 입경이고, 비중은 JIS-K6911에 따라서 측정되는 값임)(Wherein d is an average particle diameter measured using a laser diffraction / scattering particle size distribution analyzer, and specific gravity is a value measured according to JIS-K6911)

또한, 에폭시 수지(A 성분) 및 경화제(B 성분)를 소정의 평균 입경이 되도록 분쇄하는 경우에는 원하는 입경을 효율적으로 얻기 쉽다는 관점에서, 분쇄기로서, 예를 들면 터보밀 등을 사용할 수 있다. 이 경우, 에폭시 수지(A 성분) 및 경화제(B 성분)를 개별적으로 평균 입경이 5 μm 내지 50 μm가 되도록 분쇄할 수도 있고, 미리 에폭시 수지(A 성분) 및 경화제(B 성분)를 소정의 비율로 혼합한 후에, 평균 입경이 5 μm 내지 50 μm가 되도록 분쇄할 수도 있다. 또한, 미리 에폭시 수지(A 성분) 및 경화제(B 성분)에 무기질 충전제(C 성분)를 소정의 비율로 혼합한 후에, 평균 입경이 5 μm 내지 50 μm가 되도록 분쇄할 수도 있지만, 에폭시 수지(A 성분) 및 경화제(B 성분)의 평균 입경이나 비중을 확인하기 쉽다는 관점에서, 무기질 충전제(C 성분)와 혼합하기 전에 분쇄하는 것이 바람직하다.In addition, when grind | pulverizing an epoxy resin (component A) and a hardening | curing agent (component B) so that it may become a predetermined | prescribed average particle diameter, a turbo mill etc. can be used as a grinder from a viewpoint of being easy to obtain a desired particle diameter efficiently. In this case, the epoxy resin (component A) and the curing agent (component B) may be separately ground so as to have an average particle diameter of 5 µm to 50 µm, and the epoxy resin (component A) and the curing agent (component B) are previously prescribed in a predetermined ratio. After mixing, it may be pulverized so that the average particle diameter is 5 μm to 50 μm. Moreover, after mixing an inorganic filler (component C) with an epoxy resin (component A) and a hardening | curing agent (component B) in predetermined ratio previously, it can also grind | pulverize so that an average particle diameter may be 5 micrometers-50 micrometers, but an epoxy resin (A It is preferable to grind before mixing with an inorganic filler (component C) from a viewpoint of being easy to confirm the average particle diameter and specific gravity of a component) and a hardening | curing agent (component B).

또한, 본 발명의 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물의 제조 방법에 있어서는 에폭시 수지(A 성분), 경화제(B 성분) 및 무기질 충전제(C 성분) 이외에, 후술하는 경화 촉진제, 난연제, 카본 블랙을 비롯한 안료 등, 필요에 따라서 첨가하는 각종 첨가제를 사용할 수 있다.Moreover, in the manufacturing method of the resin composition for semiconductor element sealing of this invention, in addition to an epoxy resin (A component), a hardening | curing agent (B component), and an inorganic filler (component C), the hardening accelerator mentioned later, a flame retardant, pigments, including carbon black, etc. In addition, various additives to add as needed can be used.

이들 광학 첨가제는 에폭시 수지(A 성분) 및 경화제(B 성분)를 분쇄할 때에 첨가할 수도 있고, 에폭시 수지(A 성분), 경화제(B 성분) 및 무기질 충전제(C 성분)의 혼합시에 첨가할 수도 있다. 혼합은 혼합기로서, 예를 들면 뢰디게 믹서, 헨셀 믹서 등을 이용하여 행할 수 있다.These optical additives may be added when the epoxy resin (component A) and the curing agent (component B) are pulverized, and may be added during the mixing of the epoxy resin (component A), the curing agent (component B) and the inorganic filler (component C). It may be. Mixing can be performed as a mixer, for example using a Rodige mixer, Henschel mixer, etc.

이어서, 소정의 평균 입경이 되도록 조정한 에폭시 수지(A 성분) 및 경화제(B 성분)와, 무기질 충전제(C 성분)의 혼합물을 공급용 용기에 투입하여 용융-혼련할 때까지 저장한다.Subsequently, a mixture of the epoxy resin (component A), the curing agent (component B), and the inorganic filler (component C) adjusted to a predetermined average particle diameter is added to the supply container and stored until melt-kneading.

본 발명의 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물의 제조 방법에서 이용하는 공급용 용기는 특별히 제한되는 것은 아니고, 예를 들면 호퍼나 리본 믹서 등의 저장 기능과 공급 기능을 갖는 용기를 사용할 수 있고, 그의 용량에도 의존하지 않는다. 또한, 공급용 용기를 복수개 연결하여 이용할 수도 있다. 예를 들면, 리본 믹서의 배출구를 호퍼의 투입구에 연결한 것과 같은 용기도 사용할 수 있다.The container for supply used by the manufacturing method of the resin composition for semiconductor element sealing of this invention is not restrict | limited, For example, the container which has a storage function and a supply function, such as a hopper and a ribbon mixer, can be used, and also depends on the capacity I never do that. Moreover, you may connect and use multiple supply containers. For example, a container such as one in which the outlet of the ribbon mixer is connected to the inlet of the hopper may also be used.

그리고, 혼합물을 용융-혼련기의 용량에 따라 공급용 용기로부터 용융-혼련기에 공급하고, 60 내지 160 ℃에서 연속적으로 용융-혼련한다. 도 1에는 본 발명에서 이용되는 용융-혼련 장치의 구성 개요도를 나타내고 있다. 즉, 이 용융-혼련 장치에 있어서는 용융-혼련기 (1)에 공급용 용기로서 호퍼 (2)가 설치됨과 동시에, 용융-혼련기 (1)에는 히터 (3) 및 로터 블레이드 (4)를 구비한 믹싱 챔버 (5)가 설치된다. 그리고, 호퍼 (2)에 투입된 혼합물이 호퍼 (2)로부터 용융-혼련기 (1)의 한쪽 단부에 공급되고, 다른 단부에서 혼합물이 배출되도록 설계되어 있다.Then, the mixture is fed from the supply vessel to the melt-kneader according to the capacity of the melt-kneader and continuously melt-kneaded at 60 to 160 ° C. 1 shows a schematic configuration diagram of a melt-kneading apparatus used in the present invention. That is, in this melt-kneading apparatus, the hopper 2 is provided in the melt-kneader 1 as a supply container, and the melt-kneader 1 is provided with a heater 3 and a rotor blade 4. One mixing chamber 5 is installed. The mixture introduced into the hopper 2 is designed to be supplied from the hopper 2 to one end of the melt-kneader 1, and the mixture is discharged from the other end.

마지막으로, 얻어진 혼련 혼합물을 냉각 고화하고, 고화한 혼합물을 10 내지 2000 μm로 분쇄함으로써, 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물이 얻어진다.Finally, the obtained kneaded mixture is cooled and solidified and the solidified mixture is pulverized to 10 to 2000 µm, whereby a resin composition for semiconductor element sealing is obtained.

본 발명의 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물의 제조 방법에서 사용되는 에폭시 수지 성분(A 성분)으로서는 특별히 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀형 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 트리스(히드록시페닐)메탄형 에폭시 수지 등의 각종 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 이들 에폭시 수지는 단독으로 이용할 수도 있고 2종 이상 병용할 수도 있다. 본 발명에서 사용되는 에폭시 수지로서는, 에폭시 수지의 경화 후의 적합한 인성 및 에폭시 수지의 반응성을 확보하는 관점에서, 에폭시 당량이 150 내지 250이고, 연화점 또는 융점이 50 내지 130 ℃이고, 상온에서 고형인 것이 바람직하고, 그 중에서도 신뢰성 측면에서, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지나 비페닐형 에폭시 수지나 저급 알킬기를 페닐환에 부가한 흡저습형의 에폭시 수지를 바람직하게 사용할 수 있다.It does not specifically limit as an epoxy resin component (component A) used by the manufacturing method of the resin composition for semiconductor element sealing of this invention. For example, dicyclopentadiene type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin, phenol novolak type epoxy resin, bisphenol type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, tris (hydroxyphenyl) methane type epoxy resin, etc. Epoxy resins can be used. These epoxy resins may be used independently and may be used together 2 or more types. As the epoxy resin used in the present invention, the epoxy equivalent is 150 to 250, the softening point or the melting point is 50 to 130 ° C, and is solid at room temperature from the viewpoint of securing the suitable toughness after curing of the epoxy resin and the reactivity of the epoxy resin. Among them, in view of reliability, a cresol novolak type epoxy resin, a biphenyl type epoxy resin, or a moisture absorption type epoxy resin in which a lower alkyl group is added to the phenyl ring can be preferably used.

경화제(B 성분)로서는 에폭시 수지(A 성분)와 경화 반응을 일으키는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 산 무수물, 페놀 수지, 아민류, 티올류 등을 들 수 있지만, 그 중에서도 보존 안정성, 경화성, 경화체의 물성이 우수하다는 점에서, 페놀 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 페놀 수지는, 예를 들면 디시클로펜타디엔형 페놀 수지, 페놀 노볼락 수지, 크레졸 노볼락 수지, 페놀 아르알킬 수지 등이 이용된다. 이들 페놀 수지는 단독으로 이용할 수도 있고, 2종 이상 병용할 수도 있다. 그리고, 페놀 수지로서는 에폭시 수지(A 성분)와의 반응성 측면에서, 수산기 당량이 70 내지 250이고, 연화점이 50 내지 110 ℃인 것을 이용하는 것이 바람직하고, 그 중에서도 경화 반응성이 높다는 관점에서, 페놀 노볼락 수지를 바람직하게 이용할 수 있다. 또한, 신뢰성 측면에서 페놀 아르알킬 수지나 비페닐 아르알킬 수지와 같은 저흡습성인 것도 바람직하게 사용할 수 있다.The curing agent (component B) is not particularly limited as long as it causes a curing reaction with an epoxy resin (component A), and examples thereof include acid anhydrides, phenol resins, amines, thiols, and the like. Among them, storage stability, curability, It is preferable to use a phenol resin from the point which is excellent in the physical property of a hardened | cured material. As a phenol resin, a dicyclopentadiene type phenol resin, a phenol novolak resin, a cresol novolak resin, a phenol aralkyl resin etc. are used, for example. These phenol resins may be used independently and may be used together 2 or more types. And as a phenol resin, it is preferable to use a hydroxyl equivalent of 70-250 and a softening point of 50-110 degreeC from a viewpoint of the reactivity with an epoxy resin (component A), and especially a phenol novolak resin from a viewpoint of high hardening reactivity. Can be preferably used. In addition, a low hygroscopic property such as a phenol aralkyl resin or a biphenyl aralkyl resin can be preferably used in view of reliability.

그리고, 에폭시 수지(A 성분)와 페놀 수지(B 성분)의 배합 비율은 경화 반응성이라는 관점에서, 에폭시 수지(A 성분) 중의 에폭시기 1 당량에 대하여, 페놀 수지(B 성분) 중의 수산기의 합계가 0.5 내지 2.0 당량이 되도록 배합하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.7 내지 1.5 당량이다.And the compounding ratio of an epoxy resin (component A) and a phenol resin (component B) is 0.5 degree with respect to 1 equivalent of epoxy groups in an epoxy resin (component A) from a viewpoint of hardening reactivity. The sum total of the hydroxyl groups in a phenol resin (component B) is 0.5. It is preferable to mix | blend so that it may be -2.0 equivalent, More preferably, it is 0.7-1.5 equivalent.

무기질 충전제(C 성분)로서는, 특별히 한정되는 것은 아니고 종래 공지된 각종 충전제를 사용할 수 있다. 예를 들면, 석영 유리, 탈크, 실리카(용융 실리카나 결정성 실리카 등), 알루미나, 질화알루미늄 및 질화규소 등의 분말을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용할 수도 있고, 2종 이상 병용할 수도 있다. 그 중에서도, 얻어지는 경화체의 열 선팽창 계수가 감소하여, 내부 응력을 감소할 수 있는 결과, 수지 밀봉 후의 기판과 소자의 휘어짐을 억제할 수 있다는 점에서 실리카 분말을 이용하는 것이 바람직하고, 실리카 분말 중에서도 용융 실리카 분말을 이용하는 것이 고충전성 및 고유동성이라는 점에서 보다 바람직하다.The inorganic filler (component C) is not particularly limited, and various conventionally known fillers can be used. For example, powder, such as quartz glass, talc, silica (fused silica, crystalline silica, etc.), alumina, aluminum nitride, and silicon nitride, is mentioned. These may be used independently and may be used together 2 or more types. Among them, silica powder is preferably used in view of the fact that the thermal linear expansion coefficient of the resulting cured product is reduced and internal stress can be reduced, so that warpage of the substrate and the element after resin sealing can be suppressed. It is more preferable to use powder in terms of high filling properties and high fluidity.

무기질 충전제(C 성분)로서는 배합 성분의 편석을 보다 효과적으로 방지한다는 점에서 평균 입경이 0.5 내지 45 μm의 범위의 것을 이용하는 것이 바람직하고, 5 내지 35 μm의 범위의 것을 이용하는 것이 보다 바람직하다.As an inorganic filler (component C), in order to prevent segregation of a compounding component more effectively, it is preferable to use the thing of the range of 0.5-45 micrometers, and it is more preferable to use the thing of the range of 5-35 micrometers.

무기질 충전제(C 성분)의 함유량은 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물 전체의 50 내지 90 중량%의 범위로 설정하는 것이 바람직하다. 특히 바람직하게는 60 내지 90 중량%이다. 즉, 50 중량% 미만이면, 경화물의 선팽창 계수가 커지고, 밀봉되는 반도체 소자에 대한 응력이 커져, 기능 저하나, 온도 변화에 의한 균열이 생기기 쉬워진다. 또한, 90 중량%를 초과하면, 에폭시 수지 조성물의 점도가 높아져 성형성이 저하되는 경향이 보이기 때문이다.It is preferable to set content of an inorganic filler (C component) in 50 to 90 weight% of the whole resin composition for semiconductor element sealing. Especially preferably, it is 60 to 90 weight%. That is, if it is less than 50 weight%, the linear expansion coefficient of hardened | cured material becomes large, the stress with respect to the semiconductor element to seal becomes large, and a function fall and the crack by temperature change become easy to occur. Moreover, when it exceeds 90 weight%, it is because the tendency for the viscosity of an epoxy resin composition to become high and moldability will fall is seen.

또한, 본 발명의 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물의 제조 방법에 있어서는 에폭시 수지(A 성분), 경화제(B 성분) 및 무기질 충전제(C 성분) 이외에, 상술한 바와 같이 필요에 따라서 경화 촉진제, 난연제, 이형제, 카본 블랙을 비롯한 안료 등의 다른 첨가제를 적절하게 배합할 수 있다.Moreover, in the manufacturing method of the resin composition for semiconductor element sealing of this invention, in addition to an epoxy resin (component A), a hardening | curing agent (component B), and an inorganic filler (component C), as mentioned above, a hardening accelerator, a flame retardant, and a mold release agent as needed. And other additives such as pigments including carbon black can be appropriately blended.

본 발명에서 사용되는 경화 촉진제로서는 에폭시 수지(A 성분)와 경화제(B 성분)과의 경화 반응을 촉진시키는 것이면, 특별히 한정되는 것은 아니고, 종래 공지된 각종 경화 촉진제를 사용할 수 있다. 예를 들면, 인계 경화 촉진제, 아민계 경화 촉진제, 디아자비시클로알켄계 경화 촉진제 등을 들 수 있다.As a hardening accelerator used by this invention, if it accelerates hardening reaction of an epoxy resin (component A) and a hardening | curing agent (component B), it will not specifically limit, Conventionally well-known various hardening accelerator can be used. For example, a phosphorus hardening accelerator, an amine hardening accelerator, a diazabicyclo alkene hardening accelerator, etc. are mentioned.

난연제로서는, 예를 들면 유기 인 화합물, 산화안티몬, 수산화알루미늄이나 수산화마그네슘 등의 금속 수산화물 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 이용할 수도 있고, 2종 이상 병합하여 이용할 수도 있다.As a flame retardant, organophosphorus compound, antimony oxide, metal hydroxides, such as aluminum hydroxide and magnesium hydroxide, etc. are mentioned, for example. These may be used alone or in combination of two or more thereof.

본 발명의 제조 방법에 의해 얻어진 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물을 이용한 반도체 소자의 밀봉 방법은 특별히 한정되는 것은 아니고, 트랜스퍼 성형법 등의 공지된 성형 방법에 의해서 행할 수 있다. 또한, 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물은 이대로 분말형으로 이용할 수도 있고, 타블렛형으로 성형하여 이용할 수도 있다.The sealing method of the semiconductor element using the resin composition for semiconductor element sealing obtained by the manufacturing method of this invention is not specifically limited, It can carry out by well-known shaping | molding methods, such as a transfer molding method. In addition, the resin composition for semiconductor element sealing can also be used in powder form as it is, and can also be used by shape | molding in tablet form.

<실시예><Example>

이어서, 실시예에 대해서 비교예와 아울러 설명한다. 다만, 본 발명은 이들 실시예로 한정되는 것은 아니다.Next, an Example is demonstrated with a comparative example. However, the present invention is not limited to these examples.

우선, 하기에 나타내는 각 성분을 준비하였다.First, each component shown below was prepared.

에폭시 수지 a: 비페닐형 에폭시 수지(에폭시 당량: 190, 융점: 105 ℃, 비중: 1.2)Epoxy resin a: Biphenyl type epoxy resin (Epoxy equivalent: 190, Melting point: 105 degreeC, Specific gravity: 1.2)

에폭시 수지 b: 크레졸 노볼락형 에폭시 수지(에폭시 당량: 195, 연화점: 75 ℃, 비중: 1.2)Epoxy resin b: Cresol novolak-type epoxy resin (epoxy equivalent: 195, softening point: 75 degreeC, specific gravity: 1.2)

경화제: 페놀 노볼락 수지(수산기 당량: 110, 연화점: 100 ℃, 비중: 1.2)Curing agent: Phenolic novolac resin (hydroxyl equivalent: 110, softening point: 100 ° C, specific gravity: 1.2)

무기질 충전제 a: 평균 입경 8 μm 및 비중 2.2의 파쇄 용융 실리카 분말Inorganic filler a: Crushed fused silica powder with an average particle diameter of 8 μm and a specific gravity of 2.2

무기질 충전제 b: 평균 입경 30 μm 및 비중 2.2의 구형 용융 실리카 분말Inorganic filler b: spherical fused silica powder with an average particle diameter of 30 μm and a specific gravity of 2.2

무기질 충전제 c: 평균 입경 15 μm 및 비중 2.2의 파쇄 용융 실리카 분말Inorganic filler c: Crushed fused silica powder with an average particle diameter of 15 μm and a specific gravity of 2.2

경화 촉진제: 트리페닐포스핀Curing Accelerator: Triphenylphosphine

이형제: 카르나우바 왁스Release Agent: Carnauba Wax

실란 커플링제: γ-글리시독시프로필트리메톡시실란Silane coupling agent: γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane

안료: 카본 블랙Pigment: Carbon Black

난연제: 삼산화안티몬Flame Retardant: Antimony Trioxide

실시예 1 내지 4, 비교예 1 내지 4Examples 1-4, Comparative Examples 1-4

표 1에 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에서 제조한 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물 I 및 II의 조성을 나타내었다. 표 1에 나타내는 조성 중 에폭시 수지(A 성분) 및 경화제(B 성분)를 혼합한 후, 분쇄기로서 실시예 1 내지 4는 터보밀, 비교예 1 내지 4는 햄머밀을 이용하여 적절하게 조건을 바꿔 분쇄함으로써, 표 2 및 표 3에 나타내는 평균 입경을 갖는 에폭시 수지(A 성분) 및 경화제(B 성분)의 수지 배합물을 얻었다.Table 1 shows the compositions of the resin compositions I and II for sealing semiconductor elements prepared in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4. After mixing an epoxy resin (component A) and a hardening | curing agent (component B) in the composition shown in Table 1, Examples 1-4 were turbo mill and Comparative Examples 1-4 were changed suitably as a grinder, and conditions were changed suitably. By pulverizing, the resin compound of the epoxy resin (component A) and hardening | curing agent (component B) which have the average particle diameter shown in Table 2 and Table 3 was obtained.

그리고, 수지 배합물과 무기질 충전제(C 성분)와 표 1에 나타내는 다른 첨가제를 표 1에 나타내는 비율로 전체 성분 합계량이 100 kg이 되도록, 혼합기로서 헨셀 믹서(용량: 200 L)를 이용하여 2분간 분산 혼합함으로써 혼합물을 얻었다.Then, the resin blend, the inorganic filler (component C), and the other additives shown in Table 1 were dispersed for 2 minutes using a Henschel mixer (capacity: 200 L) as a mixer so that the total amount of all components became 100 kg at the ratio shown in Table 1. The mixture was obtained by mixing.

또한, 수지 배합물 및 무기질 충전제(C 성분)의 평균 입경은 호리바(HORIBA, Ltd.)사 제조 레이저 회절/산란식 입도 분포 측정 장치 LA-910을 이용하여 습식법으로 각 성분의 입도 분포를 측정함으로써 산출하였다.In addition, the average particle diameter of a resin compound and an inorganic filler (component C) is computed by measuring the particle size distribution of each component by the wet method using the laser diffraction / scattering particle size distribution analyzer LA-910 by HORIBA, Ltd. It was.

이어서, 혼합물을 용융-혼련 장치에 비치된 공급용 용기인 호퍼(용량: 400 L)에 투입하였다. 이 공정을 2회 반복하여, 호퍼 내의 혼합물이 합계 200 kg이 되 도록 하였다.The mixture was then introduced into a hopper (volume: 400 L), which was a supply vessel provided in the melt-kneading apparatus. This process was repeated twice to make the mixture in the hopper total 200 kg.

그리고, 호퍼 내의 혼합물을 200 kg/시간의 유량으로 호퍼로부터 스크류식 용융-혼련기에 연속적으로 공급하면서 용융-혼련(온도: 80 ℃)하였다. 스크류식 용융-혼련기로부터 배출되는 혼련 혼합물을 배출 개시로부터 3분 간격으로 6회 채취하고, 이어서 20분 후에 1회 채취하고, 또한 3분 간격으로 7회 채취하였다. 각 시간에서 채취한 각 혼련 혼합물을 캘린더 롤로 압연하여 공냉 고화하고, 공냉 고화한 각 혼련 혼합물을 해머식 분쇄기를 이용하여 분쇄하여, 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에서 각 수지 조성물의 14개의 시료를 얻었다.The mixture in the hopper was melt-kneaded (temperature: 80 ° C.) while continuously feeding the screw-type melt-kneader from the hopper at a flow rate of 200 kg / hour. The kneading mixture discharged from the screw-type melt-kneader was taken six times at three minute intervals from the start of the discharge, followed by one time after 20 minutes, and seven times at three minute intervals. Each kneaded mixture taken at each time was rolled with a calender roll to air-cool and solidified, and each kneaded mixture obtained by air-cooled was pulverized using a hammer-type grinder to obtain 14 of each resin composition in Examples 1-4 and Comparative Examples 1-4. Samples were obtained.

수지 조성물 평가 방법 1Resin composition evaluation method 1

상기 방법에서 얻어진 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에서의 각 수지 조성물의 14개의 시료 (30 g)에서 직경 30 mm의 타블렛을 가압 성형하여 80 ℃로 예비 가열한 것을 트랜스퍼 성형(가열 조건: 175 ℃×2분)으로 열 경화한 후에 175 ℃×5분의 포스트 경화를 함으로써 비중 측정용의 시험편을 얻어, 비중을 측정하였다. 그리고, 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에서의 각 수지 조성물의 14개의 시료에서 비중의 변동폭을 산출하였다. 상기 비중의 변동폭은 14개의 시료에서의 최대값과 최소값의 차이를 의미한다. 또한, 비중 측정 방법은 JIS-K6911에 준하였다.Transfer molding of a tablet having a diameter of 30 mm from the 14 samples (30 g) of each of the resin compositions in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 4 obtained by the above method and preliminary heating to 80 ° C. : 175 degreeC x 2 minutes), After performing the post hardening of 175 degreeC x 5 minutes, the test piece for specific gravity measurement was obtained, and specific gravity was measured. And the fluctuation range of specific gravity was computed in 14 samples of each resin composition in Examples 1-4 and Comparative Examples 1-4. The variation range of the specific gravity means the difference between the maximum value and the minimum value in 14 samples. In addition, the specific gravity measurement method was based on JIS-K6911.

수지 조성물 평가 방법 2Resin composition evaluation method 2

또한, 상기 방법에서 얻어진 각 수지 조성물의 14개의 시료를 이용하여, ASTM D3123-98(2004)에 준하여 175 ℃에서의 나선형 플로우 측정을 행하였다. 그 리고, 실시예 1 내지 4 및 비교예 1 내지 4에서의 각 수지 조성물의 14개의 시료에서 나선형 플로우 길이의 변동폭을 산출하였다. 상기 나선형 플로우 길이의 변동폭은 14개의 시료에서의 최대값과 최소값의 차이를 의미한다. Moreover, using 14 samples of each resin composition obtained by the said method, the spiral flow measurement in 175 degreeC was performed according to ASTMD3123-98 (2004). And the fluctuation range of the spiral flow length was computed in 14 samples of each resin composition in Examples 1-4 and Comparative Examples 1-4. The fluctuation range of the helical flow length means the difference between the maximum value and the minimum value in 14 samples.

Figure 112009029185952-PAT00001
Figure 112009029185952-PAT00001

Figure 112009029185952-PAT00002
Figure 112009029185952-PAT00002

Figure 112009029185952-PAT00003
Figure 112009029185952-PAT00003

그 결과, 표 2 및 표 3에 나타낸 바와 같이, 수지 배합물의 평균 입경이 5 μm 내지 50 μm인 실시예의 시료는 수지 배합물의 평균 입경이 50 μm를 초과한 비교예의 시료와 비교하여, 수지 조성물의 비중의 변동과 나선형 플로우 길이의 변동이 억제되어 있었다. 즉, 본 발명의 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물의 제조 방법에서는 수지 혼합물을 연속적으로 용융-혼련한 경우에, 용융-혼련 초기와 후기에서 수지 조성물의 물성의 변화가 작고, 안정된 제조를 할 수 있다. As a result, as shown in Table 2 and Table 3, the sample of the Example whose average particle diameter of the resin compound is 5 micrometers-50 micrometers compared with the sample of the comparative example whose average particle diameter of the resin compound exceeded 50 micrometers, Fluctuations in specific gravity and spiral flow length were suppressed. That is, in the manufacturing method of the resin composition for semiconductor element sealing of this invention, when the resin mixture is continuously melt-kneaded, the change of the physical property of a resin composition is small and stable manufacture can be performed in the early stage of melt-kneading and a late stage.

본 발명은 발명의 상세한 설명과 이의 특정 실시 양태를 기재하고 있지만, 당업자에게는 본 발명의 취지와 범위에서 벗어나지 않는 한 다양한 변화 및 변경을 행할 수 있다는 것이 명백할 것이다. While the present invention has been described in detail and specific embodiments thereof, it will be apparent to those skilled in the art that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention.

본 출원은 2008년 5월 15일에 제출된 일본 특허 출원 제2008-128035호에 기초하며, 상기 특허 출원의 전체는 본원에 참고로 포함된다.This application is based on Japanese Patent Application No. 2008-128035, filed on May 15, 2008, the entirety of which is incorporated herein by reference.

본원에 인용된 참조 문헌도 그 전체가 본원에 참고로 포함된다.The references cited herein are also incorporated by reference in their entirety.

도 1은 본 발명의 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물의 제조 방법에 바람직하게 이용되는 용융-혼련 장치의 구성도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a block diagram of the melt-kneading apparatus used preferably for the manufacturing method of the resin composition for semiconductor element sealing of this invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명><Brief description of symbols for the main parts of the drawings>

1 용융-혼련기1 melt-kneader

2 호퍼2 hopper

3 히터3 heater

4 로터 블레이드4 rotor blades

5 믹싱 챔버5 mixing chamber

Claims (3)

(A) 에폭시 수지; (B) 경화제; 및 (C) 무기질 충전제를 포함하는 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물의 제조 방법으로서, (A) an epoxy resin; (B) curing agent; And (C) a method for producing a resin composition for sealing semiconductor elements comprising an inorganic filler, 평균 입경이 5 μm 내지 50 μm인 (A) 성분 및 (B) 성분을 포함하고, 추가로 (C) 성분을 포함하는 혼합물을 얻는 공정;Obtaining a mixture containing component (A) and component (B) having an average particle diameter of 5 μm to 50 μm, further comprising component (C); 상기 혼합물을 용융-혼련기에 공급하기 위한 용기에 저장하는 공정;Storing the mixture in a vessel for feeding the melt-kneader; 저장한 상기 혼합물을 상기 용기로부터 용융-혼련기에 공급하여 혼련 재료를 얻는 공정; 및Feeding the stored mixture from the vessel to a melt-kneader to obtain a kneading material; And 상기 혼련 재료를 냉각 고화하여 분쇄하는 공정 Cooling and solidifying the kneaded material 을 포함하는 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물의 제조 방법.The manufacturing method of the resin composition for semiconductor element sealing containing a. 제1항에 있어서, 상기 (A) 성분 및 (B) 성분의 하기 수학식 1로 표시되는 평균 입경에 있어서의 구형 환산 중량이, (C) 성분의 하기 수학식 1로 표시되는 평균 입경에 있어서의 구형 환산 중량에 대하여 0.4 내지 20배인 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물의 제조 방법.The average particle diameter of the spherical equivalent weight in the average particle diameter represented by following formula (1) of the said (A) component and (B) component in the average particle diameter represented by following formula (1) of (C) component The manufacturing method of the resin composition for semiconductor element sealing which is 0.4-20 times with respect to the spherical equivalent weight of the. <수학식 1><Equation 1> 평균 입경 d에 있어서의 구형 환산 중량 = [πd3/6×(비중)]Spherical terms of the average particle diameter by weight d = [πd 3/6 × (weight); (식 중, d는 레이저 회절/산란식 입도 분포 측정 장치를 이용하여 측정되는 평균 입경이고, 비중은 JIS-K6911에 따라서 측정되는 값임)(Wherein d is an average particle diameter measured using a laser diffraction / scattering particle size distribution analyzer, and specific gravity is a value measured according to JIS-K6911) 제1항에 있어서, 상기 (A) 성분 및 (B) 성분의 평균 입경이 15 내지 25 μm인 반도체 소자 밀봉용 수지 조성물의 제조 방법. The manufacturing method of the resin composition for semiconductor element sealing of Claim 1 whose average particle diameters of the said (A) component and (B) component are 15-25 micrometers.
KR1020090042436A 2008-05-15 2009-05-15 Method for producing resin composition for sealing semiconductor device Expired - Fee Related KR101537822B1 (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008128035A JP5272195B2 (en) 2008-05-15 2008-05-15 Manufacturing method of resin composition for sealing semiconductor element
JPJP-P-2008-128035 2008-05-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090119734A true KR20090119734A (en) 2009-11-19
KR101537822B1 KR101537822B1 (en) 2015-07-17

Family

ID=41362953

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090042436A Expired - Fee Related KR101537822B1 (en) 2008-05-15 2009-05-15 Method for producing resin composition for sealing semiconductor device

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP5272195B2 (en)
KR (1) KR101537822B1 (en)
CN (1) CN101580629B (en)
MY (1) MY151454A (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12202174B2 (en) 2019-02-26 2025-01-21 Sumitomo Chemical Company, Limited Powder storage apparatus, melt kneader, powder storage method, and production method for thermoplastic resin composition
JP7434025B2 (en) 2019-10-02 2024-02-20 日東電工株式会社 Resin molded product for optical semiconductor encapsulation and its manufacturing method

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01293144A (en) * 1988-05-21 1989-11-27 Ain Kk Method for crushing cellulosic material and manufacture of, resin film, resin coating film, and paint
JPH0859791A (en) * 1994-08-25 1996-03-05 Matsushita Electric Works Ltd Method for producing epoxy resin composition for sealing
JP2000273278A (en) * 1999-03-23 2000-10-03 Sumitomo Bakelite Co Ltd Production of epoxy resin holding material for semiconductor sealing use
JP3916826B2 (en) * 2000-01-21 2007-05-23 株式会社リコー Method for producing toner for developing electrostatic image
JP3779975B2 (en) * 2004-02-13 2006-05-31 三菱化学株式会社 Method for producing toner for developing electrostatic image and pulverizing and classifying device for toner
CN100335541C (en) * 2005-04-15 2007-09-05 江苏中电华威电子股份有限公司 Method for preparing composition of epoxy resin for packaging semiconductor
JP2007077333A (en) * 2005-09-15 2007-03-29 Hitachi Chem Co Ltd Manufacturing method of epoxy resin molding material for sealing, epoxy resin molding material for sealing and electronic part unit
US20070207322A1 (en) * 2006-03-01 2007-09-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Semiconductor encapsulating epoxy resin composition and semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
CN101580629A (en) 2009-11-18
JP2009274336A (en) 2009-11-26
KR101537822B1 (en) 2015-07-17
MY151454A (en) 2014-05-30
CN101580629B (en) 2014-05-14
JP5272195B2 (en) 2013-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102167886B (en) Epoxy resin composition and a method for preparing the same
KR930008739B1 (en) Epoxy Resin Compositions and Molded Articles Made from the Compositions
JP5357576B2 (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation, and semiconductor device
JPH0747682B2 (en) Epoxy resin composition and cured product thereof
KR101829085B1 (en) Resin molded product and process for producing same, resin composition and process for producing same, and electronic component device
KR20090119734A (en) Manufacturing method of resin composition for semiconductor element sealing
JP5601034B2 (en) RESIN MOLDED BODY, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC PART DEVICE
JP5716426B2 (en) RESIN MOLDED BODY, ITS MANUFACTURING METHOD, AND ELECTRONIC PART DEVICE
JPH0686515B2 (en) Epoxy resin composition for semiconductor device encapsulation
US7268191B2 (en) Method for producing epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device obtained thereby
JP2012251157A (en) Semiconductor element sealing resin composition and semiconductor sealing body using the same
JP5038972B2 (en) Semiconductor sealing resin composition, method for producing the same, and semiconductor device using the same
JP2008106193A (en) Phenol resin salt of triarylalkyl phosphonium
JP4742435B2 (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2000248050A (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2003292732A (en) Thermosetting resin composition, epoxy resin molding material and semiconductor device
JP2005281619A (en) Semiconductor device using epoxy resin composition
JPS5975923A (en) Epoxy resin composition for semiconductor sealing
JP2013001893A (en) Production method of resin raw powder, resin raw powder, resin molded article and electronic component device
JP4286394B2 (en) Epoxy resin composition for semiconductor encapsulation and semiconductor device using the same
JPS6310616A (en) Sealing resin composition
JP2000248155A (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2003096268A (en) Epoxy resin composition and semiconductor device
JP2001253933A (en) Epoxy resin molding material for sealing semiconductor and semiconductor device produced by using the material
KR100479853B1 (en) Method for preparing epoxy resin composition for semiconductor encapsulant and the composition

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

Patent event code: PA01091R01D

Comment text: Patent Application

Patent event date: 20090515

PG1501 Laying open of application
A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

Patent event code: PA02012R01D

Patent event date: 20130731

Comment text: Request for Examination of Application

Patent event code: PA02011R01I

Patent event date: 20090515

Comment text: Patent Application

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

Comment text: Notification of reason for refusal

Patent event date: 20141119

Patent event code: PE09021S01D

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

Patent event code: PE07011S01D

Comment text: Decision to Grant Registration

Patent event date: 20150526

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

Comment text: Registration of Establishment

Patent event date: 20150713

Patent event code: PR07011E01D

PR1002 Payment of registration fee

Payment date: 20150713

End annual number: 3

Start annual number: 1

PG1601 Publication of registration
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180628

Year of fee payment: 4

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20180628

Start annual number: 4

End annual number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190619

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20190619

Start annual number: 5

End annual number: 5

PR1001 Payment of annual fee

Payment date: 20200622

Start annual number: 6

End annual number: 6

PC1903 Unpaid annual fee

Termination category: Default of registration fee

Termination date: 20220424