KR20020065843A - 고효율 형광 물질 - Google Patents
고효율 형광 물질 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020065843A KR20020065843A KR1020020005392A KR20020005392A KR20020065843A KR 20020065843 A KR20020065843 A KR 20020065843A KR 1020020005392 A KR1020020005392 A KR 1020020005392A KR 20020005392 A KR20020005392 A KR 20020005392A KR 20020065843 A KR20020065843 A KR 20020065843A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- fluorescent material
- radiation
- fluorescent
- fluorescent substance
- region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/59—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/85—Packages
- H10H20/851—Wavelength conversion means
- H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
- H10H20/8512—Wavelength conversion materials
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7715—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
실리사이드 나이트라이드 류의 형광 물질로서, Sr이 양이온으로 사용되며, 상기 실리사이드 나이트라이드는 3가의 Ce로 도핑된다.
Description
본 발명은 청구범위 제 1항의 전제부에 따른 실리사이드 니트라이드의 류(class)의 형광 물질에 관한 것이다. 더욱 상세히는, 본 발명은 황색 영역에서 형광을 발하는 실리사이드 나이트라이드이다.
Sr2Si5N8과 Ba2Si5N8과 같은 실리사이드 나이트라이드의 형광 물질은 Schlieper, Millus, Schlick에 의한 "Nitridosilicate II, Hochtemperatursynthesen and Kristallstrukturen von Sr2Si5N8und Ba2Si5N8"[실리사이드 나이트라이드 II, Sr2Si5N8과 Ba2Si5N8의 고온 합성과 결정 구조] (Z. anorg. allg.Chem. 621, (1995), page 1380) 논문으로부터 이미 알려져 있다. 그러나, 이 경우에는 가시 스펙트럼의 특정 영역에서 효과적인 방사를 제안할 어느 활성제도 특정되어 있지 않다.
본 발명의 목적은 청구범위 제 1항의 전제부에 따른 형광 물질을 제공하는 것이고, 상기 형광 물질은 효율이 가능한 높으며 370에서 430 nm의 영역의 자외선 방사에 의해 효과적으로 유도될 수 있다.
본 발명의 목적은 청구항 제 1항의 특징부에 의해 달성된다. 특히 유리한 세부사항은 종속항에서 발견된다.
도 1은 제 1 실리사이드 나이트라이드의 방출 스펙트럼을 보여준다.
도 2는 제 1 실리사이드 나이트라이드의 반사 스펙트럼을 보여준다.
도 3은 제 2 실리사이드 나이트라이드의 방출 스펙트럼을 보여준다.
도 4는 제 2 실리사이드 나이트라이드의 반사 스펙트럼을 보여준다.
도 5는 백색 광원으로서 사용되는 반도체 부품을 보여준다.
도 6은 세 가지 형광 물질의 혼합물의 방출 스펙트럼을 보여준다.
이제까지는 400 nm 근방의 영역에서 효과적으로 유도될 수 있는 황색을 방출하는 고효율의 형광 물질이 없었다. 주지된, 일반적으로 사용되는 형광 물질 YAG:Ce는 370 nm 이하와 430 nm 이상의 영역에서 효과적으로 유도되지만, 400 nm 근방의 영역에서는 잘 유도되지 않는다. 그외에 셀륨이 첨가된 석류석(Ce-doped garnets)도 문제의 사용 영역에서는 미미하게 유도될 뿐이다. 따라서 완전히 다른 시스템을 개발하는 것이 필요하였다.
본 발명에 따르면 형광 물질의 조성은 그것이 3가의 셀륨(Ce)으로 활성화된 스트론튬(Sr) 실리사이드 나이트라이드를 구성하도록 선택된다. 이전에 알려지지않은 형광 물질 Sr2Si5N8:Ce3+은 근자외선, 특히 370내지 430 nm의 영역에서 효과적으로 흡수하고 효율적인 황색 발광을 한다. 그것은 바람직하게는 (Sr에 대해) 1에서 10 mol% Ce에 의해 활성화된다. 이 경우에 Sr은 부분적으로 (유리하게 기껏해야 30 mol%까지) Ba(바륨)및/또는 Ca(칼슘)으로 대체될 수 있다. 또다른 실시예는 SrSi7N10:Ce3+타입의 실리사이드 나이트라이드로 구성된다. 이 경우에도 역시 Sr은 Ba 및/또는 Ca에 의해 대체될 수 있다.
본 형광 물질은, 예를 들어 UV LED, 그렇지 않으면 램프와 같은 1차적인 UV 방사원에 의한 유도을 위한 황색 성분으로서 특히 적당하다. 따라서 WO 98/39807에서 똑같이 설명된대로 백색 또는 황색영역에서 방출하는 광원을 구현하는 것이 가능하다. 황색을 발하는 광원은 근본적으로 그 방사가 본 발명에 따른 형광 물질에 의해 완전히 황색광으로 변환되는 UV 방사를 발하는 LED에 기초한다.
특히, 이 형광 물질은 UV-LED(예를 들어 InGaN 타입)와 함께 사용될 수 있고 , UV-LED는 청색과 황색에서 방출하는 형광 물질에 의해 백색광을 생성한다. 청색 성분을 위한 후보는 본질적으로는, 예를 들어 BAM으로 알려진 BaMgAl10O17Eu2+또는 Ba5SiO4(Cl,Br)6Eu2+또는 CaLA2S4Ce3+그렇지 않으면 SCAP로 알려진 (Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2+가 공지되어 있다. 뿐만 아니라, 적색 형광 물질이 이 시스템의 색을 개선하기 위해 사용될 수 있다. (Y,La,Gd,Lu)2O2S:Eu3+, SrS:Eu2+, 그렇지 않으면 Sr2Si5N8:Eu2+(아직 공개되지 않았지만, EP-A 99 123 747.0을 참조)가 특히 적당하다.
이하에서는, 두 개의 전형적인 실시예를 참조하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명하고자 한다.
본 발명에 따른 형광 물질의 구체적인 예는 도 1에 나타내고, 그것은 형광물질, Ce 비율이 Sr에 의해 점유된 격자 위치의 4 mol%에 달하는 Sr2Si5N8:Ce3+의 방출에 관한 것이다. 방출의 최대치는 545 nm 에서 나타나고 평균 파장은 572 nm 이다. 색의 로커스는 x=0.395 이고 y=0.514 이다. 유도는 400 nm 에서 수행된다.
제조는 통상적인 방법으로 수행되며, 실험 재료 Sr3N2, Si3N4및 CeO2가 서로 혼합되고, 뒤이어 혼합물이 1400℃, 질소(N2)와 수소(H2)하에서 환원되는 방식으로 5시간에 걸쳐 용광로에서 베이킹된다.
도 2는 이 형광 물질의 확산 반사 스펙트럼을 나타낸다. 그것은 370내지 440 nm 영역에서 뚜렷한 최소치를 보여주고, 그것에 의해 이 영역에서 유도되는 뛰어난 능력을 보여준다.
본 발명에 따른 형광 물질의 두번째 예는 도 3에서 보여지고, 도 3은 Ce 비율이 Sr에 의해 점유된 격자 위치의 8 mol% 에 달하는 형광 물질 Sr2Si5N8:Ce3+에 관한 것이다. 방출 최대치는 554 nm에서 및 평균 파장은 579 nm이다. 색의 로커스는 x=0.414 이며 y=0.514 이다.
제조는 상술한 방법으로 수행되고, 상기 혼합물은 1400℃, 질소(N2)하에서 환원되는 방식으로 6시간에 걸쳐 오븐에서 베이킹된다.
도 4는 형광 물질의 확산 반사 스펙트럼을 보여준다. 그것은 370내지 440 nm 영역에서 뚜렷한 최소치를 보여주고, 따라서 이 영역에서 유도되는 뛰어난 능력을 보여준다.
백색 광원의 디자인은 도 5에서 명확하게 보여준다. 광원은, 예를 들어 390 nm의 피크 방출 파장을 갖는 InGaN 타입의 칩(1)이 있는 반도체 부품이고 칩(1)은 컷아웃(cut-out)(9) 영역의 불투명한 기본 하우징(housing)(8)에 내장된다. 칩(1)은 본딩 와이어(bond wire)(14)을 통하여 제 1 단자(3)에 연결되고, 직접적으로 제 2 전기 단자(2)에 연결된다. 컷아웃(9)은 주요 구성요소로서 에폭시 주조 수지(80내지 90%의 중량) 와 형광 안료(6)(15%이하의 중량)를 포함하는 포팅 화합물(5)로 채워진다. 제 1 형광 물질은 제 1 전형적인 실시예로 보여진 실리사이드 나이트라이드인 반면, 제 2 형광 물질은 청색 영역에서 발하는 형광 물질, 여기서는 특히 Ba5SiO4(Cl,Br)6:Eu2+이다. 컷아웃은 칩(1) 또는 안료(6)의 1차 및 2차 방사의 반사체로 사용되는 벽(17)을 갖는다. 청색과 황색의 2차적인 방사의 조합은 백색을 생성하기 위해 혼합된다.
또다른 전형적인 실시예에서 세 가지 형광 물질의 혼합은 형광 안료로서 사용된다. 제 1 형광 물질(i)은 제 1 실시예로서 보여진 황색 방출 실리사이드 나이트라이드 Sr2Si5N8:Ce3+이고, 제 2 형광 물질(ii)은 앞서 언급된 SCAP의 청색 방출 형광 물질이며, 제 3 형광 물질(iii)은 Sr2Si5N8:Eu2+타입의 적색 방출 형광 물질이다. 도 6은 375 nm에서 1차적인 방출을 갖는 LED의 방출 스펙트럼을 나타내며, 높은 질의 백색 감각을 전하는 전반적인 스펙트럼(G)을 형성하기 위해, 개개의 황색(i), 청색(ii), 적색(iii) 성분이 더해진다. 조합된 색의 로커스는 x=0.333, y=0.331이다. 세 가지 성분의 사용은 특히 좋은 색의 연출을 보증한다.
본 발명에 따른 형광 물질은 370내지 430 nm 영역에서 효과적으로 황색 방출하는 고효율 형광 물질이다. 이는 청색, 적색 방출 형광 물질과 함께 사용되어 높은 질의 백색을 방출한다.
Claims (8)
- 양이온을 갖는 실리사이드 나이트라이드 류와 기본식 AxSiyNz으로부터 나온 고효율 형광 물질로서,Sr이 양이온으로 사용되고, 상기 실리사이드 나이트라이드는 활성제로서 쓰이는 3가 Ce로 도핑된 것을 특징으로 하는 형광 물질.
- 제1 항에 있어서,상기 형광 물질은 Sr2Si5N8:Ce3+또는 SrSi7N10:Ce3+인 것을 특징으로 하는 형광 물질.
- 제 1항에 있어서,Ce의 비율이 Sr의 1과 10 mol% 사이 값에 달하는 것을 특징으로 하는 형광 물질.
- 제 1항에 있어서,Sr 의 일부가, 특히 30 mol%까지, Ba 및/또는 Ca로 대체되는 것을 특징으로 하는 형광 물질.
- 1차적인 방사원을 갖은 광원으로서,370내지 430 nm의 파장 영역에 있는 광학 스펙트럼 영역의 단파 영역에서 방사를 방출하고, 이 방사가 선행하는 청구항 중 어느 한 항에 기재된 제 1 형광 물질에 의해 전체적으로 또는 부분적으로 가시 스펙트럼 영역에 있는 더 긴 파장의 2차적인 방사로 변환되는 것을 특징으로 하는 광원.
- 제 5항에 있어서,InGaN에 기초한 빛을 사용하는 다이오드가 1차적인 방사원으로 사용된 것을 특징으로 하는 광원.
- 제 5항에 있어서,1차적인 방사의 일부는 제 2 형광 물질을 이용하여 더 긴 파장의 방사로 계속하여 변환되고, 제 1과 제 2의 형광 물질이 특히 백색광을 생성하기 위하여 적절히 선택되고 혼합된 것을 특징으로 하는 광원.
- 제 7항에 있어서,1차적인 방사의 일부는 제 3 형광 물질을 이용하여 더 긴 파장의 방사로 계속하여 변환되고, 제 3 형광 물질이 적색의 스펙트럼 영역에서 방출하는 것을 특징으로 하는 광원
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE10105800.4A DE10105800B4 (de) | 2001-02-07 | 2001-02-07 | Hocheffizienter Leuchtstoff und dessen Verwendung |
DE10105800.4 | 2001-02-07 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20020065843A true KR20020065843A (ko) | 2002-08-14 |
Family
ID=7673330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020020005392A Withdrawn KR20020065843A (ko) | 2001-02-07 | 2002-01-30 | 고효율 형광 물질 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6724142B2 (ko) |
JP (1) | JP2002322474A (ko) |
KR (1) | KR20020065843A (ko) |
DE (1) | DE10105800B4 (ko) |
FR (1) | FR2820429B3 (ko) |
GB (1) | GB2373510B (ko) |
NL (1) | NL1019917C2 (ko) |
TW (1) | TW570970B (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101292320B1 (ko) * | 2011-03-11 | 2013-07-31 | 금호전기주식회사 | 형광체 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003051622A (ja) * | 2001-08-07 | 2003-02-21 | Rohm Co Ltd | 白色系半導体発光装置 |
JP4599163B2 (ja) * | 2002-10-14 | 2010-12-15 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Eu(ii)−活性化された蛍光体を有する発光装置 |
EP1573826B1 (en) * | 2002-12-13 | 2007-03-21 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material |
JP4581540B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2010-11-17 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子とそれを用いた発光装置 |
US7723740B2 (en) * | 2003-09-18 | 2010-05-25 | Nichia Corporation | Light emitting device |
EP1664239B1 (de) * | 2003-09-24 | 2013-01-30 | OSRAM GmbH | Weiss emittierende led mit definierter farbtemperatur |
EP1670875B1 (de) * | 2003-09-24 | 2019-08-14 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Hocheffizientes beleuchtungssystem auf led-basis mit verbesserter farbwiedergabe |
TWI359187B (en) * | 2003-11-19 | 2012-03-01 | Panasonic Corp | Method for preparing nitridosilicate-based compoun |
JP3837588B2 (ja) | 2003-11-26 | 2006-10-25 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具 |
JP3931239B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2007-06-13 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 発光素子及び照明器具 |
EP1716218B1 (en) * | 2004-02-20 | 2009-12-02 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material |
KR100847957B1 (ko) * | 2004-04-27 | 2008-07-22 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을이용한 발광 장치 |
US20060017041A1 (en) * | 2004-06-25 | 2006-01-26 | Sarnoff Corporation | Nitride phosphors and devices |
US20060049414A1 (en) * | 2004-08-19 | 2006-03-09 | Chandran Ramachandran G | Novel oxynitride phosphors |
KR101168177B1 (ko) | 2004-09-22 | 2012-07-24 | 도쿠리츠교세이호징 붓시쯔 자이료 겐큐키코 | 형광체와 그 제조방법 및 발광기구 |
JP4756261B2 (ja) * | 2005-01-27 | 2011-08-24 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 蛍光体とその製造方法および発光器具 |
EP1853681B1 (en) | 2005-02-21 | 2009-10-14 | Philips Intellectual Property & Standards GmbH | Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material |
US7439668B2 (en) | 2005-03-01 | 2008-10-21 | Lumination Llc | Oxynitride phosphors for use in lighting applications having improved color quality |
CN101133137B (zh) | 2005-03-04 | 2013-05-08 | 三菱化学株式会社 | 荧光体及其制备方法、和使用该荧光体的发光装置 |
US7524437B2 (en) | 2005-03-04 | 2009-04-28 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor |
EP1887067B1 (en) | 2005-05-24 | 2014-04-16 | Mitsubishi Chemical Corporation | Phosphor and use thereof |
KR101331392B1 (ko) | 2005-09-27 | 2013-11-20 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 형광체 및 그 제조방법, 및 상기 형광체를 사용한 발광장치 |
US7942556B2 (en) * | 2007-06-18 | 2011-05-17 | Xicato, Inc. | Solid state illumination device |
US7984999B2 (en) | 2007-10-17 | 2011-07-26 | Xicato, Inc. | Illumination device with light emitting diodes and moveable light adjustment member |
US9086213B2 (en) * | 2007-10-17 | 2015-07-21 | Xicato, Inc. | Illumination device with light emitting diodes |
EP2163593A1 (en) * | 2008-09-15 | 2010-03-17 | Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. | Production of nitride-based phosphors |
US8220971B2 (en) | 2008-11-21 | 2012-07-17 | Xicato, Inc. | Light emitting diode module with three part color matching |
TWI374704B (en) | 2009-11-09 | 2012-10-21 | Ind Tech Res Inst | Light transformation particle and photobioreactor |
US9631782B2 (en) * | 2010-02-04 | 2017-04-25 | Xicato, Inc. | LED-based rectangular illumination device |
US8104908B2 (en) | 2010-03-04 | 2012-01-31 | Xicato, Inc. | Efficient LED-based illumination module with high color rendering index |
KR100984273B1 (ko) * | 2010-05-25 | 2010-10-01 | 충남대학교산학협력단 | 질화물 형광체, 이의 제조방법 및 상기 형광체를 포함하는 발광 소자 |
US20120051045A1 (en) | 2010-08-27 | 2012-03-01 | Xicato, Inc. | Led Based Illumination Module Color Matched To An Arbitrary Light Source |
TWI516572B (zh) | 2012-12-13 | 2016-01-11 | 財團法人工業技術研究院 | 螢光材料、及包含其之發光裝置 |
JP6040500B2 (ja) * | 2013-04-25 | 2016-12-07 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置 |
CN103275705B (zh) * | 2013-06-21 | 2017-08-25 | 北京有色金属研究总院 | 荧光粉、其制备方法及包括其的发光装置 |
JP6210577B2 (ja) * | 2016-10-06 | 2017-10-11 | 日立化成株式会社 | 光半導体素子搭載用基板および光半導体装置 |
US20200161506A1 (en) * | 2018-11-21 | 2020-05-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for Producing a Ceramic Converter Element, Ceramic Converter Element, and Optoelectronic Component |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW383508B (en) * | 1996-07-29 | 2000-03-01 | Nichia Kagaku Kogyo Kk | Light emitting device and display |
EP0896739A1 (de) | 1997-03-04 | 1999-02-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Diodenadressiertes farbdisplay mit lanthanoidphosphoren |
US6165631A (en) | 1997-03-04 | 2000-12-26 | U.S. Philips Corporation | Diode-addressed color display with lanthanoid phosphors |
US6068383A (en) * | 1998-03-02 | 2000-05-30 | Robertson; Roger | Phosphorous fluorescent light assembly excited by light emitting diodes |
EP1104799A1 (en) * | 1999-11-30 | 2001-06-06 | Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH | Red emitting luminescent material |
-
2001
- 2001-02-07 DE DE10105800.4A patent/DE10105800B4/de not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-01-11 TW TW091100290A patent/TW570970B/zh active
- 2002-01-21 GB GB0201264A patent/GB2373510B/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-01-30 KR KR1020020005392A patent/KR20020065843A/ko not_active Withdrawn
- 2002-01-31 US US10/062,095 patent/US6724142B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-04 FR FR0201267A patent/FR2820429B3/fr not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-04 JP JP2002027215A patent/JP2002322474A/ja not_active Withdrawn
- 2002-02-07 NL NL1019917A patent/NL1019917C2/nl not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101292320B1 (ko) * | 2011-03-11 | 2013-07-31 | 금호전기주식회사 | 형광체 및 그 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2373510A (en) | 2002-09-25 |
US6724142B2 (en) | 2004-04-20 |
FR2820429B3 (fr) | 2003-01-03 |
GB2373510B (en) | 2004-07-07 |
DE10105800B4 (de) | 2017-08-31 |
NL1019917A1 (nl) | 2002-08-08 |
GB0201264D0 (en) | 2002-03-06 |
US20020105269A1 (en) | 2002-08-08 |
FR2820429A3 (fr) | 2002-08-09 |
JP2002322474A (ja) | 2002-11-08 |
NL1019917C2 (nl) | 2006-01-17 |
TW570970B (en) | 2004-01-11 |
DE10105800A1 (de) | 2002-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20020065843A (ko) | 고효율 형광 물질 | |
KR100784573B1 (ko) | 발광다이오드에 기반을 둔 백색광을 방출하는 조명 기구 | |
CN1886483B (zh) | 具有改进颜色重现性的基于发光二极管的高效照明系统 | |
US7002291B2 (en) | LED-based white-emitting illumination unit | |
CN1886484B (zh) | 具有确定色温的发射白光的发光二极管 | |
US7351356B2 (en) | Luminescent material, especially for LED application | |
KR100920533B1 (ko) | 광원으로서 적어도 하나의 led를 구비한 조명 장치 | |
US7485243B2 (en) | Luminescent material and light emitting diode using the same | |
BE1014027A6 (nl) | Verlichtingseenheid met ten minste een led als lichtbron. | |
CN102471683A (zh) | 具有高效率的转换led | |
JP2008523169A (ja) | 放射線源とルミネッセンス材料を含む照明システム | |
CA2631902A1 (en) | Red-emitting luminescent substance and light source comprising such a luminescent substance | |
CN1856561B (zh) | 发绿光的发光二极管 | |
JP2008521994A (ja) | 放射線源と蛍光材料を含む照明システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20020130 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
PC1203 | Withdrawal of no request for examination | ||
WITN | Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid |