KR102788970B1 - Film forming apparatus, film forming method and manufacturing method of electronic device - Google Patents
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Abstract
본 발명의 성막 장치는, 마스크를 통해 기판에 성막 재료를 성막하는 성막 장치로서, 챔버 내에 배치되어, 각각, 상기 기판의 제1 주연부 및 상기 제1 주연부에 대향하는 제2 주연부를 지지하고, 독립하여 승강 가능한 제1 및 제2 기판 지지부와, 상기 제1 및 제2 기판 지지부의 상방에 배치되어, 상기 기판을 흡착하기 위한 기판 흡착 수단과, 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 기판 흡착 수단으로부터의 상기 기판의 분리 시, 상기 제1 주연부에서부터 상기 제2 주연부를 향해 순차로 분리가 진행되도록 상기 기판 흡착 수단을 제어함과 함께, 상기 분리가 진행되는 타이밍에 맞추어 상기 제1 기판 지지부 및 상기 제2 기판 지지부를 순차로 하강시도록 제어하는 것을 특징으로 한다.The film forming apparatus of the present invention is a film forming apparatus for forming a film material on a substrate through a mask, the apparatus including: first and second substrate supporting portions which are arranged in a chamber and support a first peripheral portion of the substrate and a second peripheral portion opposite to the first peripheral portion, respectively, and which can be independently raised and lowered; a substrate adsorption means which is arranged above the first and second substrate supporting portions and for adsorbing the substrate; and a control portion, wherein the control portion controls the substrate adsorption means so that, when the substrate is separated from the substrate adsorption means, separation proceeds sequentially from the first peripheral portion toward the second peripheral portion, and controls the first substrate supporting portion and the second substrate supporting portion to be sequentially lowered in accordance with the timing at which the separation proceeds.
Description
본 발명은 성막 장치, 성막 방법, 및 전자 디바이스의 제조방법에 관한 것이다. The present invention relates to a film forming apparatus, a film forming method, and a method for manufacturing an electronic device.
유기 EL 표시장치(유기 EL 디스플레이)의 제조에 있어서는, 유기 EL 표시장치를 구성하는 유기 발광소자(유기 EL 소자; OLED)를 형성할 때에, 성막 장치의 증발원으로부터 증발한 증착 재료를 화소 패턴이 형성된 마스크를 통해 기판에 증착시킴으로써, 유기물층이나 금속층을 형성한다. In the manufacture of an organic EL display (organic EL display), when forming an organic light-emitting element (organic EL element; OLED) that constitutes the organic EL display, an organic layer or a metal layer is formed by depositing a deposition material evaporated from an evaporation source of a film forming device onto a substrate through a mask having a pixel pattern formed thereon.
상향 증착 방식(Depo-up)의 성막 장치에 있어서, 증발원은 성막 장치의 진공용기의 하부에 설치되고, 기판은 진공용기의 상부에 배치되며, 기판의 하면에 증착이 이루어진다. 이러한 상향 증착 방식의 성막 장치에 있어서, 기판은 성막면인 하면에 형성된 유기물층/전극층에 손상을 주지 않도록 하면의 주연을 기판 홀더의 지지부에 의해 지지한다. 이 경우, 기판의 사이즈가 커짐에 따라 기판 홀더의 지지부에 의해 지지되지 못한 기판의 중앙부가 기판의 자중에 의해 처지게 되며, 이는 증착 정밀도를 떨어뜨리는 하나의 요인이 되고 있다. 상향 증착 방식 이외의 방식의 성막 장치에 있어서도, 기판의 자중에 의한 처짐은 발생할 가능성이 있다. In a deposition apparatus of the upward deposition method (depo-up), an evaporation source is installed at the bottom of a vacuum vessel of the deposition apparatus, a substrate is placed at the top of the vacuum vessel, and deposition is performed on the lower surface of the substrate. In this deposition apparatus of the upward deposition method, the periphery of the lower surface of the substrate is supported by the support part of the substrate holder so as not to damage the organic layer/electrode layer formed on the lower surface, which is the deposition surface. In this case, as the size of the substrate increases, the central portion of the substrate that is not supported by the support part of the substrate holder sags due to its own weight, which is one factor that reduces the deposition precision. Sagginess due to the self-weight of the substrate may also occur in deposition apparatuses of methods other than the upward deposition method.
기판의 자중에 의한 처짐을 저감하기 위한 방법으로서 정전척을 사용하는 기술이 검토되고 있다. 즉, 기판의 상부에 정전척을 설치하고, 기판 홀더의 지지부에 의해 지지된 기판의 상면을 정전척에 흡착시킴으로써 기판의 중앙부가 정전척의 정전인력에 의해 당겨지도록 하여 기판의 처짐을 저감할 수 있도록 하고 있다.A technology using an electrostatic chuck is being examined as a method for reducing sagging due to the weight of a substrate. That is, an electrostatic chuck is installed on the upper part of the substrate, and the upper surface of the substrate supported by the support part of the substrate holder is attracted to the electrostatic chuck so that the central part of the substrate is pulled by the electrostatic force of the electrostatic chuck, thereby reducing the sagging of the substrate.
그런데, 이와 같이 정전척을 사용하여 기판을 흡착하는 방식에 있어서는, 성막 이후 정전척으로부터의 기판 분리 시, 기판이 손상되거나, 분리에 시간이 걸려 전체적인 공정 시간(tact time)이 증가하는 등의 문제가 있을 수 있다. However, in this method of using an electrostatic chuck to adsorb a substrate, there may be problems such as damage to the substrate when separating the substrate from the electrostatic chuck after deposition, or the separation taking time, thereby increasing the overall process time (tact time).
예컨대, 도 9에 도시된 바와 같이, 기판(S) 분리 시, 기판 홀더의 지지부(220)를 기판(S)으로부터 이격시킨 상태로 정전척(240)에 인가되고 있던 흡착 전압을 오프(OFF)로 하면, 정전척(240)으로부터 분리된 기판(S)이 지지부(220)로 낙하할 때 기판(S)에 충격이 가해져 기판(S)이 파손될 우려가 있다. 한편, 이러한 파손 방지를 위해, 분리 시, 기판 지지부(220)를 기판(S)에 실질적으로 접촉시킨 상태로 두면, 기판(S)이 구속되어 기판 분리에 걸리는 시간이 증가한다.For example, as illustrated in FIG. 9, when the substrate (S) is separated, if the support member (220) of the substrate holder is separated from the substrate (S) and the adsorption voltage applied to the electrostatic chuck (240) is turned OFF, there is a risk that the substrate (S) separated from the electrostatic chuck (240) may be damaged when it falls onto the support member (220) due to impact. Meanwhile, in order to prevent such damage, if the substrate support member (220) is kept in substantial contact with the substrate (S) during separation, the substrate (S) is restrained and the time required for substrate separation increases.
이에, 본 발명은, 상기 과제를 감안하여, 정전척으로부터의 기판 분리를 보다 효과적으로 행하는 것을 목적으로 한다.Accordingly, the present invention, taking the above problems into consideration, aims to more effectively separate a substrate from an electrostatic chuck.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성막 장치는, 마스크를 통해 기판에 성막 재료를 성막하는 성막 장치로서, 챔버 내에 배치되어, 각각, 상기 기판의 제1 주연부 및 상기 제1 주연부에 대향하는 제2 주연부를 지지하고, 독립하여 승강 가능한 제1 및 제2 기판 지지부와, 상기 제1 및 제2 기판 지지부의 상방에 배치되어, 상기 기판을 흡착하기 위한 기판 흡착 수단과, 제어부를 포함하고, 상기 제어부는, 상기 기판 흡착 수단으로부터의 상기 기판의 분리 시, 상기 제1 주연부에서부터 상기 제2 주연부를 향해 순차로 분리가 진행되도록 상기 기판 흡착 수단을 제어함과 함께, 상기 분리가 진행되는 타이밍에 맞추어 상기 제1 기판 지지부 및 상기 제2 기판 지지부를 순차로 하강시도록 제어하는 것을 특징으로 한다.According to one embodiment of the present invention, a film forming apparatus is a film forming apparatus for forming a film material on a substrate through a mask, the film forming apparatus including: first and second substrate supporting portions which are arranged in a chamber and support a first peripheral portion of the substrate and a second peripheral portion opposite to the first peripheral portion, respectively, and which can be independently raised and lowered; a substrate adsorption means which is arranged above the first and second substrate supporting portions and for adsorbing the substrate; and a control portion, wherein the control portion controls the substrate adsorption means so that, when the substrate is separated from the substrate adsorption means, separation proceeds sequentially from the first peripheral portion toward the second peripheral portion, and controls the first substrate supporting portion and the second substrate supporting portion to be sequentially lowered in accordance with the timing at which the separation proceeds.
본 발명의 일 실시형태에 따른 성막 방법은, 성막 장치의 챔버 내부에서, 마스크를 통해 기판에 성막 재료를 성막하는 성막 방법으로서, 챔버 내로 반입된 상기 기판의 제1 주연부 및 상기 제1 주연부에 대향하는 제2 주연부를, 각각 제1 기판 지지부 및 제2 기판 지지부로 지지하는 공정과, 상기 제1 및 제2 기판 지지부의 상방에 배치된 기판 흡착 수단에 상기 기판의 성막면과 반대측인 이면을 흡착시키는 공정과, 성막원으로부터 방출되는 성막 재료를 상기 마스크를 통해 상기 기판의 성막면에 성막하는 공정과, 상기 기판 흡착 수단으로부터 상기 기판을 분리하여, 상기 제1 및 제2 기판 지지부로 지지하는 공정을 포함하고, 상기 분리하는 공정에서는, 제어부에 의해, 상기 제1 주연부에서부터 상기 제2 주연부를 향해 순차로 분리가 진행되도록 상기 기판 흡착 수단을 제어함과 함께, 상기 분리가 진행되는 타이밍에 맞추어 상기 제1 기판 지지부 및 상기 제2 기판 지지부를 순차로 하강시도록 제어하는 것을 특징으로 한다. According to one embodiment of the present invention, a film forming method is a film forming method for forming a film material on a substrate through a mask inside a chamber of a film forming apparatus, the method including: a step of supporting a first peripheral portion and a second peripheral portion opposite to the first peripheral portion of the substrate brought into the chamber with a first substrate support portion and a second substrate support portion, respectively; a step of adsorbing a back surface of the substrate opposite to a film forming surface to substrate adsorption means arranged above the first and second substrate support portions; a step of forming a film material released from a film forming source onto the film forming surface of the substrate through the mask; and a step of separating the substrate from the substrate adsorption means and supporting it with the first and second substrate support portions, wherein in the separating step, the substrate adsorption means is controlled by a control portion so that separation proceeds sequentially from the first peripheral portion toward the second peripheral portion, and the first substrate support portion and the second substrate support portion are controlled to be sequentially lowered in accordance with the timing at which the separation proceeds.
본 발명의 일 실시형태에 따른 전자 디바이스의 제조방법은, 상기 성막 방법을 사용하여 전자 디바이스를 제조하는 것을 특징으로 한다.A method for manufacturing an electronic device according to one embodiment of the present invention is characterized by manufacturing an electronic device using the film forming method.
본 발명에 의하면, 정전척으로부터의 기판 분리를 보다 효과적으로 행할 수 있다. According to the present invention, the substrate separation from the electrostatic chuck can be performed more effectively.
또한, 여기에 기재된 효과는 반드시 한정되는 것은 아니고, 본 개시 중에 기재된 어떠한 효과이어도 된다.Additionally, the effects described herein are not necessarily limited and may be any effects described in the present disclosure.
도 1은 전자 디바이스의 제조 장치의 일부의 모식도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 성막 장치의 모식도이다.
도 3은, 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 지지 유닛을 연직 방향(Z 방향) 상방에서부터 본 평면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시형태에 따른 정전척의 흡착부의 구성을 설명하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 분리 공정을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 기판 분리 공정을 나타내는 도면이다.
도 7은 기판 흡착 시의 치우침 현상을 모식적으로 나타내는 개념도이다.
도 8은 전자 디바이스를 나타내는 모식도이다.
도 9는 종래의 기판 분리 공정을 나타내는 도면이다.Figure 1 is a schematic diagram of a part of a manufacturing apparatus for an electronic device.
Figure 2 is a schematic diagram of a film forming device according to one embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a plan view of a substrate support unit according to one embodiment of the present invention as viewed from above in the vertical direction (Z direction).
FIG. 4 is a drawing explaining the configuration of an adsorption part of an electrostatic chuck according to one embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a drawing showing a substrate separation process according to one embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a drawing showing a substrate separation process according to another embodiment of the present invention.
Figure 7 is a conceptual diagram schematically showing the bias phenomenon during substrate adsorption.
Figure 8 is a schematic diagram showing an electronic device.
Figure 9 is a drawing showing a conventional substrate separation process.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태 및 실시예를 설명한다. 다만, 이하의 실시형태 및 실시예는 본 발명의 바람직한 구성을 예시적으로 나타내는 것일 뿐이며, 본 발명의 범위는 이들 구성에 한정되지 않는다. 또한, 이하의 설명에 있어서, 장치의 하드웨어 구성 및 소프트웨어 구성, 처리 흐름, 제조조건, 크기, 재질, 형상 등은, 특히 특정적인 기재가 없는 한, 본 발명의 범위를 이것으로 한정하려는 취지인 것은 아니다. Hereinafter, preferred embodiments and examples of the present invention will be described with reference to the drawings. However, the following embodiments and examples are only illustrative of preferred configurations of the present invention, and the scope of the present invention is not limited to these configurations. In addition, in the following description, the hardware configuration and software configuration, processing flow, manufacturing conditions, size, material, shape, etc. of the device are not intended to limit the scope of the present invention unless specifically stated otherwise.
본 발명은, 기판의 표면에 각종 재료를 퇴적시켜 성막을 행하는 장치에 적용할 수 있으며, 진공 증착에 의해 소망하는 패턴의 박막(재료층)을 형성하는 장치에 바람직하게 적용할 수 있다. 기판의 재료로는 유리, 고분자재료의 필름, 금속 등의 임의의 재료를 선택할 수 있고, 예컨대, 기판은 유리 기판 상에 폴리이미드 등의 필름이 적층된 기판이어도 된다. 또한 증착 재료로서도 유기 재료, 금속성 재료(금속, 금속 산화물 등) 등의 임의의 재료를 선택할 수 있다. 이하의 설명에서 설명하는 진공 증착 장치 이외에도, 스퍼터 장치나 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치를 포함하는 성막 장치에도, 본 발명을 적용할 수 있다. 본 발명의 기술은, 구체적으로는, 유기 전자 디바이스(예를 들면, 유기 발광 소자, 박막 태양 전지), 광학 부재 등의 제조 장치에 적용 가능하다. 그 중에서도, 증착 재료를 증발시켜 마스크를 통해 기판에 증착시킴으로써 유기 발광 소자를 형성하는 유기 발광소자의 제조장치는, 본 발명의 바람직한 적용예의 하나이다.The present invention can be applied to a device that deposits various materials on the surface of a substrate to form a film, and can be preferably applied to a device that forms a thin film (material layer) of a desired pattern by vacuum deposition. Any material such as glass, a film of a polymer material, or a metal can be selected as the substrate material, and for example, the substrate may be a substrate in which a film such as polyimide is laminated on a glass substrate. In addition, any material such as an organic material or a metallic material (metal, metal oxide, etc.) can be selected as the deposition material. In addition to the vacuum deposition device described below, the present invention can also be applied to a deposition device including a sputtering device or a CVD (Chemical Vapor Deposition) device. Specifically, the technology of the present invention can be applied to a manufacturing device for an organic electronic device (e.g., an organic light-emitting element, a thin film solar cell), an optical member, or the like. Among these, an organic light-emitting element manufacturing device that forms an organic light-emitting element by evaporating a deposition material and depositing it on a substrate through a mask is one of the preferable application examples of the present invention.
<전자 디바이스 제조 장치><Electronic device manufacturing equipment>
도 1은 전자 디바이스의 제조 장치의 일부의 구성을 모식적으로 도시한 평면도이다. Figure 1 is a plan view schematically illustrating the configuration of a part of a manufacturing device for an electronic device.
도 1의 제조 장치는, 예를 들면 스마트폰 용의 유기 EL 표시장치의 표시 패널의 제조에 이용된다. 스마트폰 용의 표시 패널의 경우, 예를 들면, 4.5세대의 기판(약 700 ㎜ × 약 900 ㎜)이나 6세대의 풀사이즈(약 1500 ㎜ × 약 1850 ㎜) 또는 하프컷 사이즈(약 1500 ㎜ × 약 925 ㎜)의 기판에 유기 EL 소자의 형성을 위한 성막을 행한 후, 해당 기판을 잘라 내어 복수의 작은 사이즈의 패널로 제작한다.The manufacturing device of Fig. 1 is used, for example, for manufacturing a display panel of an organic EL display device for a smartphone. In the case of a display panel for a smartphone, for example, after film formation for forming an organic EL element is performed on a 4.5 generation substrate (about 700 mm × about 900 mm) or a 6th generation full-size (about 1500 mm × about 1850 mm) or half-cut size (about 1500 mm × about 925 mm) substrate, the substrate is cut out to manufacture a plurality of panels of smaller sizes.
전자 디바이스 제조 장치는, 일반적으로 복수의 클러스터 장치(1)와, 클러스터 장치(1) 사이를 연결하는 중계장치를 포함한다.An electronic device manufacturing device generally includes a plurality of cluster devices (1) and a relay device connecting the cluster devices (1).
클러스터 장치(1)는, 기판(S)에 대한 처리(예컨대, 성막)를 행하는 복수의 성막 장치(11)와, 사용 전후의 마스크(M)를 수납하는 복수의 마스크 스톡 장치(12)와, 그 중앙에 배치되는 반송실(13)을 구비한다. 반송실(13)은 도 1에 도시한 바와 같이, 복수의 성막 장치(11) 및 마스크 스톡 장치(12) 각각과 접속된다.A cluster device (1) comprises a plurality of film forming devices (11) for performing processing (e.g., film forming) on a substrate (S), a plurality of mask stock devices (12) for storing masks (M) before and after use, and a return room (13) arranged in the center thereof. As illustrated in Fig. 1, the return room (13) is connected to each of the plurality of film forming devices (11) and the mask stock devices (12).
반송실(13) 내에는, 기판 및 마스크를 반송하는 반송 로봇(14)이 배치된다. 반송로봇(14)은, 상류 측에 배치된 중계 장치의 패스실(15)로부터 성막 장치(11)에 기판(S)을 반송한다. 또한, 반송로봇(14)은 성막 장치(11)와 마스크 스톡 장치(12)간에 마스크(M)를 반송한다. 반송 로봇(14)은, 예를 들면, 다관절 아암에, 기판(S) 또는 마스크(M)를 보유지지하는 로봇 핸드가 장착된 구조를 갖는 로봇일 수 있다. In the return room (13), a return robot (14) for returning a substrate and a mask is arranged. The return robot (14) returns a substrate (S) from a pass room (15) of a relay device arranged on the upstream side to a film forming device (11). In addition, the return robot (14) returns a mask (M) between the film forming device (11) and a mask stock device (12). The return robot (14) may be, for example, a robot having a structure in which a robot hand for holding and supporting a substrate (S) or a mask (M) is mounted on a multi-joint arm.
성막 장치(11)(증착 장치라고도 부름)에서는, 증발원에 수납된 증착 재료가 히터에 의해 가열되어 증발하고, 마스크를 통해 기판상에 증착된다. 반송 로봇(14)과의 기판(S)의 주고받음, 기판(S)과 마스크(M)의 상대 위치의 조정(얼라인먼트), 마스크(M) 상으로의 기판(S)의 고정, 성막(증착) 등의 일련의 성막 프로세스는, 성막 장치(11)에 의해 행해진다. In the film forming device (11) (also called a deposition device), the deposition material stored in the evaporation source is heated by a heater to evaporate and is deposited on a substrate through a mask. A series of film forming processes, such as exchanging the substrate (S) with a transfer robot (14), adjusting the relative positions (alignment) of the substrate (S) and the mask (M), fixing the substrate (S) onto the mask (M), and film forming (deposition), are performed by the film forming device (11).
마스크 스톡 장치(12)에는 성막 장치(11)에서의 성막 공정에 사용될 새로운 마스크 및 사용이 끝난 마스크가 두 개의 카세트에 나뉘어져 수납된다. 반송 로봇(14)은, 사용이 끝난 마스크를 성막 장치(11)로부터 마스크 스톡 장치(12)의 카세트로 반송하며, 마스크 스톡 장치(12)의 다른 카세트에 수납된 새로운 마스크를 성막 장치(11)로 반송한다.In the mask stock device (12), new masks and used masks to be used in the film forming process in the film forming device (11) are divided and stored in two cassettes. The return robot (14) returns the used masks from the film forming device (11) to the cassette of the mask stock device (12), and returns the new masks stored in the other cassette of the mask stock device (12) to the film forming device (11).
클러스터 장치(1)에는 기판(S)의 흐름방향으로 상류 측으로부터의 기판(S)을 해당 클러스터 장치(1)로 전달하는 패스실(15)과, 해당 클러스터 장치(1)에서 성막 처리가 완료된 기판(S)을 하류 측의 다른 클러스터 장치로 전달하기 위한 버퍼실(16)이 연결된다. 반송실(13)의 반송 로봇(14)은 상류 측의 패스실(15)로부터 기판(S)을 받아서, 해당 클러스터 장치(1)내의 성막 장치(11)중 하나(예컨대, 성막 장치(11a))로 반송한다. 또한, 반송 로봇(14)은 해당 클러스터 장치(1)에서의 성막 처리가 완료된 기판(S)을 복수의 성막 장치(11) 중 하나(예컨대, 성막 장치(11b))로부터 받아서, 하류 측에 연결된 버퍼실(16)로 반송한다.A cluster device (1) is connected to a pass room (15) for transferring a substrate (S) from the upstream side in the flow direction of the substrate (S) to the cluster device (1), and a buffer room (16) for transferring a substrate (S) on which film formation processing has been completed in the cluster device (1) to another cluster device on the downstream side. A return robot (14) of a return room (13) receives a substrate (S) from the pass room (15) on the upstream side and returns it to one of the film formation devices (11) in the cluster device (1) (e.g., the film formation device (11a)). In addition, the return robot (14) receives a substrate (S) on which film formation processing has been completed in the cluster device (1) from one of a plurality of film formation devices (11) (e.g., the film formation device (11b)) and returns it to a buffer room (16) connected to the downstream side.
버퍼실(16)과 패스실(15) 사이에는 기판의 방향을 바꾸어 주는 선회실(17)이 설치된다. 선회실(17)에는 버퍼실(16)로부터 기판(S)을 받아 기판(S)을 180도 회전시켜 패스실(15)로 반송하기 위한 반송 로봇(18)이 설치된다. 이를 통해, 상류측 클러스터 장치와 하류측 클러스터 장치에서 기판(S)의 방향이 동일하게 되어 기판 처리가 용이해진다. Between the buffer room (16) and the pass room (15), a turning room (17) is installed to change the direction of the substrate. A return robot (18) is installed in the turning room (17) to receive the substrate (S) from the buffer room (16), rotate the substrate (S) 180 degrees, and return it to the pass room (15). Through this, the direction of the substrate (S) is made the same in the upstream cluster device and the downstream cluster device, making substrate processing easier.
패스실(15), 버퍼실(16), 선회실(17)은 클러스터 장치 사이를 연결하는 소위 중계장치로서, 클러스터 장치의 상류측 및/또는 하류 측에 설치된 중계장치는, 패스실, 버퍼실, 선회실 중 적어도 하나를 포함한다.The pass room (15), buffer room (16), and turning room (17) are so-called relay devices connecting between cluster devices, and the relay devices installed on the upstream and/or downstream sides of the cluster devices include at least one of the pass room, buffer room, and turning room.
성막 장치(11), 마스크 스톡 장치(12), 반송실(13), 버퍼실(16), 선회실(17) 등은 유기발광 소자의 제조과정에서, 고진공 상태로 유지된다. 패스실(15)은, 통상 저진공 상태로 유지되나, 필요에 따라 고진공 상태로 유지될 수도 있다.The film forming device (11), mask stock device (12), return room (13), buffer room (16), and rotation room (17) are maintained in a high vacuum state during the manufacturing process of the organic light-emitting device. The pass room (15) is usually maintained in a low vacuum state, but may be maintained in a high vacuum state as needed.
본 실시예에서는, 도 1을 참조하여, 전자 디바이스 제조 장치의 구성에 대해서 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 다른 종류의 장치나 챔버를 가질 수도 있으며, 이들 장치나 챔버 간의 배치가 달라질 수도 있다.In this embodiment, the configuration of an electronic device manufacturing apparatus has been described with reference to FIG. 1, but the present invention is not limited thereto, and may have other types of apparatus or chambers, and the arrangement between these apparatuses or chambers may be different.
이하, 성막 장치(11)의 구체적인 구성에 대하여 설명한다.Below, the specific configuration of the tabernacle device (11) is described.
<성막 장치><Tabernacle Device>
도 2는 성막 장치(11)의 구성을 나타낸 모식도이다. 이하의 설명에 있어서는, 연직 방향을 Z 방향으로 하는 XYZ 직교 좌표계를 사용한다. 성막 시에 기판(S)이 수평면(XY 평면)과 평행하게 고정될 경우, 기판(S)의 단변 방향(단변에 평행한 방향)을 X 방향, 장변 방향(장변에 평행한 방향)을 Y 방향으로 한다. 또 Z 축 주위의 회전각을 θ로 표시한다.Fig. 2 is a schematic diagram showing the configuration of a film forming device (11). In the following description, an XYZ orthogonal coordinate system is used in which the vertical direction is the Z direction. When the substrate (S) is fixed parallel to the horizontal plane (XY plane) during film forming, the short-side direction (the direction parallel to the short side) of the substrate (S) is referred to as the X direction, and the long-side direction (the direction parallel to the long side) is referred to as the Y direction. In addition, the rotation angle around the Z axis is expressed as θ.
성막 장치(11)는, 진공 분위기 또는 질소 가스 등의 불활성 가스 분위기로 유지되는 진공 용기(21)와, 진공 용기(21)내에 설치되는 기판 지지 유닛(22)과, 마스크 지지 유닛(23)과, 정전척(24)과, 증발원(25)을 포함한다. The film forming device (11) includes a vacuum vessel (21) maintained in a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere such as nitrogen gas, a substrate support unit (22) installed in the vacuum vessel (21), a mask support unit (23), an electrostatic chuck (24), and an evaporation source (25).
기판 지지 유닛(22)은 반송실(13)에 설치된 반송 로봇(14)이 반송하여 온 기판(S)을 수취하여, 보유 지지하는 수단으로서, 기판 홀더라고도 부른다. 기판 지지 유닛(22)은 기판의 하면의 주연부를 지지하는 지지부를 포함한다. 기판 지지 유닛(22)의 지지부의 상세 구성에 대해서는 후술한다.The substrate support unit (22) is a means for receiving and supporting a substrate (S) returned by a return robot (14) installed in a return room (13), and is also called a substrate holder. The substrate support unit (22) includes a support portion that supports the peripheral portion of the lower surface of the substrate. The detailed configuration of the support portion of the substrate support unit (22) will be described later.
기판 지지 유닛(22)의 아래에는 마스크 지지 유닛(23)이 설치된다. 마스크 지지 유닛(23)은, 반송실(13)에 설치된 반송로봇(14)이 반송하여 온 마스크(M)를 수취하여, 보유 지지하는 수단으로서, 마스크 홀더라고도 부른다.A mask support unit (23) is installed below the substrate support unit (22). The mask support unit (23) is a means for receiving and supporting a mask (M) returned by a return robot (14) installed in a return room (13), and is also called a mask holder.
마스크(M)는, 기판(S) 상에 형성될 박막 패턴에 대응하는 개구 패턴을 가지며, 마스크 지지 유닛(23)상에 재치된다. 특히, 스마트폰용 유기 EL 소자를 제조하는데 사용되는 마스크는 미세한 개구패턴이 형성된 금속제 마스크로서, FMM(Fine Metal Mask)이라고도 부른다.The mask (M) has an aperture pattern corresponding to a thin film pattern to be formed on a substrate (S) and is placed on a mask support unit (23). In particular, the mask used for manufacturing an organic EL element for a smartphone is a metal mask having a fine aperture pattern formed thereon, and is also called a fine metal mask (FMM).
기판 지지 유닛(22)의 상방에는 기판을 정전 인력에 의해 흡착하여 고정하기 위한 정전척(24)이 설치된다. 정전척(24)은 유전체(예컨대, 세라믹재질) 매트릭스내에 금속전극 등의 전기회로가 매설된 구조를 갖는다. 정전척(24)은, 쿨롱력 타입의 정전척이어도 되고, 존슨-라벡력 타입의 정전척이어도 되며, 그래디언트력 타입의 정전척이어도 된다. 정전척(24)은, 그래디언트력 타입의 정전척인 것이 바람직하다. 정전척(24)을 그래디언트력 타입의 정전척으로 함으로써, 기판(S)이 절연성 기판인 경우라도, 정전척(24)에 의해 양호하게 흡착될 수 있다. 정전척(24)이 쿨롱력 타입의 정전척인 경우에는, 금속전극에 플러스(+) 및 마이너스(-)의 전위가 인가되면, 유전체 매트릭스를 통해 기판(S)과 같은 피흡착체에 금속 전극과 반대극성의 분극 전하가 유도되며, 이들 간의 정전 인력에 의해 기판(S)이 정전척(24)에 흡착 고정된다. Above the substrate support unit (22), an electrostatic chuck (24) is installed to fix the substrate by adsorption using electrostatic attraction. The electrostatic chuck (24) has a structure in which an electric circuit such as a metal electrode is embedded in a dielectric (e.g., ceramic material) matrix. The electrostatic chuck (24) may be a Coulomb force type electrostatic chuck, a Johnson-Rahbek force type electrostatic chuck, or a gradient force type electrostatic chuck. It is preferable that the electrostatic chuck (24) is a gradient force type electrostatic chuck. By making the electrostatic chuck (24) a gradient force type electrostatic chuck, even if the substrate (S) is an insulating substrate, it can be well adsorbed by the electrostatic chuck (24). In the case where the electrostatic chuck (24) is a Coulomb force type electrostatic chuck, when a positive (+) and negative (-) potential are applied to the metal electrode, a polarization charge of the opposite polarity to that of the metal electrode is induced in the adsorbent such as the substrate (S) through the dielectric matrix, and the substrate (S) is adsorbed and fixed to the electrostatic chuck (24) by the electrostatic attraction between them.
정전척(24)은 하나의 플레이트로 형성되어도 되고, 복수의 서브 플레이트를 가지도록 형성되어도 된다. 또한, 하나의 플레이트로 형성되는 경우에도 그 내부에 복수의 전기회로를 포함하여, 하나의 플레이트내에서 위치에 따라 정전인력이 다르도록 제어할 수도 있다. 즉, 정전척은 매설된 전기회로의 구조에 따라 복수의 흡착부 모듈로 구획될 수 있다. 정전척(24)의 흡착부의 구성 및 흡착 전압 인가의 제어 방식의 상세에 대해서도, 기판 지지 유닛(22)의 지지부의 동작 제어와 함께 후술한다.The electrostatic chuck (24) may be formed as a single plate, or may be formed to have multiple sub-plates. In addition, even when formed as a single plate, it may include multiple electric circuits inside, so that the electrostatic force can be controlled to be different depending on the position within the single plate. That is, the electrostatic chuck may be divided into multiple suction module modules depending on the structure of the embedded electric circuits. The details of the configuration of the suction part of the electrostatic chuck (24) and the control method for applying the suction voltage will be described later, along with the operation control of the support part of the substrate support unit (22).
정전척(24)의 상부에는, 도시하지 않았으나, 성막 시 마스크(M)에 자력을 인가하여 마스크(M)를 기판(S) 쪽으로 끌어당겨 기판(S)에 밀착시키기 위한 자력인가수단이 설치될 수 있다. 자력인가수단으로서의 마그넷은 영구자석 또는 전자석으로 이루어질 수 있으며, 복수의 모듈로 구획될 수 있다.On the upper part of the electrostatic chuck (24), although not shown, a magnetic force applying means may be installed to apply a magnetic force to the mask (M) during film formation to pull the mask (M) toward the substrate (S) and make it adhere to the substrate (S). The magnet as the magnetic force applying means may be formed of a permanent magnet or an electromagnet and may be divided into a plurality of modules.
또한, 도 2에 도시하지 않았으나, 정전척(24)의 흡착면과는 반대측에 기판(S)의 온도 상승을 억제하는 냉각 기구(예컨대, 냉각판)를 설치함으로써, 기판(S)상에 퇴적된 유기재료의 변질이나 열화를 억제하도록 하여도 된다. 냉각판은 상기 마그넷과 일체로 형성될 수도 있다. In addition, although not shown in Fig. 2, a cooling mechanism (e.g., a cooling plate) that suppresses a temperature rise of the substrate (S) on the opposite side to the adsorption surface of the electrostatic chuck (24) may be installed to suppress deterioration or deterioration of the organic material deposited on the substrate (S). The cooling plate may be formed integrally with the magnet.
증발원(25)은 기판에 성막될 증착 재료가 수납되는 도가니(미도시), 도가니를 가열하기 위한 히터(미도시), 증발원으로부터의 증발 레이트가 일정해질 때까지 증착 재료가 기판으로 비산하는 것을 막는 셔터(미도시) 등을 포함한다. 증발원(25)은 점(point) 증발원이나 선형(linear) 증발원 등, 용도에 따라 다양한 구성을 가질 수 있다. The evaporation source (25) includes a crucible (not shown) in which a deposition material to be formed into a film on a substrate is stored, a heater (not shown) for heating the crucible, a shutter (not shown) for preventing the deposition material from flying onto the substrate until the evaporation rate from the evaporation source becomes constant, etc. The evaporation source (25) may have various configurations depending on the purpose, such as a point evaporation source or a linear evaporation source.
도 2에 도시하지 않았으나, 성막 장치(11)는 기판에 증착된 막 두께를 측정하기 위한 막 두께 모니터(미도시) 및 막 두께 산출 유닛(미도시)를 포함한다. Although not shown in Fig. 2, the film forming device (11) includes a film thickness monitor (not shown) and a film thickness calculation unit (not shown) for measuring the film thickness deposited on the substrate.
진공 용기(21)의 상부 외측(대기측)에는 기판 Z 액츄에이터(26), 마스크 Z 액츄에이터(27), 정전척 Z 액츄에이터(28), 위치조정기구(29) 등이 설치된다. 이들 액츄에이터와 위치조정장치는, 예컨대, 모터와 볼나사, 또는 모터와 리니어 가이드 등으로 구성된다. 기판 Z 액츄에이터(26)는, 기판 지지 유닛(22)을 승강(Z 방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. 기판 Z 액츄에이터(26)의 구동에 의한 기판 지지 유닛(22)의 승강 제어의 상세에 대해서는 후술한다. 마스크 Z 액츄에이터(27)는, 마스크 지지 유닛(23)을 승강(Z 방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. 정전척 Z 액츄에이터(28)는, 정전척(24)을 승강(Z 방향 이동)시키기 위한 구동수단이다. A substrate Z actuator (26), a mask Z actuator (27), an electrostatic chuck Z actuator (28), a position adjustment mechanism (29), etc. are installed on the upper outer side (atmosphere side) of the vacuum container (21). These actuators and the position adjustment device are composed of, for example, a motor and a ball screw, or a motor and a linear guide. The substrate Z actuator (26) is a driving means for raising and lowering (moving in the Z direction) the substrate support unit (22). Details of the lifting and lowering control of the substrate support unit (22) by driving the substrate Z actuator (26) will be described later. The mask Z actuator (27) is a driving means for raising and lowering (moving in the Z direction) the mask support unit (23). The electrostatic chuck Z actuator (28) is a driving means for raising and lowering (moving in the Z direction) the electrostatic chuck (24).
위치조정기구(29)는, 정전척(24)과 기판(S) 및/또는 기판(S)과 마스크(M) 간의 수평면 내에서의 위치 어긋남을 조정(얼라인먼트)하기 위한 구동 수단이다. 즉, 위치조정기구(29)는, 기판 지지 유닛(22) 및 마스크 지지 유닛(23)에 대하여, 정전척(24)을 수평면에 평행한 면 내에서 X방향, Y방향, θ방향 중 적어도 하나의 방향으로 상대적으로 이동/회전시키기 위한 수평구동기구이다. 본 실시형태에서는, 기판지지유닛(22) 및 마스크 지지 유닛(23)의 수평면 내에서의 이동은 고정하고, 정전척(24)을 XYθ방향으로 위치 이동시키도록 위치조정기구를 구성하고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 정전척(24)의 수평방향으로의 이동은 고정하고, 기판지지유닛(22) 및 마스크 지지 유닛(23)을 XYθ방향으로 위치 이동시키도록 위치조정기구를 구성하여도 된다.The position adjustment mechanism (29) is a driving means for adjusting (aligning) the positional misalignment between the electrostatic chuck (24) and the substrate (S) and/or the substrate (S) and the mask (M) within the horizontal plane. That is, the position adjustment mechanism (29) is a horizontal driving mechanism for relatively moving/rotating the electrostatic chuck (24) in at least one of the X-direction, Y-direction, and θ-direction within a plane parallel to the horizontal plane with respect to the substrate support unit (22) and the mask support unit (23). In the present embodiment, the position adjustment mechanism is configured to fix the movement of the substrate support unit (22) and the mask support unit (23) within the horizontal plane and move the electrostatic chuck (24) in the XYθ direction, but the present invention is not limited thereto, and the position adjustment mechanism may be configured to fix the movement of the electrostatic chuck (24) in the horizontal direction and move the substrate support unit (22) and the mask support unit (23) in the XYθ direction.
진공용기(21)의 외측 상면에는, 전술한 구동기구 이외에, 진공 용기(21)의 상면에 설치된 투명창을 통해 기판(S) 및 마스크(M)에 형성된 얼라인먼트 마크를 촬영하기 위한 얼라인먼트용 카메라(20a, 20b)가 설치된다. 얼라인먼트용 카메라(20a, 20b)에 의해 촬영된 화상으로부터 기판(S) 상의 얼라인먼트 마크와 마스크(M) 상의 얼라인먼트 마크를 인식함으로써, 각각의 XY 위치나 XY 면내에서의 상대 어긋남을 계측할 수 있다. On the outer upper surface of the vacuum vessel (21), in addition to the aforementioned driving mechanism, an alignment camera (20a, 20b) is installed to photograph alignment marks formed on the substrate (S) and the mask (M) through a transparent window installed on the upper surface of the vacuum vessel (21). By recognizing the alignment mark on the substrate (S) and the alignment mark on the mask (M) from images photographed by the alignment cameras (20a, 20b), the respective XY positions or relative misalignment within the XY plane can be measured.
기판(S)과 마스크(M) 간의 얼라인먼트는, 대략적으로 위치 맞춤을 행하는 제1 위치 조정 공정인 제1 얼라인먼트("러프 얼라인먼트(rough alignment)"라고도 함)와, 고정밀도로 위치 맞춤을 행하는 제2 위치 조정 공정인 제2 얼라인먼트("파인 얼라인먼트(fine alignment)"라고도 함)의 2 단계의 얼라인먼트를 실시할 수 있다. 그 경우, 저해상도이지만 광시야각의 제1 얼라인먼트 용의 카메라(20a)와, 협시야각이지만 고해상도의 제2 얼라인먼트 용의 카메라(20b)의 2 종류의 카메라를 이용하면 된다. 기판(S) 및 마스크(120) 각각에 대하여, 대향하는 한 쌍의 변의 2 군데에 설치한 얼라인먼트 마크를 2 대의 제1 얼라인먼트용 카메라(20a)로 측정하고, 기판(S) 및 마스크(120)의 4 코너에 설치한 얼라인먼트 마크를 4 대의 제2 얼라인먼트용 카메라(20b)로 측정한다. 얼라인먼트 마크 및 그 측정용 카메라의 수는, 특히 한정되지 않고, 예를 들어 파인 얼라인먼트의 경우, 기판(S) 및 마스크(120)의 대향하는 2 코너에 설치된 마크를 2대의 카메라로 측정하도록 하여도 된다.Alignment between the substrate (S) and the mask (M) can be performed in two stages: a first alignment (also called “rough alignment”), which is a first position adjustment process that roughly aligns the positions; and a second alignment (also called “fine alignment”), which is a second position adjustment process that aligns the positions with high precision. In that case, two types of cameras can be used: a camera (20a) for the first alignment that has a low resolution but a wide viewing angle, and a camera (20b) for the second alignment that has a narrow viewing angle but a high resolution. For each of the substrate (S) and the mask (120), alignment marks installed at two locations on a pair of opposing sides are measured by two first alignment cameras (20a), and alignment marks installed at four corners of the substrate (S) and the mask (120) are measured by four second alignment cameras (20b). The number of alignment marks and the cameras for measuring them is not particularly limited, and for example, in the case of fine alignment, marks installed at two opposing corners of the substrate (S) and the mask (120) may be measured by two cameras.
성막 장치(11)는 제어부(미도시)를 구비한다. 제어부는 기판(S)의 반송 및 얼라인먼트, 증발원(25)의 제어, 성막의 제어 등의 기능을 갖는다. 제어부는 예를 들면, 프로세서, 메모리, 스토리지, I/O 등을 갖는 컴퓨터에 의해 구성 가능하다. 이 경우, 제어부의 기능은 메모리 또는 스토리지에 기억된 프로그램을 프로세서가 실행함으로써 실현된다. 컴퓨터로서는 범용의 퍼스널 컴퓨터를 사용하여도 되고, 임베디드형의 컴퓨터 또는 PLC(programmable logic controller)를 사용하여도 좋다. 또는, 제어부의 기능의 일부 또는 전부를 ASIC나 FPGA와 같은 회로로 구성하여도 좋다. 또한, 성막 장치별로 제어부가 설치되어도 되고, 하나의 제어부가 복수의 성막 장치를 제어하는 것으로 구성하여도 된다.The film forming device (11) has a control unit (not shown). The control unit has functions such as return and alignment of the substrate (S), control of the evaporation source (25), and control of film forming. The control unit can be configured by, for example, a computer having a processor, memory, storage, I/O, etc. In this case, the function of the control unit is realized by the processor executing a program stored in the memory or storage. As the computer, a general-purpose personal computer may be used, or an embedded computer or a PLC (programmable logic controller) may be used. Alternatively, part or all of the functions of the control unit may be configured by a circuit such as an ASIC or an FPGA. In addition, a control unit may be installed for each film forming device, or a single control unit may be configured to control a plurality of film forming devices.
<기판 지지 유닛><Board support unit>
기판 지지 유닛(22)은 기판의 하면의 주연부를 지지하는 지지부를 포함한다. 도 3은, 기판 지지 유닛(22)을 연직 방향(Z 방향) 상방에서부터 본 평면도로서, 이해의 편의를 위해, 기판(S)이 기판 지지 유닛(22) 상에 재치된 상태로 지지되는 모습을 도시하고 있고, 그 밖의 기판(S) 상부에 배치되는 정전척(24), 기판 Z 액츄에이터(26) 등의 구동 기구 등의 도시는 생략하고 있다. The substrate support unit (22) includes a support member that supports the peripheral portion of the lower surface of the substrate. Fig. 3 is a plan view of the substrate support unit (22) as viewed from above in the vertical direction (Z direction). For convenience of understanding, the drawing illustrates a state in which the substrate (S) is supported while being placed on the substrate support unit (22), and other driving mechanisms such as an electrostatic chuck (24) and a substrate Z actuator (26) arranged on the upper portion of the substrate (S) are omitted.
도시된 바와 같이, 기판 지지 유닛(22)을 구성하는 지지부는, 각각 독립하여 승강 제어 가능한 지지부(221, 222)를 포함하고, 이들 지지부(221, 222)는 기판(S)의 대향하는 두 변측의 주연부를 지지하도록 설치된다. 구체적으로, 기판(S)의 대향하는 두 변 중 일측 변(예컨대, 제1 장변)을 따라 제1 지지부(221)가 설치되고, 타측 변(제2 장변)을 따라 제2 지지부(222)가 설치된다. 도 3에서는 제1 지지부(221) 및 제2 지지부(222)가 각각 해당 변의 방향으로 길게 연장하는 하나의 지지부재로 이루어지는 구성을 도시하였으나, 제1 지지부(221) 및 제2 지지부(222)는, 해당 변의 방향을 따라 복수의 지지부재가 배열되어 각각 제1 지지부(221) 및 제2 지지부(222)를 구성하는 것으로 하여도 된다.As described above, the support parts constituting the substrate support unit (22) include support parts (221, 222) which can be lifted and lowered independently, and these support parts (221, 222) are installed to support the peripheral parts of two opposite sides of the substrate (S). Specifically, the first support part (221) is installed along one side (e.g., the first long side) of the two opposite sides of the substrate (S), and the second support part (222) is installed along the other side (the second long side). In FIG. 3, the first support part (221) and the second support part (222) are each configured as a single support member extending in the direction of the corresponding side, but the first support part (221) and the second support part (222) may be configured as a plurality of support members arranged along the direction of the corresponding side to form the first support part (221) and the second support part (222), respectively.
기판 지지 유닛(22)을 Z축 방향으로 승강 구동하기 위한 구동 기구인 전술한 기판 Z 액츄에이터(26)는, 이들 각 기판 지지부(221, 222)에 대응하여 설치된다. 즉, 기판(S)의 대향하는 두 장변에 대응하는 위치에 2개의 기판 Z 액츄에이터가 설치되어, 각각의 대응하는 기판 지지부(221, 222)에 연결된다. 그리고, 이들 각 기판 Z 액츄에이터는, 제어부에 의해, 대응하는 각 기판 지지부(221, 222)를 각각 독립하여 승강 가능하도록 제어된다.The aforementioned substrate Z actuator (26), which is a driving mechanism for driving the substrate support unit (22) to ascend and descend in the Z-axis direction, is installed corresponding to each of these substrate support members (221, 222). That is, two substrate Z actuators are installed at positions corresponding to two opposing long sides of the substrate (S) and are connected to their respective corresponding substrate support members (221, 222). Then, each of these substrate Z actuators is controlled by the control unit so that the corresponding substrate support members (221, 222) can be ascended and descended independently, respectively.
<정전척(24)의 흡착부의 구성><Configuration of the suction part of the electrostatic chuck (24)>
도 4a 내지 도 4c를 참조하여 본 발명의 일 실시형태에 따른 정전척의 흡착부의 구성에 대하여 설명한다. The configuration of an adsorption portion of an electrostatic chuck according to one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4a to 4c.
도 4a는 본 실시형태의 정전척 시스템(30)의 개념적인 블록도이고, 도 4b는 정전척(24)의 모식적 단면도이며, 도 4c는 정전척(24)의 모식적 평면도이다.Fig. 4a is a conceptual block diagram of an electrostatic chuck system (30) of the present embodiment, Fig. 4b is a schematic cross-sectional view of an electrostatic chuck (24), and Fig. 4c is a schematic plan view of an electrostatic chuck (24).
본 실시형태의 정전척 시스템(30)은 도 4a에 도시된 바와 같이, 정전척(24), 전압 인가부(31) 및 전압 제어부(32)를 포함한다.The electrostatic chuck system (30) of the present embodiment includes an electrostatic chuck (24), a voltage application unit (31), and a voltage control unit (32), as shown in FIG. 4a.
전압 인가부(31)는, 정전척(24)의 전극부에 정전 인력을 발생시키기 위한 전압을 인가한다.The voltage application unit (31) applies voltage to generate electrostatic force to the electrode unit of the electrostatic chuck (24).
전압 제어부(32)는, 정전척 시스템(30)의 흡착 및 분리 공정 또는 성막 장치(11)의 성막 프로세스의 진행에 따라 전압 인가부(31)에 의해 전극부에 가해지는 전압의 크기, 전압의 인가 개시 시점, 전압의 유지 시간, 전압의 인가 순서 등을 제어한다. 전압 제어부(32)는 예컨대, 정전척(24)의 전극부에 포함되는 복수의 서브 전극부(241 ~ 249)에의 전압 인가를 서브 전극부 별로 독립적으로 제어할 수 있다. 본 실시형태에서는, 전압 제어부(32)가 성막 장치(11)의 제어부와 별도로 구현되지만, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 성막 장치(11)의 제어부에 통합되어도 된다.The voltage control unit (32) controls the magnitude of the voltage applied to the electrode section by the voltage application unit (31), the start time of voltage application, the voltage maintenance time, the voltage application order, etc. according to the progress of the adsorption and separation process of the electrostatic chuck system (30) or the film forming process of the film forming device (11). The voltage control unit (32) can, for example, independently control the voltage application to a plurality of sub-electrode sections (241 to 249) included in the electrode section of the electrostatic chuck (24) for each sub-electrode section. In the present embodiment, the voltage control unit (32) is implemented separately from the control section of the film forming device (11), but the present invention is not limited thereto, and may be integrated into the control section of the film forming device (11).
정전척(24)은 흡착면에 피흡착체(예컨대, 기판(S))를 흡착하기 위한 정전 흡착력을 발생시키는 전극부를 포함하며, 전극부는 복수의 서브전극부(241 ~ 249)를 포함할 수 있다. 예컨대, 본 실시형태의 정전척(24)은, 도 4c에 도시한 바와 같이, 정전척(24)의 장변과 평행한 방향(Y 방향) 및/또는 정전척(24)의 단변과 평행한 방향(X 방향)을 따라 분할된 복수의 서브 전극부(241 내지 249)를 포함한다. The electrostatic chuck (24) includes an electrode portion that generates an electrostatic adsorption force for adsorbing an adsorbent (e.g., a substrate (S)) to an adsorption surface, and the electrode portion may include a plurality of sub-electrode portions (241 to 249). For example, the electrostatic chuck (24) of the present embodiment includes a plurality of sub-electrode portions (241 to 249) that are divided along a direction parallel to a long side of the electrostatic chuck (24) (Y direction) and/or a direction parallel to a short side of the electrostatic chuck (24) (X direction), as illustrated in FIG. 4C.
각 서브 전극부는 정전 흡착력을 발생시키기 위해 플러스(제1 극성) 및 마이너스(제2 극성)의 전위가 인가되는 전극쌍(33)을 포함한다. 예컨대, 각각의 전극쌍(33)은 플러스 전위가 인가되는 제1 전극(331)과 마이너스 전위가 인가되는 제2 전극(332)를 포함한다. Each sub-electrode section includes an electrode pair (33) to which a positive (first polarity) and negative (second polarity) potential are applied to generate an electrostatic attraction force. For example, each electrode pair (33) includes a first electrode (331) to which a positive potential is applied and a second electrode (332) to which a negative potential is applied.
제1 전극(331) 및 제2 전극(332)은, 도 4c에 도시한 바와 같이, 각각 빗 형상을 가진다. 예컨대, 제1 전극(331) 및 제2 전극(332)은 각각 복수의 빗살부 및 복수의 빗살부가 연결되는 기부(基部)를 가진다. 각 전극(331, 332)의 기부는 복수의 빗살부에 전위를 공급하며, 복수의 빗살부는 피흡착체와의 사이에서 정전 흡착력을 발생시킨다. 하나의 서브 전극부내에서 제1 전극(331)의 빗살부 각각은 제2 전극(332)의 빗살부 각각과 대향하도록 교대로 배치된다. 이처럼, 각 전극(331, 332)의 각 빗살부가 대향하고 또한 서로 얽힌 구성으로 함으로써, 다른 전위가 인가된 전극 간의 간격을 좁힐 수 있고, 커다란 불평등 전계를 형성하여, 그래디언트력에 의해 기판(S)을 흡착할 수 있다. The first electrode (331) and the second electrode (332) each have a comb shape, as illustrated in FIG. 4C. For example, the first electrode (331) and the second electrode (332) each have a plurality of comb-teeth portions and a base to which the plurality of comb-teeth portions are connected. The base of each electrode (331, 332) supplies a potential to the plurality of comb-teeth portions, and the plurality of comb-teeth portions generate an electrostatic adsorption force between themselves and the adsorbed body. Within one sub-electrode portion, the comb-teeth portions of the first electrode (331) are alternately arranged to face the comb-teeth portions of the second electrode (332). In this way, by configuring the comb-teeth portions of the electrodes (331, 332) to face each other and be intertwined with each other, the gap between electrodes to which different potentials are applied can be narrowed, and a large unequal electric field can be formed, so that the substrate (S) can be adsorbed by the gradient force.
본 실시예에서는, 정전척(24)의 서브 전극부(241 ~ 249)의 각 전극(331, 332)이 빗형상을 가지는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 피흡착체와의 사이에서 정전인력을 발생시킬 수 있는 한, 다양한 형상을 가질 수 있다. In this embodiment, each electrode (331, 332) of the sub-electrode portions (241 to 249) of the electrostatic chuck (24) is described as having a comb shape, but the present invention is not limited thereto, and may have various shapes as long as it can generate electrostatic attraction between itself and the absorbent body.
본 실시형태의 정전척(24)은 복수의 서브 전극부에 대응하는 복수의 흡착부를 가진다. 예컨대, 본 실시예의 정전척(24)은, 도 4c에 도시된 바와 같이, 9개의 서브 전극부(241 ~ 249)에 대응하는 9개의 흡착부를 가질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 기판(S)의 흡착을 보다 정밀하게 제어하기 위해, 이와 다른 개수의 흡착부를 가질 수도 있다. The electrostatic chuck (24) of the present embodiment has a plurality of suction portions corresponding to a plurality of sub-electrode portions. For example, the electrostatic chuck (24) of the present embodiment may have nine suction portions corresponding to nine sub-electrode portions (241 to 249) as shown in Fig. 4c, but is not limited thereto, and may have a different number of suction portions in order to more precisely control suction of the substrate (S).
복수의 흡착부는, 물리적으로 하나인 플레이트가 복수의 전극부를 가짐으로써 구현될 수도 있고, 물리적으로 분할된 복수의 플레이트 각각이 하나 또는 그 이상의 전극부를 가짐으로써 구현될 수도 있다. 도 4c에 도시한 실시예에 있어서, 복수의 흡착부 각각이 복수의 서브 전극부 각각에 대응하도록 구현할 수 있으나, 하나의 흡착부가 복수의 서브 전극부를 포함하도록 구현할 수도 있다. The plurality of adsorption units may be implemented by having a single physical plate having a plurality of electrode units, or may be implemented by having each of the plurality of physically divided plates having one or more electrode units. In the embodiment illustrated in Fig. 4c, each of the plurality of adsorption units may be implemented to correspond to each of the plurality of sub-electrode units, but one adsorption unit may also be implemented to include a plurality of sub-electrode units.
예컨대, 전압 제어부(32)에 의한 서브 전극부(241 ~ 249)에의 전압의 인가를 제어함으로써, 후술하는 바와 같이, 기판(S)의 흡착진행 방향(X 방향)과 교차하는 방향(Y 방향)으로 배치된 3개의 서브 전극부(241, 244, 247)가 하나의 흡착부를 이루도록 할 수 있다. 즉, 3개의 서브 전극부(241, 244, 247) 각각은 독립적으로 전압 제어가 가능하지만, 이들 3개의 서브 전극부(241, 244, 247)에 동시에 전압이 인가되도록 제어함으로써, 이들 3개의 서브 전극부(241, 244, 247)가 하나의 흡착부로서 기능하게 할 수 있다. 복수의 흡착부 각각에 독립적으로 기판 흡착이 이루어질 수 있는 한, 그 구체적인 물리적 구조 및 전기회로적 구조는 다를 수 있다. For example, by controlling the voltage application to the sub-electrode parts (241 to 249) by the voltage control part (32), as described below, three sub-electrode parts (241, 244, 247) arranged in a direction (Y direction) intersecting with the adsorption progress direction (X direction) of the substrate (S) can be made to form one adsorption part. That is, although each of the three sub-electrode parts (241, 244, 247) can be independently voltage-controlled, by controlling the voltage to be applied to these three sub-electrode parts (241, 244, 247) simultaneously, these three sub-electrode parts (241, 244, 247) can function as one adsorption part. As long as substrate adsorption can be performed independently for each of the plurality of adsorption parts, their specific physical structures and electrical circuit structures may be different.
<정전척(24)으로부터의 기판(S) 분리 공정><Substrate (S) separation process from electrostatic chuck (24)>
이하, 도 5를 참조하여, 본 발명의 일 실시형태에 따른 기판 분리의 구성을 설명한다.Hereinafter, with reference to FIG. 5, a configuration of substrate separation according to one embodiment of the present invention will be described.
본 발명은, 정전척으로부터 기판을 분리할 때, 정전척에 인가되고 있던 흡착 전압을 흡착 영역별로 순차적으로 오프(OFF)시키고(또는, 분리 전압을 흡착 영역별로 인가), 또한 이러한 정전척의 흡착 영역 제어와 기판 지지부의 구동 제어를 상호 연동시키는 것을 특징으로 한다. 구체적으로, 기판 지지부를 기판에 접촉시킨 상태에서 정전척의 흡착 영역을 제어하여, 일측 영역에서부터 부분적으로 분리가 개시되도록 하고, 이러한 분리 타이밍에 맞추어 분리되기 시작한 측부터 기판 지지부도 순차로 하강시키는 것을 특징으로 한다.The present invention is characterized in that, when separating a substrate from an electrostatic chuck, the adsorption voltage applied to the electrostatic chuck is sequentially turned off for each adsorption area (or the separation voltage is applied for each adsorption area), and furthermore, the adsorption area control of the electrostatic chuck and the drive control of the substrate support are mutually linked. Specifically, the present invention is characterized in that the adsorption area of the electrostatic chuck is controlled while the substrate support is in contact with the substrate, so that the separation is partially initiated from one area, and the substrate support is also sequentially lowered from the side where the separation began in accordance with the separation timing.
도 5는, 이러한 정전척의 흡착 영역 제어와 기판 지지부의 구동 제어의 상호 연동에 기초하여, 기판(S)을 일측 주연부로부터 대향하는 타측 주연부를 향해 순차적으로 분리시켜 나가는 세부 공정을 도시한다. 여기에서는, 정전척(24)의 장변 방향(Y 방향)을 따라 배치되는 3개의 서브 전극부(241, 244, 247)가 제1 흡착부(①)를 이루고, 정전척(24)의 중앙부의 3개의 서브 전극부(242, 245, 248)가 제2 흡착부(②)를 이루며, 나머지 3개의 서브 전극부(243, 246, 249)가 제3 흡착부(③)를 이루는 것을 전제로 설명한다.FIG. 5 illustrates a detailed process of sequentially separating a substrate (S) from one peripheral edge toward the opposite peripheral edge based on the interlocking of the suction area control of the electrostatic chuck and the drive control of the substrate support. Here, the explanation is made on the premise that three sub-electrode parts (241, 244, 247) arranged along the long side direction (Y direction) of the electrostatic chuck (24) form a first suction part (①), three sub-electrode parts (242, 245, 248) in the central part of the electrostatic chuck (24) form a second suction part (②), and the remaining three sub-electrode parts (243, 246, 249) form a third suction part (③).
정전척(24)의 전 흡착 영역(제1 흡착부①, 제2 흡착부②, 제3 흡착부③)에 기판 흡착 전압(ΔV1)이 인가되어 기판(S)의 전체 면이 정전척(24)에 흡착되고, 양측 기판 지지부(221, 222)는 모두 상승하여 기판(S)의 양측 주연부와 접촉하고 있는 상태에서(도 5a), 전압 제어부(32)는, 제1 지지부(221)에 대응하는 위치에 배치된 정전척(24)의 서브 전극부, 즉, 제1 흡착부(①)를 구성하는 3개의 서브 전극부(241, 244, 247)에 인가되고 있던 기판 흡착 전압(ΔV1)을 오프시킨다(도 5b). 이에 의해, 제1 흡착부(①)에 대응하는 기판(S)의 일측 주연부에서부터 부분적으로 분리가 개시된다. 이러한 분리 개시 타이밍에 맞추어, 기판(S)의 해당 주연부를 지지하는 제1 지지부(221)를 하강시킨다. 이어서, 전압 제어부(32)는, 제2 흡착부(②)를 구성하는 정전척(24)의 중앙부의 3개의 서브 전극부(242, 245, 248)에 인가되고 있던 기판 흡착 전압(ΔV1)을 오프시키도록 제어하고, 이에 의해, 일측 주연부에서부터 개시된 기판 분리가, 대향하는 타측 주연부를 향하는 방향으로 기판(S)의 중앙부를 포함하는 기판(S)의 대략 절반에 해당하는 영역까지 진행된다(도 5c).When the substrate adsorption voltage (ΔV1) is applied to the entire adsorption area (the first adsorption portion ①, the second adsorption portion ②, and the third adsorption portion ③) of the electrostatic chuck (24), so that the entire surface of the substrate (S) is adsorbed to the electrostatic chuck (24), and both of the substrate support portions (221, 222) are raised and in contact with the peripheral portions of both sides of the substrate (S) (Fig. 5a), the voltage control portion (32) turns off the substrate adsorption voltage (ΔV1) applied to the sub-electrode portions of the electrostatic chuck (24) arranged at a position corresponding to the first support portion (221), i.e., the three sub-electrode portions (241, 244, 247) constituting the first adsorption portion (①) (Fig. 5b). As a result, partial separation is initiated from one peripheral portion of the substrate (S) corresponding to the first adsorption portion (①). In accordance with the timing of this separation initiation, the first support portion (221) supporting the corresponding peripheral portion of the substrate (S) is lowered. Next, the voltage control unit (32) controls the substrate adsorption voltage (ΔV1) applied to the three sub-electrode units (242, 245, 248) of the central portion of the electrostatic chuck (24) constituting the second adsorption unit (②) to be turned off, whereby the substrate separation initiated from one peripheral portion progresses to an area corresponding to approximately half of the substrate (S) including the central portion of the substrate (S) in the direction toward the opposite peripheral portion (Fig. 5c).
마지막으로, 전압 제어부(32)는, 제3 흡착부(③)를 구성하는 3개의 서브 전극부(243, 246, 249)에 인가되고 있던 기판 흡착 전압(ΔV1)을 오프시키도록 제어하고, 이에 의해 제3 흡착부(③)에 대응하는 타측 주연부에서의 기판 분리가 개시되는 타이밍에 맞추어, 기판(S)의 타측 주연부를 지지하는 제2 지지부(222)를 하강시킨다(도 5d). 이로써, 기판 분리가 완료된다.Finally, the voltage control unit (32) controls the substrate adsorption voltage (ΔV1) applied to the three sub-electrode units (243, 246, 249) constituting the third adsorption unit (③) to be turned off, thereby lowering the second support unit (222) supporting the other-side peripheral portion of the substrate (S) in time with the timing at which substrate separation from the other-side peripheral portion corresponding to the third adsorption unit (③) begins (Fig. 5d). As a result, substrate separation is completed.
도 5의 각 좌측 도면은, 이상의 분리 진행 과정을 나타내는 단면도이고, 도 5의 각 우측 도면은, 이상의 각 전압 인가 단계에서의 기판(S) 분리 상태를 개념적으로 도시한 상면도(정전척(24)측에서 본 상면도)이다. 각 단계에서의 기판 흡착 영역을 사선으로 도시하고 있다.Each left-hand drawing of Fig. 5 is a cross-sectional view showing the above separation process, and each right-hand drawing of Fig. 5 is a top view (top view as seen from the electrostatic chuck (24) side) conceptually showing the substrate (S) separation state at each voltage application step. The substrate adsorption area at each step is shown in an oblique line.
이와 같이, 본 발명의 일 실시형태에서는, 정전척으로부터 기판을 분리할 때, 정전척의 흡착 영역과 기판 지지부의 구동을 상호 연동시켜 제어함으로써, 기판을 파손되지 않도록 부드럽게 분리시킬 수 있으며, 분리에 걸리는 시간 역시 단축시키는 것이 가능하다. In this way, in one embodiment of the present invention, when separating a substrate from an electrostatic chuck, by controlling the operation of the suction area of the electrostatic chuck and the substrate support part in a mutually interlocked manner, the substrate can be separated smoothly without being damaged, and the time required for separation can also be shortened.
도 6은, 본 발명의 다른 일 실시형태에 따른 기판 분리의 구성을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 6 is a drawing for explaining a configuration of substrate separation according to another embodiment of the present invention.
본 실시형태에서는, 이상 설명한 기판 분리 시의 정전척의 흡착 영역 및 기판 지지부의 구동 제어를, 기판 흡착 시의 흡착 진행 방향과 연관시켜 설정한다.In this embodiment, the driving control of the electrostatic chuck's adsorption area and the substrate support portion during substrate separation as described above are set in relation to the adsorption progress direction during substrate adsorption.
즉, 전술한 실시형태에서는 기판 분리 공정에 대해서 주로 설명하였으나, 기판 흡착 시에도, 마찬가지로, 정전척의 흡착 영역의 제어, 또는 기판 지지부의 구동 제어, 또는 이들 양쪽 모두의 제어를 통해, 일측 영역에서부터 타측 영역을 향해 순차로 기판을 흡착시켜 나갈 수 있다.That is, in the above-described embodiment, the substrate separation process has been mainly described, but, similarly, when the substrate is adsorbed, the substrate can be adsorbed sequentially from one area to the other area through control of the adsorption area of the electrostatic chuck, control of the drive of the substrate support portion, or control of both of them.
예컨대, 기판(S)을 정전척(24)에 흡착시킬 때, 정전척(24)에 흡착 전압을 인가한 상태에서, 기판 지지부(221, 222) 중 제1 지지부(221)을 먼저 상승시켜, 제1 지지부(221)에 의해 지지된 기판(S)의 일측 주연부에서 먼저 흡착이 개시되도록 하고, 이어서, 대향하는 타측의 제2 지지부(222)를 상승시켜, 흡착이 기판(S)의 중앙부를 지나, 타측 주연부를 향해 진행되도록 할 수 있다. 또한, 기판 분리 시와 마찬가지로, 정전척(24)으로 인가되는 기판 흡착 전압을 각 흡착 영역(제1 흡착부①, 제2 흡착부②, 제3 흡착부③) 별로 순차로 인가함으로써, 기판(S)의 일측에서부터 타측을 향해 순차로 흡착이 진행되도록 할 수도 있으며, 이러한 흡착 전압의 영역별 인가와 전술한 기판 지지부의 구동 제어를 연동시킬 수도 있다.For example, when adsorbing a substrate (S) onto an electrostatic chuck (24), while applying an adsorption voltage to the electrostatic chuck (24), the first support portion (221) among the substrate support portions (221, 222) may be raised first, so that adsorption is initiated first at one edge of the substrate (S) supported by the first support portion (221), and then the second support portion (222) on the opposite side may be raised, so that adsorption progresses toward the edge of the other side through the center of the substrate (S). In addition, as in the case of substrate separation, the substrate adsorption voltage applied to the electrostatic chuck (24) may be sequentially applied to each adsorption region (the first adsorption region ①, the second adsorption region ②, and the third adsorption region ③), so that adsorption progresses sequentially from one side of the substrate (S) toward the other side. In addition, the application of this adsorption voltage to each region may be linked with the driving control of the substrate support portion described above.
도 6a ~ 도 6c는, 이러한 과정을 통해, 기판(S)의 일측 주연부(제1 흡착부①)에서 흡착이 개시되어(도 6a), 기판(S)의 중앙부(제2 흡착부②)를 지나(도 6b), 반대측 타측 주연부(제3 흡착부③)까지 흡착이 진행되는(도 6c) 공정을 도시한다.Figures 6a to 6c illustrate a process in which, through this process, adsorption is initiated at one peripheral edge (first adsorption portion ①) of the substrate (S) (Figure 6a), passes through the central edge (second adsorption portion ②) of the substrate (Figure 6b), and progresses to the opposite peripheral edge (third adsorption portion ③) (Figure 6c).
도 6d ~ 도 6f는, 이와 같이 하여 흡착이 완료된 기판(S)에 대해 성막을 행한 이후, 기판(S)을 정전척(24)으로부터 다시 분리하는 공정을 도시한 것으로서, 전술한 실시형태에서 설명한 바와 같이, 정전척(24)에 인가되고 있던 기판 흡착 전압(ΔV1)을 오프시키는 제어를 흡착 영역 별로 순차로 제어함과 함께, 이러한 기판 분리 타이밍에 맞추어, 분리가 개시되는 측의 기판 지지부를 먼저 하강시키고, 그 후 타측의 기판 지지부를 하강시키도록 제어한다.FIGS. 6d to 6f illustrate a process of separating the substrate (S) from the electrostatic chuck (24) again after film formation on the substrate (S) on which adsorption has been completed in this manner. As described in the above-described embodiment, the substrate adsorption voltage (ΔV1) applied to the electrostatic chuck (24) is sequentially controlled for each adsorption area by controlling the turning off of the substrate adsorption voltage (ΔV1) applied to the electrostatic chuck (24), and in accordance with the timing of the substrate separation, the substrate support part on the side where separation is to be initiated is first lowered, and then the substrate support part on the other side is controlled to be lowered.
이러한 기판 분리 시의 정전척(24)의 흡착 영역의 제어 및 이와 연동된 기판 지지부(221, 222)의 구동 제어의 기본 동작은 전술한 실시형태와 마찬가지이므로 그 상세 내용은 설명을 생략한다. 본 실시형태에서 주목할 점은, 기판 분리 시의 정전척의 흡착 영역 및 기판 지지부의 구동 제어의 진행 방향을, 기판 흡착 시의 흡착 진행 방향과 반대로 설정한다는 점이다. 즉, 도 6d ~ 도 6f에 도시된 바와 같이, 기판 분리 시에는, 도 6a ~ 도 6c의 흡착 진행 방향(제1 지지부(221)에 의해 지지된 기판(S)의 일측 영역에서부터 제2 지지부(222)에 의해 지지된 기판(S)의 타측 영역을 향하는 방향)과는 반대 방향(제2 지지부(222)에 의해 지지된 기판(S)의 타측 영역에서부터 제1 지지부(221)에 의해 지지된 기판(S)의 일측 영역을 향하는 방향)으로 분리가 진행되도록, 각 흡착 영역 및 기판 지지부의 구동 제어를 행한다.Since the basic operation of the control of the suction area of the electrostatic chuck (24) during substrate separation and the drive control of the substrate support members (221, 222) linked thereto are the same as those of the above-described embodiment, the detailed description thereof will be omitted. A point to note in this embodiment is that the direction of the drive control of the suction area of the electrostatic chuck and the substrate support member during substrate separation is set to be opposite to the direction of suction progress during substrate suction. That is, as shown in FIGS. 6d to 6f, during substrate separation, the drive control of each suction area and the substrate support member is performed so that the separation progresses in the opposite direction (from the other side area of the substrate (S) supported by the second support member (222) toward the one side area of the substrate (S) supported by the first support member (221)) to the suction progress direction of FIGS. 6a to 6c.
기판 흡착 시, 정전척의 흡착 영역의 제어, 또는 기판 지지부의 순차 구동을 통해, 일측 영역에서부터 타측 영역을 향해 순차로 기판을 흡착시켜 나가는 경우, 기판 중앙부에 존재하는 처짐의 영향으로 인해 기판이 흡착이 진행되는 방향 쪽으로 치우친 상태로 정전척에 흡착되는 일이 있을 수 있다. 도 7은, 이러한 치우침 현상을 모식적으로 나타낸 개념도이다. 기판의 위치에 이러한 치우침이 발생하면, 다음 공정인 마스크와의 얼라인먼트 공정에서 이동량이 증가하거나, 치우침이 과도한 경우에는 이후 공정으로의 반송 과정 등에서 기판이 낙하하는 우려도 있다.When the substrate is sequentially absorbed from one region to the other by controlling the absorption region of the electrostatic chuck or sequentially driving the substrate support during substrate absorption, the substrate may be absorbed by the electrostatic chuck in a state that is biased toward the direction in which absorption is progressing due to the influence of the sagging existing in the central portion of the substrate. Fig. 7 is a conceptual diagram schematically showing this bias phenomenon. If such a bias occurs in the position of the substrate, there is a concern that the amount of movement may increase in the alignment process with the mask, which is the next process, or, if the bias is excessive, that the substrate may fall during the return process to the subsequent process.
본 실시형태에서는, 기판 분리 시의 흡착 영역 및 기판 지지부의 구동 제어를, 흡착 진행과 반대 방향으로 함으로써, 기판 흡착 시 발생할 수 있는 기판의 치우침을 해소할 수 있다. 즉, 분리를 흡착과 역방향으로 함으로써, 정전척(24)으로의 흡착 시 발생한 흡착 진행 방향으로의 치우침을, 분리 시 반대 방향으로 환원시킴으로써, 정전척으로부터 분리된 기판이 기판 지지부에 치우침 없이 원래의 위치로 재치될 수 있게 된다. 따라서, 본 실시형태에 따르면, 기판 치우침에 의한 얼라인먼트 이동량 증가, 기판 낙하 등을 방지할 수 있다.In this embodiment, by controlling the driving of the suction region and the substrate support portion during substrate separation in the opposite direction to the progress of suction, it is possible to eliminate substrate misalignment that may occur during substrate suction. That is, by performing the separation in the opposite direction to suction, the misalignment in the suction progress direction that occurs during suction to the electrostatic chuck (24) is reduced to the opposite direction during separation, so that the substrate separated from the electrostatic chuck can be placed in the original position without misalignment on the substrate support portion. Therefore, according to this embodiment, it is possible to prevent an increase in alignment movement amount due to substrate misalignment, substrate dropping, etc.
<성막 프로세스> <Tabernacle Process>
이하, 본 실시형태에 의한 성막장치를 사용한 성막 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a film forming method using a film forming device according to the present embodiment will be described.
진공 용기(21) 내의 마스크 지지 유닛(23)에 마스크(M)가 지지된 상태에서, 기판(S)이 진공 용기(21) 내로 반입된다. 이상 설명한 기판 흡착 공정을 통하여 정전척(24)에 기판(S)을 흡착시킨다. 이어서, 기판(S)과 마스크(M)의 얼라인먼트를 행한 뒤, 기판(S)과 마스크(M)의 상대위치 어긋남량이 소정의 임계치보다 작아지면, 자력인가수단을 하강시켜, 기판(S)과 마스크(M)를 밀착시킨 후, 성막재료를 기판(S)에 성막한다. 원하는 두께로 성막한 후, 자력인가수단을 상승시켜 마스크(M)를 분리하고, 이상 설명한 기판 분리 공정을 통하여 정전척(24)으로부터 기판(S)을 분리한 뒤, 반출한다.With the mask (M) supported on the mask support unit (23) in the vacuum container (21), the substrate (S) is introduced into the vacuum container (21). The substrate (S) is absorbed by the electrostatic chuck (24) through the substrate absorption process described above. Next, after the alignment of the substrate (S) and the mask (M), if the amount of relative positional misalignment between the substrate (S) and the mask (M) becomes smaller than a predetermined threshold, the magnetic force applying means is lowered to bring the substrate (S) and the mask (M) into close contact, and then the film forming material is formed on the substrate (S). After the film is formed to a desired thickness, the magnetic force applying means is raised to separate the mask (M), and the substrate (S) is separated from the electrostatic chuck (24) through the substrate separation process described above, and then taken out.
<전자디바이스의 제조방법><Method for manufacturing electronic devices>
다음으로, 본 실시형태의 성막 장치를 이용한 전자 디바이스의 제조 방법의 일례를 설명한다. 이하, 전자 디바이스의 예로서 유기 EL 표시장치의 구성 및 제조 방법을 예시한다.Next, an example of a method for manufacturing an electronic device using the film forming apparatus of the present embodiment is described. Hereinafter, as an example of an electronic device, the configuration and manufacturing method of an organic EL display device are exemplified.
우선, 제조하는 유기 EL 표시장치에 대해 설명한다. 도 8(a)는 유기 EL 표시장치(60)의 전체도, 도 8(b)는 1 화소의 단면 구조를 나타내고 있다. First, the organic EL display device being manufactured will be described. Fig. 8(a) is an overall view of the organic EL display device (60), and Fig. 8(b) shows a cross-sectional structure of one pixel.
도 8(a)에 도시한 바와 같이, 유기 EL 표시장치(60)의 표시 영역(61)에는 발광소자를 복수 구비한 화소(62)가 매트릭스 형태로 복수 개 배치되어 있다. 상세 내용은 후술하지만, 발광소자의 각각은 한 쌍의 전극에 끼워진 유기층을 구비한 구조를 가지고 있다. 또한, 여기서 말하는 화소란 표시 영역(61)에 있어서 소망의 색 표시를 가능하게 하는 최소 단위를 지칭한다. 본 실시예에 관한 유기 EL 표시장치의 경우, 서로 다른 발광을 나타내는 제1 발광소자(62R), 제2 발광소자(62G), 제3 발광소자(62B)의 조합에 의해 화소(62)가 구성되어 있다. 화소(62)는 적색 발광소자, 녹색 발광소자, 청색 발광소자의 조합으로 구성되는 경우가 많지만, 황색 발광소자, 시안 발광소자, 백색 발광소자의 조합이어도 되며, 적어도 1 색 이상이면 특히 제한되는 것은 아니다.As illustrated in Fig. 8(a), in the display area (61) of the organic EL display device (60), a plurality of pixels (62) each having a plurality of light-emitting elements are arranged in a matrix form. As will be described in detail later, each of the light-emitting elements has a structure including an organic layer sandwiched between a pair of electrodes. In addition, the pixel referred to here refers to the minimum unit that enables a desired color display in the display area (61). In the case of the organic EL display device according to the present embodiment, the pixel (62) is configured by a combination of a first light-emitting element (62R), a second light-emitting element (62G), and a third light-emitting element (62B) that exhibit different light emission. The pixel (62) is often configured by a combination of a red light-emitting element, a green light-emitting element, and a blue light-emitting element, but may also be a combination of a yellow light-emitting element, a cyan light-emitting element, and a white light-emitting element, and there is no particular limitation as long as there is at least one color.
도 8(b)는 도 8(a)의 A-B선에 있어서의 부분 단면 모식도이다. 화소(62)는 기판(63) 상에 양극(64), 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67), 음극(68)을 구비한 유기 EL 소자를 가지고 있다. 이들 중 정공 수송층(65), 발광층(66R, 66G, 66B), 전자 수송층(67)이 유기층에 해당한다. 또한, 본 실시형태에서는, 발광층(66R)은 적색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66G)는 녹색을 발하는 유기 EL 층, 발광층(66B)는 청색을 발하는 유기 EL 층이다. 발광층(66R, 66G, 66B)은 각각 적색, 녹색, 청색을 발하는 발광소자(유기 EL 소자라고 부르는 경우도 있음)에 대응하는 패턴으로 형성되어 있다. 또한, 양극(64)은 발광소자별로 분리되어 형성되어 있다. 정공 수송층(65)과 전자 수송층(67)과 음극(68)은, 복수의 발광소자(62R, 62G, 62B)와 공통으로 형성되어 있어도 좋고, 발광소자별로 형성되어 있어도 좋다. 또한, 양극(64)과 음극(68)이 이물에 의해 단락되는 것을 방지하기 위하여, 양극(64) 사이에 절연층(69)이 설치되어 있다. 또한, 유기 EL 층은 수분이나 산소에 의해 열화되기 때문에, 수분이나 산소로부터 유기 EL 소자를 보호하기 위한 보호층(70)이 설치되어 있다.Fig. 8(b) is a partial cross-sectional schematic diagram taken along line A-B of Fig. 8(a). The pixel (62) has an organic EL element having an anode (64), a hole transport layer (65), light-emitting layers (66R, 66G, 66B), an electron transport layer (67), and a cathode (68) on a substrate (63). Of these, the hole transport layer (65), the light-emitting layers (66R, 66G, 66B), and the electron transport layer (67) correspond to organic layers. In addition, in the present embodiment, the light-emitting layer (66R) is an organic EL layer that emits red, the light-emitting layer (66G) is an organic EL layer that emits green, and the light-emitting layer (66B) is an organic EL layer that emits blue. The light-emitting layers (66R, 66G, 66B) are formed in patterns corresponding to light-emitting elements (sometimes called organic EL elements) that emit red, green, and blue, respectively. In addition, the anode (64) is formed separately for each light-emitting element. The hole transport layer (65), the electron transport layer (67), and the cathode (68) may be formed in common with a plurality of light-emitting elements (62R, 62G, 62B), or may be formed for each light-emitting element. In addition, in order to prevent the anode (64) and the cathode (68) from being short-circuited by a foreign substance, an insulating layer (69) is provided between the anode (64). In addition, since the organic EL layer is deteriorated by moisture or oxygen, a protective layer (70) is provided to protect the organic EL element from moisture or oxygen.
도 8(b)에서는 정공수송층(65)이나 전자 수송층(67)이 하나의 층으로 도시되었으나, 유기 EL 표시 소자의 구조에 따라서, 정공블록층이나 전자블록층을 포함하는 복수의 층으로 형성될 수도 있다. 또한, 양극(64)과 정공수송층(65) 사이에는 양극(64)으로부터 정공수송층(6 5)으로의 정공의 주입이 원활하게 이루어지도록 할 수 있는 에너지밴드 구조를 가지는 정공주입층을 형성할 수도 있다. 마찬가지로, 음극(68)과 전자수송층(67) 사이에도 전자주입층이 형성될 수 있다.In Fig. 8(b), the hole transport layer (65) or the electron transport layer (67) is illustrated as a single layer, but depending on the structure of the organic EL display element, it may be formed as a plurality of layers including a hole block layer or an electron block layer. In addition, a hole injection layer having an energy band structure that enables smooth injection of holes from the anode (64) to the hole transport layer (6 5) may be formed between the anode (64) and the hole transport layer (65). Similarly, an electron injection layer may also be formed between the cathode (68) and the electron transport layer (67).
다음으로, 유기 EL 표시장치의 제조 방법의 예에 대하여 구체적으로 설명한다.Next, a specific example of a method for manufacturing an organic EL display device is described.
우선, 유기 EL 표시장치를 구동하기 위한 회로(미도시) 및 양극(64)이 형성된 기판(63)을 준비한다.First, a circuit (not shown) for driving an organic EL display device and a substrate (63) on which an anode (64) is formed are prepared.
양극(64)이 형성된 기판(63) 위에 아크릴 수지를 스핀 코트로 형성하고, 아크릴 수지를 리소그래피 법에 의해 양극(64)이 형성된 부분에 개구가 형성되도록 패터닝하여 절연층(69)을 형성한다. 이 개구부가 발광소자가 실제로 발광하는 발광 영역에 상당한다.An acrylic resin is formed by spin coating on a substrate (63) on which an anode (64) is formed, and the acrylic resin is patterned by lithography so that an opening is formed in the portion where the anode (64) is formed, thereby forming an insulating layer (69). This opening corresponds to the light-emitting area where the light-emitting element actually emits light.
절연층(69)이 패터닝된 기판(63)을 제1 유기재료 성막 장치에 반입하여 기판 보유 지지 유닛 및 정전척으로 기판을 보유 지지하고, 정공 수송층(65)을 표시 영역의 양극(64) 위에 공통층으로서 성막한다. 정공 수송층(65)은 진공 증착에 의해 성막된다. 실제로는 정공 수송층(65)은 표시 영역(61)보다 큰 사이즈로 형성되기 때문에, 고정밀의 마스크는 필요치 않다.A substrate (63) on which an insulating layer (69) is patterned is introduced into a first organic material film forming device, the substrate is held and supported by a substrate holding and supporting unit and an electrostatic chuck, and a hole transport layer (65) is formed as a common layer on an anode (64) of a display area. The hole transport layer (65) is formed by vacuum deposition. In reality, since the hole transport layer (65) is formed in a size larger than the display area (61), a high-precision mask is not required.
다음으로, 정공 수송층(65)까지 형성된 기판(63)을 제2 유기재료 성막 장치에 반입하고, 기판 보유 지지 유닛 및 정전척으로 보유 지지한다. 기판과 마스크의 얼라인먼트를 행하고, 기판을 마스크 상에 재치하여, 기판(63)의 적색을 발하는 소자를 배치하는 부분에 적색을 발하는 발광층(66R)을 성막한다. Next, the substrate (63) formed up to the hole transport layer (65) is introduced into the second organic material film forming device and is held and supported by a substrate holding and supporting unit and an electrostatic chuck. Alignment of the substrate and the mask is performed, the substrate is placed on the mask, and a red-emitting layer (66R) is formed on the portion of the substrate (63) where a red-emitting element is arranged.
발광층(66R)의 성막과 마찬가지로, 제3 유기재료 성막 장치에 의해 녹색을 발하는 발광층(66G)을 성막하고, 나아가 제4 유기재료 성막 장치에 의해 청색을 발하는 발광층(66B)을 성막한다. 발광층(66R, 66G, 66B)의 성막이 완료된 후, 제5 유기재료 성막 장치에 의해 표시 영역(61)의 전체에 전자 수송층(67)을 성막한다. 전자 수송층(67)은 3 색의 발광층(66R, 66G, 66B)에 공통의 층으로서 형성된다.As with the deposition of the light-emitting layer (66R), a light-emitting layer (66G) that emits green is deposited by a third organic material deposition device, and further, a light-emitting layer (66B) that emits blue is deposited by a fourth organic material deposition device. After the deposition of the light-emitting layers (66R, 66G, 66B) is completed, an electron-transport layer (67) is deposited over the entire display area (61) by a fifth organic material deposition device. The electron-transport layer (67) is formed as a common layer for the light-emitting layers (66R, 66G, 66B) of three colors.
전자 수송층(67)까지 형성된 기판을 금속성 증착재료 성막 장치로 이동시켜 음극(68)을 성막한다. The substrate formed up to the electron transport layer (67) is moved to a metallic deposition material deposition device to form a cathode (68).
그 후 플라스마 CVD 장치로 이동시켜 보호층(70)을 성막하여, 유기 EL 표시장치(60)를 완성한다.Afterwards, it is moved to a plasma CVD device to form a protective layer (70), thereby completing the organic EL display device (60).
절연층(69)이 패터닝 된 기판(63)을 성막 장치로 반입하고 나서부터 보호층(70)의 성막이 완료될 때까지는, 수분이나 산소를 포함하는 분위기에 노출되면 유기 EL 재료로 이루어진 발광층이 수분이나 산소에 의해 열화될 우려가 있다. 따라서, 본 예에 있어서, 성막 장치 간의 기판의 반입, 반출은 진공 분위기 또는 불활성 가스 분위기 하에서 행하여진다.From the time the substrate (63) on which the insulating layer (69) is patterned is brought into the film forming apparatus until the film forming of the protective layer (70) is completed, there is a risk that the light-emitting layer made of the organic EL material may be deteriorated by moisture or oxygen if exposed to an atmosphere containing moisture or oxygen. Therefore, in this example, the bringing in and taking out of the substrate between film forming apparatuses is performed under a vacuum atmosphere or an inert gas atmosphere.
상기 실시예는 본 발명의 일 예를 나타낸 것으로, 본 발명은 상기 실시예의 구성에 한정되지 않으며, 그 기술사상의 범위내에서 적절히 변형하여도 된다.The above embodiment shows an example of the present invention, and the present invention is not limited to the configuration of the above embodiment, and may be appropriately modified within the scope of the technical idea thereof.
11: 성막장치
22: 기판 지지 유닛
221, 222: 지지부
23: 마스크 지지 유닛
24: 정전척
241~249: 서브 전극부11: Tabernacle equipment
22: Substrate support unit
221, 222: Support
23: Mask support unit
24: Static
241~249: Sub electrode section
Claims (17)
챔버 내에 배치되어, 상기 기판의 제1변의 주연부를 지지하는 제1 기판 지지부와,
상기 챔버 내에 배치되어, 상기 기판의 상기 제1변에 대향하는 제2변의 주연부를 지지하는 제2 기판 지지부와,
상기 챔버내의 상기 제1 및 제2 기판 지지부의 상방에 배치되어, 상기 기판을 흡착하기 위한 기판 흡착 수단과,
상기 제1 및 제2 기판 지지부를 각각 독립적으로 구동시키는 구동부와,
제어부를 포함하며,
상기 기판 흡착 수단은, 흡착 영역에 인가되는 흡착 전압에 의해 상기 기판을 흡착하는 정전척이고, 상기 흡착 영역으로서 상기 흡착 전압의 인가 상태를 독립적으로 제어 가능한 분할된 복수의 흡착 영역을 갖고,
상기 제어부는, 상기 기판 흡착 수단으로부터의 상기 기판의 분리 시에, 상기 제1변의 주연부로부터 상기 제2 변의 주연부를 향하여 순차로 분리가 행해지도록, 상기 복수의 흡착 영역에 인가되고 있던 상기 흡착 전압이 상기 제1변의 주연부에서부터 상기 제2변의 주연부를 향하는 방향으로 순차로 오프되게 상기 기판 흡착 수단을 제어함과 함께, 상기 복수의 흡착 영역 중 상기 제1변의 주연부에 대응하는 흡착 영역에 인가되고 있던 상기 흡착 전압이 오프되는 타이밍에 맞추어 상기 제1 기판 지지부를 먼저 하강시키고, 그 후, 상기 복수의 흡착 영역 중 상기 제2변의 주연부에 대응하는 흡착 영역에 인가되고 있던 상기 흡착 전압이 오프되는 타이밍에 맞추어 상기 제2 기판 지지부를 하강시키도록 상기 구동부를 제어하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
A film forming device that forms a film material on a substrate through a mask,
A first substrate support portion, which is positioned within the chamber and supports a peripheral portion of the first side of the substrate;
A second substrate support member, which is positioned within the chamber and supports a peripheral portion of a second side of the substrate facing the first side,
A substrate adsorption means for adsorbing the substrate, arranged above the first and second substrate supports in the chamber,
A driving unit for independently driving the first and second substrate supports, respectively;
Includes a control unit,
The substrate adsorption means is an electrostatic chuck that adsorbs the substrate by an adsorption voltage applied to an adsorption area, and has a plurality of divided adsorption areas as the adsorption area, the application state of the adsorption voltage being independently controllable.
The control unit controls the substrate adsorption means to sequentially turn off the adsorption voltage applied to the plurality of adsorption regions in a direction from the periphery of the first side toward the periphery of the second side when the substrate is separated from the substrate adsorption means, so that the separation is sequentially performed from the periphery of the first side toward the periphery of the second side, and at the same time, the first substrate support unit is first lowered in accordance with the timing at which the adsorption voltage applied to the adsorption region corresponding to the periphery of the first side among the plurality of adsorption regions is turned off, and thereafter, the second substrate support unit is lowered in accordance with the timing at which the adsorption voltage applied to the adsorption region corresponding to the periphery of the second side among the plurality of adsorption regions is turned off.
상기 제어부는, 상기 기판흡착수단으로의 상기 기판의 흡착 시, 상기 제2변의 주연부에서부터 상기 제1변의 주연부를 향해 순차로 흡착이 행해지도록 상기 기판 흡착 수단 또는 상기 제1 및 제2 기판 지지부를 제어하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
In the first paragraph,
A film forming apparatus characterized in that the control unit controls the substrate adsorption means or the first and second substrate support units so that, when the substrate is adsorbed by the substrate adsorption means, adsorption is performed sequentially from the peripheral edge of the second side toward the peripheral edge of the first side.
상기 제어부는, 상기 기판의 흡착 시, 상기 복수의 흡착 영역에 상기 제2변의 주연부에서부터 상기 제1변의 주연부를 향하는 방향으로 순차로 상기 흡착 전압이 인가되도록 제어하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
In paragraph 4,
A film forming device characterized in that the control unit controls, when the substrate is adsorbed, the adsorption voltage to be sequentially applied to the plurality of adsorption areas in a direction from the peripheral edge of the second side toward the peripheral edge of the first side.
상기 제어부는, 상기 기판의 흡착 시, 상기 제2 기판 지지부 및 상기 제1 기판 지지부의 순으로 상승시켜, 상기 제2 기판 지지부가 상기 제1 기판 지지부보다 먼저 상기 기판 흡착 수단에 근접하도록 제어하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
In paragraph 4,
A film forming apparatus characterized in that the control unit controls the second substrate support unit and the first substrate support unit to rise in that order when the substrate is adsorbed, so that the second substrate support unit approaches the substrate adsorption means before the first substrate support unit.
챔버 내에 배치되어, 상기 기판의 제1변의 주연부를 지지하는 제1 기판 지지부와,
상기 챔버 내에 배치되어, 상기 기판의 상기 제1변에 대향하는 제2변의 주연부를 지지하는 제2 기판 지지부와,
상기 챔버내의 상기 제1 및 제2 기판 지지부의 상방에 배치되어, 정전기력에 의해 상기 기판을 흡착하기 위한 기판 흡착 수단을 구비하고,
상기 기판 흡착 수단은, 상기 제1변의 주연부를 흡착하는 제1 흡착 전극부와, 상기 제2변의 주연부를 흡착하는 제2 흡착 전극부를 포함하고,
상기 제1 흡착 전극부 및 상기 제2 흡착 전극부 각각은, 흡착 전압으로서 플러스의 전압이 인가되는 제1 전극과, 상기 흡착 전압으로서 마이너스 전압이 인가되는 제2 전극을 포함하고,
상기 기판 흡착 수단으로부터 상기 기판의 분리시에, 상기 제1 흡착 전극부에 분리 전압이 인가되고, 또한, 상기 제2 흡착 전극부에 상기 흡착 전압이 인가된 제1 분리 상태에서, 상기 제1 기판 지지부가 상기 제2 기판 지지부에 대하여 독립적으로 하강하고,
상기 분리 전압이 인가된 상태는, 상기 제1 전극에, 마이너스의 전압 또는 상기 흡착 전압보다 절대값이 작은 플러스의 전압이 인가되고, 상기 제2 전극에, 플러스의 전압 또는 상기 흡착 전압보다 절대값이 작은 마이너스의 전압이 인가된 상태, 및 상기 제1 전극과 상기 제2 전극의 사이에 전위차가 없는 상태를 포함하고,
상기 제1 기판 지지부가 하강한 후에, 상기 제1 흡착 전극부 및 상기 제2 흡착 전극부의 양쪽에 상기 분리 전압이 인가된 제2 분리 상태에서, 상기 제2 기판 지지부를 하강시키는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
A film forming device that forms a film forming material on a substrate through a mask,
A first substrate support portion, which is positioned within the chamber and supports a peripheral portion of the first side of the substrate;
A second substrate support member, which is positioned within the chamber and supports a peripheral portion of a second side of the substrate facing the first side,
A substrate adsorption means is provided above the first and second substrate supports in the chamber to adsorb the substrate by electrostatic force.
The above substrate adsorption means includes a first adsorption electrode part that adsorbs the peripheral part of the first side, and a second adsorption electrode part that adsorbs the peripheral part of the second side.
Each of the first adsorption electrode part and the second adsorption electrode part includes a first electrode to which a positive voltage is applied as the adsorption voltage and a second electrode to which a negative voltage is applied as the adsorption voltage.
When the substrate is separated from the substrate adsorption means, a separation voltage is applied to the first adsorption electrode portion, and further, in a first separation state in which the adsorption voltage is applied to the second adsorption electrode portion, the first substrate support portion is lowered independently with respect to the second substrate support portion.
The state in which the above separation voltage is applied includes a state in which a negative voltage or a positive voltage having an absolute value smaller than the adsorption voltage is applied to the first electrode, a state in which a positive voltage or a negative voltage having an absolute value smaller than the adsorption voltage is applied to the second electrode, and a state in which there is no potential difference between the first electrode and the second electrode.
A film forming apparatus characterized in that after the first substrate support member is lowered, the second substrate support member is lowered in a second separation state in which the separation voltage is applied to both sides of the first adsorption electrode member and the second adsorption electrode member.
상기 제1 분리 상태로 되기 전에, 상기 제1 흡착 전극부 및 상기 제2 흡착 전극부의 양쪽에 상기 흡착 전압이 인가된 흡착 상태에서, 상기 제1 기판 지지부 및 상기 제2 기판 지지부 각각이 상기 기판 흡착 수단에 흡착된 상기 기판에 접하고 있는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
In Article 7,
A film forming apparatus characterized in that, before entering the first separation state, in an adsorption state in which the adsorption voltage is applied to both sides of the first adsorption electrode portion and the second adsorption electrode portion, each of the first substrate support portion and the second substrate support portion is in contact with the substrate adsorbed by the substrate adsorption means.
상기 기판 흡착 수단으로의 상기 기판의 흡착시에, 상기 제2 흡착 전극부에 상기 흡착 전압을 인가하고, 그 후에, 상기 제1 흡착 전극부에 상기 흡착 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
In Article 7,
A film forming apparatus characterized in that, when the substrate is adsorbed by the substrate adsorption means, the adsorption voltage is applied to the second adsorption electrode part, and then, the adsorption voltage is applied to the first adsorption electrode part.
상기 제2 흡착 전극부에 상기 흡착 전압을 인가한 후로서, 상기 제1 흡착 전극부에 상기 흡착 전압을 인가하기 전에, 상기 제2 기판 지지부를 상기 제1 기판 지지부에 대하여 독립적으로 상승시키는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
In Article 10,
A film forming apparatus characterized in that after applying the adsorption voltage to the second adsorption electrode portion, but before applying the adsorption voltage to the first adsorption electrode portion, the second substrate support portion is independently raised with respect to the first substrate support portion.
상기 제1 흡착 전극부에 상기 흡착 전압을 인가한 후에, 상기 제1 기판 지지부를 상승시키는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
In Article 12,
A film forming device characterized in that after applying the adsorption voltage to the first adsorption electrode portion, the first substrate support portion is raised.
상기 기판 흡착 수단은, 상기 제1 흡착 전극부와 상기 제2 흡착 전극부와의 사이에 배치된 적어도 하나의 제3 흡착 전극부를 포함하는 것을 특징으로 하는 성막 장치.
In Article 7,
A film forming apparatus, characterized in that the substrate adsorption means includes at least one third adsorption electrode part arranged between the first adsorption electrode part and the second adsorption electrode part.
기판 흡착 수단이 가지는, 상기 기판의 제1변의 주연부를 흡착하는 제1 흡착 전극부와 상기 기판의 상기 제1변에 대향하는 제2변의 주연부를 흡착하는 제2 흡착 전극부에 흡착 전압을 인가함으로써 상기 기판을 상기 기판 흡착 수단에 흡착하는 흡착공정과,
상기 흡착공정 후에, 상기 기판 흡착 수단에 흡착된 상기 기판에 마스크를 통해 성막재료를 성막하는 성막공정과,
상기 성막공정 후에, 상기 제1 흡착 전극부에 분리 전압을 인가하거나, 또는 상기 제1 흡착 전극부에 흡착 전압을 인가하지 않음으로써, 상기 기판의 제1변의 주연부를 분리 상태로 하고, 상기 제1변의 주연부를 지지하는 제1 기판 지지부 및 상기 제2 변의 주연부를 지지하는 제2 기판 지지부를 서로 독립적으로 구동하는 구동부를 사용하여, 상기 제1변의 주연부에서 분리가 행해지는 타이밍에 맞추어 상기 제1 기판 지지부를 먼저 하강시키고, 그 후, 상기 제2 흡착 전극부에 분리 전압을 인가하거나, 또는 상기 제2 흡착 전극부에 흡착 전압을 인가하지 않음으로써, 상기 기판의 제2변의 주연부를 분리 상태로 하고, 상기 제2변의 주연부에서 분리가 행해지는 타이밍에 맞추어 상기 제2 기판 지지부를 하강시키는 분리공정을 갖는 것을 특징으로 하는 성막방법.
A film forming method for forming a film material on a substrate within a chamber of a film forming device,
An adsorption process in which the substrate is adsorbed to the substrate adsorption means by applying an adsorption voltage to a first adsorption electrode portion that adsorbs the peripheral portion of the first side of the substrate and a second adsorption electrode portion that adsorbs the peripheral portion of the second side of the substrate opposite to the first side,
After the above adsorption process, a film forming process of forming a film material through a mask on the substrate adsorbed by the substrate adsorption means;
A film forming method characterized by having a separation process in which, after the film forming process, a separation voltage is applied to the first adsorption electrode part or no adsorption voltage is applied to the first adsorption electrode part, thereby bringing the peripheral edge of the first side of the substrate into a separated state, and a first substrate support part that supports the peripheral edge of the first side and a second substrate support part that supports the peripheral edge of the second side are independently driven by a driving part to first lower the first substrate support part in accordance with the timing at which separation is performed at the peripheral edge of the first side, and thereafter, a separation voltage is applied to the second adsorption electrode part or no adsorption voltage is applied to the second adsorption electrode part, thereby bringing the peripheral edge of the second side of the substrate into a separated state, and the second substrate support part is lowered in accordance with the timing at which separation is performed at the peripheral edge of the second side.
A method for manufacturing an electronic device, characterized by manufacturing an electronic device using the film forming method described in Article 16.
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