KR20070054634A - 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (39)
- 액침 영역의 액체를 통하여 기판을 노광하는 노광 장치로서,상기 액체를 공급하는 공급구 및 상기 액체를 회수하는 회수구 중 적어도 일방을 갖는 노즐 부재와,상기 노즐 부재와 대향 배치된 물체의 표면 위치에 따라, 상기 노즐 부재의 위치 및 기울기 중 적어도 일방을 조정하는 노즐 조정 기구를 구비한, 노광 장치.
- 제 1 항에 있어서,투영 광학계를 추가로 구비하고,상기 투영 광학계와 상기 액침 영역의 액체를 통하여 상기 기판을 노광하는, 노광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 노즐 부재는, 상기 물체의 표면과 대향하는 하면 (下面) 을 갖고,상기 노즐 조정 기구는, 상기 노즐 부재의 하면과 상기 물체의 표면 사이의 상대 거리 및 상대 경사 중 적어도 일방을 조정하는, 노광 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 노즐 조정 기구는, 상기 상대 거리 및 상대 경사 중 적어도 일방을 소 정 상태로 유지하도록 조정하는, 노광 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 노즐 부재는, 상기 투영 광학계를 둘러싸도록 환상으로 형성되고,상기 노즐 부재의 하면 및 상기 투영 광학계의 하면과, 상기 물체의 표면 사이에 상기 액침 영역이 형성되는, 노광 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 물체는 상기 기판을 포함하고,상기 기판은 소정 방향으로 이동하면서 주사 노광되고,상기 노즐 조정 기구는 상기 주사 노광 중에 상기 노즐 부재를 조정하는, 노광 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 기판 표면과 상기 투영 광학계의 이미지면의 위치 관계를 조정하는 포커스 조정 기구를 구비하고,상기 포커스 조정 기구는, 상기 위치 관계를 조정하기 위해 상기 주사 노광 중에 있어서 상기 기판의 위치 또는 자세를 변화시키고,상기 노즐 조정 기구는, 상기 주사 노광 중의 상기 기판 표면의 면위치의 변화에 추종하도록, 상기 노즐 부재를 조정하는, 노광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 물체의 표면의 면위치 정보에 기초하여, 상기 노즐 조정 기구는 상기 노즐 부재를 조정하는, 노광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 물체의 표면의 면위치 정보를 검출하는 검출계를 추가로 구비하고,상기 노즐 조정 기구는 상기 검출계의 검출 결과에 기초하여, 상기 노즐 부재를 조정하는, 노광 장치.
- 제 9 항에 있어서,상기 노즐 부재를 지지하는 지지 부재와,상기 지지 부재에 대하여 상기 노즐 부재를 구동하는 구동 기구를 구비하고,상기 검출계의 검출 결과에 기초하여, 상기 구동 기구는 상기 노즐 부재를 구동하는, 노광 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 액침 영역은 상기 물체 상에 국소적으로 형성되고,상기 노즐 조정 기구는, 상기 노즐 부재의 하면과 상기 물체의 표면과의 상대 거리 및 상대 경사 중 적어도 일방을 소정 상태로 유지하기 위해, 상기 액침 영 역보다 외측의 상기 물체의 표면에 기체를 분무하는 취출구를 갖는 기체 취출 기구를 포함하는, 노광 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 기체 취출 기구는, 상기 노즐 부재의 외측에 접속되고, 상기 물체의 표면과 대향하는 하면을 갖는 취출 부재를 갖고,상기 취출구는 상기 취출 부재의 하면에 형성되어 있는, 노광 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 취출구는 상기 노즐 부재를 둘러싸도록 복수 형성되어 있는, 노광 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 취출구는 상기 노즐 부재의 하면에 형성되어 있는, 노광 장치.
- 제 11 항에 있어서,상기 기체 취출 기구는 상기 액침 영역의 에지부 근방에 기체를 분출하는, 노광 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 회수구는 상기 공급구보다 상기 투영 광학계의 광축에 대해서 외측에 형성되어 있는, 노광 장치.
- 제 2 항, 제 7 항 또는 제 15 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 노즐 부재는, 상기 투영 광학계를 둘러싸도록 형성되고, 상기 공급구를 갖는 제 1 노즐 부재와, 그 상기 제 1 노즐 부재의 외측을 둘러싸도록 형성되고, 상기 회수구를 갖는 제 2 노즐 부재를 구비하고,상기 노즐 조정 기구는 상기 제 2 노즐 부재를 조정하는, 노광 장치.
- 제 17 항에 있어서,상기 제 1 노즐 부재는 상기 투영 광학계를 구성하는 광학 소자를 유지하는 유지 부재에 접속되어 있는, 노광 장치.
- 제 17 항에 있어서,상기 제 1 노즐 부재는 상기 투영 광학계를 구성하는 광학 소자를 유지하는 유지 부재에 포함되어 있는, 노광 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 투영 광학계의 이미지면측 근방에 형성되고, 상기 액체를 공급하는 공급구를 갖는 제 1 노즐 부재와,상기 투영 광학계의 광축에 대해서 상기 제 1 노즐 부재의 외측에 형성되고, 상기 액체를 회수하는 회수구를 갖는 제 2 노즐 부재와,상기 제 1 노즐 부재에 대해서 상기 제 2 노즐 부재를 떨어뜨린 상태에서 지지하는 지지 기구를 구비하고,상기 제 1 노즐 부재는, 상기 투영 광학계를 구성하는 복수의 광학 소자 중, 가장 이미지면 측에 가까이 배치된 제 1 광학 소자를 유지하는, 노광 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 제 1 노즐 부재는 상기 투영 광학계를 둘러싸도록 환상으로 형성되고,상기 제 2 노즐 부재는 상기 제 1 노즐 부재의 외측을 둘러싸도록 환상으로 형성되어 있는, 노광 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 지지 기구는, 상기 제 2 노즐 부재를 지지하는 지지 부재와, 상기 제 2 노즐 부재의 진동이 상기 지지 부재에 전달되지 않도록 진동을 방지하는 방진 기구를 갖는, 노광 장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 지지 부재는 상기 투영 광학계도 지지하고,상기 방진 기구는, 상기 제 2 노즐 부재의 진동이 상기 투영 광학계에 전달 되지 않도록 진동을 방지하는, 노광 장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 방진 기구는, 상기 지지 부재에 대해서 상기 제 2 노즐 부재를 수동적으로 진동을 방지하는 패시브 방진 기구를 포함하는, 노광 장치.
- 제 22 항에 있어서,상기 방진 기구는, 상기 지지 부재에 대해서 상기 제 2 노즐 부재를 능동적으로 진동을 방지하는 액티브 방진 기구를 포함하는, 노광 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 투영 광학계를 구성하는 복수의 광학 소자 중, 상기 제 1 노즐 부재에 의해 유지되고 있는 상기 제 1 광학 소자 이외의 광학 소자를 유지하는 유지 부재를 구비하고,상기 제 1 노즐 부재는 상기 유지 부재와 접속되어 일체화되어 있는, 노광 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 제 1 노즐 부재는 상기 기판 표면과 대향하는 하면을 갖고,상기 제 1 노즐 부재에 유지된 상기 제 1 광학 소자의 하면과 상기 제 1 노 즐 부재의 하면과 거의 면일한, 노광 장치.
- 제 27 항에 있어서,상기 제 1 노즐 부재의 하면에 상기 공급구가 형성되어 있는, 노광 장치.
- 제 20 항에 있어서,상기 공급구로부터 공급된 액체의 일부는, 상기 공급구보다 외측으로 향하는 액체의 흐름을 생성하는, 노광 장치.
- 제 20 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1 노즐 부재는 상기 제 1 광학 소자를 둘러싸도록 형성되고,상기 제 1 노즐 부재와 상기 제 1 광학 소자 사이의 간극으로의 액체의 침입을 억제하는 시일 부재를 구비한, 노광 장치.
- 제 2 항에 있어서,상기 투영 광학계를 구성하는 광학 소자를 유지하는 경통과,상기 투영 광학계의 이미지면측 근방에서 상기 경통을 둘러싸도록, 상기 경통과는 떨어져 형성된 환상 부재를 구비하고,상기 액체를 공급하기 위한 공급구가 상기 경통 중 상기 기판과 대향하는 하면에 형성되고, 상기 액체를 회수하기 위한 회수구가 상기 환상 부재에 형성되어 있는, 노광 장치.
- 제 31 항에 있어서,상기 경통의 하면과, 상기 투영 광학계를 구성하는 복수의 광학 소자 중 이미지면 측에 가장 가까이 배치된 제 1 광학 소자의 하면과는 거의 면일한, 노광 장치.
- 제 1 항에 기재된 노광 장치를 이용하는, 디바이스 제조 방법.
- 기판 상의 액체를 통하여 상기 기판을 노광하는 노광 방법으로서,상기 액체를 공급하는 공급구 및 상기 액체를 회수하는 회수구 중 적어도 일방을 갖는 노즐 부재와 기판 사이에 액체를 보내는 것과,상기 노즐 부재와 대향 배치된 물체의 표면 위치에 따라, 상기 노즐 부재의 위치 및 기울기 중 적어도 일방을 조정하는 것과,액체를 통하여 기판을 노광하는 것을 포함하는, 노광 방법.
- 제 34 항에 있어서,상기 물체는 기판이고, 상기 기판을 노광하면서 상기 노즐 부재의 위치 및 기울기 중 적어도 일방을 조정하는, 노광 방법.
- 제 34 항에 있어서,상기 노즐 부재와 대향 배치된 물체의 표면 위치를 검출하는 것을 추가로 포함하고, 검출 결과에 기초하여 상기 노즐 부재의 위치 및 기울기 중 적어도 일방을 조정하는, 노광 방법.
- 제 34 항에 있어서,상기 노즐 부재는 상기 물체의 표면과 대향하는 표면을 갖고,상기 노즐 부재의 표면과 상기 물체의 표면 사이의 상대 거리 및 상대 경사 중 적어도 일방을 검출하고, 검출 결과에 기초하여 상기 노즐 부재의 위치 및 기울기 중 적어도 일방을 조정하는, 노광 방법.
- 제 34 항에 있어서,상기 노즐 부재 또는 여기에 접속된 부재로부터, 상기 액체가 흘러들어온 영역보다 외측의 상기 물체의 표면에 기체를 분무하여 상기 노즐 부재의 위치 및 기울기 중 적어도 일방을 조정하는, 노광 방법.
- 제 35 항에 기재된 노광 방법에 의해 기판을 노광하는 것과,노광된 기판을 현상하는 것과,현상된 기판을 가공하는 것을 포함하는 디바이스의 제조 방법.
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US7586960B2 (en) * | 2007-01-23 | 2009-09-08 | Corning Incorporated | Forced wavelength chirping in semiconductor lasers |
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NL2003225A1 (nl) * | 2008-07-25 | 2010-01-26 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2003392A (en) | 2008-09-17 | 2010-03-18 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and a method of operating the apparatus. |
KR101712219B1 (ko) * | 2009-03-10 | 2017-03-03 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법, 및 디바이스 제조 방법 |
NL2009692A (en) * | 2011-12-07 | 2013-06-10 | Asml Netherlands Bv | A lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
US9823580B2 (en) | 2012-07-20 | 2017-11-21 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method for manufacturing device, program, and recording medium |
US9494870B2 (en) * | 2012-10-12 | 2016-11-15 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US9568828B2 (en) | 2012-10-12 | 2017-02-14 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposing method, device manufacturing method, program, and recording medium |
US9651873B2 (en) * | 2012-12-27 | 2017-05-16 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium |
US9720331B2 (en) | 2012-12-27 | 2017-08-01 | Nikon Corporation | Liquid immersion member, exposure apparatus, exposing method, method of manufacturing device, program, and recording medium |
JP6286183B2 (ja) * | 2013-11-07 | 2018-02-28 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 分析装置 |
Family Cites Families (92)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4346164A (en) | 1980-10-06 | 1982-08-24 | Werner Tabarelli | Photolithographic method for the manufacture of integrated circuits |
JPS57153433A (en) * | 1981-03-18 | 1982-09-22 | Hitachi Ltd | Manufacturing device for semiconductor |
JPS58202448A (ja) | 1982-05-21 | 1983-11-25 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS5919912A (ja) | 1982-07-26 | 1984-02-01 | Hitachi Ltd | 液浸距離保持装置 |
DD221563A1 (de) | 1983-09-14 | 1985-04-24 | Mikroelektronik Zt Forsch Tech | Immersionsobjektiv fuer die schrittweise projektionsabbildung einer maskenstruktur |
US4666273A (en) | 1983-10-05 | 1987-05-19 | Nippon Kogaku K. K. | Automatic magnification correcting system in a projection optical apparatus |
JPS6078454A (ja) | 1983-10-05 | 1985-05-04 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影露光装置 |
DD224448A1 (de) | 1984-03-01 | 1985-07-03 | Zeiss Jena Veb Carl | Einrichtung zur fotolithografischen strukturuebertragung |
JPS6265326A (ja) | 1985-09-18 | 1987-03-24 | Hitachi Ltd | 露光装置 |
JPS63157419A (ja) | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Toshiba Corp | 微細パタ−ン転写装置 |
JP2830492B2 (ja) | 1991-03-06 | 1998-12-02 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
JPH04305917A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH04305915A (ja) | 1991-04-02 | 1992-10-28 | Nikon Corp | 密着型露光装置 |
JPH0562877A (ja) | 1991-09-02 | 1993-03-12 | Yasuko Shinohara | 光によるlsi製造縮小投影露光装置の光学系 |
US5357304A (en) | 1992-03-25 | 1994-10-18 | Sony Corporation | Image development apparatus and method |
JP3246615B2 (ja) | 1992-07-27 | 2002-01-15 | 株式会社ニコン | 照明光学装置、露光装置、及び露光方法 |
JPH06188169A (ja) | 1992-08-24 | 1994-07-08 | Canon Inc | 結像方法及び該方法を用いる露光装置及び該方法を用いるデバイス製造方法 |
JPH06124873A (ja) * | 1992-10-09 | 1994-05-06 | Canon Inc | 液浸式投影露光装置 |
JP2753930B2 (ja) * | 1992-11-27 | 1998-05-20 | キヤノン株式会社 | 液浸式投影露光装置 |
JPH07220990A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Hitachi Ltd | パターン形成方法及びその露光装置 |
US5528118A (en) | 1994-04-01 | 1996-06-18 | Nikon Precision, Inc. | Guideless stage with isolated reaction stage |
US5874820A (en) | 1995-04-04 | 1999-02-23 | Nikon Corporation | Window frame-guided stage mechanism |
JP3555230B2 (ja) | 1994-05-18 | 2004-08-18 | 株式会社ニコン | 投影露光装置 |
US5623853A (en) | 1994-10-19 | 1997-04-29 | Nikon Precision Inc. | Precision motion stage with single guide beam and follower stage |
JPH08316125A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
JPH08316124A (ja) | 1995-05-19 | 1996-11-29 | Hitachi Ltd | 投影露光方法及び露光装置 |
US6036667A (en) * | 1996-10-04 | 2000-03-14 | United States Surgical Corporation | Ultrasonic dissection and coagulation system |
US5825043A (en) * | 1996-10-07 | 1998-10-20 | Nikon Precision Inc. | Focusing and tilting adjustment system for lithography aligner, manufacturing apparatus or inspection apparatus |
JP4029182B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 露光方法 |
CN1244020C (zh) | 1996-11-28 | 2006-03-01 | 株式会社尼康 | 曝光装置 |
JP4029183B2 (ja) | 1996-11-28 | 2008-01-09 | 株式会社ニコン | 投影露光装置及び投影露光方法 |
EP0890136B9 (en) | 1996-12-24 | 2003-12-10 | ASML Netherlands B.V. | Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device |
JPH10255319A (ja) * | 1997-03-12 | 1998-09-25 | Hitachi Maxell Ltd | 原盤露光装置及び方法 |
JP3747566B2 (ja) | 1997-04-23 | 2006-02-22 | 株式会社ニコン | 液浸型露光装置 |
JP3817836B2 (ja) | 1997-06-10 | 2006-09-06 | 株式会社ニコン | 露光装置及びその製造方法並びに露光方法及びデバイス製造方法 |
JP4210871B2 (ja) | 1997-10-31 | 2009-01-21 | 株式会社ニコン | 露光装置 |
JPH11176727A (ja) | 1997-12-11 | 1999-07-02 | Nikon Corp | 投影露光装置 |
US6208407B1 (en) | 1997-12-22 | 2001-03-27 | Asm Lithography B.V. | Method and apparatus for repetitively projecting a mask pattern on a substrate, using a time-saving height measurement |
AU2747999A (en) | 1998-03-26 | 1999-10-18 | Nikon Corporation | Projection exposure method and system |
JP2000058436A (ja) | 1998-08-11 | 2000-02-25 | Nikon Corp | 投影露光装置及び露光方法 |
WO2001035168A1 (en) | 1999-11-10 | 2001-05-17 | Massachusetts Institute Of Technology | Interference lithography utilizing phase-locked scanning beams |
JP2001345245A (ja) | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Nikon Corp | 露光方法及び露光装置並びにデバイス製造方法 |
JP2001358056A (ja) * | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Canon Inc | 露光装置 |
TW497013B (en) | 2000-09-07 | 2002-08-01 | Asm Lithography Bv | Method for calibrating a lithographic projection apparatus and apparatus capable of applying such a method |
TW529172B (en) | 2001-07-24 | 2003-04-21 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus |
AU2003256081A1 (en) | 2002-08-23 | 2004-03-11 | Nikon Corporation | Projection optical system and method for photolithography and exposure apparatus and method using same |
US6788477B2 (en) * | 2002-10-22 | 2004-09-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for method for immersion lithography |
EP1420298B1 (en) | 2002-11-12 | 2013-02-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus |
US7110081B2 (en) * | 2002-11-12 | 2006-09-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TWI232357B (en) * | 2002-11-12 | 2005-05-11 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
CN101470360B (zh) | 2002-11-12 | 2013-07-24 | Asml荷兰有限公司 | 光刻装置和器件制造方法 |
KR20110086130A (ko) * | 2002-12-10 | 2011-07-27 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
DE60326384D1 (de) | 2002-12-13 | 2009-04-09 | Koninkl Philips Electronics Nv | Flüssigkeitsentfernung in einem verfahren und einer einrichtung zum bestrahlen von flecken auf einer schicht |
USRE46433E1 (en) | 2002-12-19 | 2017-06-13 | Asml Netherlands B.V. | Method and device for irradiating spots on a layer |
ATE335272T1 (de) | 2002-12-19 | 2006-08-15 | Koninkl Philips Electronics Nv | Verfahren und anordnung zum bestrahlen einer schicht mittels eines lichtpunkts |
KR101288767B1 (ko) * | 2003-02-26 | 2013-07-23 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
WO2004093159A2 (en) | 2003-04-09 | 2004-10-28 | Nikon Corporation | Immersion lithography fluid control system |
KR101409565B1 (ko) * | 2003-04-10 | 2014-06-19 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피 장치용 운반 영역을 포함하는 환경 시스템 |
SG2014015176A (en) * | 2003-04-10 | 2015-06-29 | Nippon Kogaku Kk | Environmental system including vacuum scavange for an immersion lithography apparatus |
TWI295414B (en) * | 2003-05-13 | 2008-04-01 | Asml Netherlands Bv | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4770129B2 (ja) * | 2003-05-23 | 2011-09-14 | 株式会社ニコン | 露光装置、並びにデバイス製造方法 |
TWI421911B (zh) * | 2003-05-23 | 2014-01-01 | 尼康股份有限公司 | An exposure method, an exposure apparatus, and an element manufacturing method |
US6867844B2 (en) | 2003-06-19 | 2005-03-15 | Asml Holding N.V. | Immersion photolithography system and method using microchannel nozzles |
EP1498778A1 (en) * | 2003-06-27 | 2005-01-19 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP3862678B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2006-12-27 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
KR101211451B1 (ko) * | 2003-07-09 | 2012-12-12 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
CN102944981A (zh) * | 2003-07-09 | 2013-02-27 | 株式会社尼康 | 曝光装置、器件制造方法 |
KR101343655B1 (ko) * | 2003-08-21 | 2013-12-20 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법 |
KR101523180B1 (ko) | 2003-09-03 | 2015-05-26 | 가부시키가이샤 니콘 | 액침 리소그래피용 유체를 제공하기 위한 장치 및 방법 |
JP4378136B2 (ja) | 2003-09-04 | 2009-12-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
WO2005029559A1 (ja) | 2003-09-19 | 2005-03-31 | Nikon Corporation | 露光装置及びデバイス製造方法 |
EP1519230A1 (en) * | 2003-09-29 | 2005-03-30 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2837969B1 (en) | 2003-09-29 | 2016-04-20 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, exposure method, and method for producing device |
JP4515209B2 (ja) * | 2003-10-02 | 2010-07-28 | 株式会社ニコン | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 |
US7352433B2 (en) * | 2003-10-28 | 2008-04-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005159322A (ja) | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Nikon Corp | 定盤、ステージ装置及び露光装置並びに露光方法 |
JP2005159431A (ja) | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Nec Infrontia Corp | シグナリング方法並びにサーバ及びゲートウェイ端末 |
JP2005183744A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7394521B2 (en) * | 2003-12-23 | 2008-07-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2005191394A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Canon Inc | 露光方法及び装置 |
US20070164234A1 (en) * | 2004-01-15 | 2007-07-19 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
KR20070039869A (ko) | 2004-02-03 | 2007-04-13 | 브루스 더블유. 스미스 | 용액을 사용한 포토리소그래피 방법 및 관련 시스템 |
WO2005081292A1 (ja) | 2004-02-20 | 2005-09-01 | Nikon Corporation | 露光装置、供給方法及び回収方法、露光方法、ならびにデバイス製造方法 |
US8111373B2 (en) * | 2004-03-25 | 2012-02-07 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device fabrication method |
JP4474979B2 (ja) | 2004-04-15 | 2010-06-09 | 株式会社ニコン | ステージ装置及び露光装置 |
KR101258033B1 (ko) | 2004-04-19 | 2013-04-24 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
EP1747499A2 (en) | 2004-05-04 | 2007-01-31 | Nikon Corporation | Apparatus and method for providing fluid for immersion lithography |
US7486381B2 (en) | 2004-05-21 | 2009-02-03 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4543767B2 (ja) * | 2004-06-10 | 2010-09-15 | 株式会社ニコン | 露光装置及びデバイス製造方法 |
US7161654B2 (en) * | 2004-12-02 | 2007-01-09 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7330238B2 (en) * | 2005-03-28 | 2008-02-12 | Asml Netherlands, B.V. | Lithographic apparatus, immersion projection apparatus and device manufacturing method |
US20060232753A1 (en) * | 2005-04-19 | 2006-10-19 | Asml Holding N.V. | Liquid immersion lithography system with tilted liquid flow |
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HK1099962B (en) | Exposure apparatus, exposure method, and method for manufacturing device |
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