KR19990040611A - Die Bonding Facility - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 28
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 23
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
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Abstract
본 발명은 다이본딩설비에 관한 것으로, 제 1 원 헤드 다이본딩설비와 제 2 원 헤드 다이본딩설비 사이에 버퍼장치를 인라인으로 설치함으로서 원 다이 투 칩 공정과 원 다이 원 칩 공정을 진행할 경우 각각의 공정에 대응하여 버퍼장치의 구동을 달리 적용함으로서 작업능률 향상 및 작동효율 향상에 따른 제품의 생산성 향상을 기대할 수 있다.The present invention relates to a die bonding facility, wherein a buffer device is installed in-line between a first one-head die bonding facility and a second one-head die bonding facility. By adapting the operation of the buffer device in response to the process, the productivity of the product can be expected to be improved by improving the work efficiency and operating efficiency.
Description
본 발명은 다이본딩설비에 관한 것으로, 하나의 본딩헤드를 갖는 다이본딩설비 사이에 버퍼장치를 인라인으로 설치하여 반도체 칩의 다이 본딩 변형에 대하여 신속히 대처할 수 있도록 한 다이본딩설비에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a die bonding facility, and more particularly, to a die bonding facility in which a buffer device is installed inline between die bonding devices having one bonding head so as to quickly deal with die bonding deformation of a semiconductor chip.
일반적으로 반도체 패키지를 제조하는데 사용되는 다이본딩설비는 통상 리드 프레임의 다이 패드상에 반도체 칩을 본딩하는 본딩헤드를 하나 구비한 원 헤드(one head) 다이본딩설비와, 리드 프레임의 다이 패드상에 반도체 칩을 본딩하는 본딩헤드를 두 개 구비한 투 헤드(two head) 다이본딩설비가 있다.In general, die bonding equipment used to manufacture a semiconductor package generally includes one head die bonding equipment having one bonding head for bonding a semiconductor chip onto a die pad of a lead frame, and a die pad of the lead frame. There is a two head die bonding facility having two bonding heads for bonding semiconductor chips.
도 1은 종래의 기술에 의한 원 헤드(one head) 다이본딩설비를 개략적으로 나타낸 개략도이고, 도 2는 종래의 기술에 의한 투 헤드(two head) 다이본딩설비를 개략적으로 나타낸 개략도이다.1 is a schematic view showing a one head die bonding facility according to the prior art, and FIG. 2 is a schematic view showing a two head die bonding facility according to the prior art.
도 1에 도시된 바와 같이, 원 헤드 다이본딩설비(10)는 다이본딩공정에 필요한 리드 프레임(미도시)을 적재하는 로더(11)와, 리드 프레임의 다이 패드(미도시)상에 반도체 칩(미도시)을 본딩하는 본딩헤드(12)와 반도체 칩이 본딩된 리드 프레임을 언로딩하는 언로더(13)로 이루어져 있다.As shown in FIG. 1, the one-head die bonding facility 10 includes a loader 11 for loading a lead frame (not shown) necessary for a die bonding process, and a semiconductor chip on a die pad (not shown) of the lead frame. A bonding head 12 for bonding (not shown) and an unloader 13 for unloading a lead frame in which a semiconductor chip is bonded are formed.
이와 같이 반도체 칩을 본딩하는 본딩헤드(12)가 하나 설치되어 있는 원 헤드 다이본딩설비(10)를 이용하여 하나의 다이 패드에 두 개의 반도체 칩을 본딩하는 원 패드 투 칩 공정을 진행할 경우, 먼저, 로더(11)에 리드 프레임을 로딩한다. 로더(11)에 로딩된 리드 프레임은 반송되고, 이 리드 프레임의 다이 패드상에 접착제(미도시)가 도팅되고, 본딩헤드(12)에 의해 반도체 칩은 다이 패드상에 본딩되면, 반도체 칩이 본딩된 리드 프레임은 언로더(13)에 언로딩된다.When the one pad to chip process of bonding two semiconductor chips to one die pad is performed using the one head die bonding facility 10 in which one bonding head 12 for bonding the semiconductor chips is installed as described above, The lead frame is loaded into the loader 11. When the lead frame loaded in the loader 11 is conveyed, an adhesive (not shown) is doped onto the die pad of the lead frame, and the semiconductor chip is bonded onto the die pad by the bonding head 12, the semiconductor chip is The bonded lead frame is unloaded to the unloader 13.
차후, 언로더(13)에 언로딩된 리드 프레임은 다시 로더(11)에 로딩되고, 리드 프레임의 다이 패드에 두 번째 반도체 칩이 본딩된 후 리드 프레임은 언로더(13)로 언로딩된다.Subsequently, the lead frame unloaded in the unloader 13 is loaded into the loader 11 again, and after the second semiconductor chip is bonded to the die pad of the lead frame, the lead frame is unloaded into the unloader 13.
이와 같이 원 헤드 다이본딩설비에 대해 원 패드 투 칩 공정을 진행할 경우에는 하나의 리드 프레임에 대해 한 원 헤드 다이본딩설비에서 로딩 및 언로딩을 두 번 반복함으로서 작업능률이 저하되는 문제점이 있었다.As described above, when the one pad to chip process is performed for the one head die bonding facility, the work efficiency is deteriorated by repeating loading and unloading twice in one one head die bonding facility for one lead frame.
또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 투 헤드 다이본딩설비(20)는 다이본딩공정에 필요한 리드 프레임을 적재하는 로더(21)와, 리드 프레임의 다이 패드상에 반도체 칩을 본딩하는 제 1 본딩헤드(22), 제 2 본딩헤드(23)와, 반도체 칩이 본딩된 리드 프레임을 언로딩하는 언로더(24)로 이루어져 있다.In addition, as shown in FIG. 2, the two-head die bonding facility 20 includes a loader 21 for loading a lead frame required for a die bonding process, and a first bonding for bonding a semiconductor chip onto a die pad of the lead frame. The head 22, the second bonding head 23, and the unloader 24 for unloading the lead frame to which the semiconductor chip is bonded are formed.
이와 같이 반도체 칩을 리드 프레임의 다이 패드상에 본딩하는 본딩헤드(22)(23)가 두 개 설치되어 있는 투 헤드 다이본딩설비(20)를 이용하여 하나의 다이 다이 패드에 하나의 반도체 칩을 본딩하는 원 패드 원 칩 공정을 진행할 경우, 먼저, 로더(21)에 리드 프레임을 로딩한다. 로더(21)에 로딩된 리드 프레임은 반송되고, 이 리드 프레임의 다이 패드상에 접착제가 도팅되고, 제 1 본딩헤드(22)에 의해 첫 번째 반도체 칩은 다이 패드상에 본딩되면, 제 2 본딩헤드(23)에서는 두 번째 반도체 칩이 다이 패드상에 본딩된 후, 이 리드 프레임은 언로더(24)에 언로딩된다.As described above, one semiconductor chip is mounted on one die die pad by using two-head die bonding facilities 20 in which two bonding heads 22 and 23 are bonded to bond the semiconductor chip onto the die pad of the lead frame. When performing the one pad one chip process of bonding, the lead frame is first loaded into the loader 21. When the lead frame loaded in the loader 21 is conveyed, adhesive is doped onto the die pad of the lead frame, and the first semiconductor chip is bonded onto the die pad by the first bonding head 22, the second bonding In the head 23, after the second semiconductor chip is bonded onto the die pad, the lead frame is unloaded into the unloader 24.
이렇게 투 헤드 다이본딩설비를 이용하여 원 패드 원 칩 공정을 진행할 경우에는 제 1 본딩헤드 또는 제 2 본딩헤드 중에서 어느 하나의 본딩헤드가 가동중지된 후에 원 패드 원 칩 공정이 진행됨으로서 투 헤드 다이본딩설비의 작동효율이 저하되는 문제점이 있었다.In this case, when the one pad one chip process is performed using the two head die bonding facility, the one pad one chip process is performed after the bonding head of the first bonding head or the second bonding head is stopped, thereby performing the two head die bonding. There was a problem that the operating efficiency of the facility is reduced.
따라서, 본 발명의 목적은 원 헤드 다이본딩설비 사이에 버퍼장치를 인라인으로 설치하여 원 패드 투 칩 공정과 원 패드 원 칩 공정을 실행할 수 있도록 한 다이본딩설비를 제공하는데 있다.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a die bonding facility in which a buffer device is installed in-line between one head die bonding facilities to perform a one pad to chip process and a one pad one chip process.
도 1은 종래의 기술에 의한 원 헤드(one head) 다이본딩설비를 개략적으로 나타낸 개략도.1 is a schematic view showing a one head die bonding facility according to the prior art.
도 2는 종래의 기술에 의한 투 헤드(two head) 다이본딩설비를 개략적으로 나타낸 개략도.Figure 2 is a schematic diagram showing a two head die bonding facility according to the prior art.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 버퍼장치가 인라인으로 설치된 다이본딩설비를 개략적으로 나타낸 개략도.3 is a schematic diagram schematically showing a die bonding facility in which a buffer device according to an embodiment of the present invention is installed inline.
이와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 접착제가 도팅된 리드 프레임의 다이 패드상에 반도체 칩을 본딩하는 본딩헤드를 구비한 제 1 원 헤드 다이본딩설비와, 상기 접착제가 도팅된 상기 리드 프레임의 다이 패드상에 상기 반도체 칩을 본딩하는 상기 본딩헤드를 구비한 제 2 원 헤드 다이본딩설비와, 상기 제 1 원 헤드 다이본딩설비와 상기 제 2 원 헤드 다이본딩설비 사이에 인라인으로 설치되어 상기 제 1 원 헤드 다이본딩설비로부터의 리드 프레임을 제 2 원 헤드 다이본딩설비로 반송하는 버퍼장치를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a first one-head die-bonding apparatus having a bonding head for bonding a semiconductor chip onto a die pad of an lead-doped lead frame, and a die of the lead-framed lead-adhesive. A second one-head die bonding facility having the bonding head for bonding the semiconductor chip onto a pad, and in-line provided between the first one-head die bonding facility and the second one-head die bonding facility and being arranged in-line And a buffer device for transferring the lead frame from the one head die bonding facility to the second one head die bonding facility.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 버퍼장치가 인라인으로 설치된 다이본딩설비를 개략적으로 나타낸 개략도이다.3 is a schematic diagram schematically illustrating a die bonding facility in which a buffer device according to an embodiment of the present invention is installed inline.
도시된 바와 같이, 리드 프레임(미도시)의 다이 패드(미도시)상에 반도체 칩(미도시)을 본딩하는 본딩헤드(32)(42)를 하나 구비한 제 1 원 헤드 다이본딩설비(30)와 제 2 원 헤드 다이본딩설비(40) 사이에 제 1 원 헤드 다이본딩설비(30)로부터의 리드 프레임을 제 2 원 헤드 다이본딩설비(40)로 반송시켜주는 버퍼장치가 인라인으로 설치되어 있다.As shown, a first one-head die bonding facility 30 having one bonding head 32 and 42 for bonding a semiconductor chip (not shown) onto a die pad (not shown) of a lead frame (not shown). And a buffer device for transferring the lead frame from the first one-head die-bonding facility 30 to the second one-head die-bonding facility 40 between the second one-head die-bonding facility 40 and the second one-head die-bonding facility 40. have.
이때, 제 1 원 헤드 다이본딩설비(30)와 제 2 원 헤드 다이본딩설비(40)는 다이본딩공정에 필요한 리드 프레임을 적재하는 로더(31)(41)와, 리드 프레임의 다이 패드상에 반도체 칩을 본딩하는 본딩헤드(32)(42)와 반도체 칩이 본딩된 리드 프레임을 언로딩하는 언로더(33)(43)로 이루어져 있으며, 버퍼장치(50)는 제 1 원 헤드 다이본딩설비(30)의 언로더(33)와 제 2 원 헤드 다이본딩설비(43)의 로더(41)를 인라인으로 연결하고 있다.At this time, the first one-head die bonding facility 30 and the second one-head die bonding facility 40 are loaded on the loaders 31 and 41 for loading lead frames necessary for the die bonding process, and on the die pads of the lead frames. Bonding heads 32 and 42 for bonding a semiconductor chip and unloaders 33 and 43 for unloading a lead frame in which a semiconductor chip is bonded, and the buffer device 50 includes a first one-head die bonding facility. The unloader 33 of 30 and the loader 41 of the 2nd one-head die-bonding installation 43 are connected inline.
이와 같은 구조로 이루어진 다이본딩설비의 작용을 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.Referring to the operation of the die bonding equipment consisting of such a structure in more detail as follows.
먼저, 원 패드 투 칩 공정이 적용될 경우, 제 1 원 헤드 다이본딩설비(30)의 로더(31)에 리드 프레임을 로딩한다. 로더(31)에 로딩된 리드 프레임은 반송되고, 이 리드 프레임의 다이 패드상에 접착제가 도팅되고, 본딩헤드(32)에 의해 반도체 칩은 다이 패드상에 본딩된다.First, when the one pad to chip process is applied, the lead frame is loaded into the loader 31 of the first one head die bonding facility 30. The lead frame loaded in the loader 31 is conveyed, adhesive is doped onto the die pad of the lead frame, and the semiconductor chip is bonded onto the die pad by the bonding head 32.
반도체 칩이 본딩된 리드 프레임은 언로더(33)에 언로딩된 다음, 버퍼장치(50)에 의해 제 2 원 헤드 다이본딩설비(40)의 로더(41)에 로딩된다.The lead frame to which the semiconductor chip is bonded is unloaded to the unloader 33 and then loaded into the loader 41 of the second one-head die bonding facility 40 by the buffer device 50.
로더(41)에 로딩된 리드 프레임은 다시 반송되고, 이 리드 프레임의 다이 패드상의 소정 영역에 접착제가 도팅되면, 본딩헤드(42)에 의해 두 번째 반도체 칩은 다이 패드상에 본딩된다.The lead frame loaded in the loader 41 is conveyed again, and when the adhesive is doped into a predetermined area on the die pad of the lead frame, the second semiconductor chip is bonded on the die pad by the bonding head 42.
두 번째 반도체 칩이 본딩된 리드 프레임은 언로더(43)에 언로딩됨으로서 원 패드 투 칩 공정이 완료된다.The lead frame to which the second semiconductor chip is bonded is unloaded to the unloader 43, thereby completing the one pad to chip process.
또한, 이와 같이 버퍼장치(50)가 설치된 원 헤드 다이본딩설비(30)(40)에 원 패드 원 칩 공정을 적용할 경우에는 버퍼장치(50)의 작동을 중지시킨 다음, 제 1 원 헤드 다이본딩설비(30)와 제 2 원 헤드 다이본딩설비(40)를 개별화하여 각각 원 패드 원 칩 공정을 진행할 수 있도록 한다.In addition, when the one pad one chip process is applied to the one head die bonding facilities 30 and 40 provided with the buffer device 50 in this manner, the operation of the buffer device 50 is stopped, and then the first one head die is stopped. The bonding equipment 30 and the second one-head die bonding equipment 40 are individually separated to allow the one pad one chip process to proceed.
이와 같이, 제 1 원 헤드 다이본딩설비와 제 2 원 헤드 다이본딩설비 사이에 버퍼장치를 인라인으로 설치하여 제 1 원 헤드 다이본딩설비로부터의 리드 프레임을 제 2 원 헤드 다이본딩설비로 반송하여 원 패드 투 칩 공정을 진행함으로서 종래에 원 패드 투 칩 공정에 대해 하나의 원 헤드 다이본딩설비에서 로딩 및 언로딩을 두 번 반복진행함으로서 저하되었던 작업능률이 향상되고, 또한, 원 패드 원 칩 공정을 진행할 경우에는 버퍼장치의 작동을 중지시키고 제 1 원 헤드 다이본딩설비와 제 2 원 헤드 다이본딩설비를 개별화하여 작동시킴으로서 종래에 원 패드 투 칩 공정에 대해 투 헤드 다이본딩설비에서 진행시 하나의 본딩 헤드의 작동을 중지시킨 다음 공정을 진행함으로서 저하되었던 투 헤드 다이본딩설비의 작동효율이 향상된다.In this way, a buffer device is installed in-line between the first one-head die bonding facility and the second one-head die bonding facility, and the lead frame from the first one-head die bonding facility is returned to the second one-head die bonding facility, thereby transferring By proceeding the pad to chip process, the work efficiency which has been degraded by repeating the loading and unloading twice in one one head die bonding facility for the one pad to chip process is improved, and the one pad one chip process can be improved. When proceeding, the operation of the buffer device is stopped and the first one-head die bonding facility and the second one-head die bonding facility are operated separately so that one bonding in the two-head die bonding facility for the one pad to chip process is conventionally performed. By stopping the operation of the head and then proceeding with the process, the operation efficiency of the two-head die-bonding equipment which has been degraded is improved.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명은 제 1 원 헤드 다이본딩설비와 제 2 원 헤드 다이본딩설비 사이에 버퍼장치를 인라인으로 설치함으로서 원 다이 투 칩 공정과 원 다이 원 칩 공정을 진행할 경우 각각의 공정에 대응하여 버퍼장치의 구동을 적용함으로서 작업능률 향상 및 작동효율 향상에 따른 제품의 생산성이 향상되는 효과가 있다.As described above, the present invention is to provide a buffer device in-line between the first one-head die bonding facility and the second one-head die bonding facility in the process of the one die to chip process and the one die one chip process, respectively. By applying the driving of the buffer device in response to this has the effect of improving the work efficiency and the productivity of the product according to the operation efficiency is improved.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970061062A KR19990040611A (en) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | Die Bonding Facility |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1019970061062A KR19990040611A (en) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | Die Bonding Facility |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR19990040611A true KR19990040611A (en) | 1999-06-05 |
Family
ID=66093782
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970061062A Withdrawn KR19990040611A (en) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | Die Bonding Facility |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR19990040611A (en) |
-
1997
- 1997-11-19 KR KR1019970061062A patent/KR19990040611A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 19971119 |
|
N231 | Notification of change of applicant | ||
PN2301 | Change of applicant |
Patent event date: 19990414 Comment text: Notification of Change of Applicant Patent event code: PN23011R01D |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
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