[go: up one dir, main page]

DE10105800A1 - Hocheffizienter Leuchtstoff - Google Patents

Hocheffizienter Leuchtstoff

Info

Publication number
DE10105800A1
DE10105800A1 DE10105800A DE10105800A DE10105800A1 DE 10105800 A1 DE10105800 A1 DE 10105800A1 DE 10105800 A DE10105800 A DE 10105800A DE 10105800 A DE10105800 A DE 10105800A DE 10105800 A1 DE10105800 A1 DE 10105800A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
phosphor
radiation
light source
range
nitridosilicate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10105800A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10105800B4 (de
Inventor
Andries Ellens
Guenter Huber
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Osram GmbH
Original Assignee
Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH filed Critical Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH
Priority to DE10105800.4A priority Critical patent/DE10105800B4/de
Priority to TW091100290A priority patent/TW570970B/zh
Priority to GB0201264A priority patent/GB2373510B/en
Priority to KR1020020005392A priority patent/KR20020065843A/ko
Priority to US10/062,095 priority patent/US6724142B2/en
Priority to FR0201267A priority patent/FR2820429B3/fr
Priority to JP2002027215A priority patent/JP2002322474A/ja
Priority to NL1019917A priority patent/NL1019917C2/nl
Publication of DE10105800A1 publication Critical patent/DE10105800A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10105800B4 publication Critical patent/DE10105800B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/59—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/851—Wavelength conversion means
    • H10H20/8511—Wavelength conversion means characterised by their material, e.g. binder
    • H10H20/8512—Wavelength conversion materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
    • C09K11/7715—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing cerium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Leuchtstoff aus der Klasse der Nitridosilikate, wobei als Anion Sr verwendet wird und wobei das Nitridosilikat mit dreiwertigem Ce dotiert ist.

Description

Technisches Gebiet
Die Erfindung geht aus von einem Leuchtstoff aus der Klasse der Nitridosilikate ge­ mäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Es handelt sich dabei insbesondere um Nitridosilikate, die im Gelben leuchten.
Stand der Technik
Leuchtstoffe des Typs Nitridosilikat wie Sr2Si5N8 und Ba2Si5N8 sind aus dem Ar­ tikel von Schlieper, Millus and Schlick: Nitridosilicate II, Hochtemperatursyn­ thesen und Kristallstrukturen von Sr2Si5N8 and Ba2Si5N8, Z. anorg. allg. Chem. 621, (1995), p. 1380), bereits bekannt. Dabei sind jedoch keine Aktivato­ ren angegeben, die eine effiziente Emission in bestimmten Bereichen des sichtba­ ren Spektrums nahelegen würden.
Darstellung der Erfindung
Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, einen Leuchtstoff gemäß dem Oberbeg­ riff des Anspruchs 1 bereitzustellen, dessen Effizienz möglichst hoch ist und der sich gut durch UV-Strahlung im Bereich 370 bis 430 nm anregen lässt.
Diese Aufgabe wird durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Besonders vorteilhafte Ausgestaltungen finden sich in den abhängigen Ansprüchen.
Bisher gibt es keinen gelb emittierenden Leuchtstoff hoher Effizienz, der sich im Bereich um 400 nm gut anregen lässt. Der wohlbekannte normalerweise verwende­ te Leuchtstoff YAG:Ce lässt sich zwar unterhalb 370 m und oberhalb 430 nm gut anregen, jedoch nicht im Bereich um 400 nm. Auch andere Ce-dotierte Granate zeigen im fraglichen Einsatzbereich nur geringe Anregbarkeit. Es musste daher ein völlig anderes System entwickelt werden.
Erfindungsgemäß wird die Zusammensetzung des Leuchtstoffs so gewählt, dass er ein Sr-Nitridosilikat darstellt, das mit dreiwertigem Ce aktiviert ist. Der bisher unbe­ kannte Leuchtstoff Sr2Si5N8:Ce3+ absorbiert effizient im nahen UV, insbesondere im Bereich 370 bis 430 nm und hat eine effiziente gelbe Lumineszenz. Bevorzugt ist er mit 1 bis 10 mol-% Ce (für Sr) aktiviert. Dabei kann das Sr teilweise (vorteilhaft bis maximal 30 mol-%) durch Ba u/o Ca ersetzt sein. Eine weitere Ausführungsform stellt ein Nitridosilikat des Typs SrSi7N10:Ce3+ dar. Auch hier kann das Sr teil­ weise durch Ba u/o Ca ersetzt sein.
Dieser Leuchtstoff eignet sich gut als gelbe Komponente für die Anregung durch eine primäre UV-Strahlungsquelle wie beispielsweise eine UV-LED oder auch Lampe. Damit kann eine weiß oder gelb emittierende Lichtquelle realisiert werden, ähnlich wie in der WO 98/39807 beschrieben. Eine gelb emittierende Lichtquelle beruht auf einer primär UV-Strahlung emittierenden LED, deren Strahlung von ei­ nem erfindungsgemäßen Leuchtstoff vollständig in gelbes Licht umgewandelt wird.
Insbesondere kann dieser Leuchtstoff in Verbindung mit einer UV-LED (beispiels­ weise vom Typ InGaN) verwendet werden, die mittels blau und gelb emittierender Leuchtstoffe weißes Licht erzeugt. Kandidaten für die blaue Komponente sind an sich bekannt, beispielsweise eignen sich BaMgAl10O17:Eu2+ (bekannt als BAM) oder Ba5SiO4(Cl,Br)6:Eu2+ oder CaLa2S4:Ce3+ oder auch (Sr,Ba,Ca)5(PO4)3Cl:Eu2+ (be­ kannt als SCAP). Zur Farbverbesserung dieses Systems lässt sich zusätzlich ein Rotleuchtstoff einsetzen. Besonders geeignet sind ((Y,La,Gd,Lu)2O2S:Eu3+, SrS:Eu2+ oder auch Sr2Si5N8:Eu2+ (noch nicht veröffentlicht, siehe EP-A 99 123 747.0).
Figuren
Im folgenden soll die Erfindung anhand zweier Ausführungsbeispiele näher erläutert werden. Es zeigen:
Fig. 1 ein Emissionsspektrum eines ersten Nitridosilikats;
Fig. 2 das Reflektionsspektrum dieses Nitridosilikats;
Fig. 3 ein Emissionsspektrum eines zweiten Nitridosilikats;
Fig. 4 das Reflektionsspektrum dieses Nitridosilikats;
Fig. 5 ein Halbleiterbauelement, das als Lichtquelle für weißes Licht dient;
Fig. 6 ein Emissionsspektrum einer Mischung dreier Leuchtstoffe.
Beschreibung der Zeichnungen
Ein konkretes Beispiel für den erfindungsgemäßen Leuchtstoff ist in Fig. 1 gezeigt. Es handelt sich um die Emission des Leuchtstoffs Sr2Si5Na:Ce2+, wobei der Ce- Anteil 4 mol = % der von Sr besetzten Gitterplätze ausmacht. Das Emissions­ maximum liegt bei 545 nm, die mittlere Wellenlänge bei 572 nm. Der Farbort ist x = 0,395; y = 0,514. Die Anregung erfolgte bei 400 nm.
Die Herstellung erfolgt in der üblichen Weise, wobei zunächst die Ausgangsstoffe Sr3N2, Si3N4 und CeO2 miteinander gemischt werden und die Mischung anschlie­ ßend im Ofen bei 1400°C unter N2 und H2 reduzierend über 5 Std. geglüht wird.
Fig. 2 zeigt das diffuse Reflektionsspektrum dieses Leuchtstoffs. Es zeigt ein aus­ geprägtes Minimum im Bereich 370 bis 440 nm, das somit die gute Anregbarkeit in diesem Bereich demonstriert.
Ein zweites Beispiel für den erfindungsgemäßen Leuchtstoff ist in Fig. 3 gezeigt. Es handelt sich um die Emission des Leuchtstoffs Sr2Si5N8:Ce2+, wobei der Ce- Anteil 8 mol-% der von Sr besetzten Gitterplätze ausmacht. Das Emissions­ maximum liegt bei 554 nm, die mittlere Wellenlänge bei 579 nm. Der Farbort ist x = 0,414; y = 0,514.
Die Herstellung erfolgt in der oben beschriebenen Weise, wobei die Mischung im Ofen bei 1400°C unter N2 reduzierend über 6 Std. geglüht wird.
Fig. 4 zeigt das diffuse Reflektionsspektrum dieses Leuchtstoffs. Es zeigt ein aus­ geprägtes Minimum im Bereich 370 bis 440 nm, das somit die gute Anregbarkeit in diesem Bereich demonstriert.
Der Aufbau einer Lichtquelle für weißes Licht ist in Fig. 5 explizit gezeigt. Die Lichtquelle ist ein Halbleiterbauelement mit einem Chip 1 des Typs InGaN mit einer Peakemissionswellenlänge von beispielsweise 390 nm, das in ein lichtundurchlässi­ ges Grundgehäuse 8 im Bereich einer Ausnehmung 9 eingebettet ist. Der Chip 1 ist über einen Bonddraht 14 mit einem ersten Anschluss 3 und direkt mit einem zweiten elektrischen Anschluss 2 verbunden. Die Ausnehmung 9 ist mit einer Vergussmasse 5 gefüllt, die als Hauptbestandteile ein Epoxidgießharz (80 bis 90 Gew.-%) und Leuchtstoffpigmente 6 (weniger als 15 Gew.-%) enthält. Ein erster Leuchtstoff ist das als erstes Ausführungsbeispiel vorgestellte Nitridosilikat, das zweite ist ein blau emittierender Leuchtstoff, hier insbesondere Ba5SiO4(Cl,Br)6:Eu2+. Die Ausnehmung hat eine Wand 17, die als Reflektor für die Primär- und Sekundärstrahlung vom Chip 1 bzw. den Pigmenten 6 dient. Die Kombination der blauen und gelben Sekundär­ strahlung mischt sich zu weiß.
In einem weiteren Ausführungsbeispiel wird als Leuchtstoffpigment eine Mischung aus drei Leuchtstoffen verwendet. Ein erster Leuchtstoff (1) ist das als erstes Aus­ führungsbeispiel vorgestellte gelb emittierende Nitridosilikat Sr2Si5N8:Ce2+, der zweite (2) ist als blau emittierender Leuchtstoff das oben erwähnte SCAP, der dritte (3) ist ein rot emittierender Leuchtstoff vom Typ Sr2Si5N8:Eu2+. Fig. 6 zeigt das Emissionsspektrum einer derartigen LED mit primärer Emission bei 375 nm, wobei sich die einzelnen Komponenten gelb (1), blau (2) und rot (3) zu einem Gesamt­ spektrum (G) addieren, das einen weißen Farbeindruck hoher Qualität vermittelt. Der zugehörige Farbort ist x = 0,333 und y = 0,331. Die Verwendung dreier Kompo­ nenten sichert eine besonders gute Farbwiedergabe.

Claims (8)

1. Hocheffizienter Leuchtstoff aus der Klasse der Nitridosilikate mit einem Anion A und der grundsätzlichen Formel AxSiyNz, dadurch gekennzeichnet, dass als Anion Sr verwendet wird, wobei das Nitridosilikat mit dreiwertigem Ce dotiert ist, das als Akti­ vator wirkt.
2. Leuchtstoff nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Leuchtstoff Sr2Si5N8:Ce3+ oder SrSi7N10:Ce3+ ist.
3. Leuchtstoff nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der Anteil des Ce zwi­ schen 1 und 10 mol% des Sr ausmacht.
4. Leuchtstoff nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ein Teil des Sr, insbe­ sondere bis zu 30 mol-%, durch Ba u/o Ca ersetzt ist.
5. Lichtquelle mit einer primären Strahlungsquelle, die Strahlung im kurzwelligen Be­ reich des optischen Spektralbereichs im Wellenlängenbereich 370 bis 430 nm emit­ tiert, wobei diese Strahlung mittels eines ersten Leuchtstoffs nach einem der vor­ hergehenden Ansprüche ganz oder teilweise in sekundäre längerwellige Strahlung im sichtbaren Spektralbereich konvertiert wird.
6. Lichtquelle nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass als primäre Strah­ lungsquelle eine Leuchtdiode auf Basis von InGaN verwendet wird.
7. Lichtquelle nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein Teil der primären Strahlung weiterhin mittels eines zweiten Leuchtstoffs in längerwellige Strahlung konvertiert wird, wobei der erste und zweite Leuchtstoff insbesondere geeignet ge­ wählt und gemischt sind um weißes Licht zu erzeugen.
8. Lichtquelle nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, dass ein Teil der primären Strahlung weiterhin mittels eines dritten Leuchtstoffs in längerwellige Strahlung konvertiert wird, wobei dieser dritte Leuchtstoff im roten Spektralbereich emittiert.
DE10105800.4A 2001-02-07 2001-02-07 Hocheffizienter Leuchtstoff und dessen Verwendung Expired - Lifetime DE10105800B4 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10105800.4A DE10105800B4 (de) 2001-02-07 2001-02-07 Hocheffizienter Leuchtstoff und dessen Verwendung
TW091100290A TW570970B (en) 2001-02-07 2002-01-11 Highly efficient fluorescent material
GB0201264A GB2373510B (en) 2001-02-07 2002-01-21 Fluorescent materials
KR1020020005392A KR20020065843A (ko) 2001-02-07 2002-01-30 고효율 형광 물질
US10/062,095 US6724142B2 (en) 2001-02-07 2002-01-31 Highly efficient fluorescent material
FR0201267A FR2820429B3 (fr) 2001-02-07 2002-02-04 Substance fluorescente d'une grande efficacite
JP2002027215A JP2002322474A (ja) 2001-02-07 2002-02-04 高効率蛍光体及び高効率蛍光体を有する光源
NL1019917A NL1019917C2 (nl) 2001-02-07 2002-02-07 Hoogefficiente fluorescerende stof.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE10105800.4A DE10105800B4 (de) 2001-02-07 2001-02-07 Hocheffizienter Leuchtstoff und dessen Verwendung

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10105800A1 true DE10105800A1 (de) 2002-08-08
DE10105800B4 DE10105800B4 (de) 2017-08-31

Family

ID=7673330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10105800.4A Expired - Lifetime DE10105800B4 (de) 2001-02-07 2001-02-07 Hocheffizienter Leuchtstoff und dessen Verwendung

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6724142B2 (de)
JP (1) JP2002322474A (de)
KR (1) KR20020065843A (de)
DE (1) DE10105800B4 (de)
FR (1) FR2820429B3 (de)
GB (1) GB2373510B (de)
NL (1) NL1019917C2 (de)
TW (1) TW570970B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8545722B2 (en) 2005-02-21 2013-10-01 Koninklijke Philips N.V. Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003051622A (ja) * 2001-08-07 2003-02-21 Rohm Co Ltd 白色系半導体発光装置
ATE329479T1 (de) * 2002-10-14 2006-06-15 Koninkl Philips Electronics Nv Lichtemittierendes bauelement mit einem eu(ii)- aktivierten leuchtstoff
WO2004055910A1 (en) * 2002-12-13 2004-07-01 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Illumination system comprising a radiation source and a fluorescent material
JP4581540B2 (ja) * 2003-06-30 2010-11-17 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子とそれを用いた発光装置
US7723740B2 (en) * 2003-09-18 2010-05-25 Nichia Corporation Light emitting device
EP1664239B1 (de) * 2003-09-24 2013-01-30 OSRAM GmbH Weiss emittierende led mit definierter farbtemperatur
JP4457110B2 (ja) * 2003-09-24 2010-04-28 パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング 改善された演色性を有するｌｅｄをベースとする高効率の照明系
TWI359187B (en) * 2003-11-19 2012-03-01 Panasonic Corp Method for preparing nitridosilicate-based compoun
JP3837588B2 (ja) 2003-11-26 2006-10-25 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体と蛍光体を用いた発光器具
JP3931239B2 (ja) * 2004-02-18 2007-06-13 独立行政法人物質・材料研究機構 発光素子及び照明器具
EP1716218B1 (de) * 2004-02-20 2009-12-02 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Beleuchtungssystem mit einer strahlungsquelle und einem fluoreszierenden material
KR101041311B1 (ko) * 2004-04-27 2011-06-14 파나소닉 주식회사 형광체 조성물과 그 제조 방법, 및 그 형광체 조성물을 이용한 발광장치
US20060017041A1 (en) * 2004-06-25 2006-01-26 Sarnoff Corporation Nitride phosphors and devices
US20060049414A1 (en) * 2004-08-19 2006-03-09 Chandran Ramachandran G Novel oxynitride phosphors
EP2360225B1 (de) 2004-09-22 2013-06-26 National Institute for Materials Science Phosphor, Herstellungsverfahren und Licht emittierendes Instrument
JP4756261B2 (ja) * 2005-01-27 2011-08-24 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体とその製造方法および発光器具
WO2006093298A1 (ja) 2005-03-04 2006-09-08 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. 蛍光体およびその製造方法、並びに当該蛍光体を用いた発光装置
US7439668B2 (en) 2005-03-01 2008-10-21 Lumination Llc Oxynitride phosphors for use in lighting applications having improved color quality
US7524437B2 (en) 2005-03-04 2009-04-28 Dowa Electronics Materials Co., Ltd. Phosphor and manufacturing method of the same, and light emitting device using the phosphor
TWI475093B (zh) * 2005-05-24 2015-03-01 Mitsubishi Chem Corp 螢光體及其應用
EP1930393A4 (de) 2005-09-27 2010-11-03 Dowa Electronics Materials Co Ltd Fluoreszenzstoff, herstellungsverfahren dafür sowie davon gebrauch machende leuchtvorrichtung
US7942556B2 (en) * 2007-06-18 2011-05-17 Xicato, Inc. Solid state illumination device
US9086213B2 (en) * 2007-10-17 2015-07-21 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes
US7984999B2 (en) * 2007-10-17 2011-07-26 Xicato, Inc. Illumination device with light emitting diodes and moveable light adjustment member
EP2163593A1 (de) * 2008-09-15 2010-03-17 Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V. Herstellung von nitridbasiertem Phosphor
US8220971B2 (en) 2008-11-21 2012-07-17 Xicato, Inc. Light emitting diode module with three part color matching
TWI374704B (en) 2009-11-09 2012-10-21 Ind Tech Res Inst Light transformation particle and photobioreactor
US9631782B2 (en) * 2010-02-04 2017-04-25 Xicato, Inc. LED-based rectangular illumination device
US8104908B2 (en) 2010-03-04 2012-01-31 Xicato, Inc. Efficient LED-based illumination module with high color rendering index
KR100984273B1 (ko) * 2010-05-25 2010-10-01 충남대학교산학협력단 질화물 형광체, 이의 제조방법 및 상기 형광체를 포함하는 발광 소자
US20120051045A1 (en) 2010-08-27 2012-03-01 Xicato, Inc. Led Based Illumination Module Color Matched To An Arbitrary Light Source
KR101292320B1 (ko) * 2011-03-11 2013-07-31 금호전기주식회사 형광체 및 그 제조방법
TWI516572B (zh) 2012-12-13 2016-01-11 財團法人工業技術研究院 螢光材料、及包含其之發光裝置
WO2014175385A1 (ja) 2013-04-25 2014-10-30 独立行政法人物質・材料研究機構 蛍光体、その製造方法、発光装置および画像表示装置
CN103275705B (zh) * 2013-06-21 2017-08-25 北京有色金属研究总院 荧光粉、其制备方法及包括其的发光装置
JP6210577B2 (ja) * 2016-10-06 2017-10-11 日立化成株式会社 光半導体素子搭載用基板および光半導体装置
US20200161506A1 (en) * 2018-11-21 2020-05-21 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for Producing a Ceramic Converter Element, Ceramic Converter Element, and Optoelectronic Component

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW383508B (en) * 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
US6165631A (en) 1997-03-04 2000-12-26 U.S. Philips Corporation Diode-addressed color display with lanthanoid phosphors
WO1998039807A1 (de) 1997-03-04 1998-09-11 Koninklijke Philips Electronics N.V. Diodenadressiertes farbdisplay mit lanthanoidphosphoren
US6068383A (en) * 1998-03-02 2000-05-30 Robertson; Roger Phosphorous fluorescent light assembly excited by light emitting diodes
EP1104799A1 (de) 1999-11-30 2001-06-06 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Rotstrahlendes lumineszentes Material

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8545722B2 (en) 2005-02-21 2013-10-01 Koninklijke Philips N.V. Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material

Also Published As

Publication number Publication date
GB2373510A (en) 2002-09-25
NL1019917C2 (nl) 2006-01-17
US6724142B2 (en) 2004-04-20
KR20020065843A (ko) 2002-08-14
FR2820429A3 (fr) 2002-08-09
US20020105269A1 (en) 2002-08-08
NL1019917A1 (nl) 2002-08-08
JP2002322474A (ja) 2002-11-08
GB0201264D0 (en) 2002-03-06
TW570970B (en) 2004-01-11
FR2820429B3 (fr) 2003-01-03
DE10105800B4 (de) 2017-08-31
GB2373510B (en) 2004-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE10105800B4 (de) Hocheffizienter Leuchtstoff und dessen Verwendung
EP1206802B1 (de) Weiss emittierende beleuchtungseinheit auf led-basis
DE60307411T2 (de) Fotolumineszentes material und leuchtdiode
DE60307415T2 (de) Fotolumineszierende stoffe für leuchtdioden, und leuchtdiode
DE102007035592B4 (de) Temperaturstabiler Leuchtstoff, Verwendung eines Leuchtstoffs und Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoffs
EP1970970B1 (de) Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE112007001638B9 (de) Leuchtstoff aus der Klasse der Nitridosilikate, Verfahren zur Herstellung eines Leuchtstoff aus der Klasse der Nitridosilikate und Verwendung eines derartigen Leuchtstoffs in einer Lichtquelle
DE10133352A1 (de) Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
EP1296383A2 (de) Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
DE10241140A1 (de) Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle
WO2001093341A1 (de) Weiss emittierende beleuchtungseinheit auf led-basis
EP1966345B1 (de) Rot emittierender leuchtstoff und lichtquelle mit einem derartigen leuchtstoff
WO2006081803A1 (de) Gelb emittierender leuchtstoff und lichtquelle mit derartigem leuchtstoff
WO2010020495A1 (de) Alpha-sialon-leuchtstoff
WO2005030903A1 (de) Hocheffizientes beleuchtungssystem auf led-basis mit verbesserter farbwiedergabe
DE102006016548A1 (de) Blau bis Gelb-Orange emittierender Leuchtstoff und Lichtquelle mit derartigem Leuchtstoff
EP1670876B1 (de) Hocheffizienter leuchtstoff
EP2220191B1 (de) Wellenlängenkonvertierte LED
EP2217678B1 (de) Leuchtstoff und beleuchtungssystem mit derartigem leuchtstoff
DE19934126A1 (de) Leuchtstoff für Lichtquellen und zugehörige Lichtquelle
DE20108013U1 (de) Weiß emittierende Beleuchtungseinheit auf LED-Basis
DE10319091A1 (de) Leuchtstoff zum Umwandeln einer Primärstrahlung in eine Sekundärstrahlung
DE20122557U1 (de) Beleuchtungseinheit mit mindestens einer LED als Lichtquelle

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: OSRAM GESELLSCHAFT MIT BESCHRAENKTER HAFTUNG, , DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: OSRAM GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: OSRAM GESELLSCHAFT MIT BESCHRAENKTER HAFTUNG, 81543 MUENCHEN, DE

Effective date: 20111128

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: OSRAM GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: OSRAM AG, 81543 MUENCHEN, DE

Effective date: 20130205

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: OSRAM GMBH, DE

Free format text: FORMER OWNER: OSRAM GMBH, 81543 MUENCHEN, DE

Effective date: 20130827

R016 Response to examination communication
R016 Response to examination communication
R018 Grant decision by examination section/examining division
R020 Patent grant now final
R071 Expiry of right