KR20090038429A - 결함 검출 장치 및 결함 검출 방법 - Google Patents
결함 검출 장치 및 결함 검출 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20090038429A KR20090038429A KR1020097000859A KR20097000859A KR20090038429A KR 20090038429 A KR20090038429 A KR 20090038429A KR 1020097000859 A KR1020097000859 A KR 1020097000859A KR 20097000859 A KR20097000859 A KR 20097000859A KR 20090038429 A KR20090038429 A KR 20090038429A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- sample
- pupil
- polarizer
- defect
- objective lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/21—Polarisation-affecting properties
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
Description
Claims (15)
- 표면에 패턴이 형성된 시료의 결함을 검사하는 장치로서,상기 시료를 얹어 놓는 스테이지와,광원과,상기 광원으로부터 출사된 광을 편광자와 대물 렌즈를 통해서 시료면에 낙사 조명하는 조명 광학계와,그 조사에 의한 상기 시료의 표면으로부터의 반사광을 상기 대물 렌즈와, 상기 편광자와 크로스니콜 조건을 만족하는 검광자를 통과시켜 상기 대물 렌즈의 동공상(瞳像)을 검출하는 검출 광학계와,얻어진 상기 동공상을 미리 기억해 둔 동공상과 비교하여 상기 시료의 결함을 검출하는 검출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
- 표면에 패턴이 형성된 시료의 결함을 검사하는 장치로서,상기 시료를 얹어 놓는 스테이지와,광원과,상기 광원으로부터 출사된 광을 편광자와 대물 렌즈를 통해서 시료면에 낙사 조명하는 조명 광학계와,그 조사에 의한 상기 시료 표면으로부터의 반사광을 상기 대물 렌즈와, 상기 편광자와 크로스니콜 조건을 만족하는 검광자를 통과시켜 상기 대물 렌즈의 동공상 을 검출하는 검출 광학계와,상기 동공상의 광축에 대하여 대칭인 부분을 서로 비교하여, 상기 시료의 결함을 검출하는 검출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 조명 광학계는 조도 균일화 유닛, 임의의 파장 대역을 선택 가능한 복수의 간섭 필터, 개구 조리개를 포함하고, 상기 대물 렌즈에 대한 조명 σ가 가변적인 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 대물 렌즈에 의한 편광 주축의 회전량이 1˚∼25˚인 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 편광자 또는 상기 검광자는 회전 기구를 포함하고,상기 편광자와 상기 검광자의 크로스니콜 관계 대신에, 상기 편광자 또는 상기 검광자를 그 광축 중심으로 회전시킴으로써 상기 편광자의 투과축과 상기 검광자의 투과축이 이루는 각이 65˚부터 89˚의 범위 내에 있도록 설정되어 있는 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 검출부에서의 시료의 결함 검출에 있어서, 상기 동공상 중, 감도가 높은 지점이 채용되어 있는 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 조명 광학계 내에, 복수의 상이한 종류의 개구 조리개가, 이들 중 하나를 선택하여 사용 가능하도록 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
- 표면에 패턴이 형성된 시료의 결함을 검사하는 방법으로서,광원으로부터 출사된 광을 편광자와 대물 렌즈를 통해 시료면에 낙사 조명하고,그 조사에 의한 상기 시료의 표면으로부터의 반사광을 상기 대물 렌즈와, 상기 편광자와 크로스니콜 조건을 만족하는 검광자를 통과시켜 상기 대물 렌즈의 동공상을 얻으며,상기 동공상을 미리 기억해 둔 동공상과 비교하여 상기 시료의 결함을 검출하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 패턴의 반복 방향을, 상기 편광자의 방위로부터 45˚ 어긋나게 하여 설정하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 패턴의 반복 방향을, 상기 편광자의 방위로부터 22.5˚ 또는 67.5˚ 어긋나게 하여 설정하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 동공상의 비교는, 상기 동공상의 방사 방향의 휘도 분포와, 미리 기억해 둔 동공상의 방사 방향의 휘도 분포의 비교인 것을 특징으로 하는 결함 검사 방법.
- 제8항에 있어서, 상기 결함의 검출은, 상기 동공상의 휘도 분포와, 미리 기억해 둔 상기 동공상의 휘도 분포의 차분과 임계값에 기초하여 행하는 것을 특징으로 하는 결함 검출 방법.
- 표면에 패턴이 형성된 시료의 결함을 검사하는 방법으로서,광원으로부터 출사된 광을 편광자와 대물 렌즈를 통해 시료면에 낙사 조명하고, 그 조사에 의한 상기 시료의 표면으로부터의 반사광을 상기 대물 렌즈와, 상기 편광자와 크로스니콜 조건을 만족하는 검광자를 통해서 검출하여 상기 대물 렌즈의 동공상을 얻으며, 이 동공상의 광축에 대한 대칭 위치를 서로 비교하여, 상기 시료의 결함을 검출하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 방법.
- 제8항 또는 제13항에 있어서, 상기 편광자와 상기 검광자의 크로스니콜 관계 대신에, 상기 편광자 또는 상기 검광자를 그 광축 중심으로 회전시킴으로써, 상기 편광자의 투과축과 상기 검광자의 투과축이 이루는 각이 65˚부터 89˚의 범위 내에 있도록 설정하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 방법.
- 제8항 또는 제13항에 있어서, 상기 시료의 결함 검출에 있어서, 상기 동공상 중, 감도가 높은 지점을 채용하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 방법.
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JPJP-P-2006-211075 | 2006-08-02 | ||
JP2006211075 | 2006-08-02 | ||
JPJP-P-2007-134968 | 2007-05-22 | ||
JP2007134968 | 2007-05-22 | ||
PCT/JP2007/064764 WO2008015973A1 (fr) | 2006-08-02 | 2007-07-27 | Appareil de détection de défauts et procédé de détection de défauts |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20090038429A true KR20090038429A (ko) | 2009-04-20 |
KR101427433B1 KR101427433B1 (ko) | 2014-08-08 |
Family
ID=38997153
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020097000859A Expired - Fee Related KR101427433B1 (ko) | 2006-08-02 | 2007-07-27 | 결함 검출 장치 및 결함 검출 방법 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8730465B2 (ko) |
JP (1) | JP5182090B2 (ko) |
KR (1) | KR101427433B1 (ko) |
CN (1) | CN101490538B (ko) |
TW (1) | TWI443327B (ko) |
WO (1) | WO2008015973A1 (ko) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150115654A (ko) * | 2014-04-04 | 2015-10-14 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 촬상 장치, 결함 검사 장치 및 결함 검사 방법 |
KR20170063317A (ko) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 검사 장치 및 검사 방법 |
KR20180078035A (ko) * | 2016-12-29 | 2018-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 검사장비 및 이를 이용한 검사방법 |
CN108872261A (zh) * | 2017-05-11 | 2018-11-23 | Hb技术有限公司 | 薄膜表面的缺陷检测装置 |
KR20190027045A (ko) * | 2017-09-05 | 2019-03-14 | 주식회사 에이치비테크놀러지 | 층간 절연체로 투명 pid를 갖는 다층레이어 패널의 표면검사장치 |
KR20190027043A (ko) * | 2017-09-05 | 2019-03-14 | 주식회사 에이치비테크놀러지 | 층간 절연체로 투명 pid를 갖는 다층레이어 패널의 척킹장치 |
KR102226532B1 (ko) * | 2020-10-20 | 2021-03-11 | 코리아스펙트랄프로덕츠(주) | 입자 계수용 광학계 |
Families Citing this family (56)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008152801A1 (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-18 | Nikon Corporation | 検査装置、検査方法およびプログラム |
US8451427B2 (en) | 2007-09-14 | 2013-05-28 | Nikon Corporation | Illumination optical system, exposure apparatus, optical element and manufacturing method thereof, and device manufacturing method |
JP5267029B2 (ja) | 2007-10-12 | 2013-08-21 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置及びデバイスの製造方法 |
KR101562073B1 (ko) | 2007-10-16 | 2015-10-21 | 가부시키가이샤 니콘 | 조명 광학 시스템, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
US8379187B2 (en) | 2007-10-24 | 2013-02-19 | Nikon Corporation | Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method |
US9116346B2 (en) | 2007-11-06 | 2015-08-25 | Nikon Corporation | Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method |
JP2009222689A (ja) * | 2008-03-19 | 2009-10-01 | Nuflare Technology Inc | 検査装置 |
KR101676333B1 (ko) * | 2008-03-28 | 2016-11-15 | 후지필름 가부시키가이샤 | 결함 검출 방법 및 장치 |
KR20110000577A (ko) * | 2008-04-11 | 2011-01-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 검사 장치 |
JPWO2009133849A1 (ja) * | 2008-04-28 | 2011-09-01 | 株式会社ニコン | 検査装置 |
JPWO2009139394A1 (ja) * | 2008-05-13 | 2011-09-22 | 株式会社ニコン | 光学検査装置 |
CN101910817B (zh) * | 2008-05-28 | 2016-03-09 | 株式会社尼康 | 照明光学系统、曝光装置以及器件制造方法 |
NL2003404A (en) * | 2008-09-16 | 2010-03-17 | Asml Netherlands Bv | Inspection method and apparatus, substrate, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method. |
NL2003497A (en) * | 2008-09-23 | 2010-03-24 | Asml Netherlands Bv | Lithographic system, lithographic method and device manufacturing method. |
WO2010050488A1 (ja) | 2008-10-31 | 2010-05-06 | 株式会社ニコン | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 |
US9182682B2 (en) | 2008-12-30 | 2015-11-10 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
TW201100787A (en) * | 2009-02-18 | 2011-01-01 | Nikon Corp | Surface examining device and surface examining method |
US20120092636A1 (en) * | 2009-04-30 | 2012-04-19 | Asml Netherlands B.V. | Metrology Apparatus, Lithography Apparatus and Method of Measuring a Property of a Substrate |
JP5411986B2 (ja) | 2009-05-12 | 2014-02-12 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィのための検査方法 |
TWI488245B (zh) * | 2009-05-19 | 2015-06-11 | United Microelectronics Corp | 檢測光阻圖案的方法 |
KR101036455B1 (ko) * | 2009-06-16 | 2011-05-24 | 한국표준과학연구원 | 하프 미러를 이용한 타원계측기 |
JP5110071B2 (ja) * | 2009-11-27 | 2012-12-26 | ウシオ電機株式会社 | 検査装置 |
JP5656242B2 (ja) * | 2010-02-02 | 2015-01-21 | 株式会社和井田製作所 | 形状計測方法、形状計測装置、及び工作機械 |
KR101793584B1 (ko) * | 2010-04-30 | 2017-11-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 검사 장치 및 검사 방법 |
CN103283002B (zh) * | 2010-10-26 | 2016-06-15 | 株式会社尼康 | 检查装置、检查方法、曝光方法、以及半导体元件的制造方法 |
US8687192B2 (en) * | 2011-03-29 | 2014-04-01 | Intel Corporation | Through silicon imaging and probing |
JP5728353B2 (ja) * | 2011-09-29 | 2015-06-03 | 株式会社Screenホールディングス | 画像取得装置および画像取得方法 |
JP5728348B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2015-06-03 | 株式会社Screenホールディングス | パターン画像表示装置およびパターン画像表示方法 |
JP5895305B2 (ja) * | 2011-12-06 | 2016-03-30 | シーシーエス株式会社 | 検査用照明装置及び検査用照明方法 |
CN105549341A (zh) | 2012-02-21 | 2016-05-04 | Asml荷兰有限公司 | 检查设备和方法 |
WO2013134068A1 (en) * | 2012-03-07 | 2013-09-12 | Kla-Tencor Corporation | Wafer and reticle inspection systems and method for selecting illumination pupil configurations |
US9128064B2 (en) * | 2012-05-29 | 2015-09-08 | Kla-Tencor Corporation | Super resolution inspection system |
US9645287B2 (en) | 2012-12-17 | 2017-05-09 | Kla-Tencor Corporation | Flexible optical aperture mechanisms |
US20150316468A1 (en) | 2014-04-30 | 2015-11-05 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Method and system for optical characterization of patterned samples |
KR20180033186A (ko) * | 2015-06-19 | 2018-04-02 | 코닝 인코포레이티드 | 결함들을 위해 기판을 검사하고 광학 기술을 이용하여 3차원으로 그러한 결함들의 위치를 찾아내는 방법 및 장치 |
JP5866586B1 (ja) * | 2015-09-22 | 2016-02-17 | マシンビジョンライティング株式会社 | 検査用照明装置及び検査システム |
US9574992B1 (en) * | 2016-01-22 | 2017-02-21 | Kla-Tencor Corporation | Single wavelength ellipsometry with improved spot size capability |
WO2018213487A1 (en) * | 2017-05-17 | 2018-11-22 | Applied Materials Israel Ltd. | Method, computer program product and system for detecting manufacturing process defects |
JP6882972B2 (ja) * | 2017-10-24 | 2021-06-02 | 株式会社日立ハイテク | 荷電粒子線装置、断面形状推定プログラム |
CN111417860B (zh) * | 2017-11-27 | 2023-04-07 | 浜松光子学株式会社 | 解析方法、解析装置、解析程序以及记录解析程序的存储介质 |
CN108188036A (zh) * | 2017-12-29 | 2018-06-22 | 福建猛狮新能源科技有限公司 | 自动检测锂电池外壳的系统 |
EP3528049A1 (en) * | 2018-02-20 | 2019-08-21 | ASML Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus with increased bandwidth |
JP7087458B2 (ja) * | 2018-03-06 | 2022-06-21 | オムロン株式会社 | 画像検査装置、画像検査方法及び画像検査プログラム |
KR102682019B1 (ko) * | 2018-06-08 | 2024-07-08 | 삼성전자주식회사 | 검사 계측 장치 그리고 그의 검사 계측 방법 |
KR102632562B1 (ko) * | 2018-08-22 | 2024-02-02 | 삼성전자주식회사 | Si 기반 검사 장치와 검사 방법, 및 그 검사 방법을 포함한 반도체 소자 제조방법 |
CN110132996A (zh) * | 2019-06-06 | 2019-08-16 | 德淮半导体有限公司 | 缺陷检测装置及其检测方法 |
CN110554048A (zh) * | 2019-09-12 | 2019-12-10 | 南京先进激光技术研究院 | 一种触摸屏ito膜不平度缺陷检测装置 |
US11150195B2 (en) * | 2019-09-25 | 2021-10-19 | Onto Innovation Inc. | Sample surface polarization modification in interferometric defect inspection |
CN112129244B (zh) * | 2020-09-21 | 2022-05-06 | 北京石晶光电科技股份有限公司 | 一种晶片倒角检测方法 |
JP7300432B2 (ja) * | 2020-10-27 | 2023-06-29 | Ckd株式会社 | 三次元計測装置 |
US20220139743A1 (en) * | 2020-11-04 | 2022-05-05 | Tokyo Electron Limited | Optical Sensor for Inspecting Pattern Collapse Defects |
CN113048894B (zh) * | 2021-03-04 | 2022-10-18 | 上海精测半导体技术有限公司 | 一种探测反射光变化的装置、方法及膜厚测量装置 |
CN113048895B (zh) * | 2021-03-04 | 2022-08-16 | 上海精测半导体技术有限公司 | 探测反射光变化的装置、方法及膜厚测量装置 |
CN114062384B (zh) * | 2021-10-27 | 2024-05-24 | 复旦大学 | 一种检测掩模版缺陷的方法和装置 |
TWI868945B (zh) * | 2023-09-23 | 2025-01-01 | 致茂電子股份有限公司 | 對石英晶圓的波紋瑕疵具有檢測能力的檢測系統及檢測方法 |
CN117470871B (zh) * | 2023-12-25 | 2024-03-08 | 苏州赛腾精密电子股份有限公司 | 检测设备 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02189448A (ja) * | 1989-01-17 | 1990-07-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体の表面保護膜欠陥検出方法 |
WO1994008229A1 (en) | 1992-09-29 | 1994-04-14 | The University Of Queensland | Detection of defects in glass |
KR960015001A (ko) * | 1994-10-07 | 1996-05-22 | 가나이 쓰토무 | 반도체 기판의 제조방법과 피검사체상의 패턴결함을 검사하기 위한 방법 및 장치 |
JP3744966B2 (ja) * | 1994-10-07 | 2006-02-15 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体基板の製造方法 |
US6288780B1 (en) | 1995-06-06 | 2001-09-11 | Kla-Tencor Technologies Corp. | High throughput brightfield/darkfield wafer inspection system using advanced optical techniques |
US6512578B1 (en) * | 1997-07-10 | 2003-01-28 | Nikon Corporation | Method and apparatus for surface inspection |
JP3610837B2 (ja) | 1998-09-18 | 2005-01-19 | 株式会社日立製作所 | 試料表面の観察方法及びその装置並びに欠陥検査方法及びその装置 |
US6690469B1 (en) * | 1998-09-18 | 2004-02-10 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for observing and inspecting defects |
JP2003042967A (ja) * | 2001-07-27 | 2003-02-13 | Hitachi Ltd | パターン欠陥検査装置 |
JP2003090803A (ja) * | 2001-09-19 | 2003-03-28 | Mitsubishi Electric Corp | 被処理基板欠陥検査装置、これを用いた半導体製造装置、及び被処理基板欠陥検査方法 |
US20040207836A1 (en) * | 2002-09-27 | 2004-10-21 | Rajeshwar Chhibber | High dynamic range optical inspection system and method |
JP2004177377A (ja) * | 2002-11-29 | 2004-06-24 | Hitachi Ltd | 検査方法および検査装置 |
JP4090986B2 (ja) | 2003-12-24 | 2008-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 線幅測定方法,基板の処理方法及び基板の処理装置 |
KR101248674B1 (ko) | 2004-06-16 | 2013-03-28 | 가부시키가이샤 니콘 | 표면 검사 장치 및 표면 검사 방법 |
US7480050B2 (en) * | 2006-02-09 | 2009-01-20 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic system, sensor, and method of measuring properties of a substrate |
US20070229833A1 (en) * | 2006-02-22 | 2007-10-04 | Allan Rosencwaig | High-sensitivity surface detection system and method |
-
2007
- 2007-07-27 KR KR1020097000859A patent/KR101427433B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-27 WO PCT/JP2007/064764 patent/WO2008015973A1/ja active Application Filing
- 2007-07-27 JP JP2008527726A patent/JP5182090B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-07-27 CN CN2007800268598A patent/CN101490538B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-01 TW TW096128167A patent/TWI443327B/zh not_active IP Right Cessation
-
2008
- 2008-12-19 US US12/314,995 patent/US8730465B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20150115654A (ko) * | 2014-04-04 | 2015-10-14 | 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 | 촬상 장치, 결함 검사 장치 및 결함 검사 방법 |
KR20170063317A (ko) * | 2015-11-30 | 2017-06-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 검사 장치 및 검사 방법 |
KR20180078035A (ko) * | 2016-12-29 | 2018-07-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 검사장비 및 이를 이용한 검사방법 |
US10495584B2 (en) | 2016-12-29 | 2019-12-03 | Lg Display Co., Ltd. | Inspection apparatus and inspection method using the same |
CN108872261A (zh) * | 2017-05-11 | 2018-11-23 | Hb技术有限公司 | 薄膜表面的缺陷检测装置 |
KR20190027045A (ko) * | 2017-09-05 | 2019-03-14 | 주식회사 에이치비테크놀러지 | 층간 절연체로 투명 pid를 갖는 다층레이어 패널의 표면검사장치 |
KR20190027043A (ko) * | 2017-09-05 | 2019-03-14 | 주식회사 에이치비테크놀러지 | 층간 절연체로 투명 pid를 갖는 다층레이어 패널의 척킹장치 |
KR102226532B1 (ko) * | 2020-10-20 | 2021-03-11 | 코리아스펙트랄프로덕츠(주) | 입자 계수용 광학계 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2008015973A1 (ja) | 2009-12-24 |
JP5182090B2 (ja) | 2013-04-10 |
TWI443327B (zh) | 2014-07-01 |
CN101490538B (zh) | 2013-03-27 |
CN101490538A (zh) | 2009-07-22 |
TW200813422A (en) | 2008-03-16 |
US8730465B2 (en) | 2014-05-20 |
KR101427433B1 (ko) | 2014-08-08 |
US20090147247A1 (en) | 2009-06-11 |
WO2008015973A1 (fr) | 2008-02-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5182090B2 (ja) | 欠陥検出装置及び欠陥検出方法 | |
WO2010050488A1 (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
JP3610837B2 (ja) | 試料表面の観察方法及びその装置並びに欠陥検査方法及びその装置 | |
JP4802481B2 (ja) | 表面検査装置および表面検査方法および露光システム | |
US8040512B2 (en) | Inspection device, inspection method, and program | |
EP2823288B1 (en) | Wafer and reticle inspection systems and method for selecting illumination pupil configurations | |
JP7427763B2 (ja) | 光学的表面欠陥物質特性評価のための方法およびシステム | |
WO2010044351A1 (ja) | 欠陥検出方法の高感度化 | |
JP4625716B2 (ja) | 欠陥検査装置及び欠陥検査方法 | |
KR20100110321A (ko) | 검사 장치 및 검사 방법 | |
KR20180058005A (ko) | 광학 검사 장치와 방법, 및 그 검사 장치를 이용한 반도체 소자 제조방법 | |
JP2008249386A (ja) | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 | |
TW201312099A (zh) | 圖案檢查裝置及方法 | |
WO2009133849A1 (ja) | 検査装置 | |
JP3956942B2 (ja) | 欠陥検査方法及びその装置 | |
EP0977029A1 (en) | Pattern inspecting apparatus | |
JP3918840B2 (ja) | 欠陥検査方法及びその装置 | |
JP4605089B2 (ja) | 表面検査装置 | |
JP4411738B2 (ja) | 表面検査装置 | |
JP5299764B2 (ja) | 評価装置および評価方法 | |
JP2011013131A (ja) | 表面検査方法 | |
JP2011133226A (ja) | 基準データの生成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0105 | International application |
Patent event date: 20090115 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20120720 Comment text: Request for Examination of Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20131127 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20140520 |
|
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20140731 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20140731 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170704 Year of fee payment: 4 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170704 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180717 Year of fee payment: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20180717 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20190719 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20200717 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
PC1903 | Unpaid annual fee |