KR20070078915A - 카본계 물질 및 금속 탄산염을 포함하는 전자 방출원, 상기전자 방출원의 제조 방법 및 상기 전자 방출원을 구비한전자 방출 소자 - Google Patents
카본계 물질 및 금속 탄산염을 포함하는 전자 방출원, 상기전자 방출원의 제조 방법 및 상기 전자 방출원을 구비한전자 방출 소자 Download PDFInfo
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- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 54
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 54
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 title claims abstract description 43
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 38
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 50
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 11
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 7
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001994 activation Methods 0.000 description 5
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 3
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCCCOCCOCCOC(C)=O VXQBJTKSVGFQOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylpropanoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)C DAFHKNAQFPVRKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 9H-xanthene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3OC2=C1 GJCOSYZMQJWQCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical class C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021387 carbon allotrope Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N ethyl carbamate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.CCOC(N)=O UHESRSKEBRADOO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- -1 for example Substances 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229940079938 nitrocellulose Drugs 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920001289 polyvinyl ether Polymers 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001285 xanthan gum Polymers 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/88—Mounting, supporting, spacing, or insulating of electrodes or of electrode assemblies
- H01J1/90—Insulation between electrodes or supports within the vacuum space
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- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
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- H01J2201/304—Field emission cathodes
- H01J2201/30446—Field emission cathodes characterised by the emitter material
- H01J2201/30453—Carbon types
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Abstract
본 발명은 카본계 물질 및 금속 탄산염(carbonate) 입자를 포함하는 전자 방출원, 상기 전자 방출원의 제조 방법 및 상기 전자 방출원을 구비한 전자 방출 소자에 관한 것이다. 상기 전자 방출원은 정밀한 패턴을 가질 수 있으며, 기판과의 부착력이 향상될 수 있다.
Description
도 1은 본 발명을 따르는 전자 방출 소자 및 전자 방출 디스플레이 장치의 구성을 개략적으로 나타낸 사시도이고,
도 2는 도 1의 II-II 선을 따라 취한 단면도이고,
도 3은 본 발명을 따르는 전자 방출원을 관찰한 SEM 사진이다.
<도면 부호의 간단한 설명>
60: 스페이서 70: 형광체층
80: 애노드 전극 90: 제2 기판
100: 전자 방출 디스플레이 장치
101: 전자 방출 소자
102: 전면 패널 103: 발광 공간
110: 제1기판 120: 캐소드 전극
130: 제1절연체층 131: 전자 방출원 홀
140: 게이트 전극 150: 전자 방출원
본 발명은 전자 방출원, 상기 전자 방출원의 제조 방법 및 상기 전자 방출원을 구비한 전자 방출 소자에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 카본계 물질 및 금속 탄산염 입자를 포함한 전자 방출원, 상기 전자 방출원의 제조 방법 및 상기 전자 방출원을 구비한 전자 방출 소자에 관한 것이다. 상기 전자 방출원은 정밀한 패턴을 가질 수 있으며, 기판과의 접착력이 향상될 수 있다.
일반적으로 전자 방출 소자는 전자 방출원으로 열음극을 이용하는 방식과 냉음극을 이용하는 방식이 있다. 냉음극을 이용하는 방식의 전자 방출 소자로는, FEA(Field Emitter Array)형, SCE(Surface Conduction Emitter)형, MIM(Metal Insulator Metal)형 및 MIS (Metal Insulator Semiconductor)형, BSE(Ballistic electron Surface Emitting)형 등이 알려져 있다.
상기 FEA형은 일함수(Work Function)가 낮거나 베타 함수(β Function)가 높은 물질을 전자 방출원으로 사용할 경우 진공 중에서 전계 차이에 의하여 쉽게 전자가 방출되는 원리를 이용한 것으로 몰리브덴(Mo), 실리콘(Si) 등을 주된 재질로 하는 선단이 뾰족한 팁(tip)구조물이나 그래파이트(graphite), DLC(Diamond Like Carbon) 등의 탄소계 물질 그리고 최근 나노 튜브(Nano Tube)나 나노와이어(Nano Wire)등의 나노 물질을 전자 방출원으로 적용한 소자가 개발되고 있다.
상기 SCE형은 제1기판 위에 서로 마주보며 배치된 제1전극과 제2전극 사이에 도전 박막을 제공하고 상기 도전 박막에 미세 균열을 제공함으로써 전자 방출원을 형성한 소자이다. 상기 소자는 상기 전극들에 전압을 인가하여 상기 도전 박막 표면으로 전류를 흘려 미세 균열인 전자 방출원으로부터 전자가 방출되는 원리를 이용한다.
상기 MIM형과 MIS형 전자 방출 소자는 각각 금속-유전층-금속(MIM)과 금속-유전층-반도체(MIS) 구조로 이루어진 전자 방출원을 형성하고, 유전층을 사이에 두고 위치하는 두 금속 또는 금속과 반도체 사이에 전압을 인가할 때 높은 전자 전위를 갖는 금속 또는 반도체로부터, 낮은 전자 전위를 갖는 금속 방향으로 전자가 이동 및 가속되면서 방출되는 원리를 이용한 소자이다.
상기 BSE형은 반도체의 사이즈를 반도체 중의 전자의 평균 자유 행정 보다 작은 치수 영역까지 축소하면 전자가 산란하지 않고 주행하는 원리를 이용하여, 오믹(Ohmic) 전극 상에 금속 또는 반도체로 이루어지는 전자 공급층을 형성하고, 전자 공급층 위에 절연체층과 금속 박막을 형성하여 오믹 전극과 금속 박막에 전원을 인가하는 것에 의하여 전자가 방출되도록 한 소자이다.
이중에서 FEA형 전자 방출 소자는 캐소드 전극과 게이트 전극의 배치 형태에 따라 크게 탑 게이트형(top gate type)과 언더 게이트형(under gate type)형으로 나눌 수 있으며, 사용되는 전극의 개수에 따라 2극관, 3극관 또는 4극관 등으로 나눌 수 있다.
전술한 바와 같은 전자 방출 소자 중, 전자 방출원 중 전자 방출 물질로서, 카본계 물질, 예를 들면, 카본나노튜브가 사용될 수 있다. 상기 카본나노튜브는 전도성 및 전계 집중 효과가 우수하고, 일함수가 낮고 전계 방출 특성이 우수하여 저전압 구동이 용이하고, 대면적화가 가능하므로 전자 방출 소자의 이상적인 전자 방출원으로 기대되고 있다.
카본나노튜브를 포함하는 전자 방출원 제조 방법은 예를 들면, CVD법 등을 이용하는 카본나노튜브 성장법, 카본나노튜브 및 비이클을 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물을 이용하는 페이스트법 등을 포함한다. 상기 페이스트법을 이용하면 제조 단가가 낮고, 대면적으로 전자 방출원을 형성할 수 있다. 카본나노튜브를 포함한 전자 방출원 형성용 조성물은 예를 들면, 미국 특허 제6,436,221호에 기재되어 있다.
그러나, 종래의 페이스트법에 따라 전자 방출원을 제작할 경우, 만족할 만한 수준의 패턴 정밀성 및/또는 기판과의 부착력을 얻을 수 없었는 바, 이의 개선이 요구된다.
본 발명은 전술한 바와 같은 종래 기술의 과제를 해결하여, 보다 정밀한 패턴 및 보다 향상된 기판과의 부착력을 얻고자, 카본계 물질 및 금속 탄산염 입자를 포함한 전자 방출원, 상기 전자 방출원의 제조 방법 및 상기 전자 방출원을 구비한 전자 방출 소자를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 본 발명의 과제를 이루기 위하여, 본 발명의 제1태양은, 카본계 물질 및 금속 탄산염(carbonate) 입자를 포함하는 전자 방출원을 제공한다.
상기 본 발명의 다른 과제를 이루기 위하여, 본 발명의 제2태양은, 카본계 물질, 금속 탄산염 입자 및 비이클을 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물을 제공하는 단계와, 상기 전자 방출원 형성용 조성물을 기판에 인쇄하는 단계와, 상기 인쇄된 전자 방출원 형성용 조성물을 소성하는 단계를 포함하는 전자 방출원 제조 방법을 제공한다.
상기 본 발명의 또 다른 과제를 이루기 위하여, 본 발명의 제3태양은, 제1기판과, 상기 제1기판 상에 배치된 캐소드 전극 및 전자 방출원과, 상기 캐소드 전극과 전기적으로 절연되도록 배치된 게이트 전극과, 상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극의 사이에 배치되어, 상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극을 절연하는 절연체층을 포함하고, 상기 전자 방출원이 카본계 물질 및 금속 탄산염 입자를 포함하는 전자 방출 소자를 제공한다.
본 발명을 따르는 전자 방출원은 카본계 물질 및 금속 탄산염을 포함하는 바, 패턴성 및 기판과의 접착력이 향상될 수 있다. 뿐만 아니라, 상기 전자 방출원을 제조하기 위하여 마련된 전자 방출원 형성용 조성물은 금속 탄산염을 포함하는 바, 일정 시간 이상 방치하여도 상분리 현상이 일어나지 않아 우수한 저장 안정성을 가질 수 있다. 또한, 상기 금속 탄산염은 가격이 저렴하고, 입수가 용이하여, 이를 채용한 전자 방출 소자의 생산성이 향상될 수 있다.
이하, 본 발명을 보다 상세히 설명한다.
본 발명을 따르는 전자 방출원은 카본계 물질 및 금속 탄산염 입자(metal carbonate particle) 입자를 포함한다.
상기 카본계 물질은 전도성 및 전자 방출 특성이 우수하여 전자 방출 소자 작동시 형광체층으로 전자를 방출시켜 형광체를 여기시키는 역할을 한다. 이러한 카본계 물질의 비제한적인 예에는 카본나노튜브, 그라파이트, 다이아몬드, 플러렌 및 탄화규소(SiC) 등이 포함된다. 이 중, 카본나노튜브가 바람직하다.
카본나노튜브는 그라파이트 시트가 나노 크기의 직경으로 둥글게 말려 튜브형태를 이루고 있는 카본동소체(allotrope)로서, 단일벽 나노튜브(single wall nanotube) 및 다중벽 나노튜브(multi wall nanotube)를 모두를 사용할 수 있다. 본 발명의 카본나노튜브는 열(Thermal) 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition: 이하, "CVD법"이라고도 함), DC 플라즈마 CVD법, RF 플라즈마 CVD법, 마이크로파 플라즈마 CVD법과 같은 CVD법을 이용하여 제조된 것일 수 있다.
한편, 본 발명을 따르는 전자 방출원은 금속 탄산염 입자를 포함한다. 상기 금속 탄산염 입자를 포함함으로써, 본 발명을 따르는 전자 방출원은 기판, 예를 들면, ITO 캐소드 전극과의 부착력이 항샹될 수 있다. 뿐만 아니라, 상기 전자 방출원을 금속 탄산염을 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물을 이용하여 형성할 경우, 상기 전자 방출원의 패턴성 및 해상도가 향상될 수 있다. 따라서, 상기 전자 방출원은 정밀한 패턴을 가질 수 있다.
상기 금속 탄산염 입자는 10nm 내지 500nm, 바람직하게는 100nm 내지 200nm의 입경을 갖는 것이 바람직하다. 상기 금속 탄산염 입자의 입경이 10nm 미만인 경우, 제조 상의 어려움과 단가가 비싸지는 문제점이 있을 수 있고, 상기 금속 탄 산염 입자의 입경이 500nm를 초과할 경우, 전자 방출원의 패턴성 및 해상도가 불량해지는 문제점이 있을 수 있기 때문이다.
상기 금속 탄산염 입자는 결정질 입자 또는 비정질 입자 모두를 다양하게 사용할 수 있다.
상기 금속 탄산염 입자는 탄산칼슘, 탄산나트륨 및 탄산칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 금속 탄산염 입자의 함량은 카본계 물질 100중량부 당 500중량부 내지 4000중량부, 바람직하게는 1000중량부 내지 2000중량부일 수 있다. 상기 금속 탄산염 입자의 함량이 카본계 물질 100중량부 당 500중량부 미만인 경우, 기판과의 부착력이 만족스러운 정도로 향상될 수 없을 수 있고, 상기 금속 탄산염 입자의 함량이 카본계 물질 100중량부 당 4000중량부를 초과할 경우, 상대적으로 카본계 물질의 함량이 감소하여, 전자 방출원의 전계 방출 성능이 감소할 수 있고, 균일한 형상을 갖는 전자 방출원을 제조하기 어렵기 때문이다.
상기 전자 방출원은 카본계 물질 및 금속 탄산염 입자 외에, 전자 방출원 형성용 조성물 중 존재하였던 각종 유기물, 예를 들면, 비이클 등의 잔탄이 소량 존재할 수도 있다. 이는, 본 발명을 따르는 전자 방출원의 제조 방법을 이해한 당업자에게 용이하게 인식가능한 것이다.
이와 같은 본 발명의 전자 방출원을 제조하는 방법은, 예를 들면, 카본계 물질, 금속 탄산염 입자 및 비이클을 포함하는 상기 전자 방출원 형성용 조성물의 제공 단계; 상기 전자 방출원 형성용 조성물의 인쇄 단계; 및 상기 인쇄된 전자 방출 원 형성용 조성물의 소성 단계를 포함한다.
먼저, 카본계 물질, 금속 탄산염 입자 및 비이클을 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물을 준비한다. 이 중, 카본계 물질 및 금속 탄산염 입자에 대한 상세한 설명은 전술한 바를 참조한다.
본 발명을 따르는 전자 방출원 형성용 조성물은 카본계 물질 및 비이클 이외에 금속 탄산염 입자를 포함하는 바, 일정 시간 방치하여도 상분리 현상이 일어나지 않는다. 따라서, 상기 금속 탄산염 입자를 포함한 전자 방출원 형성용 조성물은 저장 안정성이 우수하여, 본 발명을 따르는 전자 방출원의 생산성을 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 전자 방출원 조성물에 포함된 비이클은 전자 방출원 형성용 조성물의 인쇄성 및 점도를 조절하며, 카본계 물질 및 금속 탄산염 입자를 운반하는 역할을 한다. 상기 비이클은 수지 성분 및 용매 성분을 포함할 수 있다.
상기 수지 성분은 예를 들면, 에틸 셀룰로오스, 니트로 셀룰로오스 등과 같은 셀룰로오스계 수지; 폴리에스테르 아크릴레이트, 에폭시 아크릴레이트 및 우레탄 아크릴레이트 등과 같은 아크릴계 수지; 폴리비닐 아세테이트, 폴리비닐 부티랄, 폴리비닐 에테르 등과 같은 비닐계 수지 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 상기 수지 성분 중 일부 이상은 후술하는 바와 같은 감광성 수지의 역할도 할 수 있다.
상기 용매 성분은 예를 들면, 터피네올(terpineol), 부틸 카르비톨(butyl carbitol:BC), 부틸 카르비톨 아세테이트(butyl carbitol acetate:BCA), 톨루엔 (toluene) 및 텍사놀(texanol) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 이 중, 터피네올을 포함하는 것이 바람직하다.
상기 수지 성분의 함량은 카본계 물질 100중량부를 기준으로 하여 100 내지 500중량부, 보다 바람직하게는 200 내지 300중량부일 수 있다. 한편, 상기 용매 성분의 함량은 카본계 물질 100중량부를 기준으로 하여 500 내지 1500중량부, 바람직하게는 800 내지 1200중량부일 수 있다. 상기 수지 성분과 용매 성분으로 이루어진 비이클의 함량이 상기 범위를 벗어나는 경우에는 전자 방출원 형성용 조성물의 인쇄성 및 흐름성이 저하되는 문제점이 생길 수 있다. 특히, 비이클의 함량이 상기 범위를 초과하는 경우에는 건조시간이 지나치게 길어질 수 있다는 문제점이 있다.
또한, 본 발명의 전자 방출원 형성용 조성물은 필요에 따라 감광성 수지 및 광개시제, 접착 성분 등을 더 포함할 수 있다.
상기 감광성 수지는 전자 방출원 형성시 패터닝에 사용되는 물질로서, 예를 들면, 아크릴레이트계 모노머, 벤조페논계 모노머, 아세토페논계 모노머, 또는 티오크산톤계 모노머 등이 사용될 수 있다. 보다 구체적으로는 에폭시 아크릴레이트, 폴리에스테르 아크릴레이트, 2,4-디에틸옥산톤(2,4-diethyloxanthone), 또는 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논 등이 사용될 수 있다.
상기 감광성 물질의 함량은 카본계 물질 100중량부를 기준으로 300 내지 1000중량부, 바람직하게는 500 내지 800중량부일 수 있다. 감광성 수지의 함량이 카본계 물질 100중량부를 기준으로 300중량부 미만인 경우에는 노광 감도가 떨어지 고, 카본계 물질 100중량부를 기준으로 1000중량부를 초과하는 경우에는 현상이 잘 되지 않기 때문에 바람직하지 못하다.
본 발명을 따르는 전자 방출원 형성용 조성물은 광개시제를 더 포함할 수 있다. 상기 광개시제는 상기 감광성 물질이 노광될 때 감광성 물질의 가교결합을 개시하는 역할을 하는 것으로서, 공지된 물질 중에서 선택될 수 있다. 예를 들면, 벤조페논 등이 사용될 수 있다.
상기 광개시제의 함량은 카본계 물질 100중량부를 기준으로 하여 300 내지 1000중량부, 바람직하게는 500 내지 800중량부일 수 있다. 광개시제의 함량이 카본계 물질 100중량부를 기준으로 하여 300중량부 미만인 경우에는 효율적인 가교결합이 이루어지지 않아 패턴 형성에 문제가 생길 수 있고, 카본계 물질 100중량부를 기준으로 1000중량부를 초과하면 제조비용 상승의 원인이 될 수 있기 때문이다.
상기 접착 성분은 전자 방출원을 기판에 부착시키는 역할을 하는 것으로서, 예를 들면, 무기 바인더 등일 수 있다. 이러한 무기 바인더의 비제한적인 예에는 프리트, 실란, 물유리 등이 포함되며, 이들 중 2 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 상기 프리트는 예를 들면, 산화납-산화아연-보론옥사이드(PbO-ZnO-B2O3) 성분으로 이루어질 수 있다. 상기 무기 바인더 중 프리트가 바람직하다.
전자 방출원 형성용 조성물 중 무기 바인더의 함량은 카본계 물질 100중량부를 기준으로 하여 10 내지 50중량부, 바람직하게는 15 내지 35중량부 일 수 있다. 무기 바인더의 함량이 카본계 물질 100중량부를 기준으로 하여 10중량부 미만인 경 우에는 만족할 만한 접착력을 얻을 수 없고, 50중량부를 초과하는 경우에는 인쇄성이 저하될 수 있다는 문제점이 있다.
전술한 바와 같은 물질을 포함하는 본 발명의 전자 방출원 형성용 조성물은 3,000 내지 50,000cps, 바람직하게는 5,000 내지 30,000cps의 점도를 가질 수 있다. 상기 점도 범위를 벗어나는 경우, 작업성이 불량해 지는 문제점이 발생할 수 있다.
이 후, 상기 제공된 전자 방출원 형성용 조성물을 기판에 인쇄한다. 상기 "기판"이란 전자 방출원이 형성될 기판으로서, 형성하고자 하는 전자 방출 소자에 따라 상이할 수 있으며, 이는 당업자에게 용이하게 인식가능한 것이다. 예를 들면, 상기 "기판"이란, 캐소드 전극과 애노드 전극 사이에 게이트 전극이 구비된 형태의 전자 방출 소자를 제조하는 경우에는 캐소드 전극이 될 수 있다.
전자 방출원 형성용 조성물을 인쇄하는 단계는, 예를 들면, 별도의 포토레지스트 패턴을 이용한 포토리소그래피 공정을 이용할 수 있다. 먼저, 포토레지스트 막을 기판 상부에 형성한 다음, 전자 방출원 형성용 조성물의 인쇄, 노광 및 현상을 거쳐 전자 방출원 형성용 조성물을 전자 방출원 형성 영역에 인쇄할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
전술한 바와 같이 인쇄된 전자 방출원 형성용 조성물은 소성 단계를 거친다. 소성 단계를 통하여 전자 방출원 형성용 조성물 중 카본계 물질 및 금속 탄산염 입자는 기판과의 접착력이 향상될 수 있고, 일부 이상의 비이클은 휘발되고, 다른 무기 바인더 등이 용융 및 고형화되어 전자 방출원의 내구성 향상에 기여할 수 있게 된다. 소성 온도는 전자 방출원 형성용 조성물에 포함된 비이클의 휘발 온도 및 시간을 고려하여 결정되어야 한다. 통상적인 소성 온도는 400℃ 내지 500℃, 바람직하게는 450℃이다. 소성 온도가 400℃ 미만이면 비이클 등의 휘발이 충분히 이루어지지 않는다는 문제점이 발생할 수 있고, 소성 온도가 500℃를 초과하면 제조 비용이 상승하고, 기판이 손상될 수 있다는 문제점이 발생할 수 있기 때문이다.
상기 소성 단계는 카본계 물질의 열화를 방지하기 위하여 불활성 가스의 존재 하에서 수행될 수 있다. 상기 불활성 가스는 예를 들면, 질소 가스, 아르곤 가스, 네온 가스, 크세논 가스 및 이들 중 2 이상의 혼합 가스일 수 있다.
이와 같이 소성된 소성 결과물 표면은 선택적으로, 카본계 물질의 수직배향, 표면 노출 등을 위하여 활성화 단계를 거친다. 상기 활성화 단계의 일 구현예에 따르면, 열처리 공정을 통하여 필름 형태로 경화될 수 있는 용액, 예를 들면 폴리이미드계 고분자를 포함하는 전자 방출원 표면 처리제를 상기 소성 결과물 상에 도포한 후, 이를 열처리한 다음, 상기 열처리로 형성된 필름을 박리한다. 활성화 단계의 다른 구현예에 따르면 소정의 구동원으로 구동되는 롤러 표면에 접착력을 갖는 접착부를 형성하여 상기 소성 결과물 표면에 소정의 압력으로 가압함으로써 활성화 공정을 수행할 수도 있다. 이러한 활성화 단계를 통하여 카본계 물질이 전자 방출원 표면으로 노출되거나 수직배향되도록 제어될 수 있다.
본 발명을 따르는 전자 방출원은, 전술한 바와 같은 본 발명을 따르는 전자 방출원 제조 방법에 따라 제조된 전자 방출원일 수 있다.
본 발명을 따르는 전자 방출 소자는, 제1기판과, 상기 제1기판 상에 배치된 캐소드 전극 및 전자 방출원과, 상기 캐소드 전극과 전기적으로 절연되도록 배치된 게이트 전극과, 상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극의 사이에 배치되어, 상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극을 절연하는 절연체층을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 전자 방출원은 전술한 바와 같이 카본계 물질 및 금속 탄산염 입자를 포함한다. 한편, 상기 전자 방출원은 전술한 바와 같은 본 발명을 따르는 전자 방출원 제조 방법에 따라 제조된 전자 방출원일 수 있다.
상기 전자 방출 소자는, 상기 게이트 전극의 상측을 덮는 제2절연체층을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 제2 절연체층에 의하여 상기 게이트 전극과 절연되고, 상기 게이트 전극과 나란한 방향으로 배치된 집속 전극을 더 포함할 수 있는 등, 다양한 변형예가 가능하다.
상기 전자 방출 소자는 다양한 전자 장치, 예를 들면, LCD(Liquid Crystal Display) 등의 백라이트 유니트 등으로 사용되거나, 전자 방출 디스플레이 장치에 사용될 수 있다.
이 중, 본 발명을 따르는 전자 방출 디스플레이 장치는, 제1기판과, 상기 제1 기판 상에 배치된 복수 개의 캐소드 전극과, 상기 캐소드 전극들과 교차하도록 배치된 복수 개의 게이트 전극과, 상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극의 사이에 배치되어 상기 캐소드 전극들과 상기 게이트 전극들을 절연하는 절연체층과, 상기 캐소오드 전극과 상기 게이트 전극이 교차하는 지점에 형성된 전자 방출원 홀과, 상기 전자 방출원 홀 내에 배치된 전자 방출원과, 상기 제1 기판과 실질적으로 평행하게 배치되는 제2을 포함할 수 있다. 이 때, 상기 전자 방출원은 전술한 바와 같은 카본계 물질 기판과, 상기 제2 기판에 배치된 애노드 전극과, 상기 애노드 전극에 배치된 형광체층및 금속 탄산염 입자를 포함한다. 한편, 상기 전자 방출원은 전술한 바와 같은 본 발명을 따르는 전자 방출원 제조 방법에 따라 제조된 전자 방출원일 수 있다. 이로써, 광전소자에 의한 추가 전자 방출이 가능하여, 우수한 휘도를 가질 수 있다.
도 1에는, 본 발명을 따르는 전자 방출 디스플레이 장치 중 탑 게이트형 전자 방출 디스플레이 장치의 개략적인 구성을 보여주는 부분 사시도가 도시되어 있고, 도 2에는 도 1의 II-II 선을 따라 취한 단면도가 도시되어 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 것과 같이, 전자 방출 디스플레이 장치(100)는 나란하게 배치되어 진공인 발광 공간(103)을 형성하는 전자 방출 소자(101) 및 전면 패널(102)과, 상기 전자 방출 소자(101) 및 전면 패널(102) 사이의 간격을 유지하여 주는 스페이서(60)를 구비한다.
상기 전자 방출 소자(101)는, 제1기판(110), 상기 제1기판(110) 상에 교차되도록 배치된 게이트 전극(140)들과 캐소드 전극(120)들 및 상기 게이트 전극(140)과 상기 캐소드 전극(120) 사이에 배치되어 상기 게이트 전극(140)과 상기 캐소드 전극(120)을 전기적으로 절연하는 절연체층(130)을 구비한다.
상기 게이트 전극(140)들과 상기 캐소드 전극(120)들이 교차하는 영역들에는 전자 방출원 홀(131)들이 형성되어 있으며, 그 내부에 전자 방출원(150)이 배치되어 있다.
상기 전면 패널(102)은 제2기판(90), 상기 제2기판(90)의 저면에 배치된 애 노드 전극(80), 상기 애노드 전극(80)의 저면에 배치된 형광체층(70)을 구비한다.
본 발명을 따르는 전자 방출 디스플레이 장치는 상기 도 1 및 도 2를 예로 들어 설명하였으나, 제2절연체층 및/또는 집속전극을 더 포함하는 전자 방출 디스플레이 장치 등과 같은 다양한 변형예가 가능함은 물론이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예 및 비교예를 기재한다. 하기 실시예는 본 발명을 보다 명확히 표현하기 위한 목적으로 기재되는 것일 뿐 본 발명의 내용이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예]
제조예
먼저, 터피네올 10g에 카본나노튜브 분말(CNI 사 제품임) 1g, 글라스 프리트(8000L, 신흥요업사 제품) 0.2g, 폴리에스테르 아크릴레이트 5g, 벤조페논 5g, 탄산칼슘 입자(평균 100nm의 입경을 가짐, 동호칼슘사 제품임) 10g을 첨가한 다음 교반하여, 30,000cps의 점도를 갖는 전자 방출원 형성용 조성물을 제조하였다. 이를 조성물 1이라고 한다.
비교
제조예
상기 제조예 중, 탄산칼슘 입자 대신 SiO2 입자를 사용하였다는 점을 제외하고는 상기 제조예와 동일한 방법에 따라 전자 방출원 형성용 조성물을 제조하였다. 이를 조성물 A라고 한다.
평가예
- 전자
방출원
형성용 조성물의 저장 안정성 평가
상기 조성물 1 및 조성물 A의 제조 직후, 이를 36 시간동안 정치시킨 다음, 조성물 중 상분리 여부를 관찰하였다. 그 결과, 조성물 1은 상분리 현상없이 모든 고형분이 액체 성분 상에 고루 분산되어 있었지만, 조성물 A는 상분리 현상이 일어났으나, 본 발명을 따르는 조성물 1은 상분리 현상이 일어나지 않았다. 이로써, 본 발명을 따르는 전자 방출원 형성용 조성물은 우수한 저장 안정성을 가짐을 확인할 수 있다.
실시예
상기 제조예로부터 얻은 조성물 1을 Cr 게이트 전극, 절연체층 및 ITO 전극이 구비된 기판을 준비한 상에 도포한 다음, 2000 mJ/cm2의 노광 에너지로 평행 노광기를 이용하여 조사하였다. 이 후, 아세톤을 이용하여 현상하여, 전자 방출원 형성 영역에 전자 방출원 형성용 조성물을 인쇄하였다. 이 후, 450℃의 온도 및 질소 가스의 존재 하에서 소성하여 전자 방출원을 형성하였다. 이를 샘플 1이라고 한다.
평가예
2 - 전자
방출원
관찰
상기 샘플 1 중, 전자 방출원을 SEM을 이용하여 관찰하여, 그 결과를 도 3에 나타내었다. 그 결과, 본 발명을 따르는 전자 방출원은 하부의 캐소드 전극으로부터 박리되지 않으면서, 정밀한 패턴을 가짐을 확인할 수 있다.
본 발명의 전자 방출원은 카본계 물질 외에 금속 탄산염 입자를 포함하는 바 , 기판과의 부착력이 향상될 수 있으며, 정밀한 패턴을 가질 수 있다. 또한, 상기 전자 방출원은 카본계 물질, 금속 탄산염 및 비이클을 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물로부터 제조될 수 있는데, 상기 전자 방출원 형성용 조성물은 금속 탄산염 입자를 함유하는 바, 일정 시간 이상 방치하여도 상분리가 일어나지 않으므로 우수한 저장 안정성을 가질 수 있는 바, 전자 방출원의 생산성을 향상시킬 수 있다. 뿐만 아니라, 상기 금속 탄산염 입자는 저렴하며, 입수가 용이하여, 본 발명을 따르는 전자 방출원의 생산 단가를 크게 감소시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예 등을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (9)
- 카본계 물질 및 금속 탄산염(carbonate) 입자를 포함하는 전자 방출원.
- 제1항에 있어서,상기 금속 탄산염 입자의 입경이 10nm 내지 500nm인 것을 특징으로 하는 전자 방출원.
- 제1항에 있어서,상기 금속 탄산염 입자가 결정질 또는 비결정질인 것을 특징으로 하는 전자 방출원.
- 제1항에 있어서,상기 금속 탄산염 입자가 탄산칼슘, 탄산나트륨 및 탄산칼륨으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 전자 방출원.
- 제1항에 있어서,상기 금속 탄산염 입자의 함량이 카본계 물질 100중량부 당 500중량부 내지 4000중량부인 것을 특징으로 하는 전자 방출원.
- 카본계 물질, 금속 탄산염 입자 및 비이클을 포함하는 전자 방출원 형성용 조성물을 제공하는 단계;상기 전자 방출원 형성용 조성물을 기판에 인쇄하는 단계; 및상기 인쇄된 전자 방출원 형성용 조성물을 소성하는 단계;를 포함하는 전자 방출원 제조 방법.
- 제6항에 있어서, 상기 전자 방출원 형성용 조성물의 인쇄 단계를 상기 전자 방출원 형성용 조성물을 기판에 도포한 다음 전자 방출원 형성 영역에 따라 노광 및 현상시킴으로써 수행하는 것을 특징으로 하는 전자 방출원 제조 방법.
- 제1기판;상기 제1기판 상에 배치된 캐소드 전극 및 전자 방출원;상기 캐소드 전극과 전기적으로 절연되도록 배치된 게이트 전극; 및상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극의 사이에 배치되어, 상기 캐소드 전극과 상기 게이트 전극을 절연하는 절연체층;을 포함하고, 상기 전자 방출원이 카본계 물질 및 금속 탄산염 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
- 제8항에 있어서, 상기 게이트 전극의 상측을 덮는 제2절연체층과, 상기 제2 절연체층에 의하여 상기 게이트 전극과 절연되고, 상기 게이트 전극과 나란한 방향 으로 배치된 집속 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 방출 소자.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060009353A KR20070078915A (ko) | 2006-01-31 | 2006-01-31 | 카본계 물질 및 금속 탄산염을 포함하는 전자 방출원, 상기전자 방출원의 제조 방법 및 상기 전자 방출원을 구비한전자 방출 소자 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020060009353A KR20070078915A (ko) | 2006-01-31 | 2006-01-31 | 카본계 물질 및 금속 탄산염을 포함하는 전자 방출원, 상기전자 방출원의 제조 방법 및 상기 전자 방출원을 구비한전자 방출 소자 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070078915A true KR20070078915A (ko) | 2007-08-03 |
Family
ID=38599724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060009353A Ceased KR20070078915A (ko) | 2006-01-31 | 2006-01-31 | 카본계 물질 및 금속 탄산염을 포함하는 전자 방출원, 상기전자 방출원의 제조 방법 및 상기 전자 방출원을 구비한전자 방출 소자 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20070078915A (ko) |
-
2006
- 2006-01-31 KR KR1020060009353A patent/KR20070078915A/ko not_active Ceased
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20060131 |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20110113 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20060131 Comment text: Patent Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20120116 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E601 | Decision to refuse application | ||
| PE0601 | Decision on rejection of patent |
Patent event date: 20120329 Comment text: Decision to Refuse Application Patent event code: PE06012S01D Patent event date: 20120116 Comment text: Notification of reason for refusal Patent event code: PE06011S01I |