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KR100601613B1 - 상변화 광디스크 - Google Patents

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KR100601613B1
KR100601613B1 KR1019990029281A KR19990029281A KR100601613B1 KR 100601613 B1 KR100601613 B1 KR 100601613B1 KR 1019990029281 A KR1019990029281 A KR 1019990029281A KR 19990029281 A KR19990029281 A KR 19990029281A KR 100601613 B1 KR100601613 B1 KR 100601613B1
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dielectric layer
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change optical
optical disk
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Abstract

기판상에 제1유전체층과, 간섭층, 제2유전체층, 기록층, 제3유전체층 및 반사층을 순차 적층한 층구조 또는 기판상에 간섭층, 제1유전체층, 제2유전체층, 기록층, 제3유전체층 및 반사층을 순차 적층한 층구조의 형성에 의해 기록층의 결정질과 비정질에서의 광흡수율비(Ac/Aa)를 높여 청색 파장광을 광원으로 사용하는 경우에 있어서도 겹쳐 쓰기(overwrite)시 지터값을 감소시킬 수 있는 동시에 크로스-소거(cross-erase)의 발생을 억제시킬 수 있는 상변화 광디스크를 개시한다.

Description

상변화 광디스크{Phase change optical medium}
도 1은 종래 상변화 광디스크의 일예를 개략적으로 나타내 보인 수직단면 구조도,
도 2는 종래 상변화 광디스크의 다른 예를 개략적으로 나타내 보인 수직단면 구조도,
도 3은 도 1에 도시된 종래 상변화 광디스크의 제1유전체층 두께에 따른 광학적 특성을 개략적으로 나타내 보인 그래프,
도 4는 도 2에 도시된 종래 상변화 광디스크의 제1유전체층 두께에 따른 광학적 특성을 개략적으로 나타내 보인 그래프,
도 5는 본 발명의 제1실시예에 따른 상변화 광디스크의 일예를 개략적으로 나타내 보인 수직단면 구조도,
도 6은 도 5에 도시된 본 발명의 상변화 광디스크의 제1유전체층 두께에 따른 광학적 특성을 개략적으로 나타내 보인 그래프,
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 상변화 광디스크의 다른 예를 나타내 보인 개략적 수직단면 구조도,
도 8은 도 7에 도시된 본 발명의 상변화 광디스크의 제1유전체층 두께에 따른 광학적 특성을 개략적으로 나타내 보인 그래프,
도 9는 상변화 광디스크의 전형적인 기록 레이저 펄스를 개략적으로 나타내 보인 그래프,
도 10은 상변화 광디스크의 트랙 구조를 개략적으로 나타내 보인 단면도,
도 11은 종래 상변화 광디스크와 본 발명에 따른 상변화 광디스크의 트랙 중심으로부터 각 거리에 따른 온도분포를 개략적으로 나타내 보인 그래프.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
110...기판 120...제1유전체층
130...간섭층 140...제2유전체층
150...기록층 160...제3유전체층
170...반사층 210...기판
220...간섭층 230...제1유전체층
240...제2유전체층 250...기록층
260...제3유전체층 270...반사층
본 발명은 레이저빔의 조사에 의해 기록층의 광학특성이 변화되는 상변화 광디스크에 관한 것으로서, 특히 청색 레이저빔을 광원으로 사용하는 경우에 있어서 겹쳐쓰기(overwrite)시 지터값 감소 및 크로스-소거(cross-erase) 발생을 억제할 수 있는 층구조를 가지는 상변화 광디스크에 관한 것이다.
상변화 광디스크는 레이저빔의 조사에 의해 정보의 기록, 재생, 소거를 행하는 광학적 정보기록매체로서, 광헤드의 구성이 비교적 용이하고, 기록 및 소거를 동시에 행하는 소위, 겹쳐 쓰기(overwrite)가 용이하다는 등의 특징에 의해 고밀도화를 위한 연구가 활발히 진행되고 있다.
이러한 상변화 광디스크는 입사되는 레이저빔의 파우어 및 냉각속도에 따라 레이저빔이 조사된 부분의 기록층이 결정질 상태가 되거나 또는 비정질 상태가 되어 광학적 특성이 변하는 성질을 이용하여 정보의 기록, 재생을 행하게 된다. 즉, 기록의 경우 레이저빔의 조사에 의해 결정상으로 초기화된 기록층을 단펄스에서 높은 파우어의 기록펄스에 의해 용융시킨후, 급냉에 의해 비정질화하여 기록 마크를 생성함으로써 가능하게 된다. 그리고, 그 기록 마크에 대한 정보의 재생은 광디스크에 입사된 레이저빔이 기록층에서 반사될 때 결정질과 비정질 상태에서의 광반사율이 다르므로, 그 반사율 차이를 광검출기에서 검출하여 전기적 신호로 재생하게 된다. 또한, 기록 마크를 소거하는 경우에는 장펄스에서 낮은 파우어의 소거펄스에 의해 비정질층의 기록 마크를 결정화하여 기록 마크를 소거한다.
이와 같은, 상변화 광디스크는 기록시 인접 트랙의 마크가 일부 소거되는 현상인 소위, 크로스-소거(cross-erase) 발생을 억제하기 위해서 비정질 기록층에서의 광흡수율(Aa)이 낮을수록 좋다. 즉, 기록층의 결정질상태에서의 광흡수율(Ac)과 비정질 상태에서의 광흡수율(Aa)의 비율(Ac/Aa)이 클수록 좋다.
또한, 소거펄스에 기록펄스를 중첩시켜 기록 및 소거를 동시에 행하는 겹쳐 쓰기(overwrite)시 기록 마크의 크기가 변하지 않기 위해서는 기록층의 결정질과 비정질 상태에서의 광흡수율비(Ac/Aa)가 1.1 내지 1.2 정도의 값을 가져야 한다는 것이 잘 알려져있다.
따라서, 고밀도 상변화 광디스크는 기록층의 결정질과 비정질 상태에서의 광흡수율비(Ac/Aa)가 1.2 이상의 값을 가져야 하는 필수적인 조건을 충족시켜야 한다.
종래의 적색 또는 근적외선 레이저빔을 광원으로 사용하는 상변화 광디스크에서는, 기록층의 결정질과 비정질 상태에서의 광흡수율비(Ac/Aa)가 1.2 이상의 값을 가지도록 하기 위하여 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같은 다층 구조로 형성된다.
도 1에 도시된 종래의 상변화 광디스크(10)는, 예컨대 투명한 아크릴수지재, 폴리카보네이트(Polycarbonate; PC) 재질 등으로 형성된 기판(11)상에 Au 간섭층(12)과 제1유전체층(13), 레이저빔이 조사되면 상태가 변화되는 상변화형 재료로 형성된 기록층(14), 제2유전체층(15) 및 반사층(16)이 순차적으로 적층된 다층 구조를 이루고 있다.
통상, 상기 제1유전체층(13)과 제2유전체층(15)으로서는 ZnS-SiO2, 상기 기록층(14)으로서는 Ge2Sb2Te5와 같은 GeSbTe계 재질, 상기 반사층(16)으로서는 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금재가 사용된다.
상기한 종래의 상변화 광디스크(10)는 상기 간섭층(12)에서 반사된 광파와 결정질 기록층(14)에서 반사된 광파가 상쇄 간섭을 일으킴으로써, 상기 기록층(14)이 결정질일때는 광반사율이 크게 감소하므로 광흡수율은 증가하게 된다. 반면에, 상기 기록층(14)이 비정질일때는 높은 반사율을 갖기 때문에, 비정질 기록층(14)에서의 광흡수율은 감소하게 된다.
따라서, 도 1에 도시된 종래의 상변화 광디스크(10)는 적색 또는 근적외선 레이저빔을 광원으로 사용하는 경우에 있어서, 기록층(14)의 결정질과 비정질 상태에서의 광흡수율비(Ac/Aa)가 1.2 이상의 값을 가지도록 하는 것이 가능하다.
그러나, 상기 도 1에 도시된 종래의 상변화 광디스크(10)는 청색 파장광 즉, 400nm의 레이저빔을 광원으로 사용하게 될 경우, Au 간섭층(12)은 근적외선 또는 적색 파장광에서 광반사율이 90% 이상인데 반하여, 청색 파장광에서는 40%대로 감소하기 때문에 결정질 기록층(14)에서 반사되는 광파를 상쇄 간섭시키기 어려워 진다.
이것은 청색 파장광 즉, 400nm의 레이저빔을 광원으로 사용한 경우, 도 1의 상변화 광디스크 구조에 있어서 제1유전체층(13)의 두께에 따라 기록층(14)의 결정질과 비정질 상태에서의 광반율차(Rc-Ra)와 광흡수율비(Ac/Aa) 및 위상차를 계산한 결과를 나타내 보인 도 3으로부터 확인할 수 있다.
따라서, 청색 파장광을 광원으로 사용하는 상변화 광디스크를 도 1에서와 같은 Au 간섭층(12)을 포함하는 층구조로 형성하는 경우에는, 도 3에서 확인할 수 있듯이 기록층(14)의 결정질과 비정질 상태에서의 광흡수율비(Ac/Aa)의 값을 1.05 이상으로 얻어내기가 어려운 문제점이 있다.
도 2에 도시된 종래의 상변화 광디스크(20)는, 투명 기판(21)상에 제1유전체층(22), 기록층(23), 제2유전체층(24), 열흡수층(25) 및 간섭층(26)이 순차적으로 적층된 다층 구조를 이루고 있다.
상기 열흡수층(25)으로서는 Si 또는 Au, 간섭층(26)으로서는 ZnS-SiO2가 사용되며, 상기 기판(21)과 제1유전체층(22) 및 제2유전체층(24), 기록층(23)은 도 1에 도시된 상변화 광디스크와 실질적으로 동일한 재질이 사용된다.
상기한 도 2의 종래 상변화 광디스크(20)의 구조에 있어서는 제2유전체층(24)과 열흡수층(25)의 계면에서 반사되는 광파와 열흡수층(25)과 간섭층(26), 간섭층(26)과 공기층(또는 보호층; 도시되어 있지 않음)의 계면에서 반사되는 광파가 비정질 기록층(23)에 대하여 소멸 간섭을 일으킴으로써 비정질 기록층(23)에서의 광흡수율을 감소시키게 된다.
따라서, 도 2에 도시된 종래의 상변화 광디스크(20)는 적색 또는 근적외선 레이저빔을 광원으로 사용하는 경우에 있어서, 기록층(23)의 결정질과 비정질 상태에서의 광흡수율비(Ac/Aa)가 1.2 이상의 값을 가지도록 하는 것이 가능하다.
그러나, 상기 도 2에 도시된 종래의 상변화 광디스크(20)는 광원이 근적외선 또는 적색 파장에서 청색 파장 영역으로 이동함에 따라 비정질 기록층(23)의 굴절율의 흡수부가 증가하는 경향을 가지므로, 청색 파장광 즉, 400nm의 레이저빔을 광원으로 사용하게 될 경우, 비정질 기록층(23)의 광투과율이 작아져 광입사면을 기준으로 하여 기록층(23)의 다음에 간섭층(26)이 위치하게 되는 층구조로 인해 충분한 간섭 효과를 얻어 내기가 어려워 진다.
이것은 청색 파장광 즉, 400nm의 레이저빔을 광원으로 사용한 경우, 도 2의 상변화 광디스크 구조에 있어서 제1유전체층(22)의 두께에 따라 기록층(23)의 결정 질과 비정질 상태에서의 광반율차(Rc-Ra)와 광흡수율비(Ac/Aa) 및 위상차를 계산한 결과를 나타내 보인 도 4로부터 확인할 수 있다.
따라서, 청색 파장광을 광원으로 사용하는 상변화 광디스크를 도 2에서와 같은 층구조로 형성하는 경우에는, 도 4에서 확인할 수 있듯이 기록층(23)의 결정질과 비정질 상태에서의 광흡수율비(Ac/Aa)의 값을 0.85 이상으로 얻어내기가 어려운 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 상기한 바와 같은 종래의 상변화 광디스크가 가지는 문제점을 개선하기 위해 창출된 것으로서, 청색 레이저빔을 광원으로 사용하는 경우에 있어서 겹쳐 쓰기(overwrite)시 지터값을 감소시킬 수 있는 동시에 크로스-소거(cross-erase)의 발생을 억제할 수 있는 적합한 재료들로 이루어진 층구조를 가지는 상변화 광디스크를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제1실시예에 따른 상변화 광디스크는, 기판상에 제1유전체층, 간섭층, 제2유전체층, 기록층, 제3유전체층 및 반사층이 순차적으로 적층되어 이루어진 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 제2실시예에 따른 상변화 광디스크는, 기판상에 간섭층, 제1유전체층, 제2유전체층, 기록층, 제3유전체층 및 반사층이 순차적으로 적층되어 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 제1 및 제2실시예에 따른 본 발명의 상변화 광디스크들에 있어서, 상기 제1유전체층은 Al2O3, ZnS-SiO2, Si3N4, SiO2, MgF2, NaF2, LiF2, CaF2 및 AlF2 중에서 선택된 어느 하나의 재질로 이루어진 것이 바람직하다.
그리고, 상기 간섭층은 알루미늄(Al)이나 은(Ag) 또는 갈륨인(GaP) 및 이들을 포함하는 합금으로 이루어진 그룹중에서 선택된 어느 하나의 재질로 이루어진 것이 바람직하며, 그 두께는 20nm 이하로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 기록층은 결정질과 비정질상태에서의 광흡수비율이 1.0 이상이고, 광위상차가 5°이하로 되는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 상변화 광디스크를 상세하게 설명한다.
본 발명의 제1실시예에 따른 상변화 광디스크(100)는, 도 5에 도시된 바와 같이 투명 기판(110)상에 제1유전체층(120)과, 간섭층(130), 제2유전체층(140), 기록층(150), 제3유전체층(160) 및 반사층(170)이 순차적으로 적층되어 이루어진 다층막 구조를 가진다.
상기 제1유전체층(120)은 기록층(150)의 결정질과 비정질간의 광흡수율비(Ac/Aa)를 높이고, 그 두께 조절에 따라 반사율을 조절하기 위한 목적으로 추가된 것으로서, 굴절율이 낮은 재료를 이용하게 되는데, Al2O3, ZnS-SiO2, Si3N4, SiO2, MgF2, NaF2, LiF2, CaF 2 및 AlF2 중에서 선택된 어느 하나의 재질로 형성된다.
그리고, 상기 간섭층(130)은 청색 파장 영역에서 반사율이 높은 재질을 이용 하게 되는데, 알루미늄(Al)이나 은(Ag) 또는 갈륨인(GaP) 및 이들을 포함하는 합금으로 이루어진 그룹중에서 선택된 어느 하나의 재질로 형성된다.
상기 기판(110)과 기록층(150) 및 반사층(170)은 기존의 상변화 광디스크에 사용되는 재질과 실질적으로 동일한 재질을 사용한다. 즉, 상기 기록층(150)으로서는 Ge2Sb2Te5와 같은 GeSbTe계 재질, 상기 반사층(170)으로서는 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금재가 사용된다.
이러한 다층막 구조에 따르면, 결정질 기록층(150)에서 반사된 광파와 간섭층(130)에서 반사된 광파를 상쇄 간섭시켜 결정질에서의 광흡수율을 증가시킴으로써, 기록층(150)의 결정질과 비정질간의 광흡수율비(Ac/Aa)를 높일 수 있다.
도 6은 상기한 도 5에 도시된 본 발명의 제1실시예에 따른 상변화 광디스크(100)의 제1유전체층(120)을 Al2O3로 형성하고, 간섭층(130)은 Al을 8nm 두께로 형성하며, 제2유전체층(140) 및 제3유전체층(160)은 각각 ZnS-SiO2를 55nm 및 20nm 두께로 형성하고, 기록층(150)은 Ge2Sb2Te5를 20nm 두께로, 그리고 반사층(170)은 알루미늄(Al)을 100nm 두께로 형성한 경우에 있어서, 상기 제1유전체층(120)의 두께를 변화시키면서 기록층(150)의 결정질에서의 반사율(Rc)과 비정질에서의 광반사율(Ra) 및 광흡수율비(Ac/Aa)를 계산한 결과를 그래프로 나타내 보인 것이다.
여기서, 도 6을 참조하면 제1유전체층(120)의 두께가 30nm 내지 66nm 범위일 때 기록층(150)의 결정질과 비정질 상태에서의 광흡수율비(Ac/Aa)가 1.2 이상이 됨 을 알 수 있다.
따라서, 청색 파장광을 광원으로 사용하는 상변화 광디스크를 도 5에서와 같은 층구조로 형성하게 되면, 제1유전체층(120)의 두께에 따라 기록층(150)의 결정질에서의 광반사율(Rc)과 비정질에서의 광반사율(Ra) 및 광흡수율비(Ac/Aa)가 1.2 이상으로 조절 가능하게 되므로, 겹쳐 쓰기(overwrite)시 지터값을 감소시킬 수 있는 동시에 크로스-소거(cross-erase)의 발생을 억제할 수 있게 된다.
도 7은 본 발명의 제2실시예에 따른 상변화 광디스크를 나타내 보인 것으로서, 이 실시예에 따른 상변화 광디스크(200)는 도시된 바와 같이 투명 기판(210)상에 간섭층(220), 제1유전체층(230), 제2유전체층(240), 기록층(250), 제3유전체층(260) 및 반사층(270)이 순차적으로 적층되어 이루어진 층구조를 가진다.
상기 기판(210)에서 반사층(270)에 이르기까지의 각 층은 도 5에 도시된 본 발명의 제1실시예에 따른 상변화 광디스크(100)의 대응되는 층과 실질적으로 동일한 재질이 사용되는 것으로, 그 구체적인 설명은 생략한다.
도 8은 상기한 도 7에 도시된 본 발명의 제2실시예에 따른 상변화 광디스크(200)의 간섭층(220)을 6nm 두께의 알루미늄(Al)으로 형성하고, 제1유전체층(230)은 Al2O3로 형성하며, 제2유전체층(240) 및 제3유전체층(260)은 각각 ZnS-SiO2를 55nm 및 20nm 두께로 형성하고, 기록층(250)은 Ge2Sb2Te5를 20nm 두께로, 그리고 반사층(270)은 알루미늄(Al)을 100nm 두께로 형성한 경우에 있어서, 상기 제1 유전체층(230)의 두께를 변화시키면서 기록층(250)의 결정질에서의 반사율(Rc)과 비정질에서의 광반사율(Ra) 및 광흡수율비(Ac/Aa)를 계산한 결과를 그래프로 나타내 보인 것이다.
여기서, 도 8을 참조하면 굴절율이 대략 1.3인 Al2O3로 형성된 제1유전체층(230)의 두께에 따라 기록층(250)의 결정질에서의 반사율(Rc)과 비정질에서의 광반사율(Ra) 및 광흡수율비(Ac/Aa)가 크게 변화하며, 특히 92nm 내지 96nm의 구간에서 기록층(250)의 결정질과 비정질에서의 광흡수율비(Ac/Aa)가 1.3 이상이 됨을 알 수 있다.
따라서, 청색 파장광을 광원으로 사용하는 상변화 광디스크를 도 7에서와 같은 층구조와 재질로 형성하게 되면, 겹쳐 쓰기(overwrite)시 지터값을 감소시킬 수 있는 동시에 크로스-소거(cross-erase)의 발생을 억제할 수 있다.
도 9는 상변화 광디스크의 전형적인 기록 레이저 펄스 패턴을 나타내 보인 것으로서, 이러한 패턴의 펄스로 기록할 때 인접한 트랙에 이미 기록되어 있는 마크가 소거되는 정도를 다층막 구조에 따라 비교하기 위하여 도 10에 도시된 상변화 광디스크의 트랙 구조에 있어서 트랙 중심으로부터 도시된 y방향으로의 이동 거리에 따른 온도 분포를 계산한 결과를 도 11에 도시하였다.
도 11에서 비교된 상변화 광디스크는, 각각 도 7에 도시된 본 발명의 상변화 광디스크(200)와 도 1에 도시된 종래 상변화 광디스크(10) 및 기존의 일반적인 4층 구조(ZnS-SiO2 유전체층, Ge2Sb2Te5 기록층, ZnS-SiO2 유전체층, Al 반사층)를 가지는 상변화 광디스크(미도시)이다.
도 11에 도시된 온도분포는, 상기 각 상변화 광디스크의 다층막 구조에 대하여 결정질 상태의 기록층에 동일한 크기의 비정질 마크가 형성되도록 기록 레이저 펄스값을 정하고, 인접 트랙에 존재하는 비정질 마크의 광흡수에 따른 소거 정도를 비교하기 위하여, 상기 각 상변화 광디스크의 다층막 구조에서 기록층이 비정질 상태인 경우를 상정, 앞에서 구한 레이저 펄스를 다층막에 입사시키면서 레이저빔의 진행방향에 대한 수직방향(도 10의 y방향)으로의 온도분포를 계산한 결과이다.
도 11에 나타난 온도분포를 살펴보면, 기존의 일반적인 4층 구조의 상변화 광디스크(미도시), 도 1에 도시된 종래 상변화 광디스크(10), 도 7에 도시된 본 발명의 상변화 광디스크(200)의 순으로 온도분포가 낮아지는 것을 알 수 있다. 이러한 결과는 각각의 상변화 광디스크의 다층막 구조에서 기록층의 결정질과 비정질에서의 광흡수율비(Ac/Aa)가 각각 0.83, 1.0, 1.3으로 높아져 비정질에서의 광흡수량이 상이하기 때문이다. 이것은 도 7에 도시된 본 발명에 따른 상변화 광디스크(200)의 다층막 구조에서 기록층의 결정질과 비정질에서의 광흡수율비(Ac/Aa)가 증가되어 크로스-소거(cross-erase) 현상이 상당히 억제되는 것을 의미한다.
이상에서 설명된 바와 같이 본 발명에 따른 상변화 광디스크에 따르면, 기록층의 결정질과 비정질에서의 광흡수율비(Ac/Aa)가 높아져 청색 파장광을 광원으로 사용하는 경우에 있어서도 겹쳐 쓰기(overwrite)시 지터값을 감소시킬 수 있는 동 시에 크로스-소거(cross-erase)의 발생을 억제할 수 있다.

Claims (12)

  1. 기판상에 제1유전체층, 간섭층, 제2유전체층, 기록층, 제3유전체층 및 반사층이 순차적으로 적층되어 이루어지고,
    상기 간섭층은 Al, Ag, GaP 및 이들을 포함하는 합금으로 이루어진 그룹중에서 선택된 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 광디스크.
  2. 기판상에 제1유전체층, 간섭층, 제2유전체층, 기록층, 제3유전체층 및 반사층이 순차적으로 적층되어 이루어지고,
    상기 기록층은 결정질과 비정질상태에서의 광흡수비율(Ac/Aa)이 1.0 이상인 것을 특징으로 하는 상변화 광디스크.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 제1유전체층은 Al2O3, ZnS-SiO2, Si3N4, SiO2, MgF2, NaF2, LiF2, CaF2, 및 AlF2 중에서 선택된 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 광디스크.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 간섭층은 20nm 이하의 두께를 가지도록 형성된 것을 특징으로 하는 상변화 광디스크.
  5. 삭제
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 기록층은 결정질과 비정질상태에서의 광위상차가 5°이하인 것을 특징으로 하는 상변화 광디스크.
  7. 기판상에 간섭층, 제1유전체층, 제2유전체층, 기록층, 제3유전체층 및 반사층이 순차적으로 적층되어 이루어지고,
    상기 간섭층은 Al, Ag, GaP 및 이들을 포함하는 합금으로 이루어진 그룹중에서 선택된 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 광디스크.
  8. 기판상에 간섭층, 제1유전체층, 제2유전체층, 기록층, 제3유전체층 및 반사층이 순차적으로 적층되어 이루어지고,
    상기 기록층은 결정질과 비정질상태에서의 광흡수비율이 1.0 이상인 것을 특징으로 하는 상변화 광디스크.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 제1유전체층은 Al2O3, ZnS-SiO2, Si3N4, SiO2, MgF2, NaF2, LiF2, CaF2 및 AlF2 중에서 선택된 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 상변화 광디스크.
  10. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 간섭층은 20nm 이하의 두께를 가지도록 형성된 것을 특징으로 하는 상변화 광디스크.
  11. 삭제
  12. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상기 기록층은 결정질과 비정질상태에서의 광위상차가 5°이하인 것을 특징으로 하는 상변화 광디스크.
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