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KR20030076422A - 전기 광학 장치, 전기 광학 장치의 구동 회로 및 전자기기 - Google Patents

전기 광학 장치, 전기 광학 장치의 구동 회로 및 전자기기 Download PDF

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KR20030076422A
KR20030076422A KR10-2003-0017658A KR20030017658A KR20030076422A KR 20030076422 A KR20030076422 A KR 20030076422A KR 20030017658 A KR20030017658 A KR 20030017658A KR 20030076422 A KR20030076422 A KR 20030076422A
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KR
South Korea
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electro
gate
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gate voltage
optical device
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세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

전기 광학 장치는 한 쌍의 제 1 및 제 2 기판 사이에 전기 광학 물질이 유지되어 이루어진다. 제 1 기판 상에, 제 1 표시용 전극과, 이것에 대응하여 마련된 스위칭 소자와, 스위칭 소자에 전기적으로 접속된 데이터선과, 화상 신호 진폭의 중심 전압에 대하여 극성 반전을 수반하는 해당 화상 신호를 샘플링하여 데이터선에 공급하는 샘플링용 제 1 도전형 트랜지스터를 포함하여 이루어지는 샘플링 회로를 구비한다. 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트 전압을, 화상 신호의 극성 반전에 따라 변동시키는 게이트 전압 변동 유닛을 더 구비한다.
이에 따라, 반전 구동하는 액정 장치 등의 전기 광학 장치에 있어서, 제 1 도전형 트랜지스터로부터 샘플링 회로를 구성하면서, 플리커를 저감한다.

Description

전기 광학 장치, 전기 광학 장치의 구동 회로 및 전자기기{ELECTROOPTICS APPARATUS, DRIVING CIRCUIT OF THE SAME, AND ELECTRONIC EQUIPMENT}
본 발명은 액정 장치 등의 전기 광학 장치의 기술 분야에 속하고, 특히 화상 신호선 상의 화상 신호를 샘플링하여 화상 표시 영역 내에 배선된 데이터선에 공급하는 샘플링 회로를 구비하고, 또한 반전 구동을 행하는 형식의 전기 광학 장치, 그와 같은 전기 광학 장치에 바람직하게 이용되는 구동 회로 및 그와 같은 전기 광학 장치를 구비한 전자기기의 기술 분야에 속한다.
이러한 종류의 전기 광학 장치는 표시용 전극, 데이터선 등의 각종 배선, 화소 스위칭용 박막 트랜지스터(이하, TFT라고 칭함)나 박막 다이오드(이하, TFD라고 칭함) 등의 스위칭 소자 등이 형성된 소자 어레이 기판과, 전면적으로 형성된 대향 전극이나 스트라이프 형상으로 형성된 주사 전극, 컬러 필터, 차광막 등이 형성된 대향 기판이 대향 배치되어 있다. 이들 한 쌍의 기판 사이에 액정 등의 전기 광학 물질이 유지되고, 기판의 중앙 부근(즉, 액정 등에 면하는 기판 상 영역)에, 표시용 전극이 배치된 화상 표시 영역이 위치하고 있다.
또한, 화상 표시 영역의 주변에 위치하는 주변 영역에서의 소자 어레이 기판 상에, 주사선 구동 회로, 데이터선 구동 회로, 샘플링 회로, 검사 회로 등의 주변회로가 내장되어 있는, 소위 주변 회로 내장형 전기 광학 장치도 일반화되어 있다.
이들 중 샘플링 회로는, 예컨대, TFT로 이루어지는 샘플링 스위치를 포함하여 구성되어 있다. 각 샘플링 스위치의 입력측(예컨대, 소스측)이 주변 영역에 배선된 화상 신호선에 접속되어 있고, 출력측(예컨대, 드레인측)이 화상 표시 영역 내에 배선된 데이터선 또는 그 인출 배선에 접속되어 있다. 그리고, 데이터선 구동 회로로부터, 각 샘플링 스위치의 제어 단자(예컨대, 게이트)에 공급되는 샘플링 회로 구동 신호에 따라서, 화상 신호를 샘플링하여, 데이터선 상에 공급하도록 구성되어 있다.
한편으로, 이런 종류의 전기 광학 장치에서는, 직류 전압 인가에 의한 전기 광학 물질의 열화 방지, 표시 화상에 있어서의 누화나 플리커의 방지 등을 위해, 각 화소 전극에 인가되는 전압 극성을 소정 규칙으로 반전시키는 반전 구동 방식이 채용되어 있다.
이 중 하나의 프레임 또는 필드의 화상 신호에 대응하는 표시를 행하는 동안에는, 기수행에 배열된 화소 전극을 대향 전극의 전위를 기준으로 해서 양 극성(正極性)의 전위로 구동하고, 또한 우수행에 배열된 화소 전극을 대향 전극의 전위를 기준으로 해서 음 극성(負極性)의 전위로 구동하며, 이것에 계속되는 다음 프레임 또는 필드의 화상 신호에 대응하는 표시를 행하는 동안에는, 반대로 우수행에 배열된 화소 전극을 양 극성의 전위로 구동하고, 또한 기수행에 배열된 화소 전극을 음 극성의 전위로 구동하는(즉, 동일 행의 화소 전극을 동일 극성의 전위에 의해 구동하면서, 관련된 전위 극성을 행마다 프레임 또는 필드 주기로 반전시킴) 1H 반전구동 방식이, 제어가 비교적 용이하여 고품질의 화상 표시를 가능하게 하는 반전 구동 방식으로서 이용되고 있다.
그러나, 샘플링 회로의 각 샘플링 스위치를 제 1 도전형 TFT로 구성하고, 또한 전술한 1H 반전 구동 등의 반전 구동을 위해, 화상 신호 진폭의 중심 전압에 대하여 극성 반전을 수반하는 해당 화상 신호를 샘플링하는 경우에는, 각 샘플링 스위치의 게이트 전압을 일정하다고 하면, 양 극성의 화상 신호의 샘플링 시와 음 극성의 화상 신호의 샘플링 시와의 사이에서, 소스 드레인 전류의 유동성이 서로 다르다. 보다 구체적으로는, N채널의 제 1 도전형 트랜지스터를 샘플링 회로에 이용한 경우에는, 부(負) 필드에 상대적으로 큰 소스 드레인 전류가 흘러 기입량이 증가한다. 반대로, 정(正) 필드에 상대적으로 작은 소스 드레인 전류가 흘러 기입량이 감소한다. 따라서, 부 필드와 정 필드에서, 액정에 인가되는 전압이 서로 다르게 되므로, 필드 주파수 또는 반전 구동 주파수에 따른 플리커가 표시 화면에 나타난다고 하는 문제점이 있다.
이에 대하여, CMOS(Complementary MOS)형 TFT에서 각 샘플링 스위치를 구성하여, 정 필드와 부 필드 사이에서 소스 드레인 전류의 유동성을 균등하게 하는 대책도 있을 수 있다. 그러나, 이 대책에 따르면, 고세밀도의 요청 하에서 화소 피치의 미세화를 진행시키면, 각 데이터선에 대하여 일대일 대응으로 마련되는 샘플링 스위치의 레이아웃 설계가 곤란하게 된다고 하는 문제점이 발생한다. 마찬가지로 유지 용량으로 플리커를 압입하는 대책에 있어서도, 화소 피치의 미세화를 진행시키면, 유지 용량을 내장하는 영역이 좁게 되기 때문에, 레이아웃 설계가 곤란하게 된다고 하는 문제점이 발생한다.
본 발명은 상술한 문제점에 감안하여 이루어진 것으로, 1H 반전 구동 등의 반전 구동을 행하는 동시에 샘플링 회로를 구비하여 이루어지고, 플리커를 감소시킬 수 있는 전기 광학 장치, 그와 같은 전기 광학 장치에 이용되는 구동 회로 및 그와 같은 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지는 각종 전자기기를 제공하는 것을 과제로 한다.
도 1은 본 발명의 전기 광학 장치에 따른 실시예에 있어서의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상의 복수 화소에 마련된 각종 소자, 배선 등의 등가 회로를, 그 주변 구동 회로와 함께 나타낸 회로도,
도 2는 도 1의 회로 중 인버터를 나타내는 회로도,
도 3은 도 1의 회로 중 제 1 도전형 TFT의 기입 능력 특성을 나타내는 특성도,
도 4는 제 1 도전형 TFT의 게이트 전압을 고정한 비교예에 있어서의 데이터선으로의 기입 전압을 나타내는 타이밍차트 및 제 1 도전형 TFT의 게이트 전압을 변동시키는 본 실시예에 있어서의 데이터선으로의 기입 전압을 나타내는 타이밍차트,
도 5는 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 데이터선, 주사선, 화소 전극 등이 형성된 TFT 어레이 기판이 서로 인접하는 복수의 화소 그룹의 평면도,
도 6은 도 2의 A-A'선 단면도,
도 7은 실시예 2에 있어서의 데이터선 구동 회로 및 샘플링 회로에 관한 부분을 확대하여 나타내는 확대 블럭도,
도 8은 실시예 3에 있어서의 데이터선 구동 회로 및 샘플링 회로에 관한 부분을 확대하여 나타내는 확대 블럭도,
도 9는 도 8의 회로 중 트랜스미션 게이트를 나타내는 회로도,
도 10은 실시예 4에 있어서의 데이터선 구동 회로 및 샘플링 회로에 관한 부분을 확대하여 나타내는 확대 블럭도,
도 11은 도 10의 회로 중 시프트 레지스터 내에 마련되는 전송 신호를 필드의 정부(正負)에 따라 선택적으로 출력하는 회로 부분의 확대 회로도,
도 12는 실시예의 전기 광학 장치에 있어서의 TFT 어레이 기판을 그 위에 형성된 각 구성 요소와 함께 대향 기판 측에서 본 평면도,
도 13은 도 12의 H-H'선 단면도,
도 14는 본 발명의 전자기기의 실시예인 투사형 컬러 표시 장치의 일례인 컬러 액정 프로젝터를 나타내는 도식적 단면도이다.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
3a : 주사선6a : 데이터선
9a : 화소 전극10 : TFT 어레이 기판
20 : 대향 기판30 : TFT
50 : 액정층101 : 주사선 구동 회로
104 : 데이터선 구동 회로301 : 샘플링 회로
302 : 제 1 도전형 TFT401 : 전압 선택 발생 회로
502 : 인버터510, 520, 530 : 트랜스미션 게이트
상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명의 전기 광학 장치는, 한 쌍의 제 1 및 제 2 기판 사이에 유지된 전기 광학 물질과, 상기 제 1 기판 상에 마련된 제 1 표시용 전극과, 상기 제 1 표시용 전극에 대응하여 마련된 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자에 전기적으로 접속된 데이터선과, 화상 신호 진폭의 중심 전압에 대하여 극성 반전에 따른 해당 화상 신호를 샘플링하여 상기 데이터선에 공급하는 샘플링용 제 1 도전형 트랜지스터를 포함하여 이루어지는 샘플링 회로와, 상기 제 2 기판 상에 마련되어, 상기 제 1 표시용 전극에 대향하는 제 2 표시용 전극과, 상기 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트 전압을 상기 극성 반전에 따라 변동시키는 게이트 전압 변동 유닛을 구비한다.
본 발명의 전기 광학 장치에 따르면, 그 동작 시에는, 화상 신호선 상에 공급되는 화상 신호가, 샘플링 회로에 의해서 샘플링된다. 그리고, 이 샘플링된 화상 신호는 데이터선에 공급되고, 또한 스위칭 소자를 거쳐서, 예컨대, 화소 전극, 스트라이프 형상 전극 등의 제 1 표시용 전극에 공급된다. 한편, 예컨대, 베타 형상의 대향 전극, 스트라이프 형상 전극 등의 제 2 표시용 전극에는, 대향 전극 전위, 공통 전위, 주사 신호 전위 등의 전압이 소정 타이밍에서 인가된다. 따라서, 제 1 및 제 2 표시용 전극 사이에 존재하는 액정 등의 전기 광학 물질에, 화상 신호에 따른 전압이 인가되어, 전기 광학 동작이 행해진다. 이 때, 화상 신호는 극성 반전을 수반하고 있고, 전술한 1H 반전 구동 등의 반전 구동이 행해지게 되며, 이에 따라 액정 등의 전기 광학 물질에 있어서의 직류 전압 인가에 의한 열화를 효과적으로 피할 수 있음과 동시에 플리커를 방지할 수 있다.
여기서 특히, 게이트 전압 변동 유닛은 샘플링 회로를 구성하는 샘플링용, 즉 샘플링 스위치로서의 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트 전압을 극성 반전에 따라 변동시킨다. 이 때문에, 본 발명과 같이, 샘플링 회로를 제 1 도전형 트랜지스터로 구성하고 있는 경우에도, 화상 신호의 진폭 중심 전압에 대하여 극성 반전을 수반하는 해당 화상 신호가 고전위 측(즉, 양 극성)일 때와 저전위 측(즉, 음 극성)일 때와의 사이에서, 소스 드레인 전류의 유동성이 서로 비슷해지도록 게이트 전압을 변동시키면, 전술한 바와 같이, 극성에 관계없이 게이트 전압을 고정하는 배경 기술과 비교하여, 플리커를 감소시키는 것이 가능해진다.
예컨대, N채널형 트랜지스터이면, 음 극성일 때가 소스 드레인 전류가 흐르기 쉽게 되므로, 음 극성 시에, 게이트 전압을 상대적으로 작게 하여 기입 능력을저하시키고, 또한 양 극성 시에, 게이트 전압을 상대적으로 크게 하여 기입 능력을 향상시키면 좋다.
또는, P채널형 트랜지스터이면, 양 극성일 때가 소스 드레인 전류가 흐르기 쉽게 되므로, 양 극성 시에, 게이트 전압을 상대적으로 작게 하여 기입 능력을 저하시키고, 또한 음 극성 시에, 게이트 전압을 상대적으로 크게 하여 기입 능력을 향상시키면 좋다.
또한, 이러한 샘플링 회로의 각 샘플링 스위치는 제 1 도전형 트랜지스터로 이루어지므로, 고세밀화의 요청 하에서 화소 피치를 미세화하는 것에 의해, 데이터선의 피치가 좁아져, 이것과 일대일 대응하는 샘플링 스위치의 피치가 좁아지더라도, 전술한 바와 같은 CMOS형의 경우와 비교하여, 평면 레이아웃에 충분한 여유가 생긴다.
이상의 결과, 고세밀화를 진행시키면서, 1H 반전 구동 등의 반전 구동을 양호하게 실행할 수 있고, 또한 플리커가 감소된 고품질의 화상 표시가 가능해진다.
본 발명의 전기 광학 장치의 일 형태에 따르면, 상기 게이트 전압 변동 유닛은, 상기 제 1 도전형 트랜지스터의 기입 능력이, 상기 화상 신호의 극성이 양인 경우와 음인 경우의 사이에서 일치하도록 상기 게이트 전극을 상기 극성 반전에 따라 전환한다.
이러한 형태에 따르면, 극성 반전을 수반하는 화상 신호가 양 극성일 때와 음 극성일 때와의 사이에서, 제 1 도전형 트랜지스터의 기입 능력, 즉 소스 드레인 전류의 유동성이 일치하도록 게이트 전압을 변동시키므로, 해당 극성 반전에 의한기입 능력의 차이에 기인한 플리커를 극력 감소시킬 수 있게 된다.
본 발명의 전기 광학 장치의 다른 형태에 따르면, 상기 제 1 표시용 전극은, 화소 단위의, 섬 형상으로 마련된 복수의 화소 전극으로 이루어지고, 상기 데이터선은 상기 스위칭 소자를 거쳐서 상기 화소 전극에 접속되고, 상기 제 2 표시용 전극은 상기 복수의 화소 전극에 대향하는 대향 전극으로 이루어진다.
이 형태에 따르면, 샘플링 회로로 샘플링한 화상 신호를, 데이터선과, 예컨대, 화소 스위칭용 TFT 등의 스위칭 소자를 거쳐서, 화소 전극에 기입하는 것에 의해, 액티브 매트릭스 구동이 가능해진다. 따라서, 고계조이며, 플리커나 누화가 감소된 고품질의 화상 표시가 가능해진다.
이 형태에서는, 상기 복수의 화소 전극은, 제 1 주기에서 반전 구동되기 위한 제 1 화소 전극군 및 해당 제 1 주기와 상보인 제 2 주기에서 반전 구동되기 위한 제 2 화소 전극군을 포함하고, 또한 상기 제 1 기판 상에 평면 배열되도록 구성하여도 좋다.
이와 같이 구성하면, 능동 매트릭스 구동에 있어서, 예컨대, 1H 반전 구동, 1S 반전 구동, 도트 반전 구동 등의 반전 구동을 실행할 수 있다.
본 발명의 전기 광학 장치의 다른 형태에 따르면, 상기 제 1 기판 상에 있어서의, 상기 제 1 표시용 전극이 배치된 화상 표시 영역의 주변에 위치하는 주변 영역에, 상기 샘플링 회로가 내장되어 있고, 상기 주변 영역에, 상기 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트에 대하여 샘플링 회로 구동 신호를 공급하는 시프트 레지스터를 포함하여 이루어지는 데이터선 구동 회로를 더 구비한다.
이 형태에 따르면, 주변 영역에 마련된 데이터선 구동 회로에 포함되는 시프트 레지스터로부터, 샘플링 회로 구동 신호를 일정 순서로 출력할 수 있고, 이에 따라 샘플링 회로를 구성하는 복수의 제 1 도전형 트랜지스터를 일정 순서로 구동할 수 있다.
이 데이터선 구동 회로를 구비한 형태에서는, 상기 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트에, 출력측이 접속된 인버터를 더 구비하고, 상기 샘플링 회로 구동 신호는 상기 인버터를 거쳐서 상기 게이트에 입력되며, 상기 게이트 전압 변동 유닛은 상기 인버터의 전원을 상기 극성 반전에 따라 변동시키도록 구성하여도 좋다.
이와 같이 구성하면, 인버터의 전원을 게이트 전압 변동 유닛에 의해서 화상 신호의 극성 반전에 따라 변동시킴으로써, 인버터로부터의 출력 전압인 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트 전압을 변동시킨다. 즉, 샘플링 회로를 제 1 도전형 트랜지스터로 구성하고 있는 경우에도, 극성 반전을 수반하는 화상 신호가 양 극성일 때와 음 극성일 때와의 사이에서, 소스 드레인 전류의 유동성이 서로 비슷해지도록 인버터의 전원을 변동시키면, 플리커를 감소시키는 것이 가능해진다.
또한, 예컨대, 인버터를 CMOS형 트랜지스터로 구성하는 경우, 그 P채널형 트랜지스터 부분의 소스에, 전압이 소정 진폭으로 변화되는 클럭 신호를 부여하면 좋다.
또는 이 데이터선 구동 회로를 구비한 형태에서는, 상기 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트에 출력측이 접속된 트랜스미션 게이트를 더 구비하고, 상기 샘플링 회로 구동 신호는 상기 트랜스미션 게이트의 게이트 제어 단자에 입력되며, 상기게이트 전압 변동 유닛은 상기 트랜스미션 게이트의 입력측에 상기 극성 반전에 따라 변동하는 전압을 입력하도록 구성하여도 좋다.
이와 같이 구성하면, 샘플링 회로 구동 신호의 타이밍에서, 트랜스미션 게이트로부터의 출력 전압이 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트에 입력된다. 이 때, 트랜스미션 게이트의 입력측에, 게이트 전압 변동 유닛에 의해서 화상 신호의 극성 반전에 따라 변동하는 전압(예컨대, 양 극성용 및 음 극성용으로 준비된 두 개의 전압)을 입력하는 것에 의해, 트랜스미션 게이트로부터의 출력 전압인 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트 전압을 변동시킨다. 즉, 샘플링 회로를 제 1 도전형 트랜지스터로 구성하고 있는 경우에도, 극성 반전을 수반하는 화상 신호가 양 극성일 때와 음 극성일 때와의 사이에서, 소스 드레인 전류의 유동성이 서로 비슷해지도록 트랜스미션 게이트에의 입력 전압을 변동시키면, 플리커를 감소시키는 것이 가능해진다.
또는, 이 데이터선 구동 회로를 구비한 형태에서는, 상기 게이트 전압 변동 유닛은 상기 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트에 출력측이 접속되고, 또한 상기 샘플링 회로 구동 신호가 게이트 제어 단자에 입력되는 복수의 트랜스미션 게이트를 포함하여 이루어지고, 해당 복수의 트랜스미션 게이트에 의해서 복수의 서로 다른 전원 중 하나를 선택하여, 상기 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트 전압으로서 공급하도록 구성하여도 좋다.
이와 같이 구성하면, 샘플링 회로 구동 신호의 타이밍에서, 트랜스미션 게이트로부터의 출력 전압이 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트에 입력된다. 이 때, 복수의 트랜스미션 게이트에 의해서, 복수의 서로 다른 전원 중 하나를 선택하고, 이 선택한 전원을 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트 전압으로서 공급한다. 따라서, 복수의 전원(예컨대, 양 극성용 및 음 극성용으로 준비된 두 개의 전원) 중 어느 하나를 화상 신호의 극성 반전에 따라 선택하는 것에 의해, 트랜스미션 게이트로부터의 출력 전압인 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트 전압을 변동시킨다. 즉, 샘플링 회로를 제 1 도전형 트랜지스터로 구성하고 있는 경우에도, 극성 반전을 수반하는 화상 신호가 양 극성일 때와 음 극성일 때와의 사이에서, 소스 드레인 전류의 유동성이 서로 비슷해지도록 전원을 선택하면, 플리커를 감소시키는 것이 가능해진다.
특히, 고전압의 클럭을 이용하면, 전원용 IC이 일반적으로 고가가 되지만, 이러한 구성이면, 고전압의 클럭을 불필요로 하는 것도 가능하고, 비용 삭감을 도모하는 것도 가능해진다.
이 경우, 상기 복수의 서로 다른 전원 중 하나는 상기 데이터선 구동 회로용 전원과 공용으로 공급되고, 다른 하나는 해당 전기 광학 장치의 외부 회로 접속 단자 및 이것에 접속된 배선을 거쳐서 공급되도록 구성하여도 좋다.
이와 같이 구성하면, 해당 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트 전압을 변동시키기 위해서 필요해지는 전용 전원의 수를 적게 할 수 있다. 예컨대, 데이터선 구동 회로용 전원 외에 한 개의 전원이 있으면 충분하다. 따라서, 외부 회로 접속 단자의 수나 이것에 접속된 배선의 개수에 관한 증가도 억제된다.
상술한 데이터선 구동 회로를 구비한 형태에서는, 복수 n의 상기 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트에는, 소정수 m(단지, m은 2 이상 n 미만의 자연수)의 제 1 도전형 트랜지스터로 이루어지는 그룹마다, 동일한 샘플링 회로 구동 신호가 병렬로 공급되도록 구성하여도 좋다.
이와 같이 구성하면, 소위 직렬-병렬 변환에 의해서, 복수개의 데이터선으로 이루어지는 데이터선 그룹을 동시에 구동하는 것으로 된다. 여기서 특히, 데이터선의 개수, 즉 샘플링 스위치로서의 제 1 도전형 트랜지스터의 개수와 비교하여, 그 게이트 전압을 변동시킬 수 있게 공급하는 인버터나 트랜스미션 게이트의 개수는, 1/m로 감소되어 있다. 따라서, 비교적 간단한 구성을 갖는 제 1 도전형 트랜지스터에 대해서는 화소 피치로 내장하고, 또한 비교적 복잡한 구성을 갖는 인버터나 트랜스미션 게이트에 대해서는, 화소 피치의 1/m의 피치로 내장하면 좋다. 이 결과, 여유를 갖고 회로 레이아웃을 실행할 수 있어, 실천 상 대단히 유리하다.
상기 과제를 해결하기 위해서 본 발명의 전기 광학 장치의 구동 회로는, 상기 전기 광학 장치가 한 쌍의 제 1 및 제 2 기판 사이에 유지된 전기 광학 물질과, 상기 제 1 기판 상에 마련된 제 1 표시용 전극과, 상기 제 1 표시용 전극에 대응하여 마련된 스위칭 소자와, 상기 스위칭 소자에 전기적으로 접속된 데이터선과, 상기 제 2 기판 상에 마련되고, 상기 제 1 표시용 전극에 대향하는 제 2 표시용 전극을 갖고, 또한, 화상 신호의 진폭 중심 전압에 대하여 극성 반전을 수반하는 해당 화상 신호를 샘플링하여 상기 데이터선에 공급하는 샘플링용 제 1 도전형 트랜지스터를 포함해서 이루어지는 샘플링 회로와, 상기 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트 전압을 상기 극성 반전에 따라 변동시키는 게이트 전압 변동 유닛을 구비한다.
본 발명의 전기 광학 장치의 구동 회로에 따르면, 그 동작 시에는, 화상 신호선 상에 공급되는 화상 신호가 샘플링 회로에 의해서 샘플링된다. 그리고, 이 샘플링된 화상 신호는 데이터선에 공급되고, 또한 스위칭 소자를 거쳐서 제 1 표시용 전극에 공급된다. 한편, 제 2 표시용 전극에는, 대향 전극 전위 등의 전압이 소정 타이밍에서 인가된다. 따라서, 제 1 및 제 2 표시용 전극 사이에 존재하는 액정 등의 전기 광학 물질에, 화상 신호에 따른 전압이 인가되어, 전기 광학 동작이 행해진다. 여기서 특히, 게이트 전압 변동 유닛은 샘플링 회로를 구성하는 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트 전압을 극성 반전에 따라 변동시킨다. 이 때문에, 본 발명과 같이, 샘플링 회로를 제 1 도전형 트랜지스터로 구성하고 있는 경우에도, 화상 신호 진폭의 중심 전압에 대하여 극성 반전을 수반하는 해당 화상 신호가 고전위 측(즉, 양 극성)일 때와 저전위 측(즉, 음 극성)일 때와의 사이에서, 소스 드레인 전류의 유동성이 서로 비슷해지도록 게이트 전압을 변동시키면, 전술한 바와 같이, 극성에 관계없이 게이트 전압을 고정하는 배경 기술과 비교하여, 플리커를 감소시키는 것이 가능해진다.
이상의 결과, 고세밀화를 진행시키면서, 1H 반전 구동 등의 반전 구동을 양호하게 실행할 수 있고, 또한 플리커가 감소된 고품질의 화상 표시가 가능해진다.
또한, 본 발명의 전기 광학 장치의 구동 회로에 있어서도, 상술한 본 발명의 전기 광학 장치에 따른 각종 형태와 마찬가지인 각종 형태를 채용할 수 있다.
본 발명의 전자기기는 상기 과제를 해결하기 위해서, 상술한 본 발명의 전기 광학 장치(단, 그 각종 형태도 포함)를 구비하여 이루어진다.
본 발명의 전자기기는 상술한 본 발명의 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지므로, 고품질의 화상 표시가 가능한, 투사형 표시 장치, 액정 텔레비전, 휴대 전화, 전자 수첩, 워드 프로세서, 뷰파인더형 또는 모니터 직시형 비디오 테이프 리코더, 워크스테이션, 화상 전화, POS 단말, 터치 패널 등의 각종 전자기기를 실현할 수 있다.
본 발명의 이러한 작용 및 다른 이득은 다음에 설명하는 실시예로부터 명백해진다.
이하, 본 발명의 실시예를 도면에 근거하여 설명한다. 이하의 실시예는, 본 발명의 전기 광학 장치를 액정 장치에 적용한 것이다.
(실시예 1)
우선, 본 발명의 전기 광학 장치에 따른 실시예 1에 대하여, 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한다. 도 1은 전기 광학 장치의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소에 있어서의 각종 소자, 배선 등의 등가 회로를 그 주변 구동 회로와 함께 나타낸 회로도이며, 도 2는 이 회로 중 인버터를 나타내는 회로도이며, 도 3은 이 회로 중 제 1 도전형 TFT의 기입 능력 특성을 나타내는 특성도이다. 도 4(a)는 제 1 도전형 TFT의 게이트 전압을 고정한 비교예에 있어서의 데이터선으로의 기입 전압을 나타내는 타이밍차트이며, 도 4(b)는 제 1 도전형 TFT의 게이트 전압을 변동시키는 본 실시예에 있어서의 데이터선으로의 기입 전압을 나타내는 타이밍차트이다. 도 5는 데이터선, 주사선, 화소 전극 등이 형성된 TFT 어레이 기판이 서로 인접하는 복수의 화소 그룹의 평면도이다.
도 6은 도 5의 A-A'선 단면도이다. 또한, 도 6에 있어서는, 각 층이나 각 부재를 도면 상에서 인식할 수 있을 정도의 크기로 하기 때문에, 각 층이나 각 부재마다 축척을 다르게 하고 있다.
도 1에 있어서, 본 실시예에 있어서의 전기 광학 장치의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소에는 각각, 화소 전극(9a)과 해당 화소 전극(9a)을 스위칭 제어하기 위한 TFT(30)가 형성되어 있고, 화상 신호가 공급되는 데이터선(6a)이 해당 TFT(30)의 소스에 전기적으로 접속되어 있다. 주사 신호가 공급되는 주사선(3a)이 TFT(30)의 게이트에 전기적으로 접속되어 있다. 화소 전극(9a) 및 축적 용량(70)이 TFT(30)의 드레인에 전기적으로 접속되어 있다.
전기 광학 장치는 화상 표시 영역의 주변에 위치하는 주변 영역에, 데이터선 구동 회로(101), 주사선 구동 회로(104) 및 샘플링 회로(301)를 구비하여 구성되어 있다.
데이터선 구동 회로(101)는 샘플링 회로 구동 신호선(114)을 거쳐서, 샘플링 회로 구동 신호를 샘플링 회로(301)에 순차적으로 공급하도록 구성되어 있다.
샘플링 회로(301)는 샘플링용, 즉 샘플링 스위치로서의 제 1 도전형 TFT(302)를 복수 구비한다. 각 제 1 도전형 TFT(302)는 화상 신호선(115)으로부터의 인출선(116)에 그 소스가 접속되고, 데이터선(6a)에 그 드레인이 접속되며, 샘플링 회로 구동 신호선(114)에 그 게이트가 접속되어 있다. 그리고, 데이터선 구동 회로(101)로부터 공급되는 샘플링 회로 구동 신호의 타이밍에서, 화상 신호선(115) 상의 화상 신호를 샘플링하여, 화상 신호 S1, S2, …, Sn으로서, 각 데이터선(6a)에 순차적으로 기입하도록 구성되어 있다.
한편, 주사선 구동 회로(104)는 펄스적으로 주사 신호 G1, G2, …, Gm을 소정의 타이밍에서 이 순서로 선순차적으로 주사선(3a)에 공급하도록 구성되어 있다.
화상 표시 영역 내에서는, TFT(30)의 게이트에, 주사선 구동 회로(104)로부터 주사선(3a)을 거쳐서 주사 신호 G1, G2, …, Gm이 선순차적으로 인가된다. 화소 전극(9a)에는, 화소 스위칭 소자인 TFT(30)를 일정 기간만큼 그 스위치를 닫는 것에 의해, 데이터선(6a)으로부터 공급되는 화상 신호 S1, S2, …, Sn을 소정의 타이밍에서 기입한다. 화소 전극(9a)을 거쳐서 전기 광학 물질의 일례로서의 액정에 기입된 소정 레벨의 화상 신호 S1, S2, …, Sn은 후술하는 대향 기판에 형성된 대향 전극과의 사이에서 일정 기간 유지된다. 액정은 인가되는 전압 레벨에 의해 분자 집합의 배향이나 질서가 변화됨으로써, 광을 변조하여, 계조 표시를 가능하게 한다. 노멀리 화이트 모드(normally white mode)이면, 각 화소 단위로 인가된 전압에 따라 입사광에 대한 투과율이 감소하고, 노멀리 블랙 모드(normally black mode)이면, 각 화소 단위로 인가된 전압에 따라 입사광에 대한 투과율이 증가되며, 전체로서 전기 광학 장치로부터는 화상 신호에 따른 계조를 갖는 광이 출사된다. 여기서, 유지된 화상 신호가 누설되는 것을 막기 위해서, 화소 전극(9a)과 대향 전극 사이에 형성되는 액정 용량과 병렬로 축적 용량(70)을 부가한다. 축적 용량(70)은, 후에 상술하는 바와 같이, 화소 전극(9a)에 접속된 화소 전위측 용량전극과, 이것에 유전체막을 사이에 유지하여 대향 배치된 고정 전위측 용량 전극을 포함하여 이루어진다. 주사선(3a)과 함께 배열된 고정 전위의 용량선(300)의 일부가 이러한 고정 전위측 용량 전극으로 되어 있다.
본 실시예에서는, 동일 행의 화소 전극(9a)을 동일 극성의 전위로 구동하면서, 관련된 전위 극성을 행마다 필드 주기로 반전시키는 1H 반전 구동이 행해진다. 즉, 화상 신호선(115) 상에 공급되는 화상 신호는 필드 단위로 극성 반전을 수반하는 신호이다. 이에 따라 액정에 있어서의 직류 전압 인가에 의한 열화를 효과적으로 피할 수 있다.
여기서 특히, 본 실시예의 전기 광학 장치에는, 전압 선택 발생 회로(401)가 마련되어 있다. 전압 선택 발생 회로(401)는 데이터선 구동 회로(101) 등과 마찬가지로, 주변 영역에 내장하여도 좋고, COG(Chip On Glass)형 등의 외부 부착 IC로서 장착하여도 좋고, 또는, 외부 회로 접속 단자를 거쳐서 적당한 배선을 통해 접속되어도 좋다. 전압 선택 발생 회로(401)는 두 개의 상이한 레벨 전압을, 필드 주기로 상호 전환하고, 전원 배선(402)에 전원 전압 VCL로서 공급 가능하게 구성되어 있다. 데이터선 구동 회로(101)는 시프트 레지스터(501)로부터의 출력이 각각 입력되고, 또한 전원 배선(402)을 거쳐서 전원 전압 VCL에 의해 동작하는 인버터(502)를 구비하고 있고, 인버터(502)의 출력을 전술한 샘플링 회로 구동 신호로서 출력하도록 구성되어 있다.
보다 구체적으로는, 도 2(a)에, 도 1과 마찬가지의 기호로 나타내는 인버터(502)는, 예컨대, 도 2(b)에 나타내는 회로 구성을 갖고 있고, 입력 전압IN(즉, 도 1에 있어서의 시프트 레지스터(501)의 출력 신호 전압)이 일정하여도, 전원 전압 VCL이 2치화되면, 그 출력 전압 OUT(즉, 도 1에 있어서의 샘플링 회로 구동 신호의 전압)도 2치화되도록 구성되어 있다.
여기서, 샘플링 회로(301)는 샘플링 스위치로서 제 1 도전형 트랜지스터(302)로 구성되어 있기 때문에, 가령 그 게이트 전압을 일정하게 하면, 제 1 도전형 TFT(302)의 기입 능력, 즉 소스 드레인 전류의 유동성은 정 필드의 화상 신호와 부 필드의 화상 신호 사이에서 상이하게 된다.
보다 구체적으로는, 예컨대, 도 3에 나타내는 바와 같은 게이트-소스간 전압 VGS[V]에 대한 소스-드레인 전류 I[A]의 특성을 갖는 제 1 도전 TFT(302)의 경우, 화상 신호가 정 필드와 부 필드일 경우에, 소스-드레인 전류의 유동성, 또는 해당 제 1 도전형(302)의 기입 능력에는, Δ의 차이가 존재하고 있다. 여기서, 도 4(a)에 비교예로서 나타낸 바와 같이, 게이트 전압 VG를 정 필드와 부 필드 사이에서 일정하게 하면, 해당 제 1 도전형 TFT(302)를 거쳐서 기입되는 화상 신호 전압 Video는 정 필드와 부 필드 사이에서 비대칭으로 된다. 이 결과, 정 필드와 부 필드 사이에서, 해당 전기 광학 장치에 있어서의 투과율에 차이가 생기므로, 필드 주파수의 플리커가 생기게 되는 것이다.
그런데, 본 실시예에서는, 도 4(b)에 나타낸 바와 같이, 게이트 전압 VG'를 정 필드와 부 필드 사이에서 소정 전압만큼만 변동시킴으로써, 해당 제 1 도전형 TFT(302)을 거쳐서 기입되는 화상 신호 전압 Video는 정 필드와 부 필드 사이에서 대칭으로 되는 것이다. 여기에, 정 필드와 부 필드 사이에서 변동시키는 소정 전압 분량은, 실험적, 경험적 또는 이론적으로 또는 시뮬레이션에 의해서, 정 필드와 부 필드 사이에서 대칭으로 되는 화상 신호 Video가 얻어질 때의 전압 분량으로서, 미리 구할 수 있다. 즉, 이와 같이 구한 2치의 전원 전압 VCL을 전원 선택 발생 회로(401)로 미리 설정해 두면, 그 후의 동작 시에는, 관련된 2치의 전원 전압 VCL을 필드 주기로 교대 선택하면서 발생시킴으로써, 제 1 도전형 TFT(302)에 의한 정부 필드간의 기입 능력이 거의 또는 실용상 전혀 없도록, 화상 신호의 샘플링을 실행하는 것이 가능해진다.
이상과 같이, 도 4(a)에 나타낸 비교예의 경우와 비교하여, 도 4(b)에 나타낸 본 실시예에 따르면, 제 1 도전형 TFT(302)로 샘플링을 실행하는 것에 관계없이, 플리커를 감소시킬 수 있다. 또한, 이러한 샘플링 회로(301)의 각 샘플링 스위치는, 제 1 도전형 TFT(302)으로 이루어지므로, 데이터선(6a)의 피치를 좁게 하여도, 예컨대, CMOS형 샘플링 스위치의 경우와 비교하여, 평면 레이아웃은 용이하다.
다음에 도 5에 도시하는 바와 같이, 전기 광학 장치의 TFT 어레이 기판 상에는, 매트릭스 형상으로 복수의 투명한 화소 전극(9a)(점선부(9a')로 윤곽이 나타내져 있음)이 마련되어 있고, 화소 전극(9a)의 종횡의 경계를 따라 각각 데이터선(6a) 및 주사선(3a)이 마련되어 있다.
또한, 반도체층(1a) 중 도 5 중 우/상의 사선 영역으로 나타낸 채널 영역(1a')에 대향하도록 주사선(3a)이 배치되어 있고, 주사선(3a)은 게이트 전극을 포함한다. 주사선(3a)은 채널 영역(1a')에 대향하는 게이트 전극 부분이 폭넓게구성되어 있다.
이와 같이, 주사선(3a)과 데이터선(6a)의 본선부(61a)가 교차하는 개소에는 각각 채널 영역(1a')에 주사선(3a)의 일부가 게이트 전극으로서 대향 배치된 화소 스위칭용 TFT(30)가 마련되어 있다.
축적 용량(70)은 TFT(30)의 고농도 드레인 영역(1e) 및 화소 전극(9a)에 접속된 화소 전위측 용량 전극으로서의 중계층(71)과, 고정 전위측 용량 전극으로서의 용량선(300)의 일부가 유전체막(75)을 거쳐서 대향 배치되는 것에 의해 형성되어 있다.
용량선(300)은, 예컨대, 금속 또는 합금을 포함하는 도전성의 차광막으로 이루어져 상측 차광막(내장 차광막)의 일례를 구성하고, 또한 고정 전위측 용량 전극으로도 기능한다. 용량선(300)은, 예컨대, Ti(티타늄), Cr(크롬), W(텅스텐), Ta(탄탈), Mo(몰리브덴) 등의 고융점 금속 중 적어도 하나를 포함하는 금속 단체, 합금, 금속 실리사이드, 폴리실리사이드, 이들을 적층한 것 등으로 이루어진다. 용량선(300)은 Al(알루미늄), Ag(은) 등의 다른 금속을 포함하여도 좋다. 단, 또는, 용량선(300)은, 예컨대, 도전성 폴리실리콘막 등으로 이루어지는 제 1 막과 고융점 금속을 포함하는 금속 실리사이드막 등으로 이루어지는 제 2 막이 적층된 다층 구조를 가져도 좋다.
한편, 중계층(71)은, 예컨대, 도전성 폴리실리콘막으로 이루어져 화소 전위측 용량 전극으로서 기능한다. 중계층(71)은 화소 전위측 용량 전극으로서의 기능 외에, 상측 차광막으로서의 용량선(300)과 TFT(30) 사이에 배치되는, 광흡수층 또는 상측 차광막의 다른 예로서의 기능을 갖고, 또한, 화소 전극(9a)과 TFT(30)의 고농도 드레인 영역(1e)을 중계 접속하는 기능을 갖는다. 단, 중계층(71)도 용량선(300)과 마찬가지로, 금속 또는 합금을 포함하는 단일층막 또는 다층막으로 구성하여도 좋다.
용량선(300)은 평면적으로 보아, 주사선(3a)을 따라 스트라이프 형상으로 신장하고 있고, TFT(30)에 겹치는 개소가 도 5 중 상하로 돌출하고 있다. 그리고, 도 5 중 세로 방향으로 각각 연장하는 데이터선(6a)과 도 5 중 가로 방향으로 각각 연장하는 용량선(300)이 서로 교차하여 형성으로써, TFT 어레이 기판(10) 상에 있어서의 TFT(30)의 상측에, 평면적으로 보아 격자 형상의 상측 차광막(내장 차광막)이 구성되어 있고, 각 화소의 개구 영역을 규정하고 있다.
TFT 어레이 기판(10) 상에 있어서의 TFT(30)의 하측에는, 하측 차광막(11a)이 격자 형상으로 마련되어 있다. 하측 차광막(11a)은, 전술한 바와 같이, 상측 차광막의 일례를 구성하는 용량선(300)과 마찬가지로, 예컨대, Ti, Cr, W, Ta, Mo 등의 고융점 금속 중 적어도 하나를 포함하는, 금속 단체, 합금, 금속 실리사이드, 폴리실리사이드, 이들을 적층한 것 등으로 이루어진다. 또는, Al, Ag 등의 다른 금속을 포함하여 이루어진다.
용량 전극으로서의 중계층(71)과 용량선(300)과의 사이에 배치되는 유전체막(75)은, 예컨대, 막 두께 5∼200㎚(나노미터) 정도의 비교적 얇은 HTO(High Temperature Oxide)막, LTO(Low Temperature Oxide)막 등의 산화 실리콘막, 또는 질화 실리콘막 등으로 구성된다. 축적 용량(70)을 증대시키는 관점에서는, 막의 신뢰성이 충분히 얻어지는 한, 유전체막(75)은 얇을수록 좋다.
또한, 용량선(300)은 화소 전극(9a)이 배치된 화상 표시 영역으로부터 그 주위로 연장하여 마련되고, 정전위원과 전기적으로 접속되어 고정 전위로 된다. 관련된 정전위원으로는, 도 1에 나타낸 데이터선 구동 회로(101)나 주사선 구동 회로(104)에 공급되는 정전원이나 부전원의 정전위원어도 좋고, 대향 기판(20)의 대향 전극(21)에 공급되는 정전위라도 상관없다. 또한, 하측 차광막(11a)에 대해서도, 그 전위 변동이 TFT(30)에 대하여 악영향을 미치게 하는 것을 피하기 위해서, 용량선(300)과 마찬가지로, 화상 표시 영역으로부터 그 주위로 연장해서 마련하여 정전위원에 접속하면 좋다.
화소 전극(9a)은 중계층(71)을 중계함으로써, 콘택트홀(83, 85)을 거쳐 반도체층(1a) 중 고농도 드레인 영역(1e)에 전기적으로 접속되어 있다. 즉, 본 실시예에서, 중계층(71)은 축적 용량(70)의 화소 전위측 용량 전극으로서의 기능 및 광흡수층으로서의 기능에 부가해서, 화소 전극(9a)을 TFT(30)로 중계 접속하는 기능을 수행한다. 이와 같이, 중계층(71)을 이용하면, 층간 거리가, 예컨대, 2000㎚ 정도로 길어도, 양자 사이를 하나의 콘택트홀에서 접속하는 기술적 곤란성을 회피하면서 콘택트홀 및 홈에서 양자 사이를 양호하게 접속할 수 있고, 화소 개구율을 높일 수 있게 되어, 콘택트홀 개구 시에 있어서의 에칭의 관통 방지에도 도움이 된다.
도 6에 도시하는 바와 같이, 전기 광학 장치는 투명한 TFT 어레이 기판(10)과, 이것에 대향 배치되는 투명한 대향 기판(20)을 구비하고 있다. TFT 어레이 기판(10)은, 예컨대, 석영 기판, 유리 기판, 실리콘 기판으로 이루어지고, 대향기판(20)은, 예컨대, 유리 기판이나 석영 기판으로 이루어진다.
TFT 어레이 기판(10)에는, 화소 전극(9a)이 마련되어 있고, 그 위쪽에는, 러빙 처리 등의 소정의 배향 처리가 실시된 배향막(16)이 마련되어 있다. 화소 전극(9a)은, 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide)막 등의 투명 도전성막으로 이루어진다. 또한, 배향막(16)은, 예컨대, 폴리이미드막 등의 유기막으로 이루어진다.
한편, 대향 기판(20)에는, 그 전면에 걸쳐 대향 전극(21)이 마련되어 있고, 그 하측에는, 러빙 처리 등의 소정 배향 처리가 실시된 배향막(22)이 마련되어 있다. 대향 전극(21)은, 예컨대, ITO 막 등의 투명 도전성막으로 이루어진다. 또한 배향막(22)은 폴리이미드막 등의 유기막으로 이루어진다.
대향 기판(20)에는, 격자 형상 또는 스트라이프 형상의 차광막을 마련하도록 하여도 좋다. 이러한 구성을 채용함으로써, 전술한 바와 같이, 상측 차광막을 구성하는 용량선(300) 및 데이터선(6a)과 마찬가지로 해당 대향 기판(20) 상의 차광막에 의해, 대향 기판(20) 측으로부터의 입사광이 채널 영역(1a')이나 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c)으로 침입하는 것을 더욱 확실히 저지할 수 있다.
이와 같이 구성된, 화소 전극(9a)과 대향 전극(21)이 대면하도록 배치된 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에는, 후술한 밀봉재에 의해 둘러싸인 공간에 전기 광학 물질의 일례인 액정이 봉입되어, 액정층(50)이 형성된다. 액정층(50)은 화소 전극(9a)으로부터의 전계가 인가되어 있지 않은 상태에서 배향막(16, 22)에 의해 소정의 배향 상태를 취한다. 액정층(50)은, 예컨대, 일종 또는수 종류의 네마틱 액정을 혼합한 액정으로 이루어진다. 밀봉재는 TFT 어레이 기판(10) 및 대향 기판(20)을 그들 주변에서 접합하기 위한, 예컨대, 광경화성 수지나 열경화성 수지로 이루어지는 접착제이며, 양 기판 사이의 거리를 소정값으로 하기 위한 유리 섬유 또는 유리 비드(bead) 등의 갭 재료가 혼입되어 있다.
또한, 화소 스위칭용 TFT(30) 하에서는, 하지 절연막(12)이 마련되어 있다. 하지 절연막(12)은 하측 차광막(11a)에서 TFT(30)를 층간 절연하는 기능 외에, TFT 어레이 기판(10)의 전면에 형성됨으로써, TFT 어레이 기판(10) 표면의 연마 시에 있어서의 거칠기나, 세정 후에 남는 오염 등으로 화소 스위칭용 TFT(30)의 특성 열화를 방지하는 기능을 갖는다.
도 6에 있어서, 화소 스위칭용 TFT(30)는 LDD(Lightly Doped Drain) 구조를 갖고 있고, 주사선(3a), 해당 주사선(3a)으로부터의 전계에 의해 채널이 형성되는 반도체층(1a)의 채널 영역(1a'), 주사선(3a)과 반도체층(1a)을 절연하는 게이트 절연막을 포함하는 절연막(2), 반도체층(1a)의 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c), 반도체층(1a)의 고농도 소스 영역(1d) 및 고농도 드레인 영역(1e)을 구비하고 있다.
주사선(3a) 상에는, 고농도 소스 영역(1d)으로 통하는 콘택트홀(81) 및 고농도 드레인 영역(1e)으로 통하는 콘택트홀(83)이 각각 마련된 제 1 층간 절연막(41)이 형성되어 있다.
제 1 층간 절연막(41) 상에는 중계층(71) 및 용량선(300)이 형성되어 있고, 이들 위에는, 콘택트홀(81, 85)이 각각 개구된 제 2 층간 절연막(42)이 형성되어있다.
제 2 층간 절연막(42) 상에는 데이터선(6a)이 형성되어 있고, 이들 위에는, 중계층(71)으로 통하는 콘택트홀(85)이 형성된 제 3 층간 절연막(43)이 형성되어 있다. 화소 전극(9a)은 이와 같이 구성된 제 3 층간 절연막(43)의 상면에 마련되어 있다.
이상, 도 1 내지 도 6을 참조해서 설명한 바와 같이, 실시예 1에 따르면, 전압 선택 발생 회로(401) 및 인버터(502)로부터, 게이트 전압 변동 유닛의 일례가 구성되어 있다. 따라서, 고세밀화를 진행시키면서, 1H 반전 구동을 양호하게 실행할 수 있어, 플리커가 감소된 고품질의 화상 표시가 가능해진다.
또한, 이상 설명한 실시예에서는, 화소 스위칭용 TFT(30)는 탑 게이트형이라고 되어 있지만, 바톰 게이트형 TFT이더라도 좋다. 또한, TFT(30)는 접합 SOI에 의한 단결정 반도체층을 포함하여 이루어지도록 구성하여도 좋다. 또한, 스위칭용 TFT(30)는 바람직하게는, 도 6에 나타낸 바와 같이, LDD 구조를 가지지만, 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c)에 불순물 이온의 투입을 행하지 않는 오프셋 구조를 가져서 좋고, 주사선(3a)의 일부로 이루어지는 게이트 전극을 마스크로 해서 고농도로 불순물 이온을 투입하고, 자기 정합적으로 고농도 소스 및 드레인 영역을 형성하는 자기 정합형 TFT이더라도 좋다. 또한, 본 실시예에서는, 화소 스위칭용 TFT(30)의 게이트 전극을 고농도 소스 영역(1d) 및 고농도 드레인 영역(1e) 사이에 한 개만 배치한 단일 게이트 구조로 했지만, 이들 사이에 두 개 이상의 게이트 전극을 배치하여도 좋다. 또한, 투사형 혹은 투과형 액정 장치에한하지 않고, 반사형 액정 장치에 본 발명을 적용하여도, 본 실시예에 의한 플리커를 감소시키는 효과는 마찬가지로 얻어진다.
더하여, 본 실시예에 있어서의 1H 반전 구동 방식에서는, 구동 전압의 극성을 한 행마다 반전시켜도 좋고, 서로 인접하는 2행마다 또는 복수 행마다 반전시켜도 좋다.
(실시예 2)
다음에 본 발명의 전기 광학 장치의 실시예 2에 대해서, 도 7을 참조하여 설명한다.
도 7은 실시예 2에 있어서의 데이터선 구동 회로 및 샘플링 회로에 관한 부분을 확대하여 나타내는 확대 블럭도이다.
실시예 2는 상술한 실시예 1과 비교하여, 데이터선 구동 회로 및 화상 신호선에 따른 구성 및 동작이 다르고, 그 밖의 구성 및 동작에 대해서는 마찬가지이다. 이 때문에 이하에서는, 실시예 1과 다른 구성 및 동작에 대하여 설명한다.
도 7에 도시하는 바와 같이, 실시예 2에서는, 화상 신호선(115')은 m(단, m은 2 이상의 자연수)개 마련되어 있고, 직렬-병렬 변환된 화상 신호가 공급된다. 그리고, 이들 m개의 화상 신호선(115')에 접속된 m개의 제 1 도전형 TFT(302)에 대하여, 한 개의 인버터(502')의 출력이, 분기된 샘플링 회로 구동 신호선(114')을 거쳐서 공급되고, 이들 m개의 제 1 도전형 TFT(502)가 동시에 구동되도록 구성되어 있다. 즉, 실시예 2에 따르면, m개의 서로 인접하는 데이터선(6a)을 동시에 구동하도록 구성되어 있다.
또한, 동시에 구동하는 수(m)로는, 예컨대 6, 12, 24, … 등이 채용된다. 동시에 구동하는 수를 늘리면, 구동 주파수를 낮출 수 있다.
이와 같이, 실시예 2에서는, 데이터선(6a)의 개수와 비교하여, 인버터(502)의 개수는 1/m로 삭감되어 있다. 따라서, 비교적 간단한 구성을 갖는 제 1 도전형 TFT(302)에 대해서는 미세한 화소 피치로 내장하고, 또한 비교적 복잡한 구성을 갖는 인버터(502)(도 2(b) 참조)에 대해서는 관련된 화소 피치의 1/m의 피치로 내장하면 되므로, 실시예 1과 비교하여 평면 레이아웃이 한층 용이해진다.
(실시예 3)
다음에 본 발명의 전기 광학 장치의 실시예 3에 대해서, 도 8 및 도 9를 참조하여 설명한다. 도 8은 실시예 3에 있어서의 데이터선 구동 회로 및 샘플링 회로에 관한 부분을 확대하여 나타내는 확대 블럭도이다. 도 9는 이 회로 중 트랜스미션 게이트를 나타내는 회로도이다.
실시예 3은 상술한 실시예 1과 비교하여, 데이터선 구동 회로 및 화상 신호선에 관한 구성 및 동작이 다르고, 그 밖의 구성 및 동작에 대해서는 마찬가지이다. 이 때문에 이하에서는, 실시예 1과 다른 구성 및 동작에 대해서 설명한다.
도 8에 도시하는 바와 같이, 실시예 3에서는, 데이터선 구동 회로(101)는 실시예 1과 비교하면, 인버터(502) 대신 트랜스미션 게이트(510)를 복수 구비한다. 각 트랜스미션 게이트(510)의 출력 단자는 샘플링 회로 구동 신호선(114)에 접속되어 있다. 각 트랜스미션 게이트(510)의 입력 단자는 2치의 전원 전압 VCL이 공급되는 전원 배선(402)에 접속되어 있다.
그리고, 각 트랜스미션 게이트의 제어 단자에 시프트 레지스터(501)로부터 순차적으로 출력되는 출력 신호가 입력되도록 구성되어 있다.
보다 구체적으로는, 도 9(a)에 도 8과 마찬가지의 기호로 나타내는 트랜스미션 게이트(510)는, 예컨대, 도 9(b)에 나타내는 회로 구성을 갖고 있고, 시프트 레지스터(501)의 출력 전압 SR(및 그 반전 출력 전압 SRINV)이 일정하여도, 입력 전압 IN(즉, 도 8에 있어서의 전원 전압 VCL의 전압)이 2치화되면, 그 출력 전압 OUT(즉, 도 8에 있어서의 샘플링 회로 구동 신호의 전압)도 2치화되도록 구성되어 있다.
이와 같이 실시예 3에서는, 트랜스미션 게이트(510)를 이용해서, 제 1 도전형 TFT(302)의 게이트 전압을 변동시킬 수 있어, 표시 화상에 있어서의 플리커를 감소시키는 것이 가능해진다.
(실시예 4)
다음에 본 발명의 전기 광학 장치의 실시예 4에 대해서, 도 10 및 도 11을 참조하여 설명한다. 도 10은 실시예 4에 있어서의 데이터선 구동 회로 및 샘플링 회로에 관한 부분을 확대하여 나타내는 확대 블럭도이다. 도 11은 이 회로 중 시프트 레지스터 내에 마련되는 전송 신호를 필드의 정부(正負)에 따라 선택적으로 출력하는 회로 부분의 확대 회로도이다.
실시예 4는 상술한 실시예 1과 비교하여, 데이터선 구동 회로 및 화상 신호선에 따른 구성 및 동작이 다르고, 그 밖의 구성 및 동작에 대해서는 마찬가지이다. 이 때문에 이하에서는, 실시예 1과 다른 구성 및 동작에 대해서 설명한다.
도 10에 도시하는 바와 같이, 실시예 4에서는, 데이터선 구동 회로(101)는 실시예 1과 비교하면, 인버터(502) 대신, 트랜스미션 게이트(520) 및 트랜스미션 게이트(530)의 쌍을 복수 구비한다. 각 트랜스미션 게이트(530)의 출력 단자는 샘플링 회로 구동 신호선(114)에 접속되어 있다. 각 트랜스미션 게이트(520)의 입력 단자는 제 1 고정 전위 V1이 공급되는 전원 배선(402a)에 접속되어 있고, 각 트랜스미션 게이트(530)의 입력 단자는 제 2 고정 전위 V2가 공급되는 전원 배선(402b)에 접속되어 있다. 그리고, 각 트랜스미션 게이트(520)의 제어 단자에, 시프트 레지스터(501)로부터 순차적으로 출력되는 출력 신호 SR1이 입력되며, 각 트랜스미션 게이트(530)의 제어 단자에, 시프트 레지스터(501)로부터 순차적으로 출력되는 출력 신호 SR2가 입력되도록 구성되어 있다.
보다 구체적으로는, 도 11에 도시하는 바와 같이, 데이터선 구동 회로(101) 내에는, 시프트 레지스터(501)로부터 순차적으로 출력되는 전송 신호 SR과, 예컨대, 정(正) 필드 기간에 하이 레벨로 되는 정 필드 신호가 입력되는 NAND 회로(540)를 구비하고, 또한, 시프트 레지스터(501)로부터 순차적으로 출력되는 전송 신호 SR과, 예컨대, 부(負) 필드 기간에 하이 레벨로 이루어지는 부 필드 신호가 입력되는 NAND 회로(550)를 구비한다. 그리고, NAND 회로(540)로부터의 출력 신호 SR1이 트랜스미션 게이트(520)의 제어 단자에 입력되고, NAND 회로(550)로부터의 출력 신호 SR2가 트랜스미션 게이트(530)의 제어 단자에 입력된다. 이 결과, 화상 신호의 각 필드에 관한 극성의 정부에 따라서, 제 1 고정 전위 V1 및 제 2 고정 전위 V2가 샘플링 회로 구동 신호로서 교대로 출력된다.
이와 같이 실시예 4에서는, 트랜스미션 게이트(520, 530)를 이용해서, 제 1 도전형 TFT(302)의 게이트 전압을 변동시킬 수 있어, 표시 화상에 있어서의 플리커를 감소시키는 것이 가능해진다.
특히, 실시예 1 내지 3과 비교하면, 고전압의 클럭 신호인 전원 전압 VCL을 이용할 필요가 없으므로, 비용 삭감을 도모할 수 있다. 더하여, 고정 전위 V1 및 V2 중 한쪽을, 데이터선 구동 회로(101)용 전원과 공용으로 하고, 이들 중 다른 한쪽을, 외부 회로 접속 단자 및 이에 접속된 전원 배선을 거쳐서 공급되도록 구성하여도 좋다. 이에 따라, 제 1 도전형 TFT(302)의 게이트 전압을 변동시키기 위해서 필요해지는 전용 전원의 수를 적게 할 수 있다.
이상과 같이 구성된 각 실시예에 있어서의 제 1 도전형 트랜지스터는 N채널형 트랜지스터라도, P채널형 트랜지스터라도 좋다.
N채널형 트랜지스터이면, 음 극성일 때, 소스 드레인 전류가 흐르기 쉽게 되므로, 음 극성 시에, 게이트 전압을 상대적으로 작게 하여 기입 능력을 저하시키고, 또한 양 극성 시에, 게이트 전압을 상대적으로 크게 하여 기입 능력을 향상시키면 좋다.
또는, P채널형 트랜지스터이면, 양 극성일 때, 소스 드레인 전류가 흐르기 쉽게 되므로, 양 극성 시에, 게이트 전압을 상대적으로 작게 하여 기입 능력을 저하시키고, 또한 음 극성 시에, 게이트 전압을 상대적으로 크게 하여 기입 능력을 향상시키면 좋다.
(전기 광학 장치의 전체 구성)
이상과 같이 구성된 각 실시예에 있어서의 전기 광학 장치의 전체 구성을 도 12 및 도 13을 참조하여 설명한다. 또한, 도 12는 TFT 어레이 기판(10)을 그 위에 형성된 각 구성 요소와 함께 대향 기판(20) 측으로부터 본 평면도이며, 도 13은 도 12의 H-H'선 단면도이다.
도 12에 있어서, TFT 어레이 기판(10)의 위에는, 밀봉재(52)가 그 둘레를 따라 마련되어 있고, 그 내측에 병행하여, 화상 표시 영역(10a)의 주변을 규정하는 주변 가장자리로서의 차광막(53)이 마련되어 있다. 밀봉재(52)의 외측 영역에는, 데이터선 구동 회로(101) 및 외부 회로 접속 단자(102)가 TFT 어레이 기판(10)의 한 변을 따라 마련되어 있고, 주사선 구동 회로(104)가, 이 한 변에 인접하는 두 변을 따라 마련되어 있다. 주사선(3a)에 공급되는 주사 신호 지연이 문제가 되지 않으면, 주사선 구동 회로(104)는 한 쪽뿐이어도 좋다. 또한, 데이터선 구동 회로(101)를 화상 표시 영역(10a)의 변을 따라 양측에 배열하여도 좋다. 또한 TFT 어레이 기판(10)의 남은 한 변에는, 화상 표시 영역(10a)의 양측에 마련된 주사선 구동 회로(104) 사이를 연결하기 위한 복수의 배선(105)이 마련되어 있다. 또한, 대향 기판(20)의 코너부 중 적어도 한 개소에서는, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에서 전기적으로 도통을 취하기 위한 도통재(106)가 마련되어 있다.그리고, 도 13에 도시하는 바와 같이, 도 12에 나타낸 밀봉재(52)와 거의 같은 윤곽을 갖는 대향 기판(20)이 해당 밀봉재(52)에 의해 TFT 어레이 기판(10)에 고착되어 있다.
또한, TFT 어레이 기판(10) 상에는, 이들 데이터선 구동 회로(101), 주사선 구동 회로(104) 등에 부가하여, 복수의 데이터선(6a)에 소정 전압 레벨의 프리차지 신호를 화상 신호에 선행하여 각각 공급하는 프리 차지 회로, 제조 도중이나 출하 시의 해당 전기 광학 장치의 품질, 결함 등을 검사하기 위한 검사 회로 등을 형성하여도 좋다.
이상 도 1 내지 도 13을 참조하여 설명한 실시예에서는, 데이터선 구동 회로(101) 및 주사선 구동 회로(104)를 TFT 어레이 기판(10) 상에 마련하는 대신에, 예컨대, TAB(Tape Automated bonding) 기판 상에 실장된 구동용 LSI에, TFT 어레이 기판(10)의 주변부에 마련된 이방성 도전 필름을 거쳐서 전기적 및 기계적으로 접속하도록 하여도 좋다. 또한, 대향 기판(20)의 투사광이 입사하는 쪽 및 TFT 어레이 기판(10)의 출사광이 출사하는 쪽에는 각각, 예컨대, TN(Twisted Nematic) 모드, STN(Super Twisted Nematic) 모드, VA(Vertically Aligned) 모드, PDLC(Polymer Dispersed Liquid Crystal) 모드 등의 동작 모드나, 노멀리 화이트 모드/노멀리 블랙 모드에 따라서, 각각 편광 필름, 위상차 필름, 편광판 등이 소정의 방향으로 배치된다.
이상 설명한 실시예에 있어서의 전기 광학 장치는, 프로젝터에 적용되기 때문에, 세 대의 전기 광학 장치가 RGB용 광밸브로서 각각 이용되고, 각 광밸브에는각각 RGB색 분해용 다이클로익 미러를 거쳐서 분해된 각 색의 광이 투사광으로서 각각 입사되게 된다. 따라서, 각 실시예에서는, 대향 기판(20)에, 컬러 필터는 마련되어 있지 않다. 그러나, 화소 전극(9a)에 대향하는 소정 영역에 RGB의 컬러 필터를 그 보호막과 함께, 대향 기판(20) 상에 형성하여도 좋다. 이와 같이 하면, 프로젝터 이외의 직시형이나 반사형의 컬러 전기 광학 장치에 대하여, 각 실시예에 있어서의 전기 광학 장치를 적용할 수 있다. 또한, 대향 기판(20) 상에 1화소당 한 개씩 대응하도록 마이크로 렌즈를 형성하여도 좋다. 또는, TFT 어레이 기판(10) 상의 RGB에 대향하는 화소 전극(9a) 아래에 컬러 레지스트 등으로 컬러 필터층을 형성하는 것도 가능하다. 이와 같이 하면, 입사광의 집광 효율을 향상시키는 것에 의해, 밝은 전기 광학 장치를 실현할 수 있다. 또한, 대향 기판(20) 상에, 몇 층쯤의 굴절율이 상이한 간섭층을 퇴적하는 것에 의해, 광의 간섭을 이용해서, RGB색을 만들어내는 다이클로익 필터를 형성하여도 좋다. 이 다이클로익 필터가 장착된 대향 기판에 따르면, 보다 밝은 컬러 전기 광학 장치를 실현할 수 있다.
(전자기기의 실시예)
다음에, 이상 상세하게 설명한 전기 광학 장치를 광밸브로서 이용한 전자기기의 일례인 투사형 컬러 표시 장치의 실시예에 대해서, 그 전체 구성, 특히, 광학적인 구성에 대하여 설명한다. 여기서, 도 14는 투사형 컬러 표시 장치의 도식적 단면도이다.
도 14에 있어서, 본 실시예에 있어서의 투사형 컬러 표시 장치의 일례인 액정 프로젝터(1100)는 구동 회로가 TFT 어레이 기판 상에 탑재된 액정 장치(100)를 포함하는 액정 모듈을 세 개 준비하여, 각각 RGB용 광밸브(100R, 100G, 100B)로 이용한 프로젝터로서 구성되어 있다. 액정 프로젝터(1100)에서는, 메탈 할라이드(metal halide) 램프 등의 백색 광원의 램프 유닛(1102)으로부터 투사광이 발생하면, 세 장의 미러(1106) 및 두 장의 다이클로익 미러(1108)에 의해서, RGB의 3원색에 대응하는 광 성분 R, G, B로 나누어지고, 각 색에 대응하는 광밸브(100R, 100G, 100B)로 각각 유도된다. 이 때, 특히 B광은, 긴 광로에 의한 광 손실을 막기 위해서, 입사 렌즈(1122), 릴레이 렌즈(1123) 및 출사 렌즈(1124)로 이루어지는 릴레이 렌즈계(1121)를 거쳐 유도된다. 그리고, 광밸브(100R, 100G, 100B)에 의해 각각 변조된 3원색에 대응하는 광 성분은 다이클로익 프리즘(1112)에 의해 두 번째 합성된 후, 투사 렌즈(1114)를 거쳐서 스크린(1120)에 컬러 화상으로서 투사된다.
본 발명은 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라, 청구의 범위 및 명세서 전체로부터 판독할 수 있는 발명의 요지 혹은 사상에 반하지 않는 범위에서 적절히 변경 가능하고, 그와 같은 변경을 수반하는 전기 광학 장치, 그 구동 회로 및 전자기기도 또한 본 발명의 기술적 범위에 포함되는 것이다.
본 발명에 따르면, 고세밀화를 진행시키면서, 1H 반전 구동 등의 반전 구동을 양호하게 실행할 수 있고, 또한 플리커가 감소된 고품질의 화상 표시가 가능해진다.

Claims (14)

  1. 전기 광학 장치에 있어서,
    한 쌍의 제 1 및 제 2 기판 사이에 유지된 전기 광학 물질과,
    상기 제 1 기판 상에 마련된 제 1 표시용 전극과,
    상기 제 1 표시용 전극에 대응하여 마련된 스위칭 소자와,
    상기 스위칭 소자에 전기적으로 접속된 데이터선과,
    화상 신호의 진폭의 중심 전압에 대하여 극성 반전을 수반하는 해당 화상 신호를 샘플링하여 상기 데이터선에 공급하는 샘플링용의 제 1 도전형 트랜지스터를 포함하여 이루어진 샘플링 회로와,
    상기 제 2 기판 상에 마련되고, 상기 제 1 표시용 전극에 대향하는 제 2 표시용 전극과,
    상기 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트 전압을, 상기 극성 반전에 따라서 변동시키는 게이트 전압 변동 유닛
    을 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 전압 변동 유닛은, 상기 제 1 도전형 트랜지스터의 기록 능력이, 상기 화상 신호의 극성이 양인 경우와 음인 경우 사이에서 일치하도록 상기 게이트 전극을 상기 극성 반전에 따라서 전환하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 표시용 전극은, 화소 단위로 섬 형상으로 마련된 복수의 화소 전극으로 이루어지고,
    상기 데이터선은, 상기 스위칭 소자를 거쳐서 상기 화소 전극에 전기적으로 접속되어 있고,
    상기 제 2 표시용 전극은, 상기 복수의 화소 전극에 대향하는 대향 전극으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 복수의 화소 전극은, 제 1 주기에서 반전 구동시키기 위한 제 1 화소 전극군 및 해당 제 1 주기와 상보인 제 2 주기에서 반전 구동시키기 위한 제 2 화소 전극군을 포함하고, 또한 상기 제 1 기판 상에 평면 배열되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 샘플링 회로는, 상기 제 1 기판 상에 있어서의, 상기 제 1 표시용 전극이 배치된 화상 표시 영역의 주변에 위치하는 주변 영역에 내장되어 있으며,
    상기 주변 영역에, 상기 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트에 대하여 샘플링 회로 구동 신호를 공급하는 시프트 레지스터를 포함하여 이루어지는 데이터선 구동 회로를 더 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트에, 출력측이 접속된 인버터를 더 구비하고,
    상기 샘플링 회로 구동 신호는, 상기 인버터를 통하여 상기 게이트에 입력되고,
    상기 게이트 전압 변동 유닛은, 상기 인버터의 전원을, 상기 극성 반전에 따라서 변동시키는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  7. 제 5 항에 있어서,
    상기 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트에, 출력측이 접속된 전송 게이트를더 구비하고,
    상기 샘플링 회로 구동 신호는, 상기 전송 게이트의 게이트 제어 단자에 입력되고,
    상기 게이트 전압 변동 유닛은, 상기 전송 게이트의 입력측에, 상기 극성 반전에 따라서 변동하는 전압을 입력하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  8. 제 5 항에 있어서,
    상기 게이트 전압 변동 유닛은, 상기 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트에 출력측이 접속되고, 또한 상기 샘플링 회로 구동 신호가 게이트 제어 단자에 입력되는 복수의 전송 게이트를 포함하여 이루어지고, 당해 복수의 전송 게이트에 의해서 복수의 상호 다른 전원 중 하나를 선택하여 상기 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트 전압으로서 공급하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 복수의 상호 다른 전원 중 하나는, 상기 데이터선 구동 회로용의 전원과 공용으로 공급되고, 다른 하나는, 당해 전기 광학 장치의 외부 회로 접속 단자 및 이것에 접속된 배선을 통하여 공급되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  10. 제 5 항에 있어서,
    복수(n)의 상기 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트에는, 소정수(m)(단, m은 2 이상 n 미만의 자연수)의 제 1 도전형 트랜지스터로 이루어진 그룹 마다에, 동일한 샘플링 회로 구동 신호가 병렬로 공급되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 도전형 트랜지스터는, N 채널형 트랜지스터로 이루어지며, 상기 극성 반전이 음 극성일 때의 게이트 전압을, 양 극성일 때의 게이트 전압보다 작게 하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 도전형 트랜지스터는, P 채널형 트랜지스터로 이루어지며, 상기 극성 반전이 음 극성일 때의 게이트 전압을, 양 극성일 때의 게이트 전압보다 크게 하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  13. 전기 광학 장치에 마련되는 구동 회로에 있어서,
    상기 전기 광학 장치는,
    한 쌍의 제 1 및 제 2 기판 사이에 유지된 전기 광학 물질과,
    상기 제 1 기판 상에 마련된 제 1 표시용 전극과,
    상기 제 1 표시용 전극에 대응하여 마련된 스위칭 소자와,
    상기 스위칭 소자에 전기적으로 접속된 데이터선과,
    상기 제 2 기판 상에 마련되고, 상기 제 1 표시용 전극에 대향하는 제 2 표시용 전극을 갖고,
    화상 신호의 진폭의 중심 전압에 대하여 극성 반전을 수반하는 해당 화상 신호를 샘플링하여 상기 데이터선에 공급하는 샘플링용의 제 1 도전형 트랜지스터를 포함하여 이루어지는 샘플링 회로와,
    상기 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트 전압을, 상기 극성 반전에 따라서 변동시키는 게이트 전압 변동 유닛
    을 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 구동 회로.
  14. 전자 기기에 있어서,
    한 쌍의 제 1 및 제 2 기판 사이에 유지된 전기 광학 물질과,
    상기 제 1 기판 상에 마련된 제 1 표시용 전극과,
    상기 제 1 표시용 전극에 대응하여 마련된 스위칭 소자와,
    상기 스위칭 소자에 전기적으로 접속된 데이터선과,
    화상 신호의 진폭의 중심 전압에 대하여 극성 반전을 수반하는 해당 화상 신호를 샘플링하여 상기 데이터선에 공급하는 샘플링용의 제 1 도전형 트랜지스터를 포함하여 이루어지는 샘플링 회로와,
    상기 제 2 기판 상에 마련되고, 상기 제 1 표시용 전극에 대향하는 제 2 표시용 전극과,
    상기 제 1 도전형 트랜지스터의 게이트 전압을, 상기 극성 반전에 따라서 변동시키는 게이트 전압 변동 유닛
    을 구비한 전기 광학 장치를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
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