KR20070053619A - 산 발생제용으로 적합한 염 및 이를 함유하는 화학 증폭형레지스트 조성물 - Google Patents
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Abstract
Description
산 발생제 | 해상도(㎛) | ES(mJ/㎠) | |
실시예 1 | B2 | 0.12 | 27.5 |
실시예 2 | B5 | 0.12 | 27.5 |
비교예 1 | C1 | 0.13 | 22.5 |
Claims (23)
- 제1항에 있어서, Q1 및 Q2가 각각 불소원자 또는 트리플루오로메틸 그룹인 염.
- 제1항에 있어서, 환 X가 아다만틸 그룹, 노르보르닐 그룹 또는 사이클로알킬 그룹(여기서, 아다만틸 그룹, 노르보르닐 그룹 또는 사이클로알킬 그룹 내의 하나 이상의 수소원자는 탄소수 1 내지 10의 알킬 그룹, 탄소수 1 내지 10의 알콕시 그룹, 탄소수 1 내지 4의 퍼플루오로알킬 그룹, 탄소수 1 내지 10의 하이드록시알킬 그룹 또는 시아노 그룹에 의해 임의로 치환된다)을 포함하는 염.
- 제1항에 있어서, A+가 화학식 2e의 양이온, 화학식 2b의 양이온, 화학식 2c의 양이온 및 화학식 2d의 양이온으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 양이온인 염.화학식 2e화학식 2b화학식 2c화학식 2d위의 화학식 2e, 2b, 2c 및 2d에서,P25, P26 및 P27은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 30의 알킬 그룹 또는 탄소수 3 내지 30의 환형 탄화수소 그룹(여기서, 알킬 그룹 내의 하나 이상의 수소원자는 하이드록실 그룹, 탄소수 1 내지 12의 알콕시 그룹 또는 탄소수 3 내지 12의 환형 탄화수소 그룹에 의해 임의로 치환되고, 환형 탄화수소 그룹 내의 하나 이상의 수소원자는 하이드록실 그룹, 탄소수 1 내지 12의 알킬 그룹 또는 탄소수 1 내지 12의 알콕시 그룹에 의해 임의로 치환된다)이고,P4 및 P5는 각각 독립적으로 수소원자, 하이드록실 그룹, 탄소수 1 내지 12의 알킬 그룹 또는 탄소수 1 내지 12의 알콕시 그룹이고,P6 및 P7은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 12의 알킬 또는 탄소수 3 내지 12의 사이클로알킬이거나,P6과 P7은 결합하여 인접한 S+와 함께 환를 형성하는 탄소수 3 내지 12의 2가 비환식 탄화수소 그룹(여기서, 2가 비환식 탄화수소 그룹 내의 하나 이상의 -CH2-는 -CO-, -O- 또는 -S-에 의해 임의로 치환된다)을 형성하고,P8은 수소이고,P9는 탄소수 1 내지 12의 알킬, 탄소수 3 내지 12의 사이클로알킬, 또는 임의로 치환된 방향족 환 그룹이거나,P8과 P9는 결합하여 인접한 -CHCO-와 함께 2-옥소사이클로알킬을 형성하는 2가 비환식 탄화수소 그룹(여기서, 2가 비환식 탄화수소 그룹 내의 하나 이상의 -CH2-는 -CO-, -O- 또는 -S-에 의해 임의로 치환된다)을 형성하고,P10, P11, P12, P13, P14, P15, P16, P17, P18, P19, P20 및 P21은 각각 독립적으로 수소원자, 하이드록실 그룹, 탄소수 1 내지 12의 알킬 그룹 또는 탄소수 1 내지 12의 알콕시 그룹이고,B는 황 원자 또는 산소원자이며,m은 0 또는 1이다.
- 제4항에 있어서, 화학식 2e의 양이온이 화학식 2f의 양이온, 화학식 2g의 양이온 또는 화학식 2h의 양이온인 염.화학식 2f화학식 2g화학식 2h위의 화학식 2f, 2g 및 2h에서,P28, P29 및 P30은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬 그룹(여기서, 알킬 그룹 내의 하나 이상의 수소원자는 하이드록실 그룹, 탄소수 1 내지 12의 알콕시 그룹 또는 탄소수 3 내지 12의 환형 탄화수소 그룹에 의해 임의로 치환된다)이거나, 페닐 그룹을 제외한, 탄소수 3 내지 30의 환형 탄화수소 그룹(여기서, 환형 탄화수소 그룹 내의 하나 이상의 수소원자는 하이드록실 그룹, 탄소수 1 내지 12의 알킬 그룹 또는 탄소수 1 내지 12의 알콕시 그룹에 의해 임의로 치환된다)이고,P31, P32, P33, P34, P35 및 P36은 각각 독립적으로 하이드록실 그룹, 탄소수 1 내지 12의 알킬 그룹, 탄소수 1 내지 12의 알콕시 그룹 또는 탄소수 3 내지 12의 환형 탄화수소 그룹이며,l, k, j, i, h 및 g는 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이다.
- 화학식 5의 알코올을 화학식 6의 카복실산으로 에스테르화함을 포함하는, 화학식 4의 염의 제조방법.화학식 4화학식 5화학식 6위의 화학식 4, 5 및 6에서,환 X는 탄소수 3 내지 30의 일환식 또는 다환식 탄화수소 그룹(여기서, 일환식 또는 다환식 탄화수소 그룹 내의 하나 이상의 수소원자는 탄소수 1 내지 10의 알킬 그룹, 탄소수 1 내지 10의 알콕시 그룹, 탄소수 1 내지 4의 퍼플루오로알킬 그룹, 탄소수 1 내지 10의 하이드록시알킬 그룹 또는 시아노 그룹에 의해 임의로 치환된다)이고,Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 불소원자 또는 탄소수 1 내지 6의 퍼플루오로알킬 그룹이며,M은 Li, Na, K 또는 Ag이다.
- 화학식 4의 염을 화학식 7의 화합물과 반응시킴을 포함하는 화학식 1의 염의 제조방법.화학식 1화학식 4화학식 7위의 화학식 1, 4 및 7에서,환 X는 탄소수 3 내지 30의 일환식 또는 다환식 탄화수소 그룹(여기서, 일환식 또는 다환식 탄화수소 그룹 내의 하나 이상의 수소원자는 탄소수 1 내지 10의 알킬 그룹, 탄소수 1 내지 10의 알콕시 그룹, 탄소수 1 내지 4의 퍼플루오로알킬 그룹, 탄소수 1 내지 10의 하이드록시알킬 그룹 또는 시아노 그룹에 의해 임의로 치환된다)이고,Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 불소원자 또는 탄소수 1 내지 6의 퍼플루오로알킬 그룹이고,A+는 유기 짝이온이고,M은 Li, Na, K 또는 Ag이며,Z는 F, Cl, Br, I, BF4, AsF6, SbF6, PF6 또는 ClO4이다.
- 화학식 1의 염과 산 불안정성 그룹을 갖는 구조 단위를 함유하고 그 자체로는 알칼리 수용액에 불용성 또는 난용성이지만 산의 작용에 의해 알칼리 수용액에 가용화될 수 있는 수지를 포함하는 화학 증폭형 레지스트 조성물.화학식 1위의 화학식 1에서,환 X는 탄소수 3 내지 30의 일환식 또는 다환식 탄화수소 그룹(여기서, 일환식 또는 다환식 탄화수소 그룹 내의 하나 이상의 수소원자는 탄소수 1 내지 10의 알킬 그룹, 탄소수 1 내지 10의 알콕시 그룹, 탄소수 1 내지 4의 퍼플루오로알킬 그룹, 탄소수 1 내지 10의 하이드록시알킬 그룹 또는 시아노 그룹에 의해 임의로 치환된다)이고,Q1 및 Q2는 각각 독립적으로 불소원자 또는 탄소수 1 내지 6의 퍼플루오로알킬 그룹이며,A+는 유기 짝이온이다.
- 제12항에 있어서, Q1 및 Q2가 각각 불소원자 또는 트리플루오로메틸 그룹인 조성물.
- 제12항에 있어서, 수지가 벌키하고 산 불안정성인 그룹을 갖는 단량체로부터 유도된 구조 단위를 함유하는 수지인 조성물.
- 제14항에 있어서, 벌키하고 산 불안정성인 그룹이 2-알킬-2-아다만틸 그룹 또는 1-(1-아다만틸)-1-알킬알킬 그룹인 조성물.
- 제14항에 있어서, 벌키하고 산 불안정성인 그룹을 갖는 단량체가 2-알킬-2-아다만틸 (메트)아크릴레이트, 1-(1-아다만틸)-1-알킬알킬 (메트)아크릴레이트, 2-알킬-2-아다만틸 5-노르보르넨-2-카복실레이트, 1-(1-아다만틸)-1-알킬알킬 5-노르보르넨-2-카복실레이트, 2-알킬-2-아다만틸 α-클로로아크릴레이트 또는 1-(1-아다 만틸)-1-알킬알킬 α-클로로아크릴레이트인 조성물.
- 제12항에 있어서, 염기성 화합물을 추가로 포함하는 조성물.
- 제12항에 있어서, 환 X가 아다만틸 그룹, 노르보르닐 그룹 또는 사이클로알킬 그룹(여기서, 아다만틸 그룹, 노르보르닐 그룹 또는 사이클로알킬 그룹 내의 하나 이상의 수소원자는 탄소수 1 내지 10의 알킬 그룹, 탄소수 1 내지 10의 알콕시 그룹, 탄소수 1 내지 4의 퍼플루오로알킬 그룹, 탄소수 1 내지 10의 하이드록시알킬 그룹 또는 시아노 그룹에 의해 임의로 치환된다)을 포함하는 조성물.
- 제12항에 있어서, A+가 화학식 2e의 양이온, 화학식 2b 양이온, 화학식 2c 양이온 및 화학식 2d의 양이온으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 양이온인 조성물.화학식 2e화학식 2b화학식 2c화학식 2d위의 화학식 2e, 2b, 2c 및 2d에서,P25, P26 및 P27은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 30의 알킬 그룹 또는 탄소수 3 내지 30의 환형 탄화수소 그룹(여기서, 알킬 그룹 내의 하나 이상의 수소원자는 하이드록실 그룹, 탄소수 1 내지 12의 알콕시 그룹 또는 탄소수 3 내지 12의 환형 탄화수소 그룹에 의해 임의로 치환되고, 환형 탄화수소 그룹 내의 하나 이상의 수소원자는 하이드록실 그룹, 탄소수 1 내지 12의 알킬 그룹 또는 탄소수 1 내지 12의 알콕시 그룹에 의해 임의로 치환된다)이고,P4 및 P5는 각각 독립적으로 수소원자, 하이드록실 그룹, 탄소수 1 내지 12의 알킬 그룹 또는 탄소수 1 내지 12의 알콕시 그룹이고,P6 및 P7은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 12의 알킬 또는 탄소수 3 내지 12의 사이클로알킬이거나,P6과 P7은 결합하여 인접한 S+와 함께 환를 형성하는 탄소수 3 내지 12의 2가 비환식 탄화수소 그룹(여기서, 2가 비환식 탄화수소 그룹 내의 하나 이상의 -CH2-는 -CO-, -O- 또는 -S-에 의해 임의로 치환된다)을 형성하고,P8은 수소이고,P9는 탄소수 1 내지 12의 알킬, 탄소수 3 내지 12의 사이클로알킬, 또는 임의로 치환된 방향족 환 그룹이거나,P8과 P9는 결합하여 인접한 -CHCO-와 함께 2-옥소사이클로알킬을 형성하는 2가 비환식 탄화수소 그룹(여기서, 2가 비환식 탄화수소 그룹 내의 하나 이상의 -CH2-는 -CO-, -O- 또는 -S-에 의해 임의로 치환된다)을 형성하고,P10, P11, P12, P13, P14, P15, P16, P17, P18, P19, P20 및 P21은 각각 독립적으로 수소원자, 하이드록실 그룹, 탄소수 1 내지 12의 알킬 그룹 또는 탄소수 1 내지 12의 알콕시 그룹이고,B는 황 원자 또는 산소원자이며,m은 0 또는 1이다.
- 제19항에 있어서, 화학식 2e의 양이온이 화학식 2f의 양이온, 화학식 2g의 양이온 또는 화학식 2h의 양이온인 조성물.화학식 2f화학식 2g화학식 2h위의 화학식 2f, 2g 및 2h에서,P28, P29 및 P30은 각각 독립적으로 탄소수 1 내지 20의 알킬 그룹(여기서, 알킬 그룹 내의 하나 이상의 수소원자는 하이드록실 그룹, 탄소수 1 내지 12의 알콕시 그룹 또는 탄소수 3 내지 12의 환형 탄화수소 그룹에 의해 임의로 치환된다)이 거나, 페닐 그룹을 제외한, 탄소수 3 내지 30의 환형 탄화수소 그룹(여기서,환형 탄화수소 그룹 내의 하나 이상의 수소원자는 하이드록실 그룹, 탄소수 1 내지 12의 알킬 그룹 또는 탄소수 1 내지 12의 알콕시 그룹에 의해 임의로 치환된다)이고,P31, P32, P33, P34, P35 및 P36은 각각 독립적으로 하이드록실 그룹, 탄소수 1 내지 12의 알킬 그룹, 탄소수 1 내지 12의 알콕시 그룹 또는 탄소수 3 내지 12의 환형 탄화수소 그룹이며,l, k, j, i, h 및 g는 각각 독립적으로 0 내지 5의 정수이다.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101046891B1 (ko) * | 2007-12-21 | 2011-07-06 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 신규 화합물 및 그 제조 방법, 산발생제, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
US9034556B2 (en) | 2007-12-21 | 2015-05-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Compound and method of producing the same, acid generator, resist composition and method of forming resist pattern |
Families Citing this family (67)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7579497B2 (en) * | 2005-03-30 | 2009-08-25 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same |
TWI394004B (zh) * | 2005-03-30 | 2013-04-21 | Sumitomo Chemical Co | 適合作為酸產生劑之鹽及含有該鹽之化學放大型光阻組成物 |
CN1955845B (zh) * | 2005-10-28 | 2012-06-13 | 住友化学株式会社 | 适合于酸生成剂的盐和含有该盐的化学放大型抗蚀剂组合物 |
KR101334631B1 (ko) | 2005-11-21 | 2013-11-29 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 산 발생제용으로 적합한 염 및 이를 함유하는 화학 증폭형레지스트 조성물 |
CN1991585B (zh) * | 2005-12-27 | 2011-06-01 | 住友化学株式会社 | 适合于酸生成剂的盐和含有该盐的化学放大型抗蚀剂组合物 |
TWI421635B (zh) * | 2006-06-09 | 2014-01-01 | Sumitomo Chemical Co | 適合作為酸產生劑之鹽及含該鹽之化學放大正型光阻組成物 |
US7862980B2 (en) * | 2006-08-02 | 2011-01-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified positive resist composition containing the same |
TWI412888B (zh) * | 2006-08-18 | 2013-10-21 | Sumitomo Chemical Co | 適合作為酸產生劑之鹽及含有該鹽之化學放大型正光阻組成物 |
TWI402249B (zh) * | 2006-08-22 | 2013-07-21 | Sumitomo Chemical Co | 適合作為酸產生劑之鹽及含有該鹽之化學放大型正型光阻組成物 |
CN101196687A (zh) * | 2006-12-06 | 2008-06-11 | 住友化学株式会社 | 化学放大型抗蚀剂组合物 |
TWI437364B (zh) * | 2006-12-14 | 2014-05-11 | Sumitomo Chemical Co | 化學放大型阻劑組成物 |
JP4355725B2 (ja) * | 2006-12-25 | 2009-11-04 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
CN101211113B (zh) * | 2006-12-27 | 2012-01-11 | 住友化学株式会社 | 化学放大型抗蚀剂组合物 |
CN101236357B (zh) | 2007-01-30 | 2012-07-04 | 住友化学株式会社 | 化学放大型抗蚀剂组合物 |
JP4844436B2 (ja) * | 2007-03-07 | 2011-12-28 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物 |
JP5012122B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2012-08-29 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物 |
US7745097B2 (en) * | 2007-07-18 | 2010-06-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Compound, manufacturing method thereof, acid generator, resist composition and method of forming resist pattern |
JP5019071B2 (ja) * | 2007-09-05 | 2012-09-05 | 信越化学工業株式会社 | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5216380B2 (ja) * | 2007-09-12 | 2013-06-19 | 東京応化工業株式会社 | 新規な化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
TW200918495A (en) * | 2007-10-15 | 2009-05-01 | Jsr Corp | Sulfone compound, sulfonate and radiation-sensitive resin composition |
JP5210612B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2013-06-12 | 東京応化工業株式会社 | 新規な化合物、酸発生剤、レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP5036695B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2012-09-26 | 住友化学株式会社 | レジスト処理方法 |
JP5245956B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2013-07-24 | 信越化学工業株式会社 | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
JP4569786B2 (ja) | 2008-05-01 | 2010-10-27 | 信越化学工業株式会社 | 新規光酸発生剤並びにこれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法 |
TWI462938B (zh) * | 2008-05-21 | 2014-12-01 | Sumitomo Chemical Co | 聚合物及含有該聚合物之化學放大型阻劑組成物 |
JP5997873B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2016-09-28 | 富士フイルム株式会社 | 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP5244711B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2013-07-24 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP5277128B2 (ja) * | 2008-09-26 | 2013-08-28 | 富士フイルム株式会社 | 液浸露光用ポジ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP5103420B2 (ja) * | 2009-02-24 | 2012-12-19 | 富士フイルム株式会社 | ネガ型現像用レジスト組成物を用いたパターン形成方法 |
JP5287552B2 (ja) * | 2009-07-02 | 2013-09-11 | 信越化学工業株式会社 | 光酸発生剤並びにレジスト材料及びパターン形成方法 |
CN102023483A (zh) * | 2009-09-16 | 2011-04-20 | 住友化学株式会社 | 光致抗蚀剂组合物 |
JP5608492B2 (ja) * | 2009-09-18 | 2014-10-15 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP5565231B2 (ja) * | 2009-09-25 | 2014-08-06 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物 |
KR101115581B1 (ko) * | 2009-10-01 | 2012-03-06 | 금호석유화학 주식회사 | 술포니움 염의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 술포니움 염 |
JP2011123480A (ja) * | 2009-11-10 | 2011-06-23 | Sumitomo Chemical Co Ltd | レジスト組成物 |
KR101771390B1 (ko) * | 2009-11-18 | 2017-08-25 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 염 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물 |
TWI473796B (zh) * | 2009-11-18 | 2015-02-21 | Sumitomo Chemical Co | 鹽及含有該鹽之光阻組成物 |
TWI491980B (zh) * | 2009-11-18 | 2015-07-11 | Sumitomo Chemical Co | 鹽及含有該鹽之光阻組成物 |
JP5521999B2 (ja) * | 2009-11-26 | 2014-06-18 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型フォトレジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5809798B2 (ja) * | 2009-12-10 | 2015-11-11 | ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC | コラート光酸発生剤およびこれを含むフォトレジスト |
JP5723626B2 (ja) * | 2010-02-19 | 2015-05-27 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜 |
CN102781911B (zh) | 2010-02-24 | 2015-07-22 | 巴斯夫欧洲公司 | 潜酸及其用途 |
JP5618877B2 (ja) * | 2010-07-15 | 2014-11-05 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法、新規な化合物及び酸発生剤 |
JP5953670B2 (ja) | 2010-08-27 | 2016-07-20 | 住友化学株式会社 | 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
US20120076996A1 (en) * | 2010-09-28 | 2012-03-29 | Fujifilm Corporation | Resist composition, resist film therefrom and method of forming pattern therewith |
JP5910027B2 (ja) | 2010-11-30 | 2016-04-27 | 住友化学株式会社 | 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5690584B2 (ja) | 2010-12-28 | 2015-03-25 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
JP5307171B2 (ja) * | 2011-02-28 | 2013-10-02 | 富士フイルム株式会社 | レジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びネガ型パターン形成方法 |
JP6039194B2 (ja) | 2011-03-02 | 2016-12-07 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5723648B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2015-05-27 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
TWI525082B (zh) | 2011-04-07 | 2016-03-11 | 住友化學股份有限公司 | 鹽及含該鹽之光阻組成物 |
JP6022788B2 (ja) | 2011-04-07 | 2016-11-09 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5934536B2 (ja) | 2011-04-07 | 2016-06-15 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5852490B2 (ja) | 2011-04-07 | 2016-02-03 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6005964B2 (ja) | 2011-04-07 | 2016-10-12 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6214134B2 (ja) | 2011-04-13 | 2017-10-18 | 住友化学株式会社 | 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5970926B2 (ja) | 2011-04-13 | 2016-08-17 | 住友化学株式会社 | 塩、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5924071B2 (ja) | 2011-04-20 | 2016-05-25 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5915067B2 (ja) | 2011-05-20 | 2016-05-11 | 住友化学株式会社 | 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6013797B2 (ja) | 2011-07-19 | 2016-10-25 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
CN102924341A (zh) | 2011-08-08 | 2013-02-13 | 住友化学株式会社 | 盐、光致抗蚀剂组合物和用于生产光致抗蚀剂图案的方法 |
JP6106985B2 (ja) | 2011-08-22 | 2017-04-05 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及び塩 |
JP6013218B2 (ja) | 2012-02-28 | 2016-10-25 | 信越化学工業株式会社 | 酸発生剤、化学増幅型レジスト材料、及びパターン形成方法 |
JP5615860B2 (ja) | 2012-03-07 | 2014-10-29 | 信越化学工業株式会社 | 酸発生剤、化学増幅型レジスト材料、及びパターン形成方法 |
JP2020029451A (ja) | 2018-08-17 | 2020-02-27 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP7344727B2 (ja) | 2018-09-26 | 2023-09-14 | 住友化学株式会社 | 塩、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
CN111116426A (zh) * | 2019-12-24 | 2020-05-08 | 上海博栋化学科技有限公司 | 含广藿香醇结构的锍鎓盐类光致酸产生剂及其制备方法 |
Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3690847B2 (ja) * | 1995-09-20 | 2005-08-31 | 富士通株式会社 | レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP2000039401A (ja) * | 1998-03-24 | 2000-02-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 表面プラズモン共鳴バイオセンサ―用測定セル及びその製造方法 |
US6303266B1 (en) * | 1998-09-24 | 2001-10-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Resin useful for resist, resist composition and pattern forming process using the same |
TWI263866B (en) * | 1999-01-18 | 2006-10-11 | Sumitomo Chemical Co | Chemical amplification type positive resist composition |
EP1041442B1 (en) | 1999-03-31 | 2004-10-27 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Chemical amplification type positive resist |
KR100538501B1 (ko) | 1999-08-16 | 2005-12-23 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 신규한 오늄염, 레지스트 재료용 광산발생제, 레지스트재료 및 패턴 형성 방법 |
TWI286664B (en) * | 2000-06-23 | 2007-09-11 | Sumitomo Chemical Co | Chemical amplification type positive resist composition and sulfonium salt |
JP4150509B2 (ja) * | 2000-11-20 | 2008-09-17 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性組成物 |
JP2002156750A (ja) * | 2000-11-20 | 2002-05-31 | Sumitomo Chem Co Ltd | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
JP2002202607A (ja) | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Fuji Photo Film Co Ltd | 遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物 |
JP2002265436A (ja) | 2001-03-08 | 2002-09-18 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
SG120873A1 (en) * | 2001-06-29 | 2006-04-26 | Jsr Corp | Acid generator, sulfonic acid, sulfonic acid derivatives and radiation-sensitive resin composition |
US6689530B2 (en) * | 2001-09-28 | 2004-02-10 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonyldiazomethanes, photoacid generations, resist compositions, and patterning process |
EP1308781A3 (en) * | 2001-10-05 | 2003-09-03 | Shipley Co. L.L.C. | Cyclic sulfonium and sulfoxonium photoacid generators and photoresists containing them |
JP2003122012A (ja) | 2001-10-18 | 2003-04-25 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2003131383A (ja) | 2001-10-29 | 2003-05-09 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型感光性組成物 |
JP2004004561A (ja) * | 2002-02-19 | 2004-01-08 | Sumitomo Chem Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
TWI314250B (en) * | 2002-02-19 | 2009-09-01 | Sumitomo Chemical Co | Positive resist composition |
CN100371826C (zh) * | 2002-08-26 | 2008-02-27 | 住友化学工业株式会社 | 磺酸盐和光刻胶组合物 |
JP4103523B2 (ja) | 2002-09-27 | 2008-06-18 | Jsr株式会社 | レジスト組成物 |
JP4281741B2 (ja) * | 2003-03-05 | 2009-06-17 | Jsr株式会社 | 酸発生剤、スルホン酸、スルホニルハライド化合物および感放射線性樹脂組成物 |
TWI351578B (en) * | 2003-07-18 | 2011-11-01 | Sumitomo Chemical Co | A sulfonate and a resist composition |
JP2006027163A (ja) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Konica Minolta Photo Imaging Inc | インクジェット記録媒体の製造方法 |
US7304175B2 (en) * | 2005-02-16 | 2007-12-04 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same |
US7579497B2 (en) * | 2005-03-30 | 2009-08-25 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same |
KR101278086B1 (ko) * | 2005-10-28 | 2013-06-24 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 산 발생제에 적합한 염 및 이를 함유하는 화학 증폭형 레지스트 조성물 |
CN1955845B (zh) * | 2005-10-28 | 2012-06-13 | 住友化学株式会社 | 适合于酸生成剂的盐和含有该盐的化学放大型抗蚀剂组合物 |
US7301047B2 (en) * | 2005-10-28 | 2007-11-27 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Salt suitable for an acid generator and a chemically amplified resist composition containing the same |
KR101334631B1 (ko) | 2005-11-21 | 2013-11-29 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 산 발생제용으로 적합한 염 및 이를 함유하는 화학 증폭형레지스트 조성물 |
CN1991585B (zh) * | 2005-12-27 | 2011-06-01 | 住友化学株式会社 | 适合于酸生成剂的盐和含有该盐的化学放大型抗蚀剂组合物 |
GB2441032B (en) | 2006-08-18 | 2008-11-12 | Sumitomo Chemical Co | Salts of perfluorinated sulfoacetic acids |
-
2006
- 2006-11-17 KR KR1020060114104A patent/KR101334631B1/ko active Active
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- 2006-11-17 CN CN200610149463XA patent/CN1971421B/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101046891B1 (ko) * | 2007-12-21 | 2011-07-06 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 신규 화합물 및 그 제조 방법, 산발생제, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
KR101108903B1 (ko) * | 2007-12-21 | 2012-01-31 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 신규 화합물 및 그 제조 방법, 산발생제, 레지스트 조성물 및 레지스트 패턴 형성 방법 |
US9034556B2 (en) | 2007-12-21 | 2015-05-19 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Compound and method of producing the same, acid generator, resist composition and method of forming resist pattern |
US9040220B2 (en) | 2007-12-21 | 2015-05-26 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Compound and method of producing the same, acid generator, resist composition and method of forming resist pattern |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI395062B (zh) | 2013-05-01 |
CN1971421A (zh) | 2007-05-30 |
CN1971421B (zh) | 2012-05-30 |
KR101334631B1 (ko) | 2013-11-29 |
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US20070122750A1 (en) | 2007-05-31 |
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Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event date: 20131023 Patent event code: PB09011R02I Comment text: Request for Trial against Decision on Refusal Patent event date: 20130923 Patent event code: PB09011R01I Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event date: 20130220 Patent event code: PB09011R02I Comment text: Amendment to Specification, etc. Patent event date: 20111007 Patent event code: PB09011R02I |
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B701 | Decision to grant | ||
PB0701 | Decision of registration after re-examination before a trial |
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