KR20010112499A

KR20010112499A - 팔라듐 전기도금욕 및 전기도금방법

Info

Publication number: KR20010112499A
Application number: KR1020010031712A
Authority: KR
Inventors: 엡스타인피터; 애비스조셉에이; 둘라간코너안소니; 메사노조셉존2세
Original assignee: 루센트 테크놀러지스 인크
Priority date: 2000-06-08
Filing date: 2001-06-07
Publication date: 2001-12-20
Also published as: JP2002060989A; HK1038383A1; EP1162289A1

Abstract

본 발명은 귀금속-술폰산 착물 및 유리 술폰산을 포함하는 전기도금욕에 관한 것이다. 상기 귀금속은 Pd, Au, 경질 Au(경화제로 Ni 또는 Co 함유), Pt, Rh, Ru, Ag 및 이들의 합금을 포함한다.

Description

팔라듐 전기도금욕 및 전기도금방법{PALLADIUM ELECTROPLATING BATH AND PROCESS FOR ELECTROPLATING}

본 발명은 전기도금, 더 구체적으로는 전기도금 염, 전기도금욕 및 전기도금방법에 관한 것이다.

귀금속은 전기접촉 표면, 도전 경로 및 흡열부(heat sink)와 같은 전기 회로를 포함하는 다양한 공업적 용도로 사용된다. 귀금속은 여러 가지 특성으로 인해 상기와 같은 용도로 매우 유리하게 사용할 수 있다. 이와 같이 유리한 특성으로는 물리 화학적 안정성, 높은 전기 전도성, 낮은 다공성 및 높은 열 전도성이 포함된다. 귀금속은 상기 언급한 특성중 하나 이상으로 인해 종종 집적회로와 같은 고밀도 회로에 사용된다.

귀금속 전기도금 공정에서는 초기에 도금욕에 전기도금 금속을 공급하기 위한 적합한 화합물의 선택과 관련된 문제가 있다. 이 화합물은 안정적이고, 상당히 순수한 형태로 쉽게 제조되어야 하며 전기도금욕에 쉽게 용해되어야 한다. 이러한 문제는 다량의 팔라듐 도금이 급속히 수행되어야 하는 경우에는 특히 곤란하다. 이러한 경우, 비교적 많은 양의 팔라듐 금속이 도금되고, 따라서 다량의 팔라듐이 도금욕에 첨가되어야 한다. 이러한 환경하에서는 높은 용해도 및 빠른 용해 속도가 극히 중요하다.

또한, 도금욕의 복잡성 뿐만 아니라 팔라듐 화합물의 성분들(착물, 음이온 등)의 상용성은 주 도금탱크에 오염물질을 제공할 수 있을 뿐만 아니라 전기도금욕의 수명을 제한할 수 있고 도금욕의 전기도금 특징을 변경할 수 있는 요인이므로 실용상 매우 중요하다.

도 1은 귀금속을 전기도금하기 위해 도금 금속을 도금욕(bath) 또는 도금액에 공급하는데 사용하기 위한 금속-술폰산 착물 또는 염 또는 전해질을 합성하는 본 발명의 일반적인 방법의 흐름도를 나타낸 것이다.

도 2는 귀금속을 전기도금하기 위해 금속-술폰산 착물을 포함하는 도금욕 또는 도금액을 사용하는 본 발명의 일반적인 방법의 흐름도를 나타낸 것이다.

도 3a 내지 3d는 도 1 및 2의 방법에 의해 기판 또는 피도금체에 여러 두께로 침착된 Pd 층을 주사 전자 현미경을 사용하여 촬영한 사진이다.

한 실시 양태에 따르면 전기도금욕은 귀금속-술폰산 착물 및 유리 술폰산을 포함한다. 본원에서 "귀금속"이라는 용어는 Pd, Au, 경질 Au(경화제로 Ni 또는 Co를 첨가함), Pt, Rh, Ru, Ag 및 이들의 합금을 포괄한다.

술폰산은 하기 구조를 갖는 산일 수 있다:

R[SO₃]-X

상기 식에서,

R은 알킬 또는 아릴기이고 X는 양이온계 화합물이다.

술폰산은 예를 들어 메탄 술폰산(MSA)일 수 있다. 생성된 도금욕은 2.5 미만, 특히 1.0 미만의 pH를 가질 수 있다.

전기도금욕은 증백제(brightener)와 같은 한가지 첨가제만을 포함할 수도 있다.

귀금속 합금이 도금될 때, 전기도금욕은 첨가 금속(alloying metal)-술폰산 착물을 또한 포함할 수 있다. 예를 들어, Pd-Ni 합금을 도금하기위한 도금욕은 Pd-술폰산 착물 및 Ni-술폰산 착물을 포함할 수 있다. 두 금속 착물의 농도는 합금의 바라는 조성 %에 크게 좌우된다.

또다른 실시 양태에서 금속을 피도금체(예: 기판)에 전기도금하는 방법은, 도금욕에 전류를 인가하면서 도금될 피도금체를 귀금속을 갖는 금속-술폰산 착물 및 유리 술폰산을 포함하는 용액에 유지시키는 것을 포함한다. 피도금체는 술폰산중에 예비침지될 수 있다.

한 예에서, 귀금속은 구리 또는 구리 합금과 같은 기판 상에 침지 침착된 Pd일 수 있다.

다른 실시 양태, Pd 또는 Pd 합금을 전기도금할 전기도금욕에 사용할 금속염이 제공된다. Pd염의 화학식은 하기 화학식으로 나타낼 수 있다:

Pd(NH₃)_xMSA₂

상기 식에서,

x는 0 내지 4이다.

추가적인 실시 양태에서는, 도금 금속을 전기도금욕에 제공하기 위해 사용할 금속염의 합성 방법이 제공된다. 상기 방법은 술폰산과 귀금속 이온의 공급원을 혼합하여 슬러리를 형성하는 단계; 상기 슬러리를 여과하여 귀금속-술폰산 염을 수거하는 단계; 수거한 염을 알콜로 세척하는 단계; 및 세척된 염을 건조하는 단계를 포함할 수 있다. 혼합은 대략 실온에서 수행될 수 있다.

본 발명의 여타 추가적인 측면은 첨부된 도면을 참조하며 하기의 상세한 설명을 읽음으로써 명확해질 것이다.

본 발명은 도금 금속을 전기도금욕에 공급하기 위한 금속 조성물, 특히 메탄 술폰산(MSA)의 금속 착물, 및 금속-MSA 착물의 합성 방법에 관한 것이다.

본 발명은 또한 술폰산의 금속 착물을 포함하는 전기도금욕, 및 피도금체(예: 기판) 상에 귀금속을 전기도금하기 위해 상기 도금욕을 사용하는 방법에 관한 것이다. 본원에서 "귀금속"이라는 용어는 Pd, Au, 경질 Au(경화제로 Ni 또는 Co를 함유), Pt, Rh, Ru, Ag 및 이들의 합금을 포함한다.

전기도금욕에 도금 금속을 공급하여 피도금체의 표면에 귀금속을 전기도금하기 위해서 일반적으로 술폰산의 금속 착물이 사용될 수 있는 것으로 밝혀졌다. 본원에서는 하부 금속의 낭비를 최소화하면서 금속염을 고수율로 수득할 수 있게 하는 금속-술폰산 착물을 형성하는 방법을 제공하고 있다.

상기 금속-술폰산 착물을 사용함으로써 피도금체에 스트라이크 또는 하부층을 도금하는데 특히 적합한 귀금속 전기도금용 강산성 도금욕을 얻을 수 있다. 추가로, 금속-술폰산 착물은, 보다 소량의 화학 약품 및 첨가물을 필요로 하고, 주 도금탱크의 오염 또는 오염 가능성을 감소시키며, 양질의 도금 제품을 생산하고, 주 도금탱크의 총 유지비용을 줄일 수 있는 전해질 도금욕 또는 도금액을 제공한다.

제 1 실시 양태에 따르면, 전해질 도금욕 또는 도금액은 피도금체의 표면상에 귀금속을 도금하기 위해 제공된다. 도금욕 또는 도금액은 귀금속-술폰산 착물 또는 염, 및 유리 술폰산을 포함한다. 도금욕은 또한 귀금속 합금을 도금하기 위한 첨가 금속-술폰산 착물 또는 염을 포함할 수 있다. 상기 배열은 pH 2.5 미만, 바람직하게는 pH 1.0 미만의 산성 도금욕을 위해 제공된다.

한 예에서는, 도금욕 또는 도금액은 증백제 또는 여타 공지된 도금 첨가제와 같은 한가지 첨가제만으로 제한될 수 있다. 예를 들어, Pd 도금에 사용되는 첨가제 시스템은 전형적으로 하기 두 유형으로 나눌 수 있다.

제 1 유형의 증백제는 일반적으로 술폰기의 알파- 또는 베타-위치에 불포화기를 갖는 불포화 술폰 화합물이다. 상기 화합물은 화학식 A-SO₃-B(여기서, A는 치환된 또는 치환되지 않은 아릴기 또는 알킬렌기이고, B는 OH, OR, OM, NH₂등일 수 있다)를 가진다.

제 2 유형의 유기 증백제는 일반적으로 불포화 또는 카보닐 유기 화합물이다. 예는 >C=O, >C=C<, >C=N-, (-N=N-) 등을 함유하는 화합물이다.

따라서, 도금욕 또는 도금액중의 화학 약품을 줄이거나 최소화함으로써 주 도금탱크의 오염 또는 오염 가능성을 감소시킬 수 있다.

다른 실시 양태에 따르면, 귀금속의 도금방법이 본원에 제공된다. 도금방법은 일반적으로 피도금체(예: 기판)를 귀금속-술폰산 착물을 함유하는 도금욕 또는 도금액에 유지시키면서 전류를 도금욕을 통과하도록 인가시키는 것을 포함한다. 귀금속 합금을 도금하기 위해서, 도금욕은 첨가 금속-술폰산 착물을 추가로 포함할 수 있다.

상기 방법은 귀금속의 스트라이크 또는 하부층을 침착시키는데 이용될 수 있다.

또다른 실시 양태에서는 Pd와 같은 귀금속을 도금하는데 사용하기 위한 전해질 또는 염 및 이들을 제조하는 방법이 제공된다. Pd 전해질 또는 염은 하기 화학식 3의 팔라듐-아민 메탄 술폰산 착물을 포함할 수 있다:

Pd(NH₃)_xMSA₂

상기 식에서,

x는 0 내지 4이고,

MSA는 메탄 술폰산이다.

술폰산의 Pd 착물은 일반적으로 유리 술폰산(상기 예에서는 MSA이다)을 Pd의 이온 공급원, 예컨대 Pd염을 함유하는 용액과 혼합하여 형성될 수 있다.

금속-술폰산 염을 사용하면 종래의 방법을 능가하는 많은 효과와 이점이 있다. 예를 들어, Pd-MSA 염을 사용하면 대략적인 두께가 10 내지 20 마이크로인치인 여타 유형의 금속층의 도금 뿐만 아니라 스트라이크(예: 대략적인 두께가 3 내지 4 마이크로인치인 층)의 도금에 적어도 pH 2.5 미만, 바람직하게는 pH 1.0 미만의 강산성 도금욕을 제공하는 것이 특히 유용하다. 도금욕이 강산성이면 도금욕의 복잡성과 비용을 전형적으로 증가시키는 추가적인 화학 약품 또는 첨가제를 필요로 하지 않으면서 도금될 기판의 표면층(예: 산화물 층)을 세척한다. 도금욕은 한 가지 첨가제로 제한될 수 있다.

화학 약품 및 첨가제의 필요량이 감소되므로, 종래의 도금 조작시에 기판 부식 및/또는 탱크로 유입된 금속염으로 인해 발생되는 주 도금탱크의 오염 또는 오염 가능성이 실질적으로 감소될 수 있다. 주 도금탱크의 오염이 줄어들면 양질의 도금 제품 생산이 확보되고, 주 도금탱크의 총 유지비용이 줄어든다.

또한, Pd-MSA 염은 스트라이크를 침착시키는데 특히 적합한 도금욕을 제공한다. 이것은 Ni와 같은 용이하게 패시베이팅된 표면상의 개선된 접착력, 후속적인 침착물의 다공성의 감소를 포함한 추가적인 이점을 제공하고, 추가적으로 종래의 도금 조작시에 기판 부식 및 유입된 금속염으로 오염되는 것을 방지한다.

또한, Pd-MSA 염은 주 도금탱크에서 수행될 수 있는 다른 도금 조작에도 적합한 도금욕, 예컨대 비할라이드계 및 할라이드계 화합물을 제공한다.

Pd-MSA 염, 예를 들어 Pd(NH₃)_x[MSA]₂의 제조와 관련된 반응식은 하기 반응식 1로 나타낼 수 있다:

[Pd(NH₃)_x]A + 과량 MSA --> [Pd(NH₃)_x][MSA]₂+ MSA + HA

상기 식에서,

x는 바람직하게는 0 내지 4이고,

A는 음이온이다.

이 예에서, 술폰산은 메탄 술폰산이고 Pd 금속 이온의 공급원은 Pd(NH₃)A 염이며, 음이온 A는 예를 들어 설페이트, 할라이드(예: 불소, 염소, 브롬 및 요드), 니트레이트, 니트라이트, 아세테이트, 포스페이트 또는 설파메이트이다. 반응식 1에서, NH₃는 제거되어서 순수한 금속-술폰산 착물을 제공하거나 다른 유기 아민으로 치환되어 Pd-MSA 염의 착물을 제공할 수 있다.

상기에서 Pd-MSA 염의 한 실시예를 포함하는 반응식을 설명하고 있으나, 첨가 금속-술폰 염을 수득하는데 뿐만 아니라 여타 귀금속-술폰산을 수득하기 위해 동일하거나 유사한 음이온 교환 반응이 일반적으로 적용될 수 있다.

예를 들어, 첨가 금속-MSA 염의 반응식은 일반적으로 하기 반응식 2로 나타낸다:

[M][A]+MSA(과량) --> [M][MSA]+MSA+HA

상기 식에서,

M은 Ni, Co, Ag, Sn 등의 첨가 금속이며,

MSA는 메탄 술폰산이다.

반응식 1과 마찬가지로, 음이온 A는 설페이트, 할라이드(예: 불소, 염소, 브롬 및 요드), 니트레이트, 니트라이트, 아세테이트, 포스페이트 또는 설파메이트일 수 있다. M은 Ni, Co, Ag 또는 Sn과 같은 임의의 원하는 첨가 금속일 수 있으며, 원하는 용도에 따라 선택될 수 있다. 첨가 금속 M은 첨가 금속을 포함하는 금속염과 같이 처음에는 첨가 금속 이온 공급원의 형태일 수 있다. 첨가 금속의 농도는 침착될 합금 조성에 좌우된다(10 중량% 내지 95중량% Pd).

합금을 도금할 때, 도금욕 또는 도금액은 첨가 금속-MSA 착물 용액을 Pd-MSA 착물 및 유리 MSA와 혼합하여 제조될 수 있다.

합금의 도금을 용이하게 하기 위해서, 혼합 리간드 시스템이 또한 필요시에 사용될 수도 있다. 원하는 합금 내의 금속에 따라 적절한 리간드가 선택될 수 있다. 예를 들어, Pd의 리간드는 암모니아이다.

상기 내용은 메탄 술폰산에 대하여 설명되었지만, 구조 R[SO₃]-X를 갖는 군(R는 알킬기 또는 아릴기이고 X는 양이온계 화학종, 예컨대 H⁺또는 Na⁺등이다)중의 다른 술폰산이 금속-술폰산 착물, 및 이를 포함하는 귀금속 전기도금욕을 제공하기 위해 사용될 수 있다.

도 1에서, 도금욕에 귀금속 도금 금속을 공급하는데 사용할 술폰산의 귀금속 착물을 합성하는 일반적인 방법은 (a) 귀금속 이온의 공급원(예: 귀금속염)을 함유한 용액에 술폰산을 첨가하여 슬러리를 형성하는 단계, (b) 침전물이 생성된 슬러리를 적절한 시간동안 교반하는 단계, (c) 슬러리를 여과하여 금속-술폰산 염을 수거하는 단계, (d) 상기 염을 이소프로판올과 같은 알콜로 세척하는 단계, 및 (e) 세척된 금속-술폰산 염을 공기 건조하는 단계를 포함한다.

잔여 여과물 및 알콜은 수거하여 적절히 재순환시킨다.

상기 방법은 금속 낭비를 최소화하면서 금속-술폰산 염, 특히 Pd-MSA 염을 상당히 고수율로 제조하는 효율적인 공정을 제공한다. 이는 비싼 귀금속을 다룰 때는 특히 중요하다.

실시예 1

Pd-MSA 염을 합성하는 방법의 예를 여기서 제공한다. 본 실시예에서, 70 g/L의 Pd(금속 형태)를 함유하는 [Pd(NH₃)₄][SO₄] 1L에 메탄 술폰산(70% v/v 용액) 250 ml를 천천히 첨가하면서 실온에서 교반하였다. MSA를 완전히 첨가한 후, 생성된 옅은 황색 현탁액을 추가적인 30분동안 연속적으로 교반하였다. 반응 용기의내용물 전부를 큰 뷰흐너 깔때기에 부었다. 약간 회색이 도는 백색 미정질 생성물을 40 ml 분량의 이소프로판올(IPA)로 3회 세척하고 공기 건조시켰다. 이로써 Pd-MSA 염 220 g을 수득하였다([Pd(NH₃)₄][SO₄] 용액의 Pd 70 g/L를 기준으로 91%).

잔여 여과물을 수거하고 Pd 회수를 위해 재순환시켰다. 필요시에는, 생성물을 세척하는데 사용된 알콜이 또한 표준 장비를 사용하는 증발 및 응축에 의해 재순환될 수 있다.

도 2에서, 귀금속을 공급하기 위해 금속-술폰산을 포함하는 도금욕을 사용하여 피도금체(예: 기판) 상에 귀금속을 전기도금할 수 있는 일반적인 방법은 (a) 귀금속 또는 귀금속 합금, 예컨대 팔라듐 또는 팔라듐 합금으로 도금될 표면부가 노출되어 있는 피도금체를 도금 금속-술폰산 염과 상용성이 있는 술폰산중에 예비침지시키는 단계; (b) 피도금체를 헹구는 단계; (c) 처리 유형(예: 랙(rack)식 또는 연속식)에 따라 도금욕에 5 mA/cm²보다 큰 전류 밀도를 인가하는 단계; 및 (d) 바라는 두께의 귀금속 층이 노출된 표면부에 전개되기에 충분한 시간동안 도금욕중에 피도금체를 유지시키는 단계를 포함한다.

상기 전기도금 방법은 Cu 또는 Cu 합금과 같은 기판 상에 Pd를 침지 침착시키는데 사용될 수 있다.

Pd 또는 Pd 합금에 대한 도금욕 또는 도금액의 예를 하기에 제공한다. 도금욕은 랙 탑재 물품(rack mounted article)에 전형적인 저속 도금, 또는 전기 부품(예: 커넥터, 인쇄 회로판(printed circuit board), 프린트 배선판용 오픈릴식 연속공급에 전형적인 고속 도금과 같은 여러 도금 방법과 함께 사용될 수 있다.

실시예 2

본 실시예에서는 Pd 전기도금용 도금욕 또는 도금액의 조성을 하기 표 1에 제공한다. 단일 첨가제는 상기 논의한 바와 같이 제 1 유형 또는 제 2 유형의 증백제일 수 있다. Pd는 pH 1 미만에서 침착될 수 있다.

반응 조건	수치
[Pd(NH₃)₄]MSA₂	Pd 0.5 내지 20 g/L
단일 첨가제	0.5 내지 10 mL/L
유리 MSA	50 내지 300 mL/L
pH	1 미만
온도	실온
전류 밀도	5 내지 50 ASF
회전	100 내지 500 rpm

실시예 3

본 실시예에서는, 하기 표 2에서 Pd-Ni 합금의 전기도금용 도금욕 또는 도금액의 조성이 제공된다. 단일 첨가제는 상기 논의된 대로 제 1 유형 또는 제 2 유형의 증백제일 수 있다. Pd-Ni 합금은 pH 1 미만에서 침착될 수 있다.

반응 조건	수치
[Pd(NH₃)₄]MSA₂	Pd 0.5 내지 20 g/L
Ni[MSA]	Ni 0.5 내지 20 g/L
단일 첨가제	0.5 내지 10 mL/L
유리 MSA	50 내지 300 mL/L
pH	1 미만
온도	실온
전류 밀도	5 내지 50 ASF
회전	100 내지 500 rpm

예컨대 Cu로부터 형성된 피도금체 또는 기판 상에 Pd를 전기도금하기 위한 Pd-MSA의 사용을 연구하기 위해 여러 가지 시험을 행하였고, 그 결과를 하기에 기술하였다.

도 3a 내지 3d는 도 1 및 2의 방법을 사용하여 기판 또는 피도금체 상에 침착된 상이한 두께 수준의 Pd 층을 2200x로 주사 전자 현미경을 사용하여 촬영한 사진이다. 도시된 바와 같이, 침착된 층에서는 미세균열이 전혀 나타나지 않았다.

Pd-MSA 욕을 사용하여 구리 기판상에 침지 침착한 결과, 밝은 백색 Pd 층이 생성되었다. 상기 현상은 전기공업에 특히 유용할 것이다. 더욱 구체적으로는, 프린트 배선판(PWB), 인쇄 회로판(PCB) 제조 및 플라스틱상에 도금시에 유용할 것이다.

주 도금탱크의 금속성 오염을 시험하기 위해서, Ni 및 Cu는 침착 품질에 역효과를 미치지 않으면서 둘다 50 ppm 정도까지 증가되었다. 여타 도금 조작시의 유입 문제를 우려하여, 20 ml/l에 달하는 양이 문제를 발생시키지 않으면서 할라이드 및 비할라이드 시스템 둘 다에 신중하게 첨가되었다.

당해 분야의 숙련자는 본 발명에 여러 변경 및 변형을 쉽게 가할 수 있으므로, 본 발명이 본원에 설명되고 기술된 구성 및 조작으로 엄격히 한정되는 것으로 의도되어서는 아니되며, 따라서 모든 적합한 변경 및 등가물은 본원 청구 범위의 범주에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.

본 발명의 전기도금용 염, 전기도금욕 및 전기도금방법을 사용하여, 귀금속을 낭비하지 않으면서 물리 화학적 안정성, 높은 전기 전도성, 낮은 다공성 및 높은 열전도성을 특징으로 하는 귀금속 전기도금을 안정되게 행할 수 있다.

Claims

귀금속-술폰산 착물; 및 유리 술폰산을 포함하는 전기도금욕.
제 1 항에 있어서,

하나의 첨가제만을 추가로 포함하는 전기도금욕.
제 1 항에 있어서,

첨가 금속(alloying metal)-술폰산 착물을 추가로 포함하는 전기도금욕.
제 2 항에 있어서,

귀금속이 Pd이고 첨가 금속이 Ni, Co, Ag 및 Sn으로 이루어진 군으로부터 선택되는 전기도금욕.
제 1 항에 있어서,

pH 2.5 미만인 전기도금욕.
제 5 항에 있어서,

pH 1.0 미만인 전기도금욕.
제 1 항에 있어서,

술폰산이 하기 화학식 1의 구조를 갖는 산인 전기도금욕:

화학식 1

R[SO₃]-X

상기 식에서,

R은 알킬기 또는 아릴기이고 X는 양이온계 화학종이다.
제 1 항에 있어서,

하나의 첨가제가 본원에서 정의된 제 1 또는 제 2 유형의 증백제중 하나인 전기도금욕.
제 1 항에 있어서,

술폰산이 메탄 술폰산을 포함하고, 금속-술폰산 착물이 금속-메탄 술폰산 착물을 포함하는 전기도금욕.
도금욕을 통해 전류를 인가하면서 귀금속 함유 금속-술폰산 착물 및 유리 술폰산을 포함하는 용액중에 피도금체를 유지시키는 단계를 포함하는, 피도금체 위에 금속을 전기도금하는 방법.
제 10 항에 있어서,

피도금체를 술폰산중에 예비침지시키는 단계를 추가로 포함하는 전기도금하는 방법.
도금욕이 하나의 첨가제만을 포함하는 제 10 항에 따른 전기도금욕.
도금욕이 첨가 금속-술폰산 염을 추가로 포함하는 제 10 항에 따른 전기도금욕.
제 13 항에 있어서,

귀금속이 Pd이고 첨가 금속이 Ni, Co, Ag 및 Sn으로 이루어진 군으로부터 선택되는 전기도금욕.
pH 2.5 미만인 제 10 항에 따른 전기도금욕.
제 15 항에 있어서,

pH 1.0 미만인 전기도금욕.
술폰산이 하기 화학식 1의 산인 제 10 항에 따른 전기도금욕:

화학식 1

R[SO₃]-X

상기 식에서,

R은 알킬기 또는 아릴기이고 X는 양이온계 화학종이다.
술폰산이 메탄 술폰산을 포함하고 금속-술폰산 착물이 금속 메탄 술폰산 착물을 포함하는 제 10 항에 따른 전기도금욕.
귀금속이 기판상에 침지 침착된 Pd인 제 10 항에 따른 전기도금욕.
제 19 항에 있어서,

피도금체가 Cu 또는 Cu 합금 중 하나 이상을 포함하는 전기도금욕.
Pd 또는 Pd 합금을 전기도금하기 위해 전기도금욕에 사용되는, 하기 화학식 2의 염을 포함하는 금속염:

화학식 2

Pd(NH₃)_xMSA₂

상기 식에서,

x는 0 내지 4이다.
술폰산을 귀금속 이온의 공급원과 혼합하여 슬러리를 형성하는 단계; 및 상기 슬러리를 여과하여 귀금속-술폰산 염을 수거하는 단계를 포함하는, 도금 금속을 전기도금욕에 공급하기 위해 사용되는 금속염의 합성방법.
제 22 항에 있어서,

수거된 염을 알콜로 세척하는 단계; 및 세척된 염을 건조하는 단계를 추가로 포함하는 금속염의 합성방법.
제 22 항에 있어서,

대략 실온에서 혼합하는 금속염의 합성방법.
제 22 항에 있어서,

귀금속이 Pd이고 술폰산이 메탄 술폰산인 금속염의 합성방법.