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KR20010029133A - 상변화 광디스크 - Google Patents

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KR20010029133A
KR20010029133A KR1019990041772A KR19990041772A KR20010029133A KR 20010029133 A KR20010029133 A KR 20010029133A KR 1019990041772 A KR1019990041772 A KR 1019990041772A KR 19990041772 A KR19990041772 A KR 19990041772A KR 20010029133 A KR20010029133 A KR 20010029133A
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KR
South Korea
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dielectric layer
layer
phase change
change optical
optical disk
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KR1019990041772A
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Inventor
김성수
Original Assignee
윤종용
삼성전자 주식회사
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Publication date
Application filed by 윤종용, 삼성전자 주식회사 filed Critical 윤종용
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Abstract

기판상에 형성된 적어도 하나의 유전체층과 광의 조사에 의해 결정질과 비정질로 가역 변화하는 기록층을 포함하여 이루어진 다층막 구조의 상변화 광디스크에 관하여 개시된다. 개시된 상변화 광디스크는 기판상에 제1 유전체층, 기록층 및 제2 유전체층이 순차적으로 적층된 다층막 구조 또는 기판상에 제1 유전체층, 기록층, 제2 유전체층 및 반사층이 순차적으로 적층된 다층막 구조를 가지며, 유전체층은 그 굴절률이 2.5 이상인 TiO2, ZnO, CeO2및 ZnS 중에서 선택된 적어도 하나의 재질로 이루어진다. 고굴절율을 갖는 유전체막을 포함하는 다층막 구조에 의하면 결정질과 비정질에서의 광흡수율비(Ac/Aa)가 높아지게 되어 청색 파장광을 광원으로 사용하는 경우에 있어서도 겹쳐 쓰기(overwrite)시 지터값을 감소시킬 수 있는 동시에 크로스-소거(cross-erase) 현상의 발생을 억제할 수 있게 된다.

Description

상변화 광디스크{Phase change optical disc}
본 발명은 레이저빔의 조사에 의해 기록층의 광학특성이 변화되는 상변화 광디스크에 관한 것으로서, 특히 청색 파장의 레이저빔을 광원으로 사용하는 경우에 있어서 겹쳐 쓰기(overwrite) 특성이 우수하며 크로스-소거(cross-erase) 현상의 발생을 억제할 수 있는 층구조를 가지는 상변화 광디스크에 관한 것이다.
광디스크 플레이어에 사용되는 비접촉식 정보기록매체로서 광디스크는 정보화 사회의 진전에 따라 고용량, 고속도, 고밀도의 방향으로 발전하고 있다. 이에 따라 멀티미디어나 고품질 TV에서의 영상 정보 기록/재생과 관련하여 DVD(Digital Versatile Disc) RAM 등과 같이 고밀도의 정보를 기록/재생할 수 있도록 된 광디스크에 관한 기술 개발이 활발하게 진행되고 있다. 특히 상변화 광디스크는 레이저빔의 조사에 의해 정보의 기록, 재생, 소거를 행하는 광학적 정보기록매체로서, 광헤드의 구성이 비교적 용이하고, 기록 및 소거를 동시에 행하는 소위, 겹쳐 쓰기(overwrite)가 용이하다는 등의 특징에 의해 고밀도화를 위한 연구가 활발히 진행되고 있다.
이러한 상변화 광디스크는 입사되는 레이저빔의 파워 및 냉각속도에 따라 레이저빔이 조사된 부분의 기록층이 결정질 상태가 되거나 또는 비정질 상태가 되어 광학적 특성이 변하는 성질을 이용하여 정보의 기록, 재생을 행하게 된다. 즉, 기록의 경우 레이저빔의 조사에 의해 결정상으로 초기화된 기록층을 단펄스에서 높은 파워의 기록펄스에 의해 용융시킨후, 급냉에 의해 비정질화하여 기록 마크를 생성함으로써 가능하게 된다. 그리고, 그 기록 마크에 대한 정보의 재생은 광디스크에 입사된 레이저빔이 기록층에서 반사될 때 결정질과 비정질 상태에서의 광반사율이 다르므로, 그 반사율 차이를 광검출기에서 검출하여 전기적 신호로 재생하게 된다. 또한, 기록 마크를 소거하는 경우에는 장펄스에서 낮은 파워의 소거펄스에 의해 비정질층의 기록 마크를 결정화하여 기록 마크를 소거한다.
이와 같은, 상변화 광디스크는 그 기록 밀도가 증가할수록 트랙 간격이 좁아져 기록시 인접 트랙의 마크가 일부 소거되는 소위, 크로스-소거(cross-erase) 현상이 발생되는데, 이 현상의 발생을 억제하기 위해서는 비정질 기록층에서의 광흡수율(Aa)이 낮을수록 좋다. 즉, 기록층의 결정질상태에서의 광흡수율(Ac)과 비정질 상태에서의 광흡수율(Aa)의 비율(Ac/Aa)이 클수록 좋다.
또한, 소거펄스에 기록펄스를 중첩시켜 기록 및 소거를 동시에 행하는 겹쳐 쓰기(overwrite)시 기록 마크의 크기가 변하지 않기 위해서는 기록층의 결정질과 비정질 상태에서의 광흡수율비(Ac/Aa)가 1.1 내지 1.2 정도의 값을 가져야 한다는 것이 잘 알려져있다.
따라서, 고밀도 상변화 광디스크는 기록층의 결정질과 비정질 상태에서의 광흡수율비(Ac/Aa)가 1.2 이상의 값을 가져야 하는 필수적인 조건을 충족시켜야 한다.
종래의 적색 또는 근적외선 레이저빔을 광원으로 사용하는 상변화 광디스크에서는, 기록층의 결정질과 비정질 상태에서의 광흡수율비(Ac/Aa)가 1.2 이상의 값을 가지도록 하기 위하여 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같은 다층 구조로 형성된다.
도 1은 종래의 상변화 광디스크의 일예를 개략적으로 나타내 보인 수직단면 구조도이다.
도 1에 도시된 종래의 상변화 광디스크(10)는, 예컨대 투명한 아크릴수지재나 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 재질 등으로 형성된 기판(11)상에 Au 간섭층(12)과 제1 유전체층(13), 레이저빔이 조사되면 상태가 변화되는 상변화형 재료로 형성된 기록층(14), 제2 유전체층(15) 및 반사층(16)이 순차적으로 적층된 다층막 구조를 이루고 있다.
상기한 다층막 구조에 있어서, 통상 상기 제1 유전체층(13)과 제2 유전체층(15)으로서는 ZnS-SiO2, 상기 기록층(14)으로서는 Ge2Sb2Te5와 같은 GeSbTe계 재질, 상기 반사층(16)으로서는 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금재가 사용된다.
이러한 종래의 상변화 광디스크(10)는 상기 간섭층(12)에서 반사된 광파와 결정질 기록층(14)에서 반사된 광파가 상쇄 간섭을 일으킴으로써, 상기 기록층(14)이 결정질일때는 광반사율이 크게 감소하므로 광흡수율은 증가하게 된다. 반면에, 상기 기록층(14)이 비정질일때는 높은 반사율을 갖기 때문에, 비정질 기록층(14)에서의 광흡수율은 감소하게 된다.
따라서, 도 1에 도시된 종래의 상변화 광디스크(10)는 적색 또는 근적외선 레이저빔을 광원으로 사용하는 경우에 있어서, 기록층(14)의 결정질과 비정질 상태에서의 광흡수율비(Ac/Aa)가 1.2 이상의 값을 가지도록 하는 것이 가능하다.
그러나, 상기 도 1에 도시된 종래의 상변화 광디스크(10)는 청색 파장광 즉, 400nm의 레이저빔을 광원으로 사용하게 될 경우, Au 간섭층(12)은 근적외선 또는 적색 파장광에서 광반사율이 90% 이상인데 반하여, 청색 파장광에서는 40%대로 감소하기 때문에 결정질 기록층(14)에서 반사되는 광파를 상쇄 간섭시키기 어려워 진다.
이것은 청색 파장광 즉, 400nm의 레이저빔을 광원으로 사용한 경우, 도 1의 상변화 광디스크 구조에 있어서 제1 유전체층(13)의 두께에 따라 기록층(14)의 결정질과 비정질 상태에서의 광반사율차(Rc-Ra)와 광흡수율비(Ac/Aa) 및 위상차를 계산한 결과를 나타내 보인 도 3으로부터 확인할 수 있다.
따라서, 청색 파장광을 광원으로 사용하는 상변화 광디스크를 도 1에서와 같은 Au 간섭층(12)을 포함하는 층구조로 형성하는 경우에는, 도 3에서 확인할 수 있듯이 기록층(14)의 결정질과 비정질 상태에서의 광흡수율비(Ac/Aa)의 값을 1.05 이상으로 얻어내기가 어려운 문제점이 있다.
도 2는 종래의 상변화 광디스크의 다른 예를 개략적으로 나타내 보인 수직단면 구조도이다.
도 2에 도시된 종래의 상변화 광디스크(20)는, 투명 기판(21)상에 제1 유전체층(22), 기록층(23), 제2 유전체층(24), 열흡수층(25) 및 간섭층(26)이 순차적으로 적층된 다층 구조를 이루고 있다.
상기 열흡수층(25)으로서는 Si 또는 Au, 간섭층(26)으로서는 ZnS-SiO2가 사용되며, 상기 기판(21)과 제1 유전체층(22) 및 제2 유전체층(24), 기록층(23)은 도 1에 도시된 상변화 광디스크와 실질적으로 동일한 재질이 사용된다.
상기한 도 2의 종래 상변화 광디스크(20)의 구조에 있어서는 제2 유전체층(24)과 열흡수층(25)의 계면에서 반사되는 광파와 열흡수층(25)과 간섭층(26), 간섭층(26)과 공기층(또는 보호층; 도시되어 있지 않음)의 계면에서 반사되는 광파가 비정질 기록층(23)에 대하여 소멸 간섭을 일으킴으로써 비정질 기록층(23)에서의 광흡수율을 감소시키게 된다.
따라서, 도 2에 도시된 종래의 상변화 광디스크(20)는 적색 또는 근적외선 레이저빔을 광원으로 사용하는 경우에 있어서, 기록층(23)의 결정질과 비정질 상태에서의 광흡수율비(Ac/Aa)가 1.2 이상의 값을 가지도록 하는 것이 가능하다.
그러나, 상기 도 2에 도시된 종래의 상변화 광디스크(20)는 광원이 근적외선 또는 적색 파장에서 청색 파장 영역으로 이동함에 따라 비정질 기록층(23)의 굴절율의 흡수부가 증가하는 경향을 가지므로, 청색 파장광 즉, 400nm의 레이저빔을 광원으로 사용하게 될 경우, 비정질 기록층(23)의 광투과율이 작아져 광입사면을 기준으로 하여 기록층(23)의 다음에 간섭층(26)이 위치하게 되는 층구조로 인해 충분한 간섭 효과를 얻어 내기가 어려워 진다.
이것은 청색 파장광 즉, 400nm의 레이저빔을 광원으로 사용한 경우, 도 2의 상변화 광디스크 구조에 있어서 제1 유전체층(22)의 두께에 따라 기록층(23)의 결정질과 비정질 상태에서의 광반율차(Rc-Ra)와 광흡수율비(Ac/Aa) 및 위상차를 계산한 결과를 나타내 보인 도 4로부터 확인할 수 있다.
따라서, 청색 파장광을 광원으로 사용하는 상변화 광디스크를 도 2에서와 같은 층구조로 형성하는 경우에는, 도 4에서 확인할 수 있듯이 기록층(23)의 결정질과 비정질 상태에서의 광흡수율비(Ac/Aa)의 값을 0.85 이상으로 얻어내기가 어려운 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로서, 특히 청색 레이저빔을 광원으로 사용하는 경우에 있어서 겹쳐 쓰기(overwrite)시 지터(jitter)값을 감소시킬 수 있는 동시에 크로스-소거(cross-erase) 현상의 발생을 억제할 수 있는 적합한 재료들로 이루어진 층구조를 가지는 상변화 광디스크를 제공하는데 그 목적이 있다.
도 1은 종래의 상변화 광디스크의 일예를 개략적으로 나타내 보인 수직단면 구조도,
도 2는 종래의 상면화 광디스크의 다른 예를 개략적으로 나타내 보인 수직단면 구조도,
도 3은 도 1에 도시된 종래 상변화 광디스크의 제1 유전체층 두께에 따른 광학적 특성을 개략적으로 나타내 보인 그래프,
도 4는 도 2에 도시된 종래 상변화 광디스크의 제1 유전체층 두께에 따른 광학적 특성을 개략적으로 나타내 보인 그래프,
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 상변화 광디스크를 개략적으로 나타내 보인 수직단면 구조도,
도 6은 도 5에 도시된 본 발명의 상변화 광디스크의 제1 유전체층 두께에 따른 광학적 특성을 개략적으로 나타내 보인 그래프,
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 상변화 광디스크를 개략적으로 나타내 보인 수직단면 구조도,
도 8은 도 7에 도시된 본 발명의 상변화 광디스크의 제1 유전체층 두께에 따른 광학적 특성을 개략적으로 나타내 보인 그래프,
도 9는 상변화 광디스크의 광학적 특성을 종래의 경우와 본 발명의 경우를 비교하여 나타내 보인 그래프.
＜도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명＞
110...기판 120...제1 유전체층
130...기록층 140...제2 유전체층
210...기판 220...제1 유전체층
230...기록층 240...제2 유전체층
250...반사층
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 상변화 광디스크는: 기판상에 형성된 적어도 하나의 유전체층과 광의 조사에 의해 결정질과 비정질로 가역 변화하는 기록층을 포함하여 이루어진 다층막 구조의 상변화 광디스크에 있어서, 상기 유전체층은 그 굴절률이 적어도 2.5인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 제1 실시예에 따르면, 상기 유전체층은 제1 유전체층과 제2 유전체층을 구비하며, 상기 기판상에 상기 제1 유전체층, 상기 기록층 및 상기 제2 유전체층이 순차적으로 적층된다.
본 발명의 다른 제2 실시예에 따르면, 상기 유전체층은 제1 유전체층과 제2 유전체층을 구비하며, 상기 기판상에 상기 제1 유전체층, 상기 기록층, 상기 제2 유전체층 및 반사층이 순차적으로 적층된다.
여기에서, 상기 유전체층은 그 굴절률이 2.5 이상인 TiO2, ZnO, CeO2및 ZnS 중에서 선택된 적어도 하나의 재질로 이루어진 것이 바람직하다.
그리고, 상기 기록층은 Ge2Sb2Te5와 Sb의 합금, GeSb2Te4와 Sb의 합금 및 GeSb4Te7와 Sb의 합금 중에서 선택된 어느 하나의 재질로 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 상기 기록층은 결정질과 비정질상태에서의 광흡수율비(Ac/Aa)가 1.0 이상이고, 결정질과 비정질상태에서의 광위상차가 5°이하인 것이 바람직하며, 결정질 상태일 때 보다 비정질 상태일 때의 광반사율이 크도록 된 것이 바람직하다.
상기한 본 발명에 따른 상변화 광디스크의 다층막 구조는 0.4㎛ 이하의 트랙 폭을 갖는 광디스크 또는 450㎚ 이하의 파장을 갖는 광을 사용하는 광디스크에 적용된다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 상변화 광디스크를 상세히 설명한다.
도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 상변화 광디스크를 개략적으로 나타내 보인 수직단면 구조도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 상변화 광디스크(100)는, 투명 기판(110)상에 제1 유전체층(120)과, 기록층(130) 및 제2 유전체층(140)이 순차적으로 적층되어 이루어진 다층막 구조를 가진다.
상기 기판(110)은 기존의 상변화 광디스크에 사용되는 재질과 실질적으로 동일한 재질을 사용하며, 상기 기록층(130)으로서는 Ge2Sb2Te5와 Sb의 합금, GeSb2Te4와 Sb의 합금 및 GeSb4Te7와 Sb의 합금 중에서 선택된 어느 하나의 재질로 형성된다.
상기 제1 유전체층(120)은 기록층(130)의 결정질과 비정질간의 광흡수율비(Ac/Aa)를 높이고, 그 두께 조절에 따라 반사율을 조절하기 위한 목적으로 사용된다. 여기에서, 본 발명의 특징은 상기 제1 유전체층(120)과 제2 유전체층(140)은 그 굴절률이 2.5 이상인 TiO2, ZnO, CeO2및 ZnS 중에서 선택된 적어도 하나의 재질로 형성되는 것이다.
도 1에 도시된 종래의 상변화 광디스크에 있어서 Au 간섭층에서는 광의 흡수가 일어나 반사율이 저하됨으로써 결정질 기록층에서 반사되는 광파를 상쇄 간섭시키기 어려워 지는 반면, 본 발명에 따른 상변화 광디스크(100)에 있어서 TiO2등의 고굴절률을 갖는 유전체층을 사용하는 경우에는 상쇄 간섭을 일으키기에 충분할 정도로 반사율이 크면서 광흡수가 일어나지 않는 특징이 있다.
이러한 본 발명에 따른 상변화 광디스크(100)의 다층막 구조에 의하면, 결정질 기록층(130)에서 반사된 광파와 고굴절률을 갖는 제1 유전체층(120)에서 반사된 광파를 상쇄 간섭시켜 결정질에서의 광흡수율을 증가시킴으로써, 기록층(130)의 결정질과 비정질간의 광흡수율비(Ac/Aa)를 높일 수 있다.
도 6은 상기한 도 5에 도시된 본 발명의 제1 실시예에 따른 상변화 광디스크(100)의 다층막 구조에서 상기 기록층(130)은 Ge2Sb2Te5를 12nm 두께로 형성하고, 상기 제2 유전체층(140)은 TiO2를 135nm 두께로 형성한 상태에서, 상기 제1 유전체층(120)의 두께를 변화시키면서 기록층(130)의 결정질과 비정질에서의 광반사율차(Rc-Ra) 및 광흡수율비(Ac/Aa)를 계산한 결과를 그래프로 나타내 보인 것이다.
여기에서, 도 6을 참조하면 제1 유전체층(120)의 두께에 따라 광반사율차(Rc-Ra)와 광흡수율비(Ac/Aa)가 주기적으로 변하며, 제1 유전체층(120)의 두께가 75nm 또는 135nm 부근에서 광흡수율비(Ac/Aa)가 1.1 이상이 되고, 이 때 광반사율차(Rc-Ra)는 대략 -0.13이 된다는 것을 알 수 있다.
이와 같이, 청색 파장광을 광원으로 사용하는 상변화 광디스크를 도 5에서와 같은 고굴절율을 갖는 유전체막을 포함하는 층구조로 형성하게 되면, 상기한 두가지 광학적 특성이 모두 종래의 다층막 구조를 갖는 상변화 디스크에 비하여 우수하게 된다. 따라서, 제1 유전체층(120)의 두께에 따라 기록층(130)의 결정질의 광반사율(Rc)보다 비정질에서의 광반사율(Ra)을 크게 할 수 있으며 광흡수율비(Ac/Aa)도 1.1 이상으로 조절 가능하게 되므로, 겹쳐 쓰기(overwrite)시 지터값을 감소시킬 수 있는 동시에 크로스-소거(cross-erase) 현상의 발생을 억제할 수 있게 된다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 상변화 광디스크를 개략적으로 나타내 보인 수직단면 구조도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 상변화 광디스크(200)는, 투명 기판(210)상에 제1 유전체층(220)과, 기록층(230)과, 제2 유전체층(240) 및 반사층(250)이 순차적으로 적층되어 이루어진 다층막 구조를 가진다.
상기 기판(210)에서 제2 유전체층(240)에 이르기까지의 각 층은 도 5에 도시된 본 발명의 제1 실시예에 따른 상변화 광디스크(100)의 대응되는 층과 실질적으로 동일한 재질이 사용되는 것으로, 그 구체적인 설명은 생략한다.
다만, 본 발명의 제2 실시예에 따른 상변화 광디스크(200)에는 본 발명의 제1 실시예에 따른 상변화 광디스크(100)에 비해 반사층(250)이 더 형성되며, 상기 반사층(250)으로는 열전도도가 높은 금속 재질, 예컨데 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금재가 사용된다. 따라서, 기록시 용융된 기록층(230)이 급냉됨으로써 마크 경계가 선명하게 되고, 또한 재생 신호의 진폭이 크게 되는 장점이 있다.
도 8은 상기한 도 7에 도시된 본 발명의 제2 실시예에 따른 상변화 광디스크(200)의 다층막 구조에서 상기 기록층(230)은 Ge2Sb2Te5를 14nm 두께로 형성하고, 상기 제2 유전체층(240)은 TiO2를 90nm 두께로 형성하며, 상기 반사층(250)은 Al을 100㎚ 두께로 형성한 상태에서, 상기 제1 유전체층(220)의 두께를 변화시키면서 기록층(230)의 결정질과 비정질에서의 광반사율차(Rc-Ra) 및 광흡수율비(Ac/Aa)를 계산한 결과를 그래프로 나타내 보인 것이다.
여기에서, 도 8을 참조하면 제1 유전체층(220)의 두께가 75nm 또는 135nm 부근에서 광흡수율비(Ac/Aa)가 1.27이 되고, 이 때 광반사율차(Rc-Ra)는 대략 -0.2가 되어 도 5에 도시된 본 발명의 제1 실시예에 따른 상변화 광디스크(100)의 다층막 구조에서보다 그 광학적 특성이 우수하게 나타남을 알 수 있다.
이와 같이, 청색 파장광을 광원으로 사용하는 상변화 광디스크를 도 7에서와 같은 고굴절율을 갖는 유전체막을 포함하는 층구조로 형성하게 되면, 겹쳐 쓰기(overwrite)시 지터값을 감소시킬 수 있는 동시에 크로스-소거(cross-erase) 현상의 발생을 억제할 수 있게 된다.
도 9는 상변화 광디스크의 광학적 특성을 종래의 경우와 본 발명의 경우를 비교하여 나타내 보인 그래프이다.
도 9의 그래프 X축에 표시된 A, B, C 및 D 기호는 각각 도 1, 도 2, 도 5 및 도 7에 도시된 다층막 구조를 나타낸다.
여기에서, 도 9를 참조하면 기판과 기록층 사이에 고굴절률을 갖는 유전체층이 형성된 다층막 구조(C, D)를 갖는 본 발명에 따른 상변화 광디스크는 종래의 다층막 구조(A, B)를 갖는 상변화 광디스크에 비해 그 광반사율차와 광흡수율비가 크게 향상되었음을 알 수 있다. 특히 광흡수율은 30% 정도 향상된 것을 알 수 있으며, 이는 크로스 소거(cross-erase) 현상이 상당히 억제되는 효과를 얻을 수 있음을 의미한다.
본 발명은 개시된 실시예를 참조하여 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.
이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명에 따른 상변화 광디스크에 따르면, 기록층의 결정질과 비정질에서의 광흡수율비(Ac/Aa)가 높아져 청색 파장광을 광원으로 사용하는 경우에 있어서도 겹쳐 쓰기(overwrite)시 지터값을 감소시킬 수 있는 동시에 크로스-소거(cross-erase) 현상의 발생을 억제할 수 있다.

Claims (10)

  1. 기판상에 형성된 적어도 하나의 유전체층과 광의 조사에 의해 결정질과 비정질로 가역 변화하는 기록층을 포함하여 이루어진 다층막 구조의 상변화 광디스크에 있어서,
    상기 유전체층은 그 굴절률이 적어도 2.5인 것을 특징으로 하는 상변화 광디스크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층은 제1 유전체층과 제2 유전체층을 구비하며, 상기 기판상에 상기 제1 유전체층, 상기 기록층 및 상기 제2 유전체층이 순차적으로 적층된 다층막 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 광디스크.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층은 제1 유전체층과 제2 유전체층을 구비하며, 상기 기판상에 상기 제1 유전체층, 상기 기록층, 상기 제2 유전체층 및 반사층이 순차적으로 적층된 다층막 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 광디스크.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 유전체층은 그 굴절률이 2.5 이상인 TiO2, ZnO, CeO2및 ZnS 중에서 선택된 적어도 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 광디스크.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 기록층은 Ge2Sb2Te5와 Sb의 합금, GeSb2Te4와 Sb의 합금 및 GeSb4Te7와 Sb의 합금 중에서 선택된 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 광디스크.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 기록층은 결정질과 비정질상태에서의 광흡수율비(Ac/Aa)가 1.0 이상인 것을 특징으로 하는 상변화 광디스크.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 기록층은 결정질과 비정질상태에서의 광위상차가 5°이하인 것을 특징으로 하는 상변화 광디스크.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 기록층은 결정질 상태일 때 보다 비정질 상태일 때의 광반사율이 크도록 된 것을 특징으로 하는 상변화 광디스크.
  9. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 다층막 구조는 0.4㎛ 이하의 트랙 폭을 갖는 광디스크에 적용되는 것을 특징으로 하는 상변화 광디스크.
  10. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    상기 다층막 구조는 450㎚ 이하의 파장을 갖는 광을 사용하는 광디스크에 적용되는 것을 특징으로 하는 상변화 광디스크.
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