KR20050027243A - 반사 방지막 형성 조성물 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 103
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title claims description 30
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 91
- -1 urea compound Chemical group 0.000 claims abstract description 84
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 82
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 82
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 56
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims abstract description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 18
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 17
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 7
- 125000004849 alkoxymethyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 6
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-acid Natural products C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 6
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 3
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 abstract description 18
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 abstract description 11
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 abstract description 3
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 abstract description 2
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 99
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 49
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 22
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 21
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 21
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 19
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 18
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 15
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 13
- VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl methacrylate Chemical compound CC(O)COC(=O)C(C)=C VHSHLMUCYSAUQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 11
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 9
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 9
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 9
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 9
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N Hydroxyethyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCO WOBHKFSMXKNTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 6
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 6
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000004184 methoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 6
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 6
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 5
- 239000006117 anti-reflective coating Substances 0.000 description 5
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n,4-n,4-n,6-n,6-n-hexakis(methoxymethyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound COCN(COC)C1=NC(N(COC)COC)=NC(N(COC)COC)=N1 BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XGWFJBFNAQHLEF-UHFFFAOYSA-N 9-anthroic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 XGWFJBFNAQHLEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 4
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 4
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HTZCNXWZYVXIMZ-UHFFFAOYSA-M benzyl(triethyl)azanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](CC)(CC)CC1=CC=CC=C1 HTZCNXWZYVXIMZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=C SUPCQIBBMFXVTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N p-methoxyphenol Chemical compound COC1=CC=C(O)C=C1 NWVVVBRKAWDGAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 4
- ZDYVRSLAEXCVBX-UHFFFAOYSA-N pyridinium p-toluenesulfonate Chemical compound C1=CC=[NH+]C=C1.CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1 ZDYVRSLAEXCVBX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LNETULKMXZVUST-UHFFFAOYSA-N 1-naphthoic acid Chemical compound C1=CC=C2C(C(=O)O)=CC=CC2=C1 LNETULKMXZVUST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IUGNCEABJSRDPG-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trichloroethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(Cl)(Cl)Cl IUGNCEABJSRDPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VUIWJRYTWUGOOF-UHFFFAOYSA-N 2-ethenoxyethanol Chemical compound OCCOC=C VUIWJRYTWUGOOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl prop-2-enoate Chemical compound CC(O)COC(=O)C=C GWZMWHWAWHPNHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 241000218691 Cupressaceae Species 0.000 description 3
- 229920003270 Cymel® Polymers 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- JCJNNHDZTLRSGN-UHFFFAOYSA-N anthracen-9-ylmethanol Chemical compound C1=CC=C2C(CO)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 JCJNNHDZTLRSGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- 239000001191 butyl (2R)-2-hydroxypropanoate Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 3
- KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 1-naphthol Chemical compound C1=CC=C2C(O)=CC=CC2=C1 KJCVRFUGPWSIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RUFPHBVGCFYCNW-UHFFFAOYSA-N 1-naphthylamine Chemical compound C1=CC=C2C(N)=CC=CC2=C1 RUFPHBVGCFYCNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QTKPMCIBUROOGY-UHFFFAOYSA-N 2,2,2-trifluoroethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(F)(F)F QTKPMCIBUROOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 2-Methylbenzenesulfonic acid Chemical compound CC1=CC=CC=C1S(O)(=O)=O LBLYYCQCTBFVLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UOBYKYZJUGYBDK-UHFFFAOYSA-N 2-naphthoic acid Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 UOBYKYZJUGYBDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 2-naphthol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 JWAZRIHNYRIHIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenol Chemical compound OC=CC1=CC=CC=C1 XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical group NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 2
- 235000014112 Cassia mimosoides Nutrition 0.000 description 2
- 244000302899 Cassia mimosoides Species 0.000 description 2
- KCXZNSGUUQJJTR-UHFFFAOYSA-N Di-n-hexyl phthalate Chemical compound CCCCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCC KCXZNSGUUQJJTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N Dimethyl phthalate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OC NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N Ethylamine Chemical compound CCN QUSNBJAOOMFDIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M Methacrylate Chemical compound CC(=C)C([O-])=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- XGEGHDBEHXKFPX-UHFFFAOYSA-N N-methylthiourea Natural products CNC(N)=O XGEGHDBEHXKFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N Pyrrole Chemical compound C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical compound OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 2
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 2
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- YUENFNPLGJCNRB-UHFFFAOYSA-N anthracen-1-amine Chemical group C1=CC=C2C=C3C(N)=CC=CC3=CC2=C1 YUENFNPLGJCNRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 2
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AOJOEFVRHOZDFN-UHFFFAOYSA-N benzyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1=CC=CC=C1 AOJOEFVRHOZDFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N butan-1-amine Chemical compound CCCCN HQABUPZFAYXKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N choline Chemical compound C[N+](C)(C)CCO OEYIOHPDSNJKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229960001231 choline Drugs 0.000 description 2
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N diethyl phthalate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- MGWAVDBGNNKXQV-UHFFFAOYSA-N diisobutyl phthalate Chemical compound CC(C)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(C)C MGWAVDBGNNKXQV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical group NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003145 methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 2
- XGEGHDBEHXKFPX-NJFSPNSNSA-N methylurea Chemical compound [14CH3]NC(N)=O XGEGHDBEHXKFPX-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 2
- 238000001393 microlithography Methods 0.000 description 2
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N mono-hydroxyphenyl-ethylene Natural products OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- KJIFKLIQANRMOU-UHFFFAOYSA-N oxidanium;4-methylbenzenesulfonate Chemical compound O.CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 KJIFKLIQANRMOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N propylamine Chemical compound CCCN WGYKZJWCGVVSQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 2
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 229920001897 terpolymer Polymers 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002818 (Hydroxyethyl)methacrylate Polymers 0.000 description 1
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- JYOQNYLFMVKQHO-UHFFFAOYSA-N 1,1-bis(trimethylsilyl)urea Chemical compound C[Si](C)(C)N(C(N)=O)[Si](C)(C)C JYOQNYLFMVKQHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZORQXIQZAOLNGE-UHFFFAOYSA-N 1,1-difluorocyclohexane Chemical compound FC1(F)CCCCC1 ZORQXIQZAOLNGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBBLOADPFWKNGS-UHFFFAOYSA-N 1,1-dimethylurea Chemical compound CN(C)C(N)=O YBBLOADPFWKNGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical group C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHIMPCGOROEWBE-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-tris(2-hydroxyethyl)triazinane-4,5,6-trione Chemical compound OCCN1N(CCO)C(=O)C(=O)C(=O)N1CCO KHIMPCGOROEWBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMMJWQMCMRUYTG-UHFFFAOYSA-N 1,2,4,5-tetrachloro-3-(trifluoromethyl)benzene Chemical compound FC(F)(F)C1=C(Cl)C(Cl)=CC(Cl)=C1Cl QMMJWQMCMRUYTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZLWSRCQCPAUDP-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-triazine-2,4,6-triamine;urea Chemical compound NC(N)=O.NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JZLWSRCQCPAUDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical class C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical class C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXFSTTJBVAAALW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydroimidazole-2-thione Chemical class SC1=NC=CN1 OXFSTTJBVAAALW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940057054 1,3-dimethylurea Drugs 0.000 description 1
- YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 1-(2H-benzotriazol-5-yl)-3-methyl-8-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carbonyl]-1,3,8-triazaspiro[4.5]decane-2,4-dione Chemical compound CN1C(=O)N(c2ccc3n[nH]nc3c2)C2(CCN(CC2)C(=O)c2cnc(NCc3cccc(OC(F)(F)F)c3)nc2)C1=O YIWGJFPJRAEKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUWDFGKRNIDKAE-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCCOCC(C)OC(C)=O FUWDFGKRNIDKAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJJCQDRGABAVBB-UHFFFAOYSA-N 1-hydroxy-2-naphthoic acid Chemical compound C1=CC=CC2=C(O)C(C(=O)O)=CC=C21 SJJCQDRGABAVBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PRPINYUDVPFIRX-UHFFFAOYSA-N 1-naphthaleneacetic acid Chemical compound C1=CC=C2C(CC(=O)O)=CC=CC2=C1 PRPINYUDVPFIRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOVNHINTOHPELQ-UHFFFAOYSA-N 1-o-butyl 2-o-(8-methylnonyl) benzene-1,2-dicarboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCCCCCC(C)C IOVNHINTOHPELQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCOCC(C)OC(C)=O DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJQJGRGGIUNVAB-UHFFFAOYSA-N 2,4,4,6-tetrabromocyclohexa-2,5-dien-1-one Chemical compound BrC1=CC(Br)(Br)C=C(Br)C1=O NJQJGRGGIUNVAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPOGMJLHWQHEGF-UHFFFAOYSA-N 2-chloroethyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCl GPOGMJLHWQHEGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl prop-2-enoate Chemical compound OCCOC(=O)C=C OMIGHNLMNHATMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLFWJIBUZQARMD-UHFFFAOYSA-N 2-mercapto-1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC(S)=NC2=C1 FLFWJIBUZQARMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HAZQZUFYRLFOLC-UHFFFAOYSA-N 2-phenyl-4,6-bis(trichloromethyl)-1,3,5-triazine Chemical compound ClC(Cl)(Cl)C1=NC(C(Cl)(Cl)Cl)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 HAZQZUFYRLFOLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMWOUSYSNFCKAZ-UHFFFAOYSA-N 3,7-dihydroxynaphthalene-2-carboxylic acid Chemical compound OC1=CC=C2C=C(O)C(C(=O)O)=CC2=C1 QMWOUSYSNFCKAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALKYHXVLJMQRLQ-UHFFFAOYSA-N 3-Hydroxy-2-naphthoate Chemical compound C1=CC=C2C=C(O)C(C(=O)O)=CC2=C1 ALKYHXVLJMQRLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 3-chloropropyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCl OXYZDRAJMHGSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNSFRPWPOGYVLO-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCCCO GNSFRPWPOGYVLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LLHWSBXZXJXVPL-UHFFFAOYSA-N 6-(2-methylphenyl)-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC=C1C1=NC(N)=NC(N)=N1 LLHWSBXZXJXVPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLDFTMJPQJXGSS-UHFFFAOYSA-N 6-bromo-2-naphthol Chemical compound C1=C(Br)C=CC2=CC(O)=CC=C21 YLDFTMJPQJXGSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZIIFPSPUDAGJM-UHFFFAOYSA-N 6-chloro-2-n,2-n-diethylpyrimidine-2,4-diamine Chemical compound CCN(CC)C1=NC(N)=CC(Cl)=N1 XZIIFPSPUDAGJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NWSGBTCJMJADLE-UHFFFAOYSA-N 6-o-decyl 1-o-octyl hexanedioate Chemical compound CCCCCCCCCCOC(=O)CCCCC(=O)OCCCCCCCC NWSGBTCJMJADLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical class NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- HEBKCHPVOIAQTA-QWWZWVQMSA-N D-arabinitol Chemical compound OC[C@@H](O)C(O)[C@H](O)CO HEBKCHPVOIAQTA-QWWZWVQMSA-N 0.000 description 1
- IEPRKVQEAMIZSS-UHFFFAOYSA-N Di-Et ester-Fumaric acid Natural products CCOC(=O)C=CC(=O)OCC IEPRKVQEAMIZSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTJFFFGAUHQWII-UHFFFAOYSA-N Dibutyl adipate Chemical compound CCCCOC(=O)CCCCC(=O)OCCCC XTJFFFGAUHQWII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IEPRKVQEAMIZSS-WAYWQWQTSA-N Diethyl maleate Chemical compound CCOC(=O)\C=C/C(=O)OCC IEPRKVQEAMIZSS-WAYWQWQTSA-N 0.000 description 1
- RDOFJDLLWVCMRU-UHFFFAOYSA-N Diisobutyl adipate Chemical compound CC(C)COC(=O)CCCCC(=O)OCC(C)C RDOFJDLLWVCMRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000186781 Listeria Species 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGJKQDOBUOMPEZ-UHFFFAOYSA-N N,N'-dimethylurea Chemical compound CNC(=O)NC MGJKQDOBUOMPEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YKFRUJSEPGHZFJ-UHFFFAOYSA-N N-trimethylsilylimidazole Chemical compound C[Si](C)(C)N1C=CN=C1 YKFRUJSEPGHZFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical group C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- IYFATESGLOUGBX-YVNJGZBMSA-N Sorbitan monopalmitate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O IYFATESGLOUGBX-YVNJGZBMSA-N 0.000 description 1
- HVUMOYIDDBPOLL-XWVZOOPGSA-N Sorbitan monostearate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](O)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1O HVUMOYIDDBPOLL-XWVZOOPGSA-N 0.000 description 1
- 239000004147 Sorbitan trioleate Substances 0.000 description 1
- PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N Sorbitan trioleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC[C@@H](OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)CCCCCCC\C=C/CCCCCCCC PRXRUNOAOLTIEF-ADSICKODSA-N 0.000 description 1
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 1
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 1
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical group C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical group C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007874 V-70 Substances 0.000 description 1
- IJCWFDPJFXGQBN-RYNSOKOISA-N [(2R)-2-[(2R,3R,4S)-4-hydroxy-3-octadecanoyloxyoxolan-2-yl]-2-octadecanoyloxyethyl] octadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(=O)OC[C@@H](OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC)[C@H]1OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)CCCCCCCCCCCCCCCCC IJCWFDPJFXGQBN-RYNSOKOISA-N 0.000 description 1
- NVJPBZCLWGTJKD-UHFFFAOYSA-N [bis(4-tert-butylphenyl)-lambda3-iodanyl] trifluoromethanesulfonate Chemical compound CC(C)(C)c1ccc(cc1)[I](OS(=O)(=O)C(F)(F)F)c1ccc(cc1)C(C)(C)C NVJPBZCLWGTJKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 150000001278 adipic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N aminothiocarboxamide Natural products NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N anhydrous quinoline Natural products N1=CC=CC2=CC=CC=C21 SMWDFEZZVXVKRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001556 benzimidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 description 1
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- GCTPMLUUWLLESL-UHFFFAOYSA-N benzyl prop-2-enoate Chemical compound C=CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 GCTPMLUUWLLESL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229950011260 betanaphthol Drugs 0.000 description 1
- CJFLBOQMPJCWLR-UHFFFAOYSA-N bis(6-methylheptyl) hexanedioate Chemical compound CC(C)CCCCCOC(=O)CCCCC(=O)OCCCCCC(C)C CJFLBOQMPJCWLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229940043232 butyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- UTOVMEACOLCUCK-PLNGDYQASA-N butyl maleate Chemical compound CCCCOC(=O)\C=C/C(O)=O UTOVMEACOLCUCK-PLNGDYQASA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- ITKVLPYNJQOCPW-UHFFFAOYSA-N chloro-(chloromethyl)-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)CCl ITKVLPYNJQOCPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSDCTSITJJJDPY-UHFFFAOYSA-N chloro-ethenyl-dimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)C=C XSDCTSITJJJDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJZNZOXALZKPEA-UHFFFAOYSA-N chloro-methyl-diphenylsilane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](Cl)(C)C1=CC=CC=C1 OJZNZOXALZKPEA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 150000001923 cyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- PDXRQENMIVHKPI-UHFFFAOYSA-N cyclohexane-1,1-diol Chemical compound OC1(O)CCCCC1 PDXRQENMIVHKPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIWOHHBRDFKZNC-UHFFFAOYSA-N cyclohexyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OC1CCCCC1 OIWOHHBRDFKZNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 229940031769 diisobutyl adipate Drugs 0.000 description 1
- AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 AHUXYBVKTIBBJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKTOVQRKCNPVKY-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(methyl)silicon Chemical compound CO[Si](C)OC PKTOVQRKCNPVKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N dimethyl phthalate Natural products CC(=O)OC1=CC=CC=C1OC(C)=O FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N dimethyldiethoxysilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)OCC YYLGKUPAFFKGRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001826 dimethylphthalate Drugs 0.000 description 1
- PQJYOOFQDXGDDS-ZCXUNETKSA-N dinonyl (z)-but-2-enedioate Chemical compound CCCCCCCCCOC(=O)\C=C/C(=O)OCCCCCCCCC PQJYOOFQDXGDDS-ZCXUNETKSA-N 0.000 description 1
- 238000007922 dissolution test Methods 0.000 description 1
- QYDYPVFESGNLHU-UHFFFAOYSA-N elaidic acid methyl ester Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(=O)OC QYDYPVFESGNLHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PZLGBVIKYPHZTH-UHFFFAOYSA-N ethene;2-nonylphenol Chemical compound C=C.CCCCCCCCCC1=CC=CC=C1O PZLGBVIKYPHZTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- ROPULXQBMNVQNU-UHFFFAOYSA-N ethoxy(2-methylprop-1-enyl)silane Chemical compound CCO[SiH2]C=C(C)C ROPULXQBMNVQNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRMHFDNWKCSEQU-UHFFFAOYSA-N ethoxyethane;phenol Chemical compound CCOCC.OC1=CC=CC=C1 LRMHFDNWKCSEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005745 ethoxymethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])OC([H])([H])* 0.000 description 1
- CKSRFHWWBKRUKA-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxyacetate Chemical compound CCOCC(=O)OCC CKSRFHWWBKRUKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFUIDHWFLMPAGY-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxy-2-methylpropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)(C)O GFUIDHWFLMPAGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZANNOFHADGWOLI-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxyacetate Chemical compound CCOC(=O)CO ZANNOFHADGWOLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OCC BHXIWUJLHYHGSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJUHLFUALMUWOM-UHFFFAOYSA-N ethyl 3-methoxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)CCOC IJUHLFUALMUWOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093499 ethyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- 125000003916 ethylene diamine group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 125000003976 glyceryl group Chemical group [H]C([*])([H])C(O[H])([H])C(O[H])([H])[H] 0.000 description 1
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 150000002473 indoazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000002502 liposome Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 150000002688 maleic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N meso ribitol Natural products OCC(O)C(O)C(O)CO HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Natural products C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N methoxy(trimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)C POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YSGBMDFJWFIEDF-UHFFFAOYSA-N methyl 2-hydroxy-3-methylbutanoate Chemical compound COC(=O)C(O)C(C)C YSGBMDFJWFIEDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSDFKDZBJMDHFF-UHFFFAOYSA-N methyl 3-ethoxypropanoate Chemical compound CCOCCC(=O)OC HSDFKDZBJMDHFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N methyl 3-methoxypropanoate Chemical compound COCCC(=O)OC BDJSOPWXYLFTNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYDYPVFESGNLHU-KHPPLWFESA-N methyl oleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OC QYDYPVFESGNLHU-KHPPLWFESA-N 0.000 description 1
- 229940073769 methyl oleate Drugs 0.000 description 1
- CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N methyl pyruvate Chemical compound COC(=O)C(C)=O CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYZFTMMPKCOTAN-UHFFFAOYSA-N n-[2-(2-hydroxyethylamino)ethyl]-2-[[1-[2-(2-hydroxyethylamino)ethylamino]-2-methyl-1-oxopropan-2-yl]diazenyl]-2-methylpropanamide Chemical compound OCCNCCNC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)NCCNCCO QYZFTMMPKCOTAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIBFFTLQMKKBLZ-SEYXRHQNSA-N n-butyl oleate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OCCCC WIBFFTLQMKKBLZ-SEYXRHQNSA-N 0.000 description 1
- RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N naphthalene-2,6-dicarboxylic acid Chemical compound C1=C(C(O)=O)C=CC2=CC(C(=O)O)=CC=C21 RXOHFPCZGPKIRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004780 naphthols Chemical class 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical class CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002888 oleic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002971 oxazolyl group Chemical group 0.000 description 1
- GIPDEPRRXIBGNF-KTKRTIGZSA-N oxolan-2-ylmethyl (z)-octadec-9-enoate Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(=O)OCC1CCCO1 GIPDEPRRXIBGNF-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 150000003021 phthalic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000259 polyoxyethylene lauryl ether Polymers 0.000 description 1
- 239000001818 polyoxyethylene sorbitan monostearate Substances 0.000 description 1
- 235000010989 polyoxyethylene sorbitan monostearate Nutrition 0.000 description 1
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- BOQSSGDQNWEFSX-UHFFFAOYSA-N propan-2-yl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)OC(=O)C(C)=C BOQSSGDQNWEFSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- HBCQSNAFLVXVAY-UHFFFAOYSA-N pyrimidine-2-thiol Chemical compound SC1=NC=CC=N1 HBCQSNAFLVXVAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940030966 pyrrole Drugs 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000006254 rheological additive Substances 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019795 sodium metasilicate Nutrition 0.000 description 1
- 229940035044 sorbitan monolaurate Drugs 0.000 description 1
- 239000001593 sorbitan monooleate Substances 0.000 description 1
- 235000011069 sorbitan monooleate Nutrition 0.000 description 1
- 229940035049 sorbitan monooleate Drugs 0.000 description 1
- 239000001587 sorbitan monostearate Substances 0.000 description 1
- 235000011076 sorbitan monostearate Nutrition 0.000 description 1
- 229940035048 sorbitan monostearate Drugs 0.000 description 1
- 229950003429 sorbitan palmitate Drugs 0.000 description 1
- 235000019337 sorbitan trioleate Nutrition 0.000 description 1
- 229960000391 sorbitan trioleate Drugs 0.000 description 1
- 239000001589 sorbitan tristearate Substances 0.000 description 1
- 235000011078 sorbitan tristearate Nutrition 0.000 description 1
- 229960004129 sorbitan tristearate Drugs 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 1
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940072958 tetrahydrofurfuryl oleate Drugs 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003918 triazines Chemical class 0.000 description 1
- GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N trichloro(ethenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C=C GQIUQDDJKHLHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N triflic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFTFJSFQGQCHQW-UHFFFAOYSA-N triformin Chemical compound O=COCC(OC=O)COC=O UFTFJSFQGQCHQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 1
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229920006163 vinyl copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000005050 vinyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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Abstract
히드록시알킬기 또는 알콕시알킬기로 치환된 요소화합물 및 바람직하게는 흡광성 화합물 및/또는 흡광성 수지를 함유하는 반사 방지막 형성 조성물, 그 조성물을 사용하는 반도체 장치의 반사 방지막의 형성 방법, 및 그 조성물을 사용하는 반도체 장치의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 조성물은 반도체 장치의 제조에 사용하는 파장의 광에 대하여 양호한 광흡수성을 나타내며, 높은 반사광 방지 효과를 갖고, 또 포토레지스트층과 비교하여 큰 드라이 에칭 속도를 갖는다.
Description
본 발명은 포토레지스트(Photoresist, 감광성 수지)를 노광(露光)하는 경우의 하부 기판에서의 반사와 같은 악영향의 저감에 유효한 반사 방지막 형성 조성물, 그 조성물을 사용한 반사 방지막의 형성방법, 및 상기 조성물을 이용한 반도체 장치의 형성방법에 관한 것이다.
종래부터 반도체 디바이스의 제조에 있어서, 포토레지스트 조성물을 사용한 리소그라피와 같은 미세가공이 행해지고 있다. 상기 미세가공은 실리콘웨이퍼 등의 피가공 기판 상에 포토레지스트 조성물의 박막을 형성하고, 그 위에 반도체 디바이스의 패턴이 그려진 마스크 패턴을 이용하여 자외선 등의 활성 광선을 조사, 현상하고, 얻어진 포토레지스트 패턴을 보호막으로서 실리콘웨이퍼 등의 피가공 기판을 에칭 처리하는 가공법이다. 그런데 근래, 반도체 디바이스의 고집적도화가 진행되고, 사용되는 활성 광선도 KrF 엑시머 레이저(파장 248㎚)에서부터 ArF 엑시머 레이저(파장 193㎚), 나아가 F2 엑시머 레이저(파장 157㎚)로 단파장화되는 경향이다. 이에 수반하여 기판에서의 활성광선의 난반사나 정재파 영향이 큰 문제였다. 거기에서 감광성 수지와 피가공 기판 사이에 반사 방지막(Bottom Anti-Reflective Coating, BARC)을 설치하는 방법이 광범위하게 검토되고 있다.
반사 방지막으로서는 티탄, 이산화티탄, 질화티탄, 산화 크로늄, 카본, α-실리콘 등의 무기 반사 방지막과 흡광성 물질과 고분자 화합물로 된 유기 반사 방지막이 알려져 있다. 전자는 막형성을 위해 진공 증착장치, CVD장치, 스퍼터링 장치 등의 설비를 필요로 함에 반하여, 후자는 특별한 설비를 필요하지 않는 점에서 유리하여 수 많은 검토가 행해지고 있다. 예를 들어, 유기판재 방지막의 예로서, 가교반응기인 히드록실기와 흡광기를 동일 분자 내에 갖는 아크릴수지형 반사 방지막이나 가교반응기인 히드록실기와 흡광기를 동일 분자 내에 갖는 노볼락 수지형 반사 방지막 등을 들 수 있다(예를 들어, 미국특허 제5919599호 명세서, 미국특허 제5693691호 명세서).
유기 반사 방지막 재료에 있어서, 필요한 물성은 예를 들어, 광 이나 방사선에 대하여 큰 흡광도를 가질 것, 포토레지스트층과의 인터믹싱(inter-mixing)이 발생하지 않을 것(포토레지스트 용제에 불용일 것), 도포시 또는 가열 건조시에 반사 방지막 재료에서부터 덧칠 레지스트로의 저분자 확산물이 없을 것, 포토레지스트에 비하여 큰 드라이 에칭 속도를 가질 것 등이다(예를 들어, Tom Lynch 외 3명, 'Properties and Performance of Near UV Reflectivity Control Layers', 미국, In Advances in Resist Technology and Processing of SPIE, 1994년, 제2195권(Vol.2195), p.225-229; G. Taylor 외 13명, 'Methacrylate Resist and Antireflective Coatings for 193㎚ Lithography', 미국, in Microlithography 1999: Advances in Resist Technology and Processing XVI, Will Conley 편, Proceedibgs of SPIE, 1999년, 제3678권(Vol.3678), p.174-185; Jim.D.Meador 외 6명, 'Recent Progress in 193㎚ Antireflective Coatings', 미국, in Microlithography 1999:Advances in Resist Technology and Processing XVI, Will Conley 편, Proceedings of SPIE, 1999년, 제3678권(Vol.3678), p,800-809 참조).
또, 히드록시 알킬기 또는 알콕시 알킬기에 치환된 아미노기를 갖는 함질소화합물을 함유하는 리소그라피용 하부재가 알려져 있다(예를 들어, 일본특허공개 2000-221689호 공보 및 일본특허공개 2000-284491호 공보 참조).
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것이다.
본 발명의 제 1 목적은 반도체 장치 제조의 리소그라피 프로세스에 이용하기 위한 반사 방지막 형성 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 제 2 목적은 248㎚, 193㎚, 157㎚ 등의 파장의 조사광을 미세가공에 사용하는 경우에 기판에서의 반사광을 효과적으로 흡수하고, 포토레지스트층의 인터믹싱이 발생하지 않으면서, 우수한 포토레지스트 패턴이 얻어지며, 포토레지스트에 비교하여 큰 드라이 에칭 속도를 갖는 리소그라피용 반사 방지막의 형성방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 제 3 목적은 상기 반사 방지막 형성 조성물을 이용하여 포토레지스트 패턴을 형성하는, 반도체 장치의 제조방법을 제공하는 것이다.
본 청구항 1의 발명은 하기 식 (1)
(식 중에서, R1 및 R2는 각각 독립하여 수소원자 및 알킬기를 표시하며, R3 및 R4는 각각 독립하여 수소원자, 메틸기, 에틸기, 히드록시 메틸기 또는 알콕시 메틸기를 표시한다)에 표시된 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성 조성물이다.
본 청구항 2의 발명은 본 청구항 1에 기재된 식 (1)에 표시된 화합물로부터 제조된 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성 조성물이다.
본 청구항 3의 발명은 상기 수지가 식 (1)에 표시된 화합물의 축합물인 것을 특징으로 하는 청구항 2에 기재된 반사 방지막 형성 조성물이다.
본 청구항 4의 발명은 흡광성 화합물 및/또는 흡광성 수지를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는, 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나에 기재된 반사 방지막 형성 조성물이다.
본 청구항 5의 발명은 상기 흡광성 화합물이 나프탈렌 화합물 및 안트라센 화합물 중에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 청구항 4에 기재된 반사 방지막 형성 조성물이다.
본 청구항 6의 발명은 상기 흡광성 화합물이 트리아진 화합물 및 트리아진 트리온 화합물 중에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 청구항 4에 기재된 반사 방지막 형성 조성물이다.
본 청구항 7의 발명은 상기 흡광성 수지가 그 구조 내에 벤젠환, 나프탈렌환 및 안트라센환 중에서 선택된 적어도 하나의 방향환 구조를 갖는 것임을 특징으로 하는 청구항 4에 기재된 반사 방지막 형성 조성물이다.
본 청구항 8의 발명은 수산기, 카르복실기, 아미노기 및 티올기 중에서 선택된 적어도 하나의 가교 형성 치환기를 갖는 수지를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 청구항 1 및 청구항 3 중 어느 하나에 기재된 반사 방지막 형성 조성물이다.
본 청구항 9의 발명은 산 및/또는 산 발생제를 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나에 기재된 반사 방지막 형성 조성물이다.
본 청구항 10의 발명은 반도체 장치의 제조에 사용하는 반사 방지막의 형성 방법에 있어서, 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나에 기재된 반사 방지막 형성 조성물을 기판 상에 도포하고 소성하여 형성하는 것을 특징으로 하는 방법이다.
본 청구항 11의 발명은 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 하나에 기재된 반사 방지막 형성 조성물을 기판 상에 도포하고 소성하여 반사 방지막을 형성하고, 그 위에 포토레지스트를 피복하고, 그 반사 방지막과 포토레지스트를 피복한 기판을 노광하고, 현상하고, 에칭에 의해 기판 상에 화상을 전사하여 집적회로 소자를 형성하는 것을 특징으로 하는 방법이다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물은 기본적으로 식 (1)에 표시된 화합물 및 용제로부터 되는 조성물, 또는 식 (1)에 표시된 화합물로부터 제조되는 수지 및 용제로부터 된 조성물이고, 임의적 성분으로서 계면활성제 등을 함유할 수 있다. 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물 중의 고형분 함유율은 바람직하게는 0.1-50질량%, 보다 바람직하게는 0.5-30질량%이다. 여기서 고형분으로서는 반사 방지막 형성 조성물의 전체 성분에서 용제 성분을 제거한 것이다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에 있어서는, 유효성분으로서, 상기 식 (1)에 표시된 화합물이 사용된다. 식 (1)에 있어서, R1 및 R2는 각각 독립하여 수소원자 또는 알킬기를 표시하고, R3 및 R4는 각각 독립하여 수소원자, 메틸기, 에틸기, 히드록시 메틸기 또는 알콕시 메틸기를 표시한다.
상기 알킬기로서는 예를 들어, 메틸기, 에틸기, 이소프로필기, 노말부틸기, 노말헥실기 등을 들 수 있다. 또 상기 알콕시 메틸기로서는 예를 들어, 메톡시 메틸기, 에톡시 메틸기, 부톡시 메틸기 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서는, 식 (1)의 화합물 1종 만을 사용해도 좋고, 또 2종 이상의 식 (1)에 표시된 화합물을 혼합하여 사용할 수도 있다. 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에 있어서, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 50-99질량%, 가장 바람직하게는 60-95질량%이다.
식(1)에 표시된 화합물은 요소나 메틸요소 등을 비등수 중에서 포르말린과 반응시켜 메틸올화하여 얻을 수 있다. 이 반응에 있어서, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 테트라메틸암모늄 히드록시드 등의 염기성 촉매를 사용할 수 있다. 또, 요소나 메틸요소 등을 메틸올화한 화합물에 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 노말헥산올 등의 알코올을 반응시켜 알콕시알킬화하여 얻을 수 있다. 이 반응에 있어서 염산, 황산, 메탄설폰산 등의 산성 촉매를 사용할 수 있다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에 있어서는, 또한 식 (1)의 화합물로부터 제조할 수 있는 수지를 사용할 수 있다. 이와 같은 수지로서는 식 (1)의 화합물을 식 (1)의 화합물과 축합반응 가능한 화합물과 축합반응시켜 제조되는 수지 및 식 (1)의 화합물 상호간의 축합반응에 의해 제조되는 축합체인 수지가 포함된다. 이와 같은 수지의 중량평균분자량은 100-1000000인 것이 바람직하고, 중량평균분자량 200-500000의 수지를 사용하는 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서는 식 (1)의 화합물로부터 제조되는 수지 1종만을 사용하여도 좋고, 또 2종 이상의 수지를 혼합하여 사용할 수도 있다. 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에 있어서, 식 (1)에서부터 제조되는 수지의 배합량은 전체 고형분 100질량% 당, 바람직하게는 10질량% 이상, 보다 바람직하게는 50-99질량%, 가장 바람직하게는 60-95질량%이다.
이와 같은 수지는 식(1)의 화합물과 축합반응 가능한 화합물을 혼합하고, 이 혼합물을 가교하여 축합반응시켜 얻을 수 있다. 이와 같은 축합반응은 식 (1)의 화합물, 또 식 (1)의 화합물 및 식 (1)의 화합물과 축합반응 가능한 화합물을 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 유산에틸, 유산부틸, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, N-메틸피롤리돈 등의 유기 용제에 용해한 용액 상태로 행하는 것이 바람직하다. 축합반응의 반응온도나 반응시간은 사용하는 화합물, 목적으로 하는 수지의 중합도, 분자량 등에 따라 다르지만, 예를 들어, 반응시간은 0.1-100시간의 범위에서, 또한 반응온도는 20-200℃의 범위에서 적정하게 선택하여도 좋다. 산 촉매를 사용하는 경우, 산 촉매는 사용하는 화합물의 전체 질량에 대하여 0.001-50질량%의 범위에서 사용할 수 있다.
식 (1)의 화합물 및 식 (1)의 화합물과 축합반응 가능한 화합물로부터 제조되는 수지에 있어서, 식 (1)의 화합물 및 식 (1)의 화합물과 축합반응 가능한 화합물의 조성에 특별히 제한은 없지만, 얻어진 수지를 사용하여 형성된 반사 방지막의 반사 방지 효과, 감쇄계수, 에칭 속도 등을 고려하여, 식 (1)의 화합물 및 식 (1)의 화합물과 축합반응 가능한 화합물의 합계 질량에 대하여 식 (1)의 화합물은 바람직하게는 30질량% 이상, 보다 바람직하게는 50질량% 이상, 가장 바람직하게는 70질량% 이상 포함되는 것이 좋다.
식 (1)의 화합물과 축합반응 가능한 화합물로서는 수산기, 카르복실기, 아미노기, 알콕시메틸기 등의 식 (1)의 화합물과 축합반응 가능한 치환기를 갖는 화합물을 사용할 수 있다. 이와 같은 화합물로서는 예를 들어, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜, 아라비톨, 시클로헥산디올, 폴리(2-히드록시에틸)메타크릴레이트, 페놀노볼락, 트리스(2-히드록시에틸)트리아진트리온, 나프톨, 벤질알코올, 9-히드록시메틸 안트라센 등의 수산기를 갖는 화합물; 말레인산, 프탈산, 말론산, 안식향산, 나프탈렌카르본산, 9-안트라센카르본산 등의 카르복실기를 갖는 화합물; 에틸렌디아민, 아미노안트라센, 아닐린, 헥사메틸렌디아민 등의 아미노기를 갖는 화합물; 미츠이 사이 테크 주식회사제 글리콜우릴 화합물(상품명 파우더링크1174, 사이멜1170), 메톡시메틸타입 멜라민계 가교제 화합물(상품명 마이코트506, 마이코트508) 등의 알콕시 메틸기를 갖는 화합물을 들 수 있다.
식(1)의 화합물 및 이로부터 제조되는 수지로서는 또 미쯔이 사이테크 주식회사제 메틸화 요소수지(상품명 UFR65), 부틸화 요소수지(상품명 UFR300, U-VAN10S60, U-VAN10R, U-VAN11HV), 부틸화 요소멜라민수지(U-VAN132, U-VAN135, U-VAN136, U-VAN55); 대일본 잉크화학공업 주식회사제 요소/포름알데히드계 수지(부축합형, 상품명 벳카민J-300S, 벳카민P-955, 벳카민N) 등의 시판품을 들 수 있다.
본 발명의 식 (1)의 화합물에서부터 제조될 수 있는 수지는 다음과 같은 구조를 갖는 것으로 추정된다.
즉, 식 (1)의 화합물과의 축합으로 생기는 수지, 예를 들어 식 (1)로 표시되는 화합물의 하나인 테트라부톡시메틸요소의 축합에 의해 생기는 수지에 있어서는 부톡시메틸기 부분에서 축합이 일어나고, 요소부분이 -CH2- 또는 -CH2OCH2-의 가교결합에 의해 연결된 하기 식 (2)로 표시되는 구조를 갖고 있다고 생각된다. 또한, 이 수지의 생성에 있어서는 테트라부톡시메틸요소의 모든 부톡시메틸기가 수지의 생성에 관여하는 것은 아니고, 일부의 부톡시메틸기는 잔존하는 것으로 추정된다.
식 (1)의 화합물 및 식 (1)의 화합물과 축합반응 가능한 화합물로부터 제조되는 수지, 예를 들어 식 (1)로 표시되는 화합물의 하나인 테트라부톡시메틸요소를, 식 (1)의 화합물과 축합반응 가능한 화합물의 하나인 헥사메톡시메틸멜라민과 축합시켜 생기는 수지로서는, 부톡시메틸기 부분 및 메톡시메틸기 부분에서 축합이 일어나고, 요소부분과 멜라민 부분이 -CH2- 또는 -CH2OCH2-의 가교결합에 의해 연결된 하기 식 (3)으로 표시되는 구조를 갖는 것으로 생각된다. 또한, 이 수지의 생성에 있어서는 테트라부톡시메틸요소, 헥사메톡시메틸멜라민의 모든 부톡시메틸기, 메톡시메틸기가 수지의 생성에 관여하는 것은 아니고, 일부의 부톡시메틸기 또는 메톡시메틸기는 잔존하는 것으로 추정된다.
또, 식 (1)의 화합물과 축합반응 가능한 화합물로서, 예를 들어 2개의 수산기를 갖는 화합물이 사용되는 경우에는, 그 화합물과 테트라부톡시메틸요소와의 축합에 의해 생기는 수지에 있어서는 수산기 부분과 부톡시메틸기 부분 사이에 축합이 일어나고, 그 수산기를 갖는 화합물과 요소부분이 -OCH2-의 가교결합에 의해 연결된 하기 식 (4)로 표시되는 구조를 갖는다고 생각된다. 또, 그 수지의 생성에 있어서는 수산기를 갖는 화합물의 모든 수산기 및 테트라부톡시메틸요소의 모든 부톡시메틸기가 수지의 생성에 관여하는 것은 아니고, 일부의 수산기 또는 부톡시메틸기는 잔존하는 것으로 추정된다. 하기 식 (4) 중, HO-A-OH는 2개의 수산기를 갖는 화합물을 표시하고, A는 그 화합물에서 2개의 수산기를 제거한 부분을 표시한다.
또, 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에 있어서는 식 (1)의 화합물과 식 (1)의 화합물로부터 제조할 수 있는 수지를 조합하여 사용할 수 있다. 그와 같은 조합물인 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에 있어서, 배합량은 전체 고형분 100질량%당 바람직하게는 50-99질량%, 가장 바람직하게는 60-95질량%이다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에는 흡광성 화합물이나 흡광성 수지를 첨가할 수 있다. 흡광성 화합물이나 흡광성 수지를 첨가함에 의해 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물로부터 형성된 반사 방지막의 굴절률, 감쇄계수, 에칭 속도 등의 특성을 조절할 수 있다. 이와 같은 흡광성 화합물이나 흡광성 수지로서는 반사 방지막 위에 설치된 포토레지스트층 중의 감광성분의 감광특성 파장영역에 있어서 광에 대한 높은 흡수능을 갖고, 기판에서의 반사에 의해 생기는 특정파나 기판 표면의 단차에 의한 난반사를 방지하는 것이라면 사용할 수 있다. 또, 사용되는 흡광성수지의 중량평균분자량은 바람직하게는 500-1000000, 보다 바람직하게는 500-500000이다.
이들 흡광성 화합물이나 흡광성 수지는 1종만을 사용할 수 있지만, 2종 이상 을 조합하여 사용할 수도 있다. 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에 있어서 흡광성 화합물이나 흡광성 수지의 배합량은 전체 고형분의 100질량% 당, 바람직하게는 0.01질량% 이상, 보다 바람직하게는 1-90질량%, 더욱 바람직하게는 1-50질량%, 가장 바람직하게는 5-40질량%이다.
흡광성 화합물로서는, 예를 들어, 벤조페놀 화합물, 벤조트리아졸 화합물, 아조 화합물, 나프탈렌 화합물, 안트라센 화합물, 안트라퀴논 화합물, 트리아진 화합물, 트리아진트리온 화합물, 퀴놀린 화합물 등을 사용할 수 있다. 나프탈렌 화합물, 안트라센 화합물, 트리아진 화합물, 트리아진트리온 화합물이 바람직하게 사용된다.
그와 같은 흡광성 화합물로서는 분자 내에 적어도 하나의 수산기, 아민기 또는 카르복실기를 갖는 나프탈렌 화합물, 분자 내에 적어도 하나의 수산기, 아미노기 또는 카르복실기를 갖는 안트라센 화합물이 바람직하게 사용된다.
분자 내에 적어도 하나의 수산기, 아미노기 또는 카르복실기를 갖는 나프탈렌 화합물로서는 1-나프탈렌카르본산, 2-나프탈렌카르본산, 1-나프톨, 2-나프톨, 1-아미노나프탈렌, 나프틸초산, 1-히드록시-2-나프탈렌카르본산, 3-히드록시-2-나프탈렌카르본산, 3,7-디히드록시-2-나프탈렌카르본산, 6-브로모-2-히드록시나프탈렌, 2,6-나프탈렌디카르본산 등을 들 수 있다.
분자 내에 적어도 1개의 수산기, 아미노기 또는 카르복실기를 갖는 안트라센 화합물로서는 9-안트라센카르본산, 9-히드록시메틸 안트라센, 1-아미노 안트라센 등을 들 수 있다.
또, 흡광성 화합물로서는 트리아진 화합물 또는 트리아진트리온 화합물을 사용할 수 있다.
그와 같은 트리아진 화합물은 예를 들어, 적어도 1개의 메톡시메틸기를 갖는 멜라민, 벤조구아나민 화합물이고, 구체적으로는 예를 들어, 헥사메톡시 메틸멜라민, 테트라메톡시 메틸벤조구아나민을 들 수 있다.
트리아진트리온 화합물로서는 다음 식 (5):
{식 (5) 중, X는 (a)-(g)로 표시되는 기를 표시한다}의 화합물을 들 수 있다.
흡광성 수지로서는 예를 들어, 그 구조 내에 벤젠환, 나프탈렌환, 안트라센환과 같은 방향환구조, 피리딘환, 퀴놀린환, 티오펜환, 티아졸환, 트리아진환, 옥사졸환과 같은 헤테로 방향환 구조를 갖는 수지를 사용할 수 있다.
그와 같은 흡광성 수지로서는 그 반복 구성 단위 내에 벤젠환, 나프탈렌환 및 안트라센환 중에서 선택된 적어도 하나의 방향환 구조를 갖는 수지를 사용할 수 있다.
벤젠환을 사용하는 수지로서는, 노볼락 수지, 할로겐화 노볼락 수지, 폴리스티렌, 폴리히드록시스티렌 등을 들 수 있다. 또, 벤질아크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 스티렌, 히드록시스티렌 등을 구성단위로 함유하는 수지를 들 수 있다. 그와 같은 수지로서는 벤질메타크릴레이트와 2-히드록시프로필 메타크릴레이트의 코폴리머, 스티렌과 2-히드록시에틸 메타크릴레이트의 코폴리머, 히드록시스티렌과 에틸메타크릴레이트의 코폴리머, 벤질메타크릴레이트와 2-히드록시프로필 메타크릴레이트와 에틸메타크릴레이트의 터폴리머, 스티렌과 2-히드록시에틸 메타크릴레이트와 메틸메타크릴레이트의 터폴리머 등을 들 수 있다.
또한, 벤젠환을 사용하는 수지로서는 미국 특허 제6323310호 명세서에 기재되어 있는 멜라민 화합물(상품명 사이멜303)과 벤조구아나민 화합물(상품명 사이멜1123)로부터 제조되는 수지를 들 수 있다. 나프탈렌환이나 안트라센환을 사용하는 수지로서는 예를 들어, 이하에서 표시하는 구성단위([1]-[7])를 사용하는 수지를 들 수 있다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에는 또한 수산기, 카르복실기, 아미노기 및 티올기 중에서 선택된 적어도 하나의 가교형성 치환기를 갖는 수지를 첨가할 수 있다. 그와 같은 수지를 첨가함에 의해, 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물로부터 형성된 반사 방지막의 굴절률, 감쇄계수, 에칭 속도 등의 특성을 조절할 수 있다. 이와 같은 수지로서는 2-히드록시에틸 아크릴레이트, 2-히드록시프로필 아크릴레이트, 2-히드록시에틸 메타크릴레이트, 2-히드록시프로필 메타크릴레이트, 비닐알코올, 2-히드록시에틸 비닐에테르, 아크릴산, 메타크릴산 등을 구성단위의 하나로 함유하는 수지를 들 수 있다. 이와 같은 수지의 중량평균분자량은 바람직하게는 500-1000000, 보다 바람직하게는 500-500000이다. 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에 있어서 이와 같은 수지의 함유량은 전체 고형분 100질량% 당, 바람직하게는 20질량% 이하, 보다 바람직하게는 15질량% 이하이다.
그와 같은 수지로서는 예를 들어, 폴리2-히드록시에틸 메타크릴레이트, 폴리비닐알코올, 폴리아크릴산, 2-히드록시프로필 아크릴레이트와 메틸메타크릴레이트의 코폴리머, 2-히드록시프로필 아크릴레이트와 이소프로필 메타크릴레이트의 코폴리머, 2-히드록시프로필 메타크릴레이트와 2,2,2-트리클로로에틸 메타크릴레이트의 코폴리머, 2-히드록시프로필 메타크릴레이트와 2,2,2-트리플루오로에틸 메타크릴레이트의 코폴리머, 2-히드록시프로필 메타크릴레이트와 2-클로로에틸 메타크릴레이트의 코폴리머, 2-히드록시프로필 메타크릴레이트와 시클로헥실 메타크릴레이트의 코폴리머, 2-히드록시프로필 메타크릴레이트와 노말옥틸 메타크릴레이트의 코폴리머, 2-히드록시프로필 메타크릴레이트와 비닐알코올의 코폴리머, 2-히드록시프로필 메타크릴레이트와 아크릴산의 코폴리머, 2-히드록시프로필 메타크릴레이트와 말레이미드의 코폴리머, 2-히드록시프로필 메타크릴레이트와 아크릴로니트릴의 코폴리머, 비닐알코올과 메틸메타크릴레이트의 코폴리머, 비닐알코올과 말레이미드의 코폴리머, 비닐알코올과 메틸메타크릴레이트의 코폴리머, 2-히드록시에틸 비닐에테르와 에틸메타크릴레이트의 코폴리머, 2-히드록시에틸 비닐에테르와 2-히드록시프로필 메타크릴레이트의 코폴리머, 메타크릴산과 에틸메타크릴레이트의 코폴리머, 메타크릴산과 말레이미드의 코폴리머 등을 들 수 있다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에는 산 및/또는 산 발생제를 첨가할 수 있다. 이와 같은 산이나 산 발생제로서는 초산, 메탄 술폰산, 트리플루오로 초산, 트리플루오로메탄 술폰산, 안식향산, 톨루엔 술폰산, 피리디늄-p-톨루엔 술포네이트 등의 산성 화합물; 2,4,4,6-테트라브로모 시클로헥사디에논, 벤조인트실레이트, 2-니트로벤질 트실레이트, 그외 유기 술폰산 알킬에스테르 등의 열산 발생제; 비스(4-t-부틸페닐)요오드늄 트리플루오로메탄 술포네이트, 트리페닐술포늄 트리플루오로메탄 술포네이트, 페닐-비스(트리클로로메틸)s-트리아진, 벤조인트실레이트, N-히드록시숙신이미드 트리플루오로메탄 술포네이트 등의 광산발생제를 들 수 있다. 이와 같은 산이나 산 발생제는 1종만을 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에 있어서 이와 같은 산이나 산 발생제의 첨가량은 전체 고형분 100질량% 당, 바람직하게는 0.001-20질량%, 보다 바람직하게는 0.01-1-질량%이다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에는, 상기 이외에 필요에 따라서 다른 첨가제, 예를 들어 레올로지 조절제, 접착보조제, 계면활성제 등을 첨가할 수 있다.
레올로지 조절제는 주로 반사 방지막 형성 조성물의 유동성을 향상시키고, 특히 소성(baking) 공정에 있어서, 홀 내부에의 반사 방지막 형성 조성물의 충진성을 향상시킬 목적으로 첨가된다. 레올로지 조절제의 구체적인 예로는, 디메틸 프탈레이트, 디에틸 프탈레이트, 디이소부틸 프탈레이트, 디헥실 프탈레이트, 부틸이소데실 프탈레이트 등의 프탈산 유도체; 디노말부틸 아디페이트, 디이소부틸 아디페이트, 디이소옥틸 아디페이트, 옥틸데실 아디페이트 등의 아디핀산 유도체; 디노말부틸 말레이트, 디에틸 말레이트, 디노닐 말레이트 등의 말레인산 유도체; 메틸올레이트, 부틸올레이트, 테트라히드로 푸르푸릴올레이트 등의 올레인산 유도체; 또는 노말부틸 스테알레이트, 글리세릴 스테아릴레이트 등의 스테아린산 유도체를 들 수 있다. 이들의 레올로지 조절제는 반사 방지막 형성 조성물의 전체 성분 100질량% 당, 통상 30질량% 미만으로 배합된다.
접착보조제는 주로 기판 또는 포토레지스트와 반사 방지막 형성 조성물로부터 형성된 반사 방지막과의 밀착성을 향상시키고, 특히 현상에 있어서 포토레지스트가 박리하지 않도록 할 목적으로 첨가된다. 구체적인 예로서는 트리메틸 클로로실란, 디메틸비닐 클로로실란, 메틸디페닐 클로로실란, 클로로메틸 디메틸클로로실란 등의 클로로실란류; 트리메틸 메톡시실란, 디메틸 디에톡시실란, 메틸 디메톡시실란, 디메틸비닐 에톡시실란, 디페닐 디메톡시실란, 페닐 트리에톡시실란 등의 알콕시 실란류; 헥사메틸디실라잔, N,N-비스(트리메틸실릴)우레아, 디메틸트리메틸 실릴아민, 트리메틸 실릴이미다졸 등의 실라잔류; 비닐트리클로로실란, γ-클로로프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란 등의 실란류; 벤조트리아졸, 벤즈이미다졸, 인다졸, 이미다졸, 2-메르캅토벤즈이미다졸, 2-메르캅토벤조티아졸, 2-메르캅토벤조옥사졸, 우라졸, 티오우라실, 메르캅토이미다졸, 메르캅토피리미딘 등의 복수 환상 화합물이나, 1,1-디메틸우레아, 1,3-디메틸우레아 등의 요소, 또는 티오요소 화합물을 들 수 있다. 이러한 접착보조제는 반사 방지막 형성 조성물의 전 성분 100질량% 당, 통상 5질량% 미만, 바람직하게는 2질량% 미만의 비율로 배합된다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에는, 핀 홀(pin hole)이나 스트라이크 레이션(strike ration) 등의 발생이 없고, 표면부에 대한 도포성을 더욱 향상시키기 위해서 계면활성제를 배합할 수 있다. 계면활성제로서는 예를 들어 폴리옥시에틸렌 라우릴에테르, 폴리옥시에틸렌 스테아릴에테르, 폴리옥시에틸렌 세틸에테르, 폴리옥시에틸렌 올레일에테르 등의 폴리옥시에틸렌 알킬에테르류, 폴리옥시에틸렌 옥틸페놀에테르, 폴리옥시에틸렌 노닐페놀에테르 등의 폴리옥시에틸렌 알킬알릴에테르류, 폴리옥시에틸렌ㆍ폴리옥시프로필렌 블록코폴리머류, 소르비탄 모노라우레이트, 소르비탄 팔미테이트, 소르비탄 모노스테아레이트, 소르비탄 모노올레이트, 소르비탄 트리올레이트, 소르비탄 트리스테알레이트 등의 소르비탄 지방산 에스테르류, 폴리옥시에틸렌 이소부탄 모노라우레이트, 폴리옥시에틸렌 이소루비탄 모노팔미테이트, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 모노스테아레이트, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 트리올레이트, 폴리옥시에틸렌 소르비탄 트리스테아레이트 등의 폴리옥시에틸렌 소르비탄 지방산 에스테르류 등의 노니온계 계면활성제; 에프토츠프 EF301, EF303, EF352, ((주)토켐 프로덕트제), 메가퍽 F171, F173(대일본 잉크 화학공업(주)제), 플로라도 FC430, FC431(스미토모 쓰리엠(주)제), 아사히가드 AG710, 서프 롱 S-382, SC101, SC 102, SC103, SC104, SC105, SC106(아사히 유리(주)제) 등의 불소계 계면활성제, 오르가노실록산 폴리머 KP341(신에쯔 화학공업(주)제) 등을 들 수 있다. 이러한 계면활성제의 배합량은 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물의 전체 성분 100질량% 당, 통상 0.2질량% 이하, 바람직하게는 0.1질량% 이하이다. 이러한 계면활성제는 단독으로 첨가해도 좋고, 또 2종류 이상의 조합으로 첨가할 수도 있다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물은 상기의 각종 성분을 적당한 용제에 용해시켜 이용하는 것이 바람직하다. 그와 같은 용제로서는 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 메틸셀로솔브 아세테이트, 에틸셀로솔브 아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 프로필렌글리콜 프로필에테르 아세테이트, 톨루엔, 크실렌, 메틸에틸케톤, 시클로펜타논, 시콜로헥사논, 2-히드록시 프로피온산에틸, 2-히드록시-2-메틸프로피온산에틸, 에톡시초산에틸, 히드록시초산에틸, 2-히드록시-3-메틸부탄산메틸, 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 피루빈산메틸, 피루빈산에틸, 초산에틸, 초산부틸, 유산에틸, 유산부틸 등을 이용할 수 있다. 이러한 유기용제는 단독으로, 또는 2종 이상의 조합으로 사용된다.
또한, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노부틸에테르 아세테이트 등의 고비등점 용제를 혼합하여 사용할 수 있다. 이러한 용제 중에서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 유산에틸, 유산부틸 및 시클로헥사논이 레벨링(leveling)성 향상에 바람직하다.
본 발명에 있어서 반사 방지막의 상층에 도포되는 포토레지스트로서는 네가형 포토레지스트 및 포지 형 포토레지스트의 어떠한 것도 사용할 수 있다. 포토레지스트의 구체적인 예로는, 예를 들면, 노볼락 수지와 1,2-나프토퀴논디아지드 술폰산에스테르로부터 되는 포지형 포토레지스트, 산으로 분해하여 알칼리 용해속도를 상승시키는 기를 갖는 바인더와 광산발생제로부터 되는 화학 증폭형 포토레지스트, 산으로 분해하여 포토레지스트의 알칼리 용해속도를 상승시킨 저분자 화합물과 알칼리 가용성 바인더와 광산발생제로 되는 화학 증폭형 포토레지스트, 산으로 용해시켜 알칼리 용해속도를 상승시킨 기를 갖는 바인더와 산으로 분해하여 포토레지스트의 알칼리 용해속도를 상승시킨 저분자 화합물과 광산발생제로 되는 화학 증폭형 포토레지스트, 예를 들어, 시프레사제 상품명 APEX-E, 스미토모 화학공업(주)제의 상품명 PAR710 등을 들 수 있다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물을 사용하여 형성한 반사 방지막을 갖는 포지형 포토레지스트의 현상액으로서는, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 암모니아수 등의 무기 알칼리류, 에틸아민, 노말프로필아민 등의 제1 아민류, 디에틸아민, 디노말부틸아민 등의 알코올 아민류, 테트라메틸 암모늄수산화물, 테트라에틸 암모늄수산화물, 콜린 등의 제4급 암모늄염, 피롤, 피페리딘 등의 알칼리류의 수용액을 사용할 수 있다. 또한 상기 알칼리류의 수용액에 이소프로필 알코올 등의 알코올류, 비이온계 등의 계면활성제를 적당량 첨가하여 사용할 수도 있다. 이들 중에서 바람직한 현상액은 제4급 암모늄염, 더욱 바람직하게는 테트라메틸 암모늄수산화물 및 콜린이다.
다음으로 본 발명의 포토레지스트 패턴 형성법에 대하여 설명하면, 정밀 집적 회로 소자의 제조에 사용되는 기판(예를 들면, 실리콘/이산화실리콘 피복, 유리기판, ITO기판 등의 투명 기판) 위에 스피너, 코터 등의 적당한 도포 방법에 의해 반사 방지막 형성 조성물을 도포 후, 소성(baking)하고 경화시켜 반사 방지막을 형성한다. 여기서, 반사 방지막의 막두께로서는 0.01-3.0㎛가 바람직하다. 또 도포 후 소성하는 조건으로서는 80-250℃로 1-120분간이다. 그 후 포토레지스트를 도포하고, 소정의 마스크를 통하여 노광, 현상, 린스, 건조함으로써 양호한 포토레지스트 패턴을 얻을 수 있다. 필요에 따라서 노광후 가열(PEB:Post Exposure Bake)을 행할 수 있다. 그리고 포토레지스트가 상기 공정에 의해 현상 제거된 부분의 반사 방지막을 드라이 에칭으로 제거하여, 원하는 패턴을 기판 상에 형성할 수 있다.
본 발명의 반사 방지막 형성 조성물로부터 제작한 반사 방지막은 지금까지보다도 박막으로 사용 가능하고, 반사 방지막의 에칭공정에 관련된 시간을 대폭적으로 단축할 수 있다. 이와 동시에 포토레지스트에 비교하여 큰 드라이 에칭 속도를 나타내는 특성을 갖고 있다.
또한, 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물로부터 제작한 반사 방지막은 프로세스 조건에 따라서는 광의 반사를 방지하는 기능과 나아가서는 기판과 감광성 수지와의 상호작용의 방지 또는 감광성 수지로 사용되는 재료 또는 포토레지스트에서의 노광시에 생성하는 물질의 기판에의 악영향을 방지하는 기능을 갖는 막으로 사용될 수 있다.
이하, 본 발명을 합성예, 실시예, 비교예, 시험예 및 측정예로 보다 구체적으로 설명하지만, 이에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
합성예 1
2,2,2-트리플루오로에틸 메타크릴레이트 15g, 2-히드록시에틸 메타크릴레이트 15g을 유산에틸 120g에 용해시킨 후, 반응액을 70℃로 가온하고, 동시에 반응 중에 질소를 흘렸다. 그 후 중합개시제로서 아조비스 이소부티로니트릴 0.6g을 첨가하였다. 질소 분위기 하에서 24시간 교반 후, 중합정지제로서 4-메톡시페놀 0.01g을 첨가하였다. 그 후 반응용액을 디에틸에테르 중에 주입하고, 침전물로서 식(6)의 수지화합물을 얻었다. 얻어진 수지화합물의 GPC분석을 하였을 때, 표준 폴리스티렌 환산으로서 중량평균분자량은 20200 이었다. 식(6) 중, n 및 m은 그 구성단위 모노머의 몰비를 나타내며, n+m=1이다.
합성예 2
2,2,2-트리클로로에틸 메타크릴레이트 15g, 2-히드록시에틸 메타크릴레이트 15g을 유산에틸 120g에 용해시킨 후, 반응액을 55℃로 가온하고, 동시에 반응 중에 질소를 흘렸다. 그 후 중합개시제로서 2,2'-아조비스(4-메톡시-2,4-디메틸바레로니트릴)(와코준야쿠 공업(주) 제, 상품명 V-70) 0.6g을 첨가하였다. 질소 분위기 하에서 24시간 교반 후, 중합정지제로서 4-메톡시페놀 0.01g을 첨가하였다. 그 후 반응용액을 디에틸에테르 중에 주입하고, 침전물로서 식(7)의 수지화합물을 얻었다. 얻어진 수지화합물의 GPC분석을 하였을 때, 표준 폴리스티렌 환산으로서 중량평균분자량은 16100 이었다. 식(7) 중, n 및 m은 그 구성단위 모노머의 몰비를 나타내며, n+m=1이다.
합성예 3
크레졸노볼락 수지(아키라치바(주)제, 상품명 ECN1299, 중량평균분자량 3900) 10g을 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 80g에 첨가하여 용해시켰다. 그 용액에 9-안트라센카르본산 9.7g과 벤질트리에틸 암모늄클로라이드 0.26g을 첨가한 후, 105℃에서 24시간 반응시켜, 식(8)의 수지화합물을 얻었다. 얻어진 수지화합물의 GPC분석을 행하였을 때, 표준 폴리스티렌 환산으로서 중량평균분자량은 5600 이었다.
합성예 4
글리시딜 메타크릴레이트 21g과 2-히드록시프로필 메타크릴레이트 39g을 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 242g으로 용해시킨 후, 70℃까지 승온시켰다. 그 후 반응액을 70℃로 유지하면서 아조비스 이소부티로니트릴 0.6g을 첨가하고, 70℃에서 24시간 반응시켜 글리시딜 메타크릴레이트와 2-히드록시프로필 메타크릴레이트의 공중합체의 용액을 얻었다. 그 용액 100g에 9-안트라센카르본산 10g과 벤질트리에틸암모늄 클로라이드 0.3g을 첨가하고, 130℃에서 24시간 반응시켜 식(9)의 수지화합물 용액을 얻었다. 식(9) 중, n 및 m 은 그 구성단위 모노머의 몰비를 나타내며, n+m=1이다.
실시예 1
테트라메톡시메틸 요소 올리고머 조성물(중합도 2.5) UFR65(미츠이 사이테크(주) 제품) 3.6g과 p-톨루엔설폰산 0.11g을 혼합하고, 유산에틸 43g을 첨가한 후, 구멍 지름 0.10㎛ 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하고, 그 후, 구멍 지름 0.05㎛의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하여, 반사 방지막 형성 조성물 용액을 조제하였다.
실시예 2
테트라부톡시메틸 요소 올리고머 조성물(중합도 5) UFR300(크실렌/부탄올 60% 용액)(미츠이 사이테크(주) 제품) 7.0g과 p-톨루엔설폰산 0.12g을 혼합하고, 유산에틸 46g을 첨가한 후, 구멍 지름 0.10㎛ 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하고, 그 후, 구멍 지름 0.05㎛의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하여, 반사 방지막 형성 조성물 용액을 조제하였다.
실시예 3
테트라부톡시메틸 요소 올리고머 조성물(중합도 5) UFR300(크실렌/부탄올 60% 용액)(미츠이 사이테크(주) 제품) 18.42g과 합성예 1에서 얻은 2,2,2-트리플루오로에틸 메타크릴레이트/2-히드록시에틸 메타크릴레이트 공중합 수지 1.22g, p-톨루엔설폰산 0.33g을 혼합하고, 유산에틸 186.9g을 첨가한 후, 구멍 지름 0.10㎛ 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하고, 그 후, 구멍 지름 0.05㎛의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하여, 반사 방지막 형성 조성물 용액을 조제하였다.
실시예 4
테트라부톡시메틸 요소 올리고머 조성물(중합도 5) UFR300(크실렌/부탄올 60% 용액)(미츠이 사이테크(주) 제품) 18.05g과 합성예 2에서 얻은 2,2,2-트리클로로에틸메타크릴레이트/2-히드록시에틸메타크릴레이트 공중합 수지 1.20g, p-톨루엔설폰산 0.33g을 혼합하고, 유산에틸 186.9g을 첨가한 후, 구멍 지름 0.10㎛ 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하고, 그 후, 구멍 지름 0.05㎛의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하여, 반사 방지막 형성 조성물 용액을 조제하였다.
실시예 5
테트라부톡시메틸 요소 올리고머 조성물(중합도 5) UFR300(크실렌/부탄올 60% 용액)(미츠이 사이테크(주) 제품) 15.80g과 폴리히드록시스티렌 수지(Aldrich 제품) 2.37g, p-톨루엔설폰산 0.36g을 혼합하고, 유산에틸 185.7g을 첨가한 후, 구멍 지름 0.10㎛ 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하고, 그 후, 구멍 지름 0.05㎛의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하여, 반사 방지막 형성 조성물 용액을 조제하였다.
실시예 6
테트라부톡시메틸 요소 올리고머 조성물(중합도 5) UFR300(크실렌/부탄올 60% 용액)(미츠이 사이테크(주) 제품) 15.17g과 페놀노볼락 수지 PSM4327(군에이 화학(주) 제품) 1.86g, p-톨루엔설폰산 0.33g을 혼합하고, 유산에틸 145.2g을 첨가한 후, 구멍 지름 0.10㎛ 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하고, 그 후, 구멍 지름 0.05㎛의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하여, 반사 방지막 형성 조성물 용액을 조제하였다.
실시예 7
테트라부톡시메틸 요소 올리고머 조성물(중합도 5) UFR300(크실렌/부탄올 60% 용액)(미츠이 사이테크(주) 제품) 10g에 피리디늄-p-톨루엔설포네이트 0.4g과 9-히드록시메틸안트라센 2.6g을 혼합하고, 유산에틸 94g과 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 42g에 용해시켜 용액으로 하였다. 그 후, 구멍 지름 0.10㎛ 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하고, 그 후, 구멍 지름 0.05㎛의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하여, 반사 방지막 형성 조성물 용액을 조제하였다.
실시예 8
테트라부톡시메틸 요소 올리고머 조성물(중합도 5) UFR300(크실렌/부탄올 60% 용액)(미츠이 사이테크(주) 제품) 10g에 피리디늄-p-톨루엔설포네이트 0.4g과 3,7-디히드록시-2-나프탈렌카르본산 3.6g을 혼합하고, 유산에틸 106g과 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트47g에 용해시켜 용액으로 하였다. 그 후, 구멍 지름 0.10㎛ 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하고, 그 후, 구멍 지름 0.05㎛의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하여, 반사 방지막 형성 조성물 용액을 조제하였다.
실시예 9
테트라부톡시메틸 요소 올리고머 조성물(중합도 5) UFR300(크실렌/부탄올 60% 용액)(미츠이 사이테크(주) 제품) 2.5g에 피리디늄-p-톨루엔설포네이트 0.05g과 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 56.7g을 첨가한 후, 구멍 지름 0.10㎛ 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하고, 그 후, 구멍 지름 0.05㎛의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하여, 반사 방지막 형성 조성물 용액을 조제하였다.
비교예 1
상기 합성예 3에서 얻은 수지화합물 2g을 함유하는 용액 10g에 헥사메톡시메틸멜라민 0.53g과 p-톨루엔설폰산 1수화물 0.05g을 혼합하고, 유산에틸 14.3g, 프로필렌글리콜모노메닐에테르 1.13g, 및 시클로헥사논 2.61g에 용해시켜 9%용액으로 한 후, 구멍 지름 0.10㎛ 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하고, 그 후, 구멍 지름 0.05㎛의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하여, 반사 방지막 형성 조성물 용액을 조제하였다.
비교예 2
상기 합성예 4에서 얻은 수지화합물 2g을 함유하는 용액 10g에 헥사메톡시메틸클리콜우릴 0.5g과 p-톨루엔설폰산 0.03g을 혼합하고, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 37.3g, 및 시클로헥사논 19.4g에 용해시켜 용액으로 하였다. 그 후, 구멍 지름 0.10㎛ 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하고, 그 후, 구멍 지름 0.05㎛의 폴리에틸렌제 마이크로필터를 사용하여 여과하여, 반사 방지막 형성 조성물 용액을 조제하였다.
포토레지스트 용제에의 용출 시험
실시예 1-9 및 비교예 1, 2에서 조제한 반사 방지막 형성 조성물 용액을 스피너를 사용하여 실리콘웨이퍼 상에 도포하였다. 핫 플레이트 상에서 205℃로 1분간 소성하여 반사 방지막(실시예 1-6 및 비교예 1에서는 막두께 0.23㎛, 실시예 7, 8 및 비교예 2에서는 막두께 0.10㎛)을 형성하였다. 이 반사 방지막을 포토레지스트에 사용하는 용제, 예를 들어 유산에틸, 및 프로필렌글리콜 모노메틸에테르에 침지하여, 그 용제에 불용인 것을 확인하였다.
포토레지스트와의 인터믹싱의 시험
실시예 1-6 및 비교예 1에서 조제한 반사 방지막 형성 조성물 용액을 스피너를 사용하여 실리콘웨이퍼 상에 도포하였다. 핫 플레이트 상에서 205℃로 1분간 소성하여 반사 방지막(막두께 0.23㎛)을 형성하였다. 이 반사 방지막의 상층에 시판되는 포토레지스트 용액(스미토모 화학공업(주)제, 상품명 PAR710)을 스피너를 사용하여 도포하였다. 핫 플레이트 상에서 90℃, 1분간 가열하여 포토레지스트를 노광한 후, 노광후 가열을 90℃에서 1.5분간 행하였다.포토레지스트를 현상한 후 반사 방지막의 막두께를 측정하여 변화가 없는 것으로부터, 실시예 1-6 및 비교예 1에서 조제한 반사 방지막 형성 조성물 용액으로부터 얻은 반사 방지막과 포토레지스트층의 인터믹싱이 일어나지 않는 것을 확인하였다.
실시예 7, 8 및 비교예 2에서 조제한 반사 방지막 형성 조성물 용액을 스피너를 사용하여 실리콘웨이퍼 상에 도포하였다. 핫 플레이트 상에서 205℃로 1분간 소성하여 반사 방지막(막두께 0.10㎛)를 형성하였다. 이 반사 방지막의 상층에 시판되는 포토레지스트 용액(시프레사제, 상품명UV113)을 스피너를 사용하여 도포하였다. 핫 플레이트 상에서 120℃로 1분간 가열하여 포토레지스트를 노광한 후, 노광후 가열을 115℃에서 1분간 행하였다. 포토레지스트를 현상한 후, 반사 방지막의 막두께를 측정하여 변화가 없는 것으로부터, 실시예 7, 8 및 비교예 2에서 조제한 반사 방지막 형성 조성물 용액으로부터 얻은 반사 방지막과 플레이트층과의 인터믹싱이 일어나지 않는 것을 확인하였다.
광학 파라미터의 측정
실시예 1-6 및 비교예 1에서 조제된 반사 방지막 형성 조성물 용액을 스피너를 사용하여 실리콘웨이퍼 상에 도포하였다. 핫 플레이트 상에서 205℃로 1분간 소성하여 반사 방지막(막두께 0.08㎛)을 형성하였다. 그리고, 이들 반사 방지막을 분광 에리프소메타를 사용하여 파장 193㎚에서의 굴절률(n 값) 및 감쇄계수(k 값)를 측정하였다. 결과를 하기 표 1에 표시한다.
실시예 7, 8 및 비교예 2에서 조제된 반사 방지막 형성 조성물 용액을 스피너를 사용하여 실리콘웨이퍼 상에 도포하였다. 핫 플레이트 상에서 225℃로 1분간 소성하여 반사 방지막(막두께 0.06㎛)을 형성하였다. 그리고, 이들 반사 방지막을 분광 에리프소메타를 사용하여 파장 248㎚에서의 굴절률(n 값) 및 감쇄계수(k 값)를 측정하였다. 결과를 하기 표 2에 표시한다.
실시예 9에서 조제된 반사 방지막 용액을 스피너를 사용하여 실리콘웨이퍼 상에 도포하였다. 핫 플레이트 상에서 205℃로 1분간 가열하여 반사 방지막(막두께 0.06㎛)을 형성하였다. 그리고 이러한 반사 방지막을 분광 에리프소메타(J.A. Woollam사제, VUV-VASEVU-302)를 사용하여 파장 157㎚에서의 굴절률(n 값) 및 감쇄계수(k 값)를 측정하였다. 결과를 하기 표 3에 표시한다.
드라이 에칭 속도의 측정
실시예 1-9 및 비교예 1, 2에서 조제된 반사 방지막 형성 조성물 용액을 스피너를 사용하여 실리콘웨이퍼 상에 도포하였다. 핫 플레이트 상에서 205℃로 1분간 소성하여 반사 방지막을 형성하였다. 그리고 일본 사이언티픽제 RIE 시스템 ES401을 사용하여 드라이 에칭 가스로서 CF4를 사용한 조건 하에서 드라이 에칭 속도를 측정하였다.
또, 마찬가지로 포토레지스트 용액(스미토모 화학공업(주)제, 상품명 PAR710 및 시프레사제, 상품명 UV113)을 스피너를 사용하여 실리콘웨이퍼 상에 도막을 작성하였다. 그리고 일본 사이언티픽제 RIE 시스템 ES401을 사용하여 트라이 에칭 가스로서 CF4를 사용한 조건 하에서 드라이 에칭 속도를 측정하였다.
실시예 1-6, 9 및 비교예 1의 반사 방지막과 스미토모 화학 공업(주)제 포토레지스트, 상품명 PAR710과의 드라이 에칭 속도를 비교하였다. 결과를 하기 표 1 및 표 3에 표시한다.
실시예 7, 8 및 비교예 2의 반사 방지막과 시프레사제 포토레지스트, 상품명 UV113과의 드라이 에칭 속도를 비교하였다. 결과를 하기 표 2에 표시한다.
제1 극소 막두께의 시뮬레이션
실시예 7, 8 및 비교예 2에서 조제된 반사 방지막 형성 조성물 용액으로부터 얻은 리소그라피용 반사 방지막의 파장 248㎚에서의 굴절율 n 값 및 감쇄계수 k 값을 사용하여 시뮬레이션 계산을 하였다. 제1 극소 막두께 및 제1 극소 막두께로 사용한 때의 반사율을 산출하였다. 또한, 시뮬레이션소프트는 FINLETechnologies Inc.제 PROLITH/2를 사용하였다. 결과를 하기 표 2에 표시한다.
| 굴절율(n 값) | 감쇄계수(k 값) | 대 포토레지스트 드라이 에칭 속도 선택비 | |
| 실시예 1 | 1.83 | 0.34 | 2.74 |
| 실시예 2 | 1.86 | 0.40 | 2.46 |
| 실시예 3 | 1.86 | 0.29 | - |
| 실시예 4 | 1.89 | 0.30 | - |
| 실시예 5 | 1.78 | 0.58 | 1.52 |
| 실시예 6 | 1.75 | 0.54 | 1.54 |
| 비교예 1 | 1.60 | 0.47 | 0.88 |
| 굴절율(n값) | 감쇄계수(k값) | 제1 극소막두께(㎚) | 반사율(%) | 대 포토레지스트 드라이 에칭속도 선택비 | |
| 실시예 7 | 1.54 | 0.43 | 57 | <0.01 | 1.4 |
| 실시예 8 | 1.83 | 0.56 | 39 | <0.01 | 1.5 |
| 비교예 2 | 1.48 | 0.47 | 59 | 0.20 | 1.3 |
| 굴절율(n값) | 감쇄계수(k값) | 대 포토레지스트드라이 에칭속도 선택비 | |
| 실시예 9 | 1.52 | 0.32 | 2.46 |
상기 표 1 내지 표 3의 결과로부터, 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에서 얻어진 반사 방지막은 파장 193㎚(실시예 1-6), 파장 248㎚(실시예 7, 8), 파장 157㎚(실시예 9)의 광에 대하여 충분히 유효한 굴절율과 감쇄계수를 갖는 것을 알 수 있다. 또, 파장 193㎚, 248㎚에 있어서 사용되는 포토레지스트에 대하여 큰 드라이 에칭 속도의 선택비를 갖는 것을 알게 된다(실시예 1-9). 또한, 종래의 반사 방지막에 비하여 반사 방지 효과가 크고, 보다 박막으로 사용가능한 것을 알게 된다(실시예 7, 8). 이로부터 본 발명의 반사 방지막 형성 조성물에 의해, 우수한 바텀(bottom)형 유기 반사 방지막을 제공할 수 있게 된다.
본 발명에 의해, 반도체 장치의 제조에 사용되는 파장의 광에 대하여 양호한 광흡수성을 나타내고, 높은 반사광 방지 효과를 가지며, 포토레지스트층과 비교하여 큰 드라이 에칭 속도를 갖고, 포토레지스트층과의 인터믹싱이 일어나지 않으며, 가열 건조시에 포토레지스트 중에의 확산물이 없는 우수한 반사 방지막을 위한 반사 방지막 형성 조성물을 제공할 수 있다.
Claims (11)
- 하기 식 (1)(식 중, R1 및 R2는 각각 독립하여 수소원자 또는 알킬기를 표시하고, R3 및 R4는 각각 독립하여 수소원자, 메틸기, 에틸기, 히드록시메틸기 또는 알콕시메틸기를 표시한다)로 표시되는 화합물을 함유하는 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성 조성물.
- 제 1항에 기재된 식 (1)로 표시된 화합물로부터 제조된 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성 조성물.
- 제 1항에 있어서,상기 수지가 식 (1)로 표시된 화합물의 축합체인 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성 조성물.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,흡광성 화합물 및/또는 흡광성 수지를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성 조성물.
- 제 4항에 있어서,상기 흡광성 화합물이 나프탈렌 화합물 및 안트라센 화합물 중에서 선택된 최소 1종 인 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성 조성물.
- 제 4항에 있어서,상기 흡광성 화합물이 트리아진 화합물 및 트리아진 트리온 화합물 중에서 선택된 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성 조성물.
- 제 4항에 있어서,상기 흡광성 수지가 그 구조 내에 벤젠환, 나프탈렌환 및 안트라센환 중에서 선택된 적어도 1종의 방향환 구조를 갖는 것임을 특징으로 하는 반사 방지막 형성 조성물.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,수산기, 카르복실기, 아미노기 및 티올기 중에서 선택된 적어도 하나의 가교형성 치환기를 갖는 수지를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성 조성물.
- 제 1항 내지 제 3항중 어느 한 항에 있어서,산 및/또는 산 발생제를 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 반사 방지막 형성 조성물.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 기재된 반사 방지막 형성 조성물을 기판 상에 도포하여 소성함으로써 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조에 사용하는 반사 방지막의 형성방법.
- 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 기재된 반사 방지막 형성 조성물을 기판상에 도포하고 소성하여 반사 방지막을 형성하고, 그 위에 포토레지스트를 피복하고, 그 반사 방지막과 포토레지스트를 피복한 기판을 노광하고, 현상하고, 에칭에 의해 기판 상에 화상을 전사하여 집적회로 소자를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조방법.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2002-00208045 | 2002-07-17 | ||
| JP2002208045 | 2002-07-17 | ||
| JP2002302535A JP3852593B2 (ja) | 2002-07-17 | 2002-10-17 | 反射防止膜形成組成物 |
| JPJP-P-2002-00302535 | 2002-10-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050027243A true KR20050027243A (ko) | 2005-03-18 |
| KR101045308B1 KR101045308B1 (ko) | 2011-06-29 |
Family
ID=30117478
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020057000830A Expired - Lifetime KR101045308B1 (ko) | 2002-07-17 | 2003-07-11 | 반사 방지막 형성 조성물 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7947424B2 (ko) |
| EP (1) | EP1542075A4 (ko) |
| JP (1) | JP3852593B2 (ko) |
| KR (1) | KR101045308B1 (ko) |
| CN (1) | CN100514188C (ko) |
| AU (1) | AU2003281013A1 (ko) |
| TW (1) | TWI272455B (ko) |
| WO (1) | WO2004008253A1 (ko) |
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-
2003
- 2003-07-11 CN CN03816991.6A patent/CN100514188C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-07-11 US US10/520,461 patent/US7947424B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-11 EP EP03741346A patent/EP1542075A4/en not_active Withdrawn
- 2003-07-11 KR KR1020057000830A patent/KR101045308B1/ko not_active Expired - Lifetime
- 2003-07-11 AU AU2003281013A patent/AU2003281013A1/en not_active Abandoned
- 2003-07-11 WO PCT/JP2003/008832 patent/WO2004008253A1/ja active Application Filing
- 2003-07-16 TW TW092119441A patent/TWI272455B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101316192B1 (ko) * | 2006-08-04 | 2013-10-08 | 동우 화인켐 주식회사 | 포토레지스트 조성물 및 이의 패턴 형성 방법 |
| KR101478986B1 (ko) * | 2006-12-27 | 2015-01-05 | 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 아이피 (재팬) 가부시키가이샤 | 반사 방지막 형성용 조성물 및 이를 사용한 패턴 형성 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20050175927A1 (en) | 2005-08-11 |
| KR101045308B1 (ko) | 2011-06-29 |
| EP1542075A4 (en) | 2007-07-04 |
| EP1542075A1 (en) | 2005-06-15 |
| WO2004008253A1 (ja) | 2004-01-22 |
| CN1668982A (zh) | 2005-09-14 |
| CN100514188C (zh) | 2009-07-15 |
| JP3852593B2 (ja) | 2006-11-29 |
| AU2003281013A1 (en) | 2004-02-02 |
| US7947424B2 (en) | 2011-05-24 |
| TW200403536A (en) | 2004-03-01 |
| TWI272455B (en) | 2007-02-01 |
| JP2004102203A (ja) | 2004-04-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0105 | International application |
Patent event date: 20050117 Patent event code: PA01051R01D Comment text: International Patent Application |
|
| PG1501 | Laying open of application | ||
| A201 | Request for examination | ||
| PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20080707 Comment text: Request for Examination of Application |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20100721 Patent event code: PE09021S01D |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20110527 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20110623 Patent event code: PR07011E01D |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20110624 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140603 Year of fee payment: 4 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20140603 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150518 Year of fee payment: 5 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20150518 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160517 Year of fee payment: 6 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20160517 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170522 Year of fee payment: 7 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20170522 Start annual number: 7 End annual number: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180530 Year of fee payment: 8 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20180530 Start annual number: 8 End annual number: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190530 Year of fee payment: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20190530 Start annual number: 9 End annual number: 9 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20200528 Start annual number: 10 End annual number: 10 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20210601 Start annual number: 11 End annual number: 11 |
|
| PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20220518 Start annual number: 12 End annual number: 12 |
|
| PC1801 | Expiration of term |
Termination date: 20240111 Termination category: Expiration of duration |